CN202219636U - 新型丝网印刷正电极网版 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及太阳能电池的生产技术方法领域，具体涉及一种新型丝网印刷正电极网版，包括带有数根细栅线、两根主栅线的网版本体，所述网版本体中间区域的细栅线密集程度大于网版本体其余区域的细栅线密集程度。本实用新型针对管式扩散炉扩散后硅片薄层电阻值的分布特点，设计各个区域密集程度不同的细栅线图形，有效提高了电性能、降低了烧结不良风险，减少了正银浆料的耗用。
Description
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池的生产技术方法领域，具体涉及一种新型丝网印刷正电极网版图形的设计。
背景技术
为进一步提高晶体硅太阳能电池的转换效率，各个晶体硅太阳能电池生产厂家都在推行高的扩散薄层电阻控制区间，得到更高的开路电压和短路电流，但填充因子相比较低扩散薄层电阻的硅片有一定的损失，且烧结窗口变窄，烧结不良比例会明显增加。为了保证填充因子和一定的烧结窗口，部分生产厂家采用了均匀加密设计的细栅线设计，比如针对125单晶电池片，通常的网版采用53根细栅线，而为了匹配较高的薄层电阻值，采用63根均匀加密细栅线设计来保证烧结后填充因子值，但是该图形网版明显增加了正电极银浆料的耗用，增加了成本；增大了遮光面积，影响电性能的有效增益。
发明内容
为解决上述问题，本实用新型提供一种针对管式扩散炉扩散后硅片薄层电阻值的分布特点，设计不同区域细栅线密集程度不同的新型丝网印刷正电极网版。
为实现上述目的，本实用新型所采用的技术方案为：
一种新型丝网印刷正电极网版，包括带有数根细栅线、两根主栅线的网版本体，所述网版本体中间区域的细栅线密集程度大于网版本体其余区域的细栅线密集程度。
作为上述方案的进一步设置，所述两根主栅线之间且位于中间区域的细栅线密集程度大于网版本体其余区域的细栅线密集程度。
所述两根主栅线之间且位于中间区域的各相邻细栅线间距为1.55-1.65mm。
所述网版本体其余区域的各相邻细栅线间距为2.2-2.4mm。
本实用新型新型丝网印刷正电极网版，结合管式扩散炉扩散后硅片薄层电阻值的分布特点，针对硅片中心区域薄层电阻较高特点，采用更加密集的细栅线设计，硅片边缘区域薄层电阻较低，仍采用常规密集程度的细栅线设计。采用本实用新型设计的新型丝网印刷正电极网版，正电极银浆料耗用明显低于采用均匀加密设计的细栅线设计的网版；印刷后栅线的遮光面积明显小于均匀加密细栅线设计的网版；而烧结窗口范围与均匀加密设计的细栅线网版一致，明显高于常规细栅线密集程度设计的网版。
本实用新型的网版的制版方式采用各种制版工艺均可。
以下结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步说明。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图；
图2为薄层电阻值的分布示意图。
具体实施方式
如图1所示，本实用新型新型丝网印刷正电极网版，包括带有数根细栅线1、两根主栅线2的网版本体3。网版本体3中间区域的细栅线1密集程度大于网版本体3其余区域的细栅线1密集程度。
优选的方案为：两根主栅线2之间且位于中间区域的细栅线1密集程度大于网版本体3其余区域的细栅线1密集程度。
其中，两根主栅线2之间且位于中间区域的各相邻细栅线1间距为1.55-1.65mm。网版本体3其余区域的各相邻细栅线1间距为2.2-2.4mm。
下面结合具体实施例对本实用新型做进一步的详细说明。
实施例1：
针对125×125mm（对角线为165mm）的P型单晶电池硅片，经过管式扩散炉扩散后，薄层电阻值中心区域高，离中心区域越远则薄层电阻值相对越小，薄层电阻值的分布示意如图2所示。图2中，薄层电阻值大小的排列为A部＞B部＞C部＞D部。
针对该薄层电阻值分布特点，设计的正电极网版如图1所示，非加密区域的细栅线1间距为2.346mm，加密区域的细栅线1间距为1.597mm；该正电极网版设计的两个主栅线2之间的细栅线1数量为68根，两根主栅线2外的细栅线数量为53根，每根细栅线1的宽度为0.08mm,每根主栅线2的宽度为1.8mm。网版为复合扎压网版，膜厚20μm，网布目数325目，线径23μm，网版张力为30N。
实施例2：
针对156×156mm（对角线为200mm）的P型单晶电池硅片，经过管式扩散炉扩散后，薄层电阻值中心区域高，离中心区域越远则薄层电阻值相对越小，薄层电阻值的分布情况与实施例1相同。
针对该薄层电阻值分布特点，设计的正电极网版如图1所示，非加密区域的细栅线1间距为2.25mm，加密区域的细栅线1间距为1.644mm；该正电极网版设计的两个主栅线2之间的细栅线1数量为83根，两根主栅线2外的细栅线1数量为68根，每根细栅线1的宽度为0.08mm,每根主栅线2的宽度为1.8mm。网版为复合扎压网版，膜厚20μm，网布目数325目，线径23μm，网版张力为30N。
本实用新型尤其适合采用管式扩散炉扩散后薄层电阻值整体较高控制区间的硅片，有效的降低烧结不良，提高了扩散后薄层电阻较高的硅片的烧结窗口范围。
上述实施例仅用于解释说明本实用新型的发明构思，而非对本实用新型权利保护的限定，凡利用此构思对本实用新型进行非实质性的改动，均应落入本实用新型的保护范围。
Claims (4)
1.一种新型丝网印刷正电极网版，包括带有数根细栅线、两根主栅线的网版本体，其特征在于：所述网版本体中间区域的细栅线密集程度大于网版本体其余区域的细栅线密集程度。
2.如权利要求1所述的新型丝网印刷正电极网版，其特征在于：所述两根主栅线之间且位于中间区域的细栅线密集程度大于网版本体其余区域的细栅线密集程度。
3.如权利要求2所述的新型丝网印刷正电极网版，其特征在于：所述两根主栅线之间且位于中间区域的各相邻细栅线间距为1.55-1.65mm。
4.如权利要求3所述的新型丝网印刷正电极网版，其特征在于：所述网版本体其余区域的各相邻细栅线间距为2.2-2.4mm。
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