CN109599467B - 一种半导体发光元件 - Google Patents
一种半导体发光元件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109599467B CN109599467B CN201811460342.6A CN201811460342A CN109599467B CN 109599467 B CN109599467 B CN 109599467B CN 201811460342 A CN201811460342 A CN 201811460342A CN 109599467 B CN109599467 B CN 109599467B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- core
- shell
- inpas
- pbse
- shell quantum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/08—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明公开一种半导体发光元件,依次包括衬底、n型氮化物半导体,多量子阱,V‑pits,PbSe/InPAs核壳量子点,Cd3P2/InP核壳量子点以及p型氮化物半导体,其特征在于所述PbSe/InPAs核壳量子点发出红光;所述Cd3P2/InP核壳量子点发出绿光,所述多量子阱发出蓝光,从而在同一外延片内形成发出红光、蓝光和绿光的半导体发光元件。
Description
技术领域
本发明涉及半导体光电器件领域,特别是一种半导体发光元件。
背景技术
半导体发光元件具有可调范围广泛的波长范围,发光效率高,节能环保,可使用超过10万小时的长寿命、尺寸小、可设计性强等因素,已逐渐取代白炽灯和荧光灯,成长普通家庭照明的光源,并广泛应用新的场景,如户内高分辨率显示屏、户外显屏、手机电视背光照明、路灯、车灯、手电筒等应用领域。但是,高In组分氮化物的材料生长质量差,导致发光效率低,难以形成红光氮化物发光元件。通常白光发光元件采用氮化物半导体蓝光二极管激光荧光粉获得白光。一般红绿蓝RGB的白光采用GaAs红光芯片结合氮化物半导体的蓝光与绿光芯片形成RGB的白光,但该方法的成本较高,RGB的亮度均匀性不易控制匹配等。
鉴于以上的困难与不足,有必要提出一种在外延片上直接形成红绿蓝光混合的白光发光元件。
发明内容
本发明公开一种半导体发光元件,依次包括衬底、n型氮化物半导体,多量子阱,V-pits,PbSe/InPAs核壳量子点,Cd3P2/InP核壳量子点以及p型氮化物半导体,其特征在于所述PbSe/InPAs核壳量子点发出红光;所述Cd3P2/InP核壳量子点发出绿光,所述多量子阱发出蓝光,从而在同一外延片内形成发出红光、蓝光和绿光的半导体发光元件。
进一步地,所述V-pits由第一V-pits和第二V-pits组成,所述PbSe/InPAs核壳量子点和Cd3P2/InP核壳量子点位于V-pits内部;所述第一V-pits内具有PbSe/InPAs核壳量子点发出红光;所述第二V-pits内具有Cd3P2/InP核壳量子点发出绿光;所述第一V-pits和第二V-pits之间的多量子阱发出蓝光,从而在同一外延片内形成红光、绿光和蓝光三基色的发光元件。
进一步地,所述PbSe/InPAs核壳量子点还可掺杂Mn、Fe元素进行波长调控,通过控制Mn和Fe元素的浓度控制PbSe/InPAs核壳量子点的发光波长;所述Mn和Fe掺杂元素在PbSe/InPAs核壳量子点的掺杂浓度为1.0 E6cm-3~1.0 E21cm-3。所述PbSe/InPAs核壳量子点包括以下掺杂组合形式PbSe:Mn/InPAs核壳量子点,PbSe/InPAs:Mn核壳量子点,PbSe:Fe/InPAs核壳量子点,PbSe/InPAs:Fe核壳量子点,PbSe:Mn/InPAs:Mn核壳量子点,PbSe:Mn/InPAs:Fe核壳量子点,PbSe:Fe/InPAs:Fe核壳量子点,PbSe:Fe/InPAs:Mn核壳量子点。
进一步地,所述Cd3P2/InP核壳量子点还可掺杂Mn和Fe元素进行波长调控,通过控制Mn和Fe元素的浓度控制Cd3P2/InP核壳量子点的发光波长;所述Er或Eu掺杂元素在Cd3P2/InP核壳量子点的掺杂浓度为1.0 E6cm-3~1.0 E21cm-3。所述Cd3P2/InP核壳量子点包括以下掺杂组合形式:Cd3P2:Mn/InP核壳量子点,Cd3P2/InP:Mn核壳量子点,Cd3P2:Fe/InP核壳量子点,Cd3P2/InP:Fe核壳量子点,Cd3P2:Mn/InP:Mn核壳量子点,Cd3P2:Mn/InP:Fe核壳量子点,Cd3P2:Fe/InP:Fe核壳量子点,Cd3P2:Fe/InP:Mn核壳量子点。
