CN108947554A - 一种SiC纳米线增强SiC多孔陶瓷复合材料及其制备方法 - Google Patents

一种SiC纳米线增强SiC多孔陶瓷复合材料及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108947554A
CN108947554A CN201810953446.4A CN201810953446A CN108947554A CN 108947554 A CN108947554 A CN 108947554A CN 201810953446 A CN201810953446 A CN 201810953446A CN 108947554 A CN108947554 A CN 108947554A
Authority
CN
China
Prior art keywords
sic
porous ceramic
nanowire
preparation
sic nanowire
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201810953446.4A
Other languages
English (en)
Inventor
李斌斌
黄海泉
毛帮笑
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nanjing University of Aeronautics and Astronautics
Original Assignee
Nanjing University of Aeronautics and Astronautics
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nanjing University of Aeronautics and Astronautics filed Critical Nanjing University of Aeronautics and Astronautics
Priority to CN201810953446.4A priority Critical patent/CN108947554A/zh
Publication of CN108947554A publication Critical patent/CN108947554A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C04B35/806—
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/56—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
    • C04B35/565—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/64—Burning or sintering processes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B38/00—Porous mortars, concrete, artificial stone or ceramic ware; Preparation thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/52—Constituents or additives characterised by their shapes
    • C04B2235/5208—Fibers
    • C04B2235/5216—Inorganic
    • C04B2235/524—Non-oxidic, e.g. borides, carbides, silicides or nitrides
    • C04B2235/5244—Silicon carbide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
    • C04B2235/6562—Heating rate

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)

Abstract

本发明公开了一种SiC纳米线增强SiC多孔陶瓷复合材料及其制备方法，属于陶瓷基复合材料领域，制备的SiC纳米线增强SiC多孔陶瓷材料具有强度高，韧性好，密度小，耐高温，孔径分布均匀等优点。该复合材料包括SiC纳米线和SiC多孔陶瓷基体，所述超长SiC纳米线通过原位自交联生长组成SiC多孔陶瓷基复合材料预制件，所述的SiC纳米线预制件中的超长SiC纳米线相互缠绕，交联成空间网状结构，所述的SiC多孔陶瓷基体填充于超长SiC纳米线的孔隙中；制备方法包括SiC纳米线预制件的制备、化学气相浸渗、先驱体浸渍烧结，该制备方法工艺简单，设备要求低，成本低，环保。

