CN111276632B - 显示面板及其制作方法 - Google Patents

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CN111276632B CN202010102587.2A CN202010102587A CN111276632B CN 111276632 B CN111276632 B CN 111276632B CN 202010102587 A CN202010102587 A CN 202010102587A CN 111276632 B CN111276632 B CN 111276632B
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Abstract

本申请公开了一种显示面板及其制作方法。该显示面板包括阵列基板、位于该阵列基板上的发光器件层、位于该发光器件层上的彩膜层;该彩膜层包括多个色阻、位于相邻两个该色阻之间的遮光层、及位于该遮光层上的多个辅助电极;其中,该辅助电极与该发光器件层的阴极层电连接。本申请通过在遮光层上设置与阴极层电连接的辅助电极,配合不同高度的遮光单元,减少了靠近显示中心区的电极压降,改善了显示亮度的均匀性,增强了用户视觉效果。

Description

显示面板及其制作方法
技术领域
本申请涉及显示领域,尤其涉及显示技术领域,具体涉及一种显示面板及其制作方法。
背景技术
随着生活水平的提高,WOLED(White Organic Light-Emitting Diode,白色有机发光半导体)显示屏幕在大尺寸的显示屏幕上应用越来广泛。
现有技术中,WOLED大尺寸显示屏幕在工作时,由于电极的阴极压降逐渐加重,导致显示亮度不均,越靠近中心区越严重的技术问题,使得用户视觉效果较差。
因此,亟需一种显示面板及其制作方法以解决上述技术问题。
发明内容
本申请提供了一种显示面板及其制作方法,以解决现有技术中,WOLED大尺寸显示屏幕在工作时,由于电极的阴极压降逐渐加重,导致显示亮度不均,越靠近中心区越严重的技术问题。
为解决上述问题,本申请提供的技术方案如下:
一种显示面板,所述显示面板包括阵列基板、位于所述阵列基板上的发光器件层、位于所述发光器件层上的彩膜层;
所述彩膜层包括多个色阻、位于相邻两个所述色阻之间的遮光层、及位于所述遮光层上的多个辅助电极;
其中,所述辅助电极与所述发光器件层的阴极层电连接。
在本申请的显示面板中,靠近所述显示面板中心的所述辅助电极的电阻阻值小于远离所述显示面板中心的所述辅助电极的电阻阻值。
在本申请的显示面板中,靠近所述显示面板中心的所述辅助电极与所述阴极层的接触面积大于远离所述显示面板中心的所述辅助电极与所述阴极层的接触面积。
在本申请的显示面板中,靠近所述显示面板中心的所述辅助电极的数量密度大于远离所述显示面板中心的所述辅助电极的数量密度。
在本申请的显示面板中,靠近所述显示面板中心的所述辅助电极的厚度小于远离所述显示面板中心的所述辅助电极的厚度。
在本申请的显示面板中,所述遮光层包括第一遮光单元及位于所述第一遮光单元上的第二遮光单元;
所述第二遮光单元包括多个第二子遮光单元;
所述辅助电极位于所述第二子遮光单元上;
其中,靠近所述显示面板中心的所述第二子遮光单元的数量密度大于远离所述显示面板中心的所述第二子遮光单元的数量密度。
在本申请的显示面板中,所述遮光层的厚度大于所述色阻的厚度;
所述遮光层搭接在所述色阻上。
一种显示面板的制作方法,包括:
在阵列基板上形成发光器件层;
在第一基板上形成彩膜层,包括多个色阻、位于相邻两个所述色阻之间的遮光层、及位于所述遮光层上的辅助电极;
将所述彩膜层与所述发光器件层对位贴合,所述辅助电极与所述发光器件层的阴极层电连接。
在本申请的显示面板的制作方法中,形成所述遮光层及所述辅助电极的步骤包括:
在第一基板上形成第一遮光单元;
在所述第一遮光单元上形成第二遮光单元;
在所述第二遮光单元上形成多个辅助电极;
其中,所述第二遮光单元包括多个第二子遮光单元,靠近所述显示面板中心的所述第二子遮光单元的数量密度大于远离所述显示面板中心的所述第二子遮光单元的数量密度。
在本申请的显示面板的制作方法中,所述遮光层的厚度大于所述色阻的厚度;
所述遮光层搭接在所述色阻上。
有益效果:本申请通过在遮光层上设置与阴极层电连接的辅助电极,配合不同高度的遮光单元,减少了靠近显示中心区的电极压降,改善了显示亮度的均匀性,增强了用户视觉效果。
附图说明
下面结合附图,通过对本申请的具体实施方式详细描述,将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请的显示面板的第一种结构的结构示意图;
