JPH04367506A - ヘリウム精製装置 - Google Patents
ヘリウム精製装置Info
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- JPH04367506A JPH04367506A JP14014691A JP14014691A JPH04367506A JP H04367506 A JPH04367506 A JP H04367506A JP 14014691 A JP14014691 A JP 14014691A JP 14014691 A JP14014691 A JP 14014691A JP H04367506 A JPH04367506 A JP H04367506A
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Landscapes
- Separation By Low-Temperature Treatments (AREA)
- Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、不純ヘリウムガスを回
収し、この回収ガスから高純度ヘリウムガスを精製する
ためのヘリウム精製装置に関するものである。
収し、この回収ガスから高純度ヘリウムガスを精製する
ためのヘリウム精製装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】通常、液体ヘリウムの蒸発ガスは、回収
された後に液化機で液化され、再利用に供されるが、上
記液化機にヘリウムガスを導入するためには、この導入
ガスの純度を一定値以上の高レベルに保っておかなけれ
ばならない。
された後に液化機で液化され、再利用に供されるが、上
記液化機にヘリウムガスを導入するためには、この導入
ガスの純度を一定値以上の高レベルに保っておかなけれ
ばならない。
【0003】従来、このような高純度のヘリウムガスを
得るためのヘリウム精製装置としては、低温吸着法によ
るものが知られている。この装置の一例を図2に基づい
て説明すると、ヘリウム回収ライン100を通じて回収
されたヘリウム蒸発ガスは、内圧が一定(ほぼ大気圧)
に保たれるガスバッグ102内に一旦集められ、このガ
スバッグ102から回収圧縮機104を経て圧縮状態で
ガスボンベ106内に導入され、貯留される。ここで、
上記ヘリウムガスは大気中の空気を巻き込むため、この
ヘリウムガス中には通常1〜5%程度の空気成分(酸素
、窒素、水分など)が含まれることとなる。
得るためのヘリウム精製装置としては、低温吸着法によ
るものが知られている。この装置の一例を図2に基づい
て説明すると、ヘリウム回収ライン100を通じて回収
されたヘリウム蒸発ガスは、内圧が一定(ほぼ大気圧)
に保たれるガスバッグ102内に一旦集められ、このガ
スバッグ102から回収圧縮機104を経て圧縮状態で
ガスボンベ106内に導入され、貯留される。ここで、
上記ヘリウムガスは大気中の空気を巻き込むため、この
ヘリウムガス中には通常1〜5%程度の空気成分(酸素
、窒素、水分など)が含まれることとなる。
【0004】液化運転の際には、上記ガスボンベ106
内の不純ガスが圧力調整弁108で適当な圧力(ここで
は15kg/cm2G)まで減圧された後、液体窒素で
冷却された低温精製装置(吸着装置)110に導入され
、ここで空気成分が10ppm 以下となるまで精製さ
れる。そして、圧力調整弁112で10kg/cm2G
までさらに減圧された後、サージタンク114内に貯留
される。このサージタンク114内の高純度ヘリウムガ
スは、図略の減圧弁で0kg/cm2まで減圧された後
に、圧縮機116を備えたヘリウム液化装置120へ適
宜導入され、再使用に供される。
内の不純ガスが圧力調整弁108で適当な圧力(ここで
は15kg/cm2G)まで減圧された後、液体窒素で
冷却された低温精製装置(吸着装置)110に導入され
、ここで空気成分が10ppm 以下となるまで精製さ
れる。そして、圧力調整弁112で10kg/cm2G
までさらに減圧された後、サージタンク114内に貯留
される。このサージタンク114内の高純度ヘリウムガ
スは、図略の減圧弁で0kg/cm2まで減圧された後
に、圧縮機116を備えたヘリウム液化装置120へ適
宜導入され、再使用に供される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記装置では、低純度
