KR102618087B1 - 네온 회수/정제 시스템 및 네온 회수/정제 방법 - Google Patents
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Abstract
네온 회수/정제 시스템이: 배기 가스 경로 상에 배열되고 배기 가스를 저장하는 회수 용기로서, 배기 가스 경로가 방출 라인으로부터 분지되고 연장되는 회수 용기; 회수 용기로부터 운송된 배기 가스의 압력을 제3 압력까지 증가시키는 압축기; 압력이 압축기에 의해서 증가된 배기 가스의 유량을 조절하는 배기 가스 유량 조절 유닛; 배기 가스로부터 제1 불순물을 제거하는 제1 불순물 제거 유닛; 제1 불순물이 제거된 배기 가스로부터 제2 불순물을 제거하는 제2 불순물 제거 유닛; 제1 불순물 제거 유닛 및 제2 불순물 제거 유닛에 의해서 처리된 정제된 가스를 저장하는 압력 증가 용기; 압력 증가 용기로부터 운송된 정제된 가스의 압력을 제1 압력까지 감소시키는 압력 감소 밸브; 및 제조 시스템의 공급 라인으로 공급되는 정제된 가스의 유량을 조절하는 정제된 가스 유량 조절 유닛을 포함한다.
Description
본 발명은, 예를 들어, 엑시머 레이저가 장착된 반도체 제조 장치로부터 방출되는 배기 가스로부터 네온을 회수하고 정제하는 시스템, 그리고 반도체 제조 장치가 설치되는 공장 내에 설치되는 시스템, 및 네온 회수/정제 방법에 관한 것이다.
JP-A-2001-232134는, KrF 엑시머 레이저 발진기로부터 방출되는 가스로부터 고순도 네온을 회수하는 예시적인 네온 회수 장치를 설명한다.
또한, JP-A-2010-241686은, 대기 가스로서 고가의 첨가된 가스를 이용하는 반도체 제품 또는 디스플레이 장치를 위한 제조 설비로부터 방출된 배기 가스로부터의 회수를 위해서, 크립톤, 크세논, 및 네온 중 적어도 한 종류의 고가의 첨가된 가스가 분리되고 정제될 때, 배기 가스 내에 함유된 질소 산화물, 암모니아, 산소, 질소, 수소, 헬륨, 및 수분과 같은 적은 양의 불순물이 효율적으로 제거되고, 고가의 첨가된 가스가 높은 회수율로 회수되도록 연속적으로 분리되고 정제되는 것을 설명한다.
이하의 내용이 JP-A-2001-232134에서 설명된다. 하나의 공장 내의 KrF 엑시머 레이저 발진기로부터 방출되는 배기 가스의 양이 많지 않기 때문에, 각각의 공장 내의 하나의 설비로서 네온 회수 장치를 설치하는 것에 비해서, 몇몇 공장으로부터의 배기 가스를 함께 모아서 정제하는 것이 보다 효율적이다. 따라서, 배기 가스는 가스 실린더 내에 일단 저장되고, 다른 가스 정제 공장으로 이송된다. 이어서, 가스 정제 공장 내에 설치된 네온 회수 장치에 의해서, 네온 회수 프로세스가 모든 이송된 가스에 대해서 함께 실시된다. 이러한 방식으로, 효율적인 회수가 달성된다.
이하의 내용이 JP-A-2010-241686에서 설명된다. 암모니아 및 수분은 흡착제를 이용하여 반도체 제조 설비로부터 방출된 배기 가스로부터 제거된다. 후속하여, (네온과 같은) 고가의 첨가된 가스가 배기 가스로부터 흡착제 상으로 선택적으로 흡착되고, 고가의 첨가된 가스가 탈착된다.
또한, 불순물은, 고가의 첨가된 가스(네온)을 용이하게 흡착하지 않는 흡착제를 이용한 흡착에 의해서 제거된다. 이러한 방식으로, 고가의 첨가된 가스가 분리되고 정제된다. 즉, 고가의 첨가된 가스 이외의 불순물의 흡착에 더하여, 고가의 첨가된 가스도 선택적으로 흡착된다.
따라서, 복잡한 단계가 필요하고, 분리 및 정제를 위한 비용이 불가피하게 높아진다.
전술한 실제 상황을 고려하여 이루어진 본 발명은, 통상의 구조보다 단순한 시스템 구성을 채택하면서도, 필요 이상으로 불순물을 분리하고 정제할 필요가 없이, 반도체 제조 장치와 같은 제조 시스템에 연결될 수 있고, 제조 시스템으로부터 방출된 배기 가스로부터 네온을 회수할 수 있으며, 회수된 네온을 제조 시스템에 공급할 수 있는 네온 회수/정제 시스템을 제공하기 위한 목적을 갖는다.
제조 시스템으로부터 방출된 배기 가스로부터 네온을 회수하고 정제하는, 제1 발명에 따른 네온 회수/정제 시스템은: 제1 압력에서, 적어도 네온 및 제1 비활성 가스(noble gas)를 함유하는 혼합된 비활성 가스를 공급하는 공급 라인; 혼합된 비활성 가스를 이용하는 레이저 장치; 및 대기압 이상인 그리고 제1 압력 이하인 제2 압력에서, 적어도 레이저 장치로부터 방출되는 배기 가스를 방출하는 방출 라인을 포함하고, 네온 회수/정제 시스템은:
- 배기 가스 경로(route) 상에 배열되고 배기 가스를 저장하는 회수 용기로서, 배기 가스 경로가 방출 라인으로부터 분지되고 연장되는, 회수 용기;
- 회수 용기의 배기 가스 경로 하류 측에 배열되고, 회수 용기로부터 운송되는 배기 가스의 압력을 제3 압력까지 증가시키는 압축기;
- 압축기의 배기 가스 경로 하류 측에 배열되고, 배기 가스 경로 하류 측으로 운송되고 압력이 압축기에 의해서 증가된 배기 가스의 유량을 조절하는 배기 가스 유량 조절 유닛;
- 배기 가스 유량 조절 유닛의 배기 가스 경로 하류 측에 배열되고, 배기 가스로부터 제1 불순물을 제거하는 제1 불순물 제거 유닛;
- 제1 불순물 제거 유닛의 배기 가스 경로 하류 측에 배열되고, 제1 불순물이 제거된 배기 가스로부터 제2 불순물을 제거하는 제2 불순물 제거 유닛;
- 제2 불순물 제거 유닛의 정제된 가스 경로 하류 측에 배열되고, 제1 불순물 제거 유닛 및 제2 불순물 제거 유닛에 의해서 처리된 정제된 가스를 저장하는 압력 증가 용기;
- 압력 증가 용기의 정제된 가스 경로 하류 측에 배열되고, 압력 증가 용기로부터 운송된 정제된 가스의 압력을 제1 압력까지 감소시키는 압력 감소 수단; 및
- 압력 감소 수단의 정제된 가스 경로 하류 측에 배열되고, 제조 시스템의 공급 라인으로 공급되는 정제된 가스의 유량을 조절하는 정제된 가스 유량 조절 유닛을 포함한다.
이러한 구성에 따라, 회수 용기가 제공되기 때문에, 배기 가스가 저장될 수 있다. 이어서, 배기 가스의 양이 주어진 양에 도달할 때, 배기 가스의 압력은 압축기에 의해서 제1 압력 이상인 주어진 압력까지 증가될 수 있고, 후속 스테이지에서 배기 가스는 배기 가스 유량 조절 유닛에 의해서 주어진 유량으로 제1 불순물 제거 유닛 및 제2 불순물 제거 유닛으로 연속적으로 운송될 수 있다.
따라서, 불순물 제거 프로세스 성능이 확보될 수 있고, 네온 가스의 정제된 가스가 유리하게 획득될 수 있다. 또한, 정제된 가스는 압력 증가 용기 내에 저장될 수 있다.
이어서, 정제된 가스의 양이 주어진 양에 도달하면, 정제된 가스의 압력이 압력 감소 수단에 의해서 제1 압력까지 감소될 수 있고, 정제된 가스는 정제된 가스 유량 조절 유닛에 의해서 주어진 유량으로 공급 라인에 운송될 수 있다.
따라서, 혼합된 비활성 가스 및 정제된 가스의 혼합이 높은 정확도로 제어될 수 있다. 결과적으로, 통상적인 구성보다 단순한 구성을 채택하면서도, 반도체 제조 장치와 같은 제조 시스템에 연결할 수 있고, 배기 가스로부터 네온 이외의 구성 요소를 분리할 수 있으며, 유리하게 네온을 회수할 수 있고, 회수된 네온을 다시 제조 시스템에 공급할 수 있다.