进一步地,所述第一V-pits内具有PbSe/InPAs核壳量子点,PbSe为核层,直径为t1,InPAs为壳层,厚度为t2,壳层包覆住核层,所述5 nm≤t1, t2≤100 nm,调控t1和t2的厚度及其比例可调控量子点发光波长为600~750 nm。
进一步地,所述Cd3P2/InP核壳量子点,Cd3P2为核层,直径为t3,InP为壳层,厚度为t4,所述5 nm≤t3, t4≤100 nm,调控t3和t4的厚度及其比例可调控量子点发光波长为500~600 nm。
进一步地,所述第一V-pits和第二V-pits的开口尺寸为50~500 nm,所述PbSe/InPAs核壳量子点和Cd3P2/InP核壳量子点的直径约30~300 nm。
进一步地,所述多量子阱为InxGa1-xN/GaN量子阱,In组分0.15<x<0.35,所述多量子阱发出蓝光,波长为400~500 nm。
进一步地,所述Cd3P2/InP核壳量子点还包括InP/Cd3P2量子点,核层为InP,壳层为Cd3P2;所述PbSe/InPAs核壳量子点还包括InPAs/PbSe,核层为InPAs,壳层为PbSe。
进一步地,所述PbSe/InPAs核壳量子点和Cd3P2/InP核壳量子点还可生长于无V-pits区域的多量子阱上方(即不位于V-pits内部),PbSe/InPAs核壳量子点、Cd3P2/InP核壳量子点和多量子阱分别发出红、绿、蓝光,从而在同一外延片内形成红绿蓝混合的白光。
进一步地,所述PbSe/InPAs核壳量子点和Cd3P2/InP核壳量子点还包括周期性核壳结构,(PbSe/InPAs)m,(Cd3P2/InP)n,所述周期m≥1,n≥1。
进一步地,所述PbSe/InPAs核壳量子点和Cd3P2/InP核壳量子点可生长于V-pits区域,亦可生长于无V-pits区域的多量子阱上方(即不位于V-pits内部),PbSe/InPAs核壳量子点、Cd3P2/InP核壳量子点和多量子阱分别发出红、绿、蓝光,从而在同一外延片内形成红绿蓝的发光元件。然后,剥离衬底,光刻出微米级或纳米级的隔离沟道,并键合入控制电路板,独立控制外延片上的微米或纳米发光元件(Micro/Nano-LED),制作成微米或纳米LED(Micro/Nano-LED)。该技术无需进行传统Micro/Nano-LED的芯片拾取和巨量转移,提升Micro/Nano-LED的良率并降低成本,且可将LED从Mini-LED/ Micro-LED的尺寸进一步提升至Nano-LED的纳米级别分辨率。
附图说明
图1为传统具有V-pits的半导体发光元件的结构示意图。
图2为本发明一种半导体发光元件的结构示意图。
图3为本发明一种半导体发光元件PbSe/InPAs核壳量子点和Cd3P2/InP核壳量子点生长于多量子阱的V-pits内产生红光、绿光和蓝光混合成白光的效果示意图。
图4为本发明一种半导体发光元件PbSe/InPAs核壳量子点和Cd3P2/InP核壳量子点生长于无V-pits区域的多量子阱上方产生红光、绿光和蓝光混合成白光的效果示意图。
图5为本发明一种半导体发光元件PbSe/InPAs核壳量子点、Cd3P2/InP核壳量子点、多量子阱上方产生红光、绿光和蓝光,制作成微米或纳米LED(Micro/Nano-LED)效果示意图。
图示说明:100:衬底;101:n型氮化物半导体,102:位错线,103:多量子阱,104:V-pits,104a:第一V-pits,104b:第二V-pits,105:PbSe核层,106:InPAs壳层,107:Cd3P2核层,108:InP壳层,109:p型氮化物半导体,110:微米级或纳米级的隔离沟道,111:控制电路板,105/106:PbSe/InPAs核壳量子点,107/108:Cd3P2/InP核壳量子点。
具体实施方式
实施例1
传统多量子阱103具有V-pits 104的氮化物发光元件如图1所示,包括衬底100、n型氮化物半导体101,位错线102,多量子阱103,V-pits 104,p型氮化物半导体109,其中位错线穿过V-pits和多量子阱区。本发明公开一种半导体发光元件,如图2所示,依次包括衬底100、n型氮化物半导体101,多量子阱103,V-pits 104,PbSe 105/InPAs 106核壳量子点,Cd3P2 107/InP108核壳量子点以及p型氮化物半导体,其特征在于所述PbSe 105/InPAs 106核壳量子点发出红光;所述Cd3P2 107/InP108核壳量子点发出绿光,所述多量子阱发出蓝光,从而在同一外延片内形成发出红光、蓝光和绿光的半导体发光元件,如图3所示。
