CN110690361B - 显示装置 - Google Patents

Abstract

一种显示装置，包含发光元件阵列以及设置在发光元件阵列上方的多层膜。发光元件阵列可提供光束，且光束的强度与波长之间的关系于波长频谱上具有第一、第二以及第三峰值。多层膜的光穿透率与波长之间的关系于波长频谱上具有第一、第二以及第三波峰。第一峰值与第一波峰相对应，且第一峰值的半高宽小于与第一波峰相邻的一对波谷之间的距离。第二峰值与第二波峰相对应，且第二峰值的半高宽小于与第二波峰相邻的一对波谷之间的距离。第三峰值与第三波峰相对应，且第三峰值的半高宽小于与第三波峰相邻的一对波谷之间的距离。

Description

显示装置

技术领域

本公开涉及一种显示装置。

背景技术

于家用电器设备的各式电子产品之中，显示装置已经被广泛地使用来输出影像或是操作选单。在显示装置的发展中，可分为液晶型显示装置或是发光二极管型显示装置。

对于发光二极管型显示装置而言，其可因使用了发光二极管作为光源而具有许多优点，像是省略背光源以及降低能量消耗等，也因此，相关产品的发展性也备受看好。然而，当发光二极管受到较高能量的光照时，像是紫光或紫外光，发光二极管将可能因此变质，使得其发光表现或是其他性质会产生劣化。也就是说，外部光照对发光二极管型显示装置的影响将会是潜在问题，而如何能有效解决上述问题，亦成为当前相关领域极需改进的目标。

发明内容

本公开内容的一实施方式提供一种显示装置，包含发光元件阵列以及多层膜。发光元件阵列用以提供光束，其中光束的强度与波长之间的关系于波长频谱上至少具有第一峰值、第二峰值以及第三峰值。多层膜设置在发光元件阵列上方，其中多层膜的光穿透率与波长之间的关系于波长频谱上至少具有第一波峰、第二波峰以及第三波峰。第一峰值与第一波峰相对应，且第一峰值的半高宽小于与第一波峰相邻的一对波谷之间的距离。第二峰值与第二波峰相对应，且第二峰值的半高宽小于与第二波峰相邻的一对波谷之间的距离。第三峰值与第三波峰相对应，且第三峰值的半高宽小于与第三波峰相邻的一对波谷之间的距离。

于部分实施方式中，第一峰值对应至波长λ，且多层膜包含依序层叠的保护层，其中保护层各自的厚度d与折射率n的乘积值的总和为数值t，且数值t满足：(X+0.15)*(λ)*(1/2)>t>(X-0.15)*(λ)*(1/2)，其中X为正整数。

于部分实施方式中，在波长频谱之中，多层膜在波长小于420纳米的光穿透率为不超过10％。

于部分实施方式中，第一峰值落在第一波峰正负8纳米的范围内，第二峰值落在第二波峰正负8纳米的范围内，第三峰值落在第三波峰正负8纳米的范围内。

于部分实施方式中，多层膜包含第一保护层以及第二保护层，第一保护层与第二保护层为交互地层叠，其中第一保护层各自的第一折射率大于第二保护层各自的第二折射率。

于部分实施方式中，第一折射率介于2至3之间。

于部分实施方式中，第二折射率介于1.3至1.6之间。

于部分实施方式中，第一折射率与第二折射率的差值大于等于0.7。

于部分实施方式中，第一保护层各自包含钛氧化物、锌氧化物或其组合，第二保护层各自包含硅氧化物。

于部分实施方式中，第一保护层各自的厚度介于25纳米至45纳米之间，第二保护层各自的厚度介于60纳米至70纳米之间。

于部分实施方式中，发光元件阵列包含第一有机发光件、第二有机发光件以及第三有机发光件，其中第一有机发光件提供第一色光，且第一色光于波长频谱的最大光强度处为第一峰值，第二有机发光件提供第二色光，且第二色光于波长频谱的最大光强度处为第二峰值，第三有机发光件提供第三色光，且第三色光于波长频谱的最大光强度处为第三峰值。

通过上述配置，来自显示装置上方的光照会先穿过多层膜，才抵达至发光元件阵列，其中由于多层膜可用以抵御紫外光或微紫外光，故多层膜可防止发光元件阵列中的有机发光件因受到紫外光或微紫外光照射而致使劣化。而由于发光元件阵列的发光频谱的峰值可分别与多层膜的光穿透频谱的波峰相匹配，故光穿透频谱的光穿透百分比可与发光频谱中的相对发光强度呈正相关，从而降低多重膜对显示装置的出光效率造成的影响。