제조 시스템으로부터 방출된 배기 가스로부터 네온을 회수하고 정제하는, 제2 발명에 따른 네온 회수/정제 시스템은: 제1 압력에서, 적어도 네온 및 제1 비활성 가스를 함유하는 혼합된 비활성 가스를 공급하는 공급 라인; 혼합된 비활성 가스를 이용하는 레이저 장치; 및 대기압 이상인 그리고 제1 압력 이하인 제2 압력에서, 적어도 레이저 장치로부터 방출되는 배기 가스를 방출하는 방출 라인을 포함하고, 네온 회수/정제 시스템은:
- 배기 가스 경로 상에 배열되고 배기 가스를 저장하는 회수 용기로서, 배기 가스 경로가 방출 라인으로부터 분지화되고 연장되는 회수 용기;
- 회수 용기의 배기 가스 경로 하류 측에 배열되고 회수 용기로부터 운송된 배기 가스의 압력을 제3 압력까지 증가시키는 압축기;
- 압축기의 배기 가스 경로 하류 측에 배열되고, 압력이 압축기에 의해서 증가된 배기 가스를 저장하는 압력 증가 용기;
- 압력 증가 용기의 배기 가스 경로 하류 측에 배열되고, 배기 가스 경로 하류 측으로 운송된 배기 가스의 유량을 조절하는 배기 가스 유량 조절 유닛;
- 배기 가스 유량 조절 유닛의 배기 가스 경로 하류 측에 배열되고 배기 가스로부터 제1 불순물을 제거하는 제1 불순물 제거 유닛;
- 제1 불순물 제거 유닛의 배기 가스 경로 하류 측에 배열되고 제1 불순물이 제거된 배기 가스로부터 제2 불순물을 제거하는 제2 불순물 제거 유닛;
- 제2 불순물 제거 유닛의 정제된 가스 경로 하류 측에 배열되고, 제2 불순물 제거 유닛으로부터 운송된 정제된 가스의 압력을 제1 압력까지 감소시키는 압력 감소 수단; 및
- 압력 감소 수단의 정제된 가스 경로 하류 측에 배열되고, 제조 시스템의 공급 라인으로 공급되는 정제된 가스의 유량을 조절하는 정제된 가스 유량 조절 유닛을 포함한다.
이러한 구성에 따라, 회수 용기가 제공되기 때문에, 배기 가스가 저장될 수 있다. 이어서, 배기 가스의 양이 주어진 양에 도달할 때, 배기 가스의 압력은 압축기에 의해서 제1 압력 이상인 주어진 압력까지 증가될 수 있고, 결과적인 배기 가스가 압력 증가 용기 내에 저장될 수 있고, 후속 스테이지에서 저장된 배기 가스는 배기 가스 유량 조절 유닛에 의해서 주어진 유량으로 제1 불순물 제거 유닛 및 제2 불순물 제거 유닛으로 연속적으로 운송될 수 있다. 따라서, 불순물 제거 프로세스 성능이 확보될 수 있고, 네온 가스의 정제된 가스가 유리하게 획득될 수 있다.
또한, 정제된 가스의 압력은 제2 불순물 제거 유닛의 후속 스테이지에 배열된 압력 감소 수단에 의해서 제1 압력까지 감소될 수 있고, 정제된 가스는 정제된 가스 유량 조절 유닛에 의해서 주어진 유량으로 공급 라인에 운송될 수 있다. 따라서, 혼합된 비활성 가스 및 정제된 가스의 혼합이 높은 정확도로 제어될 수 있다.
결과적으로, 통상적인 구성보다 단순한 구성을 채택하면서도, 반도체 제조 장치와 같은 제조 시스템에 연결할 수 있고, 배기 가스로부터 네온 이외의 구성 요소를 분리할 수 있으며, 유리하게 네온을 회수할 수 있고, 회수된 네온을 다시 제조 시스템에 공급할 수 있다.
제2 발명에서, 압력 증가 용기가 배기 가스 경로 하류 측에서 압축기에 바로 근접하여 배열되는 것이 바람직하다.
"바로 근접"이라는 용어는, 예를 들어, 압축기와 압력 증가 용기를 커플링하는 파이프의 길이가 50 m 이내, 바람직하게 30 m 이내, 그리고 더 바람직하게 20 m이내인 것을 지칭한다.
제1 및 제2 발명에서, 압력 감소 수단의 일 예가 압력 감소 밸브를 포함한다.
제1 및 제2 발명에서, 이하의 구성이 예로서 주어진다.
혼합된 비활성 가스는 그 주 구성 요소로서의 네온, 및 총량에 대한 1 내지 10%의 그리고 바람직하게 1 내지 8%의 제1 비활성 가스를 함유한다. 혼합된 비활성 가스는 불순물을 함유할 수 있다. 혼합된 비활성 가스 내에 함유된 불순물의 예는 질소, 산소, 일산화탄소, 이산화탄소, 및 물을 포함한다.
제1 비활성 가스는, 예를 들어, 아르곤(Ar), 크세논(Xe), 및 크립톤(Kr) 중 임의의 하나의 종류 또는 더 많은 종류를 함유한다.
제1 비활성 가스의 혼합비는, 예를 들어, 아르곤이 혼합된 비활성 가스 총량에 대해서 1 내지 5%이고; 크세논이 혼합된 비활성 가스 총량에 대해서 1 내지 15% 이며; 그리고 크세논이 1 ppm 내지 100 ppm인 혼합비이다.
제조 시스템의 예는 반도체 노광 장치와 같은 반도체 제조 장치, 고정밀 프로세싱 장치, 및 수술용 의료 장치를 포함한다.
레이저 장치의 예는, 크립톤 플루오라이드(KrF) 엑시머 레이저 발진기를 포함하는 장치를 포함한다.
게이트 밸브가 배기 가스 경로 상에서 배압 밸브의 상류 및 하류에 각각 배열되는 것이 바람직하다. 제어 유닛이 배압 밸브를 제어할 수 있다.
제1 압력은 제조 시스템의 제원(specification)에 따라 설정되고, 일반적으로 대기압보다 높은 압력이고, 예를 들어, 게이지 압력과 관련하여 300 KPa 내지 700 KPa의 범위, 바람직하게 400 KPa 내지 700 KPa의 범위, 그리고 더 바람직하게 500 KPa 내지 700 KPa의 범위이다.
제2 압력은 대기압 이상이고 제1 압력 이하이며, 예를 들어, 게이지 압력과 관련하여 50 KPa 내지 200 KPa의 범위이다.
제3 압력은 제1 압력의 값보다 큰 값을 가지며, 예를 들어, 게이지 압력과 관련하여, 제1 압력과 제3 압력 사이의 차이는 50 KPa 내지 150 KPa의 범위이다.
압축기의 배기 가스 경로 하류 측에 배열된 압력 게이지에 의해서 얻어진 측정 값을 기초로, 압축기가 배기 가스의 압력을 제어하는 것이 바람직하다. 제어 유닛은 압축기를 제어할 수 있다.
배기 가스 유량 조절 유닛이 가스 유량계 및 가스 유량 조절 밸브를 포함하는 것, 그리고 가스 유량을 제어하기 위해서 가스 유량계에 의해서 얻어진 측정 값에 따라 밸브를 조절하는 것이 바람직하다. 제어 유닛은 배기 가스 유량 조절 유닛을 제어할 수 있다.
제1 불순물은 배기 가스의 구성 요소 사이에서 가장 많은 함량을 가지는 불순물이고, 그 예는 산소를 포함한다.
제1 불순물이 산소인 경우에, 제1 불순물 제거 유닛은, 예를 들어, 산화 망간 반응물 또는 산화 구리 반응물로 충진된 탈산 장치이다. 산화 망간 반응물의 예는 일산화망간(MnO)의 반응물, 이산화망간(MnO2)의 반응물, 및 흡착제를 기재로 하는 산화 망간 반응물을 포함한다. 산화 구리 반응물의 예는 산화 구리(CuO)의 반응물 및 흡착제를 기재로 하는 산화 구리 반응물을 포함한다.
제2 불순물은 배기 가스의 구성 요소 중에서 가장 많은 함량을 가지는 불순물을 제거하는 것에 의해서 획득되는 구성 요소이고, 그 예는 질소, 일산화탄소, 이산화탄소, 물 및 CF4를 포함한다.
제2 불순물이 산소 이외의 구성 요소(질소, 일산화탄소, 이산화탄소, 물, CF4)인 경우에, 제2 불순물 제거 유닛은, 예를 들어, 화학적 흡착제로 충진된 게터(getter)이다.
제1 및 제2 불순물 제거 유닛이 배기 가스의 불순물 함량(또는 각각의 제거 유닛에 의해서 제거될 수 있는 불순물의 양)에 따라 배열되는 것, 그리고 더 많은 함량을 가지는 불순물을 제거하기 위한 제거 유닛이 앞선 스테이지에 배열되는 것이 바람직하다.
압력 감소 밸브의 정제된 가스 경로 하류 측에 배열된 압력 게이지에 의해서 얻어진 측정 값을 기초로, 압력 감소 밸브가 정제된 가스의 압력을 제어하는 것이 바람직하다. 네온 회수/정제 시스템의 제어 유닛이 압력 감소 밸브를 제어할 수 있다.
정제된 가스 유량 조절 유닛이 가스 유량계 및 가스 유량 조절 밸브를 포함하는 것, 그리고 가스 유량을 제어하기 위해서 가스 유량계에 의해서 얻어진 측정 값에 따라 밸브를 조절하는 것이 바람직하다. 네온 회수/정제 시스템의 제어 유닛이 정제된 가스 유량 조절 유닛을 제어할 수 있다.
배기 가스 경로는 방출 라인으로부터 또는 방출 라인으로부터 분지된 위치로부터 불순물 제거 유닛까지의 배기 가스의 순환 경로(파이프)를 지칭한다.
정제된 가스 경로는 불순물 제거 유닛으로부터 정제된 가스 경로가 공급 라인과 결합되는 위치까지의 정제된 가스의 순환 경로(파이프)를 지칭한다.
공급 라인은, 제1 압력에서 할로겐(F2) 가스를 공급하는 할로겐 공급 라인을 더 포함할 수 있다.
제1 및 제2 발명의 일 실시예로서, 네온 회수/정제 시스템은, 제2 불순물 제거 유닛으로부터 운송된 정제된 가스를 대기로 방출하기 위한 경로인 환기 경로를 더 포함한다. 환기 경로는 정제된 가스 경로로부터 분지되도록 제공되며, 자동 게이트 밸브 또는 수동 게이트 밸브가 환기 경로 상에 배열된다. 제1 발명에서, 예를 들어, 압력 증가 용기의 저장 용량이 초과되는 경우에, 자동 게이트 밸브 또는 수동 게이트 밸브가 개방되고, 그에 의해서 정제된 가스가 대기로 방출되도록 조절될 수 있다.