所述V-pits由第一V-pits 104a和第二V-pits 104b组成,所述PbSe 105/InPAs106核壳量子点和Cd3P2 107/InP108核壳量子点位于V-pits内部;所述第一V-pits内具有PbSe 105/InPAs 106核壳量子点发出红光;所述第二V-pits内具有Cd3P2 107/InP108核壳量子点发出绿光;所述第一V-pits和第二V-pits之间的多量子阱发出蓝光,从而在同一外延片内形成红光、绿光和蓝光三基色的发光元件,如图3所示。
所述PbSe 105/InPAs 106核壳量子点还可掺杂Mn、Fe元素进行波长调控,通过控制Mn和Fe元素的浓度调控PbSe 105/InPAs 106核壳量子点,发光波长为600~750 nm;所述Mn和Fe掺杂元素在PbSe 105/InPAs 106核壳量子点的掺杂浓度为1.0 E6cm-3~1.0 E21cm-3。所述PbSe 105/InPAs 106核壳量子点包括以下掺杂组合形式PbSe:Mn/InPAs核壳量子点,PbSe/InPAs:Mn核壳量子点,PbSe:Fe/InPAs核壳量子点,PbSe/InPAs:Fe核壳量子点,PbSe:Mn/InPAs:Mn核壳量子点,PbSe:Mn/InPAs:Fe核壳量子点,PbSe:Fe/InPAs:Fe核壳量子点,PbSe:Fe/InPAs:Mn核壳量子点。
所述Cd3P2 107/InP108核壳量子点还可掺杂Er、Eu元素进行波长调控,通过控制Mn和Fe元素的浓度调控Cd3P2 107/InP108核壳量子点的发光波长,发光波长为500~600 nm;所述Mn和Fe掺杂元素在Cd3P2 107/InP108核壳量子点的掺杂浓度为1.0 E6cm-3~1.0 E21cm-3。所述Cd3P2 107/InP108核壳量子点包括以下掺杂组合形式:Cd3P2:Mn/InP核壳量子点,Cd3P2/InP:Mn核壳量子点,Cd3P2:Fe/InP核壳量子点,Cd3P2/InP:Fe核壳量子点,Cd3P2:Mn/InP:Mn核壳量子点,Cd3P2:Mn/InP:Fe核壳量子点,Cd3P2:Fe/InP:Fe核壳量子点,Cd3P2:Fe/InP:Mn核壳量子点。
所述第一V-pits内具有PbSe 105/InPAs 106核壳量子点,PbSe 105为核层,直径为t1,InPAs 106为壳层,厚度为t2,壳层包覆住核层,所述5 nm≤t1, t2≤100 nm,调控t1和t2的厚度及其比例可调控量子点发光波长为600~750 nm。
所述Cd3P2 107/InP108核壳量子点,Cd3P2 107为核层,直径为t3,InP108为壳层,厚度为t4,所述5 nm≤t3, t4≤100 nm,调控t3和t4的厚度及其比例可调控量子点发光波长为500~600 nm。
所述第一V-pits 104a和第二V-pits 104b的开口尺寸为50~500 nm,所述PbSe105/InPAs 106核壳量子点和Cd3P2 107/InP108核壳量子点的直径约30~300 nm。
所述多量子阱103为InxGa1-xN/GaN量子阱,In组分0.15<x<0.35,所述多量子阱103发出蓝光,波长为400~500 nm。
所述Cd3P2 107/InP108核壳量子点还包括InP/Cd3P2量子点,核层为InP,壳层为Cd3P2;所述PbSe 105/InPAs 106核壳量子点还包括InPAs/PbSe,核层为InPAs,壳层为PbSe。
进一步地,所述PbSe 105/InPAs 106核壳量子点和Cd3P2 107/InP108核壳量子点还包括周期性核壳结构,(PbSe 105/InPAs 106)m,(Cd3P2 107/InP108)n,所述周期m≥1,n≥1。
实施例2
与实施1的区别在于,所述PbSe 105/InPAs 106核壳量子点和Cd3P2 107/InP108核壳量子点还可生长于无V-pits区域的多量子阱上方(即不位于V-pits内部),PbSe 105/InPAs 106核壳量子点、Cd3P2 107/InP108核壳量子点和多量子阱分别发出红、绿、蓝光,,从而在同一外延片内形成红绿蓝混合的白光,如图4所示。
实施例3
