CN108505108A - 因瓦合金的电解抛光液及电解抛光方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种因瓦合金的电解抛光液及电解抛光方法，其由C3H8O2、HClO4、C2H5OH按照1:2:17～22的体积比混合而成。所述因瓦合金试样置于电解抛光液中作为阳极，不溶性金属为阴极；所述电解抛光液的温度为0℃～10℃，抛光电压为30～40V，对因瓦合金试样进行电解抛光。本抛光液配制简单，抛光效果好，试样表面平整、光洁、无明显变形层，可多次使用；能有效去除表面的应力层，有效地提升电解抛光质量，得到高标定率的电子衍射花样。本电解抛光方法能有效的去除样品表面的应力层，有效地提升电解抛光质量，有利于EBSD测试时产生强的衍射花样，获得高的标定率，以便于对因瓦合金进行晶界特征、织构、应力应变等微观组织结构的研究。

Description

因瓦合金的电解抛光液及电解抛光方法
技术领域
本发明涉及一种合金的电解抛光液及电解抛光方法，尤其是一种因瓦合金的电解抛光液及电解抛光方法。
背景技术
因瓦合金具有很低的平均线热膨胀系数，广泛应用于无线电，精密仪表，仪器等行业。高强度因瓦合金作为电力电缆材料，其需求量日益增长。它不仅要求具有较高的强度特性，而且要求具有优良的抗扭转特性。因瓦合金的力学性能与物理性能与热轧、固溶、拉拔、时效等工艺过程中的晶体学特征息息相关，如晶粒大小、晶界特性、织构类型与分布、组织转变、再结晶情况等。电子背散射衍射（EBSD）技术是在材料精细组织结构分析上的重要手段，而EBSD样品制备成为影响最终分析结果的重要因素。因瓦合金试样在加工与制备过程中产生的表面应力层，使得获得的衍射花样质量差，标定率低。电解抛光技术是效率最高，重复性最好的去除表面应力的一种手段，但是获得合适的抛光液及工艺参数比较困难。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种效果好的因瓦合金的电解抛光液；本发明还提供了一种因瓦合金的电解抛光方法。
为解决上述技术问题，本发明所采取的技术方案是：其由C3H8O2、HClO4、C2H5OH按照1:2:17～22的体积比混合而成。
本发明电方法采用上述的电解抛光液，所述因瓦合金试样置于电解抛光液中作为阳极，不溶性金属为阴极；所述电解抛光液的温度为0℃～10℃，抛光电压为30～40V，对因瓦合金试样进行电解抛光。
本发明方法所述电解抛光的抛光时间为10～20s。
本发明方法所述因瓦合金试样先进行机械抛光再进行电解抛光。
采用上述技术方案所产生的有益效果在于：本发明配制简单，抛光效果好，试样表面平整、光洁、无明显变形层，可多次使用。本发明能有效去除表面的应力层，有效地提升电解抛光质量，得到高标定率的电子衍射花样。
本发明方法能有效的去除样品表面的应力层，试样表面平整、光洁、无变形层，有利于EBSD测试时产生强的衍射花样，获得高的标定率，以便于对因瓦合金进行晶界特征、织构、应力等微观组织结构的研究。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
图1是本发明实施例1中因瓦合金样品的EBSD花样质量图；
图2是本发明实施例2中因瓦合金样品的EBSD花样质量图；
图3是本发明实施例3中因瓦合金样品的EBSD花样质量图；
图4是本发明实施例4中因瓦合金样品的EBSD花样质量图。
具体实施方式
实施例1：本因瓦合金的电解抛光方法采用下述具体工艺。