저장 용량을 검출하는 검출 유닛이 압력 증가 용기에 제공될 수 있고, 제어 유닛은, 검출 유닛에 의한 검출을 기초로, 자동 게이트 밸브가 개방되도록 제어할 수 있다.
제1 및 제2 발명의 일 실시예로서, 제1 비활성 가스는 크립톤(Kr)이다. 이러한 경우에, 혼합된 비활성 가스는 크립톤 및 네온의 혼합된 비활성 가스이다.
제1 및 제2 발명의 일 실시예로서, 제1 비활성 가스는 아르곤(Ar)이고,
- 혼합된 비활성 가스는 제2 비활성 가스로서 크세논(Xe)을 더 함유하고,
- 네온 회수/정제 시스템은:
· 제1 불순물 제거 유닛과 제2 불순물 제거 유닛 사이에서 크세논을 제거하는 크세논 제거 유닛; 및
· 정제된 가스 유량 조절 유닛의 정제된 가스 경로 하류 측 상의 위치에서 네온 및 크세논의 보조 비활성 가스를 정제된 가스 경로에 공급하는 보조 비활성 가스 공급 경로를 더 포함한다.
이러한 구성에 따라, 혼합된 비활성 가스가 크세논을 함유하는 경우에, 크세논 제거 유닛이 더 제공된다. 제1 불순물이 산소이고 다른 불순물이 제2 불순물인 경우에, 배기 가스 내의 크세논의 함량이 산소의 함량보다 적고 제2 불순물의 함량보다 많을 가능성이 높다. 따라서, 크세논 제거 유닛을 제1 불순물 제거 유닛과 제2 불순물 제거 유닛 사이에 배열하는 것이 바람직하다. 크세논 제거 유닛은, 예를 들어, 활성 탄소 또는 제올라이트-계 흡착제로 충진된다.
제1 및 제2 발명의 일 실시예로서, 네온 회수/정제 시스템은:
- 보조 비활성 가스 공급 경로 상에 배열되고, 네온 및 크세논의 보조 비활성 가스를 저장하는 보조 용기;
- 보조 비활성 가스 공급 경로 상에 배열되고, 보조 용기로부터 운송된 보조 비활성 가스의 압력을 제1 압력까지 감소시키는 보조 비활성 가스 압력 감소 밸브; 및
- 보조 비활성 가스 공급 경로 상에 배열되고, 보조 비활성 가스의 공급량을 제어하는 보조 비활성 가스 유량 조절 유닛을 더 포함한다.
이러한 구성에 따라, 보조 비활성 가스는 주 구성 요소로서 네온, 및 총량에 대한 주어진 비율(예를 들어, 10%)의 함량을 가지는 크세논을 함유한다. 보조 비활성 가스가 소량의 불순물을 함유할 수 있다는 것을 주목하여야 한다. 이러한 구성에 따라, 크세논의 함량이 많은 보조 비활성 가스는 크세논이 제거된 정제된 가스(주 구성 요소가 네온이다) 내에서 혼합되고, 그에 의해서 정제된 가스는, 공급 라인 내의 혼합된 비활성 가스 내의 크세논 함량과 동일한 함량을 가지도록 조절될 수 있다.
보조 비활성 가스 압력 감소 밸브의 보조 비활성 가스 공급 경로 하류 측에 배열된 압력 게이지에 의해서 얻어진 측정 값을 기초로, 보조 비활성 가스 압력 감소 밸브가 보조 비활성 가스의 압력을 제어하는 것이 바람직하다. 네온 회수/정제 시스템의 제어 유닛이 보조 비활성 가스 압력 감소 밸브를 제어할 수 있다.
보조 비활성 가스 유량 조절 유닛이 가스 유량계 및 가스 유량 조절 밸브를 포함하는 것, 그리고 가스 유량을 제어하기 위해서 가스 유량계에 의해서 얻어진 측정 값에 따라 밸브를 조절하는 것이 바람직하다. 네온 회수/정제 시스템의 제어 유닛이 보조 비활성 가스 유량 조절 유닛을 제어할 수 있다.
제1 및 제2 발명의 일 실시예로서, 네온 회수/정제 시스템은:
- 방출 라인 상에 배열되고, 제2 압력에서 제조 시스템으로부터 방출되고 적어도 산소를 함유하는 배기 가스를 저장하는 버퍼 용기; 및
- 버퍼 용기로부터 운송된 배기 가스를 대기로 방출하기 위한 경로인 백업 환기 경로(backup ventilation route)를 더 포함한다.
백업 환기 경로는 방출 라인으로부터 분지되도록 제공되며, 자동 게이트 밸브 또는 수동 게이트 밸브가 백업 환기 경로 상에 배열된다. 이러한 구성에 따라, 예를 들어, 회수 용기의 저장 용량이 초과되는 경우에, 자동 게이트 밸브 또는 수동 게이트 밸브가 개방되고, 그에 의해서 배기 가스가 대기로 방출되도록 조절될 수 있다.
저장 용량을 검출하는 검출 유닛이 회수 용기에 제공될 수 있고, 제어 유닛은, 검출 유닛에 의한 검출을 기초로, 자동 게이트 밸브가 개방되도록 제어할 수 있다. 이와 달리, 배압 밸브가 개방되지 않고 버퍼 용기의 저장 용량이 초과되는 경우에, 자동 게이트 밸브 또는 수동 게이트 밸브가 개방되고, 그에 의해서 배기 가스가 대기로 방출되도록 조절될 수 있다. 저장 용량을 검출하는 검출 유닛이 버퍼 용기에 제공될 수 있고, 제어 유닛은, 검출 유닛에 의한 검출을 기초로, 자동 게이트 밸브가 개방되도록 제어할 수 있다.
제1 및 제2 발명의 일 실시예로서, 네온 회수/정제 시스템은:
- 공급 라인 상에 배열되고, 혼합된 비활성 가스를 저장하는 공급 용기;
- 공급 라인 상에 배열되고, 공급 용기로부터 운송된 혼합된 비활성 가스의 압력을 제1 압력까지 감소시키는 압력 감소 밸브; 및
- 공급 라인 상에 배열되고, 공급 용기로부터 운송된 혼합된 비활성 가스의 유량을 조절하는 혼합된 비활성 가스 유량 조절 유닛을 더 포함한다.
혼합된 비활성 가스 압력 감소 수단이 공급 용기와 혼합된 비활성 가스 유량 조절 유닛 사이에 배열되는 것이 바람직하다.
혼합된 비활성 가스 압력 감소 수단의 공급 라인 하류 측에 배열된 압력 게이지에 의해서 얻어진 측정 값을 기초로, 혼합된 비활성 가스 압력 감소 수단이 혼합된 비활성 가스의 압력을 제어하는 것이 바람직하다. 제조 시스템의 제어 유닛 또는 네온 회수/정제 시스템의 제어 유닛은 혼합된 비활성 가스 압력 감소 수단을 제어할 수 있다.
혼합된 비활성 가스 압력 감소 수단의 예는 압력 감소 밸브를 포함한다.
혼합된 비활성 가스 유량 조절 유닛이 가스 유량계 및 가스 유량 조절 밸브를 포함하는 것, 그리고 가스 유량을 제어하기 위해서 가스 유량계에 의해서 얻어진 측정 값에 따라 밸브를 조절하는 것이 바람직하다.
정제된 가스 경로가 혼합된 비활성 가스 유량 조절 유닛의 공급 라인 하류 측에 연결되는 것이 바람직하다.
제1 및 제2 발명의 각각의 실시예에 따라, 이하의 구성이 주어진다.
제1 불순물 제거 유닛을 위한 제1 바이패스 라인이 제공될 수 있다.
제2 불순물 제거 유닛을 위한 제2 바이패스 라인이 제공될 수 있다.
크세논 제거 유닛을 위한 제3 바이패스 라인이 제공될 수 있다.
제1 내지 제3 바이패스 라인은 게이트 밸브를 각각 구비한다. 바이패스 프로세스의 시간에, 게이트 밸브가 개방된다.
제1 불순물 제거 유닛은 적어도 그 상류에서 게이트 밸브를 포함한다.
제2 불순물 제거 유닛은 적어도 그 상류에서 게이트 밸브를 포함한다.
크세논 제거 유닛은 적어도 그 상류에서 게이트 밸브를 포함한다.
제1 및 제2 발명의 각각의 실시예에 따라, 공급 가스 및 정제된 가스가 제조 시스템에 동시에 공급될 수 있고, 정제된 가스만이 그에 공급될 수 있다.
제1 및 제2 발명의 각각의 실시예에 따라, 네온 회수/정제 시스템의 제어 유닛은 제조 시스템의 제어 유닛으로부터의 명령 신호를 기초로 각각의 요소를 제어할 수 있다.
제1 및 제2 발명의 각각의 실시예에 따라, 크세논 제거 유닛은 병렬로 배열된 2개의 크세논 제거 유닛을 포함할 수 있다. 흡착 프로세스가 2개의 크세논 제거 유닛 중 하나에 의해서 실시될 수 있고, 재생 프로세스가 그 중 다른 하나에 의해서 실시될 수 있다.
제1 및 제2 발명의 각각의 실시예에 따라, 네온 회수/정제 시스템은, 배기 가스 유량 조절 유닛의 배기 가스 경로 상류 측에서 배기 가스의 온도를 조절하는 온도 조절 유닛을 더 포함한다. 온도 조절 유닛의 예는 열 교환기를 포함한다.
제1 발명의 실시예에 따라, 온도 조절 유닛은 압축기의 배기 가스 경로 하류 측에 배열되고, 바람직하게 압축기와 배기 가스 유량 조절 유닛 사이에 배열된다.
