CN111263987B - 光学膜、光学膜制备方法和有机发光电子器件制备方法 - Google Patents

光学膜、光学膜制备方法和有机发光电子器件制备方法 Download PDF

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Abstract

本申请涉及光学膜、光学膜制备方法和有机发光电子器件制备方法，所述光学膜在封装层从光学膜剥离或光学膜从封装层剥离时具有优异的抗静电特性，从而防止污染或器件的性能劣化。在有机发光电子器件制造过程期间从被粘物剥离时防止由静电产生的异物。

Description

光学膜、光学膜制备方法和有机发光电子器件制备方法
技术领域
本申请要求于2017年10月23日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2017-0137761号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。
本公开内容涉及光学膜、用于制备光学膜的方法以及用于使用所述光学膜制造有机发光电子器件的方法。
背景技术
有机发光二极管(OLED)是自发射型显示器件，并且，与液晶显示器(LCD)不同，有机发光二极管(OLED)可以制造得轻而薄，因为不需要单独的光源。此外，有机发光二极管由于低电压驱动而在功耗方面是有利的，并且还具有优异的响应速率、视角和对比度，并且已经被研究作为下一代显示器。
有机发光二极管的问题在于，它非常容易受到杂质、氧和水分的影响，因此其特性容易因外部暴露或者水分或氧渗透而劣化，并且寿命缩短。为了解决这样的问题，需要用于防止氧、水分等被引入到有机发光电子器件中的封装层。
封装层包括用于在制造过程期间或在制造之后保护封装层的保护膜，并且由于材料特性而产生的高表面电阻引起的静电，当从封装层剥离保护膜时，常见的保护膜具有残留在封装层中的残留物，并且异物(例如污垢或灰尘)可能附着至其上，从而导致损坏有机发光器件，并且在有机发光器件中导致发光缺陷。为了解决这样的问题，需要工人使用静电去除器逐一除去静电的过程，这造成增加生产时间和成本并由此降低生产率的问题。需要用于解决这样的问题的方法。
发明内容
技术问题
根据一个实施方案的本公开内容的光学膜是在制造有机发光电子器件时用于保护有机发光器件的表面的膜。
当从光学膜剥离封装层或从封装层剥离光学膜时，本公开内容的光学膜具有优异的抗静电功能，并且可以防止器件的污染或性能下降。
技术方案
本公开内容的一个实施方案提供了光学膜，其包括：基础层，所述基础层包括基础膜以及各自设置在基础膜的两个表面上的第一抗静电层和第二抗静电层；保护层，所述保护层包括保护膜以及各自设置在保护膜的两个表面上的第三抗静电层和第四抗静电层；以及基于有机硅的粘合剂层，所述基于有机硅的粘合剂层设置在基础层与保护层之间使得第二抗静电层和第三抗静电层彼此面对，其中基于有机硅的粘合剂层与第三抗静电层直接接触。
本公开内容的另一个实施方案提供了光学膜，其包括：基础层，所述基础层包括基础膜以及各自设置在基础膜的两个表面上的第一抗静电层和第二抗静电层；和基于有机硅的粘合剂层，所述基于有机硅的粘合剂层设置在第二抗静电层的与面对基础膜的表面相反的表面上。
本公开内容的一个实施方案提供了用于制备光学膜的方法，其包括：形成基础层，所述基础层包括基础膜以及设置在基础膜的两个表面上的第一抗静电层和第二抗静电层；形成保护层，所述保护层包括保护膜以及各自设置在保护膜的两个表面上的第三抗静电层和第四抗静电层；以及通过基于有机硅的粘合剂层将基础层和保护层粘结，其中第二抗静电层和第三抗静电层彼此面对，并且基于有机硅的粘合剂层与第三抗静电层直接接触。
本公开内容的另一个实施方案提供了用于制造有机发光电子器件的方法，其包括从上述光学膜中除去保护层；以及将光学膜的基于有机硅的粘合剂层附接在有机发光器件的封装层上。
有益效果
本申请提供了这样的光学膜，其具有优异的抗静电功能，从而在有机发光电子器件制造过程期间从被粘物剥离时防止由静电产生的异物。
附图说明
图1和图2示出了光学膜的形式。
图3是示出其中在有机发光电子器件制造过程期间将粘合剂层附接在封装层上的状态的图。
具体实施方式
在下文中，将更详细地描述本说明书。
在本说明书中，除非特别相反地指出，否则某部分“包括”某些构成要素的描述意指能够进一步包括其他构成要素，并且不排除其他构成要素。
