CN109314149A - 太阳电池及太阳电池的制造方法 - Google Patents

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小林贤一
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松井正五
横山周平
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Tokyo University of Agriculture
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Abstract

本发明涉及一种太阳电池及太阳电池的制造方法，其目的为消除或降低银的使用量、及降低或消除铅的使用量，且通过进行下层锻烧及上层锻烧，而提高电子引出效率进而使太阳电池的效率提升。本发明的构成，是在绝缘膜上形成有含有银及铅的指状电极，而且在其上方形成有汇流排电极之后，进行烧制，在烧制时通过指状电极所含有的银及铅的作用，贯穿指状电极下的薄膜即绝缘膜而在区域与指状电极之间形成有导电性通路(下层锻烧)，而且进一步在烧制时通过指状电极所含有的银及铅的作用，贯穿指状电极上的层亦即汇流排电极而形成有在汇流排电极上露出的导电性通路(上层锻烧)。

Description

太阳电池及太阳电池的制造方法
技术领域
本发明涉及一种太阳电池及太阳电池的制造方法，该太阳电池在基板上制作有照射光线等时会生成高电子浓度的区域，且在该区域上形成有会穿透光等的绝缘膜，并且在绝缘膜上形成有指状电极(finger electrode)，该指状电极形成从该区域取出电子的取出口，而且具有电性连接多个指状电极而将电子取出至外部的汇流排电极(bus-barelectrode)。
背景技术
先前，利用可再生能源之一的太阳电池，是以20世纪的主角的半导体技术作为基础而进行其开发。还是影响人类生存的全球级的重要开发。其开发的课题不仅只有将太阳光转换电能的效率，亦须一边面对降低制造成本及无公害的课题而一边进行。就实现该等课题的努力而言，特别是重视降低或消除使用在电极的银(Ag)和铅(Pb)的使用量。
通常，太阳电池的构造如图9(a)的平面图及图9(b)的剖面图显示，由下列各要素所构成：N型/P型的硅基板43，其将太阳光能转换成为电能；氮化硅膜45，其防止硅基板43的表面的反射且为绝缘体薄膜；指状电极42，其将在硅基板43中所产生的电子取出；汇流排电极41，其将在指状电极42所取出的电子集中；及引出引线电极47，其将集中在汇流排电极41的电子取出至外部。
其中，汇流排电极41及指状电极42使用银及铅(铅玻璃)，期望能够消除或降低该银的使用量，而且进一步降低或消除铅(铅玻璃)的使用量而成为低成本且无公害。
发明内容
[发明欲解决的课题]
上述的先前图9的太阳电池的构成要素中，将银及铅(作为黏结剂的铅玻璃)使用在指状电极42等，而有消除或降低该银的使用量、及降低或消除铅(铅玻璃)的使用量，以降低太阳电池的制造成本且成为无公害的课题。
另外，图9(b)是将含有银、铅玻璃的指状电极42烧制，而形成有贯穿氮化硅膜45的导电性通路(称为锻烧(firing))，并将电子从N/P扩散层44取出，将此集中在汇流排电极41而取出至外部。有将该等电子的取出效率提高，使太阳电池的效率进一步提升的课题。
[用以解决课题的手段]
本发明人等在膏状物使用后述的NTA玻璃100％而实验性地制造汇流排电极，结果发现，能够制作出具有与使用上述以往的银膏而制造汇流排电极的情况为同等级或较优异的特性的太阳电池(参照日本专利申请案2015-180720号等)。
