CN108367923A - 氖气回收/净化系统和氖气回收/净化方法 - Google Patents

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Abstract

披露了一种氖气回收/净化系统，该氖气回收/净化系统包括：回收器皿，该回收器皿被安排在排放气体路径上并且储存排放气体，该排放气体路径从排放管线分支并延伸；将从该回收器皿送出的排放气体的压力升高至第三压力的压缩机；调节已经被该压缩机升高压力的排放气体的流量的排放气体流量调节单元；从该排放气体中去除第一杂质的第一杂质去除单元；从已经被去除了该第一杂质的排放气体中去除第二杂质的第二杂质去除单元；储存已经被该第一杂质去除单元和该第二杂质去除单元处理过的经净化气体的升压器皿；将从该升压器皿送出的经净化气体的压力减小至该第一压力的减压阀；以及调节被供应至制造系统的供应管线的经净化气体的流量的经净化气体流量调节单元。

Description

氖气回收/净化系统和氖气回收/净化方法
本发明涉及一种从例如安装有准分子激光器的半导体制造设备所排出的排放气体中回收并净化氖气的系统，并且涉及一种安装在安装有半导体制造设备的工厂中的系统、以及氖气回收/净化方法。
JP-A-2001-232134描述了一种示例性氖气回收设备，该设备从KrF准分子激光振荡器所排出的气体中回收高纯度氖气。
此外，JP-A-2010-241686描述了，当从使用氪气、氙气和氖气中的至少一种高附加值气体作为大气气体的半导体产品或显示设备制造设施所排出的排放气体中分离并净化该高附加值气体以便回收时，有效地去除了排放气体中所含的轻微量的杂质，例如氮氧化物、氨气、氧气、氮气、氢气、氦气、以及水分，并且连续地分离并净化该高附加值气体以进行高回收率回收。
在JP-A-2001-232134中描述了以下内容。因为一个工厂中的KrF准分子激光振荡器所排出的排放气体的量不大，因此与在每个工厂安装一个氖气回收设备作为设施相比，将若干工厂的排放气体放到一起进行净化是更高效的。因此，排放气体被一次储存在气瓶中、并被运输到另一个气体净化工厂。接着，由安装在该气体净化工厂中的氖气回收设备对运输的气体一起进行氖气回收工艺。以此方式，实现了高效的回收。
在JP-A-2010-241686中描述了以下内容。使用吸附剂从半导体制造设施所排出的排放气体中去除氨气和水分。随后，将高附加值气体(例如氖气)从排放气体中选择性吸附到吸附剂上，并且将该高附加值气体脱附。
进一步，使用不容易吸附高附加值气体(氖气)的吸附剂通过吸附来去除杂质。以此方式，将高附加值气体分离并净化。即，除了吸附高附加值气体之外的杂质外，甚至选择性地吸附高附加值气体。
因此，复杂的步骤是必需的，并且分离和净化的成本会不可避免地高。
本发明是在上述实际情形下作出的、具有的目的是提供一种氖气回收/净化系统，该氖气回收/净化系统能够连接至例如半导体制造设备等制造系统上、从该制造系统所排出的排放气体中回收氖气、并且将所回收的氖气供应至该制造系统，而不需要不必要地分离和净化杂质、同时采用的是比常规配置更简单的系统配置。
根据第一发明的一种用于从制造系统所排出的排放气体中回收并净化氖气的氖气回收/净化系统，该制造系统包括：供应管线，该供应管线供应处于第一压力的至少含有氖气与第一惰性气体的混合惰性气体；使用该混合惰性气体的激光设备；以及排放管线，该排放管线至少排出从该激光设备排出的处于第二压力的排放气体，该第二压力等于或大于大气压、并且等于或小于该第一压力，该氖气回收/净化系统包括：
-回收器皿，该回收器皿被安排在排放气体路径上并且储存该排放气体，该排放气体路径从该排放管线分支并延伸；
-压缩机，该压缩机被安排在该回收器皿的排放气体路径下游侧、并且将从该回收器皿送出的排放气体的压力升高至第三压力；
-排放气体流量调节单元，该排放气体流量调节单元被安排在该压缩机的排放气体路径下游侧、并且调节被送到该排放气体路径下游侧且已经被该压缩机升高压力的排放气体的流量；
-第一杂质去除单元，该第一杂质去除单元被安排在该排放气体流量调节单元的排放气体路径下游侧、并且从该排放气体中去除第一杂质；
-第二杂质去除单元，该第二杂质去除单元被安排在该第一杂质去除单元的排放气体路径下游侧、并且从已经被去除了该第一杂质的排放气体中去除第二杂质；
-升压器皿，该升压器皿被安排在该第二杂质去除单元的经净化气体路径下游侧、并且储存已经被该第一杂质去除单元和该第二杂质去除单元处理过的经净化气体；
-减压装置，该减压装置被安排在该升压器皿的经净化气体路径下游侧、并且将从该升压器皿送出的经净化气体的压力减小至该第一压力；以及
-经净化气体流量调节单元，该经净化气体流量调节单元被安排在该减压装置的经净化气体路径下游侧、并且调节被供应至该制造系统的该供应管线的经净化气体的流量。
根据这种配置，因为提供了该回收器皿，因此可以储存排放气体。接着，当排放气体的量达到给定量时，排放气体的压力可以被该压缩机升高到等于或大于该第一压力的给定压力，并且该排放气体可以被该排放气体流量调节单元以给定的流量连续送至该第一杂质去除单元和下一级的第二杂质去除单元。
因此，杂质去除过程的表现可以保证，并且可以有利地获得经净化气体：氖气。进一步，该经净化气体可以被储存在升压器皿中。
接着，当经净化气体的量达到给定量时，经净化气体的压力可以被该减压装置减小至该第一压力，并且该经净化气体可以被该经净化气体流量调节单元以给定的流量送至该供应管线。
因此，可以高准确性地控制混合惰性气体与经净化气体的混合。其结果是，能够连接至制造系统例如半导体制造设备上、从排放气体中分离出除氖气外的不同组分、有利地回收氖气、并且将所回收的氖气再次供应至该制造系统，同时采用比常规配置更简单的配置。
根据第二发明的一种用于从制造系统所排出的排放气体中回收并净化氖气的氖气回收/净化系统，该制造系统包括：供应管线，该供应管线供应处于第一压力的至少含有氖气与第一惰性气体的混合惰性气体；使用该混合惰性气体的激光设备；以及排放管线，该排放管线至少排出从该激光设备排出的处于第二压力的排放气体，该第二压力等于或大于大气压、并且等于或小于该第一压力，该氖气回收/净化系统包括：