与实施1的区别在于,所述PbSe 105/InPAs 106核壳量子点和Cd3P2 107/InP108核壳量子点可生长于V-pits 104区域,亦可生长于无V-pits区域的多量子阱上方(即不位于V-pits内部),PbSe 105/InPAs 106、Cd3P2 107/InP108核壳量子点和多量子阱分别发出红、绿、蓝光,从而在同一外延片内形成红绿蓝的发光元件。然后,剥离衬底100,光刻出微米级或纳米级的隔离沟道110,并键合入控制电路板111,独立控制外延片上的微米或纳米发光元件(Micro/Nano-LED),制作成微米或纳米LED(Micro/Nano-LED),如图5所示。该技术无需进行传统Micro/Nano-LED的芯片拾取和巨量转移,提升Micro/Nano-LED的良率并降低成本,且可将LED从Mini-LED/Micro-LED的尺寸进一步提升至Nano-LED的纳米级别分辨率。
以上实施方式仅用于说明本发明,而并非用于限定本发明,本领域的技术人员,在不脱离本发明的精神和范围的情况下,可以对本发明做出各种修饰和变动,因此所有等同的技术方案也属于本发明的范畴,本发明的专利保护范围应视权利要求书范围限定。
Claims (10)
1.一种半导体发光元件,其特征在于依次包括衬底、n型氮化物半导体,多量子阱,V-pits,PbSe/InPAs核壳量子点,Cd3P2/InP核壳量子点以及p型氮化物半导体,其特征在于所述PbSe/InPAs核壳量子点发出红光;所述Cd3P2/InP核壳量子点发出绿光,所述多量子阱发出蓝光,从而在同一外延片内形成发出红光、蓝光和绿光的半导体发光元件;所述PbSe/InPAs核壳量子点通过控制Mn和Fe元素的浓度和PbSe/InPAs核壳量子点核层和壳层的厚度及其比例可调控量子点发光波长为600~750 nm;所述Cd3P2/InP核壳量子点通过控制Mn和Fe元素的浓度和Cd3P2/InP核壳量子点核层和壳层的厚度及其比例可调控量子点发光波长为500~600 nm。
2.根据权利要求1所述一种半导体发光元件,其特征在于:所述V-pits由第一V-pits和第二V-pits组成,所述PbSe/InPAs核壳量子点和Cd3P2/InP核壳量子点位于V-pits内部;所述第一V-pits内具有PbSe/InPAs核壳量子点发出红光;所述第二V-pits内具有Cd3P2/InP核壳量子点发出绿光;所述第一V-pits和第二V-pits之间的多量子阱发出蓝光,从而在同一外延片内形成红光、绿光和蓝光三基色的发光元件。
3.根据权利要求1所述一种半导体发光元件,其特征在于:所述PbSe/InPAs核壳量子点还可掺杂Mn、Fe元素进行波长调控,通过控制Mn和Fe元素的浓度控制PbSe/InPAs核壳量子点的发光波长;所述Mn和Fe掺杂元素在PbSe/InPAs核壳量子点的掺杂浓度为1.0 E6cm-3~1.0 E21cm-3。
4.根据权利要求1所述一种半导体发光元件,其特征在于:所述Cd3P2/InP核壳量子点还可掺杂Mn和Fe元素进行波长调控,通过控制Mn和Fe元素的浓度控制Cd3P2/InP核壳量子点的发光波长。
5.根据权利要求2所述一种半导体发光元件,其特征在于:所述第一V-pits内具有PbSe/InPAs核壳量子点,PbSe为核层,直径为t1,InPAs为壳层,厚度为t2,壳层包覆住核层,其中5 nm≤t1, t2≤100 nm,调控t1和t2的厚度及其比例可调控量子点发光波长为600~750 nm。
6.根据权利要求1所述一种半导体发光元件,其特征在于:Cd3P2/InP核壳量子点,Cd3P2为核层,直径为t3,InP为壳层,厚度为t4,5 nm≤t3, t4≤100 nm,调控t3和t4的厚度及其比例可调控量子点发光波长为500~600 nm。
7.根据权利要求2所述一种半导体发光元件,其特征在于:所述第一V-pits和第二V-pits的开口尺寸为50~500 nm,所述PbSe/InPAs核壳量子点和Cd3P2/InP核壳量子点的直径30~300 nm。
8.根据权利要求1所述一种半导体发光元件,其特征在于:所述多量子阱为InxGa1-xN/GaN量子阱,In组分0.15<x<0.35,所述多量子阱发出蓝光,波长为400~500 nm。
9.根据权利要求1所述一种半导体发光元件,其特征在于:所述Cd3P2/InP核壳量子点还包括InP/Cd3P2量子点,核层为InP,壳层为Cd3P2;所述PbSe/InPAs核壳量子点还包括InPAs/PbSe,核层为InPAs,壳层为PbSe。
