CN110828706A - 高分辨率Micro-OLED的制备方法以及显示模组 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种高分辨率Micro‑OLED的制备方法，包括如下步骤：S1：提供一衬底基板，在所述衬底基板上制备发光像素层；S2：在所述发光像素层上制备薄膜封装层，以对所述发光像素层进行封装；S3：在所述薄膜封装层上制备黑色矩阵层以及将一种颜色转换成另一种颜色的光转换层，所述光转换层包括色变层；S4：对所述黑色矩阵层、光转换层进行盖板封装，以获得高分辨率Micro‑OLED。相较于现有技术，本发明高分辨率Micro‑OLED的制备方法利用光转换层中金属的局域表面等离子体激元共振作用，使得子像素中的荧光峰的强度增强，蓝光峰消失，从而有效改善了整体色域。

Description

高分辨率Micro-OLED的制备方法以及显示模组
技术领域
本发明涉及OLED显示器制造领域，尤其涉及一种高分辨率Micro-OLED的制备方法以及具有该高分辨率Micro-OLED的显示模组。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示器与CTR(CathodeRay Tube，阴极射线管)显示器、TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid CrystalDisplay，薄膜晶体管液晶显示器)相比具有更轻和更薄的外观设计、更宽的可视视角、更快的响应速度以及更低的功耗等特点，因此OLED显示器已逐渐作为下一代显示设备而备受人们的关注。
实现全彩OLED的显示方法包括：RGB三色排列发光法、蓝光和光转换层法。蓝光和光转换层法因其成本低、工艺简单而被广泛使用。然而，现有技术中的光转换层不能完全吸收所有的蓝光激发光源，从而导致每个红/绿子像素在发出红/绿光的同时还伴有一定比例的蓝光，进而致使色域降低。
鉴于上述问题，有必要提供一种新的高分辨率Micro-OLED的制备方法，以解决上述问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种高分辨率Micro-OLED的制备方法，该高分辨率Micro-OLED的制备方法利用光转换层中金属的局域表面等离子体激元共振作用，使得子像素中的荧光峰的强度增强，蓝光峰消失，从而有效改善了整体色域。
为实现上述目的，本发明提供了一种高分辨率Micro-OLED的制备方法，包括如下步骤：
S1：提供一衬底基板，在所述衬底基板上制备发光像素层；
S2：在所述发光像素层上制备薄膜封装层，以对所述发光像素层进行封装；
S3：在所述薄膜封装层上制备黑色矩阵层以及将一种颜色转换成另一种颜色的光转换层，所述光转换层包括色变层；
S4：对所述黑色矩阵层、光转换层进行盖板封装，以获得高分辨率Micro-OLED。
作为本发明的进一步改进，所述色变层包括量子点层、纳米金属层以及位于所述量子点层和纳米金属层之间的阻隔层。
作为本发明的进一步改进，所述色变层的制备方法包括如下步骤：
S31：在所述薄膜封装层上制备色变层；
S32：采用纳米压印技术，将透明的石英压印模板压在所述薄膜封装层上，并施加一定的压力；
S33：利用紫外光进行固化；
S34：将石英压印模板与所述薄膜封装层分离。
作为本发明的进一步改进，所述色变层的制备方法还包括：
S35：采用等离子体清洗技术，清洗留在所述薄膜封装层上的量子点残留物。
作为本发明的进一步改进，所述步骤S4还包括如下步骤：
S41：采用原子层沉积技术，在所述黑色矩阵层、光转换层上制备保护层；
S42：在所述保护层上，利用光敏胶进行盖板封装。
作为本发明的进一步改进，所述保护层为三氧化二铝。
作为本发明的进一步改进，所述步骤S1具体包括如下步骤：
S11：提供一衬底基板，在所述衬底基板上制备若干规则排列的过孔；
S12：采用自对准工艺，在所述衬底基板上蒸镀阳极层，所述阳极层包括与所述过孔一一对应的阳极单元；
