CN108899334A - 阵列基板及其制造方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种阵列基板及其制造方法、显示装置，属于显示技术领域。该阵列基板包括：衬底基板；衬底基板的显示区域中设置有TFT，衬底基板的引线区域中设置有过孔，过孔中设置有有机填充物；衬底基板的引线区域中还设置有连接线，该连接线与TFT电连接，且制成连接线的材料包括柔性导电材料。由于制成连接线的材料包括柔性导电材料，该柔性导电材料具有导电性，且不易被折断，因此在对引线区域进行弯折时，降低了该引线区域中的连接线发生断线的概率，有效的提高了显示装置的良品率。

Description

阵列基板及其制造方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及其制造方法、显示装置。
背景技术
为了提高用户使用显示装置的舒适度，显示装置的屏幕尺寸越来越大，显示装置整体的尺寸也随着屏幕尺寸的不断变大而变大。但是显示装置整体的尺寸超过一定的大小不仅会影响用户的使用效果，而且会影响用户的视觉效果，因此，需要减小屏幕周围的边框使显示装置整体的尺寸不会太大。
在相关技术中，显示装置中通常设置有阵列基板，该阵列基板具有显示区域和引线区域，该显示区域中设置有多根信号线，引线区域中设置有与多根信号线连接一一对应连接的多个连接线，该连接线用于连接信号线和驱动芯片。为了减小显示装置的边框，需要对阵列基板中的引线区域进行弯折。
在对引线区域进行弯折时，该引线区域的连接线容易断裂，导致显示装置的良品率较低。
发明内容
本申请提供了一种阵列基板及其制造方法、显示装置，可以解决现有的引线区域的连接线容易断裂，导致显示装置的良品率较低的问题。所述技术方案如下：
第一方面，提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括：
衬底基板；
所述衬底基板的显示区域中设置有TFT，所述衬底基板的引线区域中设置有过孔，所述过孔中设置有有机填充物；
所述衬底基板的引线区域中还设置有连接线，所述连接线与所述TFT电连接，且制成所述连接线的材料包括柔性导电材料。
可选的，所述连接线设置在所述有机填充物远离所述衬底基板的一侧。
可选的，所述连接线设置在所述有机填充物与所述衬底基板之间。
可选的，所述连接线与所述TFT的源漏极图形同层设置；
制成所述源漏极图形与所述连接线的材料包括：碳纳米管材料或金属材料。
可选的，所述过孔的个数为多个，多个所述过孔的排布方向与所述引线区域的弯折线平行。
可选的，多个所述过孔组成至少一排过孔列，每排所述过孔列中的任意相邻的两个过孔相连。
可选的，每个所述过孔的形状为椭圆形、六边形或菱形。
第二方面，提供了一种阵列基板的制造方法，所述方法包括：
在衬底基板的显示区域中形成TFT；
在所述衬底基板的引线区域中形成过孔；
在形成有所述过孔的衬底基板上形成连接线以及填充在所述过孔内的有机填充物；
其中，所述连接线与所述TFT电连接，且制成所述连接线的材料包括柔性导电材料。
可选的，所述在形成有所述过孔的衬底基板上形成连接线以及填充在所述过孔内的有机填充物，包括：
在形成有所述过孔的衬底基板上形成所述连接线；
在形成有所述连接线的衬底基板上的所述过孔内填充所述有机填充物。
可选的，所述在形成有所述过孔的衬底基板上形成连接线以及填充在所述过孔内的有机填充物，包括：
在所述过孔内填充所述有机填充物；
在填充有所述有机填充物的衬底基板上形成所述连接线。
可选的，所述在所述衬底基板的引线区域中形成过孔，包括：
在形成所述TFT中的栅极图形和绝缘层，以及金属薄膜后，对形成有所述金属薄膜的衬底基板进行图形化处理，在所述引线区域中形成所述过孔；
所述在形成有所述过孔的衬底基板上形成连接线，包括：
在形成有所述过孔的衬底基板上形成碳纳米管薄膜；
对形成有所述碳纳米管薄膜的衬底基板进行烘烤处理；
对所述烘烤处理后的碳纳米管薄膜以及所述金属薄膜进行图形化处理，以形成所述连接线，以及所述TFT的源漏极图形。
可选的，所述碳纳米管薄膜中具有金属元素。
可选的，所述在衬底基板的显示区域中形成TFT之前，所述方法还包括：
在所述衬底基板上形成PI层。
第三方面，提供了一种显示装置，包括：第一方面任一所述的阵列基板。
可选的，所述显示装置还包括：