10.根据权利要求1所述一种半导体发光元件,其特征在于:所述PbSe/InPAs核壳量子点和Cd3P2/InP核壳量子点可生长于V-pits区域,亦可生长于无V-pits区域的多量子阱上方即不位于V-pits内部,PbSe/InPAs核壳量子点、Cd3P2/InP核壳量子点和多量子阱分别发出红、绿、蓝光,从而在同一外延片内形成红绿蓝的发光元件;所述PbSe/InPAs核壳量子点和Cd3P2/InP核壳量子点还包括周期性核壳结构,(PbSe/InPAs)m,(Cd3P2/InP)n,其中m≥1,n≥1。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811460342.6A CN109599467B (zh) | 2018-12-01 | 2018-12-01 | 一种半导体发光元件 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811460342.6A CN109599467B (zh) | 2018-12-01 | 2018-12-01 | 一种半导体发光元件 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109599467A CN109599467A (zh) | 2019-04-09 |
CN109599467B true CN109599467B (zh) | 2020-09-29 |
Family
ID=65959356
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201811460342.6A Active CN109599467B (zh) | 2018-12-01 | 2018-12-01 | 一种半导体发光元件 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN109599467B (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109962117B (zh) * | 2019-04-10 | 2023-03-28 | 临沂市安福电子有限公司 | 一种多重响应波段的半导体探测器 |
JP7296481B2 (ja) * | 2020-03-03 | 2023-06-22 | 東莞市中麒光電技術有限公司 | 発光ダイオード及びその製造方法 |
CN114106623B (zh) * | 2020-12-15 | 2023-04-07 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 量子点墨水、量子点薄膜、电致发光二极管及显示器件 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106957652A (zh) * | 2015-12-22 | 2017-07-18 | 三星电子株式会社 | 量子点、制造其的方法,包括其的量子点聚合物复合物和器件 |
CN107975763A (zh) * | 2017-11-28 | 2018-05-01 | 宁波激智科技股份有限公司 | 一种具有防蓝光效果的量子点膜 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101185618B1 (ko) * | 2010-11-05 | 2012-09-24 | 송진원 | 양자점을 이용한 식물생장용 led |
CN103911155B (zh) * | 2014-04-21 | 2016-01-20 | 巢湖学院 | 一种发射红光的核壳量子点及其合成方法 |
CN106010501B (zh) * | 2016-07-25 | 2018-05-01 | 上海交通大学 | 二氧化硅包覆量子点的多功能纳米复合材料及其制备方法 |
CN106935151B (zh) * | 2017-02-28 | 2019-04-26 | 郑清团 | 晶圆级的微米-纳米级半导体led显示屏及其制备方法 |
CN106910814A (zh) * | 2017-03-27 | 2017-06-30 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种量子点薄膜及其制备方法 |
CN108598225B (zh) * | 2018-04-25 | 2019-11-15 | 黎明职业大学 | 一种氮化物半导体白光发光二极管 |
CN108598227B (zh) * | 2018-04-25 | 2019-11-15 | 黎明职业大学 | 一种半导体白光发光二极管 |
