CN108735906A - 丙烯酸酯共聚物修饰的金属氧化物、qled及制备方法 - Google Patents

丙烯酸酯共聚物修饰的金属氧化物、qled及制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开丙烯酸酯共聚物修饰的金属氧化物、QLED及制备方法，方法包括步骤：在一定气氛下，将丙烯酸酯共聚物溶液添加至预先备好的金属氧化物溶液中，然后在60‑80℃温度下，搅拌0.5‑8h，得到混合液；加入溶剂对混合液进行提纯，并离心分离，获取白色沉淀，所述白色沉淀为丙烯酸酯共聚物修饰的金属氧化物。本发明利用丙烯酸酯共聚物修饰金属氧化物，一方面可以起到钝化金属氧化物表面缺陷，减少表面缺陷对激子的淬灭和载流子的复合，另一方面可以提高金属氧化物表面电势，从而改善电子的注入水平和电子传输能力，此外丙烯酸酯共聚物可改善金属氧化物纳米粒子的分散性，有利于形成光滑的膜层，提高膜的透光性。

Description

丙烯酸酯共聚物修饰的金属氧化物、QLED及制备方法
技术领域
本发明涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种丙烯酸酯共聚物修饰的金属氧化物、QLED器件及制备方法。
背景技术
量子点（quantum dot）是三个维度尺寸均在纳米数量级的纳米晶，由于其具有独特的光学特点，如发光光谱可调、发光半峰宽极窄、发光效率高等特点，将量子点材料制成量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diode，简称QLED)，可以实现比有机电致发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED) 显示器件更好的色域，其有望成为下一代平板技术的选择。
量子点发光二极管的基本结构为阳极/ 发光层/ 阴极。器件的载流子的注入和传输能力是衡量其性能优劣的一个重要标准。为了提高电子的注入效率，通常在QLED器件的阴极和量子点发光层之间设置电子传输层。引入合适的电子传输层来成为提高电子注入和传输能力的有效途径。常用的电子传输和注入材料有8-羟基喹啉锂，8-羟基喹啉铝，菲啰啉衍生物，噁二唑衍生物，碳酸铯，氟化锂，氟化镁，乙酰丙酮钙，氧化锌等。特别是纳米氧化锌，作为QLED器件中普遍采用的电子传输材料，其导带能级有利于电子从阴极到量子点的注入，且其较深的价带能级又可起到阻挡空穴的作用。这些材料通常是依靠真空蒸镀或溅射的方法制备成膜，耗时耗能，且不利于实现大批量的卷对卷生产。目前，溶液加工制备电子传输层时，电子传输材料特别是金属氧化物，如纳米氧化锌的制备一般采用低温的溶胶-凝胶方法，由此得到的纳米金属氧化物，其结晶度较低，存在大量的结构缺陷如空位、位错等，这些结构缺陷成为激子的无辐射复合中心，从而降低器件的传输性和透光性，影响QLED的发光效率。此外，现有的电子传输材料如纳米氧化锌的导带能级还不够低，其注入效率特别是在蓝光器件中的注入效率不是非常有效。
因此，迫切需要找到合适的材料修饰电子传输层的金属氧化物特别是ZnO，以减少其表面缺陷，提高电子传输性能和透光性，提高器件整体性能。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种丙烯酸酯共聚物修饰的金属氧化物、QLED器件及制备方法，旨在解决现有电子传输材料结构缺陷较多，导致电子传输层的传输性和透光性较低的问题。
本发明的技术方案如下：
一种丙烯酸酯共聚物修饰的金属氧化物的制备方法，其中，包括：