在所述TFT上依次叠加设置的第一电极层、像素限定层、有机发光层和第二电极层，所述TFT的源极与漏极中的一个和所述第一电极层连接。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
在衬底基板上显示区域上设置有TFT，在衬底基板的引线区域中设置有与该TFT电连接的连接线，制成该连接线的材料包括柔性导电材料。该柔性导电材料具有导电性，且不易被折断，因此在对引线区域进行弯折时，降低了该引线区域中的连接线发生断线的概率，有效的提高了显示装置的良品率。并且，在多次弯折该连接线时，柔性导电材料的电阻率不会受到影响，该连接线的电阻率也不会受到影响，进一步的提高了显示装置的良品率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是相关技术中显示装置中设置的阵列基板的结构示意图；
图2是相关技术提供的一种显示装置的结构示意图；
图3是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图4是本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；
图5是本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图6是本发明实施例提供的一种阵列基板的俯视图；
图7是本发明实施例提供的一种过孔的结构示意图；
图8是本发明实施例提供的另一种阵列基板的俯视图；
图9是本发明实施例提供的又一种阵列基板的俯视图；
图10是本发明实施例提供的一种阵列基板的制造方法的流程图；
图11是本发明实施例提供的另一种阵列基板的制造方法的流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
请参考图1，图1是相关技术中显示装置中设置的阵列基板的结构示意图，该阵列件基板00具有显示区域01和引线区域02，该显示区域01中设置有多根信号线(图1中未示出)，引线区域02中设置有与该多根信号线一一对应连接的多个连接线(图1中未示出)，该连接线用于连接信号线和驱动芯片。例如，显示区域01中设置的多根信号线可以包括多根栅线和多根数据线，驱动芯片可以包括栅极驱动器和源极驱动器，通过多个连接线可以实现栅极驱动器与多根栅线连接，并且可以实现源极驱动器与多根数据线连接。其中，栅极驱动器可以为多根栅线线提供栅极驱动信号，源极驱动器可以为多根数据线提供源极驱动信号。
为了减小该显示装置的边框，需要对阵列基板00中的引线区域02进行弯折。请参考图2，图2是相关技术提供的一种显示装置的结构示意图，阵列基板的引线区域02可以弯折到阵列基板00远离出光侧的一侧，使得引线区域02中的多个连接线所连接的驱动芯片03位于阵列基板远离出光侧的一侧。显示装置的边框可以不用再遮挡驱动芯片03，从而减小该显示装置的边框。
在相关技术中，引线区域01中的多个连接线是由金属材料制成的，在对引线区域01进行弯折时，该引线区域的连接线容易断裂，导致显示装置的良品率较低。并且，在多次弯折金属材料时，受到金属材料的自身材料特性的影响，该连接线的电阻率会受到影响，进一步的降低了显示装置的良品率。
请参考图3，图3是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图，该阵列基板可以包括：
衬底基板10。
在该衬底基板10的显示区域10a中设置有TFT(图3中未画出)，在该衬底基基板10的引线区域10b中设置有过孔11，该过孔11中设置有有机填充物12。在本发明实施例中，衬底基板10上通常会设置多个膜层结构，每个膜层结构均是由无机材料制成的，对无机材料进行弯折时，无机材料所承受的应力较大，不利于弯折。为了便于对引线区域10b进行弯折，需要在该引线区域10b中设置过孔11，该过孔11需要贯穿衬底基板10上设置的由无机材料制成的膜层结构，并在该过孔11中设置由有机材料制成的有机填充物12，对有机材料进行弯折时，该有机材料的所承受的应力较小，进而便于对引线区域10b弯折。
在该衬底基板10的引线区域10b中还设置有连接线13，该连接线13与显示区域10a中的TFT电连接，且制成该连接线13的材料包括柔性导电材料。示例的，该柔性导电材料为碳纳米管材料或金属材料(该金属材料为柔性的金属材料)。