而且，在基板上制作有照射光线等的时会生成高电子浓度的区域，且在该区域上形成有穿透光线等的绝缘膜，并且在该绝缘膜上形成有指状电极，该指状电极形成从该区域取出电子的取出口，而且使用100％至0％以上的上述NTA玻璃，制作成电性连接多个指状电极而将电子取出至外部的汇流排电极，以将该等统整而整批烧制进行锻烧，结果发现，除了形成有以往的通过锻烧所得的从指状电极至下层的高电子浓度区域的导电性通路(称为下层锻烧)以外，而且亦能够形成有从指状电极贯穿上层的汇流排电极而露出的导电性通路(在该导电性通路焊接带状的引出引线)(以下称为上层锻烧)(参照后述的图6、图8等)。
本发明基于该等发现，为了消除或降低银的使用量、及降低或消除铅(铅玻璃)的使用量，在形成作为太阳电池的构成要素的汇流排电极时，使用钒酸盐玻璃(以下，称为导电性的NTA玻璃、“NTA”为注册商标5009023号))制作膏状物并进行烧制，以消除或降低银及铅(铅玻璃)的使用量，而且进一步进行上述下层锻烧及上层锻烧，借此能够提高电子引出效率而使太阳电池的效率提升。
因此，本发明的太阳电池，在基板上制作有照射光线等的时会生成高电子浓度的区域，且在该区域上形成有穿透光线等的绝缘膜，并且在该绝缘膜上形成有指状电极，该指状电极形成从该区域取出电子的取出口，而且形成有电性连接多个指状电极而将电子取出至外部的汇流排电极，其中，在绝缘膜上形成含有银及铅的指状电极，而且在其上方形成汇流排电极之后，进行整批烧制，在整批烧制时通过指状电极所含有的银及铅的作用，贯穿指状电极下的薄膜即绝缘膜而在该区域与指状电极之间形成有导电性通路(称为下层锻烧)，而且进一步在烧制时通过指状电极所含有的银及铅的作用，贯穿指状电极上的层即汇流排电极而形成有在汇流排电极上露出的导电性通路(称为上层锻烧)。
此时，将下层锻烧设为固相中的锻烧，将上层锻烧设为液相中的锻烧，且相较于前者的导电性通路的长度，使后者的导电性通路的长度大幅度增长。
另外，除了形成有贯穿汇流排电极而在汇流排电极上露出的导电性通路以外，在汇流排电极上形成有导电层时，使导电性通路形成在导电层。
而且，使带状的引线焊接在露出的导电性通路或导电层。
另外，作为导电性的汇流排电极，将导电性玻璃设为重量比100％至0％以上，且将其余部分设为银。
而且，导电性玻璃设为至少含有钒或钒及钡的钒酸(vanadic acid)玻璃。
另外，烧制导电性玻璃的步骤的时间，最长设为1分钟以内且为1秒以上。
而且，因为烧制导电性玻璃的步骤的温度，在温度太低时会无法进行下层锻烧，在温度太高时，在烧制而冷却后，导电性通路会被汇流排电极中的导电性玻璃覆盖而使上层锻烧劣化，所以要设为该等之间的范围内的温度。
另外，导电性玻璃设为无Pb。
[发明效果]
本发明如上所述，除了形成有通过锻烧所得的从指状电极至下层的高电子浓度区域的导电性通路(称为下层锻烧)以外，而且亦形成有通过从指状电极贯穿上层的汇流排电极而露出的导电性通路(上层锻烧)，借此能够提高电子从高电子浓度区域取出至外部的效率，且将NTA玻璃使用在汇流排电极，而能够消除或降低银的使用量、及降低或消除铅(铅玻璃)的使用量。
具体实施方式
[实施例1]
图1显示本发明的一实施例的构成图。
图1(a)显示烧制前的平面图，图1(b)显示烧制前的剖面图，图1(c)显示烧制后的剖面图。
在图1(a)、1(b)的烧制前的平面图及剖面图中，硅基板1是周知的半导体硅基板。在与该硅基板11的氮化膜3接触的部分，形成有未图示的高电子浓度区域(扩散掺杂层)，该光电子浓度区域通过扩散掺杂等而在硅基板1上形成所需要的p型/n型层的周知的区域(层)，在图1(b)中，从上面方向入射太阳光时，会在硅基板1产生电子(发电)且积蓄该电子的区域。在此，所积蓄的电子通过电子取出口(图1(c)指状电极(银)4)而朝上方向被取出。
