JP7296481B2 - 発光ダイオード及びその製造方法 - Google Patents
発光ダイオード及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7296481B2 JP7296481B2 JP2021559496A JP2021559496A JP7296481B2 JP 7296481 B2 JP7296481 B2 JP 7296481B2 JP 2021559496 A JP2021559496 A JP 2021559496A JP 2021559496 A JP2021559496 A JP 2021559496A JP 7296481 B2 JP7296481 B2 JP 7296481B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- type
- forming
- light
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system containing nitrogen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
- H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/14—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
- H01L33/145—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure with a current-blocking structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0025—Processes relating to coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/42—Transparent materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
第1型の窒化ガリウムを含む第1型の層と、
前記第1型の層の上に位置し、量子ドットを含む発光層と、
前記発光層の上に位置し、第2型の窒化ガリウムを含む第2型の層と、
前記第2型の層の上に位置する電極層とを含む。
基板、及び第1型の窒化ガリウムを含む第1型の層、を含む第1型のベース板を提供することと、
前記第1型のベース板の第1型の層の上に量子ドットを含む発光層を形成することと、
前記発光層の上に第2型の窒化ガリウムを含む第2型の層を形成することと、
前記第2型の層の上に電極層を形成することとを含む。
ここで、発光層が単層量子ドット層を含む場合、発光層の発光色は量子ドット層によって決定され、単層量子ドット層は赤色光、緑色光及び青色光のうちの少なくとも1つの種類を発光する。ここで、単層量子ドット層が赤色の量子ドットのみを含む場合、発光層は赤色光を発光し、単層量子ドット層が緑色の量子ドットのみを含む場合、発光層は緑色光を発光し、単層量子ドット層が青色の量子ドットのみを含む場合、発光層は青色光を発光し、単層量子ドット層が混合された赤色の量子ドット、緑色の量子ドット及び青色の量子ドットを含む場合、発光層は白色光を発光する。
上述の各実施例に基づいて、本願の実施例は他の構造の発光ダイオードをさらに提供する。図3は本願の一実施例に係る他の1つの発光ダイオードの構成模式図である。図3に示すように、本願の1つの実施例において、発光ダイオードはブラックマトリクス1021及び絶縁層106をさらに含む。ブラックマトリクス1021は第1型の層101と第2型の層104との間に位置し、ブラックマトリクス1021は第1のウィンドウを含み、発光層は第1のウィンドウ内に位置し、絶縁層106は電極層105の上面、電極層105の側面及び第2型の層104の側面を被覆する。
ここで、発光層が形成される位置は第1のウィンドウ1022内であってもよく、このように、発光層の側面がブラックマトリクス1021に包まれ、発光層のシールに有利し、発光ダイオードのシール性能を向上させる。一実施例において、発光層の厚さはブラックマトリクス1021の厚さよりも小さく、発光層のシールに有利である。量子ドット1031の発光特性から分かるように、量子ドット1031の発光色は量子ドット1031の寸法によって決定される。例示的には、図6に示すように、発光層は単層量子ドット層を含み、発光層を形成するプロセスは例えば、赤色の量子ドット、緑色の量子ドット又は青色の量子ドットを提供し、少なくとも一回のスピンコートプロセス、印刷プロセス、転写プロセス又は物理気相堆積プロセスによって単層量子ドット層を第1型の層101の上に形成してもよい。このように形成された発光層は単色光を発光する。又は、発光層を形成するプロセスは例えば、赤色の量子ドット、緑色の量子ドット及び青色の量子ドットを混合してから、少なくとも一回のスピンコートプロセス、印刷プロセス、転写プロセス又は物理気相堆積プロセスによって単層量子ドット層を第1型の層101に形成してもよい。このように形成された発光層は白色光を発光する。