の回収ヘリウムガスをすべて低温精製装置110で高純
度になるまで精製しなければならないので、低温精製装
置110の負担が非常に大きい。従って、低温精製装置
110には大容量のものを用いなければならず、低温精
製装置110は必然的に大型で高価なものとなる。
の回収ヘリウムガスをすべて低温精製装置110で高純
度になるまで精製しなければならないので、低温精製装
置110の負担が非常に大きい。従って、低温精製装置
110には大容量のものを用いなければならず、低温精
製装置110は必然的に大型で高価なものとなる。
【0006】さらに、上記装置では、ガスボンベ106
から供給される高圧ヘリウムガスを、ヘリウム液化装置
120に導入可能な低圧状態(略大気圧の状態)まで減
圧する必要があるため、上記圧力調整弁108等の特別
な減圧手段を設けなければならないのに加え、精製圧縮
機104で高圧となったヘリウムガスのエネルギを全く
利用せずに無条件で減圧するため、非常に無駄の多い運
転が行われているといえる。
から供給される高圧ヘリウムガスを、ヘリウム液化装置
120に導入可能な低圧状態(略大気圧の状態)まで減
圧する必要があるため、上記圧力調整弁108等の特別
な減圧手段を設けなければならないのに加え、精製圧縮
機104で高圧となったヘリウムガスのエネルギを全く
利用せずに無条件で減圧するため、非常に無駄の多い運
転が行われているといえる。
【0007】なお、従来のガス精製法には膜分離精製装
置を用いたものも知られているが、この膜分離精製装置
を単独で用いてもヘリウムガス純度を所望の値まで高め
るのは不可能であり、ヘリウム精製装置に適用するのは
困難とされている。また、この膜分離精製装置を通過す
るガス流量は同装置の入口と出口との圧力差に比例する
ので、上記膜分離精製装置を単純に用いても、上記ガス
ボンベ106内のガスが消費されてガス圧力が低下する
のに伴い、上記膜分離精製装置をヘリウムガスが通過し
なくなる不都合が生じる。
置を用いたものも知られているが、この膜分離精製装置
を単独で用いてもヘリウムガス純度を所望の値まで高め
るのは不可能であり、ヘリウム精製装置に適用するのは
困難とされている。また、この膜分離精製装置を通過す
るガス流量は同装置の入口と出口との圧力差に比例する
ので、上記膜分離精製装置を単純に用いても、上記ガス
ボンベ106内のガスが消費されてガス圧力が低下する
のに伴い、上記膜分離精製装置をヘリウムガスが通過し
なくなる不都合が生じる。
【0008】本発明は、このような事情に鑑み、高圧不
純ヘリウムガスのもつエネルギを効率良く利用すること
により、低温精製装置の負担を軽減しながら、ヘリウム
ガスの精製を不都合なく行うことができるヘリウム精製
装置を提供することを目的とする。
純ヘリウムガスのもつエネルギを効率良く利用すること
により、低温精製装置の負担を軽減しながら、ヘリウム
ガスの精製を不都合なく行うことができるヘリウム精製
装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、不純ヘリウム
ガス中の不純成分を吸着して残りの高純度ヘリウムガス
を排出する精製手段を備えたヘリウム精製装置において
、上記精製手段の上流側に設けられ、不純ヘリウムガス
中の不純成分を濃縮してこれを排出するとともに残りの
ヘリウムガスを減圧状態で透過させる膜分離精製装置と
、この膜分離精製装置をバイパスして不純ヘリウムガス
を直接精製手段に導入するためのバイパス通路と、この
バイパス通路を開閉する通路開閉手段とを備えたもので
ある。
ガス中の不純成分を吸着して残りの高純度ヘリウムガス
を排出する精製手段を備えたヘリウム精製装置において
、上記精製手段の上流側に設けられ、不純ヘリウムガス
中の不純成分を濃縮してこれを排出するとともに残りの
ヘリウムガスを減圧状態で透過させる膜分離精製装置と
、この膜分離精製装置をバイパスして不純ヘリウムガス
を直接精製手段に導入するためのバイパス通路と、この
バイパス通路を開閉する通路開閉手段とを備えたもので
ある。
【0010】ここで、上記膜分離精製装置の個数は単数
、複数を問わないが、複数の膜分離精製装置を直列に配
設するとともに、各膜分離精製装置について上記バイパ
ス通路及び通路開閉手段を設けることが、より好ましい
(請求項2)。
、複数を問わないが、複数の膜分離精製装置を直列に配
設するとともに、各膜分離精製装置について上記バイパ
ス通路及び通路開閉手段を設けることが、より好ましい
(請求項2)。
