CN108690528B - 保护片 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种可将剥离静电压抑制得较低、并且压敏粘合剂层的耐热性优异、且可确保压敏粘合剂层的良好的基材密着性的保护片。本发明提供的保护片(1)用于保护器件，其具备基材(2)与压敏粘合剂层(3)，所述基材(2)具有塑料膜(21)及形成在塑料膜(21)的至少一个面侧的抗静电层(22a)，所述压敏粘合剂层(3)以与抗静电层(22a)接触的方式层叠于基材(2)上，压敏粘合剂层(3)由有机硅类压敏粘合剂形成。

Description

保护片
技术领域
本发明涉及一种可用于保护器件的保护片。
背景技术
以往以来，对于光学构件或电子构件等器件而言，在加工、组装、检查等工序中，为了防止表面的损伤，有时在该器件的表面上粘贴由塑料膜及压敏粘合剂层形成的保护片。在不需要保护时将该保护片从器件上剥离，但在此时存在因剥离静电而产生静电的情况。
若产生静电，则空气中的垃圾或灰尘会附着在器件上，从而导致器件的不良情况。因此，为了避免产生静电，要求对保护片赋予抗静电性。
作为具有抗静电性的保护片，例如，在专利文献1中公开了一种表面保护膜，其具备：具有第一面及第二面的基材；设置于基材的第一面上的抗静电层；及基材的第二面上的由压敏粘合剂组合物形成的压敏粘合剂层。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2016-135592号公报
发明内容
本发明要解决的技术问题
然而近年来，作为光学构件，从液晶器件移向有机发光二极管(OL ED)器件的动向变得活跃。并且，具有挠性的OLED器件(以下有时称为“挠性OLED器件”)的研究也变得活跃。该挠性OLED器件，与液晶器件及通常的OLED器件不同，由于柔软，因此在使用以往的保护片时，难以从挠性OLED器件上剥离，此外，在材料方面在与保护片之间更容易产生剥离静电。专利文献1中记载的保护片，虽企图以kV数量级降低剥离静电压，但是若考虑到挠性OLED器件，则需要以V数量级降低剥离静电压。
此外，在OLED器件的检查工序中，存在被暴露在高温条件下的情况。要求使用于该OLED器件的保护片的压敏粘合剂层，在高温下的检查时或之后也发挥稳定的压敏粘合力。即，对于在如上所述的用途中所使用的保护片，需要耐热性。
进一步，对于如上所述的保护片而言，在将保护片从被粘物上剥离时，需要压敏粘合剂不会残留在被粘物侧。即，要求保护片的压敏粘合剂层对基材具有良好的密着性。
本发明鉴于上述实际情况而完成，其目的在于提供一种可将剥离静电压抑制得较低、并且压敏粘合剂层的耐热性优异、且可确保压敏粘合剂层的良好的基材密着性的保护片。
解决技术问题的技术手段
为了达成上述目的，第一，本发明提供一种保护片，其用于保护器件(device)，其特征在于，具备：基材，其具有塑料膜及形成在所述塑料膜的至少一个面侧的抗静电层；以及压敏粘合剂层，其以与所述抗静电层接触的方式层叠于所述基材上，所述压敏粘合剂层由有机硅(silico ne)类压敏粘合剂形成(发明1)。
在上述发明(发明1)中，通过至少在塑料膜与压敏粘合剂层之间具有抗静电层，可将剥离静电压抑制得较低。因此，无需在压敏粘合剂层中添加抗静电剂，就可确保压敏粘合剂层的良好的基材密着性。此外，由于即使在高温下有机硅类压敏粘合剂的压敏粘合力也稳定，因此由该有机硅类压敏粘合剂形成的压敏粘合剂层的耐热性优异。
在上述发明(发明1)中，优选：所述塑料膜的所述压敏粘合剂层侧的面的表面粗糙度，以最大峰高度(Rp)计为200nm以下，以最大高度(Rz)计为300nm以下，以最大截面高度(Rt)计为500nm以下(发明2)。
在上述发明(发明1、2)中，优选在所述塑料膜的另一个面侧也形成有抗静电层(发明3)。
在上述发明(发明1～3)中，优选：在所述压敏粘合剂层的与所述基材相反侧的面上层叠有剥离片，所述剥离片具有：支撑体、及形成在所述支撑体的至少一个面上的抗静电层(发明4)。
在上述发明(发明1～4)中，优选除去剥离片的所述保护片的雾度值为5％以下(发明5)。
在上述发明(发明1～5)中，优选：在23℃、相对湿度为50％的环境下，对所述基材施加10秒100V的电压时，所述基材的所述压敏粘合剂层侧的面的表面电阻率为1×105Ω/sq以上且为1×109Ω/sq以下(发明6)。
在上述发明(发明1～6)中，优选：在23℃、相对湿度为50％的环境下，对所述基材施加10秒100V的电压时，所述基材的与所述压敏粘合剂层相反侧的面的表面电阻率为1×107Ω/sq以上且为5×1011Ω/以下(发明7)。
在上述发明(发明4)中，优选：在23℃、相对湿度为50％的环境下，对所述剥离片施加10秒100V的电压时，所述剥离片的所述压敏粘合剂层侧的面的表面电阻率为1×107Ω/sq以上且为1×1011Ω/以下(发明8)。
在上述发明(发明4)中，优选：在23℃、相对湿度为50％的环境下，对所述剥离片施加10秒100V的电压时，所述剥离片的与所述压敏粘合剂层相反侧的面的表面电阻率为1×107Ω/sq以上且为1×1011Ω/以下(发明9)。
在上述发明(发明1～9)中，优选所述器件为挠性器件(flexible de vice)(发明10)。
发明效果
本发明涉及的保护片，可将剥离静电压抑制得较低、并且压敏粘合剂层的耐热性优异、且可确保压敏粘合剂层的良好的基材密着性。
附图说明
图1是本发明的一个实施方式涉及的保护片的截面图。
图2是表示关于压敏粘合面的评价的试验例中的评价基准的图像的图。
附图标记说明
1…保护片；2…基材；21…塑料膜；22a…第一抗静电层；22b…第二抗静电层；3…压敏粘合剂层；4…剥离片；41…支撑体；42a…第三抗静电层；42b…第四抗静电层。