图2为本申请的显示面板的第二种结构的结构示意图;
图3为本申请的显示面板的制作方法的步骤流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接或可以相互通讯;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本申请。此外,本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外,本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
现有技术中,WOLED大尺寸显示屏幕在工作时,由于电极的阴极压降逐渐加重,导致显示亮度不均,越靠近中心区越严重的技术问题,使得用户视觉效果较差。基于此,本申请提出了一种显示面板及其制作方法。
请参阅图1、图2,本申请提供了一种显示面板100,所述显示面板100包括阵列基板200、位于所述阵列基板200上的发光器件层300、位于所述发光器件层300上的彩膜层400;
所述彩膜层400包括多个色阻410、位于相邻两个所述色阻410之间的遮光层、及位于所述遮光层上的多个辅助电极430;
其中,所述辅助电极430与所述发光器件层300的阴极层330电连接。
本申请通过在遮光层上设置与阴极层330电连接的辅助电极430,配合不同高度的遮光单元,减少了靠近显示中心区的电极压降,改善了显示亮度的均匀性,增强了用户视觉效果。
现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。
实施例一
请参阅图1、图2,所述显示面板100包括阵列基板200、位于所述阵列基板200上的发光器件层300、位于所述发光器件层300上的彩膜层400;
所述彩膜层400包括多个色阻410、位于相邻两个所述色阻410之间的遮光层、及位于所述遮光层上的多个辅助电极430;
其中,所述辅助电极430与所述发光器件层300的阴极层330电连接。
本实施例中,所述遮光层为连续设置的或者所述遮光层为间隔设置的。
本实施例中,色阻410的颜色为红色、蓝色、及绿色中的任意一种颜色,在此不做限制。
本实施例中,任意两个所述辅助电极430是间隔绝缘设置的。
本实施例中,所述发光器件层300发出的光为白光。
本实施例中,所述发光器件层300包括阳极层310、发光材料层320、阴极层330,具体请参阅图1、图2。所述阴极层330远离所述阵列基板200。所述阳极层310与所述阵列基板200的源漏极层电连接。
本实施例中,靠近所述显示面板100中心的所述辅助电极430的电阻阻值小于远离所述显示面板100中心的所述辅助电极430的电阻阻值。靠近所述显示面板100中心的压降越严重,显示效果越差,辅助电极430还与外场电连接,在显示时,给予辅助电极430外场电压,辅助电极430在起到增加电压的同时,自身也会有电阻,所以越靠近显示面板100中心,辅助电极430的电阻阻值越小,可以更好地减小压降,从而改善显示效果。辅助电极430在起到减小压降效果同时,可以达到彩膜层400与阵列基板200间的段差效果,保护显示面板100。
本实施例中,所述遮光层包括第一遮光单元。所述第一遮光单元包括多个第一子遮光单元421。
本实施例中,靠近所述显示面板100中心的所述辅助电极430的厚度小于远离所述显示面板100中心的所述辅助电极430的厚度。相应的,靠近所述显示面板100中心的所述辅助电极430上对应的第一子遮光单元421的厚度大于远离所述显示面板100中心的所述辅助电极430上对应的第一子遮光单元421的厚度。任意一组所述辅助电极430与其对应的第一子遮光单元421的厚度之和相同。保证辅助电极430与所述阴极层330电连接紧密。靠近所述显示面板100中心的压降越严重,显示效果越差,所以越靠近显示面板100中心,辅助电极430的厚度越小,辅助电极430的电阻阻值越小,可以更好地减小压降,从而改善显示效果。
本实施例中,靠近所述显示面板100中心的所述辅助电极430与所述阴极层330的接触面积大于远离所述显示面板100中心的所述辅助电极430与所述阴极层330的接触面积,具体请参阅图1、图2。靠近所述显示面板100中心的压降越严重,显示效果越差,所以越靠近显示面板100中心,辅助电极430与所述阴极层330的接触面积越大,辅助电极430的电阻阻值越小,可以更好地减小压降,从而改善显示效果。
本实施例中,靠近所述显示面板100中心的所述辅助电极430的数量密度大于远离所述显示面板100中心的所述辅助电极430的数量密度。在显示面板100的边缘区不设置辅助电极430,具体请参阅图1、图2。靠近所述显示面板100中心的压降越严重,显示效果越差,所以越靠近显示面板100中心,辅助电极430的数量密度越大,给中心显示区域增加的电压越高,可以更好地减小压降,从而改善显示效果。
