TWI678804B - 顯示裝置 - Google Patents

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TWI678804B
TWI678804B TW108105675A TW108105675A TWI678804B TW I678804 B TWI678804 B TW I678804B TW 108105675 A TW108105675 A TW 108105675A TW 108105675 A TW108105675 A TW 108105675A TW I678804 B TWI678804 B TW I678804B
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林佑星
Yu Hsing Lin
陳憲泓
Hsien Hung Chen
宋怡樺
Yi Hwa Song
施立偉
Li Wei Shih
林凱晨
Kai Chen Lin
吳忠幟
Chung Chih Wu
Original Assignee
友達光電股份有限公司
Au Optronics Corporation
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
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  • Optics & Photonics (AREA)
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Abstract

一種顯示裝置,包含發光元件陣列以及設置在發光元件陣列上方的多層膜。發光元件陣列可提供光束,且光束之強度與波長之間的關係於波長頻譜上具有第一、第二以及第三峰值。多層膜之光穿透率與波長之間的關係於波長頻譜上具有第一、第二以及第三波峰。第一峰值與第一波峰相對應,且第一峰值之半高寬小於與第一波峰相鄰之一對波谷之間的距離。第二峰值與第二波峰相對應,且第二峰值之半高寬小於與第二波峰相鄰之一對波谷之間的距離。第三峰值與第三波峰相對應,且第三峰值之半高寬小於與第三波峰相鄰之一對波谷之間的距離。

Description

顯示裝置
本揭露內容是關於一種顯示裝置。
於家用電器設備的各式電子產品之中,顯示裝置已經被廣泛地使用來輸出影像或是操作選單。在顯示裝置的發展中,可分為液晶型顯示裝置或是發光二極體型顯示裝置。
對於發光二極體型顯示裝置而言,其可因使用了發光二極體做為光源而具有許多優點,像是省略背光源以及降低能量消耗等,也因此,相關產品的發展性也備受看好。然而,當發光二極體受到較高能量的光照時,像是紫光或紫外光,發光二極體將可能因此變質,使得其發光表現或是其他性質會產生劣化。也就是說,外部光照對發光二極體型顯示裝置的影響將會是潛在問題,而如何能有效解决上述問題,亦成為當前相關領域極需改進的目標。
本揭露內容之一實施方式提供一種顯示裝置,包含發光元件陣列以及多層膜。發光元件陣列用以提供光束,其中光束之強度與波長之間的關係於波長頻譜上至少具有第一 峰值、第二峰值以及第三峰值。多層膜設置在發光元件陣列上方,其中多層膜之光穿透率與波長之間的關係於波長頻譜上至少具有第一波峰、第二波峰以及第三波峰。第一峰值與第一波峰相對應,且第一峰值之半高寬小於與第一波峰相鄰之一對波谷之間的距離。第二峰值與第二波峰相對應,且第二峰值之半高寬小於與第二波峰相鄰之一對波谷之間的距離。第三峰值與第三波峰相對應,且第三峰值之半高寬小於與第三波峰相鄰之一對波谷之間的距離。
於部分實施方式中,第一峰值對應至波長λ,且多層膜包含依序層疊的保護層,其中保護層各自的厚度d與折射率n之乘積值的總和為數值t,且數值t滿足:(X+0.15)*(λ)*(1/2)>t>(X-0.15)*(λ)*(1/2),其中X為正整數。