제2 발명의 실시예에 따라, 온도 조절 유닛은 압력 증가 용기의 배기 가스 경로 하류 측에 배열되고, 바람직하게 압력 증가 용기와 배기 가스 유량 조절 유닛 사이에 배열된다.
이러한 구성에 따라, 배기 가스 온도가 미리 결정된 온도로 조절될 수 있다. 예를 들어, 압축기에 의해서 압력 증가와 함께 상승된 배기 가스 온도(예를 들어, 60 내지 80℃)가 미리 결정된 온도(예를 들어, 15 내지 35℃)까지 조절될 수 있다. 또한, 배기 가스 온도는 후속 스테이지 내의 다양한 제거 유닛의 제거 작용에 적합한 온도 범위까지 조절될 수 있다.
제1 압력에서, 적어도 네온 및 제1 비활성 가스를 함유하는 혼합된 비활성 가스를 공급하는 공급 라인; 혼합된 비활성 가스를 이용하는 레이저 장치; 및 대기압 이상인 그리고 제1 압력 이하인 제2 압력에서, 적어도 레이저 장치로부터 방출되는 배기 가스를 방출하는 방출 라인을 포함하는, 제조 시스템으로부터 방출되는 배기 가스로부터 네온을 회수하고 정제하는, 제3 발명으로서의, 네온 회수/정제 방법은:
- 방출 라인으로부터 분지되고 연장되는 배기 가스 경로에 배열된 회수 용기 내에 배기 가스를 저장하는 제1 회수 단계;
- 회수 용기로부터 운송된 배기 가스의 압력을 제3 압력까지 증가시키는 압력 증가 단계;
- 압력 증가 단계에서 압력이 증가된 배기 가스의 유량을 조절하는 배기 가스 유량 조절 단계;
- 배기 가스 유량 조절 단계에서 유량이 조절된 배기 가스로부터 제1 불순물을 제거하는 제1 불순물 제거 단계;
- 제1 불순물 제거 단계에서 제1 불순물이 제거된 배기 가스로부터 제2 불순물을 제거하는 제2 불순물 제거 단계;
- 압력 증가 용기 내에서, 제1 불순물 제거 단계 및 제2 불순물 제거 단계에서 처리된 정제된 가스를 저장하는 제2 회수 단계;
- 압력 증가 용기로부터 운송된 정제된 가스의 압력을 제1 압력까지 감소시키는 압력 감소 단계; 및
- 압력 감소 단계에서 압력이 감소되고 제조 시스템의 공급 라인으로 공급되는 정제된 가스의 유량을 조절하는 정제된 가스 유량 조절 단계를 포함한다.
이러한 구성에 따라, 회수 용기가 제공되기 때문에, 배기 가스가 저장될 수 있다. 이어서, 배기 가스의 양이 주어진 양에 도달할 때, 배기 가스의 압력은 제1 압력 이상인 주어진 압력까지 증가될 수 있고, 배기 가스는, 후속 스테이지에서, 제1 불순물 제거 단계 및 제2 불순물 제거 단계로 연속적으로 처리되도록, 배기 가스 유량 조절 단계에서 주어진 유량으로 운송될 수 있다. 따라서, 불순물 제거 프로세스 성능이 확보될 수 있고, 네온 가스의 정제된 가스가 유리하게 획득될 수 있다. 또한, 정제된 가스는 압력 증가 용기 내에 저장될 수 있다. 이어서, 정제된 가스의 양이 주어진 양에 도달하면, 정제된 가스의 압력이 압력 감소 단계에서 제1 압력까지 감소될 수 있고, 정제된 가스는 정제된 가스 유량 조절 단계에서 주어진 유량으로 공급 라인에 운송될 수 있다. 따라서, 혼합된 비활성 가스 및 정제된 가스의 혼합이 높은 정확도로 제어될 수 있다. 결과적으로, 반도체 제조 장치와 같은 제조 시스템에서, 통상적인 구성보다 단순한 구성을 채택하면서도, 배기 가스로부터 네온 이외의 구성 요소를 분리할 수 있으며, 유리하게 네온을 회수할 수 있고, 회수된 네온을 다시 제조 시스템에 공급할 수 있다.
제1 압력에서, 적어도 네온 및 제1 비활성 가스를 함유하는 혼합된 비활성 가스를 공급하는 공급 라인; 혼합된 비활성 가스를 이용하는 레이저 장치; 및 대기압 이상인 그리고 제1 압력 이하인 제2 압력에서, 적어도 레이저 장치로부터 방출되는 배기 가스를 방출하는 방출 라인을 포함하는, 제조 시스템으로부터 방출되는 배기 가스로부터 네온을 회수하고 정제하는, 제4 발명으로서의, 네온 회수/정제 방법은:
- 방출 라인으로부터 분지되고 연장되는 배기 가스 경로에 배열된 회수 용기 내에 배기 가스를 저장하는 제1 회수 단계;
- 회수 용기로부터 운송된 배기 가스의 압력을 제3 압력까지 증가시키는 압력 증가 단계;
- 압력 증가 용기 내에서, 압력 증가 단계에서 압력이 증가된 배기 가스를 저장하는 제2 회수 단계;
- 압력 증가 용기로부터 운송된 배기 가스의 유량을 조절하는 배기 가스 유량 조절 단계;
- 배기 가스 유량 조절 단계에서 유량이 조절된 배기 가스로부터 제1 불순물을 제거하는 제1 불순물 제거 단계;
- 제1 불순물 제거 단계에서 제1 불순물이 제거된 배기 가스로부터 제2 불순물을 제거하는 제2 불순물 제거 단계;
- 제2 불순물 제거 단계에서 처리된 정제된 가스의 압력을 제1 압력까지 감소시키는 압력 감소 단계; 및
- 압력 감소 단계에서 압력이 감소되고 제조 시스템의 공급 라인으로 공급되는 정제된 가스의 유량을 조절하는 정제된 가스 유량 조절 단계를 포함한다.
이러한 구성에 따라, 회수 용기가 제공되기 때문에, 배기 가스가 저장될 수 있다. 이어서, 배기 가스의 양이 주어진 양에 도달할 때, 배기 가스의 압력은 압축기에 의해서 제1 압력 이상인 주어진 압력까지 증가될 수 있고, 결과적인 배기 가스가 압력 증가 용기 내에 저장될 수 있고, 저장된 배기 가스는, 후속 스테이지에서, 배기 가스 유량 조절 단계에서 주어진 유량으로 제1 불순물 제거 단계 및 제2 불순물 제거 단계에서 연속적으로 처리되도록 운송될 수 있다. 따라서, 불순물 제거 프로세스 성능이 확보될 수 있고, 네온 가스의 정제된 가스가 유리하게 획득될 수 있다. 또한, 정제된 가스의 압력은 제2 불순물 제거 단계의 후속 스테이지에서 제1 압력까지 감소될 수 있고, 정제된 가스는 정제된 가스 유량 조절 단계에서 주어진 유량으로 공급 라인에 운송될 수 있다. 따라서, 혼합된 비활성 가스 및 정제된 가스의 혼합이 높은 정확도로 제어될 수 있다. 결과적으로, 통상적인 구성보다 단순한 구성을 채택하면서도, 반도체 제조 장치와 같은 제조 시스템에 연결할 수 있고, 배기 가스로부터 네온 이외의 구성 요소를 분리할 수 있으며, 유리하게 네온을 회수할 수 있고, 회수된 네온을 다시 제조 시스템에 공급할 수 있다.
제4 발명에서, 제2 회수 단계는, 압력 증가 단계에서의 압력 증가 프로세스 직후에, 압력 증가 용기 내에서, 압력이 증가된 배기 가스를 저장하는 단계를 포함한다. 압력이 증가된 배기 가스를 압력 증가 용기 내에 저장하는 데 필요한 시간은 5분 이내, 바람직하게 3분 이내, 그리고 더 바람직하게 1분 이내이다.
제3 및 제4 발명의 일 실시예로서, 방법은, 제2 불순물 제거 단계에서 처리된 정제된 가스를 환기 경로로부터 대기로 방출하는 방출 단계를 더 포함한다.
제3 및 제4 발명의 일 실시예로서,
- 제1 비활성 가스는 아르곤(Ar)이고,
- 혼합된 비활성 가스는 제2 비활성 가스로서 크세논(Xe)을 더 함유하고,
- 네온 회수/정제 방법은:
· 제1 불순물 제거 단계와 제2 불순물 제거 단계 사이에서 크세논을 제거하는 크세논 제거 단계; 및
· 정제된 가스 유량 조절 단계 이후에 네온 및 크세논의 보조 비활성 가스를 정제된 가스 경로에 공급하는 보조 비활성 가스 공급 단계를 더 포함한다.
제3 및 제4 발명의 일 실시예로서, 네온 회수/정제 방법은:
- 네온 및 크세논의 보조 비활성 가스의 압력을 제1 압력까지 감소시키는 보조 비활성 가스 압력 감소 단계; 및
- 보조 비활성 가스의 공급량을 제어하는 보조 비활성 가스 유량 조절 단계를 더 포함한다.
제3 및 제4 발명의 각각의 실시예에 따라, 네온 회수/정제 방법은, 압력 증가 단계와 배기 가스 유량 조절 단계 사이에서, 배기 가스의 온도를 낮추는 열교환 단계를 더 포함할 수 있다.
도 1은 실시예 1의 제조 시스템 및 네온 회수/정제 시스템의 구성예를 도시하는 도면이다.
도 2는 실시예 2의 제조 시스템 및 네온 회수/정제 시스템의 구성예를 도시하는 도면이다.