步骤（1）、在一定气氛下，将丙烯酸酯共聚物溶液添加至预先备好的金属氧化物溶液中，然后在60-80℃温度下，搅拌0.5-8h，得到混合液；
步骤（2）、加入溶剂对混合液进行提纯，并离心分离，获取白色沉淀，所述白色沉淀为丙烯酸酯共聚物修饰的金属氧化物。
所述的丙烯酸酯共聚物修饰的金属氧化物的制备方法，其中，所述步骤（1）中，所述丙烯酸酯共聚物溶液的浓度为10-100mg/ml，所述金属氧化物溶液的浓度为10-100mg/ml。
所述的丙烯酸酯共聚物修饰的金属氧化物的制备方法，其中，所述步骤（1）中，将2-20ml丙烯酸酯共聚物溶液添加至预先备好的2-20ml金属氧化物溶液中。
所述的丙烯酸酯共聚物修饰的金属氧化物的制备方法，其中，所述步骤（1）中，所述气氛为惰性氛围、真空氛围、空气氛围中的一种。
所述的丙烯酸酯共聚物修饰的金属氧化物的制备方法，其中，所述步骤（2）中，所述溶剂为甲醇。
一种丙烯酸酯共聚物修饰的金属氧化物，其中，采用如上任一所述的丙烯酸酯共聚物修饰的金属氧化物的制备方法制备而成。
所述的丙烯酸酯共聚物修饰的金属氧化物，其中，所述丙烯酸酯共聚物修饰的金属氧化物的粒径范围为3-50nm。
一种QLED器件，其中，所述QLED器件依次包括含有底电极的衬底、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、界面修饰层、电子传输层和顶电极；所述电子传输层的材料为如上任一所述的丙烯酸酯共聚物修饰的金属氧化物。
所述的QLED器件，其中，所述电子传输层的厚度范围为3-100nm。
一种QLED器件的制备方法，其中，包括：
步骤A、在含有底电极的衬底上依次制备空穴注入层和空穴传输层；
步骤B、在空穴传输层上依次制备量子点发光层和界面修饰层，然后在界面修饰层上制备电子传输层；所述电子传输层的材料为如上任一所述的丙烯酸酯共聚物修饰的金属氧化物；
步骤C、在电子传输层上制备顶电极，然后进行封装，得到QLED器件。
有益效果：本发明利用丙烯酸酯共聚物修饰金属氧化物，一方面可以起到钝化金属氧化物表面缺陷，减少表面缺陷对激子的淬灭和载流子的复合，另一方面可以提高金属氧化物表面电势，从而改善电子的注入水平和电子传输能力，此外丙烯酸酯共聚物可改善金属氧化物纳米粒子的分散性，有利于形成光滑的薄膜层，提高了膜的透光性。
附图说明
图1为本发明丙烯酸酯共聚物的分子结构式。
图2为本发明一种QLED器件较佳实施例的结构示意图。
图3为本发明一种QLED器件的制备方法较佳实施例的流程图。
具体实施方式
本发明提供一种丙烯酸酯共聚物修饰的金属氧化物、QLED器件及制备方法，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明的一种丙烯酸酯共聚物修饰的金属氧化物的制备方法较佳实施例，其包括：
步骤（1）、在一定气氛下，将丙烯酸酯共聚物溶液添加至预先备好的金属氧化物溶液中，然后在60-80℃温度下，搅拌0.5-8h，得到混合液；
本发明上述步骤（1）之前，先制备丙烯酸酯共聚物，然后将丙烯酸酯共聚物配制成丙烯酸酯共聚物溶液。同时，本发明还制备金属氧化物，然后将金属氧化物配制成金属氧化物溶液。
具体地，本发明所述丙烯酸酯共聚物的分子结构式如图1所示，下面通过具体实施例对所述丙烯酸酯共聚物的制备方法进行详细说明，但制备方法不限于此。
先将甲基丙烯酸甲酯6.2g、丙烯酸丁酯3.3g、N, N-二甲基丙烯酸乙酯0.5g和偶氮二异丁腈0.2g溶解于15mL甲苯中，然后在80℃下于氮气气氛中聚合反应8小时。反应完毕后降温，接着用甲醇沉淀，得到约9.8 g丙烯酸酯共聚物。将所得的丙烯酸酯共聚物于40℃下真空干燥，备用。