附图说明

图1A为依据本公开内容的第一实施方式绘示显示装置的侧视示意图。

图1B绘示配置在图1A的盖板上的多层膜的放大示意图。

图1C为将发光元件阵列所提供的光束的强度与波长之间的关系以及将多层膜的光穿透率与波长之间的关系绘示在同一波长尺度上的波长频谱。

图2A为依据本公开内容的第二实施方式绘示显示装置的放大示意图。

图2B为将发光元件阵列所提供的光束的强度与波长之间的关系以及将多层膜的光穿透率与波长之间的关系绘示在同一波长尺度上的波长频谱。

图3为依据本公开内容的第三实施方式绘示显示装置的侧视示意图。

【符号说明】

100A、100B、100C 显示装置

102 基板

104 支撑物

106 容置空间

110 发光元件阵列

112 第一有机发光件

114 第二有机发光件

116 第三有机发光件

120 盖板

130 多层膜

132、132A、132B 第一保护层

134、134A、134B 第二保护层

136、136A、136B 第三保护层

138、138A、138B 第四保护层

1 第一层

2 第二层

9 第九层

C1、C2、C3 曲线

L1 第一距离

L2 第二距离

L3 第三距离

L4 第四距离

L5 第五距离

L6 第六距离

N 第N层

P1 第一峰值

P2 第二峰值

P3 第三峰值

T1、T2、T3、T4 厚度

WC1 第一波峰

WC2 第二波峰

WC3 第三波峰

WT1 第一波谷

WT2 第二波谷

WT3 第三波谷

WT4 第四波谷

具体实施方式

以下将以附图揭露本公开内容的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本公开内容。也就是说，在本公开内容部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化附图起见，一些习知惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式绘示。

在本文中，使用第一、第二与第三等的词汇，是用于描述各种元件、组件、区域、层是可以被理解的。但是这些元件、组件、区域、层不应该被这些术语所限制。这些词汇只限于用来辨别单一元件、组件、区域、层。因此，在下文中的一第一元件、组件、区域、层也可被称为第二元件、组件、区域、层，而不脱离本公开内容的本意。

本文使用的“约”或“实质上”包括所述值和在本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内的平均值，考虑到所讨论的测量和与测量相关的误差的特定数量(即，测量系统的限制)。例如，“约”或“实质上”可以表示在所述值的一个或多个标准偏差内，或±30％、±20％、±10％、±5％内。

本公开内容的显示装置包含发光元件阵列及多层膜，多层膜可用以抵御紫外光或微紫外光，以防止发光元件阵列中的有机发光件劣化，其中多层膜的光穿透频谱与发光元件阵列的发光频谱可相匹配，以使光穿透频谱的光穿透百分比可与发光频谱中的相对发光强度呈正相关，从而降低多重膜对显示装置的出光效率造成的影响。

参照图1A及图1B，图1A为依据本公开内容的第一实施方式绘示显示装置100A的侧视示意图，而图1B绘示配置在图1A的盖板120上的多层膜130的放大示意图。显示装置100A包含基板102、支撑物104、发光元件阵列110、盖板120以及多层膜130。

支撑物104及盖板120设置在基板102上，并可共同形成用来放置发光元件阵列110的容置空间106。具体来说，支撑物104可以是框体结构，其可包含玻璃、陶瓷或是其他具有足够支撑强度的材料。支撑物104可接触在盖板120的下表面。盖板120可以是透光基板，例如像是玻璃基板。

发光元件阵列110设置在基板102上，并位于容置空间106内，即发光元件阵列110会位于基板102与盖板120之间。发光元件阵列110可包含第一有机发光件112、第二有机发光件114以及第三有机发光件116。为了不使附图过于复杂，图1A的发光元件阵列110绘示为由三个有机发光件排列而成，然而本公开内容不以此为限，发光元件阵列110也可以是由超过三个有机发光件排列而成。

