CN101788737A - 使用量子点荧光粉的显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种使用量子点荧光粉的显示装置。显示装置主要包含有发光单元及彩色滤光片。发光单元具有发光芯片及多个量子点荧光粉并产生一色光，其发射频谱中具有第一蓝光峰值波长、第一绿光峰值波长及第一红光峰值波长。彩色滤光片设置于该发光单元的发光路径上，使得显示装置所发的色光穿透彩色滤光片，其穿透频谱中具有第二蓝光峰值波长、第二绿光峰值波长及第二红光峰值波长。第一蓝光峰值波长、第一绿光峰值波长和第一红光峰值波长，分别与第二蓝光峰值波长、第二绿光峰值波长和第二红光峰值波长互相匹配，以提升显示装置在色彩上的表现。本发明实施例的使用量子点荧光粉的显示装置，具有较佳的色彩表现和亮度。

Description

使用量子点荧光粉的显示装置

技术领域

本发明涉及一种显示装置及其制造方法，尤其涉及一种使用量子点荧光粉的显示装置及其制造方法。

背景技术

液晶显示装置主要由液晶面板及背光模块两大部分所组成。由于液晶面板本身不发光，因此需藉助背光模块产生的光线，再以液晶面板内的液晶分子控制穿过光线以产生影像。为使产生的影像有良好的色彩表现，如何搭配背光模块产生的光线与液晶面板前的彩色滤光片即成为此领域中的主要研究课题。

目前业界广泛使用于背光模块内的光源主要有冷阴极灯管(cold cathodefluorescent lamp，CCFL)及发光二极管(light emitting diode，LED)等两种。由于一般冷阴极灯管所使用荧光粉为BAM:Eu2+，LaPO4:Ce，Tb，Y2O3:Eu3+，其中绿光与红光属于线性光谱，其光谱表现具半高宽窄、色饱和度高的优点，然而这些荧光粉并不能被蓝光激发，无法使用于一般以蓝光激发而成的白光发光二极管中。因此，冷阴极灯管发出的光线具有良好的色彩饱和度，在色彩方面的表现通常较一般的白光发光二极管较佳。而采用发光二极管作为光源时，由于传统荧光粉的半高宽(full width at half maximum，FWHM)较大，以致使用发光二极管的色彩饱和度较差，因此最终形成影像时的影像色彩往往不能令人满意。

图1所示为使用传统荧光粉制成的发光二极管的发射频谱及配合使用的彩色滤光片的穿透频谱。发射频谱中一般包含有蓝色波峰11、绿色波峰13及红色波峰15；而彩色滤光片的穿透频谱则分别具有蓝色色阻部分21、绿色色阻部分23及红色色阻部分25。如图1所示，蓝色波峰11、绿色波峰13及红色波峰15与相应的蓝色色阻部分21、绿色色阻部分23及红色色阻部分25在位置对应上有些许的错位，因此在穿过彩色滤光片后其色彩纯度不佳。此外，由于绿色波峰13及红色波峰15在波形上并不明显，且其波形均较宽，因此绿色波峰13及红色波峰15的范围均会与非对应的色阻部分重叠。因此，绿色波峰13对应的光线可能穿过蓝色色阻或红色色阻，进而造成颜色的掺杂不纯。同样地，红色波峰15对应的光线亦可能穿过绿色色阻，对颜色的纯度造成影响。

发明内容

本发明的一目的在于提供一种显示装置，具有较佳的色彩表现。

本发明的另一目的在于提供一种显示装置，具有较佳的亮度。

本发明的显示装置，其主要包含有发光单元及彩色滤光片。发光单元具有发光芯片及多个量子点荧光粉，其中发光芯片发出光线激发量子点荧光粉产生色光。色光的发射频谱中具有第一蓝光波峰、第一绿光波峰以及第一红光波峰，各波峰分别具有对应于各峰值的第一蓝光峰值波长、第一绿光峰值波长及第一红光峰值波长。

彩色滤光片设置于该发光单元的发光路径上，以过滤发光模块产生的色光。彩色滤光片的穿透频谱中具有第二蓝光波峰、第二绿光波峰以及第二红光波峰，各波峰分别具有对应于各峰值的第二蓝光峰值波长、第二绿光峰值波长及第二红光峰值波长。第一蓝光峰值波长、第一绿光峰值波长和第一红光峰值波长，分别与第二蓝光峰值波长、第二绿光峰值波长和第二红光峰值波长互相匹配，以提升显示装置在色彩上的表现。