具体地，本发明将制备好的丙烯酸酯共聚物溶于二甲苯溶剂中，配制成浓度为10-100mg/ml的丙烯酸酯共聚物溶液。
具体地，本发明采用溶胶凝胶法制备金属氧化物，所述溶胶凝胶法制备金属氧化物为现有技术，在此不再赘述。然后将制备好的金属氧化物配制成浓度为10-100mg/ml的金属氧化物溶液。
具体地，上述步骤（1）中，在一定气氛下，将2-20ml丙烯酸酯共聚物溶液添加至预先备好的2-20ml金属氧化物溶液中，然后在60-80℃（如70℃）温度下，搅拌0.5-8h（如1h），得到混合液。本发明所述气氛可以为惰性氛围、真空氛围、空气氛围中的一种，优选的气氛为空气氛围。
步骤（2）、加入溶剂对混合液进行提纯，并离心分离，获取白色沉淀，所述白色沉淀为丙烯酸酯共聚物修饰的金属氧化物。
具体地，加入甲醇等溶剂对混合液进行提纯，并在8000rpm下离心5min，然后过滤，去除滤液，获取白色沉淀，所述白色沉淀即为丙烯酸酯共聚物修饰的金属氧化物。
本发明制备的所述丙烯酸酯共聚物修饰的金属氧化物可溶于烷烃溶液中，获得的丙烯酸酯共聚物修饰的金属氧化物分散液具有以下特征：纳米粒子性质稳定、粒径小且均一性好，分散剂为烷烃，纳米粒子分散后溶液浓度可控；制成薄膜透明性好。
本发明利用丙烯酸酯共聚物修饰金属氧化物，一方面可以起到钝化金属氧化物表面缺陷，减少表面缺陷对激子的淬灭和载流子的复合，另一方面可以提高金属氧化物表面电势，从而改善电子的注入水平和电子传输能力，此外丙烯酸酯共聚物可改善金属氧化物纳米粒子的分散性，有利于形成光滑的膜层，提高膜的透光性。
本发明提供一种丙烯酸酯共聚物修饰的金属氧化物，其中，采用如上任一所述的丙烯酸酯共聚物修饰的金属氧化物的制备方法制备而成。优选地，所述丙烯酸酯共聚物修饰的金属氧化物的粒径范围为3-50nm。
现有低温溶胶凝胶方法制备的金属氧化物表面存在较多的缺陷，导致以金属氧化物制成的电子传输层的传输性和透光性较低。与现有技术相比，本发明利用丙烯酸酯共聚物修饰金属氧化物，一方面可以起到钝化金属氧化物表面缺陷，减少表面缺陷对激子的淬灭和载流子的复合，另一方面可以提高金属氧化物表面电势，从而改善电子的注入水平和电子传输能力，此外丙烯酸酯共聚物可改善金属氧化物纳米粒子的分散性，有利于形成光滑的膜层，提高膜的透光性。
结合图2所示，本发明的一种QLED器件较佳实施例的结构示意图，其中，所述QLED器件依次包括含有底电极2的衬底1、空穴注入层3、空穴传输层4、量子点发光层5、界面修饰层6、电子传输层7和顶电极8；所述电子传输层7的材料为如上任一所述的丙烯酸酯共聚物修饰的金属氧化物。本发明利用经丙烯酸酯共聚物修饰的金属氧化物作为QLED器件中电子传输层的材料，一方面可以减少金属氧化物表面缺陷对激子的淬灭和载流子的复合，另一方面可以改善电子的注入水平和电子传输能力，此外丙烯酸酯共聚物可改善金属氧化物纳米粒子的分散性，有利于形成光滑的膜层，提高膜的透光性。
结合图3所示，本发明的一种QLED器件的制备方法较佳实施例的流程图，如图所示，其包括：
步骤S100、在含有底电极的衬底上依次制备空穴注入层和空穴传输层；
所述步骤S100中，所述含有底电极的衬底的材料可以为可见光区透明导电材料，所述可见光区透明导电材料可以为但不限于氧化锡铟（ITO）、氧化铟锌 (IZO) 等，优选的可见光区透明导电材料为ITO。
所述步骤S100之前还包括：先对含有底电极的衬底进行清洗，然后采用紫外臭氧或氧气等离子体处理衬底表面。具体清洗过程包括：用无尘布蘸取洗涤剂在含有底电极的衬底（如ITO）表面轻轻擦拭数次，用去离子水冲洗干净后，再依次用超纯水、丙酮、乙醇超声清洗15分钟，待超声完成后，将含有底电极的衬底放置于洁净烘箱内烘干，烘干后的含有底电极的衬底放在臭氧紫外清洗机（UVO）中照射5分钟。