本实施例中,在第一截面上,远离所述彩膜层400的所述辅助电极430的面积大于靠近所述彩膜层400的所述辅助电极430的面积。所述第一截面平行于所述显示面板100,具体请参阅图1、图2。增大单个辅助电极430与阴极层330的接触面积,减小单个辅助电极430的电阻阻值,可以更好地减小压降,从而改善显示效果。
本实施例中,所述遮光层的材料可以为黑色矩阵。
本实施例中,所述辅助电极430的材料为金属,所述辅助电极430的材料为透明导电膜或柔性电极中任意一种。其中,柔性电极在起到改善靠近显示中心区压降,提高显示效果的同时,又可以更好地避免在显示面板100受到挤压时,更好地对显示面板100的阴极层330破坏,延长显示面板100寿命。
本实施例通过在遮光层上设置与阴极层电连接的辅助电极,利用辅助电极达到彩膜层与阵列基板间的段差效果,减少了靠近显示中心区的电极压降,改善了显示亮度的均匀性,增强了用户视觉效果。
实施例二
请参阅图2,本实施例与实施例一相同或相似,不同之处在于:
所述遮光层包括第一遮光单元及位于所述第一遮光单元上的第二遮光单元。
本实施例中,所述第一遮光单元包括多个第一子遮光单元421。所述第二遮光单元包括多个第二子遮光单元422。所述辅助电极430位于所述第二子遮光单元422上。其中,靠近所述显示面板100中心的所述第二子遮光单元422的数量密度大于远离所述显示面板100中心的所述第二子遮光单元422的数量密度,具体请参阅图2。第二遮光单元可以起到彩膜层400与阵列基板200间的段差效果,保护显示面板100的同时,可以作为辅助电极430的一侧的载台,方便辅助电极430的定位以及辅助电极430与阴极层330的紧密电连接。
本实施例中,所述辅助电极430位于任一所述第一子遮光单元421上以及所述辅助电极430位于所述第二子遮光单元422上。在远离显示中心方向,可以以此结构,拥有更多的辅助电极430结构,则拥有更多不同电压的补偿电压,使得显示更加均匀。
本实施例中,所述辅助电极430位于任一所述第二子遮光单元422上。部分所述第二子遮光单元422上没有辅助电极,可以提供更多的段差,更好地保护显示面板。
本实施例中,所述遮光层的厚度大于所述色阻410的厚度。所述遮光层和/或所述第一子遮光单元421和/或所述第二子遮光单元422搭接在所述色阻410上,具体请参阅图1、图2。遮光层在作为辅助电极430的载台的同时,此结构设置还可以避免各颜色光的混合,提高显示色域的纯净度,改善显示效果。
本实施例中,所述色阻410的厚度大于所述第一遮光单元的厚度。所述色阻410搭接在上所述第一遮光单元上。所述色阻410的厚度小于所述第一遮光单元与所述第二遮光单元的厚度之和。此结构设置可以最大化提高显示的开口率,增大显示亮度,改善显示效果。
本实施例中,所述色阻410的厚度等于所述第一遮光单元的厚度。此结构设置可以提高显示的开口率,增大显示亮度的同时,避免各颜色光的混合,提高显示色域的纯净度,改善显示效果。
本实施例中,阵列基板200的栅极可以为顶栅结构或者底栅结构。
本实施例中,阵列基板200的制作方法可以采用低温多晶硅技术、金属氧化物技术、或非晶硅技术,在此不做限制。
本实施例中,显示面板100发光器件层300的发光材料可以采用蒸镀或者喷墨打印方法制成,在此不做限制。其中,蒸镀方法的像素定义层为非疏水性像素定义层,喷墨打印方法的像素定义层为疏水性像素定义层。
本实施例通过在遮光层上设置与阴极层330电连接的辅助电极430,配合不同高度的遮光单元,减少了靠近显示中心区的电极压降,改善了显示亮度的均匀性,增强了用户视觉效果。
请参阅图1~图3,本申请还提出了一种显示面板100的制作方法,包括:
S10、在阵列基板200上形成发光器件层300;
S20、在第一基板401上形成彩膜层400,包括多个色阻410、位于相邻两个所述色阻410之间的遮光层、及位于所述遮光层上的辅助电极430;
S30、将所述彩膜层400与所述发光器件层300对位贴合,所述辅助电极430与所述发光器件层300的阴极层330电连接。
本申请通过在遮光层上设置与阴极层电连接的辅助电极,配合不同高度的遮光单元,减少了靠近显示中心区的电极压降,改善了显示亮度的均匀性,增强了用户视觉效果。
现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。
实施例三
请参阅图1~图3,所述显示面板100的制作方法,包括:
S10、在阵列基板200上形成发光器件层300。
本实施例中,在阵列基板200上形成发光器件层300前的步骤包括:
在第二基板上依次形成缓冲层、有源层、第一绝缘层、栅极层、源漏极层、及第二绝缘层。或者
在第二基板上依次形成缓冲层、栅极层、第一绝缘层、有源层、源漏极层、及第二绝缘层。
本实施例中,阵列基板200的制作方法可以采用低温多晶硅技术、金属氧化物技术、或非晶硅技术,在此不做限制。
本实施例中,显示面板100发光器件层300的发光材料可以采用蒸镀或者喷墨打印方法制成,在此不做限制。其中,蒸镀方法的像素定义层为非疏水性像素定义层,喷墨打印方法的像素定义层为疏水性像素定义层。
本实施例中,所述发光器件层300发出的光为白光。
本实施例中,所述发光器件层300包括阳极层310、发光材料层320、阴极层330,具体请参阅图1、图2。所述阴极层330远离所述阵列基板200。所述阳极层310与所述阵列基板200的源漏极层电连接。
S20、在第一基板401上形成彩膜层400,包括多个色阻410、位于相邻两个所述色阻410之间的遮光层、及位于所述遮光层上的辅助电极430。
本实施例中,所述遮光层为连续设置的或者所述遮光层为间隔设置的。
本实施例中,色阻410的颜色为红色、蓝色、及绿色中的任意一种颜色,在此不做限制。
本实施例中,任意两个所述辅助电极430是间隔绝缘设置的。
本实施例中,所述遮光层的材料可以为黑色矩阵。
本实施例中,形成多个色阻410及位于相邻两个所述色阻410之间的遮光层的步骤包括:
S21、在第一基板401上形成一黑色矩阵层。
S22、利用图案化工艺,将所述黑色矩阵层形成有多个开口的图案,形成遮光层。
S23、在所述开口内形成色阻410。
本实施例中,形成多个色阻410及位于相邻两个所述色阻410之间的遮光层的步骤包括:
S21、在第一基板401上形成一色阻410层。
S22、利用图案化工艺,将所述色阻410层形成多个间隔设置的色阻410。
S23、在第一基板401上形成一黑色矩阵层。
S24、利用图案化工艺,将所述黑色矩阵层形成遮光层,所述遮光层位于相邻两个所述色阻410之间。
本实施例中,形成所述遮光层以及所述辅助电极430的步骤包括:
S201、在第一基板401上形成多个第一子遮光单元421
本实施例中,所述第一子遮光单元421可以为黑色矩阵。
S202、在所述第一子遮光单元421上形成辅助电极430。
本实施例中,靠近所述显示面板100中心的所述辅助电极430的电阻阻值小于远离所述显示面板100中心的所述辅助电极430的电阻阻值。靠近所述显示面板100中心的压降越严重,显示效果越差,辅助电极430还与外场电连接,在显示时,给予辅助电极430外场电压,辅助电极430在起到增加电压的同时,自身也会有电阻,所以越靠近显示面板100中心,辅助电极430的电阻阻值越小,可以更好地减小压降,从而改善显示效果。辅助电极430在起到减小压降效果同时,可以达到彩膜层400与阵列基板200间的段差效果,保护显示面板100。
本实施例中,靠近所述显示面板100中心的所述辅助电极430的厚度小于远离所述显示面板100中心的所述辅助电极430的厚度。相应的,靠近所述显示面板100中心的所述辅助电极430上对应的遮光层的厚度大于远离所述显示面板100中心的所述辅助电极430上对应的遮光层的厚度。任意一组所述辅助电极430与其对应的所述遮光层的厚度之和相同。保证辅助电极430与所述阴极层330电连接紧密。靠近所述显示面板100中心的压降越严重,显示效果越差,所以越靠近显示面板100中心,辅助电极430的厚度越小,辅助电极430的电阻阻值越小,可以更好地减小压降,从而改善显示效果。
本实施例中,靠近所述显示面板100中心的所述辅助电极430与所述阴极层330的接触面积大于远离所述显示面板100中心的所述辅助电极430与所述阴极层330的接触面积,具体请参阅图1、图2。靠近所述显示面板100中心的压降越严重,显示效果越差,所以越靠近显示面板100中心,辅助电极430与所述阴极层330的接触面积越大,辅助电极430的电阻阻值越小,可以更好地减小压降,从而改善显示效果。
本实施例中,靠近所述显示面板100中心的所述辅助电极430的数量密度大于远离所述显示面板100中心的所述辅助电极430的数量密度,具体请参阅图1、图2。靠近所述显示面板100中心的压降越严重,显示效果越差,所以越靠近显示面板100中心,辅助电极430的数量密度越大,给中心显示区域增加的电压越高,可以更好地减小压降,从而改善显示效果。
本实施例中,在第一截面上,远离所述彩膜层400的所述辅助电极430的面积大于靠近所述彩膜层400的所述辅助电极430的面积。所述第一截面平行于所述显示面板100,具体请参阅图1、图2。增大单个辅助电极430与阴极层330的接触面积,减小单个辅助电极430的电阻阻值,可以更好地减小压降,从而改善显示效果。