도 2는 실시예 2의 제조 시스템 및 네온 회수/정제 시스템의 구성예를 도시하는 도면이다.
네온 회수/정제 시스템
실시예 1의 네온 회수/정제 시스템(2)이 도 1을 참조하여 설명된다. 네온 회수/정제 시스템(2)은 제조 시스템(1)에 직접적으로 연결된다. 본 실시예에서, 제조 시스템(1)은 엑시머 레이저 발진기를 포함하고, 대기 가스로서 크세논 및 아르곤을 함유하는 네온 가스인 혼합된 비활성 가스를 이용한다. 본 실시예에서, 혼합된 비활성 가스는, 예를 들어, 주 구성 요소로서의 네온, 총량에 대한 5 내지 50 ppm의 크세논, 및 총량에 대한 3.0 내지 4.0%의 아르곤을 함유하는 가스이다(가스는 불순물을 함유할 수 있다).
혼합된 비활성 가스는 공급 라인(L1)을 통해서 제1 압력에서 공급 용기(10)로부터 제조 시스템(1)의 반도체 제조 장치에 공급된다. 공급 라인(L1)은, 공급 밸브(11), 혼합된 비활성 가스 유량 조절 유닛(12), 및 공급 게이트 밸브(13)를 기술된 순서로 구비한다. 혼합된 비활성 가스 유량 조절 유닛(12)은 가스 유량계 및 가스 유량 조절 밸브를 포함하고, 가스 유량을 제어하기 위해서 가스 유량계에 의해서 얻어진 측정 값에 따라 밸브를 조절한다. 제조 시스템의 제어 유닛이, 예를 들어, 반도체 제조 장치에 (후술되는) 정제된 가스만을 공급할 때, 공급 게이트 밸브(13)가 폐쇄되도록 제어된다. 제1 압력은 제조 시스템(1)의 제원에 따라 설정되고, 예를 들어, 500 KPa 내지 700 KPa이다. (후술되는) 정제된 가스 경로(L5)가 혼합된 비활성 가스 유량 조절 유닛(12) 및 공급 게이트 밸브(13)의 공급 라인 하류 측에 연결된다.
또한, 할로겐을 공급하기 위한 할로겐 공급 라인(미도시)이 제공된다. 또한, 공급 용기(10) 내측의 혼합된 비활성 가스의 압력이 제1 압력보다 높은 경우에, 혼합된 비활성 가스의 압력은, 혼합된 비활성 가스 유량 조절 유닛(12)의 상류에 배열된 혼합된 비활성 가스 압력 감소 밸브(미도시)에 의해서, 제1 압력까지 감소된다.
반도체 제조 장치로부터 방출된 배기 가스는, 대기압 이상이고 제1 압력 이하인 제2 압력에서 방출된다. 제2 압력은 또한 제조 시스템의 제원에 따라 설정된다. 제2 압력은, 예를 들어 50 내지 100 KPa이다. 불순물은 방출된 배기 가스 내에서 혼합된다. 불순물의 예는 질소, 산소, 일산화탄소, 이산화탄소, 물, 및 CF4를 포함한다.
배기 가스는 반도체 제조 장치에 연결된 방출 라인(L2)을 통해서 방출된다. 방출 라인(L2)은 버퍼 용기(14)를 구비하고, 배기 가스는 주어진 양으로 버퍼 용기(14) 내에 저장된다. 버퍼 용기(14)가 제공되기 때문에, 후속 스테이지에서 배기 가스의 미리 결정된 양이 회수 용기(22)로 연속적으로 운송될 수 있다.
또한, 후속 스테이지에서 배기 가스가 버퍼 용기(14)로부터 회수 용기(22)로 운송되지 않는 경우에, 제1 게이트 밸브(30)가 폐쇄되고, 백업 환기 경로(L21) 상에 배열된 백업 환기 밸브(15)가 개방되며, 그에 의해서 배기 가스가 대기로 방출될 수 있다. 제조 시스템의 제어 유닛(141)은, 버퍼 용기(14)에 제공되고 버퍼 용기의 저장 용량을 검출하는 검출 유닛에 의한 검출을 기초로, 백업 환기 밸브(15)가 개방되게 제어한다.
배기 가스 경로(L3)는 백업 환기 밸브(15) 상류의 방출 라인(L2)으로부터 분지된다. 배기 가스 경로(L3)는, 제1 게이트 밸브(30), 배압 밸브(배압 조절기)(21), 제2 게이트 밸브(31), 및 회수 용기(22)를 기술된 순서로 구비한다. 백업 환기 밸브(15)가 폐쇄되고, 제1 게이트 밸브(30), 배압 밸브(배압 조절기)(21), 및 제2 게이트 밸브(31)가 개방되며, 그에 의해서 배기 가스가 회수 용기(22) 내에 저장된다. 밸브 제어 유닛(61)은 제1 게이트 밸브(30), 배압 밸브(배압 조절기)(21), 및 제2 게이트 밸브(31)의 밸브 개방/폐쇄를 제어한다.
회수 용기(22) 하류의 배기 가스 경로(L3)의 부분은, 압축기(23), 열 교환기(50), 제3 게이트 밸브(32), 및 배기 가스 유량 조절 유닛(24)을 기술된 순서로 구비한다. 배기 가스 경로(L3)의 부분은 압축기(23) 상류의 안전 밸브(51)를 구비한다.
압축기(23)는 회수 용기(22)로부터 운송된 배기 가스의 압력을 제3 압력까지 증가시킨다. 제3 압력은, 예를 들어, 제1 압력보다 50 KPa 내지 150 KPa 만큼 높은 압력이다. 압력 제어 유닛(62)은, 압축기(23) 내에 통합된 압력 게이지 또는 압축기(23)의 하류에 배열된 압력 게이지에 의해서 얻어진 측정 값을 기초로, 배기 가스의 압력을 제어한다.
열 교환기(50)는 배기 가스의 온도를 미리 결정된 온도까지 낮춘다. 열 교환기(50)는, 압축기(23)에 의한 압력 증가와 함께 상승된 배기 가스 온도(예를 들어, 60 내지 80℃)를 미리 결정된 온도(예를 들어, 15 내지 35℃)까지 낮출 수 있고, 예를 들어, 열 교환기(50)는 배기 가스 온도를 후속 스테이지 내의 여러 제거 유닛의 제거 작용에 적합한 온도 범위까지 낮춘다. 가스 온도 제어 유닛(63)은, 열 교환기(50) 내에 통합된 가스 온도 게이지 또는 열 교환기(50)의 하류에 배열된 가스 온도 게이지에 의해서 얻어진 측정 값을 기초로, 배기 가스의 온도를 제어한다. 밸브 제어 유닛(61)은 제3 게이트 밸브(32)의 밸브 개방/폐쇄를 제어한다.
배기 가스 유량 조절 유닛(24)은 후속 스테이지에서 산소 제거 유닛(81)에 운송된 배기 가스의 유량을 조절한다. 배기 가스 유량 조절 유닛(24)은 가스 유량계 및 가스 유량 조절 밸브를 포함하고, 배기 가스 유량 제어 유닛(64)은, 배기 가스의 유량을 제어하기 위해서 가스 유량계에 의해서 얻어진 측정 값에 따라 가스 유량 조절 밸브를 조절한다.
배기 가스 유량 조절 유닛(24) 하류의 배기 가스 경로(L4)는, 기술된 순서로, 산소 제거 유닛(81), 크세논 제거 유닛(62), 및 불순물 제거 유닛(83)을 구비한다.
산소 제거 유닛(81)은, 배기 가스로부터 산소를 제거하고 산화 망간 반응물로 충진된 탈산 장치이다. 산화 망간 반응물의 예는 일산화망간(MnO)의 반응물 및 이산화망간(MnO2)의 반응물을 포함한다. 유입구 밸브(33) 및 배출구 밸브(34)가 산소 제거 유닛(61)의 상류 및 하류에 각각 배열되고, 제1 바이패스 라인(B1)은 유입구 밸브(33)의 배기 가스 경로(L4) 상류로부터 분지되도록 그리고 배출구 밸브(34)의 배기 가스 경로(L4) 하류에 결합되도록 제공된다. 제1 바이패스 라인(B1)은 제1 바이패스 밸브(35)를 구비한다. 산소 제거 유닛(81)이 이용되지 않는 경우에, 유입구 밸브(33) 및 배출구 밸브(34)가 폐쇄되고, 제1 바이패스 라인(B1)은 개방된다. 밸브 제어 유닛(61)은 유입구 밸브(33), 배출구 밸브(34), 및 제1 바이패스 밸브(35)의 밸브 개방/폐쇄를 제어한다.
크세논 제거 유닛(82)은, 크세논을 제거하고 활성 탄소로 충진된 크세논 제거 장치이다. 유입구 밸브(36) 및 배출구 밸브(37)가 크세논 제거 유닛(82)의 상류 및 하류에 각각 배열되고, 제2 바이패스 라인(B2)은 유입구 밸브(36) 상류의 배기 가스 경로(L4)로부터 분지되도록 그리고 배출구 밸브(37) 하류의 배기 가스 경로(L4)에 결합되도록 제공된다. 제2 바이패스 라인(B2)은 제2 바이패스 밸브(38)를 구비한다. 크세논 제거 유닛(82)이 이용되지 않는 경우에, 유입구 밸브(36) 및 배출구 밸브(37)가 폐쇄되고, 제2 바이패스 라인(B2)은 개방된다. 밸브 제어 유닛(61)은 유입구 밸브(36), 배출구 밸브(37), 및 제2 바이패스 밸브(38)의 밸브 개방/폐쇄를 제어한다.