於部分實施方式中,在波長頻譜之中,多層膜在波長小於420奈米的光穿透率為不超過10%。
於部分實施方式中,第一峰值落在第一波峰正負8奈米的範圍內,第二峰值落在第二波峰正負8奈米的範圍內,第三峰值落在第三波峰正負8奈米的範圍內。
於部分實施方式中,多層膜包含第一保護層以及第二保護層,第一保護層與第二保護層為交互地層疊,其中第一保護層各自的第一折射率大於第二保護層各自的第二折射率。
於部分實施方式中,第一折射率介於2至3之間。
於部分實施方式中,第二折射率介於1.3至1.6之 間。
於部分實施方式中,第一折射率與第二折射率的差值大於等於0.7。
於部分實施方式中,第一保護層各自包含鈦氧化物、鋅氧化物或其組合,第二保護層各自包含矽氧化物。
於部分實施方式中,第一保護層各自的厚度介於25奈米至45奈米之間,第二保護層各自的厚度介於60奈米至70奈米之間。
於部分實施方式中,發光元件陣列包含第一有機發光件、第二有機發光件以及第三有機發光件,其中第一有機發光件提供第一色光,且第一色光於波長頻譜的最大光強度處為第一峰值,第二有機發光件提供第二色光,且第二色光於波長頻譜的最大光強度處為第二峰值,第三有機發光件提供第三色光,且第三色光於波長頻譜的最大光強度處為第三峰值。
透過上述配置,來自顯示裝置上方的光照會先經穿過多層膜,才抵達至發光元件陣列,其中由於多層膜可用以抵禦紫外光或微紫外光,故多層膜可防止發光元件陣列中的有機發光件因受到紫外光或微紫外光照射而致使劣化。而由於發光元件陣列的發光頻譜的峰值可分別與多層膜的光穿透頻譜的波峰相匹配,故光穿透頻譜的光穿透百分比可與發光頻譜中的相對發光強度呈正相關,從而降低多重膜對顯示裝置的出光效率造成的影響。
100A、100B、100C‧‧‧顯示裝置
102‧‧‧基板
104‧‧‧支撐物
106‧‧‧容置空間
110‧‧‧發光元件陣列
112‧‧‧第一有機發光件
114‧‧‧第二有機發光件
116‧‧‧第三有機發光件
120‧‧‧蓋板
130‧‧‧多層膜
132、132A、132B‧‧‧第一保護層
134、134A、134B‧‧‧第二保護層
136、136A、136B‧‧‧第三保護層
138、138A、138B‧‧‧第四保護層
1‧‧‧第一層
2‧‧‧第二層
9‧‧‧第九層
C1、C2、C3‧‧‧曲線
L1‧‧‧第一距離
L2‧‧‧第二距離
L3‧‧‧第三距離
L4‧‧‧第四距離
L5‧‧‧第五距離
L6‧‧‧第六距離
N‧‧‧第N層
P1‧‧‧第一峰值
P2‧‧‧第二峰值
P3‧‧‧第三峰值
T1、T2、T3、T4‧‧‧厚度
WC1‧‧‧第一波峰
WC2‧‧‧第二波峰
WC3‧‧‧第三波峰
WT1‧‧‧第一波谷
WT2‧‧‧第二波谷
WT3‧‧‧第三波谷
WT4‧‧‧第四波谷
第1A圖為依據本揭露內容的第一實施方式繪示顯示裝置的側視示意圖。
第1B圖繪示配置在第1A圖的蓋板上的多層膜的放大示意圖。
第1C圖為將發光元件陣列所提供的光束之強度與波長之間的關係以及將多層膜之光穿透率與波長之間的關係繪示在同一波長尺度上的波長頻譜。
第2A圖為依據本揭露內容的第二實施方式繪示顯示裝置的放大示意圖。
第2B圖為將發光元件陣列所提供的光束之強度與波長之間的關係以及將多層膜之光穿透率與波長之間的關係繪示在同一波長尺度上的波長頻譜。
第3圖為依據本揭露內容的第三實施方式繪示顯示裝置的側視示意圖。
以下將以圖式揭露本揭露內容之複數個實施方式,為明確說明起見,許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而,應瞭解到,這些實務上的細節不應用以限制本揭露內容。也就是說,在本揭露內容部分實施方式中,這些實務上的細節是非必要的。此外,為簡化圖式起見,一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。