Description

一种SiC纳米线增强SiC多孔陶瓷复合材料及其制备方法
技术领域
本发明属于陶瓷基复合材料领域，尤其涉及一种SiC纳米线增强SiC多孔陶瓷复合材料及其制备方法。
背景技术
多孔SiC陶瓷是一种兼具结构性和功能性的陶瓷材料，由于其内部和表面存在大量贯通的及非贯通的孔，因此除了具备普通陶瓷的性能外，还具有许多特殊的性能，如较高的比表面积、优异的透过性能和特殊的吸音降噪性能等，在净化过滤、保温隔热、生物医疗、电子器件、航空航天和能源化工等各方面都有广泛的应用近些年来，在多孔SiC陶瓷传统制备工艺的基础上，新工艺及新的应用也不断发展拓宽，相关研究也比较丰富，已经成为陶瓷方向研究的热点。作为纳米增强体的一种，纳米线可通过裂纹偏转及桥连等增韧机制，有效改善单相陶瓷性能。在复合材料中，纳米线作为第二增强体引入到材料基体中，可对微区基体进行强韧化，有效提高基体抗裂纹扩展能力。SiC纳米线是一种性能优异的纳米增强体，拉伸强度可达到53.4GPa，远大于SiC纤维和SiC晶须。SiC纳米线是一种性能优异的纳米增强体，拉伸强度可达到53.4GPa，远大于SiC纤维和SiC晶须。
目前制备碳化硅多孔陶瓷的方法主要有造孔剂法，有机泡沫浸渍法，化学气相渗透法等。添加造孔剂法是将造孔剂加入陶瓷配料中，在坯体孔隙中让造孔剂占据一定的空间，再经过烧结，然后造孔剂离开坯体，原来所占据的空间就变成了气孔，以此来制备碳化硅多孔陶瓷，但制成的多孔陶瓷要求分散性较高的造孔剂；制品的气孔率不高；孔径的分布差，孔径大小难以控制。有机泡沫浸渍法是以有机泡沫为骨架，浸浆后干燥，然后高温烧成，在烧成过程中，有机物燃烧挥发，留下网络结构的陶瓷体，但是有机泡沫和水基浆料兼容性不够好，挂浆量少，从而使制品的强度降低。化学气相渗透工艺是利用化学气相沉积的原理，使沉积物与基底物质发生化学反应，最终通过烧结而制备多孔陶瓷材料的新方法，但缺点是制备过程中有碳夹心存在，这不利于制品性能进一步提高。综上所述，现阶段中北碳化硅多孔陶瓷的方法普遍存在气孔分布不均匀，强度不高等现象。申请号为201410828518.4的发明专利公开了一种Cf/SiC多孔陶瓷及其制备方法，该方法克服了碳化硅多孔陶瓷孔隙率低，强度低的特点。但加入的短切碳纤维和陶瓷基体的有效结合面积小，强度不可观且孔隙分布也不均匀。申请号为201410456770.7的发明专利公开了一种晶须增强SiC多孔陶瓷材料及其制备方法，该方法提高了多孔陶瓷的强度，但同样孔隙分布不够均匀。因此迫切需要加入一种能同时提高多孔陶瓷的强韧性和孔隙分布的材料。
创新点：本发明通过在碳化硅多孔陶瓷中加入碳化硅纳米线，结合化学气相浸渍和先驱体浸渍裂解工艺，有效的提高碳化硅多孔陶瓷的孔隙分布，强度和韧性。
发明内容
本发明提供了一种SiC纳米线增强SiC多孔陶瓷复合材料及其制备方法，所制备的SiC纳米线增强SiC多孔陶瓷复合材料强韧性好，孔隙分布均匀。
为实现以上目的，本发明采用以下技术方案：
一种SiC纳米线增强SiC陶瓷复合材料，包括超长SiC纳米线，SiC多孔陶瓷基体；所述SiC纳米线的平均直径为20nm-80nm，平均长度为1mm-10mm，所述的超长SiC纳米线通过原位生长自交联组成均匀的空间网格结构的预制体，所述SiC多孔陶瓷基体填充于超长SiC纳米线预制体的孔隙之中，所述SiC陶瓷多孔基体质量占复合材料的50％-70％。
一种SiC纳米线增强SiC陶瓷基复合材料的制备方法，包括以下步骤：
(1)将一定形状三聚氰胺泡棉热解得到碳泡棉基体，之后将碳泡棉浸渍于浓的硝酸镍酒精溶液中，随即取出烘干备用；
(2采用化学气相沉积法原位生长碳化硅纳米线，将(1)中烘干的碳泡棉放置于管式炉中，抽真空，以20℃/min的速率升温至1100-1200℃，之后以比例1∶10∶10通入三氯甲基硅烷，氢气，氩气，保温6-8h，保持管式炉内真空，随炉冷却至500-600℃，以100-150SCCM的流量通入氧气3-4h，去除碳泡棉基体；