铝电极(背面电极)2是形成在硅基板1的下面的周知的电极，其中，在图示的烧制前为膏状(通过整批烧制而成为图1(c)的导电性铝电极2)。
氮化膜(氮化硅膜)3是使太阳光透过(透射)，而且使汇流排电极5与高电子浓度区域电性绝缘的周知的膜，例如SiNx膜。通过后述的整批烧制时的下层锻烧，该氮化膜3是在固相中形成贯穿该氮化膜的导电性通路的膜(层)。
指状电极4，通过形成在氮化膜3的空穴(hole)而将在高电子浓度区域中所积蓄的电子取出的口(指状电极)，在烧制前如图所示，在氮化膜3上印刷膏状物且为被加热干燥(100°左右)的状态(进行整批烧制时成为如图1(c)所示)。
汇流排电极5是电性连接多个电子取出口(多个指状电极4)的电极，在图示的烧制前的状态时，将NTA玻璃的膏状物作为汇流排电极5进行印刷(例如丝网印刷)且加热干燥，成为消除或削减Ag的使用量的电极。通过整批烧制而成为作为汇流排电极5的导电性电极。
如以上的图1(a)及1(b)显示，通过将膏状的铝电极2、指状电极4、汇流排电极5依照顺序重复进行印刷/加热干燥，制造图示的构造。然后如图1(c)所示，进行整批烧制而完成铝电极2、指状电极4、汇流排电极5。
在图1(c)中，指状电极4經整批烧制，以100％至0％以上的NTA玻璃烧制本发明的汇流排电极5时，指状电极4会通过后述的液相中的上层锻烧42，而形成(烧制)与汇流排电极5的上表面为相同高度的部分或穿出汇流排电极5的上表面的部分，能够使高电子浓度区域中的电子经由该指状电极4而直接流入焊接在汇流排电极5上的未图示的引线(使电子直接取出)。即，能够通过高电子浓度区域、指状电极4、汇流排电极5、引线6的路径1、及高电子浓度区域、指状电极4、引线6的路径2这二条路径，而将高电子浓度区域中的电子(电流)经由引线6而取出至外部，结果能够使高电子浓度区域与引线6之间的电阻值变得非常小，且降低损失，结果能够使太阳电池的效率提升。此时，指状电极4与高电子浓度区域及指状电极4之间通过固相中的下层锻烧41而形成导电性通路，且在形成穿出指状电极4及汇流排电极5或穿过该汇流排电极5而露出的部分时通过液相中的上层锻烧42而形成导电性通路。
例如在一实验结果，氮化膜3的厚度为60nm，汇流排电极5的印刷厚度为20μm，通过整批烧制，
·氮化膜3为通过固相中的下层锻烧41所得，
·由NTA玻璃所构成的汇流排电极5为液相中的上层锻烧42，两者的导电性通路的长度的比为60nm：20μm＝1：333，为约330倍，通过实验能够确认高速时液相中的上层锻烧42。即，通过实验可以清楚明白，相较于固相中的下层锻烧41，液相中的上层锻烧42的导电性通路的长度能够以数十倍至千倍左右的高速形成。
另外，下层锻烧41通过指状电极4所含有的铅(铅玻璃)与银的掺杂，而将下层的氮化膜4穿破约60nm而接触电子浓度较高的部分。在此，下层锻烧41过度进展时，因为银的部分从较高电子浓度的部分延伸至少许下方的电子浓度较低的部分，致使太阳电池的转换效率低落，因此必须通过实验来决定适当的下层锻烧(整批烧制的温度、时间(以1分钟以下且1秒以上为优选))41。
而且，上层锻烧42在下层锻烧41产生时同时并列地产生。上层锻烧42与下层锻烧41同样地，通过指状电极4所含有的铅(铅玻璃)与银的掺杂，而将上层的汇流排电极5穿破约20μm而在该汇流排电极5上形成银(Ag)的露出部分。在此，上层锻烧42过度(整批烧制的温度太高)时，因为是以覆盖汇流排电极5中的NTA玻璃所露出的Ag部分的方式进行再凝固而使其劣化(参照后述的图8及其说明)，致使太阳电池转换效率低落，因此必须通过实验来决定适当的上层锻烧(整批烧制的温度、时间(以1分钟以下且1秒以上为优选))。
