JP6818908B2 - 太陽電池セルおよび太陽電池セルの製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 90
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 55
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 26
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 51
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 51
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 51
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 32
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 28
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 19
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 19
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 19
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 18
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 17
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 15
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N phosphoryl trichloride Chemical compound ClP(Cl)(Cl)=O XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N phosphinic chloride Chemical compound ClP=O RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- QNRATNLHPGXHMA-XZHTYLCXSA-N (r)-(6-ethoxyquinolin-4-yl)-[(2s,4s,5r)-5-ethyl-1-azabicyclo[2.2.2]octan-2-yl]methanol;hydrochloride Chemical compound Cl.C([C@H]([C@H](C1)CC)C2)CN1[C@@H]2[C@H](O)C1=CC=NC2=CC=C(OCC)C=C21 QNRATNLHPGXHMA-XZHTYLCXSA-N 0.000 description 1
- 244000025254 Cannabis sativa Species 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009940 knitting Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910001392 phosphorus oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VSAISIQCTGDGPU-UHFFFAOYSA-N tetraphosphorus hexaoxide Chemical compound O1P(O2)OP3OP1OP2O3 VSAISIQCTGDGPU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Description
図1は、本発明の実施の形態1にかかる太陽電池セル1を受光面側から見た上面図である。図2は、本発明の実施の形態1にかかる太陽電池セル1を受光面と反対側を向く裏面側から見た下面図である。図3は、本発明の実施の形態1にかかる太陽電池セル1の断面構造を説明するための要部断面図であり、図1の線分III−IIIにおける要部断面図である。図3は、タブ線接続部5cが形成された部分の太陽電池セル1の要部断面図である。図4は、本発明の実施の形態1にかかる太陽電池セル1の断面構造を説明するための要部断面図であり、図1の線分IV−IVにおける要部断面図である。図4は、受光面側集電電極5bが形成された部分の太陽電池セル1の要部断面図である。
受光面側集電電極5bが形成されてないタブ線接続領域には、細線電極5a同士を電気的に接続する、受光面側集電電極5bよりも細い第2集電電極5dを形成することが可能である。図18は、本発明の実施の形態2にかかる太陽電池セル54を受光面側から見た上面図である。本実施の形態2にかかる太陽電池セル54は、第2方向に延在し、複数の細線電極5aにおいて第1方向における同じ位置に配置された複数のタブ線接続部5cを電気的に接続する第2集電電極5dを備える点が、実施の形態1にかかる太陽電池セル1と異なる。
実施の形態3では、上述した太陽電池セル1の出力特性の測定について説明する。太陽電池セルの出力特性である電流−電圧特性の測定、すなわちIV測定は、4端子法を用いて行うことができる。受光面側電極における集電電極は、電流−電圧特性の測定時に、太陽電池セルの出力特性を測定する測定機器に接続された電流測定用の電流端子および測定機器に接続された電圧測定用の電圧端子を接触させるための外部端子の役割も担っている。ここで、電流端子と電圧端子との間の抵抗が高い場合は、該当領域での電圧降下がIV測定に悪影響を及ぼすため注意が必要である。
Claims (13)
- pn接合を有する半導体基板と、
前記半導体基板の一面上に設けられ、前記半導体基板の面内方向における第1方向に延在するとともに前記半導体基板の面内方向において前記第1方向と交差する第2方向において互いに平行に配列された複数の細線電極と、
前記半導体基板の一面上に設けられ、隣り合う2つ以上の前記細線電極を接続するとともに前記第2方向において分断され、分散配置された複数の第1集電電極と、
を備え、
前記複数の細線電極は、前記第1集電電極に接続する前記細線電極と、前記第1集電電極に接続しない前記細線電極とがあり、
前記第1集電電極に接続していない前記細線電極は、前記細線電極の幅が前記細線電極における他の領域よりも幅広とされた、タブ線を接続するための領域であるタブ線接続部を、前記第1方向における前記第1集電電極と同じ位置に備えること、
を特徴とする太陽電池セル。 - pn接合を有する半導体基板と、
前記半導体基板の一面上に設けられ、前記半導体基板の面内方向における第1方向に延在するとともに前記半導体基板の面内方向において前記第1方向と交差する第2方向において互いに平行に配列された複数の細線電極と、
前記半導体基板の一面上に設けられ、隣り合う2つ以上の前記細線電極を接続するとともに前記第2方向において分断され、分散配置された複数の第1集電電極と、
を備え、
前記複数の細線電極は、前記第1集電電極に接続する前記細線電極と、前記第1集電電極に接続しない前記細線電極とがあり、
前記第1集電電極に接続していない前記細線電極は、前記細線電極の幅が前記細線電極における他の領域よりも幅広とされた、タブ線を接続するための領域であるタブ線接続部を、前記第1方向における前記第1集電電極と同じ位置に備え、前記第1方向における前記タブ線接続部の長さと同じ幅を有する前記タブ線が前記タブ線接続部に接続されていること、
を特徴とする太陽電池セル。 - 前記タブ線接続部は、前記第2方向の幅の平均が、前記タブ線接続部以外の前記細線電極の幅より大であり、且つ第2方向における前記細線電極の配置ピッチの半分以下の範囲であること、
を特徴とする請求項1または2に記載の太陽電池セル。 - 前記太陽電池セルの面内における前記タブ線接続部の形状が長方形であること、
を特徴とする請求項1から3のいずれか1つに記載の太陽電池セル。 - 前記太陽電池セルの面内における前記タブ線接続部の形状が三角形であること、
を特徴とする請求項1から3のいずれか1つに記載の太陽電池セル。 - 前記太陽電池セルの面内における前記タブ線接続部の形状が菱形であること、
を特徴とする請求項1から3のいずれか1つに記載の太陽電池セル。 - 第1導電型の半導体基板の一面側に第2導電型の不純物拡散層を形成する第1工程と、
前記半導体基板の面内方向における第1方向に延在するとともに前記半導体基板の面内方向において前記第1方向と交差する第2方向において互いに平行に配列された複数の細線電極と、隣り合う2つ以上の前記細線電極を接続するとともに前記第2方向において分断されて分散配置された複数の第1集電電極と、を前記半導体基板の一面上に形成する第2工程と、
を含み、
前記第2工程では、前記第1集電電極に接続する前記細線電極と、前記第1集電電極に接続しない前記細線電極とを形成し、前記細線電極の幅が前記細線電極における他の領域よりも幅広とされて、タブ線を接続するための領域であるタブ線接続部を、前記第1集電電極に接続していない前記細線電極の、前記第1方向における前記第1集電電極と同じ位置に形成すること、
を特徴とする太陽電池セルの製造方法。 - 第1導電型の半導体基板の一面側に第2導電型の不純物拡散層を形成する第1工程と、
前記半導体基板の面内方向における第1方向に延在するとともに前記半導体基板の面内方向において前記第1方向と交差する第2方向において互いに平行に配列された複数の細線電極と、隣り合う2つ以上の前記細線電極を接続するとともに前記第2方向において分断されて分散配置された複数の第1集電電極と、を前記半導体基板の一面上に形成する第2工程と、
前記細線電極にタブ線を接続する第3工程と、
を含み、
前記第2工程では、前記第1集電電極に接続する前記細線電極と、前記第1集電電極に接続しない前記細線電極とを形成し、前記細線電極の幅が前記細線電極における他の領域よりも幅広とされて、前記タブ線を接続するための領域であるタブ線接続部を、前記第1集電電極に接続していない前記細線電極の、前記第1方向における前記第1集電電極と同じ位置に形成し、
前記第3工程では、前記第1方向における前記タブ線接続部の長さと同じ幅を有する前記タブ線を前記タブ線接続部に接続すること、
を特徴とする太陽電池セルの製造方法。 - 前記タブ線接続部は、前記第2方向の幅の平均が、前記タブ線接続部以外の前記細線電極の幅より大であり、且つ第2方向における前記細線電極の配置ピッチの半分以下の範囲であること、
を特徴とする請求項7または8に記載の太陽電池セルの製造方法。 - 前記太陽電池セルの面内における前記タブ線接続部の形状が長方形であること、
を特徴とする請求項7から9のいずれか1つに記載の太陽電池セルの製造方法。 - 前記太陽電池セルの面内における前記タブ線接続部の形状が三角形であること、
を特徴とする請求項7から9のいずれか1つに記載の太陽電池セルの製造方法。 - 前記太陽電池セルの面内における前記タブ線接続部の形状が菱形であること、
を特徴とする請求項7から9のいずれか1つに記載の太陽電池セルの製造方法。 - 前記第2工程の後に、前記太陽電池セルの出力特性を測定する測定機器と接続された端子を前記タブ線接続部に接続し、前記太陽電池セルの受光面に既定の光量の光を照射して前記太陽電池セルの出力特性を測定する工程を有すること、
を特徴とする請求項7から12のいずれか1つに記載の太陽電池セルの製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2017/041142 WO2019097615A1 (ja) | 2017-11-15 | 2017-11-15 | 太陽電池セルおよび太陽電池セルの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2019097615A1 JPWO2019097615A1 (ja) | 2020-04-02 |
JP6818908B2 true JP6818908B2 (ja) | 2021-01-27 |
Family
ID=66539447
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019554103A Active JP6818908B2 (ja) | 2017-11-15 | 2017-11-15 | 太陽電池セルおよび太陽電池セルの製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6818908B2 (ja) |
TW (1) | TWI688110B (ja) |
WO (1) | WO2019097615A1 (ja) |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4519089B2 (ja) * | 2006-03-09 | 2010-08-04 | シャープ株式会社 | 太陽電池、太陽電池ストリングおよび太陽電池モジュール |
JP4429306B2 (ja) * | 2006-12-25 | 2010-03-10 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池セル及び太陽電池モジュール |
CN202513180U (zh) * | 2011-03-08 | 2012-10-31 | 日立化成工业株式会社 | 太阳能电池单元 |
JP2012231006A (ja) * | 2011-04-26 | 2012-11-22 | Mitsubishi Electric Corp | 評価装置及び評価方法 |
JP5726303B2 (ja) * | 2011-06-14 | 2015-05-27 | 京セラ株式会社 | 太陽電池およびその製造方法 |
JP2013191793A (ja) * | 2012-03-15 | 2013-09-26 | Sharp Corp | スクリーン版、太陽電池の製造方法、および太陽電池 |
DE102013212845A1 (de) * | 2013-07-02 | 2015-01-08 | Solarworld Industries Sachsen Gmbh | Photovoltaikmodul |
DE102013218738A1 (de) * | 2013-09-18 | 2015-04-02 | Solarworld Industries Sachsen Gmbh | Solarzelle mit Kontaktstruktur und Verfahren zu seiner Herstellung |
WO2015064696A1 (ja) * | 2013-10-30 | 2015-05-07 | 京セラ株式会社 | 太陽電池セルおよび太陽電池モジュール |
CN106165291B (zh) * | 2014-04-04 | 2019-08-20 | 帕山股份公司 | 检测装置 |
DE102014224679A1 (de) * | 2014-12-02 | 2016-06-02 | Solarworld Innovations Gmbh | Solarzelle |
JP2018137250A (ja) * | 2015-06-30 | 2018-08-30 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 太陽電池モジュール |
-
2017
- 2017-11-15 JP JP2019554103A patent/JP6818908B2/ja active Active
- 2017-11-15 WO PCT/JP2017/041142 patent/WO2019097615A1/ja active Application Filing
-
2018
- 2018-08-30 TW TW107130322A patent/TWI688110B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2019097615A1 (ja) | 2020-04-02 |
WO2019097615A1 (ja) | 2019-05-23 |
TW201924075A (zh) | 2019-06-16 |
TWI688110B (zh) | 2020-03-11 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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