【0011】さらに、最も下流側に位置する膜分離精製
装置よりも上流側におけるガス圧力を検出し、この検出
圧力の低下に伴って各バイパス通路を開かせる開閉制御
手段や、各膜分離精製装置の入口及び出口におけるガス
圧力の差を検出し、この差圧が一定値以下となった膜分
離精製装置に対応するバイパス通路を開かせる開閉制御
手段を備えることにより、後述のようなより優れた効果
を得ることができる(請求項3,4)。
装置よりも上流側におけるガス圧力を検出し、この検出
圧力の低下に伴って各バイパス通路を開かせる開閉制御
手段や、各膜分離精製装置の入口及び出口におけるガス
圧力の差を検出し、この差圧が一定値以下となった膜分
離精製装置に対応するバイパス通路を開かせる開閉制御
手段を備えることにより、後述のようなより優れた効果
を得ることができる(請求項3,4)。
【0012】
【作用】請求項1記載の装置によれば、バイパス通路を
閉じて膜分離精製装置に不純ヘリウムガスを通すことに
より、ガス中の不純成分が除去されるとともに、ガス自
身の圧力も低下し、精製手段には適当に減圧された比較
的純度の良好なヘリウムガスが導入されることとなる。 その後、不純ヘリウムガスの消費により同ガスの圧力が
低下し、膜分離精製装置の入口及び出口での圧力差が低
下してガスの十分な流量を得ることができなくなった場
合には、上記バイパス通路を開くことによってガスを直
接精製手段に導入することができる。
閉じて膜分離精製装置に不純ヘリウムガスを通すことに
より、ガス中の不純成分が除去されるとともに、ガス自
身の圧力も低下し、精製手段には適当に減圧された比較
的純度の良好なヘリウムガスが導入されることとなる。 その後、不純ヘリウムガスの消費により同ガスの圧力が
低下し、膜分離精製装置の入口及び出口での圧力差が低
下してガスの十分な流量を得ることができなくなった場
合には、上記バイパス通路を開くことによってガスを直
接精製手段に導入することができる。
【0013】特に、請求項2記載の装置のように、複数
の膜分離精製装置を直列に配設するとともに、各膜分離
精製装置について上記バイパス通路及び通路開閉手段を
設けたものによれば、上記ヘリウムガスの圧力や各膜分
離精製装置の入出口の圧力差の低下に応じて各バイパス
通路を時差的に開き、使用する膜分離精製装置の数を段
階的に減らしていくことにより、各時点においてその時
のガス圧力に適応した個数の膜分離精製装置を用いて精
製を行うことができる。
の膜分離精製装置を直列に配設するとともに、各膜分離
精製装置について上記バイパス通路及び通路開閉手段を
設けたものによれば、上記ヘリウムガスの圧力や各膜分
離精製装置の入出口の圧力差の低下に応じて各バイパス
通路を時差的に開き、使用する膜分離精製装置の数を段
階的に減らしていくことにより、各時点においてその時
のガス圧力に適応した個数の膜分離精製装置を用いて精
製を行うことができる。
【0014】さらに、請求項3,4記載の装置によれば
、最も下流側に位置する膜分離精製装置よりも上流側に
おけるガス圧力、あるいは各膜分離精製装置の入口及び
出口におけるガス圧力の差が自動的に検出され、これら
の圧力値の低下に伴って各バイパス通路の開閉制御、す
なわち使用膜分離精製装置の切換制御が自動的に行われ
ることとなる。
、最も下流側に位置する膜分離精製装置よりも上流側に
おけるガス圧力、あるいは各膜分離精製装置の入口及び
出口におけるガス圧力の差が自動的に検出され、これら
の圧力値の低下に伴って各バイパス通路の開閉制御、す
なわち使用膜分離精製装置の切換制御が自動的に行われ
ることとなる。
【0015】
【実施例】本発明の一実施例を図1に基づいて説明する
。
。
【0016】同図に示される装置は、前記図2で示した
装置と同様に、ヘリウムガス回収ライン10、ガスバッ
グ12、回収圧縮機14、ガスボンベ16、低温精製装
置20、圧力調整弁22、サージタンク24を備えてお
り、圧縮機26を有するヘリウム液化装置30に接続さ
れている。
装置と同様に、ヘリウムガス回収ライン10、ガスバッ
グ12、回収圧縮機14、ガスボンベ16、低温精製装
置20、圧力調整弁22、サージタンク24を備えてお
り、圧縮機26を有するヘリウム液化装置30に接続さ
れている。
【0017】さらに、この装置の特徴として、上記ガス
ボンベ16と低温精製装置20との間には、前記図2で
示した圧力調整弁108に代え、第1膜分離精製装置M
1、第2膜分離精製装置M2、及び第3膜分離精製装置