(3)将步骤(2)中所得SiC纳米线预制体进行循环先驱体真空浸渍烧结，浸渍液为聚碳硅烷的二甲苯的溶液，真空度压强为1Pa-2Pa，加压至1.5MPa-2Mp，固化交联温度为80℃-120℃，时间为10h-12h；烧结时先以5℃/min的速率升温至800℃，再以3℃/min的速率升温至1200℃，保温2h-3h，再以3℃/min的速率降温至800℃，之后随炉冷却至室温，浸渍烧结裂解循环次数为2次-3次；步骤(3)中所述的聚碳硅烷与二甲苯的比例为1g∶(1-5)ml。
本发明的有益效果是：本发明提供了一种SiC纳米线增强SiC多孔陶瓷复合材料及其制备方法，制备的SiC纳米线增强SiC多孔陶瓷具有强度高，韧性好，密度小，耐高温，孔径分布均匀等优点。
附图说明
图1为本发明制备的SiC纳米线增强SiC多孔陶瓷复合材料的SEM形貌图。
具体实施方式
实施例1
(1)SiC纳米线预制体的制备：
1)将一定形状三聚氰胺泡棉热解得到碳泡棉基体，之后将碳泡棉浸渍于浓的硝酸镍酒精溶液中，随即取出烘干备用；
2)采用化学气相沉积法原位生长碳化硅纳米线，将1)中烘干的碳泡棉放置于管式炉中，抽真空，以20℃/min的速率升温至1100℃，之后以比例1∶10∶10通入三氯甲基硅烷，氢气，氩气，保温6h，保持管式炉内真空，随炉冷却至500℃，以100SCCM的流量通入氧气3h，去除碳泡棉基体；
(2)SiC纳米线增强SiC陶瓷基多孔复合材料的制备：
将步骤(1)中所得SiC纳米线预制体进行循环先驱体真空浸渍烧结，浸渍液为聚碳硅烷的二甲苯的溶液，真空度压强为1Pa-2Pa，加压至1.5MPa-2Mp，固化交联温度为80℃，时间为10h；烧结时先以5℃/min的速率升温至800℃，再以3℃/min的速率升温至1200℃，保温2h，再以3℃/min的速率降温至800℃，之后随炉冷却至室温，浸渍烧结裂解循环次数为2次；
实施例2
(1)SiC纳米线预制体的制备：
1)将一定形状三聚氰胺泡棉热解得到碳泡棉基体，之后将碳泡棉浸渍于浓的硝酸镍酒精溶液中，随即取出烘干备；
2)采用化学气相沉积法原位生长碳化硅纳米线，将1)中烘干的碳泡棉放置于管式炉中，抽真空，以20℃/min的速率升温至1150℃，之后以比例1∶10∶10通入三氯甲基硅烷，氢气，氩气，保温7h，保持管式炉内真空，随炉冷却至500℃，以120SCCM的流量通入氧气3h，去除碳泡棉基体；
(2)SiC纳米线增强SiC陶瓷基多孔复合材料的制备：
将步骤(1)中所得SiC纳米线预制体进行循环先驱体真空浸渍烧结，浸渍液为聚碳硅烷的二甲苯的溶液，真空度压强为1Pa-2Pa，加压至1.5MPa-2Mp，固化交联温度为100℃，时间为11h；烧结时先以5℃/min的速率升温至800℃，再以3℃/min的速率升温至1200℃，保温2h，再以3℃/min的速率降温至800℃，之后随炉冷却至室温，浸渍烧结裂解循环次数为3次；
实施例3
(1)SiC纳米线预制体的制备：
1)将一定形状三聚氰胺泡棉热解得到碳泡棉基体，之后将碳泡棉浸渍于浓的硝酸镍酒精溶液中，随即取出烘干备用；
2)采用化学气相沉积法原位生长碳化硅纳米线，将1)中烘干的碳泡棉放置于管式炉中，抽真空，以20℃/min的速率升温至1200℃，之后以比例1∶10∶10通入三氯甲基硅烷，氢气，氩气，保温8h，保持管式炉内真空，随炉冷却至500℃，以150SCCM的流量通入氧气3h，去除碳泡棉基体；
(2)SiC纳米线增强SiC陶瓷基多孔复合材料的制备：
将步骤(1)中所得SiC纳米线预制体进行循环先驱体真空浸渍烧结，浸渍液为聚碳硅烷的二甲苯的溶液，真空度压强为1Pa-2Pa，加压至1.5MPa-2Mp，固化交联温度为120℃，时间为12h；烧结时先以5℃/min的速率升温至800℃，再以3℃/min的速率升温至1200℃，保温3h，再以3℃/min的速率降温至800℃，之后随炉冷却至室温，浸渍烧结裂解循环次数为3次；
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (5)