在本文中,使用第一、第二與第三等等之詞彙, 是用於描述各種元件、組件、區域、層是可以被理解的。但是這些元件、組件、區域、層不應該被這些術語所限制。這些詞彙只限於用來辨別單一元件、組件、區域、層。因此,在下文中的一第一元件、組件、區域、層也可被稱為第二元件、組件、區域、層,而不脫離本揭露內容的本意。
本文使用的「約」或「實質上」包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值,考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量(即,測量系統的限制)。例如,「約」或「實質上」可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內,或±30%、±20%、±10%、±5%內。
本揭露內容的顯示裝置包含發光元件陣列及多層膜,多層膜可用以抵禦紫外光或微紫外光,以防止發光元件陣列中的有機發光件劣化,其中多層膜的光穿透頻譜與發光元件陣列的發光頻譜可相匹配,以使光穿透頻譜的光穿透百分比可與發光頻譜中的相對發光強度呈正相關,從而降低多重膜對顯示裝置的出光效率造成的影響。
請參照第1A圖及第1B圖,第1A圖為依據本揭露內容的第一實施方式繪示顯示裝置100A的側視示意圖,而第1B圖繪示配置在第1A圖的蓋板120上的多層膜130的放大示意圖。顯示裝置100A包含基板102、支撐物104、發光元件陣列110、蓋板120以及多層膜130。
支撐物104及蓋板120設置在基板102上,並可共同形成用來放置發光元件陣列110的容置空間106。具體來 說,支撐物104可以是框體結構,其可包含玻璃、陶瓷或是其他具有足夠支撐強度的材料。支撐物104可接觸在蓋板120的下表面。蓋板120可以是透光基板,例如像是玻璃基板。
發光元件陣列110設置在基板102上,並位在容置空間106內,即發光元件陣列110會位在基板102與蓋板120之間。發光元件陣列110可包含第一有機發光件112、第二有機發光件114以及第三有機發光件116。為了不使圖式過於複雜,第1A圖的發光元件陣列110係繪示為由三個有機發光件排列而成,然而本揭露內容不以此為限,發光元件陣列110也可以是由超過三個有機發光件排列而成。
第一有機發光件112可透過其內的有機發光層而提供第一色光。第二有機發光件114可透過其內的有機發光層而提供第二色光。第三有機發光件116可透過其內的有機發光層而提供第三色光。第一色光、第二色光及第三色光彼此的性質相異,例如第一色光、第二色光及第三色光分別可以是藍色色光、綠色色光及紅色色光,並其各自的峰值分別位在不同的波長區間。發光元件陣列110可用以透過其中的不同有機發光件來提供光束,具體來說,發光元件陣列110可提供藍色色光、綠色色光、紅色色光或其混合而成的色光,並藉此使顯示裝置100A能提供影像。
發光元件陣列110中的有機發光件的發光狀態可由基板102驅動及控制。舉例來說,於部分實施方式中,基板102可以是陣列基板,其包含了薄膜電晶體陣列,且薄膜電晶體陣列中的每一個薄膜電晶體係電性連接至不同的有機發光 件,以可獨立地切換發光元件陣列110中的有機發光件各自的開關狀態,例如使第一有機發光件112、第二有機發光件114以及第三有機發光件116同時發光,或是第一有機發光件112、第二有機發光件114同時發光而第三有機發光件116不發光。本揭露內容不以此為限,於其他實施方式中,基板102也可以是透過其他類型的驅動元件或驅動電路來對發光元件陣列110中的有機發光件定址。
於部分實施方式中,發光元件陣列110也可包含其他電致發光元件或光致發光元件,例如像是無機發光二極體或量子點發光體,且這些發光元件也可排列成為陣列。此外,於其他實施方式中,發光元件陣列110也可置換為顯示介質層(例如液晶層)以及彩色濾光層,且基板102更包含畫素電極及背光模組,以使顯示裝置100A可透過顯示介質層的旋光性以及彩色濾光層的色阻層來提供影像。