-回收器皿，该回收器皿被安排在排放气体路径上并且储存该排放气体，该排放气体路径从该排放管线分支并延伸；
-压缩机，该压缩机被安排在该回收器皿的排放气体路径下游侧、并且将从该回收器皿送出的排放气体的压力升高至第三压力；
-升压器皿，该升压器皿被安排在该压缩机的排放气体路径下游侧、并且储存已经被该压缩机升高压力的排放气体；
-排放气体流量调节单元，该排放气体流量调节单元被安排在该升压器皿的排放气体路径下游侧、并且调节被送至该排放气体路径下游侧的排放气体的流量；
-第一杂质去除单元，该第一杂质去除单元被安排在该排放气体流量调节单元的排放气体路径下游侧、并且从该排放气体中去除第一杂质；
-第二杂质去除单元，该第二杂质去除单元被安排在该第一杂质去除单元的排放气体路径下游侧、并且从已经被去除了该第一杂质的排放气体中去除第二杂质；
-减压装置，该减压装置被安排在该第二杂质去除单元的经净化气体路径下游侧、并且将从该第二杂质去除单元送出的经净化气体的压力减小至该第一压力；以及
-经净化气体流量调节单元，该经净化气体流量调节单元被安排在该减压装置的经净化气体路径下游侧、并且调节被供应至该制造系统的该供应管线的经净化气体的流量。
根据这种配置，因为提供了该回收器皿，因此可以储存排放气体。接着，当排放气体的量达到给定量时，排放气体的压力可以被该压缩机升高到等于或大于该第一压力的给定压力，所得的排放气体可以被储存在该升压器皿中，并且所储存的排放气体可以被该排放气体流量调节单元以给定的流量连续送至该第一杂质去除单元和下一级的第二杂质去除单元。因此，杂质去除过程的表现可以保证，并且可以有利地获得经净化气体：氖气。
进一步，经净化气体的压力可以被安排在下一级的第二杂质去除单元中的减压装置减小至该第一压力，并且该经净化气体可以被该经净化气体流量调节单元以给定的流量送至该供应管线。因此，可以高准确性地控制混合惰性气体与经净化气体的混合。
其结果是，能够连接至制造系统例如半导体制造设备上、从排放气体中分离出除氖气外的不同组分、有利地回收氖气、并且将所回收的氖气再次供应至该制造系统，同时采用比常规配置更简单的配置。
在该第二发明中，优选的是该升压器皿被安排在排放气体路径下游侧、紧邻压缩机。
术语“紧邻”是指例如，联接压缩机与升压器皿的管道长度在50m以内、优选在30m以内、并且更优选在20m以内。
在该第一发明和第二发明中，减压装置的实例包括减压阀。
在该第一发明和第二发明中，给出了以下配置作为实例。
该混合惰性气体包含氖气作为其主要组分，并且第一惰性气体占总量的1％至10％、并且优选地1％至8％。该混合惰性气体可能包含杂质。混合惰性气体中所包含的杂质的实例包括氮气、氧气、一氧化碳、二氧化碳、以及水。
第一惰性气体包含例如氩气(Ar)、氙气(Xe)以及氪气(Kr)中的任何一种或多种。
第一惰性气体的共混比率是例如以下共混比率，其中氩气占混合惰性气体总量的1％至5％；氙气占混合惰性气体总量的1％至15％；并且氙气为1ppm至100ppm。
制造系统的实例包括半导体制造设备，例如半导体曝光设备、高精度加工设备、以及外科医疗设备。
激光设备的实例包括：包括氟化氪(KrF)准分子激光振荡器在内的设备。
优选的是，分别在排放气体路径上的背压阀上游和下游安排闸阀。控制单元可以控制该背压阀。
第一压力是根据该制造系统的规格设定的、一般是高于大气压的压力、例如在表压意义上是在300KPa或更高至700KPa的范围内、优选在400KPa或更高至700KPa的范围内、并且更优选在500KPa或更高至700KPa的范围内。
第二压力等于或大于大气压并且等于或小于该第一压力、并且在表压意义上是例如在50KPa至200KPa的范围内。
第三压力具有大于该第一压力的值，并且例如该第一压力与该第三压力之差在表压意义上是在50KPa至150KPa的范围内。
优选的是，该压缩机基于被安排在该压缩机的排放气体路径下游侧的压力表所获得的测量值来控制该排放气体的压力。该控制单元可以控制该压缩机。
优选的是，排放气体流量调节单元包括气体流量计和气体流量调节阀、并且根据由该气体流量计获得的测量值来调节该阀以控制气体流量。该控制单元可以控制该排放气体流量调节单元。
第一杂质是在该排放气体的组分之中含量最高的杂质，并且其实例包括氧气。
在该第一杂质是氧气的情况下，第一杂质去除单元是例如填充有锰氧化物反应物或铜氧化物反应物的除氧设备。锰氧化物反应物的实例包括一氧化锰(MnO)反应物、二氧化锰(MnO2)反应物、以及底物是吸附剂的锰氧化物反应物。铜氧化物反应物的实例包括氧化铜(CuO)反应物和底物是吸附剂的铜氧化物反应物。
第二杂质是通过去除该排放气体的组分之中含量最高的杂质而获得的组分，并且其实例包含氮气、一氧化碳、二氧化碳、水、以及CF4。
在该第二杂质是非氧气的组分(氮气、一氧化碳、二氧化碳、水、以及CF4)的情况下，第二杂质去除单元是例如填充有化学吸附剂的吸气剂。
优选的是，该第一杂质去除单元和该第二杂质去除单元根据排放气体的杂质含量(或每个去除单元可去除的杂质的量)进行安排，并且用于去除较高含量的杂质的去除单元被安排在前一级中。
优选的是，减压阀基于被安排在该减压阀的经净化气体路径下游侧的压力表所获得的测量值来控制经净化气体的压力。该氖气回收/净化系统的控制单元可以控制该减压阀。
优选的是，经净化气体流量调节单元包括气体流量计和气体流量调节阀、并且根据由该气体流量计获得的测量值来调节该阀以控制气体流量。该氖气回收/净化系统的控制单元可以控制该经净化气体流量调节单元。
排放气体路径是指排放气体从排放管线或从排放管线分支的位置到杂质去除单元的循环路径(管道)。
经净化气体路径是指经净化气体从杂质去除单元到经净化气体路径与供应管线结合的位置的循环路径(管道)。
供应管线可以进一步包括供应处于该第一压力下的卤素(F2)气体的卤素供应管线。
作为该第一发明和第二发明的一个实施例，该氖气回收/净化系统进一步包括通气路径，该通气路径是用于将从该第二杂质去除单元送出的经净化气体排出至大气中的路径。该通气路径被提供成从经净化气体路径分支，并且自动闸阀或手动闸阀被安排在该通气路径上。在该第一发明中，例如在升压器皿的储存容量被超过的情况下，该自动闸阀或手动闸阀被打开，由此可以调节经净化气体以将其排放至大气中。
