CN109270696A - 3d膜的制备方法 - Google Patents
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Abstract
3D膜的制备方法,属于光学领域,本发明为解决现有3D膜隔行加工的方法存在利用率低的问题。本发明该方法包括以下步骤:步骤一、将1/2波长相位差膜的无离型膜一侧与硅胶基底贴合,然后将离型膜撕掉;步骤二、在1/2波长相位差膜上切割,形成等宽条形图案化结构;步骤三、在所述图案化结构的奇数行或偶数行的膜体上涂覆粘性涂层;步骤四、将剥离辅助膜通过粘性涂层与1/2波长相位差膜粘贴在一起;剥离辅助膜与1/2波长相位差膜之间粘性系数是硅胶基底与1/2波长相位差膜之间粘性系数的两倍以上;步骤五、借助剥离辅助膜将图案化结构的奇数行或偶数行的膜体整体剥离下来。
Description
技术领域
本发明属于立体显示技术领域,涉及制作3D偏光膜的工艺方法。
背景技术
偏振式立体显示是一种利用光线有“振动方向”的原理以实现原始图像的分解以及立体成像的3D显示方法,其主要是通过在显示装置上相邻行设置左旋和右旋的偏振膜(参见图1所示),从而向观看者输送两幅偏振方向不同的两幅画面,而当画面经过偏振眼镜时,由于偏振式眼镜的每只镜片只能接受一个偏振方向的画面,这样人的左右眼就能接收两组画面,再经过大脑合成立体影像。
目前横向奇偶阵列的3D偏振膜也是一种偏振显示的趋势,其原理是在偏光膜贴合一层横向间隔排列的相位膜,使得经过相位膜的光旋转90°,从而得到两种间隔排列的不同偏振方向的光线。
为了保证不同行的偏振膜的排列位置,大多采用的方法是在整面的偏振膜上构建图案,再将图案化结构中的无效区域进行剥离,参见图2剥离白色无效区域后形成间隔行的左旋相位差补偿膜,参见图3剥离白色无效区域后形成间隔行的右旋相位差补偿膜,这种方法存在的问题是,在无效区域剥离过程中,由于受力不均导致无效区域的间隔条状被拉断或拉扯变形,剥离下来的部分散乱无规则,不能被再次利用,导致1/2波片相位补偿膜的利用率低于50%,制作成本高。
发明内容
本发明目的是为了解决现有3D膜隔行加工的方法存在利用率低的问题,提供了一种3D膜的制备方法。
本发明所述3D膜的制备方法,该方法包括以下步骤:
步骤一、将1/2波长相位差膜的无离型膜一侧与硅胶基底贴合,然后将离型膜撕掉;
步骤二、在1/2波长相位差膜上切割,形成等宽条形图案化结构;
步骤三、在所述图案化结构的奇数行或偶数行的膜体上涂覆粘性涂层;
步骤四、将剥离辅助膜通过粘性涂层与1/2波长相位差膜粘贴在一起;
剥离辅助膜与1/2波长相位差膜之间粘性系数是硅胶基底与1/2波长相位差膜之间粘性系数的两倍以上;
步骤五、借助剥离辅助膜将图案化结构的奇数行或偶数行的膜体整体剥离下来。
优选地,步骤二的切割方法选用激光切割。
优选地,切割前每行宽为P+d,其中P为相位差补偿膜每行的目标宽度,d为激光的烧边宽度,切割形成的图案化结构中奇、偶行的宽度均为P。
优选地,激光切割硅胶基底的深度不超过0.06mm。
优选地,最上端和最下端切割线的右端/左端较中间的切割线而言稍长,同时所有切割线的另一端则保持平齐,形成等宽条形图案化结构,从而可以通过进一步的剥离形成仅有左端/右端与外框相连的间隔条状结构。
优选地,步骤三所述的粘性涂层采用硅胶实现。
优选地,所述剥离辅助膜采用PET、PC、PVC或TAC实现。
优选地,步骤三中涂覆粘性涂层时,将材料首先喷涂在目标行的中心位置,经辊压后均匀分布,且涂覆面积为目标区域的85%~95%。
优选地,步骤五剥离时的剥离角度不大于60度。
本发明的有益效果:切割3D膜传统工艺的无效区域可利用本发明方法将其整体剥离下来,并被有效的应用于LED偏振膜的制作中,即利用率是传统工艺的两倍,制作成本大幅度的降低。
附图说明
图1是隔行左旋、右旋的偏光片示意图;
图2是制作左旋隔行偏光片,剥离无效区域的原理示意图;
图3是制作右旋隔行偏光片,剥离无效区域的原理示意图;
图4是本发明所述3D膜的制备方法的步骤一的流程图;
图5是本发明方法步骤二的流程图;
图6是本发明方法步骤三的流程图;
图7是本发明方法步骤四的流程图;
图8是本发明方法步骤五剥离后硅胶基底+奇数行膜的示意图;
图9是本发明方法步骤五剥离后剥离辅助膜+偶数行膜的示意图;
图10是本发明方法的框架总流程图。
具体实施方式
以下将结合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式,借此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题,并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是,只要不构成冲突,本发明中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合,所形成的技术方案均在本发明的保护范围之内。