基于以上图1(c)的构造，从上方往下方向照射太阳光时，太阳光会通过引线(未图示)、汇流排电极5、无指状电极4的部分及氮化膜3，入射至硅基板1而产生电子。随后，在高电子浓度区域所积蓄的电子，经由指状电极4、汇流排电极5、引线6的路径1、及指状电极4、引线6的路径2这两修路径(并列的路径)而被取出至外部。以下依序详细地说明。
图2显示本发明的主要部位说明图。图2(a)与整批烧制后的图1(c)相同，图2(b)是图2(a)的主要部位的放大图。
在图2(b)中，整批烧制后如图所示，指状电极4的下层锻烧41将氮化膜3贯穿，在此，在N型浓度较高的区域11形成导电性路径(银的路径)。
另一方面，同时整批烧制后如图示，指状电极4的上层锻烧42将汇流排电极5贯穿或大致贯穿，在此，在汇流排电极5中形成有导电性通路(银的路径)。
因而，整批烧制后，通过指状电极4的下层锻烧41及上层锻烧42两者的锻烧，而形成N型浓度较高的区域11-指状电极4-汇流排电极5-引线6的路径1、及N型浓度较高的区域11-F指状电极4-引线6的路径2，能够经由该两路径1、2而从引线6取出至外部，而且能够使N型浓度较高的区域11与引线6之间的电阻值变得非常小且使太阳电池的效率提升(使用图4、图7而如后所述)。
在此，NTA玻璃的汇流排电极5，例如在一实验结果中，将整批烧制温度以较低的温度例如700℃进行时，烧制不充分，且在焊接引线6后的拉伸试验中，会与汇流排电极5成为一体而剥落。而在较高的温度例如820℃进行整批烧制时，对汇流排电极5的正下方的氮化膜3造成损伤(氮化膜中的氢成为气泡且通过膜中而对氮化膜造成损伤)，而且焊接引线6时，连同氮化膜3一起从硅基板1剥离。而且以较高的温度进行整批烧制时，在上层锻烧42中，构成汇流排电极5的NTA玻璃溶解而再凝固时，会产生覆盖汇流排电极5上所露出的导电性路径覆盖而使其劣化的情况(参照图8)。
如以上所述，在指状电极4的下层锻烧41及上层锻烧42各自存在适当的温度范围，必须使用以按照各材料且由实验求得的最适当的温度范围内的温度来进行整批烧制。
图3显示本发明的使用NTA玻璃的太阳电池的制造步骤例。
在图3中，S1是准备硅基板(PN接合形成基板)。这一步骤准备：在硅基板1的表面形成有进行过扩散掺杂的高电子浓度区域、且在其上方形成有例如氮化膜(氮化硅膜)3作为抗反射膜(使太阳光通过且尽可能地降低表面反射的膜)的硅基板1。
S2是在硅基板的背面印刷铝膏。
S3是通过电炉而将膏状物干燥。在该等S1至S3中，将铝膏单面地印刷在所述的图1及图2的硅基板1的背面且通过电炉进行加热干燥。
S4是将指状电极用银(铅)膏印刷在硅基板的表面。这是在氮化膜3上网版印刷要形成的指状电极4的图案。印刷材料例如使用在银中混入铅玻璃作为玻璃料(frit)而成的膏状物。
S5是通过电炉而将银(铅)膏干燥。
S6是通过银/NTA玻璃膏而在硅基板的表面印刷汇流排电极。这是从在S4干燥后的指状电极上，网版印刷要形成的汇流排电极5的图案。印刷材料例如使用NTA玻璃(100％至0％以上，其余部分为银)作为玻璃料。
S7是通过电炉将银/NTA玻璃膏干燥。
经由以上，在形成有高电子浓度区域11、氮化膜3的硅基板1的背面将铝电极2印刷/加热干燥，并依序在硅基板1的表面将指状电极4、汇流排电极5的膏状物印刷/加热干燥，并反复进行，而完成整批烧制的准备。
S8是通过远红外线烧制炉将铝电极、指状电极、汇流排电极的各膏状物进行整批烧制。通过该整批烧制而形成铝电极3，而且通过实验能够确认下述内容：
(1)通过指状电极4中的铅(铅玻璃)、银的作用，下层的膜的氮化膜3是在固相中经由下层锻烧41而形成将电子从高浓度电子区域取出至指状电极4的路径；而且