S13：在所述阳极层的表面蒸镀OLED发光层；
S14：在所述OLED发光层的表面蒸镀阴极层，以形成所述发光像素层。
作为本发明的进一步改进，所述OLED发光层为蓝光有机电致发光器件。
作为本发明的进一步改进，所述OLED发光层包括有机发光层、位于阳极层与有机发光层之间的空穴注入层和空穴传输层以及位于阴极层与有机发光层之间的电子注入层和电子传输层。
本发明还提供了一种显示模组，包括通过前述高分辨率Micro-OLED的制备方法制成的高分辨率Micro-OLED层以及与所述高分辨率Micro-OLED层电性连接的薄膜晶体管阵列。
本发明的有益效果是：本发明高分辨率Micro-OLED的制备方法利用光转换层中金属的局域表面等离子体激元共振作用，使得子像素中的荧光峰的强度增强，蓝光峰消失，从而有效改善了整体色域。
附图说明
图1是本发明高分辨率Micro-OLED的制备方法的流程示意图。
图2是图1中步骤S1的流程示意图。
图3是色变层的制备流程示意图。
图4是本发明显示模组的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述。
请参阅图1以及图4所示，本发明高分辨率Micro-OLED的制备方法包括如下步骤：
S1：提供一衬底基板10，在所述衬底基板10上制备发光像素层20。
S2：采用薄膜封装技术，在所述发光像素层20上制备薄膜封装层30，以对所述发光像素层20进行封装。
S3：在所述薄膜封装层30上制备黑色矩阵层40以及将一种颜色转换成另一种颜色的光转换层50，且所述黑色矩阵层40与所述光转换层50间隔设置。
S4：对所述黑色矩阵层40、光转换层50进行盖板60封装，以获得高分辨率Micro-OLED。
请参阅图2以及图4所示，所述步骤S1还包括如下步骤：
S11：提供一衬底基板10，在所述衬底基板10上制备若干规则排列的过孔11。
S12：采用自对准工艺，在所述衬底基板10上蒸镀阳极层21，所述阳极层21包括若干阳极单元211；所述阳极单元211与所述过孔11一一对应。
S13：在所述阳极层21的表面蒸镀OLED发光层22。
S14：在所述OLED发光层22的表面上蒸镀阴极层23，以形成所述发光像素层20。
所述衬底基板10为硅基板。所述阳极层21由若干呈像素图形排布的阳极单元211排列构成，所述阳极单元211为氧化铟锡膜(ITO)。在本实施例中，所述阳极单元211的宽度为5微米。所述OLED发光层22包括有机发光层、位于阳极层21与有机发光层之间的空穴注入层和空穴传输层以及位于阴极层23与有机发光层之间的电子注入层和电子传输层。
进一步的，空穴传输层位于有机发光层与空穴注入层之间；电子传输层位于有机发光层与电子注入层之间。所述阴极层23为采用金属或金属氧化物材料制成的导电薄膜层。在本实施例中，所述OLED发光层22为蓝光有机电致发光器件。
所述薄膜封装层30可以是有机薄膜、无机薄膜，或者是有机薄膜上堆叠无机薄膜。所述薄膜封装层30上设置有薄膜对准标记31。所述薄膜对准标记31可以是由一些确定间距的栅条组成，或者是其它形式构成的对准标记。
请参阅图4所示，所述光转换层50包括相互间隔设置的第一色变层51、第二色变层52以及空穴53。所述第一色变层51、第二色变层52的结构相同，包括量子点层501、纳米金属层502以及位于所述量子点层501和纳米金属层502之间的阻隔层503。所述空穴53内不设置色变层，使得所述OLED发光层22发出的蓝光可以直接通过。由于所述第一色变层51、第二色变层52中包含有金属纳米材料，从而可以利用金属的局域表面等离子体激元共振效应来增强红光、绿光的荧光峰，降低蓝光的荧光峰，进而有效改善色域。
请参阅图3所示，所述第一色变层51、第二色变层52的制备方法包括如下步骤：
S31：在所述薄膜封装层30上制备色变层；
S32：采用纳米压印技术，将透明的石英压印模板压在所述薄膜封装层30上，并施加一定的压力；
S33：利用紫外光进行固化；
S34：将石英压印模板与所述薄膜封装层30分离。