在本发明实施例中，由于柔性导电材料具有导电性，且不易被折断，因此本发明实施例中的阵列基板的引线区域中的连接线13不易被折断，有效的提高了显示装置的良品率。并且，在多次弯折连接线13时，柔性导电材料的电阻率不会受到影响，该连接线13的电阻率也不会受到影响，进一步的提高了显示装置的良品率。
综上所述，本发明实施例提供的阵列基板，包括：衬底基板，在衬底基板上显示区域上设置有TFT，在衬底基板的引线区域中设置有与该TFT电连接的连接线，制成该连接线的材料包括柔性导电材料。该柔性导电材料具有导电性，且不易被折断，因此在对引线区域进行弯折时，降低了该引线区域中的连接线发生断线的概率，有效的提高了显示装置的良品率。并且，在多次弯折该连接线时，柔性导电材料的电阻率不会受到影响，该连接线的电阻率也不会受到影响，进一步的提高了显示装置的良品率。
在本发明实施例中，引线区域中设置的连接线的形式可以有多种可实现方式，本发明实施例以以下两种可实现方式为例进行示意性说明：
在第一种可实现方式中，请参考图4，图4是本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图，连接线13设置在有机填充物12远离衬底基板10的一侧。此时，在过孔11形成后，可以先采用有机填充物12填充过孔11，在有机填充物12填充完成后，在有机填充物12上设置连接线13。
在第二种可实现方式中，请参考图5，图5是本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图，连接线13可以设置在有机填充物12与衬底基板10之间，该连接线13中的部分走线13a位于过孔内。此时，在过孔11形成后，可以先形成连接线13，使得连接线13的部分走线13a位于过孔11内，在连接线13完成后，在形成有部分走线13a的过孔11中填充有机填充物12。
在本发明实施例中，该阵列基板还可以包括平坦层12a，制成该平坦层12a的材料可以与制成有机填充物12的材料相同。由于上述第二种可实现方式中，连接线13设置在有机填充物12与衬底基板10之间，因此该有机填充物12可以与平坦层12a同时形成。
请参考图4和图5，显示区域10a中的TFT可以包括：有源层图形14、栅极图形15和源漏极图形16，在有源层图形14与栅极图形15之间设置有栅极绝缘层19。当该TFT为顶栅线TFT时，该阵列基板还可以包括：遮光层17和缓冲层18，以及位于栅极图形15与源漏极图形16之间的层间介电层110。该源漏极图形16包括源极16a、漏极16b、栅线(图4和图5中未画出)和数据线(图4和图5中未画出)。为了简化阵列基板的制造工艺，引线区域10b中的连接线13与显示区域10a中的TFT的源漏极图形16需要同层设置，也即是，连接线13与源漏极图形16是通过一次构图工艺形成，此时，制成源漏极图形16的材料也包括柔性导电材料，示例的，该柔性导电材料可以为碳纳米管材料或金属材料(该金属材料为柔性的金属材料)。当该柔性导电材料为碳纳米管材料时，为了提高连接线13与源漏极图形16中的信号线(也即栅线或数据线)的导电性能，可以在连接线13与源漏极图形16中增加金属材料(该金属材料可以为非柔性的金属材料)，此时，制成该源漏极图形与连接线的材料均包括：碳纳米管材料和金属材料。需要说明的是，图4和图5是以显示区域中的TFT为顶栅型TFT为例进行示意性说明的，在一种可选的实现方式中，显示区域中的TFT还可以为底栅型的TFT，本发明实施例对此不做赘述。
在本发明实施例中，在引线区域10b中形成过孔11前，需要先形成一层金属材料，再在形成一层金属材料的衬底基板的引线区域10b中形成过孔11，最后在金属材料上形成碳纳米管材料，并作相应的处理使得碳纳米管材料与之前的形成的金属材料结合。因此，连接线13中在过孔11位置处的部分走线的材料为碳纳米管材料，而连接线13中不在过孔11位置处的部分走线的材料包括碳纳米材料和金属材料。
例如，对于上述第一种可实现方式中，如图4所示，在连接线13中，其在衬底基板10上的正投影，与过孔11在衬底基板10的正投影重叠的部分走线131的材料为碳纳米管材料，连接线13中除部分走线131之外的走线的材料包括碳纳米材料和金属材料。对于上述第二种可实现方式中，如图5所示，在连接线13中位于过孔11中的部分走线13a的材料为碳纳米管材料，连接线13中除部分走线13a之外的走线的材料包括碳纳米材料和金属材料。
可选的，如图4和图5所述，在衬底基板10上还设置有聚酰亚胺(英文：Polyimide；简称：PI)层111，阵列基板中的TFT可以设置在该在该PI层111上。通过该PI层111可以提高引线区域10b的弯折效果。