可以为升压器皿提供检测储存容量的检测单元，并且该控制单元可以基于该检测单元的检测而控制该自动闸阀打开。
作为该第一发明和第二发明的一个实施例，该第一惰性气体是氪气(Kr)。在此情况下，该混合惰性气体是氪气和氖气的混合惰性气体。
作为该第一发明和第二发明的一个实施例，该第一惰性气体是氩气(Ar)，
-该混合惰性气体进一步包含氙气(Xe)作为第二惰性气体，并且
-该氖气回收/净化系统进一步包括：
■去除氙气的氙气去除单元，该氙气去除单元位于该第一杂质去除单元与该第二杂质去除单元之间；以及
■辅助惰性气体供应路径，该辅助惰性气体供应路径将氖气与氙气的辅助惰性气体供应至该经净化气体路径的、在该经净化气体流量调节单元的经净化气体路径下游侧的位置处。
根据这种配置，在混合惰性气体包含氙气的情况下，进一步提供了氙气去除单元。在第一杂质是氧气并且其他杂质是第二杂质的情况下，排放气体中的氙气含量低于氧气含量且高于第二杂质的含量的可能性高。因此，优选的是将该氙气去除单元安排在第一杂质去除单元与第二杂质去除单元之间。该氙气去除单元例如填充有活性碳或基于沸石的吸附剂。
作为该第一发明和第二发明的一个实施例，该氖气回收/净化系统进一步包括：
-辅助器皿，该辅助器皿被安排在该辅助惰性气体供应路径上、并且储存氖气与氙气的辅助惰性气体；
-辅助惰性气体减压阀，该辅助惰性气体减压阀被安排在该辅助惰性气体供应路径上、并且将从该辅助器皿送出的辅助惰性气体的压力减小至该第一压力；以及
-辅助惰性气体流量调节单元，该辅助惰性气体流量调节单元被安排在该辅助惰性气体供应路径上、并且控制该辅助惰性气体的供应量。
根据这种配置，辅助惰性气体包含氖气作为其主要组分，并且氙气含量占总量的给定比率(例如，10％)。注意的是，该辅助惰性气体可能包含轻微量的杂质。根据这种配置，将具有高含量氙气的辅助惰性气体混合在已经被去除了氙气的经净化气体(其主要组分是氖气)中，由此可以将该经净化气体调节成具有与供应管线中的混合惰性气体中相同的氙气含量。
优选的是，辅助惰性气体减压阀基于被安排在该辅助惰性气体减压阀的辅助惰性气体供应路径下游侧的压力表所获得的测量值来控制辅助惰性气体的压力。该氖气回收/净化系统的控制单元可以控制该辅助惰性气体减压阀。
优选的是，辅助惰性气体流量调节单元包括气体流量计和气体流量调节阀、并且根据由该气体流量计获得的测量值来调节该阀以控制气体流量。该氖气回收/净化系统的控制单元可以控制该辅助惰性气体流量调节单元。
作为该第一发明和第二发明的一个实施例，该氖气回收/净化系统进一步包括：
-缓冲器皿，该缓冲器皿被安排在该排放管线上、并且储存从该制造系统排出的处于第二压力下并且至少含有氧气的排放气体；以及
-备用通气路径，该备用通气路径是用于将从该缓冲器皿送出的排放气体排出至大气中的路径。
该备用通气路径被提供成从排放管线分支，并且自动闸阀或手动闸阀被安排在该备用通气路径上。根据这种配置，例如在回收器皿的储存容量被超过的情况下，该自动闸阀或手动闸阀被打开，由此可以调节该排放气体以将其排放至大气中。
可以为回收器皿提供检测储存容量的检测单元，并且该控制单元可以基于该检测单元的检测而控制该自动闸阀打开。相反，在背压阀没有打开并且缓冲器皿的储存容量被超过的情况下，该自动闸阀或手动闸阀被打开，由此可以调节该排放气体以将其排放至大气中。可以为缓冲器皿提供检测储存容量的检测单元，并且该控制单元可以基于该检测单元的检测而控制该自动闸阀打开。
作为该第一发明和第二发明的一个实施例，该氖气回收/净化系统进一步包括：
-供应器皿，该供应器皿被安排在该供应管线上并且储存该混合惰性气体；
-减压阀，该减压阀被安排在该供应管线上并且将从该供应器皿送出的混合惰性气体的压力减小至该第一压力；以及
-混合惰性气体流量调节单元，该混合惰性气体流量调节单元被安排在该供应管线上、并且调节从该供应器皿送出的混合惰性气体的流量。
优选的是，混合惰性气体减压装置被安排在供应器皿与混合惰性气体流量调节单元之间。
优选的是，该混合惰性气体减压装置基于被安排在该混合惰性气体减压装置的供应管线下游侧的压力表所获得的测量值来控制混合惰性气体的压力。该制造系统的控制单元或该氖气回收/净化系统的控制单元可以控制该混合惰性气体减压装置。
混合惰性气体减压装置的实例包括减压阀。
优选的是，混合惰性气体流量调节单元包括气体流量计和气体流量调节阀、并且根据由该气体流量计获得的测量值来调节该阀以控制气体流量。
优选的是，经净化气体路径可以连接在混合惰性气体流量调节单元的供应管线下游侧。
根据该第一发明和第二发明各自的一个实施例，给出了以下配置。
可以提供用于第一杂质去除单元的第一旁通管线。
可以提供用于第二杂质去除单元的第二旁通管线。
可以提供用于氙气去除单元的第三旁通管线。
该第一至第三旁通管线各自配备有闸阀。在进行旁通过程时，该闸阀打开。
第一杂质去除单元至少在其上游包括闸阀。
第二杂质去除单元至少在其上游包括闸阀。
氙气去除单元至少在其上游包括闸阀。
根据该第一发明和第二发明各自的一个实施例，供应气体和经净化气体同时被供应至制造系统，并且可以仅将经净化气体供应至该制造系统。
根据该第一发明和第二发明各自的一个实施例，该氖气回收/净化系统的控制单元可以基于来自该制造系统的控制单元的命令信号来控制相应元件。
根据该第一发明和第二发明各自的一个实施例，氙气去除单元可以包括并联安排的两个氙气去除单元。这两个氙气去除单元之一可以进行吸附过程，并且另一个可以进行再生过程。
根据该第一发明和第二发明各自的一个实施例，该氖气回收/净化系统进一步包括调节排放气体的温度的温度调节单元，该温度调节单元位于该排放气体流量调节单元的排放气体路径上游侧。温度调节单元的实例包括热交换器。
根据该第一发明的一个实施例，该温度调节单元被安排在压缩机的排放气体路径下游侧、并且优选被安排在压缩机与排放气体流量调节单元之间。
根据该第二发明的一个实施例，该温度调节单元被安排在升压器皿的排放气体路径下游侧、并且优选地被安排在升压器皿与排放气体流量调节单元之间。