多層膜130設置在發光元件陣列110上方,以使來自顯示裝置100A上方的光照會先經穿過多層膜130,才會抵達至發光元件陣列110。具體來說,多層膜130可貼附在蓋板120的上表面。多層膜130可用以提供抗紫外光(ultraviolet;UV)及抗微紫外光(high energy blue/violet visible light;HEV)的效果,從而保護發光元件陣列110內的有機發光件,以降低紫外光或微紫外光對有機發光件的影響,從而達到防止有機發光件因受光照而劣化。以下將對多層膜130的結構及相關性質提供進一步的說明。
多層膜130包含多個第一保護層132以及多個第 二保護層134,第一保護層132與第二保護層134為交互地依序自蓋板120的上表面向上層疊,例如自蓋板120的上表面層疊的層體依序為第一保護層132A、第二保護層134A、第一保護層132B及第二保護層134B。每一個第一保護層132可與堆疊於其上的第二保護層134成為一對保護結構,例如第一保護層132A與第二保護層134A可成為一對保護結構,而第一保護層132B與第二保護層134B可成為另一對保護結構。
第1B圖中,符號「1」、「2」及「N」為表示保護結構的序數,當多層膜130的第一保護層132的數量以及第二保護層134的數量各自為N個時,「1」表示第一保護層132A與第二保護層134A為形成第一對保護結構;「2」表示第一保護層132B與第二保護層134B為形成第二對保護結構;而「N」則是表示位在最上方的第一保護層132與第二保護層134為形成第N對保護結構。更具體而言,例如多層膜130的第一保護層132的數量以及第二保護層134的數量各自為九個時,第一保護層132及第二保護層134共可形成九對保護結構,此時第1B圖的「N」即為9,以表示多層膜130是透過九對保護結構形成。
第一保護層132各自可具有第一折射率,第二保護層134各自可具有第二折射率,且第一折射率大於第二折射率。舉例來說,第一折射率可介於2至3之間,而第二折射率可介於1.3至1.6之間。第一保護層132及第二保護層134各自的厚度等級可小於可見光等級,例如小於100奈米。具體來說,第一保護層132各自的厚度T1可介於25奈米至45奈米之間,而 第二保護層134各自的厚度T2可介於60奈米至70奈米之間。對於如此厚度的層體而言,其在光學角度上可稱為薄膜或是光學薄膜。例如,第一保護層132A相對第二保護層134A可稱高折射率薄膜,而第二保護層134A相對第一保護層132A則可稱低折射率薄膜,並因此多層膜130的第一對保護結構係為由一對高折射率薄膜與低折射率薄膜所形成。
藉由此將高折射率薄膜與低折射率薄膜交互堆疊的配置,可實現薄膜干涉,從而使多層膜130具有抗紫外光及抗微紫外光的效果。於部分實施方式中,第一保護層132的第一折射率與第二保護層134的第二折射率的差值可大於等於0.7,且小於等於1.7,從而利於提升抗紫外光及抗微紫外光的效果。
具有上述物理性質之第一保護層132及第二保護層134可透過氧化物實現,例如第一保護層132各自可包含鈦氧化物(TiO2)、鋅氧化物(ZnO)或其組合,並形成為鈦氧化層、鋅氧化層或其組合,第二保護層134各自可包含矽氧化物(SiOx),並形成為矽氧化層。此外,可透過調整第一保護層132及第二保護層134的物理性質來使多層膜130的光穿透率與發光元件陣列110所提供的光束之強度能相匹配,以避免多層膜130因被調製為具有抗紫外光及抗微紫外光的效果而影響到顯示裝置100A的出光效率。以下將對「使多層膜130的光穿透率與發光元件陣列110所提供的光束之強度能相匹配」做進一步的說明。