불순물 제거 유닛(83)은, 산소 및 크세논 이외의 불순물(예를 들어, 질소, 일산화탄소, 이산화탄소, 물, 및 CF4)를 제거하고 화학적 흡착제로 충진된 게터이다. 유입구 밸브(39) 및 배출구 밸브(40)가 불순물 제거 유닛(83)의 상류 및 하류에 각각 배열되고, 제3 바이패스 라인(B3)은 유입구 밸브(39) 상류의 배기 가스 경로(L4)로부터 분지되도록 그리고 배출구 밸브(40)의 정제된 가스 경로(L5) 하류에 결합되도록 제공된다. 제3 바이패스 라인(B3)은 제3 바이패스 밸브(41)를 구비한다. 불순물 제거 유닛(83)이 이용되지 않는 경우에, 유입구 밸브(39) 및 배출구 밸브(40)가 폐쇄되고, 제3 바이패스 라인(B3)은 개방된다. 밸브 제어 유닛(61)은 유입구 밸브(39), 배출구 밸브(40), 및 제3 바이패스 밸브(41)의 밸브 개방/폐쇄를 제어한다.
불순물 제거 유닛(83)을 통과한 가스는, 산소, 크세논, 및 불순물이 제거된 정제된 가스(네온 가스)이다. 정제된 가스는 정제된 가스 경로(L5)를 통해서 공급 라인(L1)에 공급된다. 정제된 가스가 (후술되는) 압력 증가 용기(25)로 운송되지 않는 경우에, 제4 게이트 밸브(42)가 폐쇄되고, 정제된 가스 환기 경로(L51) 상에 배열된 환기 밸브(43)가 개방되며, 그에 의해서 정제된 가스가 대기로 방출될 수 있다.
예를 들어, 밸브 제어 유닛(61)은, 압력 증가 용기(25)에 제공되고 압력 증가 용기의 저장 용량을 검출하는 검출 유닛에 의한 검출을 기초로, 제4 게이트 밸브(42)가 폐쇄되게 그리고 환기 밸브(43)가 개방되게 제어한다.
정제된 가스 경로(L5)는, 제4 게이트 밸브(42), 압력 증가 용기(25), 제5 게이트 밸브(44), 압력 감소 밸브(52), 정제된 가스 유량 조절 유닛(26), 제6 게이트 밸브(45), 및 제7 게이트 밸브(46)를 기술된 순서로 구비한다.
압력 증가 용기(25)는 정제된 가스를 저장한다. 압력 증가 용기(25)는, 정제된 가스를 미리 결정된 양까지 저장하는 것에 의해서, 미리 결정된 양의 정제된 가스를 공급 라인(L1)에 운송할 수 있다.
압력 제어 유닛(65)은, 정제된 가스 경로(L5) 상의 하류 측에 배열된 압력 게이지 또는 압력 감소 밸브(52) 내에 통합된 압력 게이지에 의해서 얻어진 측정 값을 기초로, 압력 감소 밸브(52)를 제어하고, 그에 의해서 정제된 가스의 압력을 제어한다. 압력 증가 용기(25) 내의 정제된 가스는 제3 압력에서 가스이고, 그에 따라 정제된 가스의 압력은 공급 라인(L1) 내의 공급 가스의 압력과 동일한 압력(제1 압력)까지 감소될 필요가 있다.
정제된 가스 유량 조절 유닛(26)은 가스 유량계 및 가스 유량 조절 밸브를 포함하고, 정제된 가스 제어 유닛(66)은, 정제된 가스의 유량을 제어하기 위해서 가스 유량계에 의해서 얻어진 측정 값에 따라 가스 유량 조절 밸브를 조절한다. 따라서, 공급 라인(L1)에 운송된 정제된 가스의 공급량이 일정하게 제어될 수 있다.
제6 게이트 밸브(45)의 정제된 가스 경로(L5) 하류에 결합되도록, 보조 비활성 가스 공급 경로(L6)가 제공된다. 보조 비활성 가스 공급 경로(L6)는, 네온 및 크세논의 보조 비활성 가스로 충진된 보조 용기(71), 공급 밸브(53), 보조 비활성 가스 압력 감소 밸브(54), 보조 비활성 가스 유량 조절 유닛(72), 및 제8 게이트 밸브(47)를 기술된 순서로 구비한다.
보조 비활성 가스는 주 구성 요소로서 네온, 및 총량에 대한 주어진 비율(예를 들어, 10%)의 함량을 가지는 크세논을 함유하는 가스이다. 보조 비활성 가스가 소량의 불순물을 함유할 수 있다는 것을 주목하여야 한다.
압력 제어 유닛(65)은, 보조 비활성 가스 공급 경로(L6) 상의 하류 측에 배열된 압력 게이지 또는 압력 감소 밸브(54) 내에 통합된 압력 게이지에 의해서 얻어진 측정 값을 기초로, 보조 비활성 가스 압력 감소 밸브(54)를 제어하고, 그에 의해서 보조 비활성 가스의 압력을 제어한다.
보조 용기(71) 내측의 보조 비활성 가스의 압력이 제1 압력보다 높은 경우에, 보조 비활성 가스의 압력이 제1 압력까지 감소된다.
보조 비활성 가스 유량 조절 유닛은 가스 유량계 및 가스 유량 조절 밸브를 포함하고, 정제된 가스 제어 유닛(66)은, 보조 비활성 가스의 유량을 제어하기 위해서 가스 유량계에 의해서 얻어진 측정 값에 따라 가스 유량 조절 밸브를 조절한다. 정제된 가스 제어 유닛(66)은, 혼합된 비활성 가스(아르곤, 크세논, 및 네온)의 혼합비와 동일한 혼합비를 가지는 크세논-함유 가스(그 주 구성 요소는 네온이다)를 획득하기 위해서, 보조 비활성 가스의 유량 및 정제된 가스의 유량을 제어한다. 정제된 가스 및 보조 비활성 가스는 정제된 가스 경로(L5)의 파이프 내에서 서로 혼합되고, 혼합된 가스는 공급 라인(L1)에 운송된다. 밸브 제어 유닛(61)은 공급 밸브(53) 및 제8 게이트 밸브(47)의 밸브 개방/폐쇄를 제어한다.
제어 유닛(60)은 CPU (또는 MPU), 회로, 펌웨어, 및 소프트웨어 프로그램을 저장하는 메모리와 같은 하드웨어를 포함할 수 있다. 제어 유닛(60)은 참조 부호 61 및 66에 의해서 각각 표시된 제어 유닛의 기능을 갖는다.
다른 실시예
비록 크세논을 함유하는 혼합된 비활성 가스가 본 실시예에서 설명되었지만, 본 발명은 그에 제한되지 않는다. 배기 가스가 크세논을 함유하지 않는 혼합된 비활성 가스인 경우에, 크세논 제거 유닛(82), 보조 비활성 가스 공급 경로(L6), 보조 용기(71), 공급 밸브(53), 보조 비활성 가스 압력 감소 밸브(54), 보조 비활성 가스 유량 조절 유닛(72), 및 제8 게이트 밸브(47)가 필요하지 않다. 이러한 경우에, 제2 바이패스 라인(B2)이 이용되고, 제8 게이트 밸브(47) 등이 폐쇄되며, 그에 의해서 불필요한 구성 요소가 정제 프로세스의 시간에 기능하지 않도록 유도될 수 있다.
비록 크세논 제거 유닛(82)의 수가 본 실시예에서 1개이지만, 크세논 제거 유닛의 수가 2개일 수 있고, 2개의 크세논 제거 유닛이 병렬로 배열될 수 있다. 제거 프로세스가 2개의 크세논 제거 유닛 중 하나에 의해서 실시될 수 있고, 재생 프로세스가 그 중 다른 하나에 의해서 실시될 수 있다.
비록 열 교환기(50)가 본 실시예에서 제공되지만, 열 교환기(50)가 제공되지 않을 수 있다.
본 실시예에서, 공급 라인(L1) 상에 배열된 혼합된 비활성 가스 유량 조절 유닛(12) 및 공급 게이트 밸브(13)가 네온 회수/정제 시스템(2)의 일부를 구성할 수 있다. 이러한 경우에, 제어 유닛(60)은 혼합된 비활성 가스 유량 조절 유닛(12) 및 공급 게이트 밸브(13)를 제어한다.
본 실시예에서, 방출 라인(L2) 상에 배열된 버퍼 용기(14) 및 백업 환기 밸브(15)가 네온 회수/정제 시스템(2)의 일부를 구성할 수 있다. 이러한 경우에, 제어 유닛(60)은 버퍼 용기(14) 및 백업 환기 밸브(15)를 제어한다.
실시예 2
실시예 2의 네온 회수/정제 시스템이 도 2를 참조하여 설명된다. 실시예 1의 참조 부호와 동일한 참조 부호는 실시예 1의 기능과 동일한 기능을 나타낸다. 실시예 2에서, 압력 증가 용기(25)는 압축기(23)의 후속 스테이지에서 배열된다.
압력 증가 용기(25)는 배기 가스 경로 하류 측에서 압축기(23)에 바로 근접하여 배열되고, 압력이 압축기(23)에 의해서 증가된 배기 가스를 저장한다. 배기 가스 유량 조절 유닛(24)은 압력 증가 용기(25)의 배기 가스 경로 하류 측에 배열되고, 배기 가스 경로 하류 측으로 운송된 배기 가스의 유량을 조절한다. 압력 감소 밸브(52)는 불순물 제거 유닛(83)의 정제된 가스 경로 하류 측에 배열되고, 불순물 제거 유닛(83)으로부터 운송된 정제된 가스의 압력을 제1 압력까지 감소시킨다.