将参照附图详细描述本公开内容的实施方案，使得本领域技术人员可以容易地实现本公开内容。然而，本公开内容可以以各种不同的形式实施，并且不限于本文描述的实施方案。
本公开内容的一个实施方案提供了光学膜，其包括基础层；保护层；和基于有机硅的粘合剂层。
基础层包括基础膜以及各自设置在基础膜的两个表面上的第一抗静电层和第二抗静电层；保护层包括保护膜以及各自设置在保护膜的两个表面上的第三抗静电层和第四抗静电层；以及基于有机硅的粘合剂层设置在基础层与保护层之间使得第二抗静电层与第三抗静电层彼此面对。
基于有机硅的粘合剂层与第三抗静电层直接接触。
当在基于有机硅的粘合剂层与第三抗静电层之间包括离型层时，可能存在以下问题：离型层的剥离强度随着时间或通过暴露于高温度和高湿度环境而增加，并因此，基于有机硅的粘合剂层优选与第三抗静电层直接接触。
通过在第二抗静电层的一个表面上设置基于有机硅的粘合剂层，在基于有机硅的粘合剂层中获得了第二抗静电层的抗静电特性，这可能降低基于有机硅的粘合剂层的累积静电容量。在一个实施方案中，基于有机硅的粘合剂层与第二抗静电层直接接触。
当防止基于有机硅的粘合剂层具有静电时，在从光学膜中除去保护层以将基于有机硅的粘合剂层附接至被粘物表面或者从被粘物表面剥离光学膜时，可以防止可能因静电而附接至基于有机硅的粘合剂层或被粘物的异物。因此，可以通过在过程期间防止被粘物表面上的污染来防止被粘物表面的特性下降。
在本公开内容的一个实施方案中，在10kV的施加电压下测量的基于有机硅的粘合剂层的剥离静电电压可以大于或等于0kV且小于或等于2kV、或者大于或等于0kV且小于或等于1.6kV。通过具有在上述范围内的剥离静电电压的基于有机硅的粘合剂层，可以防止在过程期间可能因静电而附接至基于有机硅的粘合剂层或被粘物的异物。
在本公开内容的一个实施方案中，基于有机硅的粘合剂层的剥离静电电压是当如下时获得的剥离静电电压：将光学膜切割成具有250mm的宽度和250mm的长度，使切割的光学膜在23℃的温度和50％的相对湿度下无人看管放置24小时，使用静电衰减测试仪(static honestmeter)(由Shishido Electrostatic,Ltd.制造的静电衰减测试仪H-0110)施加10kV的电压，并且在1.8m/分钟的剥离速率和180°的剥离角下从光学膜中剥离保护层。
在本公开内容的一个实施方案中，在10kV的施加电压下测量的基于有机硅的粘合剂层的剥离静电电压是在23℃的温度和50％的相对湿度下测量的值。
图1示出了根据本公开内容的一个实施方案的光学膜。图1示出了这样的光学膜，其包括基础层110，所述基础层110包括基础膜111以及各自设置在基础膜上的两个表面上的第一抗静电层11A和第二抗静电层11D；保护层130，所述保护层130包括保护膜131以及各自设置在保护膜的两个表面上的第三抗静电层11B和第四抗静电层11C；以及基于有机硅的粘合剂层，所述基于有机硅的粘合剂层设置在基础层与保护层之间使得第二抗静电层和第三抗静电层彼此面对，其中基于有机硅的粘合剂层121与第三抗静电层直接接触。
在一个实施方案中，光学膜可以通过将基于有机硅的粘合剂层附接在器件的表面上以在从光学膜中除去保护层之后进行保护来使用。图2示出了从图1的光学膜中除去保护层的状态。
在本公开内容的一个实施方案中，基础层包括基础膜以及各自设置在基础膜的两个表面上的第一抗静电层和第二抗静电层，以及保护层包括保护膜以及各自设置在保护膜的两个表面上的第三抗静电层和第四抗静电层。然而，在不影响本公开内容的预期效果的范围内，基础层和保护层还可以包括诸如底漆层或低聚物防止层的层。
基础膜和保护膜的类型没有特别限制。基础膜和保护膜的实例可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯膜；聚四氟乙烯膜；聚乙烯膜；聚丙烯膜；聚丁烯膜；聚丁二烯膜；氯乙烯共聚物膜；聚氨酯膜；乙烯-乙酸乙烯酯膜；乙烯-丙烯共聚物膜；乙烯-丙烯酸乙酯共聚物膜；乙烯-丙烯酸甲酯共聚物膜；聚酰亚胺膜等，但不限于此。在本公开内容的一个实施方案中，基础膜和保护膜可以各自为聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜。