(2)通过指状电极4中的铅(铅玻璃)、银的作用，上层的膜的汇流排电极5是在液相中经由上层锻烧42而形成将电子从指状电极4往汇流排电极5上突出的部分(引线6被焊接)移动的路径2(指状电极4、引线6的路径2)、或往汇流排电极5的上半部附近的部分移动的路径1(指状电极4、汇流排电极5、引线6的路径1)。
通过该等下层锻烧41及上层锻烧42，能够将电子从高电子浓度区域效率良好地取出至引线6(参照后述的图4、图7)。
S9是焊接。这是将所述的图2(a)的引线6进行焊接(焊接、或超音波焊接)。
S10是太阳电池的性能测定。
图4显示本发明的测定例。该测定例显示在将从图4的步骤S1至S8所制造的引线6进行焊接之前的状态下，从汇流排电极5(指状电极4)上2支邻接的接触棒之间的电阻值的测定例。
图4(a)显示平面图，图4(b)显示测定位置例(号码)，图4(c)显示测定值例。
图4(a)示意性地表示指状电极4、及汇流排电极5的构成。汇流排电极5以在细小带状的多个指状电极4上以电性连接的方式在直角方向形成带状。
图4(b)测定2支接触棒之间的电阻值的位置的号码。
(1)(2)(3)(4)(5)(6)是指状电极4露出在汇流排电极5上的部分(通过上层锻烧42而形成的导电性路径部分)的位置的号码。
(7)(8)是不在指状电极4的正方向，而是在中间且为汇流排电极5上的图示的位置的号码。
图4(c)显示图4(b)的位置的测定值例。图中的(1)(2)、(3)(4)、(5)(6)的电阻值均为0.20Ω的较小的电阻值。这是为了即使指状电极4因上层锻烧42而露出在汇流排电极5上，亦使2支接触棒直接接触于偏离该露出的部分的图示的位置，而被测定为较小的电阻值。
另一方面，(7)(8)的电阻值均为0.30Ω的稍大的电阻值。这是为了即便指状电极4因上层锻烧42而露出在汇流排电极5上，亦使2支接触棒直接接触于偏离该露出的部分的图示的位置，而被测定为若干较大的电阻值。
另外，指状电极4的电阻值为0.20Ω且从(1)至(6)为止大致相同。
如上所述，通过本发明的上层锻烧42而使指状电极4露出在汇流排电极5上，能够极为缩小电阻值。
图5及图6显示本发明的汇流排电极的剖面观察例。所使用的试样条件如图示的下述。
·汇流排电极的材料比率：NTA玻璃：Ag＝50：50
·烧制条件：781℃×8秒
·基板：多晶硅基板
图5(a)显示制作至太阳电池的汇流排电极5为止时(从图3的S1至S8)的部分性平面图。横向的带状物为汇流排电极5，纵向的线状物为指状电极4。在此，如虚线显示，将带状横向的汇流排电极5的中央往横向切断。而且，在图6显示该截面的照相。
图5(b)显示剖面放大示意图。该图显示在图5(a)的虚线的截面进行切断时，将该截面放大后的示意图。在硅基板1上于与纸面为直角的方向形成有指状电极4，并且于纸面的横向形成有汇流排电极5。
图6(c)显示电子显微镜照相(在剖面中稍微倾斜后的Ag分布)。该图表示所述的图5(b)的剖面图的Ag分布的SEM影像的照相。在图中，指状电极4的部分通过白色的轮廓而容易理解地表示。白色的轮廓线中，以箭号(白)表示为图示的“指状电极4的银穿出氮化膜3”的部分，是指状电极4通过下层锻烧穿出氮化膜3而到达高电子浓度区域的部分(导电性路径、银的路径)。
图6(d)显示电子显微镜照相(剖面)。该图表示所述的图5(b)的剖面图的SEM影像的照片。在图中，指状电极4的部分通过白色的轮廓而容易理解地表示。白色的轮廓线中，以箭号(黑)表示为图示的“指状电极4的银为穿过氮化膜3”的部分，是指状电极4通过下层锻烧穿出氮化膜3而到达高电子浓度区域的部分(导电性路径、银的路径)。
如上所述，清楚明白通过指状电极4中的铅(铅玻璃)、银的作用，形成穿出下层的氮化膜3的银的路径，且形成穿出上层的汇流排电极5的银的路径。