第一有机发光件112可通过其内的有机发光层而提供第一色光。第二有机发光件114可通过其内的有机发光层而提供第二色光。第三有机发光件116可通过其内的有机发光层而提供第三色光。第一色光、第二色光及第三色光彼此的性质相异，例如第一色光、第二色光及第三色光分别可以是蓝色色光、绿色色光及红色色光，并其各自的峰值分别位于不同的波长区间。发光元件阵列110可用以通过其中的不同有机发光件来提供光束，具体来说，发光元件阵列110可提供蓝色色光、绿色色光、红色色光或其混合而成的色光，并借此使显示装置100A能提供影像。

发光元件阵列110中的有机发光件的发光状态可由基板102驱动及控制。举例来说，于部分实施方式中，基板102可以是阵列基板，其包含了薄膜电晶体阵列，且薄膜电晶体阵列中的每一个薄膜电晶体系电性连接至不同的有机发光件，以可独立地切换发光元件阵列110中的有机发光件各自的开关状态，例如使第一有机发光件112、第二有机发光件114以及第三有机发光件116同时发光，或是第一有机发光件112、第二有机发光件114同时发光而第三有机发光件116不发光。本公开内容不以此为限，于其他实施方式中，基板102也可以是通过其他类型的驱动元件或驱动电路来对发光元件阵列110中的有机发光件定址。

于部分实施方式中，发光元件阵列110也可包含其他电致发光元件或光致发光元件，例如像是无机发光二极管或量子点发光体，且这些发光元件也可排列成为阵列。此外，于其他实施方式中，发光元件阵列110也可置换为显示介质层(例如液晶层)以及彩色滤光层，且基板102还包含像素电极及背光模组，以使显示装置100A可通过显示介质层的旋光性以及彩色滤光层的色阻层来提供影像。

多层膜130设置在发光元件阵列110上方，以使来自显示装置100A上方的光照会先穿过多层膜130，才会抵达至发光元件阵列110。具体来说，多层膜130可贴附在盖板120的上表面。多层膜130可用以提供抗紫外光(ultraviolet；UV)及抗微紫外光(high energyblue/violet visible light；HEV)的效果，从而保护发光元件阵列110内的有机发光件，以降低紫外光或微紫外光对有机发光件的影响，从而达到防止有机发光件因受光照而劣化。以下将对多层膜130的结构及相关性质提供进一步的说明。

多层膜130包含多个第一保护层132以及多个第二保护层134，第一保护层132与第二保护层134为交互地依序自盖板120的上表面向上层叠，例如自盖板120的上表面层叠的层体依序为第一保护层132A、第二保护层134A、第一保护层132B及第二保护层134B。每一个第一保护层132可与堆叠于其上的第二保护层134成为一对保护结构，例如第一保护层132A与第二保护层134A可成为一对保护结构，而第一保护层132B与第二保护层134B可成为另一对保护结构。

图1B中，符号“1”、“2”及“N”为表示保护结构的序数，当多层膜130的第一保护层132的数量以及第二保护层134的数量各自为N个时，“1”表示第一保护层132A与第二保护层134A为形成第一对保护结构；“2”表示第一保护层132B与第二保护层134B为形成第二对保护结构；而“N”则是表示位于最上方的第一保护层132与第二保护层134为形成第N对保护结构。更具体而言，例如多层膜130的第一保护层132的数量以及第二保护层134的数量各自为九个时，第一保护层132及第二保护层134共可形成九对保护结构，此时图1B的“N”即为9，以表示多层膜130是通过九对保护结构形成。

第一保护层132各自可具有第一折射率，第二保护层134各自可具有第二折射率，且第一折射率大于第二折射率。举例来说，第一折射率可介于2至3之间，而第二折射率可介于1.3至1.6之间。第一保护层132及第二保护层134各自的厚度等级可小于可见光等级，例如小于100纳米。具体来说，第一保护层132各自的厚度T1可介于25纳米至45纳米之间，而第二保护层134各自的厚度T2可介于60纳米至70纳米之间。对于如此厚度的层体而言，其在光学角度上可称为薄膜或是光学薄膜。例如，第一保护层132A相对第二保护层134A可称高折射率薄膜，而第二保护层134A相对第一保护层132A则可称低折射率薄膜，并因此多层膜130的第一对保护结构为由一对高折射率薄膜与低折射率薄膜所形成。

借由此将高折射率薄膜与低折射率薄膜交互堆叠的配置，可实现薄膜干涉，从而使多层膜130具有抗紫外光及抗微紫外光的效果。于部分实施方式中，第一保护层132的第一折射率与第二保护层134的第二折射率的差值可大于等于0.7，且小于等于1.7，从而利于提升抗紫外光及抗微紫外光的效果。