优选地，所述空穴注入层的材料可以为PEDOT:PSS、MoO3、Nb2O5、NiO等中的一种或多种；此膜层厚度范围为20-80nm。
优选地，所述空穴传输层的材料可以为具有给电子能力的有机化合物或金属氧化物，所述具有给电子能力的有机化合物可以为NPB、TPD、 TAPC、TFB、OTPD、QTPD、Poly-TPD、PVK等中的一种或多种；所述金属氧化物可以为氧化钼、氧化钒、氧化镍、氧化铜、氧化钨等中的一种或多种。此膜层厚度范围可以为10-100nm。本发明所述空穴注入层和空穴传输层的沉积方法不受限制，可采用本领域常规溶液加工方法沉积，如喷墨打印、旋涂、喷涂等。
步骤S200、在空穴传输层上依次制备量子点发光层和界面修饰层，然后在界面修饰层上制备电子传输层；所述电子传输层的材料为如上任一所述的丙烯酸酯共聚物修饰的金属氧化物；
优选地，所述量子点发光层的材料可以为常见的红光量子点、绿光量子点、蓝光量子点和黄光量子点以及红外光量子点和紫外光量子点中的至少一种。本发明所述量子点发光层的沉积方法不受限制，可采用本领域常规溶液加工方法沉积，如喷墨打印、旋涂、喷涂等。
优选地，所述界面修饰层由易溶解于醇类溶剂但不溶于烷烃的极性较大的材料制成，如环氧树脂、聚丙烯酸、聚乙烯亚胺（PEI）、聚乙烯吡咯烷酮（PVP）、PEIE(聚乙氧基乙烯亚胺)、PEG (聚乙二醇 )、PEO (聚氧化乙烯)等中的一种或多种；成膜时选用碳原子总数为1-14的醇做溶剂，采用旋涂、喷涂或喷墨打印成膜，膜层厚度范围为0.5-20nm。由于常用量子点的分散溶剂为烷烃，而丙烯酸酯共聚物修饰的金属氧化物分散溶剂也为烷烃，利用溶液成膜法直接在量子点发光层上沉积丙烯酸酯共聚物修饰的金属氧化物薄膜层会对相邻膜层造成破坏。因此本发明在量子点发光层上沉积所述界面修饰层，可有效阻止利用溶液法直接在量子点发光层上沉积丙烯酸酯共聚物修饰的金属氧化物膜层对相邻膜层造成的破坏，保持各膜层性能完好，此外所述界面修饰层还可以起到阻止空穴等作用。
优选地，所述金属氧化物可以为但不限于氧化锌、氧化钛等，优选地，所述金属氧化物为纳米氧化锌。更优选地，所述丙烯酸酯共聚物修饰的纳米氧化锌的粒径范围为3-50nm。优选地，所述丙烯酸酯共聚物修饰的金属氧化物可以溶于烷烃但不溶于醇类；成膜时将丙烯酸酯共聚物修饰的金属氧化物分散于烷烃分子中，溶液浓度范围为0.1-300mg/mL，由于在该层与量子点发光层中插入了可溶于醇而不溶于烷烃的界面修饰层，因而可采用旋涂、印刷、喷涂、滴涂或喷墨打印的方法成膜，膜层厚度3-100nm。
步骤S300、在电子传输层上制备顶电极，然后进行封装，得到QLED器件。
所述步骤S300中，在电子传输层上通过蒸镀的方式制备一层厚度为10-500nm的顶电极，待蒸镀完成后，对其进行封装，得到QLED。本发明可以使用常用的机器封装也可以使用简单的手动封装。其中，所述顶电极可以为铝、银、金、铂、铜、镁、钙、钡、钛等中的一种或多种。
本发明上述步骤S100-S300中，在使用溶液法制备各膜层时，为调整膜层的形貌，可分别对膜层做退火处理，退火温度范围100℃至300℃，退火时间为1-120 分钟。
本发明利用丙烯酸酯共聚物修饰的金属氧化物特别是纳米氧化锌作为QLED器件的电子传输层，一方面丙烯酸酯共聚物钝化了金属氧化物表面缺陷，从而减少表面缺陷对激子的淬灭和载流子的复合，提高了其电子传输能力；另一方面通过丙烯酸酯共聚物修饰纳米金属氧化物可以提高金属氧化物表面电势，从而改善电子的注入水平；此外丙烯酸酯共聚物改善了金属氧化物的分散能力，有利于形成光滑的薄膜层，提高了膜的透光性。