本实施例中,所述辅助电极430的材料为金属,所述辅助电极430的材料为透明导电膜或柔性电极中任意一种。其中,柔性电极在起到改善靠近显示中心区压降,提高显示效果的同时,又可以更好地避免在显示面板100受到挤压时,更好地对显示面板100的阴极层330破坏,延长显示面板100寿命。
S30、将所述彩膜层400与所述发光器件层300对位贴合,所述辅助电极430与所述发光器件层300的阴极层330电连接。
本实施例通过在遮光层上设置与阴极层电连接的辅助电极,利用辅助电极达到彩膜层与阵列基板间的段差效果,减少了靠近显示中心区的电极压降,改善了显示亮度的均匀性,增强了用户视觉效果。
实施例四
请参阅图1~图3,本实施例与实施例三相同或相似,不同之处在于:
形成所述遮光层以及所述辅助电极430的步骤包括:
S201、在第一基板401上形成第一遮光单元。
S202、在所述第一遮光单元上形成第二遮光单元。
S203、在所述第二遮光单元上形成多个辅助电极430。
本实施例中,形成第二遮光单元的步骤包括:
在所述第一遮光单元上形成多个第二子遮光单元422。
靠近所述显示面板100中心的所述第二子遮光单元422的数量密度大于远离所述显示面板100中心的所述第二子遮光单元422的数量密度,具体请参阅图2。第二遮光单元可以起到彩膜层400与阵列基板200间的段差效果,保护显示面板100的同时,可以作为辅助电极430的一侧的载台,方便辅助电极430的定位以及辅助电极430与阴极层330的紧密电连接。
本实施例中,成第一遮光单元的步骤包括:
在所述第一基板401上形成多个第一子遮光单元421。
本实施例中,所述辅助电极430形成与任一所述第一子遮光单元421上以及所述辅助电极430形成于所述第二子遮光单元422上。在远离显示中心方向,可以以此结构形成,拥有更多的辅助电极430结构,则拥有更多不同电压的补偿电压,使得显示更加均匀。
本实施例中,所述辅助电极430形成于任一所述第二子遮光单元422上。部分所述第二子遮光单元422上没有辅助电极430,可以提供更多的段差,更好地保护显示面板100。
本实施例中,所述遮光层的厚度大于所述色阻410的厚度。所述遮光层和/或所述第一子遮光单元421和/或所述第二子遮光单元422搭接在所述色阻410上,具体请参阅图1、图2。遮光层在作为辅助电极430的载台的同时,此结构设置还可以避免各颜色光的混合,提高显示色域的纯净度,改善显示效果。
本实施例中,所述色阻410的厚度大于所述第一遮光单元的厚度。所述色阻410搭接在上所述第一遮光单元上。所述色阻410的厚度小于所述第一遮光单元与所述第二遮光单元的厚度之和。此结构设置可以最大化提高显示的开口率,增大显示亮度,改善显示效果。
本实施例中,所述色阻410的厚度等于所述第一遮光单元的厚度。此结构设置可以提高显示的开口率,增大显示亮度的同时,避免各颜色光的混合,提高显示色域的纯净度,改善显示效果。
本实施例通过在遮光层上设置与阴极层电连接的辅助电极,配合不同高度的遮光单元,减少了靠近显示中心区的电极压降,改善了显示亮度的均匀性,增强了用户视觉效果。
本申请公开了一种显示面板及其制作方法。该显示面板包括阵列基板、位于该阵列基板上的发光器件层、位于该发光器件层上的彩膜层;该彩膜层包括多个色阻、位于相邻两个该色阻之间的遮光层、及位于该遮光层上的多个辅助电极;其中,该辅助电极与该发光器件层的阴极层电连接。本申请通过在遮光层上设置与阴极层电连接的辅助电极,配合不同高度的遮光单元,减少了靠近显示中心区的电极压降,改善了显示亮度的均匀性,增强了用户视觉效果。
在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想;本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (9)

1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括阵列基板、位于所述阵列基板上的发光器件层、位于所述发光器件层上的彩膜层;
所述彩膜层包括多个色阻、位于相邻两个所述色阻之间的遮光层、及位于所述遮光层上的多个辅助电极;