1.一种SiC纳米线增强SiC多孔陶瓷复合材料，其特征在于，包括SiC纳米线，SiC陶瓷多孔基体；所述的SiC纳米线通过原位生长自交联组成均匀的空间网格结构的预制体，所述SiC多孔陶瓷基体填充于SiC纳米线的孔隙之中，所述SiC多孔陶瓷基体质量占复合材料的50％-70％。
2.根据权利要求1所述的SiC纳米线增强SiC多孔陶瓷复合材料，其特征在于，所述复合材料的密度为0.5-1.2g/cm3。
3.根据权利要求1所述的SiC纳米线增强SiC多孔陶瓷复合材料，其特征在于，所述SiC纳米线的平均直径为20nm-80nm，平均长度为1mm-10mm。
4.一种SiC纳米线增强SiC多孔陶瓷复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)采用常压CVD法在碳泡棉基体上制备SiC纳米线，之后高温氧化去除碳泡棉基体得到SiC纳米线预制体；
(2)将步骤(1)中所得SiC纳米线预制体进行循环先驱体真空浸渍烧结，浸渍液为聚碳硅烷的二甲苯的溶液，真空度压强为1Pa-2Pa，加压至1.5MPa-2Mp，固化交联温度为80℃-120℃，时间为10h-12h；烧结时先以5℃/min的速率升温至800℃，再以3℃/min的速率升温至1200℃，保温2h-3h，再以3℃/min的速率降温至800℃，之后随炉冷却至室温，浸渍烧结裂解循环次数为2次-3次。
5.根据权利要求4所述的SiC纳米线增强SiC多孔陶瓷复合材料的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述的聚碳硅烷与二甲苯的比例为1g∶(1-5)ml。
CN201810953446.4A 2018-08-13 2018-08-13 一种SiC纳米线增强SiC多孔陶瓷复合材料及其制备方法 Pending CN108947554A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810953446.4A CN108947554A (zh) 2018-08-13 2018-08-13 一种SiC纳米线增强SiC多孔陶瓷复合材料及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810953446.4A CN108947554A (zh) 2018-08-13 2018-08-13 一种SiC纳米线增强SiC多孔陶瓷复合材料及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN108947554A true CN108947554A (zh) 2018-12-07