本发明可实现溶液法制备电子传输层，经丙烯酸酯共聚物修饰过的金属氧化物易溶于烷烃，通过在量子点发光层与丙烯酸酯共聚物修饰的金属氧化物膜层间增加界面修饰层，该界面修饰层材料可溶于醇溶液而不溶于烷烃，从而可实现溶液法制备电子传输层，相比真空蒸镀法，溶液法能够提高材料的利用率，简化工艺，降低生产成本，可实现大面积生产。
下面通过实施例对本发明进行详细说明。
实施例1
丙烯酸酯共聚物修饰的氧化锌纳米粒子分散液的制备步骤如下：
（1）、用乙二醇单甲醚作溶剂分别配制30mg/ml的乙酸锌溶液10ml和200 mg/ml的四甲基氢氧化铵溶液2ml。用二甲苯作为溶剂配制50mg/ml的丙烯酸酯共聚物溶液；
（2）、把（1）所述乙酸锌溶液加热到80℃、用磁子在1500 rpm 的转速下对其进行搅拌，使其充分溶解，然后把配好的四甲基氢氧化铵溶液匀速注入到乙酸锌溶液中，持续搅拌几分钟，加入（1）所述的丙烯酸酯共聚物溶液10mL，保持温度60℃，搅拌1h，得到混合液；
（3）、向混合液中加入甲醇溶液提纯丙烯酸酯共聚物修饰的氧化锌纳米粒子，取混合液离心（8000 rpm，5 min）后，去除滤液，得到白色沉淀；
（4）、用正辛烷溶液对白色沉淀进行再分散，得到浓度约为5mg/ml的丙烯酸酯共聚物修饰的氧化锌纳米粒子分散液。此丙烯酸酯共聚物修饰的氧化锌纳米粒子分散液具有以下特征：纳米粒子性质稳定、粒径小且均一性好，分散剂为烷烃，纳米粒分散后溶液浓度可控；制成薄膜透明性好。
QLED器件的制备步骤如下：
（a）、先对理ITO基板进行清洗，然后采用紫外臭氧处理ITO基板表面。具体清洗过程包括 ：用无尘布蘸取洗涤剂在ITO 基板表面轻轻擦拭数次，用去离子水冲洗干净后，再依次用超纯水、丙酮、乙醇超声清洗15 分钟，待超声完成后，将 ITO 基板放置于洁净烘箱内烘干，烘干后将ITO基板放在紫外臭氧清洗机（UVO）中照射5分钟。
采用旋涂法在ITO基板上沉积PEDOT:PSS空穴注入层，然后将所述PEDOT:PSS空穴注入层中的溶剂去除，所述去除溶剂的方法为：在120℃条件下加热20min。通过该方法，可有效去除所述PEDOT:PSS空穴注入层中的溶剂，同时可形成致密性好的PEDOT:PSS薄膜。
（b）、采用旋涂法在空穴注入层上沉积Poly-TPD空穴传输层；此膜层厚度为50nm。在沉积完Poly-TPD空穴传输层后，将基板置于150℃的加热台上加热10分钟。
（c）、采用旋涂法在空穴传输层上沉积量子点发光层；沉积完薄膜后，将薄膜置于120℃下退火处理10 min。量子点发光层的厚度为50nm。
（d）、将环氧树脂分散于甲醇溶液中，向量子点发光层上滴加数滴所述环氧树脂溶液，用匀胶机在8000 rpm的转速下旋涂40s制成界面修饰层。随后，将薄膜置于120℃下退火处理10 min。界面修饰层的厚度为5nm。
（e）、将丙烯酸酯共聚物修饰的氧化锌纳米粒子的正辛烷分散液用0.22μm的滤头过滤后，用匀胶机在8000 rpm的转速下旋涂40s成膜，其厚度为45nm。随后，将薄膜置于150℃下退火处理10 min。
（f）、当样品室真空度达到6.0×10-4 Pa时，向基片上热蒸镀铝电极。铝层厚度控制在100 nm左右。
实施例2
首先按照实施例1同样方法制备丙烯酸酯共聚物修饰的氧化锌纳米粒子沉淀，然后用十八烷溶液对丙烯酸酯共聚物修饰的氧化锌纳米粒子进行再分散，得到最终浓度约为3mg/ml的丙烯酸酯共聚物修饰的氧化锌纳米粒子分散液。