其中,所述辅助电极与所述发光器件层的阴极层电连接,靠近显示面板中心的所述辅助电极的电阻阻值小于远离所述显示面板中心的所述辅助电极的电阻阻值。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,靠近所述显示面板中心的所述辅助电极与所述阴极层的接触面积大于远离所述显示面板中心的所述辅助电极与所述阴极层的接触面积。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,靠近所述显示面板中心的所述辅助电极的数量密度大于远离所述显示面板中心的所述辅助电极的数量密度。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,靠近所述显示面板中心的所述辅助电极的厚度小于远离所述显示面板中心的所述辅助电极的厚度。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述遮光层包括第一遮光单元及位于所述第一遮光单元上的第二遮光单元;
所述第二遮光单元包括多个第二子遮光单元;
所述辅助电极位于所述第二子遮光单元上;
其中,靠近所述显示面板中心的所述第二子遮光单元的数量密度大于远离所述显示面板中心的所述第二子遮光单元的数量密度。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述遮光层的厚度大于所述色阻的厚度;
所述遮光层搭接在所述色阻上。
7.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括:
在阵列基板上形成发光器件层;
在第一基板上形成彩膜层,包括多个色阻、位于相邻两个所述色阻之间的遮光层、及位于所述遮光层上的辅助电极;
将所述彩膜层与所述发光器件层对位贴合,所述辅助电极与所述发光器件层的阴极层电连接;
其中,靠近显示面板中心的所述辅助电极的电阻阻值小于远离所述显示面板中心的所述辅助电极的电阻阻值。
8.根据权利要求7所述的显示面板的制作方法,其特征在于,形成所述遮光层及所述辅助电极的步骤包括:
在第一基板上形成第一遮光单元;
在所述第一遮光单元上形成第二遮光单元;
在所述第二遮光单元上形成多个辅助电极;
其中,所述第二遮光单元包括多个第二子遮光单元,靠近所述显示面板中心的所述第二子遮光单元的数量密度大于远离所述显示面板中心的所述第二子遮光单元的数量密度。
9.根据权利要求7所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述遮光层的厚度大于所述色阻的厚度;
所述遮光层搭接在所述色阻上。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112117391B (zh) * 2020-09-22 2023-05-30 京东方科技集团股份有限公司 一种硅基oled的显示基板及其制作方法和显示装置
CN112164705B (zh) * 2020-10-26 2021-04-09 厦门强力巨彩光电科技有限公司 一种Micro-LED显示面板和Micro-LED显示装置
CN112310183B (zh) * 2020-10-29 2024-01-26 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置

Citations (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050024033A (ko) * 2003-09-04 2005-03-10 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치
CN1882207A (zh) * 2005-06-16 2006-12-20 悠景科技股份有限公司 具有高发光效率与高灰阶对比的有机电致发光显示器
CN106611826A (zh) * 2016-12-27 2017-05-03 深圳市华星光电技术有限公司 量子点彩膜显示面板及其制作方法
CN206179867U (zh) * 2016-09-29 2017-05-17 上海天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN107482044A (zh) * 2017-08-23 2017-12-15 京东方科技集团股份有限公司 用于oled显示器的彩膜基板和oled显示器
CN107634012A (zh) * 2017-09-13 2018-01-26 京东方科技集团股份有限公司 一种封装基板及其制备方法、显示面板、显示装置
CN207116435U (zh) * 2017-09-18 2018-03-16 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光器件及显示装置
CN207265056U (zh) * 2017-08-31 2018-04-20 京东方科技集团股份有限公司 一种彩膜基板、显示面板以及显示装置