基础膜厚度可以考虑本申请的目的来适当选择。例如，基础膜厚度可以大于或等于25μm且小于或等于150μm、大于或等于50μm且小于或等于125μm、或者大于或等于75μm且小于或等于100μm。当将包括基于有机硅的粘合剂层和基础层的光学膜粘结在有机发光器件的封装层上时，当基础膜厚度小于上述范围时，基础膜可能容易变形，而当所述厚度大于上述厚度范围时，可能发生粘结缺陷。
保护膜可以考虑本申请的目的来适当选择。其实例可以包括选自以下的一种或更多种类型：聚对苯二甲酸乙二醇酯；聚四氟乙烯；聚乙烯；聚丙烯；聚丁烯；聚丁二烯；氯乙烯共聚物；聚氨酯；乙烯-乙酸乙烯酯；乙烯-丙烯共聚物；乙烯-丙烯酸乙酯共聚物；乙烯-丙烯酸甲酯共聚物；聚酰亚胺；尼龙；基于苯乙烯的树脂或弹性体；基于聚烯烃的树脂或弹性体；其他弹性体；基于聚氧化烯的树脂或弹性体；基于聚酯的树脂或弹性体；基于聚氯乙烯的树脂或弹性体；基于聚碳酸酯的树脂或弹性体；基于聚苯硫醚的树脂或弹性体；烃的混合物；基于聚酰胺的树脂或弹性体；基于丙烯酸酯的树脂或弹性体；基于环氧的树脂或弹性体；基于有机硅的树脂或弹性体；以及液晶聚合物，但不限于此。
保护膜厚度可以考虑本申请的目的来适当选择。例如，该厚度可以大于或等于25μm且小于或等于150μm、大于或等于25μm且小于或等于125μm、或者大于或等于25μm且小于或等于100μm。
可以对基础膜和保护膜进行表面处理。表面处理的实例可以包括电晕放电处理、紫外线照射处理、等离子体处理、溅射蚀刻处理等，但不限于此。当对基础膜和保护膜进行表面处理时，可以在经表面处理的膜的表面上设置抗静电层。
本说明书中的术语“抗静电层”意指旨在抑制静电产生的层。本说明书中的术语“第一抗静电层至第四抗静电层”意指第一抗静电层、第二抗静电层、第三抗静电层和第四抗静电层。
可以使用已知方法形成第一抗静电层至第四抗静电层以实现目标效果。例如，可以使用在线涂覆法在基础膜的两个表面和保护膜的两个表面上各自形成第一抗静电层至第四抗静电层。在线涂覆法是对挤出的膜进行单轴取向，在其上涂覆涂层，然后通过双轴取向完成膜的方法。在在线涂覆法中，涂覆在膜制备过程期间进行，因此，涂层与膜之间的粘合性增加，并且与膜制备一起连续设置涂层，从而缩短该过程，并且可以将膜制备得尽可能薄。
在本公开内容中，考虑到本申请的目的，第一抗静电层至第四抗静电层可以由合适的抗静电组合物形成。例如，第一抗静电层至第四抗静电层可以在不影响本公开内容的效果的范围内包含可热固化粘结剂树脂。在本说明书中，术语“可热固化粘结剂树脂”意指可以通过适当的热施加或老化过程而固化的粘结剂树脂。
作为可热固化粘结剂树脂，可以使用选自以下的一种类型或其混合物：基于丙烯酰基的树脂、基于氨基甲酸酯的树脂、基于氨基甲酸酯-丙烯酰基的共聚物、基于酯的树脂、基于醚的树脂、基于酰胺的树脂、基于环氧的树脂和三聚氰胺树脂，然而，可热固化粘结剂树脂不限于此。
在一个实例中，第一抗静电层至第四抗静电层的一个或更多个层可以包含导电材料。在一个实施方案中，导电材料包括导电聚合物或碳纳米管。
例如，导电聚合物可以包括选自以下的一种、两种或更多种类型：聚苯胺系列、聚吡咯系列、聚噻吩系列、其衍生物和共聚物，但不限于此。
碳纳米管可以具有通过使石墨板变圆而形成的管状形状，所述石墨板通过连接由6个碳形成的六边形环而形成。碳纳米管具有优异的刚性和导电性，并且当用作光学膜的抗静电层时，硬度可以增加，并且抗静电功能可以提高。
在本公开内容的一个实施方案中，第一抗静电层和第二抗静电层可以各自直接设置在基础膜的两个表面上。在另一个实施方案中，第三抗静电层和第四抗静电层可以各自直接设置在保护膜的两个表面上。当对基础膜或保护膜进行表面处理时，在经表面处理的膜上直接设置抗静电层。
在本说明书中，任一层(或表面)直接设置在任一层(或表面)上意指该层(或表面)设置成邻接所述层(或表面)。
第一抗静电层至第四抗静电层的厚度可以考虑本申请的目的来适当选择，并且每个抗静电层的厚度可以彼此相同或不同。例如，第一抗静电层至第四抗静电层的厚度可以各自独立地大于或等于10nm且小于400nm；优选大于或等于20nm且小于或等于300nm；或者大于或等于20nm且小于或等于100nm。通过具有在上述范围内的厚度的第一抗静电层至第四抗静电层，可以在基础膜的两个表面或保护膜的两个表面上获得优异的可涂覆性。
在一个实施方案中，第一抗静电层至第四抗静电层的表面电阻可以考虑本申请的目的来适当选择。例如，第一抗静电层至第四抗静电层的表面电阻可以各自独立地为105Ω/sq或更大、106Ω/sq或更大、107Ω/sq或更大、108Ω/sq或更大、或者109Ω/sq或更大。例如，第一抗静电层至第四抗静电层的表面电阻可以各自独立地为5×1012Ω/sq或更小、或者1011Ω/sq或更小。当第一抗静电层至第四抗静电层具有在上述范围内的表面电阻时，光学膜可以具有优异的抗静电功能。
在一个实施方案中，基于有机硅的粘合剂层包含基于有机硅的粘合剂组合物的固化材料。
在本说明书中，“固化”意指例如组合物中包含的两种或更多种类型的组分通过固化条件而彼此化学地反应的过程。
在本说明书中，“固化材料”意指其中在组合物中包含的组分中，能够参与固化反应的组分通过固化反应而化学地键合的最终材料。固化材料的形成没有特别限制。
基于有机硅的粘合剂层组合物为可固化组合物，并且可以为可热固化的基于有机硅的组合物。
在本说明书中，“可热固化的”组合物意指其中通过施加热来诱导固化的组合物。
在一个实施方案中，可热固化的基于有机硅的组合物可以为通过氢化硅烷化反应而固化的组合物；通过硅烷醇的缩合反应而固化的组合物；醇释放型、肟释放型或乙酸释放型基于有机硅的组合物等，但不限于此。
在一个实施方案中，基于有机硅的粘合剂层组合物可以包含含有烯基的有机聚硅氧烷；含有氢甲硅烷基的有机聚硅氧烷；和基于铂的催化剂。
在一个实施方案中，还可以使用包含可以与烯基反应的基团的其他有机聚硅氧烷代替含有氢甲硅烷基的有机聚硅氧烷。可以与烯基反应的基团的实例可以包括包含Si-OR(R为烷基)键或Si-OH键的基团；胺基；羧酸基；硫醇基；环氧基；等等，但不限于此。
含有烯基的有机聚硅氧烷可以具有线性、支化、环状、网状或其组合形式的结构，然而，结构不限于此。
在含有烯基的有机聚硅氧烷中，烯基可以为乙烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基等，但不限于此。在一个实施方案中，烯基可以键合至有机聚硅氧烷的主链的末端和/或侧链，然而，结构不限于此。
含有烯基的有机聚硅氧烷还可以包含诸如烷基；卤素基团；芳族烃基；脂环族烃基等的取代基。
在一个实施方案中，含有烯基的有机聚硅氧烷可以具体为具有在分子链的两端封端的二甲基乙烯基甲硅烷氧基的二甲基聚硅氧烷，具有在分子链的两端封端的二甲基乙烯基甲硅烷氧基的二甲基硅氧烷-甲基乙烯基硅氧烷共聚物，具有在分子链的两端封端的二甲基乙烯基甲硅烷氧基的二甲基硅氧烷-甲基苯基硅氧烷共聚物，具有在分子链的两端封端的三甲基甲硅烷氧基的甲基乙烯基聚硅氧烷，具有在分子链的两端封端的三甲基甲硅烷氧基的二甲基硅氧烷-甲基乙烯基硅氧烷共聚物，具有在分子链的两端封端的三甲基甲硅烷氧基的二甲基硅氧烷-甲基(5-己烯基)硅氧烷共聚物，具有在分子链的两端封端的二甲基乙烯基甲硅烷氧基的二甲基硅氧烷-甲基乙烯基硅氧烷-甲基苯基硅氧烷共聚物，具有在分子链的两端封端的二甲基羟基甲硅烷氧基的甲基乙烯基聚硅氧烷，具有在分子链的两端封端的二甲基羟基甲硅烷氧基的二甲基硅氧烷-甲基乙烯基硅氧烷共聚物等，但不限于此。
含有氢甲硅烷基的有机聚硅氧烷可以引起与含有烯基的有机聚硅氧烷的固化反应。氢甲硅烷基可以键合至有机聚硅氧烷的主链的末端和/或侧链，然而，结构不限于此。
含有氢甲硅烷基的有机聚硅氧烷可以具有线性、支化、环状、网状或其组合形式的结构，然而，结构不限于此。
含有烯基的有机聚硅氧烷还可以包含诸如烷基；卤素基团；芳族烃基；脂环族烃基等的取代基。
在一个实施方案中，可以适当选择含有氢甲硅烷基的有机聚硅氧烷的含量，只要完成固化以便获得本公开内容的目标粘合剂层特性即可。
在一个实施方案中，当含有烯基的有机聚硅氧烷中包含的烯基的数量为G1，以及含有氢甲硅烷基的有机聚硅氧烷中包含的氢甲硅烷基的数量为G2时，G1:G2可以为1:0.1至1:10。
在一个实施方案中，基于铂的催化剂的实例可以包括基于铂的化合物，例如氯铂酸、氯铂酸的醇溶液、氯铂酸和烯烃的配合物、或氯铂酸和烯基硅氧烷的配合物；铂黑；铂负载的二氧化硅；铂负载的活性炭等，但不限于此。
在一个实施方案中，基于基于有机硅的组合物的总固体含量，基于铂的催化剂的含量可以为0.1ppm至10,000ppm、1ppm至8,000ppm、或1ppm至5,000ppm，但不限于此。
在一个实施方案中，基于有机硅的组合物还可以包含固化阻滞剂。在一个实施方案中，固化阻滞剂可以包括选自以下的一种、两种或更多种类型：1-乙炔基-1-环己醇、3-甲基-1-戊烯-3-醇、2-甲基-3-丁炔-2-醇、1-苯基-3-丁炔-2-醇、2-苯基-3-丁炔-2-醇、3,5-二甲基-1-己炔-3-醇、1,5-己二炔、1,6-庚二炔、3,5-二甲基-1-己炔、2-乙基-3-丁炔、2-苯基-3-丁炔、1,3-二乙烯基四甲基二硅氧烷、1,3,5,7-四乙烯基-1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷和1,3-二乙烯基-1,3-二苯基二甲基二硅氧烷，但不限于此。
可以适当选择固化阻滞剂的含量。在一个实施方案中，基于基于有机硅的组合物的固体含量，固化阻滞剂的含量可以为1ppm至30,000ppm，但不限于此。
基于有机硅的粘合剂组合物还可以包含固化剂、溶剂、水解抑制剂、抗氧化剂、固化促进剂、抗阻滞剂等。
在本公开内容中，基于有机硅的粘合剂层中的金属离子含量为50ppm或更小，优选40ppm或更小，更优选30ppm或更小，并且特别优选20ppm或更小。金属离子意指碱金属(第1族)离子，例如锂离子、钠离子或钾离子。粘合剂层中的金属离子含量意指相对于粘合剂层的总重量，粘合剂层中包含的金属离子的含量。
在本公开内容中，基于有机硅的粘合剂层中的金属离子含量为50ppm或更小意指基于有机硅的粘合剂层中不包含抗静电剂。本公开内容的光学膜具有设置在第二抗静电层的一个表面上的基于有机硅的粘合剂层，并且即使当该粘合剂层不包含抗静电剂时，也可以在基于有机硅的粘合剂层中获得抗静电特性。
形成粘合剂层的方法没有特别限制，并且例如，可以使用如下方法：通过将粘合剂组合物直接涂覆在基础层上并使所得物固化而形成粘合剂层的方法，通过首先将粘合剂组合物涂覆在可剥离的基底的表面上然后使所得物固化然后将粘合剂层转移到基础层上而形成粘合剂层的方法，等等。
在一个实施方案中，可以没有限制地使用基于有机硅的粘合剂层的涂覆过程和固化过程，只要它们是本领域中使用的已知方法即可。
基于有机硅的粘合剂层可以通过使基于有机硅的粘合剂组合物热固化而形成，然而，使粘合剂组合物热固化的方法没有特别限制，并且可以适当选择固化温度和固化时间。
在本公开内容的一个实施方案中，基于有机硅的粘合剂层厚度可以考虑本申请的目的来适当选择。例如，基于有机硅的粘合剂层厚度可以大于或等于10μm且小于或等于200μm，优选大于或等于10μm且小于或等于150μm，并且更优选大于或等于10μm且小于或等于100μm。通过使用在上述范围内的粘合剂层的厚度，可以提高粘合剂层对于被粘物表面的粘合性和润湿性。
此外，基于有机硅的粘合剂层与被粘物表面具有低粘合强度，并且可以利用低剥离强度从被粘物表面剥离。
在本说明书中，除非特别限制，否则“玻璃”可以意指无碱玻璃(NEG Co.,Ltd.,OA-21)。
在本公开内容的一个实施方案中，在180°的剥离角和0.3m/分钟的剥离速率下测量的基于有机硅的粘合剂层对于玻璃的剥离强度可以通过改变粘合剂层材料而变化。
在本公开内容的一个实施方案中，在180°的剥离角和0.3m/分钟的剥离速率下测量的基于有机硅的粘合剂层对于玻璃的剥离强度大于或等于0.5gf/英寸且小于或等于7gf/英寸、或者大于或等于0.5gf/英寸且小于或等于6.5gf/英寸。
在本公开内容的一个实施方案中，基于有机硅的粘合剂层对于玻璃的剥离强度可以为当如下时测量的剥离强度：将光学膜切割成具有50mm的宽度和150mm的长度，从光学膜中剥离保护层，使用2kg辊将光学膜的粘合剂层附接至玻璃，并将所得物在室温下储存24小时，然后使用质构分析仪(由英格兰的Stable Micro Systems制造)在0.3m/分钟的剥离速率和180°的剥离角下从玻璃上剥离光学膜。
在本公开内容的一个实施方案中，在180°的剥离角和0.3m/分钟的剥离速率下测量的基于有机硅的粘合剂层对于玻璃的剥离强度是在23℃的温度和50％的相对湿度下测量的剥离强度。
在本公开内容的一个实施方案中，润湿意指粘合剂润湿整个被粘物表面所花费的时间，并且作为测量润湿的方法，可以使用本领域通常使用的方法。例如，可以使用待稍后描述的评估实验例的润湿的方法来进行测量。
在本公开内容的一个实施方案中，基于有机硅的粘合剂层对于玻璃的润湿时间为4秒或更短、长于0秒且短于或等于3秒、或者长于0秒且短于或等于2秒。基于有机硅的粘合剂层对于玻璃的润湿时间可以长于或等于1秒且短于或等于4秒。通过基于有机硅的粘合剂层具有在上述范围内的润湿时间，可以将基于有机硅的粘合剂层附接在被粘物表面上而不产生气泡等。
在本公开内容的一个实施方案中，基于有机硅的粘合剂层对于玻璃的润湿时间在23℃的温度和50％的相对湿度下测量。
本申请的一个实施方案提供了这样的光学膜，其包括：基础层，所述基础层包括基础膜以及各自设置在基础膜的两个表面上的第一抗静电层和第二抗静电层；以及基于有机硅的粘合剂层，所述基于有机硅的粘合剂层设置在第二抗静电层的与面对基础膜的表面相反的表面上。
本申请的另一个实施方案提供了用于制备光学膜的方法。该制备方法可以涉及例如用于制备上述光学膜的方法。因此，以上提供的关于光学膜的描述可以以相同的方式应用于使用待在下面描述的用于制备光学膜的方法形成的光学膜。
在一个实施方案中，用于制备光学膜的方法包括：形成基础层，所述基础层包括基础膜以及各自设置在基础膜的两个表面上的第一抗静电层和第二抗静电层；形成保护层，所述保护层包括保护膜以及各自设置在保护膜的两个表面上的第三抗静电层和第四抗静电层；以及通过基于有机硅的粘合剂层将基础层和保护层粘结，其中第二抗静电层和第三抗静电层彼此面对，并且基于有机硅的粘合剂层与第二抗静电层和第三抗静电层直接接触。
在一个实施方案中，用于制备光学膜的方法还可以包括除去保护层。
本申请的另一个实施方案提供了用于制造有机发光电子器件的方法，其包括从上述光学膜中除去保护层；以及将光学膜的基于有机硅的粘合剂层附接在有机发光器件的封装层上。
图3是示出其中在有机发光电子器件制造过程期间将包括基础层和基于有机硅的粘合剂层的光学膜附接在封装层上的状态的图。图3的有机发光电子器件包括：有机发光器件510，其连续包括背板511、塑料基底512、薄膜晶体管513、有机发光二极管514和封装层515；基础层110；和基于有机硅的粘合剂层121。
图3仅示出了使用有机发光器件的本公开内容的光学膜的一个实施方案，并且本公开内容的光学膜可以用作其他各种电子器件中的保护膜。
在本公开内容的一个实施方案中，有机发光器件可以连续包括背板、塑料基底、薄膜晶体管、有机发光二极管和封装层。
封装层可以在有机发光电子器件中表现出优异的水分屏障特性和光学特性。此外，封装层可以形成为稳定的封装层，不论有机发光电子器件类型如何，例如顶部发射或底部发射。
在一个实施方案中，封装层可以包括单层无机材料层或多层无机材料层。当无机材料层为多层时，可以连续包括第一无机材料层、有机材料层和第二无机材料层。单层无机材料层或多层无机材料层可以包括在封装层的最外层中。作为形成封装层的方法，可以使用本领域中已知的形成封装层的常用方法。在一个实例中，可以将粘合剂层直接附接在其上未形成第二无机材料层的有机材料层的表面上。
单层无机材料层或多层无机材料层的实例可以包括基于铝氧化物的、基于硅氮化物的、基于硅氧氮化物的等。有机材料层被引入第一无机材料层与第二无机材料层之间，并且可以在使由无机颗粒等引起的不规则表面平坦化的同时发挥减缓无机材料层的应力的功能。有机材料层的实例可以包括丙烯酸酯树脂、环氧树脂等。
本申请的用于制造有机发光电子器件的方法还可以包括从封装层上剥离光学膜；以及在封装层上层合触摸屏面板和覆盖窗。当从封装层上剥离光学膜时，在封装层中获得优异的抗静电功能，并因此，可以形成层合结构而不产生静电。
发明实施方式
在下文中，将参照遵循本申请的实施例和不遵循本申请的比较例更详细地描述本申请，然而，本申请的范围不限于以下提供的实施例。
光学膜的制备
实施例1
制备如下具有75μm的厚度的膜(H33P-两个表面，Kolon)作为基础层：其中聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜的两个表面涂覆有第一抗静电层和第二抗静电层。随后，将100重量份的有机硅树脂(Wacker Chemie AG，PSA820)、1.5重量份的基于铂的催化剂(WackerChemie AG，PT5)和3重量份的固化剂(Wacker Chemie AG，V-24)混合并用甲苯稀释以制备粘合剂组合物。在将粘合剂组合物涂覆在基础层的第二抗静电层上之后，将所得物干燥4分钟并在150℃烘箱中固化以形成具有75μm的厚度的基于有机硅的粘合剂层。在其上层合具有50μm的厚度的保护层(12ASW，SKC)(其中在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜(XD510P，TAKInc.)的两个表面上形成第三抗静电层和第四抗静电层)使得第三抗静电层接触基于有机硅的粘合剂层，并制备光学膜。
实施例2
以与实施例1中相同的方式制备光学膜，不同之处在于使用通过如下制备的粘合剂组合物代替实施例1的粘合剂组合物：将80重量份的有机硅树脂(Wacker Chemie AG，PSA820)、20重量份的有机硅树脂(Wacker Chemie AG，LSR7665)、1.5重量份的基于铂的催化剂(Wacker Chemie AG，PT5)和3重量份的固化剂(Wacker Chemie AG，V-24)混合并将所得物用甲苯稀释。
实施例3
以与实施例1中相同的方式制备光学膜，不同之处在于使用通过如下制备的粘合剂组合物代替实施例1的粘合剂组合物：将60重量份的有机硅树脂(Wacker Chemie AG，PSA820)、40重量份的有机硅树脂(Wacker Chemie AG，LSR7665)和1.5重量份的基于铂的催化剂(Wacker Chemie AG，PT5)混合并将所得物用甲苯稀释。
比较例1
以与实施例1中相同的方式制备光学膜，不同之处在于使用如下具有75μm的厚度的膜(H33P-一个表面，Kolon)作为基础层代替实施例1的基础层：其中聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜的一个表面涂覆有第一抗静电层。
如下测量实施例和比较例的特性，并且结果示于表1和表2中。
剥离强度测量
通过将实施例的各个光学膜切割成具有50mm的宽度和150mm的长度来制备试样。在180°的剥离角和1.8m/分钟的剥离速率下从光学膜中剥离保护层，使用2kg辊将光学膜的粘合剂层附接至玻璃，并将所得物在室温下储存24小时。然后，使用质构分析仪(由英格兰的Stable Micro Systems制造)测量在0.3m/分钟的剥离速率和180°的剥离角下从玻璃上剥离光学膜时的剥离强度。
润湿时间测量
通过将实施例的各个光学膜切割成具有50mm的宽度和150mm的长度来制备试样。在180°的剥离角和1.8m/分钟的剥离速率下从光学膜中剥离保护层，将光学膜的粘合剂层附接至玻璃，并测量整个粘合剂层润湿在玻璃上所花费的时间。
剥离静电电压测量
将实施例和比较例的各个光学膜切割成具有250mm的宽度和250mm的长度。将光学膜在23℃的温度和50％的相对湿度下无人看管放置24小时之后，测量在1.8m/分钟的剥离速率和180°的剥离角下从光学膜中剥离保护层时基于有机硅的粘合剂层的剥离静电电压。剥离静电电压通过使用静电衰减测试仪(由Shishido Electrostatic,Ltd.制造的静电衰减测试仪H-0110)施加10kV的电压来测量。
[表1]
实施例1 实施例2 实施例3 比较例1
剥离静电电压(kV) 1.5 1.4 1.3 2.5
[表2]
实施例1 实施例2 实施例3
剥离强度(gf/英寸) 6.4 4.5 2.4
润湿时间(秒) 2 2 2
从表1确定，与比较例1(其中第二抗静电层不存在于基于有机硅的粘合剂层与基础膜之间)的基于有机硅的粘合剂层相比，实施例1至3(其中第二抗静电层存在于基于有机硅的粘合剂层与基础膜之间)的基于有机硅的粘合剂层具有低的剥离静电电压。
<附图标记说明>
11A：第一抗静电层
11B：第三抗静电层
11C：第四抗静电层
11D：第二抗静电层
110：基础层
111：基础膜
121：基于有机硅的粘合剂层
130：保护层
131：保护膜
510：有机发光器件
511：背板膜
512：塑料基底
513：薄膜晶体管
514：有机发光二极管
515：封装层

Claims (12)

1.一种光学膜，包括：
基础层，所述基础层包括基础膜以及各自设置在所述基础膜的两个表面上的第一抗静电层和第二抗静电层；
保护层，所述保护层包括保护膜以及各自设置在所述保护膜的两个表面上的第三抗静电层和第四抗静电层；以及
基于有机硅的粘合剂层，所述基于有机硅的粘合剂层设置在所述基础层与所述保护层之间使得所述第二抗静电层和所述第三抗静电层彼此面对，
其中所述基于有机硅的粘合剂层与所述第三抗静电层直接接触，所述基于有机硅的粘合剂层与所述第二抗静电层直接接触，
其中所述基于有机硅的粘合剂层包含含有烯基的有机聚硅氧烷和含有氢甲硅烷基的有机聚硅氧烷，其中所述含有烯基的有机聚硅氧烷中包含的烯基的数量G1:所述含有氢甲硅烷基的有机聚硅氧烷中包含的氢甲硅烷基的数量G2为1:0.1至1:10，
其中所述基于有机硅的粘合剂层对于玻璃的润湿时间长于或等于1秒且短于或等于4秒，
其中所述润湿时间通过以下测量：将所述光学膜切割成具有50mm的宽度和150mm的长度，在180°的剥离角和1.8m/分钟的剥离速率下从所述光学膜中剥离所述保护层，将所述光学膜的所述基于有机硅的粘合剂层附接至玻璃，并测量整个所述基于有机硅的粘合剂层润湿在所述玻璃上所花费的时间。
2.根据权利要求1所述的光学膜，其中所述第一抗静电层至所述第四抗静电层中的一个或更多个层包含导电材料。
3.根据权利要求1所述的光学膜，其中所述第一抗静电层至所述第四抗静电层各自具有大于或等于10nm且小于或等于400nm的厚度。
4.根据权利要求1所述的光学膜，其中在180°的剥离角和0.3m/分钟的剥离速率下测量的所述基于有机硅的粘合剂层对于玻璃的剥离强度大于或等于0.5gf/英寸且小于或等于7gf/英寸。
5.根据权利要求1所述的光学膜，其中在10kV的施加电压下测量的所述基于有机硅的粘合剂层的剥离静电电压大于或等于0kV且小于或等于2kV。
6.一种光学膜，包括：
基础层，所述基础层包括基础膜，以及各自设置在所述基础膜的两个表面上的第一抗静电层和第二抗静电层；和
基于有机硅的粘合剂层，所述基于有机硅的粘合剂层设置在所述第二抗静电层的与面对所述基础膜的表面相反的表面上，
其中所述基于有机硅的粘合剂层与所述第二抗静电层直接接触，
其中所述基于有机硅的粘合剂层包含含有烯基的有机聚硅氧烷和含有氢甲硅烷基的有机聚硅氧烷，其中所述含有烯基的有机聚硅氧烷中包含的烯基的数量G1:所述含有氢甲硅烷基的有机聚硅氧烷中包含的氢甲硅烷基的数量G2为1:0.1至1:10，
其中所述基于有机硅的粘合剂层对于玻璃的润湿时间长于或等于1秒且短于或等于4秒，
其中所述润湿时间通过以下测量：将所述光学膜切割成具有50mm的宽度和150mm的长度，在180°的剥离角和1.8m/分钟的剥离速率下从所述光学膜中剥离保护层，将所述光学膜的所述基于有机硅的粘合剂层附接至玻璃，并测量整个所述基于有机硅的粘合剂层润湿在所述玻璃上所花费的时间。
7.根据权利要求6所述的光学膜，其中在180°的剥离角和0.3m/分钟的剥离速率下测量的所述基于有机硅的粘合剂层对于玻璃的剥离强度大于或等于0.5gf/英寸且小于或等于7gf/英寸。
8.根据权利要求6所述的光学膜，其中在10kV的施加电压下测量的所述基于有机硅的粘合剂层的剥离静电电压大于或等于0kV且小于或等于2kV。
9.一种用于制备光学膜的方法，包括：
形成基础层，所述基础层包括基础膜以及各自设置在所述基础膜的两个表面上的第一抗静电层和第二抗静电层；
形成保护层，所述保护层包括保护膜以及各自设置在所述保护膜的两个表面上的第三抗静电层和第四抗静电层；以及
通过基于有机硅的粘合剂层将所述基础层和所述保护层粘结，
其中所述第二抗静电层和所述第三抗静电层彼此面对；以及
所述基于有机硅的粘合剂层与所述第三抗静电层直接接触，所述基于有机硅的粘合剂层与所述第二抗静电层直接接触，
其中所述基于有机硅的粘合剂层包含含有烯基的有机聚硅氧烷和含有氢甲硅烷基的有机聚硅氧烷，其中所述含有烯基的有机聚硅氧烷中包含的烯基的数量G1:所述含有氢甲硅烷基的有机聚硅氧烷中包含的氢甲硅烷基的数量G2为1:0.1至1:10，
其中所述基于有机硅的粘合剂层对于玻璃的润湿时间长于或等于1秒且短于或等于4秒，
其中所述润湿时间通过以下测量：将所述光学膜切割成具有50mm的宽度和150mm的长度，在180°的剥离角和1.8m/分钟的剥离速率下从所述光学膜中剥离所述保护层，将所述光学膜的所述基于有机硅的粘合剂层附接至玻璃，并测量整个所述基于有机硅的粘合剂层润湿在所述玻璃上所花费的时间。
10.一种用于制造有机发光电子器件的方法，包括：
从根据权利要求1至5中任一项所述的光学膜除去所述保护层；以及
将所述光学膜的所述基于有机硅的粘合剂层附接在有机发光器件的封装层上。
11.根据权利要求10所述的用于制造有机发光电子器件的方法，其中所述有机发光器件以依次顺序包括背板、塑料基底、薄膜晶体管、有机发光二极管和封装层。
12.根据权利要求10所述的用于制造有机发光电子器件的方法，还包括：
从所述封装层上除去所述光学膜；以及
在所述封装层上层合触摸屏面板和覆盖窗。
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