具有上述物理性质的第一保护层132及第二保护层134可通过氧化物实现，例如第一保护层132各自可包含钛氧化物(TiO₂)、锌氧化物(ZnO)或其组合，并形成为钛氧化层、锌氧化层或其组合，第二保护层134各自可包含硅氧化物(SiO_x)，并形成为硅氧化层。此外，可通过调整第一保护层132及第二保护层134的物理性质来使多层膜130的光穿透率与发光元件阵列110所提供的光束的强度能相匹配，以避免多层膜130因被调制为具有抗紫外光及抗微紫外光的效果而影响到显示装置100A的出光效率。以下将对“使多层膜130的光穿透率与发光元件阵列110所提供的光束的强度能相匹配”做进一步的说明。

参见图1C，图1C为将发光元件阵列所提供的光束的强度与波长之间的关系以及将多层膜的光穿透率与波长之间的关系绘示在同一波长尺度上的波长频谱。本公开内容中，“绘示在同一波长尺度上”意思为，将发光元件阵列(例如图1A的发光元件阵列110)的发光频谱与多层膜(例如图1A的多层膜130)的光穿透频谱绘示在同一波长频谱内，以便于单一波长频谱内即可读出“多层膜的光穿透率”以及“发光元件阵列所提供的光束的强度”对应到相同波长数值时的相对关系。

图1C中，横轴为波长，单位为纳米；左纵轴为多层膜的光穿透率，单位为百分比；右纵轴为发光元件阵列所提供的光束的强度，单位为任意单位(arb.unit)，像是相对光强度。

发光元件阵列所提供的光束的强度与波长之间的关系(即发光元件阵列的发光频谱)以曲线C1表示，其中光束是由蓝色色光、绿色色光及红色色光混合而成。于波长频谱上，曲线C1至少具有第一峰值P1、第二峰值P2以及第三峰值P3。第一峰值P1、第二峰值P2以及第三峰值P3对应的波长数值为由小至大，例如第一峰值P1、第二峰值P2以及第三峰值P3可分别落在蓝光区间(例如位于波长420纳米处与波长480纳米处之间)、绿光区间(例如位于波长480纳米处与波长580纳米处之间)以及红光区间(例如位于波长580纳米处与波长680纳米处之间)。

具体来说，发光元件阵列的发光频谱可以是由第一有机发光件(例如图1A的第一有机发光件112)、第二有机发光件(例如图1A的第二有机发光件114)以及第三有机发光件(例如图1A的第三有机发光件116)所分别提供的第一色光、第二色光、第三色光来产生，其中第一色光于波长频谱的最大光强度处为第一峰值P1；第二色光于波长频谱的最大光强度处为第二峰值P2；以及第三色光于波长频谱的最大光强度处为第三峰值P3。

多层膜的光穿透率与波长之间的关系(即多层膜的光穿透频谱)以曲线C2表示，其中图1C所选用的多层膜可以是通过以下参数形成：由九层第一保护层(例如图1B的第一保护层132)以及九层第二保护层(例如图1B的第二保护层134)交互地层叠形成，且最底层为第一保护层；第一保护层各自的材料为锌氧化物，即第一保护层各自为锌氧化层；第一保护层各自的厚度实质上为40纳米；第二保护层各自的材料为硅氧化物，即第二保护层各自为硅氧化层；第二保护层各自的厚度实质上为60纳米。

于波长频谱上，曲线C2至少具有第一波峰WC1、第二波峰WC2以及第三波峰WC3，其中第一波峰WC1、第二波峰WC2以及第三波峰WC3对应的波长区间为由小至大，例如第一波峰WC1、第二波峰WC2以及第三波峰WC3在波长频谱上会是由左至右地依序出现。具体来说，自波长频谱的第一波谷WT1起，由左至右的波谷与波峰分别是第一波谷WT1、第一波峰WC1、第二波谷WT2、第二波峰WC2、第三波谷WT3、第三波峰WC3以及第四波谷WT4。此外，在曲线C2之中，多层膜在波长小于420纳米的光穿透率为介于0％至10％，即不超过10％，使得多层膜可因此光学表现而实现前述抗紫外光及抗微紫外光的效果。