本发明实施例提供的使用量子点荧光粉的显示装置，具有较佳的色彩表现和亮度。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本发明的限定。在附图中：

图1为使用传统荧光粉发光二极管的发射频谱及彩色滤光片的穿透频谱关系示意图；

图2为本发明显示装置的实施例示意图；

图3A为量子点荧光粉的实施例示意图；

图3B为量子点荧光粉的另一实施例示意图；

图4为本发明实施例的发光单元发射频谱及彩色滤光片的穿透频谱关系示意图；

图5为本发明实施例的发光单元发射频谱及使用传统荧光粉发光二极管的发射频谱关系示意图；

图6为使用本发明实施例的发光单元发射频谱及使用传统荧光粉发光二极管在色域空间内的色彩表现关系示意图；

图7及图8分别为本发明制造方法的实施例流程图。

附图标号：

100显示装置

200发光单元

201色光

210发光芯片

230量子点荧光粉

231硒原子/镉原子

250封装材

261核心

263膜层

300彩色滤光片

310色阻

500显示面板

510入光面

710发射频谱

711第一蓝光波峰

713第一绿光波峰

715第一红光波峰

730穿透频谱

731第二蓝光波峰

733第二绿光波峰

735第二红光波峰

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合附图对本发明实施例做进一步详细说明。在此，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，但并不作为对本发明的限定。

本发明提供一种显示装置及其制造方法。在较佳实施例中，本发明的显示装置设置于显示装置内，以提供显示装置产生影像必需的光源。显示装置较佳包含液晶显示装置，例如：家用的液晶电视、个人电脑及膝上型电脑的液晶监视器、行动电话及数码相机的液晶显示幕等。

如图2所示，显示装置100包含有发光单元200及彩色滤光片300。彩色滤光片300设置于发光单元200的发光路径上，并过滤发光单元200所发出的色光201。彩色滤光片300较佳配置于显示面板500的入光面510上，以过滤进入显示面板500的光线，显示面板500可以为液晶显示面板，或者是其它的平面显示面板。在图2所示的实施例中，发光单元200为发光二极管，且采直下式的光源设计；亦即将彩色滤光片300设置于发光单元200的上方，且发光单元200直接朝彩色滤光片300射出光线。然而在不同实施例中，发光单元200亦可搭配导光板或其他光学元件而采侧光式设计。此外，发光单元200与彩色滤光片300之间亦可视需要而设置各式光学元件，例如增亮膜、扩散膜、扩散板等等。

如图2所示，彩色滤光片300上较佳形成有多个色阻310。色阻310中包含有蓝光穿透色阻B、绿光穿透色阻G及红光穿透色阻R。三种不同的色阻310分别允许波长在一定范围内的蓝光、绿光及红光穿过，并阻挡其余波长的光线。换言之，当色光201穿过彩色滤光片300后，即色阻310分离为预定波长范围内的蓝光、绿光及红光。

发光单元200内具有发光芯片210及多个量子点荧光粉230。发光芯片210较佳为有机发光二极管(OLED)芯片或发光二极管芯片，且较佳为发出蓝光的发光二极管芯片；然而在不同实施例中，亦可采用不同种类的芯片，或发出不同的色光。量子点荧光粉230较佳封装于发光单元200中，且位于发光芯片210上方。如图2所示的较佳实施例，量子点荧光粉230采用远端分布(Remote Phosphor)的方式分布于封装材250内，亦即与发光芯片210间具有一适当间隔，例如：介于200微米(um)及300微米(um)之间。此时发光单元200产生的色光201较易具有符合需求的波形。然而在不同实施例中，量子点荧光粉230亦可采用均匀分布或敷型涂布(Conformal Distribution)等方式分布于封装材250内。所谓的敷型涂布是指荧光粉与发光芯片采用接触式的涂布，也就是荧光粉直接涂布在芯片表面上。而所谓的远端分布则是指荧光粉与发光芯片采用非接触式的涂布，亦即荧光粉分布在芯片上方与芯片隔了一段距离。发光芯片210产生的光线会激发量子点荧光粉230，使发光单元210向外输出色光201。色光201较佳为白光的混色光，但亦可为其他颜色的色光。