根据这种配置，可以将排放气体温度调节至预定温度。例如，可以将已经随着压缩机进行的压力升高而升高的排放气体温度(例如，60℃至80℃)调节至预定温度(例如，15℃至35℃)。此外，可以将排放气体温度调节至适合于下一级中的不同去除单元的去除动作的温度范围。
作为第三发明的一种用于从制造系统所排出的排放气体中回收并净化氖气的氖气回收/净化方法，该制造系统包括：供应管线，该供应管线供应处于第一压力的至少含有氖气与第一惰性气体的混合惰性气体；使用该混合惰性气体的激光设备；以及排放管线，该排放管线至少排出从该激光设备排出的处于第二压力的排放气体，该第二压力等于或大于大气压、并且等于或小于该第一压力，该氖气回收/净化方法包括：
-将该排放气体储存在回收器皿中的第一回收步骤，该回收器皿被安排在从该排放管线分支并延伸的排放气体路径上；
-将从该回收器皿送出的排放气体的压力升高至第三压力的升压步骤；
-调节已经在该升压步骤中被升高压力的排放气体的流量的排放气体流量调节步骤；
-从流量已经在该排放气体流量调节步骤中被调节的排放气体中去除第一杂质的第一杂质去除步骤；
-从已经在该第一杂质去除步骤中被去除了该第一杂质的排放气体中去除第二杂质的第二杂质去除步骤；
-将已经在该第一杂质去除步骤和该第二杂质去除步骤中被处理过的经净化气体储存在升压器皿中的第二回收步骤；
-将从该升压器皿送出的经净化气体的压力减小至该第一压力的减压步骤；以及
-调节已经在该减压步骤中被减小压力并且被供应至该制造系统的该供应管线的经净化气体的流量的经净化气体流量调节步骤。
根据这种配置，因为提供了该回收器皿，因此可以储存排放气体。接着，当排放气体的量达到给定量时，排放气体的压力可以被升高到等于或大于该第一压力的给定压力，并且该排放气体可以在该排放气体流量调节步骤中以给定的流量被送至在第一杂质去除步骤和下一级的第二杂质去除步骤中进行连续处理。因此，杂质去除过程的表现可以保证，并且可以有利地获得经净化气体：氖气。进一步，该经净化气体可以被储存在升压器皿中。接着，当经净化气体的量达到给定量时，经净化气体的压力可以在减压步骤中被减小至该第一压力，并且该经净化气体可以在该经净化气体流量调节步骤中以给定的流量被送至该供应管线。因此，可以高准确性地控制混合惰性气体与经净化气体的混合。其结果是，在制造系统例如半导体制造设备中，能够从排放气体中分离出除氖气外的不同组分、有利地回收氖气、并且将所回收的氖气再次供应至该制造系统，同时采用比常规配置更简单的配置。
作为第四发明的一种用于从制造系统所排出的排放气体中回收并净化氖气的氖气回收/净化方法，该制造系统包括：供应管线，该供应管线供应处于第一压力的至少含有氖气与第一惰性气体的混合惰性气体；使用该混合惰性气体的激光设备；以及排放管线，该排放管线至少排出从该激光设备排出的处于第二压力的排放气体，该第二压力等于或大于大气压、并且等于或小于该第一压力，该氖气回收/净化系统包括：
-将该排放气体储存在回收器皿中的第一回收步骤，该回收器皿被安排在从该排放管线分支并延伸的排放气体路径上；
-将从该回收器皿送出的排放气体的压力升高至第三压力的升压步骤；
-将已经在该升压步骤中被升高压力的排放气体储存在升压器皿中的第二回收步骤；
-调节从该升压器皿送出的排放气体的流量的排放气体流量调节步骤；
-从流量已经在该排放气体流量调节步骤中被调节的排放气体中去除第一杂质的第一杂质去除步骤；
-从已经在该第一杂质去除步骤中被去除了该第一杂质的排放气体中去除第二杂质的第二杂质去除步骤；
-将已经在该第二杂质去除步骤中被处理过的经净化气体的压力减小至该第一压力的减压步骤；以及
-调节已经在该减压步骤中被减小压力并且被供应至该制造系统的该供应管线的经净化气体的流量的经净化气体流量调节步骤。
根据这种配置，因为提供了该回收器皿，因此可以储存排放气体。接着，当排放气体的量达到给定量时，排放气体的压力可以被该压缩机升高到等于或大于该第一压力的给定压力，所得的排放气体可以被储存在该升压器皿中，并且所储存的排放气体可以在该排放气体流量调节步骤中以给定的流量被送至在第一杂质去除步骤和下一级的第二杂质去除步骤中进行连续处理。因此，杂质去除过程的表现可以保证，并且可以有利地获得经净化气体：氖气。进一步，经净化气体的压力可以在下一级的第二杂质去除步骤中被减小至该第一压力，并且该经净化气体可以在该经净化气体流量调节步骤中以给定的流量被送至该供应管线。因此，可以高准确性地控制混合惰性气体与经净化气体的混合。其结果是，能够连接至制造系统例如半导体制造设备上、从排放气体中分离出除氖气外的不同组分、有利地回收氖气、并且将所回收的氖气再次供应至该制造系统，同时采用比常规配置更简单的配置。
在该第四发明中优选的是，第二回收步骤包括紧接着该升压步骤中的升压过程之后将已经被升高压力的排放气体储存在升压器皿中。将已经被升高压力的排放气体储存在升压器皿中所需的时间在5分钟以内、优选在3分钟以内、并且更优选在1分钟以内。
作为该第三发明和第四发明的一个实施例，该方法进一步包括：将已经在该第二杂质去除步骤中被处理过的经净化气体从通气路径排出至大气中的排出步骤。
作为该第三发明和第四发明的一个实施例，
-该第一惰性气体是氩气(Ar)，
-该混合惰性气体进一步包含氙气(Xe)作为第二惰性气体，并且
-该氖气回收/净化方法进一步包括：
■在该第一杂质去除步骤与该第二杂质去除步骤之间的去除氙气的氙气去除步骤；以及
■在该经净化气体流量调节步骤之后的将氖气与氙气的辅助惰性气体供应至经净化气体路径的辅助惰性气体供应步骤。
作为该第三发明和第四发明的一个实施例，该氖气回收/净化方法进一步包括：
-将氖气与氙气的辅助惰性气体的压力减小至该第一压力的辅助惰性气体减压步骤；以及
-控制该辅助惰性气体的供应量的辅助惰性气体流量调节步骤。
根据该第三发明和第四发明的一个实施例，该氖气回收/净化方法可以进一步包括在该升压步骤与该排放气体流量调节步骤之间的降低排放气体的温度的热交换步骤。
附图说明
图1是展示实施例1的制造系统和氖气回收/净化系统的配置实例的图。