ここで、第2型の層104を形成するプロセスは低温堆積プロセスであってもよく、例示的にPAMBE(Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy,プラズマ支援の分子線エピタキシー)、RPCVD(Reduced Pressure Chemical Vapor Deposition,減圧化学気相堆積)、ALD(Atomic Layer Deposition,原子層堆積)、PEALD(Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition,プラズマ増強原子層堆積)、Laser MBE(Molecular Beam Epitaxy Technology,レーザ分子線エピタキシー)、PEMOCVD(Plasma Enhanced Metal-Organic Chemical Vapour Deposition,プラズマ増強金属有機化学気相堆積)、ECR-PEMOCVD(Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Metal-Organic Chemical Vapour Deposition,電子サイクロトロン共鳴-プラズマ増強金属有機化学気相堆積)、又はPLD(Pulsed Laser Deposition,パルスレーザ堆積)などを含む。第2型の窒化ガリウムは低温堆積のプロセスを用いて形成してもよく、量子ドット1031で形成された発光層が高温で破壊されないことを保証することに有利である。
ここで、電極層105は例えばITO(Indium Tin Oxide,酸化インジウムスズ)を含んでもよく、ITOは透明な導電性材料であり、発光ダイオードの光出射率を確保することに有利である。例示的に、電極層105を形成するプロセスは低温堆積プロセスであってもよく、例示的にはマグネトロンスパッタリングプロセス等を含み、かつ高温焼鈍過程を経過する必要がない。このように、電極層105は低温堆積のプロセスを用いてもよく、量子ドット1031で形成された発光層が高温で破壊されないことを保証することに有利である。
ここで、保留された電極層105及び第2型の層104は発光層に対応し、つまり第2型の層104は発光層を被覆する。一部の電極層105を除去するプロセスは例えばウェットエッチングプロセスであってもよく、一部の第2型の層104を除去するプロセスは例えばドライエッチングプロセスであってもよい。
ここで、絶縁層106は電極層105の上面、電極層105の側面及び第2型の層104の側面を被覆することにより、発光層に対してシール及び絶縁を行う。絶縁層106は絶縁機能を有する膜層であってもよく、絶縁機能と反射機能を兼ね備える膜層であってもよく、例示的には、絶縁層106は単層反射層又は分布ブラッグ反射層を含む。例示的に、絶縁層106を形成するプロセスはスパッタリングプロセス、蒸着プロセス又はPECVDプロセスである。ウィンドウを開設して第2のウィンドウを形成するプロセスは例えばウェットエッチングプロセス又はドライエッチングプロセスであってもよく、電極層105を露出させ、ウィンドウを開設して第3のウィンドウを形成するプロセスは例えばウェットエッチングプロセス又はドライエッチングプロセスであってもよく、第1型の窒化ガリウムを露出させる。
ここで、第1の電極1071は陽極であってもよく、第2の電極1072は陰極であってもよく、第1の電極1071及び第2の電極1072は発光ダイオードに電圧及び電流を提供してもよく、2つの電極の材質及び構造は同じであってもよく、異なっていてもよい。例示的に、第1の電極1071と第2の電極1072は面一に配置され、つまり第1の電極1071と第2の電極1072の表面の高さが一致し、これにより発光ダイオードと駆動回路基板の溶接に有利で、これにより発光ダイオードの溶接難易度を低減させた。例示的に、第1の電極1071及び第2の電極1072を形成するプロセスは電子ビーム蒸着プロセス又は加熱蒸着プロセスを含む。
ここで、第1型の層の膜層の厚さが予め設定された値よりも大きい場合、第1型の層を薄くし、第1型の層の膜層の厚さが予め設定された値以下である場合、第1型のベース板における基板を除去し、基板を除去するプロセスは、レーザによる基板の剥離、溶解による基板の除去などを含む。例示的に、レーザ剥離プロセスによって、サファイア基板を除去してもよく、酸又はアルカリのエッチングによってシリコン基板を除去してもよく、研磨ポリシングプロセスによって、全てのタイプの基板を除去してもよく。アレイマザーボードを切断するプロセスはレーザ切断プロセス又はICP(Inductively Coupled Plasma Etching,誘導結合プラズマエッチング)プロセスを含み、独立した発光ダイオードを形成する。なお、本願の実施例は第1型の層を薄くするか又は第1型のベース板における基板を除去するステップと、アレイマザーボードを切断するステップとの実行の順序を限定しない。
ここで、ブロック構造に対応する位置はブラックマトリクス1021の第1のウィンドウ1022である。例示的に、ブラックマトリクス1021の厚さは超格子量子井戸層201の厚さよりも大きく、これにより第1のウィンドウ1022が量子ドット層を収容することに有利である。
ここで、量子ドット層を形成するプロセスはスピンコートプロセス、印刷プロセス、転写プロセス又は物理気相堆積プロセス等を含み、スピンコートプロセス、印刷プロセス、転写プロセス又は物理気相堆積プロセスの実行回数は少なくとも1回である。このように、ブラックマトリクス1021の第1のウィンドウ1022内に発光層が形成され、当該発光層は超格子量子井戸層201及び量子ドット層を含む。発光層の側面がブラックマトリクス1021に包まれ、発光層のシールに有利し、発光ダイオードのシール性能を向上させる。当該発光層の発光特性から分かるように、発光層の発光色は超格子量子井戸層201及び量子ドット層によって共同で決定される。例示的には、超格子量子井戸層201は青色光を発光し、量子ドット層は赤色光及び緑色光のうちの少なくとも1つの種類を発光する。超格子量子井戸層201は青色光を発光し、量子ドット層は混合された赤色の量子ドット及び緑色の量子ドットを含む場合、発光層は白色光を発光する。
Claims (18)