Family

ID=64472955

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810953446.4A Pending CN108947554A (zh) 2018-08-13 2018-08-13 一种SiC纳米线增强SiC多孔陶瓷复合材料及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108947554A (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109913686A (zh) * 2019-01-07 2019-06-21 南京航空航天大学 一种表面改性SiC增强铝基复合材料及其制备方法
CN110256082A (zh) * 2019-05-17 2019-09-20 浙江理工大学 反应烧结制备单晶碳化硅纳米纤维/碳化硅陶瓷基复合材料的方法
CN110483053A (zh) * 2019-09-25 2019-11-22 哈尔滨工业大学 一种用于高温吸波的SiC纳米线/SiC多孔陶瓷的制备方法
CN111848196A (zh) * 2020-07-24 2020-10-30 北京航空航天大学 一种原位碳化硅纳米线增韧碳化硅陶瓷的制备方法
CN113603500A (zh) * 2021-08-04 2021-11-05 西北工业大学 一种层状结构非氧化物陶瓷纳米线泡沫及制备方法
CN114276163A (zh) * 2022-01-25 2022-04-05 西安交通大学 一种耐高温的轻质高强多孔陶瓷及其制备方法
CN114702328A (zh) * 2022-04-13 2022-07-05 西安交通大学 一种SiC纳米线网络增强层状多孔SiC陶瓷及其制备方法
CN116535238A (zh) * 2023-04-27 2023-08-04 西北工业大学 一维微纳米硅基陶瓷基底表面原位生长辐射状SiC纳米线及制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090110126A (ko) * 2008-04-17 2009-10-21 한국원자력연구원 농도구배를 갖는 탄화규소 일차원 나노구조의 성장에 의한균일한 밀도의 섬유강화 복합체의 제조방법 및 이를이용하여 제조된 섬유강화 복합체
CN107686366A (zh) * 2017-07-20 2018-02-13 西北工业大学 一种纳米线和晶须协同增韧陶瓷基复合材料的制备方法
CN108117403A (zh) * 2017-12-13 2018-06-05 南京航空航天大学 一种SiC纳米线增强SiC陶瓷基复合材料及其制备方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090110126A (ko) * 2008-04-17 2009-10-21 한국원자력연구원 농도구배를 갖는 탄화규소 일차원 나노구조의 성장에 의한균일한 밀도의 섬유강화 복합체의 제조방법 및 이를이용하여 제조된 섬유강화 복합체
CN107686366A (zh) * 2017-07-20 2018-02-13 西北工业大学 一种纳米线和晶须协同增韧陶瓷基复合材料的制备方法
CN108117403A (zh) * 2017-12-13 2018-06-05 南京航空航天大学 一种SiC纳米线增强SiC陶瓷基复合材料及其制备方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109913686A (zh) * 2019-01-07 2019-06-21 南京航空航天大学 一种表面改性SiC增强铝基复合材料及其制备方法
CN110256082A (zh) * 2019-05-17 2019-09-20 浙江理工大学 反应烧结制备单晶碳化硅纳米纤维/碳化硅陶瓷基复合材料的方法
CN110483053A (zh) * 2019-09-25 2019-11-22 哈尔滨工业大学 一种用于高温吸波的SiC纳米线/SiC多孔陶瓷的制备方法
CN110483053B (zh) * 2019-09-25 2021-08-20 哈尔滨工业大学 一种用于高温吸波的SiC纳米线/SiC多孔陶瓷的制备方法
CN111848196A (zh) * 2020-07-24 2020-10-30 北京航空航天大学 一种原位碳化硅纳米线增韧碳化硅陶瓷的制备方法
CN113603500A (zh) * 2021-08-04 2021-11-05 西北工业大学 一种层状结构非氧化物陶瓷纳米线泡沫及制备方法
CN114276163A (zh) * 2022-01-25 2022-04-05 西安交通大学 一种耐高温的轻质高强多孔陶瓷及其制备方法
CN114276163B (zh) * 2022-01-25 2023-04-07 西安交通大学 一种耐高温的轻质高强多孔陶瓷及其制备方法
CN114702328A (zh) * 2022-04-13 2022-07-05 西安交通大学 一种SiC纳米线网络增强层状多孔SiC陶瓷及其制备方法
CN116535238A (zh) * 2023-04-27 2023-08-04 西北工业大学 一维微纳米硅基陶瓷基底表面原位生长辐射状SiC纳米线及制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108947554A (zh) 一种SiC纳米线增强SiC多孔陶瓷复合材料及其制备方法
CN106866148B (zh) SiC纳米线原位增强的SiCf/SiC复合材料及其制备方法
CN103553616B (zh) 原位生长SiC纳米线增强C/SiC复合材料及其制备方法
CN108117403A (zh) 一种SiC纳米线增强SiC陶瓷基复合材料及其制备方法
CN104150939B (zh) 一种电泳沉积CNTs增强陶瓷基复合材料的制备方法
CN110423119B (zh) 一种耐烧蚀C/SiC陶瓷基复合材料的制备方法
CN101195938B (zh) 一种皮芯结构微孔碳化硅纤维及其制备方法
CN107311682A (zh) 一种SiC纳米线增强Cf/SiC陶瓷基复合材料及其制备方法
CN107759251B (zh) 一种多孔陶瓷表面高韧性陶瓷涂层的制备方法
CN103804006B (zh) 一种透波型Si3N4纤维增韧Si3N4陶瓷基复合材料的制备方法
CN102330328A (zh) 一种三维纤维/碳纳米管多级增强体及其制备方法
CN105541416A (zh) 一种C/C复合材料表面HfC-SiC涂层的制备方法
CN107602127B (zh) SiC空心球及其制备方法
CN109851381B (zh) 一种C/SiC-ZrC-TiC-Cu复合材料及其制备方法
CN114573357A (zh) 一种SiC纳米线增强SiC陶瓷基复合材料及其制备方法
CN108129156A (zh) 一种碳陶复合材料及其先驱体浸渍制备方法
CN114524674B (zh) 一种防热-隔热-承载一体化轻质碳-陶复合材料及其制备方法
CN112645725A (zh) 一种带有台阶结构的陶瓷基复合材料构件及其制备方法
CN100572622C (zh) 微孔碳化硅纤维及其制备方法
CN104150938B (zh) 一维碳化铪HfC材料改性炭/炭复合材料的制备方法
CN108329043A (zh) 一种SiC纳米线增强SiC陶瓷基复合材料及其制备方法
CN103724046A (zh) 一种SiC泡沫及其制备方法
CN104926342B (zh) 一种氧化铝纤维织物增强碳化硅陶瓷及其制备方法
CN114645449A (zh) 一种聚酰亚胺树脂碳改性C/C-SiC摩擦材料的制备方法
CN109608235A (zh) 一种c/c复合材料异形件的凝胶熔渗陶瓷化改性方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20181207