图7显示使用本发明的汇流排电极的太阳电池的特性例。该图显示经在右侧所记载的下述的各种试样的I-V特性测定后的例子。
·NTA50-781-8(Sample1)
·NTA50-781-8(Sample2)
·NTA50-781-8(Sample3)
·NTA50-781-8(Sample4)
·NTA50-781-8(Sample5)
·NTA50-781-8(Sample6)
·Ref820-4(Sample1)
·Ref820-4(Sample2)
·Ref820-4(Sample3)
在此，“NTA50”作为汇流排电极的材料，将NTA玻璃设为50％wt，其余部分设为银，其后的“781”表示在781℃烧制，其后的“8”表示烧制时间为8秒的意思(远红外线加热)。另外，“Ref820”表示820℃，其后的“4”表示4秒的意思(远红外线加热)。
针对以上所制造的试样测定I-V特性且作图，结果显示在图7。相较于不含有NTA玻璃的汇流排电极4，使用NTA50％的汇流排电极4的太阳电池如图所示，I为若干变大，且因为通过所述的路径1、路径2所得的电阻值改善(降低)，结果清楚明白能够提升将电子从高电子浓度区域的取出效率。
图8显示本发明的上层锻烧的说明图。
图8(a)显示上层锻烧(适当)的显微镜照相的例子，图8(b)显示上层锻烧(过度)的显微镜照相的例子。在此，横向的较细的2条线为指状电极4，纵向的1条宽度较广的带状物为汇流排电极5。
在图8(a)中，清楚明白所述的整批烧制后，指状电极4的Ag通过所述的上层锻烧42而一部分露出在汇流排电极5上。
另一方面，图8(b)的过度进行(例如以太高的温度进行整批烧制)时，能够观察到下述现象：NTA玻璃溶解而再凝固时，结晶会成长并变大，且被因上层锻烧42而特意地露出在汇流排电极5上的Ag的部分所覆盖而未露出，使得电阻值变大。
因而，整批烧制的温度必须在图8(a)的适当的温度范围进行，因为已知在如图8(b)的过度进行(较高的温度)时，其电阻值会变大而造成性能劣化，所以整批烧制必须在适当的温度范围进行(每种材料都必须特别地通过实验来确认最适当的温度范围(而且，烧制时间例如1秒以上且1分钟以内为期望的适当时间)而决定)。
附图说明
图1是本发明的一实施例构成图。
图2是本发明的主要部位说明图。
图3是本发明的使用NTA玻璃的太阳电池的制造步骤例。
图4是本发明的测定例。
图5是本发明的汇流排电极的剖面观察例(其1)。
图6是本发明的汇流排电极的剖面观察例(其2)。
图7是本发明的使用汇流排电极的太阳电池的特性例。
图8是本发明的上层锻烧的说明图。
图9是现有技术的说明图。
附图标记说明
1 硅基板
2 铝电极
3 氮化膜(绝缘膜)
4 指状电极
41 下层锻烧
42 上层锻烧
5 汇流排电极
6 引线
11 N型浓度较高的区域
12 P型(空穴)。

Claims (17)

1.一种太阳电池，其在基板上制作有照射光线等的时会生成高电子浓度的区域，且在该区域上形成有透射光线等的绝缘膜，并且在该绝缘膜上形成有指状电极，该指状电极形成从前述区域取出电子的取出口，而且形成有电性连接多个该指状电极而将前述电子取出至外部的汇流排电极，其中，
在前述绝缘膜上形成含有银及铅的指状电极，而且在其上方形成前述汇流排电极之后，进行烧制，
在该烧制时通过前述指状电极所含有的银及铅的作用，贯穿该指状电极下的薄膜的前述绝缘膜而在前述区域与该指状电极之间形成有导电性通路(称为下层锻烧)，而且进一步在该烧制时通过前述指状电极所含有的银及铅的作用，贯穿该指状电极上的层的前述汇流排电极而形成有在该汇流排电极上露出的导电性通路(称为上层锻烧)。
2.根据权利要求1所述的太阳电池，其中，将前述下层锻烧设为固相中的锻烧，将前述上层锻烧设为液相中的锻烧，相较于前者的导电性通路的长度，使后者的导电性通路的长度大幅度增长。
3.根据权利要求1或2所述的太阳电池，其中，除了形成有贯穿前述汇流排电极而露出在该汇流排电极上的导电性通路以外，在该汇流排电极上形成有导电层时，亦使导电性通路形成在该导电层。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的太阳电池，其将带状的引线焊接在前述露出的导电性通路或前述导电层。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的太阳电池，其中，作为前述导电性的汇流排电极，将导电性玻璃设为重量比100％至0％以上，且将其余部分设为银。
6.根据权利要求5所述的太阳电池，其中，前述导电性玻璃设为至少含有钒或钒及钡的钒酸玻璃。
7.根据权利要求5或6所述的太阳电池，其中，烧制前述导电性玻璃的步骤的时间，最长为1分钟以内且为1秒以上。
8.根据权利要求5至7中任一项所述的太阳电池，其中，因为烧制前述导电性玻璃的步骤的温度，在温度太低时会无法进行前述下层锻烧，在温度太高时，在烧制而冷却后，前述导电性通路会被前述汇流排电极中的前述导电性玻璃覆盖而使前述上层锻烧劣化，所以要设为该等之间的范围内的温度。
9.根据权利要求5至8中任一项所述的太阳电池，其中，前述导电性玻璃为无铅玻璃。
10.一种太阳电池的制造方法，其在基板上制作有照射光线等的时会生成高电子浓度的区域，且在该区域上形成有透射光线等的绝缘膜，并且在该绝缘膜上形成有指状电极，该指状电极形成从前述区域取出电子的取出口，而且形成有电性连接多个该指状电极而将前述电子取出至外部的汇流排电极的太阳电池的制造方法，
该制造方法具有：在前述绝缘膜上形成含有银及铅的指状电极，而且在其上方形成前述汇流排电极之后，进行烧制的步骤；
在该烧制时通过前述指状电极所含有的银及铅的作用，贯穿该指状电极下的薄膜的前述绝缘膜而在前述区域与该指状电极之间形成有导电性通路(称为下层锻烧)，而且进一步在该烧制时通过前述指状电极所含有的银及铅的作用，贯穿该指状电极上的层的前述汇流排电极贯穿而形成在该汇流排电极上露出的导电性通路(称为上层锻烧)。
11.根据权利要求10所述的太阳电池的制造方法，其中，将前述下层锻烧设为固相中的锻烧，将前述上层锻烧设为液相中的锻烧，相较于前者的导电性通路的长度，使后者的导电性通路的长度大幅度增长。
12.根据权利要求10或11所述的太阳电池的制造方法，其中，除了形成有贯穿前述汇流排电极而露出在该汇流排电极上的导电性通路以外，在该汇流排电极上形成有导电层时，亦使导电性通路形成在该导电层。
13.根据权利要求10至12中任一项所述的太阳电池的制造方法，其将带状的引线焊接在前述露出的导电性通路或前述导电层。
14.根据权利要求10至13中任一项所述的太阳电池的制造方法，其中，作为前述导电性汇流排电极，将导电性玻璃设为重量比100％至0％以上，且将其余部分设为银。
15.根据权利要求14所述的太阳电池的制造方法，其中，前述导电性玻璃设为至少含有钒或钒及钡的钒酸玻璃。
16.根据权利要求10至15中任一项所述的太阳电池的制造方法，其中，烧制前述导电性玻璃的步骤的时间，最长为1分钟以内且为1秒以上。
17.根据权利要求10至16中任一项所述的太阳电池的制造方法，其中，因为烧制前述导电性玻璃的步骤的温度，在温度太低时会无法进行前述下层锻烧，在温度太高时，在烧制而冷却后，前述导电性通路会被前述汇流排电极中的前述导电性玻璃覆盖而使前述上层锻烧劣化，所以要设为该等之间的范围内的温度。
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