第一峰值P1与第一波峰WC1相对应，在此，“第一峰值P1与第一波峰WC1相对应”指的是第一峰值P1与第一波峰WC1可因落在相同波长区间内，而对相同颜色的色光有较强的光学表现。举例来说，第一峰值P1与第一波峰WC1可因皆落在波长频谱的蓝光区间内，而使得第一峰值P1表示“发光元件阵列在蓝光区间有较强的发光强度”，且第一波峰WC1表示“多层膜在蓝光区间有较强的光穿透率”，因此为呈现“相对应”。于部分实施方式中，第一峰值P1可落在第一波峰WC1正负8纳米的范围内。此外，第一峰值P1的半高宽会小于与第一波峰WC1相邻的一对波谷之间的距离，例如第一峰值P1的半高宽会小于第一波谷WT1与第二波谷WT2之间的第一距离L1。通过将多层膜的光穿透率于蓝光区间调制成上述配置，即可使多层膜对蓝光的光穿透率与发光元件阵列所提供的蓝光强度相匹配，即多层膜对蓝光的光穿透率与发光元件阵列所提供的蓝光强度可呈正相关，从而降低多重膜对显示装置的蓝光出光效率造成的影响。

第二峰值P2与第二波峰WC2相对应，例如第二峰值P2与第二波峰WC2可因皆落在波长频谱的绿光区间内，而使得第二峰值P2表示“发光元件阵列在绿光区间有较强的发光强度”，且第二波峰WC2表示“多层膜在绿光区间有较强的光穿透率”，因此为呈现“相对应”。于部分实施方式中，第二峰值P2落在第二波峰WC2正负8纳米的范围内。此外，第二峰值P2的半高宽小于与第二波峰WC2相邻的一对波谷之间的距离，例如第二峰值P2的半高宽会小于第二波谷WT2与第三波谷WT3之间的第二距离L2。通过上述配置，可使多层膜对绿光的光穿透率与发光元件阵列所提供的绿光强度相匹配，并也呈正相关，从而降低多重膜对显示装置的绿光出光效率造成的影响。

第三峰值P3与第三波峰WC3相对应，例如第三峰值P3与第三波峰WC3可因皆落在波长频谱的红光区间内，而使得第三峰值P3表示“发光元件阵列在红光区间有较强的发光强度”，且第三波峰WC3表示“多层膜在红光区间有较强的光穿透率”，因此为呈现“相对应”。于部分实施方式中，第三峰值P3落在第三波峰WC3正负8纳米的范围内。此外，第三峰值P3的半高宽小于与第三波峰WC3相邻的一对波谷之间的距离，例如第三峰值P3的半高宽会小于第三波谷WT3与第四波谷WT4之间的第三距离L3。通过上述配置，可使多层膜对红光的光穿透率与发光元件阵列所提供的红光强度相匹配且呈正相关，从而降低多重膜对显示装置的红光出光效率造成的影响。

本公开内容的多重膜的光穿透频谱不以上述为限，于其他实施方式中，当发光元件阵列的发光频谱有变动时，多重膜的光穿透频谱也可以通过改变多重膜的保护层的物理参数而随之变化。

举例来说，在多重膜包含依序层叠的N个保护层的情况下，第一层的保护层可具有厚度d1以及折射率n1；第二层的保护层可具有厚度d2以及折射率n2，依此类推，即第N层的保护层可具有厚度dn以及折射率nn。各层折射率/厚度可相同或相异。多重膜的光学厚度可以“数值t”表示，其中数值t实质上等于保护层各自的厚度与折射率的乘积值的总和，即实质上等于n1*d1+n2*d2+…+nn*dn。在多层膜的光学厚度调制为接近为发光元件阵列在蓝光、绿光或红光的波峰值的半波长的整数倍的情况下，即可使多重膜的光穿透频谱可匹配发光元件阵列的发光频谱，例如数值t实质上可满足关系式(I)：

(X+0.15)*(λ)*(1/2)>t>(X-0.15)*(λ)*(1/2)…(I)

在关系式(I)中，波长λ为发光元件阵列在蓝光、绿光或红光的波峰值(即例如图1C的第一峰值、第二峰值或第三峰值)；X为正整数。在关系式(I)中，“X+0.15”以及“X-0.15”为用来容许对数值t可以有误差范围。通过关系式(I)，即可将多层膜的光学厚度调制为接近为发光元件阵列在蓝光、绿光或红光的波峰值的半波长的整数倍，借以使多层膜的光穿透率与发光元件阵列所提供的光束的发光强度相匹配并呈正相关，从而降低多重膜对显示装置的出光效率造成的影响。