图2是展示实施例2的制造系统和氖气回收/净化系统的配置实例的图。
具体实施方式
氖气回收/净化系统
参照图1来描述实施例1的氖气回收/净化系统2。氖气回收/净化系统2直接连接至制造系统1上。在本实施例中，制造系统1包括准分子激光振荡器、并且使用混合惰性气体作为大气气体，该混合惰性气体是包含氙气和氩气的氖气。在本实施例中，混合惰性气体是例如包含氖气作为其主要组分、氙气占总量的5ppm至50ppm、并且氩气占总量的3.0％至4.0％的气体(该气体可能包含杂质)。
混合惰性气体从供应器皿10以第一压力经供应管线L1被供应至制造系统1的半导体制造设备。供应管线L1按以下顺序配备有供应阀11、混合惰性气体流量调节单元12、以及供应闸阀13。混合惰性气体流量调节单元12包括气体流量计和气体流量调节阀、并且根据由气体流量计获得的测量值来调节该阀以控制气体流量。当制造系统的控制单元例如仅供应经净化气体(后面将描述)至半导体制造设备时，供应闸阀13被控制关闭。第一压力是根据制造系统1的规格设定的、并且是例如500KPa至700KPa。经净化气体路径L5(后面将描述)连接在混合惰性气体流量调节单元12和供应闸阀13的供应管线下游侧。
此外，提供了用于供应卤素的卤素供应管线(未展示)。此外，在供应器皿10内的混合惰性气体的压力大于该第一压力的情况下，混合惰性气体的压力被安排在混合惰性气体流量调节单元12上游的混合惰性气体减压阀(未展示)减小至该第一压力。
从半导体制造设备排出的排放气体以等于或大于大气压且等于或小于第一压力的第二压力被排出。第二压力也是根据制造系统的规格设定的。第二压力为例如50KPa至100KPa。排出的排放气体中混有杂质。杂质的实例包括氮气、氧气、一氧化碳、二氧化碳、水、以及CF4。
排放气体通过连接至半导体制造设备上的排放管线L2排出。排放管线L2配备有缓冲器皿14，并且排放气体以给定的量被储存在缓冲器皿14中。因为提供了缓冲器皿14，预定量的排放气体可以被连续地送至下一级的回收器皿22。
此外，在排放气体没有从缓冲器皿14被送至下一级的回收器皿22的情况下，第一闸阀30关闭，并且被安排在备用通气路径L21上的备用通气阀15打开，由此排放气体可以被排出至大气中。制造系统的控制单元141基于为缓冲器皿14提供的并且检测其储存容量的检测单元的检测来控制备用通气阀15打开。
排放气体路径L3在备用通气阀15上游从排放管线L2分支。排放气体路径L3按以下顺序配备有第一闸阀30、背压阀(背压调节器)21、第二闸阀31、以及回收器皿22。备用通气阀15关闭，第一闸阀30、背压阀(背压调节器)21和第二闸阀31打开，由此排放气体被储存在回收器皿22中。阀控制单元61控制第一闸阀30、背压阀(背压调节器)21和第二闸阀31的阀打开/关闭。
排放气体路径L3在回收器皿22下游的一部分按以下顺序配备有压缩机23、热交换器50、第三闸阀32、以及排放气体流量调节单元24。排放气体路径L3的这部分在压缩机23上游配备有安全阀51。
压缩机23将从回收器皿22送出的排放气体的压力升高至第三压力。该第三压力是例如比该第一压力高50KPa至150KPa的压力。压力控制单元62基于被引入压缩机23中的压力表、或被安排在压缩机23的下游的压力表所获得的测量值来控制排放气体的压力。
热交换器50将排放气体的温度降低至预定温度。热交换器50可以将已经随着压缩机23进行的压力升高而升高的排放气体温度(例如，60℃至80℃)降低至预定温度(例如，15℃至35℃)，并且例如热交换器50将排放气体温度降低至适合于下一级的不同去除单元的去除动作的温度范围。气体温度控制单元63基于被引入热交换器50中的气体温度表、或被安排在热交换器50的下游的气体温度表所获得的测量值来控制排放气体的温度。阀控制单元61控制第三闸阀32的阀打开/关闭。
排放气体流量调节单元24调节被送至下一级的氧气去除单元81的排放气体的流量。排放气体流量调节单元24包括气体流量计和气体流量调节阀，并且排放气体流量控制单元64根据由该气体流量计获得的测量值来调节该气体流量调节阀以控制排放气体的流量。
在排放气体流量调节单元24下游的排放气体路径L4按以下顺序配备有氧气去除单元81、氙气去除单元62、以及杂质去除单元83。
氧气去除单元81是从排放气体中去除氧气、并且填充有锰氧化物反应物的除氧设备。锰氧化物反应物的实例包括一氧化锰(MnO)反应物和二氧化锰(MnO2)反应物。在氧气去除单元61的上游和下游分别安排了进口阀33和出口阀34，并且第一旁通管线B1也被提供成在进口阀33上游从排放气体路径L4分支并且在出口阀34下游连接排放气体路径L4。第一旁通管线B1配备有第一旁通阀35。在不使用氧气去除单元81的情况下，进口阀33和出口阀34关闭，并且第一旁通管线B1打开。阀控制单元61控制进口阀33、出口阀34和第一旁通阀35的阀打开/关闭。
氙气去除单元82是去除氙气且填充有活性碳的氙气去除设备。在氙气去除单元82的上游和下游分别安排了进口阀36和出口阀37，并且第二旁通管线B2也被提供成在进口阀36上游从排放气体路径L4分支并且在出口阀37下游连接排放气体路径L4。第二旁通管线B2配备有第二旁通阀38。在不使用氙气去除单元82的情况下，进口阀36和出口阀37关闭，并且第二旁通管线B2打开。阀控制单元61控制进口阀36、出口阀37和第二旁通阀38的阀打开/关闭。
杂质去除单元83是去除非氧气和氙气的杂质(例如，氮气、一氧化碳、二氧化碳、水、以及CF4)且填充有化学吸附剂的吸气剂。在杂质去除单元83的上游和下游分别安排了进口阀39和出口阀40，并且第三旁通管线B3也被提供成在进口阀39上游从排放气体路径L4分支并且在出口阀40下游连接经净化气体路径L5。第三旁通管线B3配备有第三旁通阀41。在不使用杂质去除单元83的情况下，进口阀39和出口阀40关闭，并且第三旁通管线B3打开。阀控制单元61控制进口阀39、出口阀40和第三旁通阀41的阀打开/关闭。