在本发明实施例中，请参考图6，图6是本发明实施例提供的一种阵列基板的俯视图，引线区域10b中设置的过孔11的个数为多个，该多个过孔11的排布方向与引线区域10b的弯折线平行，通常情况下，该引线区域10b的弯折线与阵列基板的宽度方向x平行，因此该多个过孔11的排布方向也与阵列基板的宽度方向x平行。可选的，该多个过孔11能够组成至少一排过孔列(例如，图6中该多个过孔11组成了两排过孔列)，每排过孔列中的任意相邻的两个过孔11相连，也即是，每排过孔列中的过孔11是连续排布的。相对于每排过孔列中的过孔为离散的排布方式，在引线区域中形成连续排布的过孔的方式较为简单。
在本发明实施例中，该引线区域11b中的连接线有多个，每个连接线在衬底基板上的正投影，覆盖任一一排过孔列中至少两个相邻的过孔在衬底基板上的正投影。
在对引线区域进行弯折时，为了减小引线区域中的连接线受到的应力，可以将过孔的形状为椭圆形、六边形或菱形。示例的，如图7所示，引线区域中每个过孔11的形状为椭圆形；如图8所示，引线区域中每个过孔11的形状为六边形；如图9所示，引线区域中每个过孔11的形状为菱形。若引线区域中过孔的的形状为椭圆形、六边形或菱形，当对该引线区域进行弯折时，该引线区域中过孔的所承受的应力较小，进一步的减小了引线区域中的连接线发生断线的概率。
综上所述，本发明实施例提供的阵列基板，包括：衬底基板，在衬底基板上显示区域上设置有TFT，在衬底基板的引线区域中设置有与该TFT电连接的连接线，制成该连接线的材料包括柔性导电材料。该柔性导电材料具有导电性，且不易被折断，因此在对引线区域进行弯折时，降低了该引线区域中的连接线发生断线的概率，有效的提高了显示装置的良品率。并且，在多次弯折该连接线时，柔性导电材料的电阻率不会受到影响，该连接线的电阻率也不会受到影响，进一步的提高了显示装置的良品率。
请参考图10，图10是本发明实施例提供的一种阵列基板的制造方法的流程图，该阵列基板的制造方法用于制造图3示出的阵列基板，该方法可以包括：
步骤1001、在衬底基板的显示区域中形成TFT。
步骤1002、在衬底基板的引线区域中形成过孔。
步骤1003、在形成有过孔的衬底基板上形成连接线以及填充在过孔内的有机填充物。
其中，连接线与TFT电连接，且制成连接线的材料包括柔性导电材料。
综上所述，本发明实施例提供的阵列基板的制造方法，在衬底基板上显示区域上形成TFT，在衬底基板的引线区域中形成与该TFT电连接的连接线，制成该连接线的材料包括柔性导电材料。该柔性导电材料具有导电性，且不易被折断，因此在对引线区域进行弯折时，降低了该引线区域中的连接线发生断线的概率，有效的提高了显示装置的良品率。并且，在多次弯折该连接线时，柔性导电材料的电阻率不会受到影响，该连接线的电阻率也不会受到影响，进一步的提高了显示装置的良品率。
请参考图11，图11是本发明实施例提供的另一种阵列基板的制造方法的流程图，该阵列基板的制造方法用于制造图4或图5示出的阵列基板，该方法可以包括：
步骤1101、在衬底基板上形成PI层。
示例的，可以在衬底基板上通过沉积、涂敷、溅射等多种方式中的任一种形成PI层。
步骤1102、在形成有PI层的衬底基板上依次形成遮光图形以及缓冲层。
可选的，该遮光图形的材料金属材料，也可以具有遮光性质的非金属材料。该缓冲层可以为依次叠加设置的氮化硅薄膜和氧化硅薄膜。
示例的，可以在形成有PI层的衬底基板上通过沉积、涂敷、溅射等多种方式中的任一种形成遮光薄膜，然后对该遮光薄膜执行一次构图工艺以形成遮光图形，该一次构图工艺可以包括：光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离；再在形成有遮光图形的衬底基板上通过沉积、涂敷、溅射等多种方式中的任一种形成缓冲层。
步骤1103、在形成有缓冲层的衬底基板上形成有源层图形和栅极绝缘层。
可选的，该有源层图形的材料可以为无机材料，例如，其可以为多晶硅；该有源层图形的材料也可以为有机材料，例如，其可以为铟镓锌氧化物(英文：Indium Gallium ZincOxide；简称：IGZO)、氧化铟锡(英文：Indium Tin Oxide；简称：ITO)或掺铟氧化锌(英文：Indium-doped Zinc Oxide；简称：IZO)等。该栅极绝缘层的材料可以为二氧化硅、氮化硅或者高介电常数材料等。