参照图2A，图2A为依据本公开内容的第二实施方式绘示显示装置100B的放大示意图。本公开内容与第一实施方式的至少一个差异点在于，本实施方式的多层膜130是通过不同参数形成。

具体来说，多层膜130配置盖板120上，且多层膜130是由九层第三保护层136以及九层第四保护层138交互地层叠在盖板120的上表面上而形成。同样地，图2A中，“1”表示第三保护层136A与第四保护层138A为形成第一对保护结构；“2”表示第三保护层136B与第四保护层138B为形成第二对保护结构；而“9”则是表示位于最上方的第三保护层136与第四保护层138为形成第九对保护结构。第三保护层136各自的材料为钛氧化物，即第三保护层各自为钛氧化层，且第三保护层136各自的厚度T3实质上为28纳米。第四保护层138各自的材料为硅氧化物，即第四保护层各自为硅氧化层，且第四保护层138各自的厚度T4实质上为65纳米。

再参照图2B，图2B为将发光元件阵列所提供的光束的强度与波长之间的关系以及将多层膜的光穿透率与波长之间的关系绘示在同一波长尺度上的波长频谱。图2B的波长频谱是将图1A的发光元件阵列110的发光频谱与图2A的多层膜的穿透频谱绘示在同一波长尺度上，其中发光元件阵列的发光频谱仍以曲线C1表示，而多层膜的穿透频谱则是以曲线C3表示。亦即，图1C与图2B会因选用相同的发光元件阵列，而呈现相同的发光频谱，故也会描绘出相同的曲线C1。然而由于本实施方式的多层膜是通过不同参数(异于图1C选用的多层膜)形成，故图2B的波长频谱中的曲线C3会与图1C的波长频谱中的曲线C2相异。同样地，图2B中，横轴为波长，单位为纳米；左纵轴为多层膜的光穿透率，单位为百分比；右纵轴为发光元件阵列所提供的光束的强度，单位为任意单位(arb.unit)，像是相对光强度。

由于图1C与图2B的曲线C1相同，故图2B的曲线C1也会至少具有第一峰值P1、第二峰值P2以及第三峰值P3，其中第一峰值P1、第二峰值P2以及第三峰值P3可分别落在蓝光区间、绿光区间以及红光区间，在此不再赘述。

曲线C3至少具有第一波峰WC1、第二波峰WC2以及第三波峰WC3，且自波长频谱的第一波谷WT1起，由左至右的波谷与波峰分别是第一波谷WT1、第一波峰WC1、第二波谷WT2、第二波峰WC2、第三波谷WT3、第三波峰WC3以及第四波谷WT4。同样地，在曲线C3之中，多层膜在波长小于420纳米的光穿透率为介于0％至10％，即不超过10％，以实现抗紫外光及抗微紫外光的效果。

第一峰值P1与第一波峰WC1仍相对应，且第一峰值P1的半高宽也仍小于与第一波峰WC1相邻的一对波谷之间的距离，例如第一峰值P1的半高宽会小于第一波谷WT1与第二波谷WT2之间的第四距离L4。第二峰值P2与第二波峰WC2仍相对应，且第二峰值P2的半高宽也仍小于与第二波峰WC2相邻的一对波谷之间的距离，例如第二峰值P2的半高宽会小于第二波谷WT2与第三波谷WT3之间的第五距离L5。第三峰值P3与第三波峰WC3仍相对应，且第三峰值P3的半高宽也仍小于与第三波峰WC3相邻的一对波谷之间的距离，例如第三峰值P3的半高宽会小于第三波谷WT3与第四波谷WT4之间的第六距离L6。

通过上述配置，可使用不同参数的多层膜来达成多层膜的光穿透频谱与发光元件阵列的发光频谱相匹配，以实现光穿透频谱的光穿透百分比可与发光频谱中的相对发光强度呈正相关。因此，即使因更换发光元件阵列造成发光元件阵列的发光频谱有变动，仍可通过改变多层膜的参数来使多层膜的光穿透频谱与发光元件阵列的发光频谱相匹配，从而降低多重膜对显示装置的出光效率造成的影响。