已经穿过了杂质去除单元83的气体是已经被去除了氧气、氙气和杂质的经净化气体(氖气)。该经净化气体通过经净化气体路径L5被供应至供应管线L1。在经净化气体没有被送至升压器皿25(后面将描述)的情况下，第四闸阀42关闭，并且被安排在经净化气体通气路径L51上的通气阀43打开，由此经净化气体可以被排出至大气中。
例如，阀控制单元61基于为升压器皿25提供的并且检测其储存容量的检测单元的检测来控制第四闸阀42关闭并且控制通气阀43打开。
经净化气体路径L5按以下顺序配备有第四闸阀42、升压器皿25、第五闸阀44、减压阀52、经净化气体流量调节单元26、第六闸阀45、以及第七闸阀46。
升压器皿25储存经净化气体。升压器皿25可以通过储存直至预定量的经净化气体来将该预定量的经净化气体送至供应管线L1。
压力控制单元65基于被安排在经净化气体路径L5的下游侧的压力表、或被引入减压阀52中的压力表所获得的测量值来控制减压阀52，以由此控制经净化气体的压力。升压器皿25中的经净化气体是处于第三压力的气体，并且因此经净化气体的压力需要被减小到与供应管线L1中的供应气体的压力相同的压力(第一压力)。
经净化气体流量调节单元26包括气体流量计和气体流量调节阀，并且经净化气体控制单元66根据由该气体流量计获得的测量值来调节该气体流量调节阀以控制经净化气体的流量。相应地，被送至供应管线L1的经净化气体的供应量可以被控制为恒定的。
提供了辅助惰性气体供应路径L6，以在第六闸阀45下游连接经净化气体路径L5。辅助惰性气体供应路径L6按以下顺序配备有填充有氖气与氙气的辅助惰性气体的辅助器皿71、供应阀53、辅助惰性气体减压阀54、辅助惰性气体流量调节单元72、以及第八闸阀47。
辅助惰性气体是包含氖气作为其主要组分并且氙气含量占总量的给定比率(例如，10％)的气体。注意的是，辅助惰性气体可能包含轻微量的杂质。
压力控制单元65基于被安排在辅助惰性气体供应路径L6的下游侧的压力表、或被引入减压阀54中的压力表所获得的测量值来控制辅助惰性气体减压阀54，以由此控制辅助惰性气体的压力。
在辅助器皿71内的辅助惰性气体的压力高于第一压力的情况下，将辅助惰性气体的压力减小至第一压力。
辅助惰性气体流量调节单元包括气体流量计和气体流量调节阀，并且经净化气体控制单元66根据由该气体流量计获得的测量值来调节该气体流量调节阀以控制辅助惰性气体的流量。经净化气体控制单元66控制辅助惰性气体的流量以及经净化气体的流量以获得具有与混合惰性气体(氩气、氙气、氖气)相同的共混比率的含氙气气体(其主要组分是氖气)。经净化气体和辅助惰性气体在经净化气体路径L5的管道中彼此混合，并且混合的气体被送至供应管线L1。阀控制单元61控制供应阀53和第八闸阀47的阀打开/关闭。
控制单元60可以包括硬件如CPU(或MPU)、电路、固件、以及存储软件程序的存储器。控制单元60具有分别用附图标记61至66表示的控制单元的功能。
其他实施例
虽然在本实施例中描述了含有氙气的混合惰性气体，但是本发明不限于此。在排放气体是不含氙气的混合惰性气体的情况下，氙气去除单元82、辅助惰性气体供应路径L6、辅助器皿71、供应阀53、辅助惰性气体减压阀54、辅助惰性气体流量调节单元72、以及第八闸阀47是不必要的。在此情况下，使用第二旁通管线B2，并且关闭第八闸阀47等，由此可以使不必要的部件在净化过程之时不起作用。
虽然在本实施例中氙气去除单元82的数量为一个，但氙气去除单元的数量可以是两个，并且这两个氙气去除单元可以并联安排。这两个氙气去除单元之一可以进行去除过程，并且另一个可以进行再生过程。
虽然在本实施例中提供了热交换器50，但可以不提供热交换器50。
在本实施例中，安排在供应管线L1上的混合惰性气体流量调节单元12和供应闸阀13可以构成氖气回收/净化系统2的一部分。在此情况下，控制单元60控制混合惰性气体流量调节单元12和供应闸阀13。
在本实施例中，安排在排放管线L2上的缓冲器皿14和备用通气阀15可以构成氖气回收/净化系统2的一部分。在此情况下，控制单元60控制缓冲器皿14和备用通气阀15。
实施例2
参照图2来描述实施例2的氖气回收/净化系统。与实施例1中相同的附图标记指代与实施例1中相同的功能。在实施例2中，升压器皿25被安排在压缩机23的下一级中。
升压器皿25被安排在排放气体路径下游侧、紧邻压缩机23，并且储存已经被压缩机23升高压力的排放气体。排放气体流量调节单元24被安排在升压器皿25的排放气体路径下游侧、并且调节被送至该排放气体路径下游侧的排放气体的流量。减压阀52被安排在杂质去除单元83的经净化气体路径下游侧、并且将从杂质去除单元83送出的经净化气体的压力减小至该第一压力。
氖气回收/净化方法
根据用于从制造系统所排出的排放气体中回收并净化氖气的氖气回收/净化方法的实施例包括：供应管线，该供应管线供应处于第一压力的至少含有氖气与第一惰性气体的混合惰性气体；使用该混合惰性气体的激光设备；以及排放管线，该排放管线至少排出从该激光设备排出的处于第二压力的排放气体，该第二压力等于或大于大气压、并且等于或小于该第一压力。
该第一氖气回收/净化方法包括：
-将该排放气体储存在回收器皿中的第一回收步骤，该回收器皿被安排在从该排放管线分支并延伸的排放气体路径上；
-将从该回收器皿送出的排放气体的压力升高至第三压力的升压步骤；
-调节已经在该升压步骤中被升高压力的排放气体的流量的排放气体流量调节步骤；
-从流量已经在该排放气体流量调节步骤中被调节的排放气体中去除第一杂质的第一杂质去除步骤；
-从已经在该第一杂质去除步骤中被去除了该第一杂质的排放气体中去除第二杂质的第二杂质去除步骤；
-将已经在该第一杂质去除步骤和该第二杂质去除步骤中被处理过的经净化气体储存在升压器皿中的第二回收步骤；
-将从该升压器皿送出的经净化气体的压力减小至该第一压力的减压步骤；以及
-调节已经在该减压步骤中被减小压力并且被供应至该制造系统的该供应管线的经净化气体的流量的经净化气体流量调节步骤。
该第二该氖气回收/净化方法包括：
-将该排放气体储存在回收器皿中的第一回收步骤，该回收器皿被安排在从该排放管线分支并延伸的排放气体路径上；
-将从该回收器皿送出的排放气体的压力升高至第三压力的升压步骤；
-将已经在该升压步骤中被升高压力的排放气体储存在升压器皿中的第二回收步骤；