- 第1型の窒化ガリウムを含む第1型の層と、前記第1型の層の上に位置し、量子ドットを含む発光層と、前記発光層の上に位置し、第2型の窒化ガリウムを含む第2型の層と、前記第2型の層の上に位置する電極層と、前記第1型の層と前記第2型の層との間に位置し、前記発光層を収容する第1のウィンドウを含むブラックマトリクスと、前記電極層の上面、前記電極層の側面及び前記第2型の層の側面を被覆する絶縁層とを含む、発光ダイオード。
- 前記第2型の層の厚さの範囲は、20nm~300nmである、請求項1に記載の発光ダイオード。
- 前記発光層は、単層量子ドット層を含む、請求項1に記載の発光ダイオード。
- 前記単層量子ドット層は、赤色光、緑色光及び青色光のうちの少なくとも1つの種類を発光する、請求項3に記載の発光ダイオード。
- 前記発光層は、超格子量子井戸層及び量子ドット層の複合構造を含む、請求項1に記載の発光ダイオード。
- 前記超格子量子井戸層は、青色光を発光し、前記量子ドット層は、赤色光及び緑色光のうちの少なくとも1つの種類を発光する、請求項5に記載の発光ダイオード。
- 前記量子ドット層の厚さの範囲は、2nm~20μmである、請求項3又は5に記載の発光ダイオード。
- 前記電極層は、酸化インジウムスズITOを含む、請求項1に記載の発光ダイオード。
- 前記絶縁層は、第2のウィンドウを含み、前記ブラックマトリクスは、第3のウィンドウを含み、前記発光ダイオードは、前記第2のウィンドウ内に位置する第1の電極と、前記第3のウィンドウ内に位置する第2の電極とをさらに含む、請求項8に記載の発光ダイオード。
- 第1型の窒化ガリウムを含む第1型の層を含むか、又は基板及び前記第1型の層を含む、第1型のベース板を提供することと、前記第1型のベース板の第1型の層の上に量子ドットを含む発光層を形成することと、前記発光層の上に第2型の窒化ガリウムを含む第2型の層を形成することと、前記第2型の層の上に電極層を形成することとを含み、
前記第1型のベース板の第1型の層の上に発光層を形成する前に、前記第1型のベース板の上にブラックマトリクスを形成することをさらに含み、前記ブラックマトリクスは、間隔を置いて配置された複数の第1のウィンドウを含み、前記発光層は、前記第1のウィンドウ内に形成され、
前記電極層を前記第2型の層の上に形成した後に、絶縁層を前記電極層の上に形成して、前記電極層の上面、前記電極層の側面及び前記第2型の層の側面を被覆する絶縁層を形成することをさらに含む、発光ダイオードの製造方法。 - 前記発光層は、単層量子ドット層を含み、前記第1型のベース板の第1型の層の上に発光層を形成するプロセスは、スピンコートプロセス、印刷プロセス、転写プロセス又は物理気相堆積プロセスによって前記単層量子ドット層を前記第1型の層の上に形成することを含む、請求項10に記載の発光ダイオードの製造方法。
- 前記発光層は、超格子量子井戸層及び量子ドット層の複合構造を含み、前記第1型のベース板の第1型の層の上に発光層を形成するプロセスは、金属有機化合物化学気相堆積MOCVDプロセスによって、前記超格子量子井戸層を前記第1型の層の上に形成することと、スピンコートプロセス、印刷プロセス、転写プロセス又は物理気相堆積プロセスによって前記量子ドット層を前記超格子量子井戸層に形成することとを含む、請求項10に記載の発光ダイオードの製造方法。
- 前記スピンコートプロセス、印刷プロセス、転写プロセス又は物理気相堆積プロセスの実行回数は少なくとも1回である、請求項11又は12に記載の発光ダイオードの製造方法。
- 前記第1型のベース板の上にブラックマトリクスを形成するプロセスは、プラズマ増強化学気相堆積PECVDプロセスによって、二酸化ケイ素又は窒化ケイ素を含む材料を前記第1型のベース板の上に形成し、ブラックマトリクス材料層を形成することと、フォトリソグラフィプロセスによって前記ブラックマトリクス材料層をエッチングし、間隔を置いて配置された複数の第1のウィンドウを形成することにより、前記ブラックマトリクスを形成することとを含むか、又は、スパッタリングプロセス又は蒸着プロセスによって単層Cr、Cr及びCrO x からなる多層構造、CrO x N y 及びCrN y からなる多層構造又はSiとSiO x からなる多層構造を含む材料を前記第1型のベース板の上に形成し、ブラックマトリクス材料層を形成することと、フォトリソグラフィプロセスによって前記ブラックマトリクス材料層をエッチングし、間隔を置いて配置された複数の第1のウィンドウを形成することにより、ブラックマトリクスを形成することとを含むか、又は、スピンコートプロセス又はスプレーコートプロセスによって黒色樹脂を含む材料を前記第1型のベース板の上に形成し、ブラックマトリクス材料層を形成することと、フォトリソグラフィプロセスによって前記ブラックマトリクス材料層をエッチングし、間隔を置いて配置された複数の第1のウィンドウを形成することにより、ブラックマトリクスを形成することとを含む、請求項10に記載の発光ダイオードの製造方法。
- 前記発光層の上に第2型の層を形成するプロセスは、プラズマ支援の分子線エピタキシーPAMBE、減圧化学気相堆積RPCVD、原子層堆積ALD、プラズマ増強原子層堆積PEALD、レーザ分子線エピタキシーLaser MBE、プラズマ増強金属有機化学気相堆積PEMOCVD、電子サイクロトロン共鳴-プラズマ増強金属有機化学気相堆積ECR-PEMOCVD、又はパルスレーザ堆積PLDを含む、請求項10に記載の発光ダイオードの製造方法。
- 前記電極層は、酸化インジウムスズITOを含み、前記第2型の層の上に電極層を形成するプロセスは、マグネトロンスパッタリングプロセスを含む、請求項10に記載の発光ダイオードの製造方法。