CN109728065A (zh) * 2019-01-09 2019-05-07 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN109742260A (zh) * 2019-01-09 2019-05-10 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN109791942A (zh) * 2017-08-29 2019-05-21 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管显示基板、有机发光二极管显示装置和制造有机发光二极管显示基板的方法
CN109817825A (zh) * 2019-01-22 2019-05-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制作方法、显示装置
CN110071226A (zh) * 2019-04-18 2019-07-30 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制备方法
CN110071154A (zh) * 2019-04-26 2019-07-30 京东方科技集团股份有限公司 彩膜基板、显示面板和显示装置
CN110071144A (zh) * 2019-04-08 2019-07-30 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示装置及制备方法
CN110098348A (zh) * 2019-04-30 2019-08-06 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN110211997A (zh) * 2019-05-30 2019-09-06 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种cf盖板、其制备方法及其显示面板
CN110299387A (zh) * 2019-06-21 2019-10-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及制备方法
CN110350015A (zh) * 2019-07-22 2019-10-18 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制作方法、显示装置
CN110444691A (zh) * 2019-08-28 2019-11-12 京东方科技集团股份有限公司 彩膜基板、显示面板及其制备方法和显示装置
CN110518035A (zh) * 2019-08-09 2019-11-29 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光二极管显示面板

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103700688B (zh) * 2013-12-23 2016-03-30 京东方科技集团股份有限公司 彩膜基板及其制作方法、显示装置
CN104091818B (zh) * 2014-06-23 2017-09-29 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机发光显示面板、装置及其制造方法
US10141383B2 (en) * 2014-07-29 2018-11-27 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method for manufacturing the same
CN108878498B (zh) * 2018-07-03 2021-11-23 京东方科技集团股份有限公司 彩膜基板及其制备方法、显示面板
CN110112190A (zh) * 2019-04-29 2019-08-09 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光显示面板

Patent Citations (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050024033A (ko) * 2003-09-04 2005-03-10 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치
CN1882207A (zh) * 2005-06-16 2006-12-20 悠景科技股份有限公司 具有高发光效率与高灰阶对比的有机电致发光显示器