네온 회수/정제 방법
제조 시스템으로부터 방출되는 배기 가스로부터 네온을 회수하고 정제하는 네온 회수/정제 방법에 따른 실시예는, 제1 압력에서, 적어도 네온 및 제1 비활성 가스를 함유하는 혼합된 비활성 가스를 공급하는 공급 라인; 혼합된 비활성 가스를 이용하는 레이저 장치; 및 대기압 이상인 그리고 제1 압력 이하인 제2 압력에서, 적어도 레이저 장치로부터 방출되는 배기 가스를 방출하는 방출 라인을 포함한다.
제1 네온 회수/정제 방법은:
- 방출 라인으로부터 분지되고 연장되는 배기 가스 경로에 배열된 회수 용기 내에 배기 가스를 저장하는 제1 회수 단계;
- 회수 용기로부터 운송된 배기 가스의 압력을 제3 압력까지 증가시키는 압력 증가 단계;
- 압력 증가 단계에서 압력이 증가된 배기 가스의 유량을 조절하는 배기 가스 유량 조절 단계;
- 배기 가스 유량 조절 단계에서 유량이 조절된 배기 가스로부터 제1 불순물을 제거하는 제1 불순물 제거 단계;
- 제1 불순물 제거 단계에서 제1 불순물이 제거된 배기 가스로부터 제2 불순물을 제거하는 제2 불순물 제거 단계;
- 압력 증가 용기 내에서, 제1 불순물 제거 단계 및 제2 불순물 제거 단계에서 처리된 정제된 가스를 저장하는 제2 회수 단계;
- 압력 증가 용기로부터 운송된 정제된 가스의 압력을 제1 압력까지 감소시키는 압력 감소 단계; 및
- 압력 감소 단계에서 압력이 감소되고 제조 시스템의 공급 라인으로 공급되는 정제된 가스의 유량을 조절하는 정제된 가스 유량 조절 단계를 포함한다.
제2 네온 회수/정제 방법은:
- 방출 라인으로부터 분지되고 연장되는 배기 가스 경로에 배열된 회수 용기 내에 배기 가스를 저장하는 제1 회수 단계;
- 회수 용기로부터 운송된 배기 가스의 압력을 제3 압력까지 증가시키는 압력 증가 단계;
- 압력 증가 용기 내에서, 압력 증가 단계에서 압력이 증가된 배기 가스를 저장하는 제2 회수 단계;
- 압력 증가 용기로부터 운송된 배기 가스의 유량을 조절하는 배기 가스 유량 조절 단계;
- 배기 가스 유량 조절 단계에서 유량이 조절된 배기 가스로부터 제1 불순물을 제거하는 제1 불순물 제거 단계;
- 제1 불순물 제거 단계에서 제1 불순물이 제거된 배기 가스로부터 제2 불순물을 제거하는 제2 불순물 제거 단계;
- 제2 불순물 제거 단계에서 처리된 정제된 가스의 압력을 제1 압력까지 감소시키는 압력 감소 단계; 및
- 압력 감소 단계에서 압력이 감소되고 제조 시스템의 공급 라인으로 공급되는 정제된 가스의 유량을 조절하는 정제된 가스 유량 조절 단계를 포함한다.
전술한 실시예에 따라, 네온 회수/정제 방법은, 압력 증가 단계와 배기 가스 유량 조절 단계 사이에서, 배기 가스의 온도를 낮추는 열 교환 단계를 더 포함할 수 있다.
전술한 실시예에 따라, 네온 회수/정제 방법은, 제2 불순물 제거 단계에서 처리된 정제된 가스를 환기 경로로부터 대기로 방출하는 방출 단계를 더 포함할 수 있다.
전술한 실시예에 따라, 제1 비활성 가스는 아르곤(Ar)이고,
- 혼합된 비활성 가스는 제2 비활성 가스로서 크세논(Xe)을 더 함유하고,
- 네온 회수/정제 방법은:
· 제1 불순물 제거 단계와 제2 불순물 제거 단계 사이에서 크세논을 제거하는 크세논 제거 단계; 및
· 정제된 가스 유량 조절 단계 이후에 네온 및 크세논의 보조 비활성 가스를 정제된 가스 경로에 공급하는 보조 비활성 가스 공급 단계를 더 포함할 수 있다.
전술한 실시예에 따라, 네온 회수/정제 방법은: 제2 압력에서 제조 시스템으로부터 방출되고 적어도 산소를 함유하는 배기 가스를 방출 라인 내에 배열된 버퍼 용기 내에 저장하는 버퍼 단계; 및 버퍼 용기로부터 운송된 배기 가스를 백업 환기 경로로부터 대기로 방출하는 백업 환기 단계를 더 포함할 수 있다.
전술한 실시예에 따라, 네온 회수/정제 방법은: 공급 라인 상에서, 혼합된 비활성 가스를 공급 용기 내에 저장하는 저장 단계; 공급 라인 상에서, 공급 용기로부터 운송된 혼합된 비활성 가스의 압력을 제1 압력까지 감소시키는 압력 감소 단계; 및 공급 라인 상에서, 공급 용기로부터 운송된 혼합된 비활성 가스의 유량을 조절하는 혼합된 비활성 가스 유량 조절 단계를 더 포함할 수 있다.
1 반도체 제조 시스템
2 네온 회수/정제 시스템
10 공급 용기
14 버퍼 용기
21 배압 밸브
22 회수 용기
23 압축기
24 배기 가스 유량 조절 유닛
25 압력 증가 용기
26 정제된 가스 유량 조절 유닛
61 산소 제거 유닛
62 크세논 제거 유닛
63 불순물 제거 유닛
L1 공급 라인
L2 방출 라인
L3, L4 배기 가스 경로
L5 정제된 가스 경로
2 네온 회수/정제 시스템
10 공급 용기
14 버퍼 용기
21 배압 밸브
22 회수 용기
23 압축기
24 배기 가스 유량 조절 유닛
25 압력 증가 용기
26 정제된 가스 유량 조절 유닛
61 산소 제거 유닛
62 크세논 제거 유닛
63 불순물 제거 유닛
L1 공급 라인
L2 방출 라인
L3, L4 배기 가스 경로
L5 정제된 가스 경로
Claims (17)
- 제1 압력에서, 적어도 네온 및 제1 비활성 가스를 함유하는 혼합된 비활성 가스를 공급하는 공급 라인; 상기 혼합된 비활성 가스를 이용하는 레이저 장치; 및 대기압 이상인 그리고 상기 제1 압력 이하인 제2 압력에서, 적어도 상기 레이저 장치로부터 방출되는 배기 가스를 방출하는 방출 라인을 포함하는, 제조 시스템으로부터 방출되는 배기 가스로부터 제1 비활성 가스 및 네온을 회수하고 정제하는 네온 회수/정제 시스템으로서:
- 배기 가스 경로 상에 배열되고 배기 가스를 저장하는 회수 용기로서, 상기 배기 가스 경로가 방출 라인으로부터 분지되고 연장되는 회수 용기;
- 상기 회수 용기의 배기 가스 경로 하류 측에 배열되고 상기 회수 용기로부터 운송된 배기 가스의 압력을 제3 압력까지 증가시키는 압축기;
- 상기 압축기의 배기 가스 경로 하류 측에 배열되고, 상기 배기 가스 경로 하류 측으로 운송되고 압력이 상기 압축기에 의해서 증가된 배기 가스의 유량을 조절하는 배기 가스 유량 조절 유닛;
- 상기 배기 가스 유량 조절 유닛의 배기 가스 경로 하류 측에 배열되고 상기 배기 가스로부터 산소를 제거하는 제1 불순물 제거 유닛;
- 상기 제1 불순물 제거 유닛의 배기 가스 경로 하류 측에 배열되고 산소가 제거된 배기 가스로부터 제2 불순물을 제거하는 게터;
- 상기 게터의 정제된 가스 경로 하류 측에 배열되고, 상기 산소 제거 처리 및 상기 제2 불순물 제거 처리가 실시된 상기 네온과 상기 제1 비활성 가스를 포함하는 정제된 가스를 저장하는 압력 증가 용기;
- 상기 압력 증가 용기의 정제된 가스 경로 하류 측에 배열되고, 상기 압력 증가 용기로부터 운송된 정제된 가스의 압력을 제1 압력까지 감소시키는 압력 감소 수단; 및
- 상기 압력 감소 수단의 정제된 가스 경로 하류 측에 배열되고, 상기 제조 시스템의 공급 라인으로 공급되는 정제된 가스의 유량을 조절하는 정제된 가스 유량 조절 유닛을 포함하는, 네온 회수/정제 시스템. - 제1 압력에서, 적어도 네온 및 제1 비활성 가스를 함유하는 혼합된 비활성 가스를 공급하는 공급 라인; 상기 혼합된 비활성 가스를 이용하는 레이저 장치; 및 대기압 이상인 그리고 제1 압력 이하인 제2 압력에서, 적어도 상기 레이저 장치로부터 방출되는 배기 가스를 방출하는 방출 라인을 포함하는, 제조 시스템으로부터 방출되는 배기 가스로부터 제1 비활성 가스 및 네온을 회수하고 정제하는 네온 회수/정제 시스템으로서:
- 배기 가스 경로 상에 배열되고 배기 가스를 저장하는 회수 용기로서, 상기 배기 가스 경로가 방출 라인으로부터 분지되고 연장되는, 회수 용기;
- 상기 회수 용기의 배기 가스 경로 하류 측에 배열되고 상기 회수 용기로부터 운송된 배기 가스의 압력을 제3 압력까지 증가시키는 압축기;
- 상기 압축기의 배기 가스 경로 하류 측에 배열되고, 압력이 상기 압축기에 의해서 증가된 배기 가스를 저장하는 압력 증가 용기;
- 상기 압력 증가 용기의 배기 가스 경로 하류 측에 배열되고, 상기 배기 가스 경로 하류 측으로 운송된 배기 가스의 유량을 조절하는 배기 가스 유량 조절 유닛;
- 상기 배기 가스 유량 조절 유닛의 배기 가스 경로 하류 측에 배열되고 배기 가스로부터 산소를 제거하는 제1 불순물 제거 유닛;