請看到第1C圖,第1C圖為將發光元件陣列所提 供的光束之強度與波長之間的關係以及將多層膜之光穿透率與波長之間的關係繪示在同一波長尺度上的波長頻譜。本揭露內容中,「繪示在同一波長尺度上」意思為,將發光元件陣列(例如第1A圖的發光元件陣列110)的發光頻譜與多層膜(例如第1A圖的多層膜130)的光穿透頻譜繪示在同一波長頻譜內,以便於單一波長頻譜內即可讀出「多層膜之光穿透率」以及「發光元件陣列所提供的光束之強度」對應到相同波長數值時的相對關係。
第1C圖中,橫軸為波長,單位為奈米;左縱軸為多層膜之光穿透率,單位為百分比;右縱軸為發光元件陣列所提供的光束之強度,單位為任意單位(arb.unit),像是相對光強度。
發光元件陣列所提供的光束之強度與波長之間的關係(即發光元件陣列的發光頻譜)以曲線C1表示,其中光束是由藍色色光、綠色色光及紅色色光混合而成。於波長頻譜上,曲線C1至少具有第一峰值P1、第二峰值P2以及第三峰值P3。第一峰值P1、第二峰值P2以及第三峰值P3對應的波長數值為由小至大,例如第一峰值P1、第二峰值P2以及第三峰值P3可分別落在藍光區間(例如位在波長420奈米處與波長480奈米處之間)、綠光區間(例如位在波長480奈米處與波長580奈米處之間)以及紅光區間(例如位在波長580奈米處與波長680奈米處之間)。
具體來說,發光元件陣列的發光頻譜可以是由第一有機發光件(例如第1A圖的第一有機發光件112)、第二有機 發光件(例如第1A圖的第二有機發光件114)以及第三有機發光件(例如第1A圖的第三有機發光件116)所分別提供的第一色光、第二色光、第三色光來產生,其中第一色光於波長頻譜的最大光強度處為第一峰值P1;第二色光於波長頻譜的最大光強度處為第二峰值P2;以及第三色光於波長頻譜的最大光強度處為第三峰值P3。
多層膜之光穿透率與波長之間的關係(即多層膜的光穿透頻譜)以曲線C2表示,其中第1C圖所選用的多層膜可以是透過以下參數形成:由九層第一保護層(例如第1B圖的第一保護層132)以及九層第二保護層(例如第1B圖的第二保護層134)交互地層疊形成,且最底層為第一保護層;第一保護層各自的材料為鋅氧化物,即第一保護層各自為鋅氧化層;第一保護層各自的厚度實質上為40奈米;第二保護層各自的材料為矽氧化物,即第二保護層各自為矽氧化層;第二保護層各自的厚度實質上為60奈米。
於波長頻譜上,曲線C2至少具有第一波峰WC1、第二波峰WC2以及第三波峰WC3,其中第一波峰WC1、第二波峰WC2以及第三波峰WC3對應的波長區間為由小至大,例如第一波峰WC1、第二波峰WC2以及第三波峰WC3在波長頻譜上會是由左至右地依序出現。具體來說,自波長頻譜的第一波谷WT1起,由左至右的波谷與波峰分別是第一波谷WT1、第一波峰WC1、第二波谷WT2、第二波峰WC2、第三波谷WT3、第三波峰WC3以及第四波谷WT4。此外,在曲線C2之中,多層膜在波長小於420奈米的光穿透率為介於0%至10%, 即不超過10%,使得多層膜可因此光學表現而實現前述抗紫外光及抗微紫外光的效果。
第一峰值P1與第一波峰WC1相對應,在此,「第一峰值P1與第一波峰WC1相對應」指的是第一峰值P1與第一波峰WC1可因落在相同波長區間內,而對相同顏色的色光有較強的光學表現。舉例來說,第一峰值P1與第一波峰WC1可因皆落在波長頻譜的藍光區間內,而使得第一峰值P1表示「發光元件陣列在藍光區間有較強的發光強度」,且第一波峰WC1表示「多層膜在藍光區間有較強的光穿透率」,因此為呈現「相對應」。於部分實施方式中,第一峰值P1可落在第一波峰WC1正負8奈米的範圍內。此外,第一峰值P1之半高寬會小於與第一波峰WC1相鄰之一對波谷之間的距離,例如第一峰值P1之半高寬會小於第一波谷WT1與第二波谷WT2之間的第一距離L1。透過將多層膜之光穿透率於藍光區間調製成上述配置,即可使多層膜對藍光的光穿透率與發光元件陣列所提供的藍光強度相匹配,即多層膜對藍光的光穿透率與發光元件陣列所提供的藍光強度可呈正相關,從而降低多重膜對顯示裝置的藍光出光效率造成的影響。