量子点荧光粉230的材质较佳包含硫化锌(ZnS)、氧化锌(ZnO)、氮化镓(GaN)、硒化锌(ZnSe)、硫化镉(CdS)、碲化锌(ZnTe)、硒化镓(GaSe)、硒化镉(CdSe)、碲化镉(CdTe)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、锑化镓(GaSb)、砷化铟(InAs)、碲(Te)、硫化铅(PbS)、锑化铟(InSb)、碲化铅(PbTe)、硒化铅(PbSe)中至少其一。如图3A所示，量子点荧光粉230可仅由同材质形成的单一核心261所构成。例如：以硒/镉原子231组合的硒化镉(CdSe)作为核心261的材料，以形成量子点荧光粉230。当以硒化镉(CdSe)作为单一核心261形成的量子点荧光粉230时，其核心261的粒径较佳介于2.3纳米(nm)及5.5纳米(nm)之间，以配合发光芯片210产生具有所需发射频谱的色光201。然而在图3B所示的实施例中，量子点荧光粉230亦可由核心261外覆膜层263的方式形成。核心261的材质至少包含硫化锌(ZnS)、氧化锌(ZnO)、氮化镓(GaN)、硒化锌(ZnSe)、硫化镉(CdS)、碲化锌(ZnTe)、硒化镓(GaSe)、硒化镉(CdSe)、碲化镉(CdTe)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、锑化镓(GaSb)、砷化铟(InAs)、碲(Te)、硫化铅(PbS)、锑化铟(InSb)、碲化铅(PbTe)、硒化铅(PbSe)其中之一；而膜层263的材质亦包含硫化锌(ZnS)、氧化锌(ZnO)、氮化镓(GaN)、硒化锌(ZnSe)、硫化镉(CdS)、碲化锌(ZnTe)、硒化镓(GaSe)、硒化镉(CdSe)、碲化镉(CdTe)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、锑化镓(GaSb)、砷化铟(InAs)、碲(Te)、硫化铅(PbS)、锑化铟(InSb)、碲化铅(PbTe)、硒化铅(PbSe)中至少其一。以较佳实施例而言，当以硒化镉(CdSe)作为量子点荧光粉230的核心261的材质时，其核心261的粒径介于2.3纳米(nm)及5.5纳米(nm)之间；当选用硫化锌(ZnS)作为该膜层263的材质时，限制其膜厚介于0.2纳米(nm)及1.7纳米(nm)之间，以配合发光芯片210产生具有所需发射频谱的色光201。

如图4所示，发光单元200产生的色光201具有一发射频谱710，而彩色滤光片300则具有穿透频谱730。发射频谱710表示发光单元200的色光201的特性，主要为色光201在各段波长与光强度间的关系；穿透频谱730则表示各个波长经过彩色滤光片300的穿透率。发射频谱710具有第一蓝光波峰711、第一绿光波峰713及第一红光波峰715。第一蓝光波峰711、第一绿光波峰713及第一红光波峰715在发射频谱710上分别对应于第一蓝光峰值波长455纳米(nm)、第一绿光峰值波长530纳米(nm)及第一红光峰值波长642纳米(nm)。穿透频谱730具有第二蓝光波峰731、第二绿光波峰733及第二红光波峰735分别对应于蓝光穿透色阻B、绿光穿透色阻G及红光穿透色阻R。第二蓝光波峰731、第二绿光波峰733及第二红光波峰735在穿透频谱730上分别对应于第二蓝光峰值波长449纳米(nm)、第二绿光峰值波长518纳米(nm)及第二红光峰值波长633纳米(nm)。