- 상기 제1 불순물 제거 유닛의 배기 가스 경로 하류 측에 배열되고 산소가 제거된 배기 가스로부터 제2 불순물을 제거하는 게터;
- 상기 게터의 정제된 가스 경로 하류 측에 배열되고, 상기 게터로부터 운송된 상기 네온과 상기 제1 비활성 가스를 포함하는 정제된 가스의 압력을 제1 압력까지 감소시키는 압력 감소 수단; 및
- 상기 압력 감소 수단의 정제된 가스 경로 하류 측에 배열되고, 상기 제조 시스템의 공급 라인으로 공급되는 정제된 가스의 유량을 조절하는 정제된 가스 유량 조절 유닛을 포함하는, 네온 회수/정제 시스템. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 게터로부터 운송된 정제된 가스를 대기로 방출하기 위한 경로인 환기 경로를 더 포함하는, 네온 회수/정제 시스템. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제1 비활성 가스가 크립톤(Kr)인, 네온 회수/정제 시스템. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
- 상기 제1 비활성 가스는 아르곤(Ar)이고,
- 상기 혼합된 비활성 가스는 제2 비활성 가스로서 크세논(Xe)을 더 함유하고,
- 상기 네온 회수/정제 시스템은:
· 상기 제1 불순물 제거 유닛과 상기 게터 사이에서 크세논을 제거하는 크세논 제거 유닛; 및
· 상기 정제된 가스 유량 조절 유닛의 정제된 가스 경로 하류 측 상의 위치에서 네온 및 크세논의 보조 비활성 가스를 상기 정제된 가스 경로에 공급하는 보조 비활성 가스 공급 경로를 더 포함하는, 네온 회수/정제 시스템. - 제5항에 있어서,
- 상기 보조 비활성 가스 공급 경로 상에 배열되고, 네온 및 크세논의 보조 비활성 가스를 저장하는 보조 용기;
- 상기 보조 비활성 가스 공급 경로 상에 배열되고, 상기 보조 용기로부터 운송된 보조 비활성 가스의 압력을 제1 압력까지 감소시키는 보조 비활성 가스 압력 감소 밸브; 및
- 상기 보조 비활성 가스 공급 경로 상에 배열되고, 상기 보조 비활성 가스의 공급량을 제어하는 보조 비활성 가스 유량 조절 유닛을 더 포함하는, 네온 회수/정제 시스템. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 방출 라인 상에 배열되고, 제2 압력에서 제조 시스템으로부터 방출되고 적어도 산소를 함유하는 배기 가스를 저장하는 버퍼 용기; 및
상기 버퍼 용기로부터 운송된 배기 가스를 대기로 방출하기 위한 경로인 백업 환기 경로를 더 포함하는, 네온 회수/정제 시스템. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
- 상기 공급 라인 상에 배열되고, 상기 혼합된 비활성 가스를 저장하는 공급 용기;
- 상기 공급 라인 상에 배열되고, 상기 공급 용기로부터 운송된 혼합된 비활성 가스의 압력을 제1 압력까지 감소시키는 압력 감소 밸브; 및
- 상기 공급 라인 상에 배열되고, 상기 공급 용기로부터 운송된 혼합된 비활성 가스의 유량을 조절하는 혼합된 비활성 가스 유량 조절 유닛을 더 포함하는, 네온 회수/정제 시스템. - 제1항에 있어서,
상기 압축기의 배기 가스 경로 하류 측에 배열되고 상기 배기 가스의 온도를 조절하는 온도 조절 유닛을 더 포함하는, 네온 회수/정제 시스템. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 회수 용기는, 상기 방출 라인으로부터 분지되고 연장되는 배기 가스 경로 상에 배열된 압력 조절 수단을 통해서 상기 배기 가스를 저장하는, 네온 회수/정제 시스템. - 제1 압력에서, 적어도 네온 및 제1 비활성 가스를 함유하는 혼합된 비활성 가스를 공급하는 공급 라인; 상기 혼합된 비활성 가스를 이용하는 레이저 장치; 및 대기압 이상인 그리고 제1 압력 이하인 제2 압력에서, 적어도 상기 레이저 장치로부터 방출되는 배기 가스를 방출하는 방출 라인을 포함하는, 제조 시스템으로부터 방출되는 배기 가스로부터 제1 비활성 가스 및 네온을 회수하고 정제하는 네온 회수/정제 방법은:
- 상기 방출 라인으로부터 분지되고 연장되는 배기 가스 경로에 배열된 회수 용기 내에 배기 가스를 저장하는 제1 회수 단계;
- 상기 회수 용기로부터 운송된 배기 가스의 압력을 제3 압력까지 증가시키는 압력 증가 단계;
- 상기 압력 증가 단계에서 압력이 증가된 배기 가스의 유량을 조절하는 배기 가스 유량 조절 단계;
- 상기 배기 가스 유량 조절 단계에서 유량이 조절된 배기 가스로부터 산소를 제거하는 제1 불순물 제거 단계;
- 상기 제1 불순물 제거 단계에서 산소가 제거된 배기 가스로부터 제2 불순물을 게터로 제거하는 제2 불순물 제거 단계;
- 압력 증가 용기 내에서, 상기 제1 불순물 제거 단계 및 상기 제2 불순물 제거 단계에서 처리된 상기 네온과 상기 제1 비활성 가스를 포함하는 정제된 가스를 저장하는 제2 회수 단계;
- 상기 압력 증가 용기로부터 운송된 정제된 가스의 압력을 제1 압력까지 감소시키는 압력 감소 단계; 및
- 상기 압력 감소 단계에서 압력이 감소된 그리고 상기 제조 시스템의 공급 라인으로 공급되는 정제된 가스의 유량을 조절하는 정제된 가스 유량 조절 단계를 포함하는, 네온 회수/정제 방법. - 제1 압력에서, 적어도 네온 및 제1 비활성 가스를 함유하는 혼합된 비활성 가스를 공급하는 공급 라인; 상기 혼합된 비활성 가스를 이용하는 레이저 장치; 및 대기압 이상인 그리고 제1 압력 이하인 제2 압력에서, 적어도 상기 레이저 장치로부터 방출되는 배기 가스를 방출하는 방출 라인을 포함하는, 제조 시스템으로부터 방출되는 배기 가스로부터 제1 비활성 가스 및 네온을 회수 및 정제하는 네온 회수/정제 방법은:
- 상기 방출 라인으로부터 분지되고 연장되는 배기 가스 경로에 배열된 회수 용기 내에 배기 가스를 저장하는 제1 회수 단계;
- 상기 회수 용기로부터 운송된 배기 가스의 압력을 제3 압력까지 증가시키는 압력 증가 단계;
- 압력 증가 용기 내에서, 상기 압력 증가 단계에서 압력이 증가된 배기 가스를 저장하는 제2 회수 단계;
- 상기 압력 증가 용기로부터 운송된 배기 가스의 유량을 조절하는 배기 가스 유량 조절 단계;
- 상기 배기 가스 유량 조절 단계에서 유량이 조절된 배기 가스로부터 산소를 제거하는 제1 불순물 제거 단계;
- 상기 제1 불순물 제거 단계에서 산소가 제거된 배기 가스로부터 제2 불순물을 게터로 제거하는 제2 불순물 제거 단계;
- 상기 제2 불순물 제거 단계에서 처리된 상기 네온과 상기 제1 비활성 가스를 포함하는 정제된 가스의 압력을 제1 압력까지 감소시키는 압력 감소 단계; 및
- 상기 압력 감소 단계에서 압력이 감소된 그리고 상기 제조 시스템의 공급 라인으로 공급되는 정제된 가스의 유량을 조절하는 정제된 가스 유량 조절 단계를 포함하는, 네온 회수/정제 방법. - 제11항 또는 제12항에 있어서,
상기 제2 불순물 제거 단계에서 처리된 상기 정제된 가스를 환기 경로로부터 대기로 방출하는 방출 단계를 더 포함하는, 네온 회수/정제 방법. - 제11항 또는 제12항에 있어서,
상기 제1 비활성 가스가 크립톤(Kr)인, 네온 회수/정제 방법. - 제11항 또는 제12항에 있어서,
- 상기 제1 비활성 가스는 아르곤(Ar)이고,
- 상기 혼합된 비활성 가스는 제2 비활성 가스로서 크세논(Xe)을 더 포함하고,
- 상기 네온 회수/정제 방법은:
· 상기 제1 불순물 제거 단계와 상기 제2 불순물 제거 단계 사이에서 크세논을 제거하는 크세논 제거 단계; 및
· 상기 정제된 가스 유량 조절 단계 이후에 네온 및 크세논의 보조 비활성 가스를 정제된 가스 경로에 공급하는 보조 비활성 가스 공급 단계를 더 포함하는, 네온 회수/정제 방법. - 제11항 또는 제12항에 있어서,
- 네온 및 크세논의 보조 비활성 가스의 압력을 제1 압력까지 감소시키는 보조 비활성 가스 압력 감소 단계; 및
- 보조 비활성 가스의 공급량을 제어하는 보조 비활성 가스 유량 조절 단계를 더 포함하는, 네온 회수/정제 방법. - 제11항 또는 제12항에 있어서,
상기 배기 가스 유량 조절 단계에 앞서서, 상기 배기 가스의 온도를 조절하는 압력 조절 단계를 더 포함하는, 네온 회수/정제 방법.
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