- 前記第2型の層の上に電極層を形成した後、前記絶縁層の前記電極層に対応する位置にウィンドウを開設し、第2のウィンドウを形成し、前記ブラックマトリクスの第1型の層に対応する位置にウィンドウを開設し、第3のウィンドウを形成することと、前記第2のウィンドウ内に第1の電極を形成し、かつ前記第3のウィンドウ内に第2の電極を形成し、発光ダイオードアレイマザーボードを形成することとをさらに含む、請求項10に記載の発光ダイオードの製造方法。
- 前記第2のウィンドウ内に第1の電極を形成し、かつ前記第3のウィンドウ内に第2の電極を形成した後、第1型の層を薄くするか又は前記第1型のベース板における基板を除去し、前記発光ダイオードアレイマザーボードを切断し、独立した発光ダイオードを形成することをさらに含む、請求項17に記載の発光ダイオードの製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/CN2020/077588 WO2021174412A1 (zh) | 2020-03-03 | 2020-03-03 | 发光二极管及其制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022528154A JP2022528154A (ja) | 2022-06-08 |
JP7296481B2 true JP7296481B2 (ja) | 2023-06-22 |
Family
ID=77318827
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021559496A Active JP7296481B2 (ja) | 2020-03-03 | 2020-03-03 | 発光ダイオード及びその製造方法 |
JP2021560150A Active JP7296482B2 (ja) | 2020-03-03 | 2020-06-10 | 発光ダイオード及びその製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021560150A Active JP7296482B2 (ja) | 2020-03-03 | 2020-06-10 | 発光ダイオード及びその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20220399397A1 (ja) |
EP (2) | EP3923351A4 (ja) |
JP (2) | JP7296481B2 (ja) |
CN (2) | CN113302754A (ja) |
WO (2) | WO2021174412A1 (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060163560A1 (en) | 2002-12-10 | 2006-07-27 | Sung-Chul Choi | Led and fabrication method thereof |
JP2011139066A (ja) | 2009-12-29 | 2011-07-14 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子、発光素子パッケージおよび照明システム |
JP2011211228A (ja) | 2011-06-21 | 2011-10-20 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 半導体発光素子 |
CN104934460A (zh) | 2014-03-18 | 2015-09-23 | 联想(北京)有限公司 | 一种发光器件及其对应设备、制备方法 |
CN209947852U (zh) | 2019-05-24 | 2020-01-14 | 华南理工大学 | 基于Tamm等离激元的氮化物绿光器件 |
Family Cites Families (46)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB9913950D0 (en) * | 1999-06-15 | 1999-08-18 | Arima Optoelectronics Corp | Unipolar light emitting devices based on iii-nitride semiconductor superlattices |
CN1414644A (zh) * | 2001-10-26 | 2003-04-30 | 中国科学院半导体研究所 | 一种单/多层异质量子点结构的制作方法 |
CN1601764A (zh) * | 2003-09-24 | 2005-03-30 | 厦门三安电子有限公司 | 一种半导体发光二极管 |
CN1612365A (zh) * | 2003-10-30 | 2005-05-04 | 新世纪光电股份有限公司 | 具有宽频谱的氮化铝铟镓发光二极管及固态白光器件 |
WO2005094271A2 (en) * | 2004-03-25 | 2005-10-13 | The Regents Of The University Of California | Colloidal quantum dot light emitting diodes |
TWI243489B (en) * | 2004-04-14 | 2005-11-11 | Genesis Photonics Inc | Single chip light emitting diode with red, blue and green three wavelength light emitting spectra |
JP2007123731A (ja) | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Toshiba Corp | 半導体発光素子および半導体発光装置 |