具体实施方式
以下，对本发明的实施方式进行说明。
本发明的一个实施方式涉及的保护片，主要是为了在器件的加工、组装、检查等工序中防止器件表面的损伤等而用于保护器件。
本实施方式涉及的保护片具备基材及压敏粘合剂层。基材具有塑料膜、及形成在该塑料膜的至少一个面侧的抗静电层，压敏粘合剂层以与该抗静电层接触的方式层叠于基材上。上述压敏粘合剂层由有机硅类压敏粘合剂形成。
在本实施方式涉及的保护片中，通过至少在塑料膜与压敏粘合剂层之间具有抗静电层，可将剥离静电压抑制得较低。因此，将剥离片从压敏粘合剂层上剥离并将保护片粘贴到器件上时、或将该保护片从器件上剥离时，可抑制空气中的垃圾或尘埃因静电而附着在器件上。此外，即使是在作为被粘物的器件为挠性OLED器件时，也可得到上述效果，并且能够防止对该挠性OLED器件造成由静电导致的损伤。
此外，有机硅类压敏粘合剂容易作成微压敏粘合性，再剥离性优异。因此，本实施方式涉及的保护片，也可以从挠性OLED器件等柔软的挠性器件上顺利地剥离。
进一步，与丙烯酸类压敏粘合剂相比，有机硅类压敏粘合剂的压敏粘合力在高温下也稳定，耐热性优异。因此，压敏粘合剂层由有机硅类压敏粘合剂形成的本实施方式涉及的保护片，即使在粘贴有该保护片的OLED器件等的器件在高温下(例如90～150℃)进行检查时，也可抑制压敏粘合力显著地变高，可没有问题地将保护片从被粘物上剥离。
此外，由于本实施方式涉及的保护片如上所述地通过在塑料膜与压敏粘合剂层之间具有抗静电层而使抗静电性优异，因此无需在压敏粘合剂层中添加抗静电剂。在有机硅类压敏粘合剂中添加一般的抗静电剂而成的压敏粘合剂层的基材密着性变低，但本实施方式涉及的保护片可避免这样的问题，从而可确保压敏粘合剂层的良好的基材密着性。因此，本实施方式涉及的保护片，作为产品的稳定性和可靠度高，此外，在将保护片从被粘物上剥离时，可抑制压敏粘合剂残留在被粘物侧。
以下，参照说明书附图对作为本实施方式的一个例子的保护片进行说明。
如图1所示，本实施方式涉及的保护片1具备：基材2、压敏粘合剂层3、及剥离片4。优选：基材2具有塑料膜21、及形成在塑料膜21的压敏粘合剂层3侧的面(在图1中为下侧的面)上的第一抗静电层22a，进一步具有形成在塑料膜21的与压敏粘合剂层3相反的面(在图1中为上侧的面)上的第二抗静电层22b。此外，优选剥离片4具有支撑体41、及形成在支撑体41的压敏粘合剂层3侧的面(在图1中为上侧的面)上的第三抗静电层42a，特别优选进一步具有形成在支撑体41的与压敏粘合剂层3相反的面(在图1中为下侧的面)上的第四抗静电层42b。压敏粘合剂层3以与基材2的第一抗静电层22a接触的方式层叠于基材2上。本实施方式的剥离片4，以该剥离片4的第三抗静电层42a与压敏粘合剂层3接触的方式层叠于该压敏粘合剂层3上。
另外，上述剥离片4用于保护压敏粘合剂层3直到使用保护片1时为止，在使用保护片1时被剥离去除。在本实施方式涉及的保护片1中，也可省略剥离片4。
此外，在本实施方式中，相对于基材2的第一抗静电层22a为必需的要素，基材2的第二抗静电层22b、剥离片4的第三抗静电层42a及第四抗静电层42b并非必要，可分别独立地省略。但是，通过存在有基材2的第二抗静电层22b、剥离片4的第三抗静电层42a及第四抗静电层42b中的1层或2层以上，可使保护片1的抗静电性更优异。
另外，作为保护片1的优选的使用方式之一，可列举出：从保护片1的卷绕辊送出保护片1，将剥离片4剥离，在露出的压敏粘合剂层3上设置挠性OLED器件，进行输送、加工等的方式。在上述的送出工序中，为了实现抗静电，优选设置第二抗静电层22b及第四抗静电层42b中的至少任意一者，更优选设置两者。此外，在上述剥离片4的剥离工序中，为了实现抗静电，优选：除了设置第一抗静电层22a以外，还设置与压敏粘合剂层3接触的第三抗静电层42a。
1.各构件
(1)基材
(1-1)塑料膜
作为塑料膜21，虽无特别限定，但当被粘物为OLED器件时，优选塑料膜21的透明性高。这是由于在OLED器件的发光检查中，以较液晶器件的发光检查更严格的水平进行检查，对保护片1要求高透明性。此时，优选塑料膜21不含填料。此外，当被粘物为OLED器件时，优选塑料膜21具有对在OLED器件的检查中所施加的高温(例如90～150℃)的耐热性。
作为该塑料膜21，例如优选由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚碳酸酯、聚甲基戊烯、聚苯硫醚、液晶聚合物等树脂形成的塑料膜，可以为由单层形成的膜，也可以为层叠有同种或异种的多个层的膜。上述之中，从透明性、耐热性及成本的方面考虑，特别优选聚对苯二甲酸乙二醇酯膜。
另外，在不损害本实施方式的上述效果的范围内，上述塑料膜也可含有填料、耐热性改进剂、紫外线吸收剂等添加剂。
在上述塑料膜21中，以提升与第一抗静电层22a和/或第二抗静电层22b的密着性为目的，可根据所需，实施基于氧化法等的表面处理、或底漆处理。作为上述氧化法，例如可列举出电晕放电处理、等离子体放电处理、铬酸处理(湿式)、火焰处理、热风处理、臭氧、紫外线照射处理等。这些表面处理法，可根据塑料膜21的种类进行适宜选择。
若考虑耐热性及粘贴与剥离的作业性，塑料膜21的厚度优选为25μm以上，更优选为38μm以上，进一步优选为50μm以上。作为保护对象的器件为挠性器件时，从粘贴与剥离的作业性的角度出发，特别优选为50μm以上。另一方面，若考虑粘贴与剥离的作业性及成本，则该厚度优选为150μm以下，特别优选为125μm以下，进一步优选为100μm以下。