示例的，可以在形成有缓冲层的衬底基板上通过沉积、涂敷、溅射等多种方式中的任一种形成有源层薄膜，然对该有源层薄膜执行一次构图工艺以形成有源层图形，该一次构图工艺可以包括：光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离；再在形成有有源层图形的衬底基板上通过沉积、涂敷、溅射等多种方式中的任一种形成栅极绝缘层。
步骤1104、在形成有栅极绝缘层的衬底基板上形成依次形成栅极图形、绝缘层和金属薄膜。
可选的，该栅极图形以及金属薄膜的材料可以为金属钼(简称：Mo)、金属钛(简称：Ti)、金属铜(简称：Cu)、金属铝(简称：Al)或合金材料制造而成。在一种可选的实现方式中，该金属薄膜可以为依次叠加设置的Ti膜、Al膜和Ti膜。该绝缘层可以为层间介电层，该绝缘层的材料可以为二氧化硅、氮化硅或者高介电常数材料等。
示例的，可以在形成有栅极绝缘层的衬底基板上通过沉积、涂敷、溅射等多种方式中的任一种形成栅极薄膜，然后对该栅极薄膜执行一次构图工艺以形成栅极图形；再在形成有栅极图形的衬底基板上通过沉积、涂敷、溅射等多种方式中的任一种形成绝缘层；最后在形成有绝缘层的衬底基板上通过沉积、涂敷、溅射等多种方式中的任一种形成金属薄膜。
步骤1105、在形成TFT中的栅极图形和绝缘层，以及金属薄膜后，对形成有金属薄膜的衬底基板进行图形化处理，在引线区域中形成过孔。
在本发明实施例中，该引线区域中的过孔需要依次穿过金属薄膜、绝缘层和缓冲层。
步骤1106、在形成有过孔的衬底基板上形成连接线以及填充在过孔内的有机填充物。
可选的，制成该连接线的材料可以包括柔性导电材料和金属材料。该有机填充物的材料可以为丙烯酸树脂或者环氧树脂等有机材料。
在本发明实施例中，在形成有过孔的的衬底基板上形成连接线以及填充在过孔内的有机填充物的方式有多种，本发明实施例以下两种可实现方式为例进行示意性说明：
在第一种可实现方式中，该步骤1006可以包括以下几个步骤：
步骤A1、在形成有过孔的衬底基板上形成连接线。
步骤B1、在形成有连接线的衬底基板上的过孔内填充有机填充物。
在第二种可实现方式中，该步骤1006可以包括以下几个步骤：
步骤A2、在过孔内填充有机填充物。
步骤B2、填充有有机填充物的衬底基板上形成连接线。
对于上述第一种可实现方式与第二种可实现方式中，形成连接线的方式均可以包括以下几个步骤：
步骤A3、在形成有过孔的衬底基板上形成碳纳米管薄膜。
示例的，可以采用碳纳米管溶液在形成有过孔的衬底基板上通过涂敷、溅射等多种方式中的任一种形成碳纳米管薄膜。可选的，该碳纳米管薄膜中具有金属元素，该碳纳米管溶液为金属元素含量较高的碳纳米管溶液。
步骤B3、对形成有碳纳米管薄膜的衬底基板进行烘烤处理。
示例的，在形成有过孔的衬底基板上形成碳纳米管薄膜后，可以对该衬底基板烘烤一段时间，使得碳纳米管薄膜与之前的形成的金属薄膜可以贴合在一起，形成一个膜层。
步骤C3、对烘烤处理后的碳纳米管薄膜以及金属薄膜进行图形化处理，以形成连接线，以及TFT的源漏极图形。
在本发明实施例中，引线区域中的连接线与TFT中的源漏极图形是通过一次构图工艺形成的，制成该连接线与TFT中的源漏极图形的材料均包括金属材料和碳纳米管材料。
在本发明实施例中，还需要在衬底基板上形成平坦层，制成该平坦层的材料与制成有机填充物的材料可以相同。对于上述第一种可实现方式，有机填充物与平坦层可以同时形成；对于上述第二种可实现方式，可以在形成连接线的衬底基板上形成一层平坦层。
需要说明的是，该阵列基板的工作原理可以参考前述对阵列基板的结构描述的实施例中，本发明实施例对此不再赘述。
综上所述，本发明实施例提供的阵列基板的制造方法，在衬底基板上显示区域上形成TFT，在衬底基板的引线区域中形成与该TFT电连接的连接线，制成该连接线的材料包括柔性导电材料。该柔性导电材料具有导电性，且不易被折断，因此在对引线区域进行弯折时，降低了该引线区域中的连接线发生断线的概率，有效的提高了显示装置的良品率。并且，在多次弯折该连接线时，柔性导电材料的电阻率不会受到影响，该连接线的电阻率也不会受到影响，进一步的提高了显示装置的良品率。
本发明实施例还提供了一种显示装置，其包括上述实施例中的阵列基板，该阵列基板可以为图3、图4或图5示出的阵列基板。该显示装置可以为：电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