JP2008060132A (ja) * | 2006-08-29 | 2008-03-13 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子およびその製造方法 |
US7723719B2 (en) * | 2007-12-14 | 2010-05-25 | Palo Alto Research Center Incorporated | Light emitting devices with inhomogeneous quantum well active regions |
WO2009110806A1 (en) * | 2008-03-07 | 2009-09-11 | Auckland Uniservices Limited | Optoelectronic light emitting structure |
US20100065811A1 (en) * | 2008-09-18 | 2010-03-18 | Mathieu Xavier Senes | SINGLE PHOTON SOURCE WITH AllnN CURRENT INJECTION LAYER |
TWI446571B (zh) * | 2008-10-14 | 2014-07-21 | Ind Tech Res Inst | 發光二極體晶片及其製作方法 |
CN101825802B (zh) * | 2009-03-06 | 2011-12-28 | 北京京东方光电科技有限公司 | 彩膜基板及其制造方法 |
CN101859817A (zh) * | 2009-04-07 | 2010-10-13 | 山东璨圆光电科技有限公司 | 氮化镓系发光二极管的制造方法 |
KR100974777B1 (ko) | 2009-12-11 | 2010-08-06 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
KR101283368B1 (ko) * | 2010-04-05 | 2013-07-15 | 전북대학교산학협력단 | 양자점을 이용한 형광공명에너지전달-기반 발광 다이오드 |
KR101047739B1 (ko) * | 2010-04-28 | 2011-07-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템 |
KR101700792B1 (ko) * | 2010-10-29 | 2017-01-31 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
CN102231422A (zh) * | 2011-06-16 | 2011-11-02 | 清华大学 | 一种无荧光粉单芯片GaN基发光二极管及其制备方法 |
CN102916097B (zh) * | 2011-08-01 | 2017-08-18 | 潘才法 | 一种电致发光器件 |
CN102583228B (zh) * | 2012-03-14 | 2015-05-20 | 贵州大学 | 利用可控脉冲激光加工纳米结构的方法及装置 |
KR102087935B1 (ko) | 2012-12-27 | 2020-03-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
CN103346154B (zh) * | 2013-05-27 | 2016-03-23 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种量子点发光二极管及其制备方法、显示器件 |
CN203250777U (zh) * | 2013-05-27 | 2013-10-23 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种量子点发光二极管及显示器件 |
KR102194805B1 (ko) | 2013-07-22 | 2020-12-28 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
CN103427049B (zh) * | 2013-08-21 | 2014-12-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 量子点发光元件的制造方法及量子点显示设备 |
WO2015138635A1 (en) * | 2014-03-11 | 2015-09-17 | Terahertz Device Corporation | Front-side emitting mid-infrared light emitting diode fabrication |
KR102197082B1 (ko) | 2014-06-16 | 2020-12-31 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지 |
CN104465929B (zh) * | 2014-11-07 | 2017-09-12 | 中山大学 | 内嵌有源层的三族氮化物微纳发光器件及制备方法 |
KR102251237B1 (ko) * | 2015-01-12 | 2021-05-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
CN105047771B (zh) * | 2015-07-10 | 2018-04-06 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种氮化物发光二极管 |
CN106449913A (zh) * | 2016-10-20 | 2017-02-22 | 浙江大学 | 石墨烯/银量子点/氮化镓双向发光二极管及其制备方法 |