塑料膜21的压敏粘合剂层3侧(第一抗静电层22a侧)的面的表面粗糙度，以算术平均粗糙度(Ra)计，优选为10nm以下，更优选为7n m以下，特别优选为5nm以下，进一步优选为3nm以下。由此，可使塑料膜21的雾度值，特别是外部雾度变小，使透明性更高。另外，本说明书中的表面粗糙度是遵照JIS B0601:2001，由使用光干涉显微镜所测定的粗糙度曲线求得的。具体而言，如试验例中所示。此外，本说明书中的塑料膜的表面粗糙度，不仅包含塑料膜单体的表面粗糙度，也包含具有易粘合层等的塑料膜的表面粗糙度。
另外，算术平均粗糙度(Ra)的下限值虽无特别限定，但优选为1n m以上，特别优选为1.5nm以上，进一步优选为2nm以上。
此外，塑料膜21的压敏粘合剂层3侧(第一抗静电层22a侧)的面的表面粗糙度，以最大峰高度(Rp)计，优选为200nm以下；以最大高度(Rz)计，优选为300nm以下；以最大截面高度(Rt)计，优选为500nm以下。通过使塑料膜21满足上述要件，可抑制压敏粘合剂层3的压敏粘合面(压敏粘合剂层与被粘物接触的面)呈橘皮，使粘贴于被粘物上的保护片1的透视性变得非常高。因此，例如，可更精确地进行粘贴有具有该塑料膜21的保护片1的OLED器件的发光检查。
从抑制橘皮的角度出发，最大峰高度(Rp)优选为200nm以下，特别优选为150nm以下，进一步优选为100nm以下。从抑制橘皮的角度出发，最大高度(Rz)优选为300nm以下，特别优选为200nm以下，进一步优选为100nm以下。从抑制橘皮的角度出发，最大截面高度(Rt)优选为500nm以下，更优选为400nm以下，特别优选为300nm以下，进一步优选为200nm以下。另外，最大峰高度(Rp)的下限值虽无特别限定，但优选为5nm以上，特别优选为10nm以上，进一步优选为20nm以上。最大高度(Rz)的下限值也无特别限定，但优选为5nm以上，特别优选为10nm以上，进一步优选为20nm以上。最大截面高度(Rt)的下限值也无特别限定，但优选为5nm以上，特别优选为20nm以上，进一步优选为40nm以上。
(1-2)抗静电层
第一抗静电层22a及第二抗静电层22b，只要均由可对塑料膜21赋予所需的抗静电性、且具有透明性的材料形成，则并无特别限定。作为这样的抗静电层22a、22b，例如优选由含有导电性高分子与粘结剂(bin der)树脂的抗静电层用组合物形成的层。
作为导电性高分子，虽然可从以往公知的导电性高分子中适当选择任意的导电性高分子进行使用，但是，其中优选聚噻吩类、聚苯胺类或聚吡咯类的导电性高分子。导电性高分子，可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。
作为聚噻吩类的导电性高分子，例如可列举出聚噻吩、聚(3-烷基噻吩)，聚(3-噻吩-β-乙磺酸)、聚亚烷基二氧噻吩与聚苯乙烯磺酸盐(p olystyrene sulfonate)(PSS)的混合物(包含掺杂的情况)等。其中，优选聚亚烷基二氧噻吩与聚苯乙烯磺酸盐的混合物。作为上述聚亚烷基二氧噻吩，可列举出聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)(PEDOT)、聚亚丙基二氧噻吩、聚(亚乙基/亚丙基)二氧噻吩等，其中优选聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)。即，上述之中，特别优选聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)与聚苯乙烯磺酸盐的混合物(掺杂有PSS的PEDOT)。
作为聚苯胺类的导电性高分子，例如可列举出聚苯胺、聚甲基苯胺、聚甲氧基苯胺等。作为聚吡咯类的导电性高分子，例如可列举出聚吡咯、聚3-甲基吡咯、聚3-辛基吡咯等。
抗静电层用组合物中的导电性高分子的含量，优选为0.1～30质量％，特别优选为0.2～20质量％，进一步优选为0.3～10质量％。只要导电性高分子的含量在上述范围内，则可得良好的抗静电性能，此外，由该抗静电层用组合物形成的抗静电层的强度变得充分。
作为用于上述抗静电层用组合物的粘结剂树脂，优选含有选自由聚酯树脂、聚氨酯树脂及丙烯酸树脂组成的组中的至少1种作为主要成分。这些树脂，可以为热固性化合物，也可以为紫外线固化性化合物，但是为了形成紫外线固化性，需要将溶剂从水类置换成有机溶剂类，因此，从工序数及成本的角度出发，优选热固性化合物。上述之中，由于对塑料膜的密着性高，因此优选热固性的聚酯树脂，特别优选具有与交联剂反应的反应性基团、例如羟基等的聚酯树脂。
抗静电层用组合物，除含有上述成分以外，也可以含有交联剂、流平剂、防污剂等。
作为交联剂，只要可使上述的树脂交联即可。例如，若上述树脂具有羟基作为反应性基团，则优选使用异氰酸酯类交联剂、环氧类交联剂、胺类交联剂、三聚氰胺类交联剂等。
相对于100质量份的粘结剂树脂，交联剂的含量优选为1～50质量份，特别优选为5～40质量份，进一步优选为10～30质量份。
作为流平剂，例如可使用二甲基硅氧烷类化合物、氟类化合物、表面活性剂等。在第一抗静电层22a中，从与压敏粘合剂层3的密着性的角度出发，优选使用表面活性剂。通过使抗静电层用组合物含有流平剂，可提升抗静电层22a、22b的平滑性，使基材2的透视性变得更高。
抗静电层用组合物中的流平剂的含量，优选为0.1～10质量％，特别优选为0.2～5质量％，进一步优选为0.5～3质量％。
若考虑抗静电性能，则第一抗静电层22a及第二抗静电层22b的厚度分别优选为10nm以上，更优选为20nm以上，进一步优选为30nm以上。此外，从强度及成本的角度出发，第一抗静电层22a及第二抗静电层22b的厚度优选为200nm以下，特别优选为150nm以下，进一步优选为100nm以下。
(1-3)基材的物性
(1-3-1)表面电阻率
在23℃、相对湿度为50％的环境下，对基材2施加10秒100V的电压时，基材2的压敏粘合剂层3侧的面(第一抗静电层22a的与塑料膜21相反侧的面)的表面电阻率，以上限值计，优选为1×109Ω/sq以下，特别优选为5×108Ω/sq以下，进一步优选为1×108Ω/sq以下。通过使上述表面电阻率的上限值为上述，可有效地将剥离静电压抑制得较低。因此，将剥离片4从压敏粘合剂层3上剥离时、或将保护片1从器件上剥离时，可有效地抑制静电的产生。此外，上述表面电阻率的下限值虽无特别限定，但通常优选为1×105Ω/sq以上，特别优选为5×105Ω/sq以上，进一步优选为1×106Ω/sq以上。
此外，在23℃、相对湿度为50％的环境下，对基材2施加10秒100V的电压时，基材2的与压敏粘合剂层3相反侧的面(第二抗静电层22b的与塑料膜21相反侧的面)的表面电阻率，以上限值计，优选为5×1011Ω/sq以下，特别优选为1×1011Ω/sq以下，进一步优选为5×1010Ω/sq以下。通过使上述表面电阻率的上限值为上述，在从保护片1的卷绕辊送出保护片1时，可更有效地抑制静电的产生。此外，上述表面电阻率的下限值虽无特别限定，但通常优选为1×107Ω/sq以上，特别优选为5×107Ω/以上，进一步优选为1×108Ω/sq以上。
另外，上述表面电阻率为遵照JIS K6911而测定的值，该表面电阻率的测定方法的详细情况如后述的试验例中所示。
(1-3-2)雾度值
基材2的雾度值优选为5％以下，特别优选为3％以下，进一步优选为1％以下。通过使基材2的雾度值为上述，可使粘贴在被粘物上的保护片1的透明度变高。通过使塑料膜21由不含填料的塑料膜形成，可容易地达成上述的雾度值。此外，若塑料膜21的算术平均粗糙度(Ra)在上述的范围内，则可更容易地达成上述的雾度值。另外，上述雾度值的下限值并无特别限定，特别优选为0％。在此，本说明书中的雾度值是指依照JIS K7136:2000而测定的值。
(2)压敏粘合剂层
(2-1)材料
压敏粘合剂层3由有机硅类压敏粘合剂形成。作为有机硅类压敏粘合剂，优选选择：适于向作为保护对象的被粘物(器件)上的粘贴及从被粘物上的剥离的有机硅类压敏粘合剂。例如，当被粘物为OLED器件等挠性器件时，为了使保护片1容易从挠性器件上剥离，优选选择再剥离性特别优异的微压敏粘合性的有机硅类压敏粘合剂。
作为有机硅类压敏粘合剂，可以为缩合型有机硅类压敏粘合剂，也可以为加成反应型有机硅类压敏粘合剂，但从再剥离性的角度出发，优选为加成反应型有机硅类压敏粘合剂。
加成反应型有机硅类压敏粘合剂，优选含有由1分子中至少具有2个烯基(alkenylgroup)的第一聚二甲基硅氧烷及1分子中至少具有2个氢化硅烷基(hydrosilyl group)的第二聚二甲基硅氧烷得到的加成反应型有机硅树脂作为主剂，特别优选进一步含有有机硅树脂。
作为第一聚二甲基硅氧烷所含有的烯基，可列举出乙烯基、烯丙基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基、辛烯基等一价烃基，其中特别优选乙烯基。
第一聚二甲基硅氧烷中的烯基的含量(烯基的数量相对于键合于硅原子的甲基的数量的比例)，优选为0.005～0.1摩尔％，特别优选为0.01～0.05摩尔％。优选在分子链的两末端具有烯基，也可以在侧链上具有烯基。通过在1分子的第一聚二甲基硅氧烷中至少含有两个烯基，并且使烯基的含量在上述范围内，能够形成交联密度高的交联结构、得到再剥离性优异的压敏粘合剂层3。
第一聚二甲基硅氧烷的聚合度(硅氧烷键的数量)，优选为200～5,000，特别优选为500～3,000。此外，第二聚二甲基硅氧烷中的氢化硅烷基的含量，在1分子中优选为2～300个，特别优选为4～200个。第二聚二甲基硅氧烷的聚合度，优选为50～2,000，特别优选为100～1,500。进一步，第二聚二甲基硅氧烷相对于第一聚二甲基硅氧烷100质量份的掺合比，优选为0.01～20质量份，特别优选为0.1～10质量份。通过使各官能团的含量及第二聚二甲基硅氧烷相对于第一聚二甲基硅氧烷的掺合比在上述范围内，可良好地进行第一聚二甲基硅氧烷与第二聚二甲基硅氧烷的加成反应。
另外，第一聚二甲基硅氧烷优选不具有氢化硅烷基，第二聚二甲基硅氧烷优选不具有烯基。
第一聚二甲基硅氧烷的重均分子量优选为2万～130万，特别优选为30万～120万。此外，第二聚二甲基硅氧烷的重均分子量优选为300～1400，特别优选为500～1200。另外，本说明书中的重均分子量为利用凝胶渗透色谱(GPC)法测定的换算成标准聚苯乙烯的值。
作为有机硅树脂，可使用例如，由作为一官能硅氧烷单元[(CH3)3Si O1/2]的M单元与作为四官能硅氧烷单元[SiO4/2]的Q单元构成的MQ树脂。M单元/Q单元的摩尔比优选为0.6～1.7。该有机硅树脂具有对有机硅类压敏粘合剂赋予压敏粘合性的作用。
有机硅树脂相对于加成反应型有机硅树脂100质量份的掺合量，以下限值计，优选为1质量份以上，特别优选为3质量份以上，进一步优选为5质量份以上。通过使有机硅树脂的掺合量的下限值为上述，可得到所需的压敏粘合力，可防止保护片1从被粘物(器件)上非意图地剥离。此外，上述掺合量，以上限值计，优选为40质量份以下，特别优选为30质量份以下，进一步优选为20质量份以下。通过使有机硅树脂的掺合量的上限值为上述，可防止压敏粘合力变得过高，可确保保护片1的再剥离性。
上述加成反应型有机硅类压敏粘合剂优选含有催化剂。作为催化剂，只要可使上述加成反应型有机硅树脂固化(使第一聚二甲基硅氧烷与第二聚二甲基硅氧烷进行加成反应)，则并无特别限定，但其中优选铂族金属类化合物。作为铂族金属类化合物，例如可列举出微粒状铂、吸附于碳粉末载体上的微粒状铂、氯铂酸、醇改性氯铂酸、氯铂酸的烯烃络合物、钯、铑等。通过含有该催化剂，可更有效地进行加成反应型有机硅树脂的固化反应。
关于催化剂相对于上述加成反应型有机硅树脂100质量份的掺合量，铂成分优选为0.01～3质量份，特别优选为0.05～2质量份。
上述有机硅类压敏粘合剂也可以含有交联剂、反应抑制剂、硅烷偶联剂等各种添加剂。另一方面，上述有机硅类压敏粘合剂优选不含抗静电剂。这是因为若在有机硅类压敏粘合剂中添加一般的抗静电剂，则所得到的压敏粘合剂层3的基材密着性下降，此外，由于相溶性低从而导致压敏粘合剂层3的透明性降低。但是，只要是不产生该不良情况的抗静电剂，则也可添加于有机硅类压敏粘合剂中。
(2-2)厚度
从压敏粘合性的角度出发，压敏粘合剂层3的厚度优选为15μm以上，特别优选为20μm以上，进一步优选为25μm以上。此外，从剥离性的角度出发，压敏粘合剂层3的厚度优选为75μm以下，特别优选为50μm以下，进一步优选为30μm以下。
(3)剥离片
(3-1)支撑体
作为支撑体41，只要不对压敏粘合剂层3造成不良影响，则并无特别限定，例如可以使用聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯膜、聚萘二甲酸乙二醇酯膜、聚对苯二甲酸丁二醇酯膜、聚氨酯膜、乙烯乙酸乙烯酯膜、离聚物树脂膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物膜、聚苯乙烯膜、聚碳酸酯膜、聚酰亚胺膜、氟树脂膜等。此外，也可以使用它们的交联膜。进一步，也可以为它们的层叠膜。上述之中，优选操作性优异的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜。
关于支撑体41的厚度虽无特别限制，但通常优选为15～100μm，特别优选为25～75μm。
(3-2)抗静电层
第三抗静电层42a及第四抗静电层42b，只要均由可对塑料膜21赋予所需的抗静电性的材料形成，则并无特别限定。作为这样的抗静电层42a、42b的材料，优选使用与上述的基材2的抗静电层22a、22b同样的材料。此外，抗静电层42a、42b的厚度也优选设定为与基材2的抗静电层22a、22b同样的厚度。
在此，如上所述，在本实施方式涉及的保护片1中，可省略第三抗静电层42a及第四抗静电层42b中的任意一者或两者。但是，省略一者时，优选省略第四抗静电层42b。若存在与压敏粘合剂层3接触的第三抗静电层42a，则可有效地提高将剥离片4从压敏粘合剂层3上剥离时的抗静电性。
(3-3)剥离片的物性
(3-3-1)表面电阻率
在23℃、相对湿度为50％的环境下，对剥离片4施加10秒100V的电压时，剥离片4的压敏粘合剂层3侧的面(第三抗静电层42a的与支撑体41相反侧的面)的表面电阻率，以上限值计，优选为1×1011Ω/sq以下，特别优选为5×1010Ω/sq以下，进一步优选为1×1010Ω/sq以下。通过使上述表面电阻率的上限值为上述，将剥离片4从压敏粘合剂层3上剥离时，可良好地抑制静电的产生，将保护片1粘贴到器件上时，可更有效地抑制空气中的垃圾或尘埃附着于器件上。此外，上述表面电阻率的下限值虽无特别限定，但通常优选为1×107Ω/sq以上，特别优选为5×107Ω/sq以上，进一步优选为1×108Ω/sq以上。
在23℃，相对湿度为50％的环境下，对剥离片4施加10秒100V的电压时，剥离片4的与压敏粘合剂层3相反侧的面(第四抗静电层42b的与支撑体41相反侧的面)的表面电阻率，以上限值计，优选为1×1011Ω/sq以下，特别优选为5×1010Ω/sq以下，进一步优选为1×1010Ω/sq以下。通过使上述表面电阻率的上限值为上述，从保护片1的卷绕辊送出保护片1时，可更有效地抑制静电的产生。此外，上述表面电阻率的下限值虽无特别限定，但通常优选为1×107Ω/sq以上，特别优选为5×107Ω/sq以上，进一步优选为1×108Ω/sq以上。
(3-3-2)表面粗糙度
剥离片4的压敏粘合剂层3侧(第三抗静电层42a侧)的面的表面粗糙度，以算术平均粗糙度(Ra)计，优选为100nm以下；以最大峰高度(Rp)计，优选为1500nm以下；以最大高度(Rz)计，优选为1500nm以下；以最大截面高度(Rt)计，优选为2000nm以下。通过使剥离片4满足上述要件，可更有效地抑制与剥离片4密着的压敏粘合剂层3的压敏粘合面呈橘皮，使粘贴于被粘物上的保护片1的透视性变得更高。因此，例如，可更精确地进行粘贴有具有该塑料膜21的保护片1的OL ED器件的发光检查。
从抑制压敏粘合剂层3的橘皮的角度出发，算术平均粗糙度(Ra)优选为100nm以下，特别优选为75nm以下，进一步优选为50nm以下。最大峰高度(Rp)优选为1500nm以下，特别优选为1250nm以下，进一步优选为1000nm以下。最大高度(Rz)优选为1500nm以下，特别优选为1250nm以下，进一步优选为1000nm以下。最大截面高度(Rt)优选为2000nm以下，特别优选为1750nm以下，进一步优选为1500nm以下。另外，算术平均粗糙度(Ra)的下限值虽无特别限定，但优选为5nm以上，特别优选为10nm以上，进一步优选为20nm以上。最大峰高度(R p)的下限值也无特别限定，但优选为50nm以上，特别优选为100nm以上，进一步优选为200nm以上。最大高度(Rz)的下限值也无特别限定，但优选为50nm以上，特别优选为100nm以上，进一步优选为200nm以上。最大截面高度(Rt)的下限值也无特别限定，但优选为200nm以上，特别优选为300nm以上，进一步优选为400nm以上。
(3-4)其他
另外，本实施方式中的剥离片4的与压敏粘合剂层3接触的面，优选没有施以剥离处理，即，优选不存在剥离剂层。这是因为压敏粘合剂层3由有机硅类压敏粘合剂形成时，剥离剂层中通常使用氟类剥离剂，但设置由氟类剥离剂形成的剥离剂层时，存在氟成分转移到压敏粘合剂层3，从而使压敏粘合剂层3的抗静电性或压敏粘合力变得不稳定的可能性。
2.保护片的制造方法
(1)基材的制造
为了制造本实施方式中的基材2，作为一个例子，在塑料膜21的一个面上，涂布含有抗静电层用组合物及根据所需的溶剂的涂布液之后，通过进行干燥，使之固化，从而形成第一抗静电层22a。此外，在塑料膜21的另一个面上，涂布含有抗静电层用组合物及根据所需的溶剂的涂布液之后，通过进行干燥，使之固化，从而形成第二抗静电层22b。
作为上述溶剂并无特别限制，可使用各种各样的溶剂。例如，可使用醚类溶剂、醇类溶剂、醇类溶剂与净化水的混合溶剂等。
抗静电层用组合物的涂布液的涂布，只要通过常规方法进行即可，例如，通过凹版涂布法、棒涂布法、喷涂法、旋转涂布法(spin coating method)、刮刀涂布法(knifecoating method)、辊涂法、模具涂布法(d ie coating method)等进行即可。
优选涂布上述涂布液之后，使涂膜加热干燥。加热干燥的加热温度优选为70～140℃，加热时间优选为30～60秒左右。
(2)剥离片的制造
本实施方式中的剥离片4，可通过与基材2的制造方法同样的方法进行制造。即，为了制造剥离片4，作为一个例子，在支撑体41的一个面上，涂布含有抗静电层用组合物及根据所需的溶剂的涂布液之后，通过进行干燥，使之固化，从而形成第三抗静电层42a。此外，在支撑体41的另一个面上，涂布含有抗静电层用组合物及根据所需的溶剂的涂布液之后，通过进行干燥，使之固化，从而形成第四抗静电层42b。
(3)保护片的制造
为了制造本实施方式涉及的保护片1，作为一个例子，在基材2的第一抗静电层22a侧的面上，涂布含有有机硅类压敏粘合剂及根据所需的的稀释剂的涂布液之后，通过进行干燥，使之固化，从而形成压敏粘合剂层3。
作为上述稀释剂并无特别限制，可使用各种各样的稀释剂。例如，以甲苯、己烷、庚烷等碳氢化合物为首，可使用丙酮、乙酸乙酯、甲乙酮、甲基异丁基酮及它们的混合物等。
有机硅类压敏粘合剂的涂布液的涂布，只要通过常规方法进行即可，例如，通过棒涂布法、刮刀涂布法(knife coating method)、辊涂法、刮片涂布法(blade coatingmethod)、模具涂布法(die coating method)、凹版涂布法等进行即可。优选涂布上述涂布液后，使涂膜加热干燥。
有机硅类压敏粘合剂的主剂为加成反应型有机硅类压敏粘合剂时，优选使上述涂膜热固化。此时的加热温度优选为80～180℃，加热时间优选为10～90秒左右。
如上所述地形成压敏粘合剂层3之后，以第三抗静电层42a与该压敏粘合剂层3接触的方式粘贴剥离片4，得到保护片1。
另外，在上述制造方法中，虽然相对于基材2形成了压敏粘合剂层3，但也可相对于剥离片4形成压敏粘合剂层3，之后在压敏粘合剂层3上粘贴基材2。
3.物性
(1)雾度值
本实施方式涉及的保护片1中的除剥离片4以外的层叠体(在本实施方式中为基材2及压敏粘合剂层3的层叠体)的雾度值，优选为5％以下，更优选为3％以下，特别优选为2％以下，进一步优选为1％以下。通过使上述雾度值为上述，可使保护片1的透视性变得更高，例如，可没有问题地进行粘贴有该保护片1的OLED器件的发光检查。另外，上述雾度值的下限值并无特别限定，特别优选为0％。
在本实施方式涉及的保护片1中，通过使塑料膜21由不含填料的塑料膜形成，容易达成上述雾度值。此外，若塑料膜21的算术平均粗糙度(Ra)在上述范围内，则更容易达成上述雾度值。
(2)压敏粘合剂层静电压
在23℃、相对湿度为50％的环境下，将本实施方式涉及的保护片1中的除剥离片4以外的层叠体(在本实施方式中为基材2及压敏粘合剂层3的层叠体)，以露出压敏粘合剂层3的状态设置在转盘上，一边使转盘旋转，一边从距离压敏粘合剂层3为2.0cm的位置施加+10kV的电压，此时的静电压(压敏粘合剂层静电压)优选为2kV以下，特别优选为1.5kV以下，进一步优选为1kV以下。通过使压敏粘合剂层的静电压为上述，在将剥离片4从压敏粘合剂层3上剥离，并将保护片1粘贴到器件上时，或从器件上剥离时不容易产生静电，可有效地抑制空气中的垃圾或尘埃因静电而附着于器件上。上述压敏粘合剂层静电压的下限值虽无特别限定，但优选为0V。另外，压敏粘合剂层静电压的测定方法的详细情况如后述的试验例中所示。
(3)剥离静电压
在23℃、相对湿度为50％的环境下，从本实施方式涉及的保护片1中的压敏粘合剂层3上，通过手工作业将剥离片4以2.0m/分钟的剥离速度剥离时，在剥离5秒后测定的距离压敏粘合剂层的露出面为2.0cm的位置的静电电位(剥离静电压)，优选为200V以下，特别优选为150V以下，进一步优选为100V以下。通过使剥离静电压为上述，在将剥离片4从压敏粘合剂层3上剥离时，不容易产生静电，可有效地抑制空气中的垃圾或尘埃因静电而附着于器件上。上述剥离静电压的下限值虽无特别限定，但优选为0V。另外，剥离静电压的测定方法的详细情况如后述的试验例中所示。
4.用途
本实施方式涉及的保护片1，主要是为了在器件的加工、组装、检查等工序中防止器件表面的损伤而用于保护器件。但是，并不限定于该用途。
作为作为保护片1的保护对象的器件，例如可列举出光学构件或电子构件等，但在本实施方式中，优选为挠性器件，此外，优选为在粘贴有保护片1的状态下要求发光检查或高温条件的器件。其
中，优选OLED器件，特别优选挠性OLED器件。
由于本实施方式涉及的保护片1具备第一抗静电层22a，并且进一步具备第二～第四抗静电层22b、42a、42b，因此，可将剥离静电压抑制得较低(特别是以V数量级)，具有优异的抗静电性。由此，将剥离片4从压敏粘合剂层3上剥离，并将保护片1粘贴于器件上时，或从器件上剥离时，不容易产生静电，可抑制空气中的垃圾和尘土因静电而附着于器件上。此外，由于本实施方式涉及的保护片1具备第二抗静电层22b及第四抗静电层42b，因此在将保护片1从保护片1的卷绕辊送出时，也可抑制静电的产生。另一方面，由于由有机硅类压敏粘合剂形成的压敏粘合剂层3的再剥离性优异，因此，也可容易地从OLED器件等的挠性器件上剥离。进一步，由于由有机硅类压敏粘合剂形成的压敏粘合剂层3的耐热性优异，因此，即使在高温下对粘贴有保护片1的OLED器件等进行检查时，也可抑制压敏粘合力显著地变高，可没有问题地将保护片1从OLED器件等上剥离。进一步，也由于在本实施方式涉及的保护片1中，无需为了得到抗静电性，而在由有机硅类压敏粘合剂形成的压敏粘合剂层3中添加抗静电剂，因此，压敏粘合剂层3对基材2的密着性(基材密着性)优异。由此，作为产品的稳定性和可靠度高，此外，将保护片1从被粘物上剥离时，并没有压敏粘合剂层3或压敏粘合剂残留在被粘物侧的可能性。
以上所说明的实施方式，是为了容易理解本发明而被记载的，并非为了限定本发明而被记载。因此，上述实施方式中公开的各要素，为也包括属于本发明的技术范围的所有的设计变更和等同物的宗旨。
例如，在塑料膜21上，也可以进一步形成有除抗静电层22a、22b以外的层。
实施例
以下，通过实施例等对本发明进行更加具体的说明，但本发明的范围并不受这些实施例等的限定。
(实施例1)
1.基材的制造(抗静电层的形成)
对利用二甲基亚砜及水将水溶性的含羟基聚酯树脂、及掺杂有PSS的PEDOT进行稀释而成的稀释液(CHUKYO YUSHI CO.,LTD.制造，产品名称“S-495”，固体成分8.2质量％)，混合由水溶性羟甲基三聚氰胺及水形成的三聚氰胺化合物溶液(CHUKYO YUSHI CO.,LTD.制造，产品名称“P-795”，固体成分70.0质量％)、及作为流平剂的由表面活性剂及水形成的流平剂水溶液(CHUKYO YUSHI CO.,LTD.制造，产品名称“R-438”，固体成分10.0质量％)，向其中进一步加入水及异丙醇的混合溶剂(质量比为1:1)，以固体成分成为0.6质量％的方式进行稀释，得到了抗静电层用组合物的涂布液。
利用刮刀涂布机，在作为塑料膜的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜(TORAYINDUSTRIES,INC.制造，产品名称“PET75U48”，厚度：75μm，不含填料)的一个面(位于压敏粘合剂层侧的面)上，涂布上述抗静电层用组合物的涂布液之后，以130℃加热处理60秒，形成了厚度为50nm的第一抗静电层。此外，除了变更上述抗静电层用组合物的掺合比以外，以与上述同样的方式，在上述PET膜的另一个面上，形成厚度为50nm的第二抗静电层，得到了由第一抗静电层/塑料膜/第二抗静电层形成的基材。
2.保护片的制造
将100质量份的作为有机硅类压敏粘合剂的主剂的加成反应型有机硅树脂(Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.制造，产品名称“KS-847H”)、10质量份的有机硅树脂(DowCorning Toray Co.,Ltd.制造，产品名称“S D-4584”)、及2质量份的铂催化剂(DowCorning Toray Co.,Ltd.制造，产品名称“SRX 212 CATALYST”)混合，利用甲乙酮进行稀释，将此作为了有机硅类压敏粘合剂的涂布液。
利用刮刀涂布机，在上述工序1中得到的基材的第一抗静电层侧的面上，涂布上述有机硅类压敏粘合剂的涂布液之后，以130℃加热处理1分钟，形成了厚度为25μm的压敏粘合剂层。接着，将在PET膜(支撑体)的两面上形成抗静电层(第三抗静电层及第四抗静电层)而成的剥离片(Mitsubishi Plastics,Inc.制造，产品名称“PET25T-100(WJ)”，厚度：25μm)，以该剥离片的第三抗静电层侧的面与压敏粘合剂层接触的方式粘贴于上述压敏粘合剂层上，得到了保护片。
[实施例2～6、比较例1～2]
除了将塑料膜及剥离片变更为表1中所示以外，以与实施例1同样的方式制造了保护片。另外，使用没有抗静电层的PET膜(塑料膜)作为比较例1及2的基材，使用没有抗静电层的PET膜(支撑体)作为实施例3及比较例1的剥离片。
[试验例1](表面电阻率的测定)
对于在实施例及比较例中使用的基材的压敏粘合剂层侧的面及其相反侧(保护片的表面侧)的面、以及剥离片的压敏粘合剂层侧的面及其相反侧(保护片的背面侧)的面，遵照JIS K6911，测定了表面电阻率。具体而言，在23℃、相对湿度为50％的环境下，使用电阻率测定器(Mi tsubishi Chemical Analytech Co.,Ltd.制造，产品名称“HIRESTA UP MCP-HT450型”)，测定了对基材或剥离片(100mm×100mm)施加10秒100V的电压之后的各表面的表面电阻率(Ω/sq)。将结果表示于表1。另外，在比较例1及2中使用的基材(没有抗静电层)的两面的表面电阻率、及在实施例3及比较例1中使用的剥离片(没有抗静电层)的两面的表面电阻率，均为超过测定界限的值。
[试验例2](雾度值的测定)
使用雾度计(NIPPON DENSHOKU INDUSTRIES Co.,LTD制造，产品名称“NDH7000”)，依据JIS K7136:2000测定了在实施例及比较例中使用的基材的雾度值(％)。将结果表示于表1。此外，将剥离片从在实施例及比较例中制造的保护片上剥离，以同样的方式测定了所得到的层叠体的雾度值(％)。将结果表示于表2。
[试验例3](表面粗糙度的测定)
遵照JIS B601:2001，使用光干涉显微镜(Veeco Instruments,Inc.制造，产品名称“表面形状测定装置WYKO NT110”)测定了在实施例及比较例中使用的塑料膜的压敏粘合剂层侧的面(119.8μm×91.2μm)及剥离片的压敏粘合剂层侧的面(119.8μm×91.2μm)的算术平均表面粗糙度(Ra；单位nm)、最大峰高度(Rp；单位nm)、最大高度(Rz；单位n m)及最大截面高度(Rt；单位nm)。此时，将测定条件设定为PSI、倍率设定为50倍，将测定点10处的平均值作为了表面粗糙度的值。将结果表示于表1。
[试验例4](压敏粘合面的评价)
将剥离片从在实施例及比较例中制造的保护片上剥离，以露出的压敏粘合剂层呈露出的状态下，固定了该保护片。
使用光干涉显微镜(Veeco Instruments,Inc.制造，产品名称“表面形状测定装置WYKO NT110”)，遵照JIS B601:2001测定了上述压敏粘合剂层(压敏粘合面)的表面形状(50mm×50mm)。此时，将测定条件设定为VSI、倍率设定为2.5倍。基于所得到的测定图像，以图2中所示的图像为基准，进行了压敏粘合面(橘皮)的评价。另外，将○与×之间的测定图像评价为了△。将结果表示于表2。
[试验例5](压敏粘合剂层静电压)
将在实施例及比较例中制造的保护片裁切成45mm×45mm，剥离了剥离片后作为了样品。在23℃，相对湿度为50％的环境下，将上述样品以使压敏粘合剂层侧朝上的方式设置在了静电电荷衰减度测定器(SHIS HIDO ELECTROSTATIC,LTD.制造，产品名称“STATICHONESTMET ER”)的转盘上。接着，将上述转盘以1550rpm旋转，在距离压敏粘合剂层的露出面为2.0cm的位置施加10kV的电压，测定了施加60秒之后的距离压敏粘合剂层的露出面为2.0cm的位置的静电压(压敏粘合剂层静电压；V)。将结果表示于表2。
[试验例6](剥离静电压)
将在实施例及比较例中制造的保护片裁切成25mm×100mm，将此作为了样品。在23℃、相对湿度为50％的环境下，通过手工作业将剥离片以2.0m/分钟的剥离速度从样品上剥离，在剥离5秒后，使用静电测定器(SIMCO JAPAN公司制造，产品名称“FMX-003”)，测定了距离压敏粘合剂层的露出面为2.0cm的位置的静电电位(剥离静电压；V)。以如下基准，由测定结果评价了压敏粘合剂层表面的剥离静电压。将结果表示于表2。
5…剥离静电压小于50V
4…剥离静电压为50V以上且小于100V
3…剥离静电压为100V以上且小于150V
2…剥离静电压为150V以上且小于200V
1…剥离静电压为200V以上且小于1000V
[试验例7](基材密着性的评价)
将剥离片从在实施例及比较例中制造的保护片上剥离，用切刀对压敏粘合剂层切入了十字切痕(30mm×30mm)。然后，以指腹摩擦切入切痕的部位的压敏粘合剂层，确认压敏粘合剂层的脱落程度，以如下基准评价了基材密着性。将结果表示于表2。
○…压敏粘合剂层没有从基材上脱落，维持良好的密着性
△…压敏粘合剂层的一部分从基材上脱落，但维持一定程度的密着性
×…压敏粘合剂层整体从基材上脱落，密着性不足。
[表1]
Figure BDA0001545801780000241
[表2]
Figure BDA0001545801780000251
由表2可知，实施例中所制造的保护片的抗静电性优异，并且压敏粘合剂层的基材密着性也优异。
工业实用性
本发明涉及的保护片适合作为OLED器件的加工、组装、检查等工序中使用的保护片。

Claims (9)

1.一种保护片，其用于保护器件，其特征在于，具备：
基材，其具有塑料膜、及形成在所述塑料膜的至少一个面侧的抗静电层；及
压敏粘合剂层，其以与所述抗静电层接触的方式层叠于所述基材上，
所述压敏粘合剂层由有机硅类压敏粘合剂形成，
所述抗静电层的厚度为10nm以上200nm以下，
所述塑料膜的所述压敏粘合剂层侧的面的表面粗糙度，
以最大峰高度Rp计为200nm以下，
以最大高度Rz计为300nm以下，
以最大截面高度Rt计为500nm以下。
2.根据权利要求1所述的保护片，其特征在于，在所述塑料膜的另一个面侧也形成有抗静电层。
3.根据权利要求1所述的保护片，其特征在于，在所述压敏粘合剂层的与所述基材相反侧的面上层叠有剥离片，
所述剥离片具有：支撑体、及形成在所述支撑体的至少一个面上的抗静电层。
4.根据权利要求1所述的保护片，其特征在于，除去剥离片的所述保护片的雾度值为5％以下。
5.根据权利要求1所述的保护片，其特征在于，在23℃、相对湿度为50％的环境下，对所述基材施加10秒100V的电压时，所述基材的所述压敏粘合剂层侧的面的表面电阻率为1×105Ω/sq以上且为1×109Ω/sq以下。
6.根据权利要求1所述的保护片，其特征在于，在23℃，相对湿度为50％的环境下，对所述基材施加10秒100V的电压时，所述基材的与所述压敏粘合剂层相反侧的面的表面电阻率为1×107Ω/sq以上且为5×1011Ω/sq以下。
7.根据权利要求3所述的保护片，其特征在于，在23℃、相对湿度为50％的环境下，对所述剥离片施加10秒100V的电压时，所述剥离片的所述压敏粘合剂层侧的面的表面电阻率为1×107Ω/sq以上且为1×1011Ω/sq以下。
8.根据权利要求3所述的保护片，其特征在于，在23℃、相对湿度为50％的环境下，对所述剥离片施加10秒100V的电压时，所述剥离片的与所述压敏粘合剂层相反侧的面的表面电阻率为1×107Ω/sq以上且为1×1011Ω/sq以下。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的保护片，其特征在于，所述器件为挠性器件。
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