可选的，该显示装置还可以包括：在TFT上依次叠加设置的第一电极层、像素限定层、有机发光层和第二电极层，TFT的源极与漏极中的一个和第一电极层连接。
以上仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (15)

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：
衬底基板；
所述衬底基板的显示区域中设置有TFT，所述衬底基板的引线区域中设置有过孔，所述过孔中设置有有机填充物；
所述衬底基板的引线区域中还设置有连接线，所述连接线与所述TFT电连接，且制成所述连接线包括柔性导电材料。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述连接线设置在所述有机填充物远离所述衬底基板的一侧。
3.根据权利要求1所述所述的阵列基板，其特征在于，所述连接线设置在所述有机填充物与所述衬底基板之间。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述连接线与所述TFT的源漏极图形同层设置；
制成所述源漏极图形与所述连接线的材料包括：碳纳米管材料或金属材料。
5.根据权利要求1至4任一所述的阵列基板，其特征在于，
所述过孔的个数为多个，多个所述过孔的排布方向与所述引线区域的弯折线平行。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，
多个所述过孔组成至少一排过孔列，每排所述过孔列中的任意相邻的两个过孔相连。
7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，
每个所述过孔的形状为椭圆形、六边形或菱形。
8.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底基板的显示区域中形成TFT；
在所述衬底基板的引线区域中形成过孔；
在形成有所述过孔的衬底基板上形成连接线以及填充在所述过孔内的有机填充物；
其中，所述连接线与所述TFT电连接，且制成所述连接线的材料包括柔性导电材料。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在形成有所述过孔的衬底基板上形成连接线以及填充在所述过孔内的有机填充物，包括：
在形成有所述过孔的衬底基板上形成所述连接线；
在形成有所述连接线的衬底基板上的所述过孔内填充所述有机填充物。
10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在形成有所述过孔的衬底基板上形成连接线以及填充在所述过孔内的有机填充物，包括：
在所述过孔内填充所述有机填充物；
在填充有所述有机填充物的衬底基板上形成所述连接线。
11.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底基板的引线区域中形成过孔，包括：
在形成所述TFT中的栅极图形和绝缘层，以及金属薄膜后，对形成有所述金属薄膜的衬底基板进行图形化处理，在所述引线区域中形成所述过孔；
所述在形成有所述过孔的衬底基板上形成连接线，包括：
在形成有所述过孔的衬底基板上形成碳纳米管薄膜；
对形成有所述碳纳米管薄膜的衬底基板进行烘烤处理；
对所述烘烤处理后的碳纳米管薄膜以及所述金属薄膜进行图形化处理，以形成所述连接线，以及所述TFT的源漏极图形。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，
所述碳纳米管薄膜中具有金属元素。
13.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，
所述在衬底基板的显示区域中形成TFT之前，所述方法还包括：
在所述衬底基板上形成PI层。
14.一种显示装置，其特征在于，包括：权利要求1至7任一所述的阵列基板。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括：
在所述TFT上依次叠加设置的第一电极层、像素限定层、有机发光层和第二电极层，所述TFT的源极与漏极中的一个和所述第一电极层连接。
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