按实施例1的方法制备QLED器件，所不同的是采用真空蒸镀空穴传输层和真空蒸镀量子点发光层：选用三苯胺类化合物4,4'-二-(N-萘基-N-苯基氨基)联苯（NPB）作为空穴传输层，利用真空镀膜机在3×10-4Pa的真空度下真空热蒸镀NPB膜层，厚度为30 nm。利用真空镀膜机在3×10-4Pa的真空度下向空穴传输层蒸镀量子点发光层。
综上所述，本发明提供的一种丙烯酸酯共聚物修饰的金属氧化物、QLED器件及制备方法。本发明利用丙烯酸酯共聚物修饰金属氧化物，一方面可以起到钝化金属氧化物表面缺陷，减少表面缺陷对激子的淬灭和载流子的复合，另一方面可以提高金属氧化物表面电势，从而改善电子的注入水平和电子传输能力，此外丙烯酸酯共聚物可改善金属氧化物纳米粒子的分散性，有利于形成光滑的膜层，提高膜的透光性。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种丙烯酸酯共聚物修饰的金属氧化物的制备方法，其特征在于，包括：
步骤（1）、在一定气氛下，将丙烯酸酯共聚物溶液添加至预先备好的金属氧化物溶液中，然后在60-80℃温度下，搅拌0.5-8h，得到混合液；
步骤（2）、加入溶剂对混合液进行提纯，并离心分离，获取白色沉淀，所述白色沉淀为丙烯酸酯共聚物修饰的金属氧化物。
2.根据权利要求1所述的丙烯酸酯共聚物修饰的金属氧化物的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中，所述丙烯酸酯共聚物溶液的浓度为10-100mg/ml，所述金属氧化物溶液的浓度为10-100mg/ml。
3.根据权利要求1所述的丙烯酸酯共聚物修饰的金属氧化物的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中，将2-20ml丙烯酸酯共聚物溶液添加至预先备好的2-20ml金属氧化物溶液中。
4.根据权利要求1所述的丙烯酸酯共聚物修饰的金属氧化物的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中，所述气氛为惰性氛围、真空氛围、空气氛围中的一种。
5.根据权利要求1所述的丙烯酸酯共聚物修饰的金属氧化物的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中，所述溶剂为甲醇。
6.一种丙烯酸酯共聚物修饰的金属氧化物，其特征在于，采用如权利要求1-5任一所述的丙烯酸酯共聚物修饰的金属氧化物的制备方法制备而成。
7.根据权利要求6所述的丙烯酸酯共聚物修饰的金属氧化物，其特征在于，所述丙烯酸酯共聚物修饰的金属氧化物的粒径范围为3-50nm。
8.一种QLED器件，其特征在于，所述QLED器件依次包括含有底电极的衬底、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、界面修饰层、电子传输层和顶电极；所述电子传输层的材料为权利要求6-7任一所述的丙烯酸酯共聚物修饰的金属氧化物。
9.根据权利要求8所述的QLED器件，其特征在于，所述电子传输层的厚度范围为3-100nm。
10.一种QLED器件的制备方法，其特征在于，包括：
步骤A、在含有底电极的衬底上依次制备空穴注入层和空穴传输层；
步骤B、在空穴传输层上依次制备量子点发光层和界面修饰层，然后在界面修饰层上制备电子传输层；所述电子传输层的材料为权利要求6-7任一所述的丙烯酸酯共聚物修饰的金属氧化物；
步骤C、在电子传输层上制备顶电极，然后进行封装，得到QLED器件。
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