S35：采用等离子体清洗技术，清洗留在所述薄膜封装层30上的量子点残留物。
进一步地，所述步骤S4还包括如下步骤：
S41：采用原子层沉积技术，在所述黑色矩阵层40、光转换层50上制备保护层61。所述保护层61为三氧化二铝。
S42：在所述保护层61上，利用光敏胶62进行盖板60封装。
所述盖板60可以是玻璃板，也可以是聚酰亚胺(PI)盖板。所述盖板60通过光敏胶62固定在所述保护层61上。
本发明还揭示了一种显示模组，包括高分辨率Micro-OLED层以及与高分辨率Micro-OLED层电性连接的薄膜晶体管阵列，所述高分辨率Micro-OLED层是以本发明高分辨率Micro-OLED的制备方法制成的。
相较于现有技术，本发明高分辨率Micro-OLED的制备方法利用光转换层50中金属的局域表面等离子体激元共振作用，使得子像素中的荧光峰的强度增强，蓝光峰消失，从而有效改善了整体色域。
以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围。

Claims (10)

1.一种高分辨率Micro-OLED的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1：提供一衬底基板，在所述衬底基板上制备发光像素层；
S2：在所述发光像素层上制备薄膜封装层，以对所述发光像素层进行封装；
S3：在所述薄膜封装层上制备黑色矩阵层以及将一种颜色转换成另一种颜色的光转换层，所述光转换层包括色变层；
S4：对所述黑色矩阵层、光转换层进行盖板封装，以获得高分辨率Micro-OLED。
2.如权利要求1所述的高分辨率Micro-OLED的制备方法，其特征在于：所述色变层包括量子点层、纳米金属层以及位于所述量子点层和纳米金属层之间的阻隔层。
3.如权利要求2所述的高分辨率Micro-OLED的制备方法，其特征在于，所述色变层的制备方法包括如下步骤：
S31：在所述薄膜封装层上制备色变层；
S32：采用纳米压印技术，将透明的石英压印模板压在所述薄膜封装层上，并施加一定的压力；
S33：利用紫外光进行固化；
S34：将石英压印模板与所述薄膜封装层分离。
4.如权利要求3所述的高分辨率Micro-OLED的制备方法，其特征在于，所述色变层的制备方法还包括：
S35：采用等离子体清洗技术，清洗留在所述薄膜封装层上的量子点残留物。
5.如权利要求1所述的高分辨率Micro-OLED的制备方法，其特征在于，所述步骤S4还包括如下步骤：
S41：采用原子层沉积技术，在所述黑色矩阵层、光转换层上制备保护层；
S42：在所述保护层上，利用光敏胶进行盖板封装。
6.如权利要求5所述的高分辨率Micro-OLED的制备方法，其特征在于：所述保护层为三氧化二铝。
7.如权利要求1所述的高分辨率Micro-OLED的制备方法，其特征在于，所述步骤S1具体包括如下步骤：
S11：提供一衬底基板，在所述衬底基板上制备若干规则排列的过孔；
S12：采用自对准工艺，在所述衬底基板上蒸镀阳极层，所述阳极层包括与所述过孔一一对应的阳极单元；
S13：在所述阳极层的表面蒸镀OLED发光层；
S14：在所述OLED发光层的表面蒸镀阴极层，以形成所述发光像素层。
8.如权利要求7所述的高分辨率Micro-OLED的制备方法，其特征在于：所述OLED发光层为蓝光有机电致发光器件。
9.如权利要求7所述的高分辨率Micro-OLED的制备方法，其特征在于：所述OLED发光层包括有机发光层、位于阳极层与有机发光层之间的空穴注入层和空穴传输层以及位于阴极层与有机发光层之间的电子注入层和电子传输层。
10.一种显示模组，包括高分辨率Micro-OLED层以及与高分辨率Micro-OLED层电性连接的薄膜晶体管阵列，其特征在于：所述高分辨率Micro-OLED层采用权利要求1～9中任意一项所述的高分辨率Micro-OLED的制备方法制成。
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