CN206179867U (zh) * 2016-09-29 2017-05-17 上海天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN106611826A (zh) * 2016-12-27 2017-05-03 深圳市华星光电技术有限公司 量子点彩膜显示面板及其制作方法
CN107482044A (zh) * 2017-08-23 2017-12-15 京东方科技集团股份有限公司 用于oled显示器的彩膜基板和oled显示器
CN109791942A (zh) * 2017-08-29 2019-05-21 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管显示基板、有机发光二极管显示装置和制造有机发光二极管显示基板的方法
CN207265056U (zh) * 2017-08-31 2018-04-20 京东方科技集团股份有限公司 一种彩膜基板、显示面板以及显示装置
CN107634012A (zh) * 2017-09-13 2018-01-26 京东方科技集团股份有限公司 一种封装基板及其制备方法、显示面板、显示装置
CN207116435U (zh) * 2017-09-18 2018-03-16 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光器件及显示装置
CN109728065A (zh) * 2019-01-09 2019-05-07 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN109742260A (zh) * 2019-01-09 2019-05-10 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN109817825A (zh) * 2019-01-22 2019-05-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制作方法、显示装置
CN110071144A (zh) * 2019-04-08 2019-07-30 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示装置及制备方法
CN110071226A (zh) * 2019-04-18 2019-07-30 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制备方法
CN110071154A (zh) * 2019-04-26 2019-07-30 京东方科技集团股份有限公司 彩膜基板、显示面板和显示装置
CN110098348A (zh) * 2019-04-30 2019-08-06 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN110211997A (zh) * 2019-05-30 2019-09-06 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种cf盖板、其制备方法及其显示面板
CN110299387A (zh) * 2019-06-21 2019-10-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及制备方法
CN110350015A (zh) * 2019-07-22 2019-10-18 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制作方法、显示装置
CN110518035A (zh) * 2019-08-09 2019-11-29 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光二极管显示面板
CN110444691A (zh) * 2019-08-28 2019-11-12 京东方科技集团股份有限公司 彩膜基板、显示面板及其制备方法和显示装置

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WO2021164105A1 (zh) 2021-08-26
CN111276632A (zh) 2020-06-12
US20220006042A1 (en) 2022-01-06

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