US10700121B2 (en) * | 2017-02-13 | 2020-06-30 | Sct Ltd. | Integrated multilayer monolithic assembly LED displays and method of making thereof |
CN106707607A (zh) * | 2017-03-20 | 2017-05-24 | 青岛海信电器股份有限公司 | 一种量子点彩色滤光片及其制造方法、显示装置 |
CN108878618B (zh) * | 2017-05-11 | 2020-03-24 | Tcl集团股份有限公司 | 一种qled器件及其制备方法 |
CN109001936A (zh) * | 2017-06-06 | 2018-12-14 | 群创光电股份有限公司 | 光源模块及显示设备 |
JP2020529729A (ja) | 2017-07-31 | 2020-10-08 | イエール ユニバーシティ | ナノポーラスマイクロledデバイスおよび製造方法 |
CN107591431A (zh) * | 2017-09-15 | 2018-01-16 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种彩膜基板及显示设备 |
US11302883B2 (en) | 2017-10-13 | 2022-04-12 | 10644137 Canada Inc. | Multiple-layer quantum-dot LED and method of fabricating same |
CN107861181A (zh) * | 2017-12-04 | 2018-03-30 | 福州大学 | 一种量子点彩色滤光片及其制作方法 |
CN109004078B (zh) * | 2018-07-27 | 2020-08-25 | 上海天马微电子有限公司 | 微型led显示面板及其制作方法和显示装置 |
CN110823845B (zh) * | 2018-08-08 | 2021-05-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 光谱仪及其制作方法 |
CN109599467B (zh) * | 2018-12-01 | 2020-09-29 | 王星河 | 一种半导体发光元件 |
CN110211491B (zh) * | 2019-06-05 | 2021-05-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种彩膜基板、显示面板及显示面板的制备方法 |
CN110471569B (zh) * | 2019-08-16 | 2023-11-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 基板及其制备方法、显示装置 |
CN110441956A (zh) * | 2019-08-20 | 2019-11-12 | 苏州星烁纳米科技有限公司 | 量子点彩膜及显示装置 |
-
2020
- 2020-03-03 US US17/442,278 patent/US20220399397A1/en active Pending
- 2020-03-03 CN CN202080009048.2A patent/CN113302754A/zh active Pending
- 2020-03-03 EP EP20922487.2A patent/EP3923351A4/en active Pending
- 2020-03-03 WO PCT/CN2020/077588 patent/WO2021174412A1/zh unknown
- 2020-03-03 JP JP2021559496A patent/JP7296481B2/ja active Active
- 2020-06-10 WO PCT/CN2020/095308 patent/WO2021174716A1/zh unknown
- 2020-06-10 EP EP20922485.6A patent/EP3923350A4/en active Pending
- 2020-06-10 JP JP2021560150A patent/JP7296482B2/ja active Active
- 2020-06-10 US US17/441,123 patent/US20220406964A1/en active Pending
- 2020-06-10 CN CN202080007265.8A patent/CN113614933A/zh active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060163560A1 (en) | 2002-12-10 | 2006-07-27 | Sung-Chul Choi | Led and fabrication method thereof |
JP2011139066A (ja) | 2009-12-29 | 2011-07-14 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子、発光素子パッケージおよび照明システム |
JP2011211228A (ja) | 2011-06-21 | 2011-10-20 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 半導体発光素子 |
CN104934460A (zh) | 2014-03-18 | 2015-09-23 | 联想(北京)有限公司 | 一种发光器件及其对应设备、制备方法 |