-调节从该升压器皿送出的排放气体的流量的排放气体流量调节步骤；
-从流量已经在该排放气体流量调节步骤中被调节的排放气体中去除第一杂质的第一杂质去除步骤；
-从已经在该第一杂质去除步骤中被去除了该第一杂质的排放气体中去除第二杂质的第二杂质去除步骤；
-将已经在该第二杂质去除步骤中被处理过的经净化气体的压力减小至该第一压力的减压步骤；以及
-调节已经在该减压步骤中被减小压力并且被供应至该制造系统的该供应管线的经净化气体的流量的经净化气体流量调节步骤。
根据上述实施例，该氖气回收/净化方法可以进一步包括在该升压步骤与该排放气体流量调节步骤之间的降低排放气体的温度的热交换步骤。
根据上述实施例，该氖气回收/净化方法可以进一步包括将已经在该第二杂质去除步骤中被处理过的经净化气体从通气路径排出至大气中的排出步骤。
根据上述实施例，第一惰性气体是氩气(Ar)，
-该混合惰性气体进一步包含氙气(Xe)作为第二惰性气体，并且
-该氖气回收/净化方法可以进一步包括：
■在该第一杂质去除步骤与该第二杂质去除步骤之间的去除氙气的氙气去除步骤；以及
■在该经净化气体流量调节步骤之后的将氖气与氙气的辅助惰性气体供应至经净化气体路径的辅助惰性气体供应步骤。
根据上述实施例，该氖气回收/净化方法可以进一步包括：将从制造系统排出的处于第二压力下并且至少包含氧气的排放气体储存在被安排在排放管线上的缓冲器皿中的缓冲步骤；以及将从该缓冲器皿送出的排放气体经由备用通气路径排出至大气中的备用通气步骤。
根据上述实施例，该氖气回收/净化方法可以进一步包括：在供应管线上将混合惰性气体储存在供应器皿中的储存步骤；在供应管线上将从供应器皿送出的混合惰性气体的压力减小至第一压力的减压步骤；以及在供应管线上调节从该供应器皿送出的混合惰性气体的流量的混合惰性气体流量调节步骤。
附图标记清单
1 半导体制造系统
2 氖气回收/净化系统
10 供应器皿
14 缓冲器皿
21 背压阀
22 回收器皿
23 压缩机
24 排放气体流量调节单元
25 升压器皿
26 经净化气体流量调节单元
61 氧气去除单元
62 氙气去除单元
63 杂质去除单元
L1 供应管线
L2 排放管线
L3，L4 排放气体路径
L5 经净化气体路径

Claims (17)

1.一种用于从制造系统所排出的排放气体中回收并净化氖气的氖气回收/净化系统，该制造系统包括：供应管线，该供应管线供应处于第一压力的至少含有氖气与第一惰性气体的混合惰性气体；使用该混合惰性气体的激光设备；以及排放管线，该排放管线至少排出从该激光设备排出的处于第二压力的排放气体，该第二压力等于或大于大气压、并且等于或小于该第一压力，该氖气回收/净化系统包括：
-回收器皿，该回收器皿被安排在排放气体路径上并且储存该排放气体，该排放气体路径从该排放管线分支并延伸；
-压缩机，该压缩机被安排在该回收器皿的排放气体路径下游侧、并且将从该回收器皿送出的排放气体的压力升高至第三压力；
-排放气体流量调节单元，该排放气体流量调节单元被安排在该压缩机的排放气体路径下游侧、并且调节被送到该排放气体路径下游侧且已经被该压缩机升高压力的排放气体的流量；
-第一杂质去除单元，该第一杂质去除单元被安排在该排放气体流量调节单元的排放气体路径下游侧、并且从该排放气体中去除第一杂质；
-第二杂质去除单元，该第二杂质去除单元被安排在该第一杂质去除单元的排放气体路径下游侧、并且从已经被去除了该第一杂质的排放气体中去除第二杂质；
-升压器皿，该升压器皿被安排在该第二杂质去除单元的经净化气体路径下游侧、并且储存已经被该第一杂质去除单元和该第二杂质去除单元处理过的经净化气体；
-减压装置，该减压装置被安排在该升压器皿的经净化气体路径下游侧、并且将从该升压器皿送出的经净化气体的压力减小至该第一压力；以及
-经净化气体流量调节单元，该经净化气体流量调节单元被安排在该减压装置的经净化气体路径下游侧、并且调节被供应至该制造系统的该供应管线的经净化气体的流量。
2.一种用于从制造系统所排出的排放气体中回收并净化氖气的氖气回收/净化系统，该制造系统包括：供应管线，该供应管线供应处于第一压力的至少含有氖气与第一惰性气体的混合惰性气体；使用该混合惰性气体的激光设备；以及排放管线，该排放管线至少排出从该激光设备排出的处于第二压力的排放气体，该第二压力等于或大于大气压、并且等于或小于该第一压力，该氖气回收/净化系统包括：
-回收器皿，该回收器皿被安排在排放气体路径上并且储存该排放气体，该排放气体路径从该排放管线分支并延伸；
-压缩机，该压缩机被安排在该回收器皿的排放气体路径下游侧、并且将从该回收器皿送出的排放气体的压力升高至第三压力；
-升压器皿，该升压器皿被安排在该压缩机的排放气体路径下游侧、并且储存已经被该压缩机升高压力的排放气体；
-排放气体流量调节单元，该排放气体流量调节单元被安排在该升压器皿的排放气体路径下游侧、并且调节被送至该排放气体路径下游侧的排放气体的流量；
-第一杂质去除单元，该第一杂质去除单元被安排在该排放气体流量调节单元的排放气体路径下游侧、并且从该排放气体中去除第一杂质；
-第二杂质去除单元，该第二杂质去除单元被安排在该第一杂质去除单元的排放气体路径下游侧、并且从已经被去除了该第一杂质的排放气体中去除第二杂质；
-减压装置，该减压装置被安排在该第二杂质去除单元的经净化气体路径下游侧、并且将从该第二杂质去除单元送出的经净化气体的压力减小至该第一压力；以及
-经净化气体流量调节单元，该经净化气体流量调节单元被安排在该减压装置的经净化气体路径下游侧、并且调节被供应至该制造系统的该供应管线的经净化气体的流量。
3.根据权利要求1或2所述的氖气回收/净化系统，进一步包括通气路径，该通气路径是用于将从该第二杂质去除单元送出的经净化气体排出至大气中的路径。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的氖气回收/净化系统，其中，该第一惰性气体是氪气(Kr)。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的氖气回收/净化系统，其中，