将热轧因瓦合金盘条（Φ8）样品的纵截面先进行机械打磨，经机械抛光后用水酒精清洗，吹干。选用分析纯C3H8O2:HClO4:C2H5OH=1:2:22(体积比)配置电解抛光液。将电解抛光液置于电解槽中，电解前将液氮倒入电解槽中，直至电解抛光液的温度降低至5℃。样品为阳极，不溶性金属为阴极，设置抛光电压为40V，抛光时间为15s，并对电解液进行磁力搅拌。电解抛光完毕的样品立刻用水清洗，再经酒精清洗后，烘干即可。本实施例所得试样表面平整、光洁、无变形层，标定率达99%，图1为热轧因瓦合金盘条纵截面的EBSD 的花样质量图。由图1可见，图像清晰，奥氏体孪晶界明显。
实施例2：本因瓦合金的电解抛光方法采用下述具体工艺。
将拉拔形变量为21%的因瓦合金样品的纵截面先进行机械打磨，经机械抛光后用水酒精清洗，吹干。选用分析纯C3H8O2:HClO4:C2H5OH=1:2:17 (体积比)配置电解抛光液。将电解抛光液置于电解槽中，电解前将液氮倒入电解槽中，直至电解抛光液的温度降低至10℃。样品为阳极，不溶性金属为阴极，设置抛光电压为35V，抛光时间为10s，并对电解液进行磁力搅拌。电解抛光完毕的样品立刻用水清洗，再经酒精清洗后，用冷风机吹干即可。本实施例所得试样表面平整、光洁、无明显变形层，试样标定率可达90%。图2为拉拔形变量为21%的因瓦合金纵截面的EBSD 的花样质量图。由图2可见，图像清晰，衬度较高的区域显示出较大的应变特征。
实施例3：本因瓦合金的电解抛光方法采用下述具体工艺。
将拉拔形变量为34%的因瓦合金样品的纵截面先进行机械打磨，经机械抛光后用水酒精清洗，吹干。选用分析纯C3H8O2:HClO4:C2H5OH=1:2:20 (体积比)配置电解抛光液。将电解抛光液置于电解槽中，电解前将液氮倒入电解槽中，直至电解抛光液的温度降低至0℃左右。样品为阳极，不溶性金属为阴极，设置抛光电压为35V，抛光时间为15s，并对电解液进行磁力搅拌。电解抛光完毕的样品立刻用水清洗，再经酒精清洗后，烘干即可。本实施例所得试样表面平整、光洁、标定率可达90%。图3为拉拔形变量为55%的因瓦合金纵截面的EBSD的花样质量图。由图3可见，图像质量清晰，衬度较高的区域显示出较大的应变特征。
实施例4：本因瓦合金的电解抛光方法采用下述具体工艺。
将拉拔形变量为55%的因瓦合金样品的纵截面先进行机械打磨，经机械抛光后用水酒精清洗，吹干。选用分析纯C3H8O2:HClO4:C2H5OH=1:2:18(体积比)配置电解抛光液。将电解抛光液置于电解槽中，电解前将液氮倒入电解槽中，直至电解抛光液的温度降低至5℃。样品为阳极，不溶性金属为阴极，设置抛光电压为30V，抛光时间为20s，并对电解液进行磁力搅拌。电解抛光完毕的样品立刻用水清洗，再经酒精清洗后，用冷风机吹干即可。本实施例所得试样表面平整、光洁、标定率可达80%以上。图4为拉拔形变量为55%的因瓦合金纵截面的EBSD 的花样质量图。由图4可见，图像清晰，衬度较高的区域显示出较大的应变特征。

Claims (4)

1.一种因瓦合金的电解抛光液，其特征在于：其由C3H8O2、HClO4、C2H5OH按照1:2:17～22的体积比混合而成。
2.一种因瓦合金的电解抛光方法，采用权利要求1所述的电解抛光液，其特征在于：所述因瓦合金试样置于电解抛光液中作为阳极，不溶性金属为阴极；所述电解抛光液的温度为0℃～10℃，抛光电压为30～40V，对因瓦合金试样进行电解抛光。
3.根据权利要求2所述的因瓦合金的电解抛光方法，其特征在于：所述电解抛光的抛光时间为10～20s。
4.根据权利要求2或3所述的因瓦合金的电解抛光方法，其特征在于：所述因瓦合金试样先进行机械抛光再进行电解抛光。
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