第二峰值P2與第二波峰WC2相對應,例如第二峰值P2與第二波峰WC2可因皆落在波長頻譜的綠光區間內,而使得第二峰值P2表示「發光元件陣列在綠光區間有較強的發光強度」,且第二波峰WC2表示「多層膜在綠光區間有較強的光穿透率」,因此為呈現「相對應」。於部分實施方式中,第二峰值P2落在第二波峰WC2正負8奈米的範圍內。此外,第二 峰值P2之半高寬小於與第二波峰WC2相鄰之一對波谷之間的距離,例如第二峰值P2之半高寬會小於第二波谷WT2與第三波谷WT3之間的第二距離L2。透過上述配置,可使多層膜對綠光的光穿透率與發光元件陣列所提供的綠光強度相匹配,並也呈正相關,從而降低多重膜對顯示裝置的綠光出光效率造成的影響。
第三峰值P3與第三波峰WC3相對應,例如第三峰值P3與第三波峰WC3可因皆落在波長頻譜的紅光區間內,而使得第三峰值P3表示「發光元件陣列在紅光區間有較強的發光強度」,且第三波峰WC3表示「多層膜在紅光區間有較強的光穿透率」,因此為呈現「相對應」。於部分實施方式中,第三峰值P3落在第三波峰WC3正負8奈米的範圍內。此外,第三峰值P3之半高寬小於與第三波峰WC3相鄰之一對波谷之間的距離,例如第三峰值P3之半高寬會小於第三波谷WT3與第四波谷WT4之間的第三距離L3。透過上述配置,可使多層膜對紅光的光穿透率與發光元件陣列所提供的紅光強度相匹配且呈正相關,從而降低多重膜對顯示裝置的紅光出光效率造成的影響。
本揭露內容的多重膜的光穿透頻譜不以上述為限,於其他實施方式中,當發光元件陣列的發光頻譜有變動時,多重膜的光穿透頻譜也可以透過改變多重膜的保護層的物理參數而隨之變化。
舉例來說,在多重膜包含依序層疊的N個保護層的情況下,第一層的保護層可具有厚度d1以及折射率n1;第 二層的保護層可具有厚度d2以及折射率n2,依此類推,即第N層的保護層可具有厚度dn以及折射率nn。各層折射率/厚度可相同或相異。多重膜的光學厚度可以「數值t」表示,其中數值t實質上等於保護層各自的厚度與折射率之乘積值的總和,即實質上等於n1*d1+n2*d2+...+nn*dn。在多層膜的光學厚度調製為接近為發光元件陣列在藍光、綠光或紅光的波峰值之半波長的整數倍之情況下,即可使多重膜的光穿透頻譜可匹配發光元件陣列的發光頻譜,例如數值t實質上可滿足關係式(I):(X+0.15)*(λ)*(1/2)>t>(X-0.15)*(λ)*(1/2)...(I)
在關係式(I)中,波長λ為發光元件陣列在藍光、綠光或紅光的波峰值(即例如第1C圖的第一峰值、第二峰值或第三峰值);X為正整數。在關係式(I)中,「X+0.15」以及「X-0.15」為用來容許對數值t可以有誤差範圍。透過關係式(I),即可將多層膜的光學厚度調製為接近為發光元件陣列在藍光、綠光或紅光的波峰值之半波長的整數倍,藉以使多層膜的光穿透率與發光元件陣列所提供的光束的發光強度相匹配並呈正相關,從而降低多重膜對顯示裝置的出光效率造成的影響。
請參照第2A圖,第2A圖為依據本揭露內容的第二實施方式繪示顯示裝置100B的放大示意圖。本揭露內容與第一實施方式的至少一個差異點在於,本實施方式的多層膜130是透過不同參數形成。
具體來說,多層膜130配置蓋板120上,且多層膜130是由九層第三保護層136以及九層第四保護層138交互地 層疊在蓋板120的上表面上而形成。同樣地,第2A圖中,「1」表示第三保護層136A與第四保護層138A為形成第一對保護結構;「2」表示第三保護層136B與第四保護層138B為形成第二對保護結構;而「9」則是表示位在最上方的第三保護層136與第四保護層138為形成第九對保護結構。第三保護層136各自的材料為鈦氧化物,即第三保護層各自為鈦氧化層,且第三保護層136各自的厚度T3實質上為28奈米。第四保護層138各自的材料為矽氧化物,即第四保護層各自為矽氧化層,且第四保護層138各自的厚度T4實質上為65奈米。