CN209947852U (zh) | 2019-05-24 | 2020-01-14 | 华南理工大学 | 基于Tamm等离激元的氮化物绿光器件 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20220406964A1 (en) | 2022-12-22 |
EP3923350A4 (en) | 2022-12-28 |
WO2021174716A1 (zh) | 2021-09-10 |
JP2022528154A (ja) | 2022-06-08 |
WO2021174412A1 (zh) | 2021-09-10 |
JP7296482B2 (ja) | 2023-06-22 |
EP3923350A1 (en) | 2021-12-15 |
EP3923351A1 (en) | 2021-12-15 |
JP2022527622A (ja) | 2022-06-02 |
CN113302754A (zh) | 2021-08-24 |
CN113614933A (zh) | 2021-11-05 |
US20220399397A1 (en) | 2022-12-15 |
EP3923351A4 (en) | 2023-01-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN109791939B (zh) | 微发光二极管显示面板、微发光二极管显示装置和制造微发光二极管显示面板的方法 | |
US20080164807A1 (en) | Component Based on Organic Light-Emitting Diodes and Method For Producing the Same | |
WO2020181941A1 (zh) | 背光源及制备方法、背光模组以及显示装置 | |
CN110911537B (zh) | 共阴极led芯片及其制作方法 | |
EP3989283B1 (en) | Substrate for manufacturing display device and method for manufacturing display device | |
CN110444562A (zh) | 一种显示面板及显示装置 | |
CN116848648A (zh) | 发光二极管器件 | |
CN114256391A (zh) | 显示基板的制作方法、显示基板及显示装置 | |
CN114792750A (zh) | 全彩化Micro-LED倒装芯片结构及其制备方法 | |
JP7296481B2 (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法 | |
US20220359257A1 (en) | Substrate for manufacturing display device and method for manufacturing display device | |
CN113035899B (zh) | 一种微led显示面板及其制备方法 | |
CN215815879U (zh) | Led芯片结构、显示模组及电子设备 | |
CN113594198B (zh) | 微发光二极管显示器件及其制作方法 | |
CN216288506U (zh) | 白光器件及显示设备 | |
CN114005911B (zh) | 一种显示器件及其制备方法 | |
CN112909136A (zh) | 发光二极管、显示面板、显示装置及制备方法 | |
CN111863871A (zh) | 一种显示面板及其制备方法 | |
CN216749934U (zh) | 发光二极管芯片及显示装置 | |
TWI708104B (zh) | 顯示陣列 | |
CN114420720B (zh) | 一种MicroLED显示面板制作方法及显示面板 | |
US20230317669A1 (en) | Display device using semiconductor light-emitting element, and method for manufacturing same | |
CN105453297B (zh) | 层压体及其制造方法 | |
TW202121676A (zh) | Led陣列及形成led陣列之方法 | |
CN116053362A (zh) | 弱化结构的制作方法、微发光二极管显示器的制作方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210922 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220928 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221012 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230112 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230201 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230421 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230524 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230612 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7296481 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |