CN103579384B - 太阳能电池及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及太阳能电池及其制造方法。在不同的示例性实施方式中，太阳能电池被提供，其包括：具有第一区域和第二区域的衬底，其中所述第一区域包括至少第一电导率而所述第二区域包括至少第二电导率，所述第二电导率大于所述第一电导率；以及在所述衬底的表面上的钝化物；以及在所述衬底的所述表面上的接触结构，其中所述接触结构包括多个接触部；其中所述多个接触部中的两个接触部被设置为在所述第一区域中相对于彼此间隔第一距离；其中所述多个接触部中的两个更远的接触部被设置为在所述第二区域中相对于彼此间隔第二距离；且其中所述第二距离大于所述第一距离。

Description

太阳能电池及其制造方法
技术领域
本发明涉及太阳能电池和用于制造太阳能电池的方法。
背景技术
在由准单体（准单晶）硅制成的太阳能电池晶片中，如果硅块被垂直锯割（sawn），通常会出现掺杂浓度的线性梯度。这导致了比电阻沿着晶片的表面变化。该问题主要发生在n型晶片和p型晶片中，n型晶片和p型晶片基于所谓的UMG材料（UMG：升级冶金级）且因此通常也含磷。
此外，所谓的PERC太阳能电池（PERC：钝化发射极和背面的太阳能电池）是已知的。在这样的太阳能电池中，太阳能电池的正面的发射极以及背面的基极在很大程度上被电介质涂层钝化。通常在完整工作区（full working area）上的通过丝网印刷技术而引入的金属糊料（例如，由铝制成的）可以只是局部地在电介质涂层被预先移除的那些区域中接触基极。一般而言，通过含金属的丝网印刷糊料接触的发射极位于这种太阳能电池的正面。
进一步地，在这样的太阳能电池中，发射极位于太阳能电池的背面，因此可被安装在与入射光侧相对的一侧上，其中位于太阳能电池的背面的发射极以及位于正面的基极可在很大程度上被电介质涂层钝化。在完整或部分工作区上的通过丝网印刷技术而引入的金属糊料（例如，由铝制成的）可以只是局部地在电介质涂层被预先移除的那些区域中接触基极和/或发射极。一般而言，通过含金属的丝网印刷糊料接触的发射极位于这样的太阳能电池的背面。
在不同的示例性实施方式中，在PERC太阳能电池（在PERC太阳能电池中，材料比电阻在晶片表面上变化）的正面和/或背面得到的串联电阻损耗被减少或避免。进一步地，如果衬底的材料的电导率在接触部（contact）所紧靠的区域中变化，则在具有钝化发射极和/或钝化接触部的太阳能电池的正面和/或背面得到的电阻损耗可被减少或避免。
发明内容
根据不同的示例性实施方式，太阳能电池可包括下列各项：具有第一区域和第二区域的衬底，其中所述第一区域包括至少第一电导率而所述第二区域包括至少第二电导率，其中所述第二电导率大于所述第一电导率；在所述衬底的表面上（或在所述衬底的第一面上）的钝化物（或钝化层）；以及在所述衬底的所述表面上的接触结构，其中所述接触结构包括多个接触部；其中所述多个接触部中的两个（例如，相邻的）接触部被设置为在所述第一区域中彼此间隔第一距离；其中所述多个接触部中的两个更远的（例如，相邻的）接触部被设置为在所述第二区域中彼此间隔第二距离；其中所述第二距离大于所述第一距离。
根据不同的示例性实施方式，所述衬底可包括掺杂剖面（dopant profile），该掺杂剖面沿着所述衬底的所述表面变化。
进一步地，根据不同的示例性实施方式，所述钝化物可包括多个开口；其中各个接触部以所述各个接触部与所述衬底的所述表面电接触这样的方式被提供在所述钝化物的各个开口中。
进一步地，所述衬底的多个区域可借助所述多个开口被暴露，其中所述多个区域中的至少两个区域可包括不同的电导率。
根据不同的示例性实施方式，所述接触部可被构造为至少部分为线状和至少部分为点状。根据不同的示例性实施方式，所述接触部可被构造为至少部分为线状或至少部分为点状。
根据不同的示例性实施方式，所述接触结构可包括激光发射接触部（Laser-firedcontact）。
根据不同的示例性实施方式，所述钝化物可包括激光烧蚀区域，所述接触结构可被设置在该区域中。
根据不同的示例性实施方式，所述衬底可包括第三区域，其中所述第三区域包括至少第三电导率，所述第三电导率大于所述第二电导率；且其中两个更远的（例如，相邻的）接触部被设置为在所述第三区域中彼此间隔第三距离；且其中所述第三距离大于所述第二距离。
根据不同的示例性实施方式，所述钝化物可以是背面钝化物，其中所述衬底的所述表面是所述衬底的背面，其中所述接触结构是背面接触结构，且其中所述接触部是背面接触部。
进一步地，根据不同的示例性实施方式，所述太阳能电池可在所述衬底的正面包括发射极结构，其中所述发射极结构与所述衬底形成p-n结。
根据不同的示例性实施方式，所述钝化物可以是正面钝化物，其中所述衬底的所述表面是所述衬底的正面，其中所述接触结构是正面接触结构，且其中所述接触部是正面接触部。
进一步地，根据不同的示例性实施方式，所述太阳能电池可在所述衬底的背面包括发射极结构，所述发射极结构与所述衬底形成p-n结。
根据不同的示例性实施方式，用于制造太阳能电池的方法可包括如下步骤：确定衬底的第一区域中的第一电导率；确定所述衬底的第二区域中的第二电导率，其中所述第二电导率大于所述第一电导率；在所述衬底的表面上形成钝化物；以及在所述衬底的所述表面上形成接触结构，其中所述接触结构包括多个接触部，所述多个接触部被所述衬底的区域用钝化物围绕，其中所述接触部彼此间隔的距离根据所述第一电导率和所述第二电导率进行限定。
根据不同的示例性实施方式，用于制造太阳能电池的所述方法可以以所述衬底可包括{100}晶体取向这样的方式进行构造。
根据不同的示例性实施方式，在所述钝化物中，多个开口以及所述钝化物的各个开口中的各个接触部以所述各个接触部与所述衬底的所述表面电接触这样的方式被形成。
根据不同的示例性实施方式，所述接触部可被构造为激光发射接触部。
根据不同的示例性实施方式，所述钝化物可借助激光烧蚀进行构造。
根据不同的示例性实施方式，用于制造太阳能电池的方法可包括：确定衬底的第一区域中的第一电导率；确定所述衬底的第二区域中的第二电导率，其中所述第二电导率大于所述第一电导率；在所述衬底的背面形成背面钝化物；以及在所述衬底的所述背面上形成背面接触结构，其中所述背面接触结构包括多个背面接触部，所述多个背面接触部被所述衬底的区域用背面钝化物围绕，其中所述背面接触部相对于彼此的距离根据所述第一电导率和所述第二电导率进行限定。
根据不同的示例性实施方式，用于制造太阳能电池的方法可包括：确定衬底的第一区域中的第一电导率；确定所述衬底的第二区域中的第二电导率，其中所述第二电导率大于所述第一电导率；在所述衬底的正面形成正面钝化物；以及在所述衬底的所述正面形成正面接触结构，其中所述正面接触结构包括多个正面接触部，所述多个正面接触部被所述衬底的区域用正面钝化物围绕，其中所述正面接触部彼此间隔的距离根据所述第一电导率和所述第二电导率进行限定。
显然，在由准单晶硅制成的太阳能电池（例如PERC太阳能电池或者具有钝化发射极和钝化接触结构的太阳能电池）的正面和/或背面的电阻损耗被减少，同时例如，沿着晶片背面的背面接触部的间距改变和/或同时例如，沿着晶片正面的正面接触部的间距改变，例如具体取决于例如太阳能电池的基区的晶片的电导率。显然，公认的是，在由准单晶硅制成的太阳能电池中，电导率沿着衬底（例如，在从晶片块制成的垂直锯割的晶片中，例如在具有{100}晶体取向的晶片中）变化。该知识进一步被用在不同的示例性实施方式中，以便根据该不同的示例性实施方式改变正面接触部和/或背面接触部的间距，例如以正面区域和/或背面区域中的衬底或晶片的电导率越高、在两个正面接触部和/或背面接触部之间选定的间距可以越大这样的方式改变。相反地，正面接触部和/或背面接触部可以以正面区域和/或背面区域中的衬底或晶片的电导率越低、在两个正面接触部和/或背面接触部之间选定的间距应当越小这样的方式被设置。从而，相应的两个相邻接触部之间的间距可被保持和/或考虑。
换句话说，在不同的示例性实施方式中，显然提供了一种具有可变背接触部节距（rear contact-pitch）的准单（quasi-mono）PERC太阳能电池。此外，在不同的示例性实施方式中，显然提供了一种具有可变前接触部节距（正面接触部间距）的准单太阳能电池。
在一种构造中，衬底可包括{100}晶片取向。因此，举例来说，衬底可以是准单晶晶片。换句话说，衬底可具有某种结构（texture），其中{100}晶片取向代表优选方向。
在另一种构造中，衬底可包括掺杂剖面，该掺杂剖面沿着衬底正面表面和/或沿着衬底背面表面变化。例如，掺杂剖面可从衬底的一个边缘到衬底的相对边缘沿着衬底正面表面和/或沿着衬底背面表面单调上升或下降，例如可严格地单调上升或可严格地单调下降。
在还有的进一步的构造中，正面钝化物和/或背面钝化物可包括多个开口；其中各个正面接触部和/或背面接触部以该各个接触部与衬底的正面和/或背面电接触这样的方式被提供在钝化物的各个开口中。
在另一种构造中，正面接触部和/或背面接触部可被构造为至少部分为线状和/或至少部分为点状。但是，一般来说，正面接触部和/或背面接触部可包括任何形状，因此，它们可被构造为例如甚至是蜿蜒图案、波线形状、或选择地具有彼此相对成一个角度或成若干个角度设置的多个线段的被点接触部中断的部分线状的。正面接触部和/或背面接触部可彼此平行或部分平行地延伸，但是，它们也可相对于彼此成角度地延伸，例如从太阳能电池正面和/或太阳能电池背面上的特定区域发散的星形。进一步地，正面接触部和/或背面接触部也可环状地或弓状地延伸，例如正面接触部和/或背面接触部可包括多个环形结构，该多个环形结构彼此被并排和/或同中心设置。更进一步地，线状的正面接触部和/或背面接触部可在太阳能电池正面和/或太阳能电池背面上直线地或弓状地进行设置。
在另一种构造中，衬底可用p掺杂物（例如，硼（B）或镓（Ga）或铝（Al））或用n掺杂物（例如，磷（P）或砷（As））进行掺杂。
在另一种构造中，正面接触结构和/或背面接触结构可包括激光发射正面接触部和/或背面接触部。
在另一种构造中，钝化层（正面钝化物和/或背面钝化物）可包括激光烧蚀区域，接触结构（正面接触结构和/或背面接触结构）被设置在该区域中。
在另一种构造中，衬底包括第三区域，其中该第三区域包括至少第三电导率，该第三电导率大于第二电导率。进一步地，两个更远的正面接触部和/或背面接触部可被设置为在第三区域中，彼此间隔第三距离；其中该第三距离大于第二距离。更进一步地，还有的进一步的区域可被包含在衬底中，每个区域具有更大的电导率，其中相应的额外的正面接触部和/或背面接触部可被设置为在彼此以相应地增加的距离间隔的区域中彼此间隔相应的距离。
重要的是要注意，在不同的示例性实施方式中，各个区域可顺利地彼此交汇，使得衬底的电导率的（准）连续变化被呈现，且正面接触部和/或背面接触部通过正面接触部和/或背面接触部彼此之间的变化的距离来顾及电导率上的这种变化。
在另一种构造中，钝化物（正面钝化物和/或背面钝化物）包括电绝缘材料，例如氮化物和/或氧化物，其中氮化物可包括氮化硅；和/或其中氧化物可包括氧化硅和/或其中该绝缘材料可包括氮氧化硅和/或其中该绝缘材料可包括氧化铝。
在另一种构造中，正面接触结构和/或背面接触结构可包括金属，例如铝或银。
在另一种构造中，在正面钝化物中和/或在背面钝化物中，多个开口可被构造；其中各个正面接触部和/或背面接触部以该各个正面接触部和/或背面接触部与衬底的正面和/或背面电接触这样的方式被形成在正面和/或背面钝化物的各个开口中。
在另一种构造中，正面接触部和/或背面接触部可被形成为激光发射正面接触部和/或背面接触部。
在另一种构造中，钝化层可借助激光烧蚀进行构造。
在另一种构造中，衬底可被掺杂为具有掺杂剖面，该掺杂剖面沿着衬底正面表面和/或衬底背面表面变化。因此，掺杂剖面可以以它可从衬底的一个边缘到衬底的相对边缘沿着衬底正面表面和/或衬底背面表面单调上升或下降（例如可严格地单调上升或下降）这样的方式被形成。
在另一种构造中，衬底可用p掺杂物（例如，硼（B）或镓（Ga）或铝（Al））或用n掺杂物（例如，磷（P）或砷（As））进行掺杂。
在另一种构造中，在正面钝化物和/或背面钝化物中，多个开口可被形成；其中各个正面接触部和/或背面接触部以该各个正面接触部和/或背面接触部与衬底的正面和/或背面电接触这样的方式被形成在正面钝化物和/或背面钝化物的各个开口中。
在另一种构造中，正面钝化物和/或背面钝化物可包括电绝缘材料，例如氮化物和/或氧化物，其中氮化物可包括氮化硅；和/或其中氧化物可包括氧化硅和/或其中该绝缘材料可包括氮氧化硅和/或其中该绝缘材料可包括氧化铝。
在另一种构造中，正面接触结构和/或背面接触结构可包括金属，例如铝或银。
在另一种构造中，接触部可被构造为至少部分为线状和/或至少部分为点状。但是，一般来说，接触部可包括任何形状，因此，它们可被构造为例如甚至是蜿蜒图案、波线形状、或选择地具有相对于彼此成一个角度或成多个角度设置的多个线段的被点接触部中断的部分线状的。接触部可彼此平行或部分平行地延伸，但是，它们也可彼此成角度地延伸，例如从太阳能电池表面上的特定区域发散的星形。进一步地，接触部也可环状地延伸，例如背面接触部可包括多个环形结构，该多个环形结构彼此被并排和/或同中心设置。更进一步地，线状的接触部可在太阳能电池表面上直线地或弓状地进行设置。
附图说明
本发明的示例性实施方式在附图中进行了描绘并在下面进行更详细的描述。
它们示出了：
图1A示出了根据不同的示例性实施方式的太阳能电池的剖视图；
图1B示出了根据不同的示例性实施方式的太阳能电池的剖视图；
图2示出了描绘依赖于衬底内的位置的电阻率的图形；
图3示出了描绘净掺杂相对于锭中的锭高度的图形，该锭在结晶阶段通过掺杂物的重配量（re-dosing）进行制造。
图4示出了根据不同的示例性实施方式的太阳能电池的背面的仰视图；
图5示出了根据不同的示例性实施方式的太阳能电池的背面的仰视图；
图6示出了根据不同的示例性实施方式的太阳能电池的背面的仰视图；
图7示出了根据不同的示例性实施方式的太阳能电池的背面的仰视图；
图8示出了根据不同的示例性实施方式的太阳能电池的背面的仰视图；
图9示出了根据不同的示例性实施方式的太阳能电池的背面的仰视图；以及
图10A到10C各自示出了描绘根据不同的示例性实施方式的用于制造太阳能电池的方法的流程图。
具体实施方式
下面的详细描述参考构成本文的一部分的附图，在附图中出于说明目的示出了具体的示例性实施方式，根据这些示例性实施方式，本发明可被实施。在此，用于方向的术语，比如“在……上（面）”、“在……下（面）”、“在……前（面）”、“在……后（面）”、“在……之前”、“在……之后”等，参考所述附图的方向进行使用。由于示例性实施方式的部件可以以若干不同的方向被设置，所以用于方向的术语是用来说明的而不以任何方式进行限制。不言而喻的是，可以采用其它的示例性实施方式且可进行结构上的或逻辑上的改变，却不背离本发明的保护范围。不言而喻的是，本文所记载的不同的示例性实施方式的特征可以互相结合，除非另有特别说明。因此，下面的详细说明不可被认为是限制意义上的，且本发明的保护范围由所列权利要求进行限定。
在该说明书中，术语“连接”、“附着”和“耦合”被用来描述直接和间接的连接、直接或间接的附着以及直接或间接的耦合。在附图中，提供具有相同参考数字的相同或类似的元件，无论哪里这都是合适的。
在不同的示例性实施方式中，例如在垂直锯割的太阳能电池晶片中，在垂直锯割的准单太阳能电池晶片（例如，n掺杂的或p掺杂的）中，电阻损耗的减少在由这样的晶片制成的太阳能电池的正面和/或背面被实现。
如下面将更详细地说明的，这在不同的示例性实施方式中例如通过与比电阻的各个局部值对应的晶片表面上的局部背面接触部彼此之间的和/或局部正面接触部彼此之间的距离的（例如，所谓的节距（中心到中心的距离）的）变化而得以实现。
图1A示出了根据不同的示例性实施方式的太阳能电池100a的剖视图。
在不同的示例性实施方式中，太阳能电池包括能够通过所谓的光伏效应将主要例如来自阳光的可见光（例如，在约300nm至约1150nm的可见波长范围内的光的至少一部分；重要的是要注意，另外的紫外线（UV）辐射和/或红外线（IR）辐射也可被转化）的辐射能直接转化成电能的器件。
在不同的示例性实施方式中，太阳能模块包括可电连接的器件，该器件具有若干太阳能电池（它们以串联和/或并联方式互相连接），且可选地具有气象防护（例如，玻璃）、灌封物（embedding）和框架。
太阳能电池100a可包括同质的发射极或选择性的发射极。
在不同的示例性实施方式中，太阳能电池被提供，在它的正面（也被称为面向太阳的一面）包括同质的发射极或者选择性的发射极，该正面具有作为太阳能电池的金属化网络并收集电荷载子（由太阳能电池产生）的前接触部。
图1A示出了例如以晶片的形式表现的初始衬底（starting substrate），该晶片本身例如照例被处理直至磷扩散。这意味着该晶片包括衬底102。
衬底102可包括至少一个光伏涂层或可由至少一个光伏涂层组成。替代地，至少一个光伏涂层可被设置在衬底102上或上面。光伏涂层可包括以下材料或可由以下材料组成：半导体材料（如例如，硅）、复合半导体材料（如例如，III-V-复合半导体材料（如例如，GaAs）、II-VI-复合半导体材料（如例如，CdTe）、I-III-V-复合半导体材料（如例如，二硫化铜铟））。在不同的示例性实施方式中，硅可包括或由所谓的块模（block moulded）准单晶硅（下文也称为准单硅）组成。在不同的示例性实施方式中，光伏涂层可包括以下结构或可由以下结构组成：半导体过渡结构，如例如，p-n过渡结构、pin过渡结构、肖特基型过渡结构，等等。衬底102和/或光伏涂层可具有掺杂第一类型的导体的基极。
在由准单硅制成的晶片中，如果这些从硅块被垂直（即平行于结晶方向）锯割，则会出现掺杂浓度的（例如线状的）梯度。这导致了比电阻沿着晶片的表面变化。这主要发生在n型晶片（即n掺杂晶片）和p型晶片（即p掺杂晶片）中，n型晶片和p型晶片基于UMG材料（UMG：升级冶金级），且因此也包含磷。
在不同的示例性实施方式中，衬底可以是准单硅衬底，其可被例如n掺杂或p掺杂（在这种情况下，衬底可基于UMG材料）。
在不同的示例性实施方式中，掺杂在太阳能电池衬底102中的基极可包括约1013cm-3至1018cm-3的范围内（例如约1014cm-3至1017cm-3的范围内、例如约1015cm-3至2*1016cm-3的范围内）的掺杂浓度（例如第一类型的导体的掺杂，例如用硼（B）掺杂）。
太阳能电池衬底102可从太阳能电池晶片制成且可包括例如圆形（round）形状（如例如圆形（circular）形状或椭圆形形状）或多边形形状（如例如，正方形形状）。但是，在不同的示例性实施方式中，太阳能模块的太阳能电池也可包括非正方形形状。在这些情况下，例如通过使一或多个（以它们的形状，也被称为标准太阳能电池）太阳能电池中的部分分开（例如，切割开）从而成为若干非正方形或正方形的太阳能电池，太阳能模块的太阳能电池可被形成。在不同的示例性实施方式中，在这些情况下，可进行对标准太阳能电池中的接触结构的适配（adaptation），例如，可另外提供背面横向结构。
在不同的示例性实施方式中，所制造的太阳能电池包括下面的尺寸：约5cm至约50cm的范围内的宽度、约5cm至约50cm的范围内的长度、以及约100μm至约300μm的范围内的厚度。
在不同的示例性实施方式中，如上面已描述的，基区104可被形成在光伏涂层中，例如用第一掺杂类型的掺杂物（也被称为第一类型的导体）进行掺杂，该用第一掺杂类型的掺杂物例如用p掺杂类型的掺杂物，该用p掺杂类型的掺杂物例如用周期系统的第三主族的掺杂物，该用周期系统的第三主族的掺杂物例如用硼（B）或镓（Ga）。
进一步地，在不同的示例性实施方式中，发射区106可被形成，用第二掺杂类型的掺杂物（也被称为第二类型的导体）进行掺杂，其中第二掺杂类型与第一掺杂类型相反，该用第二掺杂类型的掺杂物例如用n掺杂类型的掺杂物，该用n掺杂类型的掺杂物例如用周期系统的第五主族的掺杂物，该用周期系统的第五主族的掺杂物例如用磷（P）。
替代地，基区可用第二掺杂类型的掺杂物进行掺杂，该用第二掺杂类型的掺杂物例如用n掺杂类型的掺杂物，该用n掺杂类型的掺杂物例如用周期系统的第五主族的掺杂物，该用周期系统的第五主族的掺杂物例如用磷（P）。在这种情况下，发射区106可用第一掺杂类型的掺杂物进行掺杂，该用第一掺杂类型的掺杂物例如用p掺杂类型的掺杂物，该用p掺杂类型的掺杂物例如用周期系统的第三主族的掺杂物，该用周期系统的第三主族的掺杂物例如用硼（B）。
更进一步地，在不同的示例性实施方式中，发射区106中的第一发射区108可任选地被形成为具有相对较低的第二掺杂类型的掺杂物的掺杂浓度，而第一发射区108中的第二发射区110可任选地被形成为具有相对于该第二掺杂类型的掺杂物的掺杂浓度的相对增加的第二掺杂类型的掺杂物的掺杂浓度。如下面将更详细地描述的，选择性发射极的区域从第二发射区被形成。发射区106和基区104一起形成例如p-n过渡（p-n transition）。在不同的示例性实施方式中，第二发射区110被设置为与接触指112物理接触。
在不同的示例性实施方式中，防反射涂层（例如，包括氮化硅的或由氮化硅组成的）任选地可被引介在发射区106的暴露的上表面上。
在不同的示例性实施方式中，具有增加的掺杂浓度的区域可用合适的掺杂物（如例如磷）进行掺杂。在不同的示例性实施方式中，第二类型的导体可以是p型导体而第一类型的导体可以是n型导体。替代地，在不同的示例性实施方式中，第二类型的导体可以是n型导体而第一类型的导体可以是p型导体。
在不同的示例性实施方式中，具有增加的掺杂浓度的区域（即，例如第二发射区110）可用用于用第二类型的导体掺杂的掺杂物以约1018cm-3至约1022cm-3的范围内的表面掺杂浓度（例如，以约1019cm-3至约1022cm-3的范围内的掺杂浓度、例如以约1020cm-3至约2*1021cm-3的范围内的掺杂浓度）进行高度掺杂。用第二类型的导体高度掺杂的区域中的涂层电阻在约10欧姆/sq至约80欧姆/sq的范围内，例如在约30欧姆/sq至约60欧姆/sq的范围内，例如在约35欧姆/sq至约50欧姆/sq的范围内。
进一步地，在不同的示例性实施方式中，其它发射区（即，例如具有第二类型的导体的第一发射区108）用用于用第二类型的导体掺杂的掺杂物以约1018cm-3至约2*1021cm-3的范围内的表面掺杂浓度（例如，以约1019cm-3至约1021cm-3的范围内的掺杂浓度、例如以约5*1019cm-3至约5*1020cm-3的范围内的掺杂浓度）进行低度掺杂。低度掺杂区域（即，例如第一发射区108）中的涂层电阻在约60欧姆/sq至约300欧姆/sq的范围内，例如在约70欧姆/sq至约200欧姆/sq的范围内，例如在约80欧姆/sq至约150欧姆/sq的范围内。
以这种方式，显而易见的是，如下面将更详细地说明的，选择性发射极至少被形成在光伏涂层的正面上。
在发射区106的掺杂（例如通过气相扩散）之后，在磷扩散的情况下，磷硅酸盐玻璃可在例如2.5%至25%的HF溶液中通过PSG蚀刻被移除。
在不同的示例性实施方式中执行掺杂之后，最大的欧姆半导体/金属接触部（例如硅/金属接触部）被制作在发射极106上，即例如在第二发射区110的暴露的上表面。
在不同的示例性实施方式中，这可以以接触网格的形状（通常是金属化结构，例如以金属化网格的形状）产生，接触网格通过印刷工艺（例如通过丝网印刷工艺）或者例如从气相通过物理气相沉积（例如通过溅射）而形成。接触网格可包括多个分离的金属区域，例如多个接触线或接触点，例如多个接触指112。接触指112可被设置为例如相对于彼此间隔一定距离且互相平行。
因此，显而易见的是，在不同的示例性实施方式中，金属化结构112被形成在太阳能电池100a的高度掺杂区域（例如，第二发射区110）。在不同的示例性实施方式中，金属化结构112（也被称为接触结构112）可例如通过利用荫罩（shadow mask）被蒸发或溅镀。可选地，在不同的示例性实施方式中，所引入的金属化结构112可例如以电化学的方式被后续加固。
可选地，在不同的示例性实施方式中，接触硅化物（未图示）可被形成在金属化结构112的下面。
在不同的示例性实施方式中，太阳能电池100a被构造为具有准单衬底（例如，准单硅）的所谓的PERC（PERC：钝化发射极和背面的太阳能电池；德语：Solarzelle mitpassiviertem Emitter und passivierter Rückseite Solarzelle）。这意味着在衬底102的背面从而例如在基区104的暴露的下表面提供钝化层结构（下文中也称为背面钝化物）114，该钝化层结构是局部开口的。钝化层结构114可包括一或多个电介质层，例如一或多个氧化物层和/或一或多个氮化物层。因此钝化层结构114可包括第一钝化层（其例如由热氧化硅（其可以与衬底物理接触）制成或者由氮化硅制成或者由氧化铝制成）以及由另外的材料制成的第二钝化层（其例如由被引介在第一钝化层上的氮化硅制成）。
图1B替代地示出了根据不同的示例性实施方式的具有背面发射极的太阳能电池100b的剖视图。
太阳能电池100b可包括同质的背面发射极或选择性的背面发射极。
在不同的示例性实施方式中，太阳能电池被提供，在它的背面（也被称为阴面，与面向太阳的一面相对）上包括同质的发射极或者一或多个选择性的发射极，该背面具有作为太阳能电池的金属化网络并收集电荷载子（由太阳能电池产生）的背接触部（发射极背面接触部）。
图1B示出了例如以晶片的形状表现的初始衬底，该晶片本身例如照例被处理直至磷扩散。这意味着该晶片包括衬底102，如前所述。
在不同的示例性实施方式中，如上面已描述的，基区104可被形成在光伏涂层中，例如用第一掺杂类型的掺杂物（也被称为第一类型的导体）进行掺杂，该用第一掺杂类型的掺杂物例如用p掺杂类型的掺杂物，该用p掺杂类型的掺杂物例如用周期系统的第三主族的掺杂物，该用周期系统的第三主族的掺杂物例如用硼（B）或镓（Ga）。
进一步地，在不同的示例性实施方式中，发射区106可被形成，用第二掺杂类型的掺杂物（也被称为第二类型的导体）进行掺杂，其中第二掺杂类型与第一掺杂类型相反，该用第二掺杂类型的掺杂物例如用n掺杂类型的掺杂物，该用n掺杂类型的掺杂物例如用周期系统的第五主族的掺杂物，该用周期系统的第五主族的掺杂物例如用磷（P）。
替代地，基区可用第二掺杂类型的掺杂物进行掺杂，该用第二掺杂类型的掺杂物例如用n掺杂类型的掺杂物，该用n掺杂类型的掺杂物例如用周期系统的第五主族的掺杂物，该用周期系统的第五主族的掺杂物例如用磷（P）。在这种情况下，发射区106可用第一掺杂类型的掺杂物进行掺杂，该用第一掺杂类型的掺杂物例如用p掺杂类型的掺杂物，该用p掺杂类型的掺杂物例如用周期系统的第三主族的掺杂物，该用周期系统的第三主族的掺杂物例如用硼（B）。
更进一步地，在不同的示例性实施方式中，可选地在发射区106中，第一发射区108可被形成为具有相对较低的第二掺杂类型的掺杂物的掺杂浓度而第二发射区110具有相对于第一发射区108中的第二掺杂类型的掺杂物的掺杂浓度有所增加的第二掺杂类型的掺杂物的掺杂浓度。如下面将更详细地说明的，选择性发射极的区域从第二发射区被形成。发射区106与基区104一起形成例如p-n结。在不同的示例性实施方式中，第二发射区110被设置为与接触指112物理接触。
在不同的示例性实施方式中，防反射涂层（例如，包括氮化硅或由氮化硅组成的）任选地可被引介在衬底102的暴露的上表面上（在基极104的暴露的上表面上）。
在不同的示例性实施方式中，具有增加的掺杂浓度的区域被合适的掺杂物（如例如磷）掺杂。在不同的示例性实施方式中，第二类型的导体可以是p型导体而第一类型的导体可以是n型导体。替代地，在不同的示例性实施方式中，第二类型的导体可以是n型导体而第一类型的导体可以是p型导体。
在不同的示例性实施方式中，具有增加的掺杂浓度的区域（即，例如第二发射区110）可用用于用第二类型的导体掺杂的掺杂物以约1018cm-3至约1022cm-3的范围内的表面掺杂浓度进行高度掺杂，如前面参考图1A所述。用第二类型的导体高度掺杂的区域中的涂层电阻在约10欧姆/sq至约80欧姆/sq的范围内，如前面参考图1A所述。
进一步地，在不同的示例性实施方式中，其它发射区（即，例如第一发射区108）可用第二类型的导体、用用于用第二类型的导体掺杂的掺杂物以约1018cm-3至约2*1021cm-3的范围内的表面掺杂浓度进行低度掺杂，如前面参考图1A所述。低度掺杂区域（即，例如第一发射区108）中的涂层电阻在约60欧姆/sq至约300欧姆/sq的范围内，如前面参考图1A所述。
以这种方式，显而易见的是，如下面将更详细地说明的，选择性发射极至少被形成在光伏涂层的正面上。
在发射区106的掺杂（通过例如气相扩散）之后，在磷扩散的情况下，磷硅酸盐玻璃可在例如2.5%至25%的HF溶液中通过PSG蚀刻被移除。
在不同的示例性实施方式中执行掺杂之后，最高可能的欧姆半导体/金属接触部（例如硅/金属接触部）可被制作在发射极106上，即例如在第二发射区110的暴露的上表面上，例如在太阳能电池100b的背面。
这在不同的示例性实施方式中可以以接触网格的形状（通常是金属化结构，例如以金属化网格的形状）产生，接触网格通过印刷工艺（例如通过丝网印刷工艺）或者例如从气相通过物理气相沉积工艺（例如通过溅射）而形成。接触网格可包括多个分离的金属区域，例如多个接触线或接触点，例如多个接触指112。接触指112可被设置为例如相对于彼此间隔一定距离且互相平行。
因此，显而易见的是，在不同的示例性实施方式中，金属化结构112被形成在太阳能电池100b的高度掺杂区域（例如，第二发射区110）。在不同的示例性实施方式中，金属化结构112（也被称为接触结构112）可例如通过利用荫罩（shadow mask）被蒸发(evaporate)或溅镀。可选地，在不同的示例性实施方式中，所引入的金属化结构112可例如以电化学的方式被后续加固。
可选地，在不同的示例性实施方式中，接触硅化物（未图示）可被形成在金属化结构112的上面。
在不同的示例性实施方式中，太阳能电池100b（如图1B中所示）包括钝化发射极和钝化正面，其中该太阳能电池已经或者将会通过准单晶衬底（例如，通过准单晶硅）被形成。这意味着钝化层结构（下文中也称为正面钝化物）114被提供在衬底102的正面上从而例如在基区104的暴露的上表面上，该钝化层结构是局部开口的。钝化层结构114可包括一或多个电介质层，例如一或多个氧化物层和/或一或多个氮化物层。因此，钝化层结构114可包括第一钝化层（例如由热氧化硅（其可以与衬底物理接触）制成的或者由氮化硅制成的或者由氧化铝制成的）以及由被引介在第一钝化层上的另外的材料制成的第二钝化层（例如由氮化硅制成的）。
不言而喻的是，在太阳能电池的正面、入射光侧上的钝化物114是可被相应的入射电磁辐射（光）穿透的。
根据不同的实施方式，太阳能电池100b可包括增加的产率或效率，因为太阳能电池的正面上的接触部的已调间距助长了入射光进入基极104的数量。换句话说，正面接触部的最佳间距可提高太阳能电池100b的效率（考虑到串联电阻损耗）。
进一步地，介电钝化物可被置于接触部112（接触指112）之间。
进一步地，如图1B中所示的正面接触部126、128、130、132可被安装为例如具有可变间距（例如节距）的接触指。
根据不同的示例性实施方式，图1B中所示的太阳能电池100b可以是由具有可变的正面指间距的准单晶硅制成的n型太阳能电池。进一步地，太阳能电池100b可类似于PERC太阳能电池，但是其中发射极已经或者将被形成在电池的背面上。
从而，接触指的间距可被调整以调整衬底的电阻，以便使因过高的串联电阻而来的电力损耗最小化。由于在常规制造的硅晶片和/或太阳能电池中，电阻在晶片表面上可在很大程度上是不变的，所以在常规的太阳能电池中可选择固定间距的接触指。
如前所述，直接接触晶片的接触部和/或接触指126、128、130、132的间距只在表面的某些部分上的接触部之间间隔固定距离的情况下是最佳的，而在其它部分上，则可因过高的串联电阻（间隔过大的指间距）或过高的光遮蔽（间隔过小的指间距）而出现损耗。
根据不同的示例性实施方式，太阳能电池100b可包括接触指的在电池正面上的晶片表面上变化的间距。可选地，指高度（接触部的高度）是或者可以是沿着晶片表面变化的。从而，在具有大的指间距的区域中可适配或选择大的指高度而在具有小的指间距的区域中可适配或选择小的高度。从而，例如，可被补偿的是，接触指中的电流在具有较大指间距的区域中比在具有较小指间距的区域中的接触指中包括更大的电流密度。换句话说，指高度在接触中被调整或可被调整以调整局部电流密度或电流流量。
根据不同的示例性实施方式，太阳能电池100b的正面可被介电钝化，例如没有所谓的前表面场（Front-Surface-Field）（正面场）。
图2示出了图形200，其中净掺杂和电阻率202相对于锭中的锭高度进行描绘，该锭在结晶阶段通过掺杂物的补偿（没有重配量）进行制造。如果在结晶方向上从该锭锯割晶片，则会出现电阻率202的相同的曲线，从衬底102的侧表面104发出（具体取决于衬底102上的位置）。图2示出了针对由磷材料制成的没有重配量掺杂物的标称p型硅块的图形200。
图2中示出了针对具有掺杂补偿的mc硅块的电阻率202和掺杂浓度206的曲线。通过衬底102的固化的硅中的掺杂物（例如，磷（P））的不佳的集成，相对掺杂浓度（例如，P浓度）上升到晶体表面（100%高度）且电阻增加。在用于从50-90%高度的区域形成衬底102的晶片的垂直锯割中，如所示，每个晶片上的材料电阻率会被改变，例如在1.5Ohm-cm和3Ohm-cm之间。
在图形200中，下面的特征曲线被描绘：
-第一特征曲线208，其代表电阻率的曲线；
-第二特征曲线210，其代表净掺杂（也被称为基极掺杂）的曲线；
-第三特征曲线212，其代表p掺杂浓度（例如，硼（B））的曲线；以及
-第四特征曲线214，其代表n掺杂浓度（例如，磷（P））的曲线。
图3示出了第二个图形300，其中在特征曲线306中，净掺杂302相对于锭中的锭高度304进行描绘，该锭在结晶阶段通过掺杂物的重配量进行制造。
在该实施例的p掺杂和n掺杂的块中，在结晶过程中，p掺杂物被分批供应，以便补偿净掺杂浓度的下降，即比电阻的增加。但是，块高度上的电阻在0.5和约2.5Ohm-cm之间变化（参见特征曲线306）。在晶片在结晶方向上的垂直锯割过程中，这些变化发生在晶片上，换句话说，沿着晶片的背面表面发生。
在熔体（melt）中，例如磷（P）的富集表现在结晶的曲线中，特别是在n型块中。
此外，如果相限制表面（phase limiting surface）在结晶过程中不是水平延伸，则变化的电阻曲线可表现在常规锯割的晶片中。凸相限制形状以及凹相限制形状导致在晶片表面上的基极电阻梯度。
因此，示例性实施方式并不限于准单太阳能电池，反而可被用在任何太阳能电池衬底上，其中该衬底的电导率的梯度沿着基区104的下表面出现。举例来说，衬底可包括{100}晶体取向。
因此，在不同的示例性实施方式中，若干区域（例如，第一区域和第二区域）因而包括不同的电导率，其中第一区域包括至少第一电导率而第二区域包括至少第二电导率，第二电导率大于第一电导率。
另一方面，参考图1A和图1B，在太阳能电池100a、100b中，多个通口（throughopening）（也被称为通孔）穿过钝化层结构114被形成且用导电材料（例如，含金属的材料（例如含银和/或铝的材料））填充所述通口。所以，例如可用含银和/或铝的丝网印刷糊填充所述通口并使之变硬。从而，局部的接触部（正面接触部和/或背面接触部）116、118、120、122、124被形成，所述接触部分别可例如通过钝化层结构114彼此电绝缘。可选地，所述局部的接触部（正面接触部和/或背面接触部）116、118、120、122、124可通过钝化层114上的金属层或金属结构（结构化的金属层）彼此电连接。所述接触部（正面接触部和/或背面接触部）在一起显然在衬底102的表面（正面和/或背面）上形成接触结构。在钝化物的各个开口中的接触部以各个接触部116、118、120、122、124与衬底102的表面电接触这样的方式被提供。
通口或通孔从而甚至接触部（正面接触部和/或背面接触部）116、118、120、122、124可基本上包括任何形状，例如可被构造为至少部分线状的和/或至少部分点状的。线状的接触部116、118、120、122、124可被设置为直线形或弓形。此外，线状的背面接触部116、118、120、122、124可被设置为平行线或放射状。
接触部（正面接触部和/或背面接触部）116、118、120、122、124被分别设置为彼此间隔一定距离。因此，例如第一接触部116和第二接触部118可被设置为彼此间隔第一距离126（例如，间隔约50μm的距离（例如，节距））。进一步地，例如第二接触部118和第三接触部120可被设置为彼此间隔第二距离128（例如，间隔约500μm的距离（例如，节距））。进一步地，例如第三接触部120和第四接触部122可被设置为彼此间隔距离130（例如，间隔约1mm的距离（例如，节距））。最后，例如第四接触部122和第五接触部124可被设置为彼此间隔距离132（例如，间隔约5mm的距离（例如，节距））。
一般而言，两个相应的（例如，相邻的）接触部之间的相应的距离可在例如约50μm（在基区的较低电导率的区域中）至约5mm（在基区的高电导率的区域中）的范围内（例如在约50μm至约3mm的范围内，例如在约100μm至约2mm的范围内，例如在约300μm至约2mm的范围内）进行选择。所述接触部可包括（例如，如果它们被构造为线状的）在约10μm至约200μm的范围内（例如在约30μm至约100μm的范围内，例如在约50μm至约70μm的范围内）的线状的宽度。
因而，一般而言，接触结构（正面接触结构和/或背面接触结构）包括多个接触部116、118、120、122、124，其中（至少）两个接触部（例如第一接触部116和第二接触部118）被设置为在第一区域中彼此间隔一定距离（例如第一距离126），且其中两个更远的接触部（例如第三接触部120和第四接触部122）被设置为在第二区域中彼此间隔另一距离（例如第三距离130）。第二区域的其它接触部之间的其它距离大于第一区域的接触部之间的距离。
衬底102可通常包括任意数量的不同电导率的区域且接触部（正面接触部和/或背面接触部）的间距根据或可根据各自的电导率进行选择。因此，衬底102可包括例如第三区域，其中该第三区域包括至少一个第三电导率，第三电导率大于第二电导率，且仍可有两个更远的接触部被设置为在第三区域中，彼此间隔第三距离。该第三距离可大于第二距离。
因此，在不同的示例性实施方式中，太阳能电池可被构造为PERC太阳能电池100a，或者被改造为具有钝化背面发射极和钝化正面的太阳能电池100b。
在不同的示例性实施方式中，在具有点状或条状的局部接触部116、118、120、122、124的太阳能电池100a、100b中，其中所包括的接触结构的最佳间距（节距）取决于晶片的电阻率。在小电阻率，在每两个接触部116、118、120、122、124之间可选择较大的距离，晶片材料的侧向电阻不制约效率。
如果PERC太阳能电池结构在具有电阻率的（近似）线状的曲线的准单晶片上进行处理且如同以常规方式选择固定（即总是相同的）节距的背面接触部，则在晶片上总是有区域，对这些区域而言，节距的局部比电阻不是最佳的且因此必定承受效率损失。
公认的是，在太阳能电池中，具有比电阻的（近似）线状的曲线的准单晶片上的这些损耗可被减少，同时在太阳能电池的正面接触部和/或背面接触部，晶片上的局部的背面接触部的节距（一般是距离）可被改变，使得针对各个局部材料比电阻的节距（一般是距离）被调整得最佳。为了制造这样的太阳能电池，首先，晶片的电阻（或者电导率）的曲线被测定且（例如借助模型）最佳的间距被确定为电阻或电导率的函数。然后，用于该间距（例如，节距）的合适的值被转用（transfer）在用于布置局部接触部的布局中。在后续步骤中，在对应于该布局的背面通过激光使钝化层开口，然后，接触部116、118、120、122、124被形成。因此，钝化层114包括激光烧蚀的区域，所述接触结构被布置在该区域中。
替代地，可利用合适的用于布置接触部的布局在通过激光工艺（例如，通过激光发射接触部）引入金属化层之后处理接触结构。
图4示出了按照根据不同的示例性实施方式的图1A的太阳能电池100a的背面的仰视图400或者还有按照根据不同的示例性实施方式的图1B的太阳能电池100b的正面的俯视图400，其中在图4中描绘了分别比图1A和图1B中更多的线状的接触部116、118、120、122、124、402、404、406、408、410、412、414、416；根据不同的示例性实施方式，一般而言，可在太阳能电池的正面和/或背面提供任意数量的接触部116、118、120、122、124、402、404、406、408、410、412、414、416。
如图4中所示，接触部116、118、120、122、124、402、404、406、408、410、412、414、416可彼此平行地进行设置，但是替代地，它们也可彼此成角度地进行设置。此外，它们可被构造为波状的或弯曲的或锯齿状的。
如果所示线状的接触部被装在太阳能电池的正面，则这些线状的接触部可进一步被连接到一或多个所谓的汇电条（busbar）。这些汇电条可例如基本上垂直于所示线状的接触部。此外，这些汇电条可以以类似的或不同的方式被转用（transfer）在下列附图上。
图5根据不同的示例性实施方式示出了另一太阳能电池的背面的仰视图500或者另一太阳能电池的正面的俯视图500。除了在该实施例中可被构造为点状（例如，从而圆形（circular）或者椭圆形或者具有其它圆形（round）或接近圆形（rounded-off）的形状）的接触部502的形状之外，该太阳能电池的其它元件可以以相同的方式进行构造，如同根据图1A和图1B的太阳能电池100a、100b的那些元件。一般而言，接触部502可以以规则图案或者以不规则图案进行设置，但是其中即使在这些示例性实施方式中，接触部502之间的距离也可例如根据衬底的（例如，太阳能电池的基区的）电导率进行改变。点状接触部502可全部被构造为相同的尺寸或者也可部分具有不同的尺寸。
图6根据不同的示例性实施方式示出了另一太阳能电池的背面的仰视图600或者另一太阳能电池的正面的俯视图600。除了在该实施例中可被构造为星形（且线状的）的接触部602的布置之外（其中在这些示例性实施方式中，独立接触部602从左上角604发出（替代地，根据不同的示例性实施方式，从任意其它角606、608、610或者甚至从太阳能电池的边缘（例如，侧边704、706、708、710的中心）发出，如同图7中的视图700的接触部）），该太阳能电池的其它元件可以以相同的方式进行构造，如同根据图1A和图1B的太阳能电池100a、100b的那些元件。即使在这些示例性实施方式中，接触部602、702之间的距离也可例如根据衬底的（例如，太阳能电池的基区的）电导率进行改变。
图8根据不同的示例性实施方式示出了另一太阳能电池的背面的仰视图800或者另一太阳能电池的正面的俯视图800。除了在该实施例中可被构造为弓形（且例如彼此大约同中心）的接触部802的布置之外，该太阳能电池的其它元件可以以相同的方式进行构造，如同根据图1A和图1B的太阳能电池100a、100b的那些元件。即使在这些示例性实施方式中，接触部802之间的距离也可例如根据衬底的（例如，太阳能电池的基区的）电导率进行改变。在该实施例中，弓形（例如，圆形（circular））接触部802的中心可位于侧边（例如，侧边804、806、808、810的中心）。重要的是要注意，接触部802也可波状延伸。
图9根据不同的示例性实施方式示出了另一太阳能电池的背面的仰视图900或者另一太阳能电池的正面的俯视图900。除了在该实施例中可被构造为弓形（且例如相对于彼此大约同中心）的接触部902的布置之外，该太阳能电池的其它元件可以以相同的方式进行构造，如同根据图1A和图1B的太阳能电池100a、100b的那些元件。即使在这些示例性实施方式中，接触部902之间的距离也可例如根据衬底的（例如，太阳能电池的基区的）电导率进行改变。在该实施例中，弓形（例如，圆形（circular））接触部902的中心可位于衬底的角904、906、908、910。重要的是要注意，接触部902也可波状延伸。
在所示示例性实施方式中，在没有普遍性的限制的情况下分别假定较低电导率的区域（从而相对较高的接触部密度（较低的相对距离（opposite distance）））分别出现在太阳能电池的左边区域且电导率在向右的方向上例如单调（例如，高度单调）增加，从而，接触部的密度增加（即，接触部之间的距离下降）。
图10A、图10B和图10C各自示出了描绘根据不同的示例性实施方式的用于制造太阳能电池的方法的示意性流程图。
如图10A中所示，方法1000可包括如下步骤：在步骤1002中确定衬底的第一区域中的第一电导率，以及在步骤1004中确定衬底的第二区域中的第二电导率，其中假定第二电导率大于第一电导率。进一步地，在步骤1006中，在衬底的表面上形成钝化物。更进一步地，在步骤1008中，在衬底的该表面上形成接触结构，其中所述接触结构包括多个接触部，该多个接触部被钝化物的区域围绕，其中所述接触部的间距根据第一电导率和第二电导率进行限定。
进一步地，如图10B中所示，在步骤1006中，可在衬底的背面形成背面钝化物。更进一步地，在步骤1008中，可在衬底的背面形成背面接触结构，其中所述背面接触结构包括多个背面接触部，该多个背面接触部被背面钝化物的区域围绕，其中所述背面接触部彼此之间的距离可根据第一电导率和第二电导率进行限定。
进一步地，如图10C中所示，在步骤1006中，可在衬底的正面形成正面钝化物。更进一步地，在步骤1008中，可在衬底的正面形成正面接触结构，其中所述正面接触结构包括多个正面接触部，该多个正面接触部被正面钝化物的区域围绕，其中所述正面接触部彼此之间的距离可根据第一电导率和第二电导率进行限定。
如上所述，所述方法可被用于例如线状的（背面或正面）接触部。在这种情况下，晶片上的接触部条的间距可以变化。例如如果电阻率随着与接触线垂直的线状的曲线变化，则可使用所述方法。
在点状接触结构（例如，LFC接触部）的情况下，电阻的每一个二维变化可由两个方向上的最佳节距进行补偿。
下表示出了对于具有LFC背面接触部的PERC太阳能电池而言，最佳节距对电阻的依赖性的实施例：
0.3%abs.效率损失
在该实施例中，如果表中的最小节距（例如407μm）被用于最小的电阻（例如0.5Ohm-cm），则效率被减少0.3%abs.。
在不同的示例性实施方式中，太阳能电池被提供在具有与晶片边缘和线状的接触部平行的比电阻曲线的准单晶片上。该太阳能电池的制造可包括：确定作为离参考边缘的距离的函数的材料电阻；计算作为材料电阻的函数的接触结构的最佳线性距离；以及发射激光以产生钝化层的具有各自的间距的线状的开口，所述各自的间距与作为离参考边缘的距离的函数的最佳节距相对应。
在不同的示例性实施方式中，进一步地，太阳能电池被提供在具有材料比电阻和点状接触部（例如，LFC接触部）的任意变化例的准单晶片上。该太阳能电池的制造可包括：确定作为晶片上的位置的函数的材料电阻；计算作为材料电阻的函数的接触结构的最佳节距；建立具有各自的间距的点接触部的布局，所述各自的间距与最佳空间分辨节距（optimal spatially resolved pitch）相对应；以及发射激光以在钝化层中产生点结构。
显然，在不同的示例性实施方式中，提供了具有局部接触结构的太阳能电池，其中根据晶片上的位置改变间距（例如，节距）。太阳能电池可被构造在具有依赖于位置的电阻率的准单晶片上或者被构造在具有依赖于位置的电阻率的准单晶片中。比电阻在晶片上可被例如线性地改变。此外，接触部（正面接触部或背面接触部）可由线组成或者包括线，其对边距离依赖于晶片上的位置。接触部（也被称为背接触部（后接触部）或正接触部（前接触部））可由点组成或者包括点，其对边距离依赖于晶片上的位置。
进一步地，在不同的示例性实施方式中，提供了用于制造太阳能电池的方法，其中晶片的材料比电阻根据位置被测定；其中（例如利用仿真模型）针对各个具体的PERC太阳能电池或其它太阳能电池的优化的节距根据材料电阻被计算；其中接触部的布局被建立，该布局包括依赖于空间分辨材料电阻的优化的节距；以及具有该接触部布局的接触部通过所述方法被制造。
接触结构可由线组成或者包括线，其对边距离是变化的。此外，接触结构可由点组成或者包括点，其对边距离是变化的。

Claims (11)

1.一种太阳能电池，其包括：
具有第一区域和第二区域的衬底，其中所述第一区域包括至少第一电导率而所述第二区域包括至少第二电导率，其中所述第二电导率大于所述第一电导率，其中，所述衬底包括掺杂剖面，其中，所述掺杂剖面从所述衬底在所述第一区域中的第一边缘到所述衬底在所述第二区域中的至少第二边缘单调地变化，其中，所述第一区域和第二区域的电导率的差异依赖于所述掺杂剖面；
在所述衬底的表面上的钝化物；以及
在所述衬底的所述表面上的接触结构，其中所述接触结构包括多个接触部；
其中所述多个接触部中的两个接触部被设置为在所述第一区域中彼此间隔第一距离；
其中所述多个接触部中的两个更远的接触部被设置为在所述第二区域中彼此间隔第二距离；
其中所述第二距离大于所述第一距离，其中，所述第一距离和所述第二距离能够根据所述第一电导率和所述第二电导率变化。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中所述衬底包括{100}晶体取向。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池，
其中所述钝化物包括多个开口；
其中各个接触部以所述各个接触部与所述衬底的所述表面电接触这样的方式被提供在所述钝化物的各个开口中。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中所述接触部被构造为至少部分为线状和/或至少部分为点状。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中所述接触结构包括激光发射接触部。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中所述钝化物包括激光烧蚀区域，所述接触结构被设置在该区域中。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池，
其中所述衬底包括第三区域，其中所述第三区域包括至少第三电导率，所述第三电导率大于所述第二电导率；
其中两个更远的接触部被设置为在所述第三区域中，彼此间隔第三距离；以及
其中所述第三距离大于所述第二距离。
8.根据权利要求1所述的太阳能电池，
其中所述钝化物是背面钝化物，
其中所述衬底的所述表面是所述衬底的背面，
其中所述接触结构是背面接触结构，以及
其中所述接触部是背面接触部。
9.根据权利要求8所述的太阳能电池，其进一步包括：在所述衬底的正面上的发射极结构，该结构与所述衬底形成p-n结。
10.根据权利要求1所述的太阳能电池，
其中所述钝化物是正面钝化物，
其中所述衬底的所述表面是所述衬底的正面，
其中所述接触结构是正面接触结构，以及
其中所述接触部是正面接触部。
11.根据权利要求10所述的太阳能电池，其进一步包括：在所述衬底的背面上的发射极结构，该结构与所述衬底形成p-n结。
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