如图4所示，第一蓝光峰值波长455纳米(nm)与第二蓝光峰值波长449纳米(nm)相互匹配。所谓匹配，是指两者的波长值接近，使发射频谱710的第一蓝光波峰711与穿透频谱730的第二蓝光波峰731几近于叠合。通过此一设置，色光201中的蓝光部分得以以较高比例穿过彩色滤光片300，且穿过的光线颜色较不易产生偏差。在较佳实施例中，第一蓝光峰值波长455纳米(nm)与第二蓝光峰值波长449纳米(nm)的比值较佳是介于0.96至1.04之间。同样地，第一绿光峰值波长530纳米(nm)与第二绿光峰值波长518纳米(nm)相互匹配。通过此一设置，色光201中的绿光部分得以以较高比例穿过彩色滤光片300，且穿过的光线颜色较不易产生偏差。在较佳实施例中，第一绿光峰值波长530纳米(nm)与第二绿光峰值波长518纳米(nm)的比值较佳是介于0.95至1.05之间。发光二极管可通过芯片与荧光粉调配峰值波长，而彩色滤光片亦可通过原料调配穿透率峰值，由于芯片、荧光粉与彩色滤光片的原料之间的特性相异，因此不同色光的匹配状况也会不相同。

第一红光峰值波长642纳米(nm)与第二红光峰值波长633纳米(nm)相互匹配。由于发射频谱710或穿透频谱730中红光部分的波形在强度到达高点后可能朝长波长方向产生延续状况或数个连峰状况，使得波峰形状不明显，因此红光波峰715、735较佳是指发射频谱710或穿透频谱730在红色色域中第一次达到局部最大值或顶点的位置。通过此一设置，色光201中的红光部分得以以较高比例穿过彩色滤光片300，且穿过的光线颜色较不易产生偏差。在较佳实施例中，第一红光峰值波长642纳米(nm)与第二红光峰值波长633纳米(nm)的比值较佳是介于0.82至1.21之间。

以较佳实施例而言，第一蓝光峰值波长较佳是介于440纳米(nm)至457纳米(nm)之间；而第二蓝光峰值波长亦介于440纳米(nm)至457纳米(nm)之间。第一绿光峰值波长介于510纳米(nm)至535纳米(nm)之间；而第二绿光峰值波长亦介于510纳米(nm)至535纳米(nm)之间。第一红光峰值波长介于640纳米(nm)至780纳米(nm)之间；而第二红光峰值波长亦介于640纳米(nm)至780纳米(nm)之间。

此外，如图4所示，在本实施中，第一绿光波峰713的半高宽W_G1与第二绿光波峰733的半高宽W_G2比值W_G1/W_G2小于0.45。通过此一设置，可使色光201发射频谱710中的绿光部分具有较窄的波形，且不易延伸进入红色或蓝色色域中。因此色光201中的绿光部份能较有效率地穿过绿光穿透色阻G以形成较纯粹的绿色光，且色光201中的绿光部分亦不易跨越到蓝光或红光范围而穿透蓝光穿透色阻B及红光穿透色阻R，因此不会影响产生的蓝色光及红色光的纯度。总体而言，通过上述设置，可使整体的色彩饱和度提升。同样地，第一红光波峰715的半高宽W_R1与第二红光波峰735最高值的一半的W_R2比值亦可设定为小于0.25。藉此可提升分离后的各色光线纯度，并提升整体的色彩饱和度。

此外，如图4所示，第一蓝光波峰711、第一绿光波峰713以及第一红光波峰715的半高宽W_B1、W_G1、W_R1较佳均小于50纳米(nm)。在不同实施例中，第一绿光波峰713及第一红光波峰715的半高宽较佳介于35纳米(nm)至50纳米(nm)之间。通过上述设计，可进一步提升分离后的各色光线纯度，并提升整体的色彩饱和度。此外，由于第一绿光波峰713与第一红光波峰715的波形均较为瘦高，因此两者间的波谷亦较为深陷；换言之，介于绿光及红光区间中间的光线能量较低。此一能量分布亦有助于提升分离后的各色光线纯度，避免掺入其他色光的成份。

在下表及图5所示的实施例中，第一绿光波峰713的半高宽较佳为38纳米(nm)，仅约为传统荧光粉的发光二极管在绿光区间半高宽77纳米(nm)的一半。同样的，第一红光波峰715的半高宽较佳为45纳米(nm)，亦不到传统荧光粉的发光二极管在红光区间半高宽111纳米(nm)的一半。此外，第一绿光波峰713与第一红光波峰715间的波谷亦较传统荧光粉的发光二极管的发射频谱在相对位置的波谷为深陷；换言之，本实施例在介于绿光及红光区间中间的光线能量较低。