本发明利用剥离辅助膜将1/2波长相位差膜剥离为完成的奇数行隔行膜、偶数行隔行膜,无效区域被高效的利用,利用率大幅度提高,制作成本被降低。
第一个实施例:
一种3D膜的制备方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:
步骤一、将1/2波长相位差膜的无离型膜一侧与硅胶基底贴合,然后将离型膜撕掉;
激光切割硅胶基底的深度不超过0.06mm。
步骤二、在1/2波长相位差膜上切割,形成等宽条形图案化结构;
切割方法选用激光切割。激光半切图形一般存在烧边宽幅,大致0.1mm~0.2mm,这就要求设计切割Pitch是要考虑烧边宽度,本实施方式中的切割前每行宽为P+d,其中P为相位差补偿膜每行的目标宽度,d为激光的烧边宽度,切割形成的图案化结构中奇、偶行的宽度均为P。
切割前构画基准线,每行宽均为P+d,激光对准基准线进行烧结,烧边宽度d位于相邻两行之间,奇数行和偶数行的上下边界均被烧掉1/2d的宽度,最后形成的行宽为P。
最上端和最下端切割线的右端/左端较中间的切割线而言稍长,同时所有切割线的另一端则保持平齐,形成等宽条形图案化结构,从而可以通过进一步的剥离形成仅有左端/右端与外框相连的间隔条状结构。
步骤三、在所述图案化结构的奇数行或偶数行的膜体上涂覆粘性涂层;
粘性涂层采用硅胶实现。
涂覆粘性涂层时,将材料首先喷涂在目标行的中心位置,经辊压后均匀分布,且涂覆面积为目标区域的85%~95%。若涂满则影响剥离质量。
步骤四、将剥离辅助膜通过粘性涂层与1/2波长相位差膜粘贴在一起;
剥离辅助膜与1/2波长相位差膜之间粘性系数是硅胶基底与1/2波长相位差膜之间粘性系数的两倍以上;
步骤五、借助剥离辅助膜将图案化结构的奇数行或偶数行的膜体整体剥离下来。
剥离辅助膜采用PET、PC、PVC或TAC实现。
剥离时的剥离角度不大于60度。
剥离时,由于剥离辅助膜这一侧的粘性更大,因此,将涂有粘性涂层的膜体剥离下来,由于剥离下来的部分是粘在剥离辅助膜上,因此,其相对位置没有发生改变,其效用与留在硅胶基底上的部分是一样的,因此,利用率被大幅度提高。
剥离完成形成的两份隔行补偿膜可用于与LED贴合,相比于传统一用一弃的方式,此方法提高了相位膜的利用率也间接缩减了加工此相位膜所用的时间与成本,更高效。
第二个实施例:与第一实施例的区别在于,涂覆的粘性涂层是位于剥离辅助膜上,再与1/2波长相位补偿膜对位贴合,达到与第一个实施例相同的效果。
虽然本发明所揭露的实施方式如上,但所述的内容只是为了便于理解本发明而采用的实施方式,并非用以限定本发明。任何本发明所属技术领域内的技术人员,在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下,可以在实施的形式上及细节上作任何的修改与变化,但本发明的专利保护范围,仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (9)
1.一种3D膜的制备方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:
步骤一、将1/2波长相位差膜的无离型膜一侧与硅胶基底贴合,然后将离型膜撕掉;
步骤二、在1/2波长相位差膜上切割,形成等宽条形图案化结构;
步骤三、在所述图案化结构的奇数行或偶数行的膜体上涂覆粘性涂层;
步骤四、将剥离辅助膜通过粘性涂层与1/2波长相位差膜粘贴在一起;
剥离辅助膜与1/2波长相位差膜之间粘性系数是硅胶基底与1/2波长相位差膜之间粘性系数的两倍以上;
步骤五、借助剥离辅助膜将图案化结构的奇数行或偶数行的膜体整体剥离下来。
2.根据权利要求1所述3D膜的制备方法,其特征在于,步骤二的切割方法选用激光切割。
3.根据权利要求2所述3D膜的制备方法,其特征在于,切割前每行宽为P+d,其中P为相位差补偿膜每行的目标宽度,d为激光的烧边宽度,切割形成的图案化结构中奇、偶行的宽度均为P。
4.根据权利要求2所述3D膜的制备方法,其特征在于,激光切割硅胶基底的深度不超过0.06mm。
5.根据权利要求2所述3D膜的制备方法,其特征在于,最上端和最下端切割线的右端/左端较中间的切割线而言稍长,同时所有切割线的另一端则保持平齐,形成等宽条形图案化结构,从而可以通过进一步的剥离形成仅有左端/右端与外框相连的间隔条状结构。
6.根据权利要求1所述3D膜的制备方法,其特征在于,步骤三所述的粘性涂层采用硅胶实现。
7.根据权利要求1所述3D膜的制备方法,其特征在于,所述剥离辅助膜采用PET、PC、PVC或TAC实现。
8.根据权利要求1所述3D膜的制备方法,其特征在于,步骤三中涂覆粘性涂层时,将材料首先喷涂在目标行的中心位置,经辊压后均匀分布,且涂覆面积为目标区域的85%~95%。
9.根据权利要求1所述3D膜的制备方法,其特征在于,步骤五剥离时的剥离角度不大于60度。
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