-该第一惰性气体是氩气(Ar)，
-该混合惰性气体进一步包含氙气(Xe)作为第二惰性气体，并且
-该氖气回收/净化系统进一步包括：
■去除氙气的氙气去除单元，该氙气去除单元位于该第一杂质去除单元与该第二杂质去除单元之间；以及
■辅助惰性气体供应路径，该辅助惰性气体供应路径将氖气与氙气的辅助惰性气体供应至该经净化气体路径的、在该经净化气体流量调节单元的经净化气体路径下游侧的位置处。
6.根据权利要求5所述的氖气回收/净化系统，进一步包括：
-辅助器皿，该辅助器皿被安排在该辅助惰性气体供应路径上、并且储存氖气与氙气的辅助惰性气体；
-辅助惰性气体减压阀，该辅助惰性气体减压阀被安排在该辅助惰性气体供应路径上、并且将从该辅助器皿送出的辅助惰性气体的压力减小至该第一压力；以及
-辅助惰性气体流量调节单元，该辅助惰性气体流量调节单元被安排在该辅助惰性气体供应路径上、并且控制该辅助惰性气体的供应量。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的氖气回收/净化系统，进一步包括：
缓冲器皿，该缓冲器皿被安排在该排放管线上、并且储存从该制造系统排出的处于该第二压力下并且至少含有氧气的排放气体；以及
备用通气路径，该备用通气路径是用于将从该缓冲器皿送出的排放气体排出至大气中的路径。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的氖气回收/净化系统，进一步包括：
-供应器皿，该供应器皿被安排在该供应管线上并且储存该混合惰性气体；
-减压阀，该减压阀被安排在该供应管线上并且将从该供应器皿送出的混合惰性气体的压力减小至该第一压力；以及
-混合惰性气体流量调节单元，该混合惰性气体流量调节单元被安排在该供应管线上、并且调节从该供应器皿送出的混合惰性气体的流量。
9.根据权利要求1所述的氖气回收/净化系统，进一步包括：温度调节单元，该温度调节单元被安排在该压缩机的排放气体路径下游侧、并且调节该排放气体的温度。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的氖气回收/净化系统，其中，该回收器皿经由压力调节装置来储存该排放气体，该压力调节装置被安排在从该排放管线分支并延伸的排放气体路径上。
11.一种用于从制造系统所排出的排放气体中回收并净化氖气的氖气回收/净化方法，该制造系统包括：供应管线，该供应管线供应处于第一压力的至少含有氖气与第一惰性气体的混合惰性气体；使用该混合惰性气体的激光设备；以及排放管线，该排放管线至少排出从该激光设备排出的处于第二压力的排放气体，该第二压力等于或大于大气压、并且等于或小于该第一压力，该氖气回收/净化方法包括：
-将该排放气体储存在回收器皿中的第一回收步骤，该回收器皿被安排在从该排放管线分支并延伸的排放气体路径上；
-将从该回收器皿送出的排放气体的压力升高至第三压力的升压步骤；
-调节已经在该升压步骤中被升高压力的排放气体的流量的排放气体流量调节步骤；
-从流量已经在该排放气体流量调节步骤中被调节的排放气体中去除第一杂质的第一杂质去除步骤；
-从已经在该第一杂质去除步骤中被去除了该第一杂质的排放气体中去除第二杂质的第二杂质去除步骤；
-将已经在该第一杂质去除步骤和该第二杂质去除步骤中被处理过的经净化气体储存在升压器皿中的第二回收步骤；
-将从该升压器皿送出的经净化气体的压力减小至该第一压力的减压步骤；以及
-调节已经在该减压步骤中被减小压力并且被供应至该制造系统的该供应管线的经净化气体的流量的经净化气体流量调节步骤。
12.一种用于从制造系统所排出的排放气体中回收并净化氖气的氖气回收/净化方法，该制造系统包括：供应管线，该供应管线供应处于第一压力的至少含有氖气与第一惰性气体的混合惰性气体；使用该混合惰性气体的激光设备；以及排放管线，该排放管线至少排出从该激光设备排出的处于第二压力的排放气体，该第二压力等于或大于大气压、并且等于或小于该第一压力，该氖气回收/净化方法包括：
-将该排放气体储存在回收器皿中的第一回收步骤，该回收器皿被安排在从该排放管线分支并延伸的排放气体路径上；
-将从该回收器皿送出的排放气体的压力升高至第三压力的升压步骤；
-将已经在该升压步骤中被升高压力的排放气体储存在升压器皿中的第二回收步骤；
-调节从该升压器皿送出的排放气体的流量的排放气体流量调节步骤；
-从流量已经在该排放气体流量调节步骤中被调节的排放气体中去除第一杂质的第一杂质去除步骤；
-从已经在该第一杂质去除步骤中被去除了该第一杂质的排放气体中去除第二杂质的第二杂质去除步骤；
-将已经在该第二杂质去除步骤中被处理过的经净化气体的压力减小至该第一压力的减压步骤；以及
-调节已经在该减压步骤中被减小压力并且被供应至该制造系统的该供应管线的经净化气体的流量的经净化气体流量调节步骤。
13.根据权利要求11或12所述的氖气回收/净化方法，进一步包括将已经在该第二杂质去除步骤中被处理过的经净化气体从通气路径排出至大气中的排出步骤。
14.根据权利要求10至13中任一项所述的氖气回收/净化方法，其中，该第一惰性气体是氪气(Kr)。
15.根据权利要求10至13中任一项所述的氖气回收/净化方法，其中，
-该第一惰性气体是氩气(Ar)，
-该混合惰性气体进一步包含氙气(Xe)作为第二惰性气体，并且
-该氖气回收/净化方法进一步包括：
■在该第一杂质去除步骤与该第二杂质去除步骤之间的去除氙气的氙气去除步骤；以及
■在该经净化气体流量调节步骤之后的将氖气与氙气的辅助惰性气体供应至经净化气体路径的辅助惰性气体供应步骤。
16.根据权利要求10至15中任一项所述的氖气回收/净化方法，进一步包括：
-将氖气与氙气的辅助惰性气体的压力减小至该第一压力的辅助惰性气体减压步骤；以及
-控制该辅助惰性气体的供应量的辅助惰性气体流量调节步骤。
17.根据权利要求11至16中任一项所述的氖气回收/净化方法，进一步包括：在该排放气体流量调节步骤之前的调节该排放气体的温度的压力调节步骤。
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