表1本实施例各色光的发射频谱半高宽与传统荧光粉的频谱半高宽比较

光线颜色	本实施例发射频谱的半高宽(nm)	传统荧光粉的频谱半高宽(nm)
			绿光	38	77

光线颜色	本实施例发射频谱的半高宽(nm)	传统荧光粉的频谱半高宽(nm)
			红光	45	111

以表1及图5所示的两组光源分别穿过彩色滤光片300后，可得如表2及图6所示在色域空间的色彩表现结果。图6的色域空间由xy坐标轴所建构，可在此色域空间中以xy坐标来表示色彩的位置。由表2及图6可知，本实施例的光源在穿过彩色滤光片300后在色域空间得到的NTSC(NationalTelevision System Committee)色饱和度可达到119.3％；而使用传统荧光粉的发光二极管在穿过彩色滤光片300后得到的NTSC色饱和度则仅为99.1％。由此可确信当限制第一绿光波峰713及第一红光波峰715的半高宽W_G1、W_R1以及降低两者间的波谷能量时，确实可对NTSC色饱和度的增加有所助益。此外，由于色光201可以更有效率地穿透彩色滤光片300，因此其亮度参数26.2亦大于传统设置的亮度22.6。

表2  本实施例光源与传统荧光粉光源在穿过彩色滤光片后的色彩表现比较

	NTSC	亮度	红光坐标	绿光坐标	蓝光坐标
						本实施例	119.3％	26.2	(0.6965，0.2936)	(0.1379，0.7403)	(0.1477，0.0566)
传统荧光粉发光二极管	99.1％	22.6	(0.6780，0.3109)	(0.2137，0.6748)	(0.1465，0.0520)

本发明进一步提供制造显示装置的方法。如图7所示，步骤1010包含提供彩色滤光片，其包含有多个色阻。如前述的实施例，彩色滤光片的穿透频谱中具有第二蓝光波峰、第二绿光波峰以及第二红光波峰。各波峰分别具有对应于各峰值的第二蓝光峰值波长、第二绿光峰值波长及第二红光峰值波长。

步骤1030包含提供发光单元，其包含有发光芯片及多个量子点荧光粉。发光芯片发出光线激发量子点荧光粉产生色光，色光的发射频谱中具有第一蓝光波峰、第一绿光波峰以及第一红光波峰。各波峰分别具有对应于各峰值的第一蓝光峰值波长、第一绿光峰值波长及第一红光峰值波长。在较佳实施例中，量子点荧光粉采用远端分布(Remote Phosphor)的方式分布于包覆发光芯片的封装材内，并与发光芯片间具有适当间隔。然而在不同实施例中，量子点荧光粉亦可采用均匀分布或敷型涂布(Conformal Distribution)等方式分布于封装材内。此外，在较佳实施例中，量子点荧光粉的材质包含硫化锌(ZnS)、氧化锌(ZnO)、氮化镓(GaN)、硒化锌(ZnSe)、硫化镉(CdS)、碲化锌(ZnTe)、硒化镓(GaSe)、硒化镉(CdSe)、碲化镉(CdTe)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、锑化镓(GaSb)、砷化铟(InAs)、碲(Te)、硫化铅(PbS)、锑化铟(InSb)、碲化铅(PbTe)、硒化铅(PbSe)中至少其一。

步骤1050包含调整彩色滤光片的穿透频谱，使第一蓝光峰值波长及第二蓝光峰值波长的比值介于0.96至1.04之间，第一绿光峰值波长及第二绿光峰值波长的比值介于0.95至1.05之间，第一红光峰值波长及第二红光峰值波长的比值介于0.82至1.21之间。在此实施例中，先设定发光单元发出色光的发射频谱，接着再根据发射频谱来调整彩色滤光片的穿透频谱。通过此一设置，可有效提升发光效率，并提高色彩的饱和度。在较佳实施例中，为了调整步骤1050中各波长之间的比值，可通过调整彩色滤光片中各色阻的厚度来改变彩色滤光片的穿透频谱。此外，亦可通过改变色阻的材质来调整彩色滤光片的穿透频谱。