再参见图3，图3为依据本公开内容的第三实施方式绘示显示装置100C的侧视示意图。本实施方式与第一实施方式的至少一个差异点在于，本实施方式的多层膜130的配置位置改变。具体来说，多层膜130可贴附在盖板120的下表面，使得多层膜130会与发光元件阵列110共同位于基板102、支撑物104与盖板120所形成的容置空间106内。多层膜130仍是位于设置在发光元件阵列110上方，使得来自显示装置100C上方的光照仍也会先经穿过多层膜130，才抵达至发光元件阵列110，以使多层膜130可提供抗紫外光及抗微紫外光的效果予发光元件阵列110，从而避免发光元件阵列110内的有机发光件劣化。

综上所述，本公开内容的显示装置包含发光元件阵列及多层膜，其中多层膜位于发光元件阵列上方，使得来自显示装置上方的光照会先经穿过多层膜，才抵达至发光元件阵列。多层膜可用以抵御紫外光或微紫外光，以防止发光元件阵列中的有机发光件因受到紫外光或微紫外光照射而致使劣化。发光元件阵列的发光频谱具有多个峰值，多层膜的光穿透频谱具有多个波峰，且这些峰值与波峰会相匹配，以使光穿透频谱的光穿透百分比可与发光频谱中的相对发光强度呈正相关，从而降低多重膜对显示装置的出光效率造成的影响。

虽然本发明已以多种实施方式揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟习此技术者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的变动与润饰，因此本发明的保护范围当视后附的权利要求范围所界定者为准。

Claims (10)

1.一种显示装置，包含：

一发光元件阵列，用以提供一光束，其中该光束的强度与波长之间的关系于一波长频谱上至少具有一第一峰值、一第二峰值以及一第三峰值；以及

一多层膜，设置在该发光元件阵列上方，其中该多层膜的光穿透率与波长之间的关系于该波长频谱上至少具有一第一波峰、一第二波峰以及一第三波峰，其中该第一峰值与该第一波峰相对应，且该第一峰值的半高宽小于与该第一波峰相邻的一对波谷之间的距离，其中该第二峰值与该第二波峰相对应，且该第二峰值的半高宽小于与该第二波峰相邻的一对波谷之间的距离，其中该第三峰值与该第三波峰相对应，且该第三峰值的半高宽小于与该第三波峰相邻的一对波谷之间的距离，

其中该第一峰值对应至波长λ，且该多层膜包含依序层叠的多个保护层，其中多个所述保护层各自的厚度d与折射率n的乘积值的总和为数值t，且数值t满足：

(X+0.15)*(λ)*(1/2)>t>(X-0.15)*(λ)*(1/2)，其中X为正整数。

2.如权利要求1所述的显示装置，其中在该波长频谱之中，该多层膜在波长小于420纳米的光穿透率为不超过10％。

3.如权利要求1所述的显示装置，其中该第一峰值落在该第一波峰正负8纳米的范围内，该第二峰值落在该第二波峰正负8纳米的范围内，该第三峰值落在该第三波峰正负8纳米的范围内。

4.如权利要求1所述的显示装置，其中该多层膜包含多个第一保护层以及多个第二保护层，多个所述第一保护层与多个所述第二保护层为交互地层叠，其中多个所述第一保护层各自的一第一折射率大于多个所述第二保护层各自的一第二折射率。

5.如权利要求4所述的显示装置，其中该第一折射率介于2至3之间。

6.如权利要求5所述的显示装置，其中该第二折射率介于1.3至1.6之间。

7.如权利要求4所述的显示装置，其中该第一折射率与该第二折射率的差值大于等于0.7。

8.如权利要求4所述的显示装置，其中多个所述第一保护层各自包含钛氧化物、锌氧化物或其组合，多个所述第二保护层各自包含硅氧化物。

9.如权利要求4所述的显示装置，其中多个所述第一保护层各自的厚度介于25纳米至45纳米之间，多个所述第二保护层各自的厚度介于60纳米至70纳米之间。

10.如权利要求1所述的显示装置，其中该发光元件阵列包含一第一有机发光件、一第二有机发光件以及一第三有机发光件，该第一有机发光件提供一第一色光，且该第一色光于该波长频谱的最大光强度处为该第一峰值，该第二有机发光件提供一第二色光，且该第二色光于该波长频谱的最大光强度处为该第二峰值，该第三有机发光件提供一第三色光，且该第三色光于该波长频谱的最大光强度处为该第三峰值。

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