請再參照第2B圖,第2B圖為將發光元件陣列所提供的光束之強度與波長之間的關係以及將多層膜之光穿透率與波長之間的關係繪示在同一波長尺度上的波長頻譜。第2B圖的波長頻譜是將第1A圖的發光元件陣列110的發光頻譜與第2A圖的多層膜的穿透頻譜繪示在同一波長尺度上,其中發光元件陣列的發光頻譜仍以曲線C1表示,而多層膜的穿透頻譜則是以曲線C3表示。亦即,第1C圖與第2B圖會因選用相同的發光元件陣列,而呈現相同的發光頻譜,故也會描繪出相同的曲線C1。然而由於本實施方式的多層膜是透過不同參數(異於第1C圖選用的多層膜)形成,故第2B圖的波長頻譜中的曲線C3會與第1C圖的波長頻譜中的曲線C2相異。同樣地,第2B圖中,橫軸為波長,單位為奈米;左縱軸為多層膜之光穿透率,單位為百分比;右縱軸為發光元件陣列所提供的光束之強度,單位為任意單位(arb.unit),像是相對光強度。
由於第1C圖與第2B圖的曲線C1相同,故第2B圖 的曲線C1也會至少具有第一峰值P1、第二峰值P2以及第三峰值P3,其中第一峰值P1、第二峰值P2以及第三峰值P3可分別落在藍光區間、綠光區間以及紅光區間,在此不再贅述。
曲線C3至少具有第一波峰WC1、第二波峰WC2以及第三波峰WC3,且自波長頻譜的第一波谷WT1起,由左至右的波谷與波峰分別是第一波谷WT1、第一波峰WC1、第二波谷WT2、第二波峰WC2、第三波谷WT3、第三波峰WC3以及第四波谷WT4。同樣地,在曲線C3之中,多層膜在波長小於420奈米的光穿透率為介於0%至10%,即不超過10%,以實現抗紫外光及抗微紫外光的效果。
第一峰值P1與第一波峰WC1仍相對應,且第一峰值P1之半高寬也仍小於與第一波峰WC1相鄰之一對波谷之間的距離,例如第一峰值P1之半高寬會小於第一波谷WT1與第二波谷WT2之間的第四距離L4。第二峰值P2與第二波峰WC2仍相對應,且第二峰值P2之半高寬也仍小於與第二波峰WC2相鄰之一對波谷之間的距離,例如第二峰值P2之半高寬會小於第二波谷WT2與第三波谷WT3之間的第五距離L5。第三峰值P3與第三波峰WC3仍相對應,且第三峰值P3之半高寬也仍小於與第三波峰WC3相鄰之一對波谷之間的距離,例如第三峰值P3之半高寬會小於第三波谷WT3與第四波谷WT4之間的第六距離L6。
透過上述配置,可使用不同參數的多層膜來達成多層膜的光穿透頻譜與發光元件陣列的發光頻譜相匹配,以實現光穿透頻譜的光穿透百分比可與發光頻譜中的相對發光強 度呈正相關。因此,即使因更換發光元件陣列造成發光元件陣列的發光頻譜有變動,仍可透過改變多層膜的參數來使多層膜的光穿透頻譜與發光元件陣列的發光頻譜相匹配,從而降低多重膜對顯示裝置的出光效率造成的影響。
請再看到第3圖,第3圖為依據本揭露內容的第三實施方式繪示顯示裝置100C的側視示意圖。本實施方式與第一實施方式的至少一個差異點在於,本實施方式的多層膜130的配置位置改變。具體來說,多層膜130可貼附在蓋板120的下表面,使得多層膜130會與發光元件陣列110共同位在基板102、支撐物104與蓋板120所形成的容置空間106內。多層膜130仍是位在設置在發光元件陣列110上方,使得來自顯示裝置100C上方的光照仍也會先經穿過多層膜130,才抵達至發光元件陣列110,以使多層膜130可提供抗紫外光及抗微紫外光的效果予發光元件陣列110,從而避免發光元件陣列110內的有機發光件劣化。
綜上所述,本揭露內容的顯示裝置包含發光元件陣列及多層膜,其中多層膜位在發光元件陣列上方,使得來自顯示裝置上方的光照會先經穿過多層膜,才抵達至發光元件陣列。多層膜可用以抵禦紫外光或微紫外光,以防止發光元件陣列中的有機發光件因受到紫外光或微紫外光照射而致使劣化。發光元件陣列的發光頻譜具有多個峰值,多層膜的光穿透頻譜具有多個波峰,且這些峰值與波峰會相匹配,以使光穿透頻譜的光穿透百分比可與發光頻譜中的相對發光強度呈正相關,從而降低多重膜對顯示裝置的出光效率造成的影響。