在图8所示的另一实施例中，除相同的步骤1010及步骤1030外，另包含步骤1070：调整发光单元产生色光的发射频谱，使第一蓝光峰值波长及第二蓝光峰值波长的比值介于0.96至1.04之间；第一绿光峰值波长及第二绿光峰值波长的比值介于0.95至1.05之间；第一红光峰值波长及第二红光峰值波长的比值介于0.82至1.21之间。在此实施例中，先设定彩色滤光片的穿透频谱，接着再根据穿透频谱来调整发光单元发出色光的发射频谱。通过此一设置，可有效提升发光效率，并提高色彩的饱和度。

在较佳实施例中，为了调整步骤1070中各波长之间的比值，可通过调整量子点荧光粉的粒径或材质来改变发射频谱的特性及波形。例如当选用硒化镉(CdSe)作为荧光粉材质时，限制其粒径介于2.3纳米(nm)及5.5纳米(nm)之间。此外，亦可选择调整量子点荧光粉的结构，例如采用单一核心或由核心外覆膜层的方式形成量子点荧光粉的结构。当采用后者时，需先选定核心的材质，再将膜层材质形成于核心上，以包覆住核心。核心及膜层的材质较佳皆选自于硫化锌(ZnS)、氧化锌(ZnO)、氮化镓(GaN)、硒化锌(ZnSe)、硫化镉(CdS)、碲化锌(ZnTe)、硒化镓(GaSe)、硒化镉(CdSe)、碲化镉(CdTe)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、锑化镓(GaSb)、砷化铟(InAs)、碲(Te)、硫化铅(PbS)、锑化铟(InSb)、碲化铅(PbTe)、硒化铅(PbSe)，但不限于此。例如在一实施例中，可选用CdSe作为核心材质，并限制其粒径介于2.3纳米(nm)及5.5纳米(nm)之间；同时可选用硫化锌(ZnS)作为膜层的材质，并限制其膜厚介于0.2纳米(nm)及1.7纳米(nm)之间。

虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何具有本发明所属技术领域的通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围当视权利要求范围所界定者为准。

Claims (11)

1.一种显示装置，其特征在于，所述的显示装置包含：

一发光单元，具有一发光芯片及多个量子点荧光粉，其中所述发光芯片发出光线激发所述量子点荧光粉产生一色光，所述色光的发射频谱中具有一第一蓝光波峰、一第一绿光波峰以及一第一红光波峰，各波峰分别具有对应于各峰值的一第一蓝光峰值波长、一第一绿光峰值波长及一第一红光峰值波长；以及

一彩色滤光片，设置于所述发光单元的发光路径上，并过滤所述色光，其中所述彩色滤光片的穿透频谱中具有一第二蓝光波峰、一第二绿光波峰以及一第二红光波峰，各波峰分别具有对应于各峰值的一第二蓝光峰值波长、一第二绿光峰值波长及一第二红光峰值波长；

其中，所述第一蓝光峰值波长及所述第二蓝光峰值波长的比值介于0.96至1.04之间，所述第一绿光峰值波长及所述第二绿光峰值波长的比值介于0.95至1.05之间，所述第一红光峰值波长及所述第二红光峰值波长的比值介于0.82至1.21之间。

2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一绿光波峰的半高宽与所述第二绿光波峰的半高宽比值小于0.45。

3.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一红光波峰的半高宽与所述第二红光峰值最高值的一半的比值小于0.25。

4.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一蓝光波峰、所述第一绿光波峰以及所述第一红光波峰的半高宽均小于50纳米。

5.如权利要求4所述的显示装置，其特征在于，所述第一绿光波峰及所述第一红光波峰的半高宽介于35纳米至50纳米之间。

6.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一蓝光峰值波长介于440纳米至457纳米之间，所述第二蓝光峰值波长介于440纳米至457纳米之间。

7.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一绿光峰值波长介于510纳米至535纳米之间，所述第二绿光峰值波长介于510纳米至535纳米之间。

8.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一红光峰值波长介于640纳米至780纳米之间，所述第二红光峰值波长介于640纳米至780纳米之间。

9.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述量子点荧光粉的材质为CdSe，其粒径介于2.3纳米及5.5纳米之间。

10.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述量子点荧光粉的至少其一包含一核心与一膜层包覆所述核心。

11.如权利要求10所述的显示装置，其特征在于，所述核心的材质为CdSe，其粒径介于2.3纳米及5.5纳米之间，所述膜层的材质则为ZnS，其膜厚介于0.2纳米及1.7纳米之间。

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