-
2018
- 2018-12-01 CN CN201811460342.6A patent/CN109599467B/zh active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106957652A (zh) * | 2015-12-22 | 2017-07-18 | 三星电子株式会社 | 量子点、制造其的方法,包括其的量子点聚合物复合物和器件 |
CN107975763A (zh) * | 2017-11-28 | 2018-05-01 | 宁波激智科技股份有限公司 | 一种具有防蓝光效果的量子点膜 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN109599467A (zh) | 2019-04-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN1505843B (zh) | 在SiC衬底上形成的GaN基LED | |
CN100349306C (zh) | 蓝光、黄光量子阱堆叠结构白光发光二极管及制作方法 | |
CN109599467B (zh) | 一种半导体发光元件 | |
CN102308669A (zh) | 电子注入纳米结构半导体材料阳极电致发光的方法和装置 | |
CN108389941A (zh) | 显指可调的无荧光粉单芯片白光led器件及其制备方法 | |
CN101589478A (zh) | 可调波长发光二极管 | |
CN102067338A (zh) | 用于产生任意颜色的半导体发光器件 | |
TWI314786B (zh) | ||
US20200365761A1 (en) | Light-emitting diode and method for manufacturing the same | |
US8232563B2 (en) | Light-emitting device | |
CN106784190B (zh) | 一种具有变色功能的GaN基LED的结构及其调节方法 | |
CN106876544B (zh) | 一种GaN基无荧光粉自发白光LED芯片结构及其制备方法 | |
CN105845792B (zh) | 一种高亮度青光led外延结构及生长工艺 | |
CN102097554A (zh) | 一种GaN基单芯片白光发光二极管及其制备方法 | |
CN101281945A (zh) | 可同时发射不同波长光的GaN基LED外延片及其制备方法 | |
Sparavigna | Light-emitting diodes in the solid-state lighting systems | |
CN207134360U (zh) | 单一晶圆上产生不同发光颜色的发光二极管发光层结构 | |
JP2000196142A (ja) | 発光素子 | |
CN109935667A (zh) | 一种半导体发光元件 | |
JP2002208731A (ja) | 半導体発光素子 | |
CN107681027B (zh) | 白光led及其制作方法 | |
CN101840971B (zh) | 一种发光二极管及其制造方法 | |
CN110010731B (zh) | 一种长波长led外延垒晶片、芯片及制备方法 | |
CN115188862A (zh) | 一种覆晶型的发光二极管结构与制作方法 | |
JP4458870B2 (ja) | 蛍光発光装置、蛍光発光素子、および蛍光体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20211207 Address after: 237161 A1 building, Lu'an University Science Park, Sanshipu Town, Jin'an District, Lu'an City, Anhui Province Patentee after: Anhui Geen Semiconductor Co.,Ltd. Address before: 362000 No. 27, Binhai community, Shijing Town, Nan'an City, Quanzhou City, Fujian Province Patentee before: Wang Xinghe |
|
TR01 | Transfer of patent right |