雖然本發明已以多種實施方式揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何熟習此技藝者,在不脫離本發明之精神和範圍內,當可作各種之更動與潤飾,因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

Claims (10)

  1. 一種顯示裝置,包含:一發光元件陣列,用以提供一光束,其中該光束之強度與波長之間的關係於一波長頻譜上至少具有一第一峰值、一第二峰值以及一第三峰值;以及一多層膜,設置在該發光元件陣列上方,其中該多層膜之光穿透率與波長之間的關係於該波長頻譜上至少具有一第一波峰、一第二波峰以及一第三波峰,其中該第一峰值與該第一波峰相對應,且該第一峰值之半高寬小於與該第一波峰相鄰之一對波谷之間的距離,其中該第二峰值與該第二波峰相對應,且該第二峰值之半高寬小於與該第二波峰相鄰之一對波谷之間的距離,其中該第三峰值與該第三波峰相對應,且該第三峰值之半高寬小於與該第三波峰相鄰之一對波谷之間的距離,其中在該波長頻譜之中,該多層膜在波長小於420奈米的光穿透率為不超過10%。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置,其中該第一峰值對應至波長λ,且該多層膜包含依序層疊的複數個保護層,其中該些保護層各自的厚度d與折射率n之乘積值的總和為數值t,且數值t滿足:(X+0.15)*(λ)*(1/2)>t>(X-0.15)*(λ)*(1/2),其中X為正整數。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置,其中該第一峰值落在該第一波峰正負8奈米的範圍內,該第二峰值落在該第二波峰正負8奈米的範圍內,該第三峰值落在該第三波峰正負8奈米的範圍內。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置,其中該多層膜包含複數個第一保護層以及複數個第二保護層,該些第一保護層與該些第二保護層為交互地層疊,其中該些第一保護層各自的一第一折射率大於該些第二保護層各自的一第二折射率。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之顯示裝置,其中該第一折射率介於2至3之間。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之顯示裝置,其中該第二折射率介於1.3至1.6之間。
  7. 如申請專利範圍第4項所述之顯示裝置,其中該第一折射率與該第二折射率的差值大於等於0.7。
  8. 如申請專利範圍第4項所述之顯示裝置,其中該些第一保護層各自包含鈦氧化物、鋅氧化物或其組合,該些第二保護層各自包含矽氧化物。
  9. 如申請專利範圍第4項所述之顯示裝置,其中該些第一保護層各自的厚度介於25奈米至45奈米之間,該些第二保護層各自的厚度介於60奈米至70奈米之間。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置,其中該發光元件陣列包含一第一有機發光件、一第二有機發光件以及一第三有機發光件,該第一有機發光件提供一第一色光,且該第一色光於該波長頻譜的最大光強度處為該第一峰值,該第二有機發光件提供一第二色光,且該第二色光於該波長頻譜的最大光強度處為該第二峰值,該第三有機發光件提供一第三色光,且該第三色光於該波長頻譜的最大光強度處為該第三峰值。
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