M3の3つの膜分離精製装置が直列に配置されている。 各膜分離精製装置M1〜M3では、導入されたガス中の
不純成分(N2,O2など)が濃縮され、排出通路31
,32,33を各々通じて系外へ排出されるとともに、
それ以外のガスが膜を透過する。また、各膜分離精製装
置M1〜M3におけるガスの透過流量は、各膜分離精製
装置M1〜M3の入口側圧力及び出口側圧力との圧力差
に比例しており、この実施例では、上記圧力差が10k
g/cm2以上の場合に、ガスが許容流量(運転に不都
合の生じない流量)70Nm3/h以上透過するように
なっている。換言すれば、ヘリウムガスは各膜分離精製
装置M1〜M3を通る度に減圧されることとなる。
ボンベ16と低温精製装置20との間には、前記図2で
示した圧力調整弁108に代え、第1膜分離精製装置M
1、第2膜分離精製装置M2、及び第3膜分離精製装置
M3の3つの膜分離精製装置が直列に配置されている。 各膜分離精製装置M1〜M3では、導入されたガス中の
不純成分(N2,O2など)が濃縮され、排出通路31
,32,33を各々通じて系外へ排出されるとともに、
それ以外のガスが膜を透過する。また、各膜分離精製装
置M1〜M3におけるガスの透過流量は、各膜分離精製
装置M1〜M3の入口側圧力及び出口側圧力との圧力差
に比例しており、この実施例では、上記圧力差が10k
g/cm2以上の場合に、ガスが許容流量(運転に不都
合の生じない流量)70Nm3/h以上透過するように
なっている。換言すれば、ヘリウムガスは各膜分離精製
装置M1〜M3を通る度に減圧されることとなる。
【0018】上記ガスボンベ16と第1膜分離精製装置
M1との間の通路には配管36が接続され、同様に第1
膜分離精製装置M1と第2第2膜分離精製装置M2との
間には配管38が、第2膜分離精製装置M2と第3膜分
離精製装置M3との間には配管40が、第3膜分離精製
装置M3と低温精製装置20との間には配管42がそれ
ぞれ接続されている。配管36と配管38とは配管44
で接続され、同様に配管38と配管40とは配管46で
、配管40と配管42とは配管48でそれぞれ接続され
ており、従って、上記配管36,44,38によって、
上記第1膜分離精製装置M1をバイパスする通路が形成
され、同様に上記配管38,46,40によって第2膜
分離精製装置M2のバイパス通路が、上記配管40,4
8,42によって第3膜分離精製装置M3のバイパス通
路がそれぞれ形成されている。そして、各配管44,4
6,48に、これらの配管を開閉する弁(通路開閉手段
)51,52,53が各々配設されている。
M1との間の通路には配管36が接続され、同様に第1
膜分離精製装置M1と第2第2膜分離精製装置M2との
間には配管38が、第2膜分離精製装置M2と第3膜分
離精製装置M3との間には配管40が、第3膜分離精製
装置M3と低温精製装置20との間には配管42がそれ
ぞれ接続されている。配管36と配管38とは配管44
で接続され、同様に配管38と配管40とは配管46で
、配管40と配管42とは配管48でそれぞれ接続され
ており、従って、上記配管36,44,38によって、
上記第1膜分離精製装置M1をバイパスする通路が形成
され、同様に上記配管38,46,40によって第2膜
分離精製装置M2のバイパス通路が、上記配管40,4
8,42によって第3膜分離精製装置M3のバイパス通
路がそれぞれ形成されている。そして、各配管44,4
6,48に、これらの配管を開閉する弁(通路開閉手段
)51,52,53が各々配設されている。
【0019】さらに、上記第3膜分離精製装置M3の入
口直手前の位置には配管56を介して圧力検出器(開閉
制御手段)58が接続されている。この圧力検出器58
は、上記位置におけるヘリウムガスの圧力を検出すると
ともに、この検出圧力に応じて各弁51〜53の開閉制
御を行うものであり、具体的には次のような制御を行う
。
口直手前の位置には配管56を介して圧力検出器(開閉
制御手段)58が接続されている。この圧力検出器58
は、上記位置におけるヘリウムガスの圧力を検出すると
ともに、この検出圧力に応じて各弁51〜53の開閉制
御を行うものであり、具体的には次のような制御を行う
。
【0020】(a) 全弁51〜53が閉じた状態で検
出圧力が25kg/cm2G以下に下がった場合 →
弁51のみを開く。 (b) 弁51のみが開き、弁52,53が閉じた状態
で検出圧力が25kg/cm2以下に下がった場合
→弁51に加えて弁52を開く。 (c) 弁51,52が開き、弁53のみが閉じた状態
で検出圧力が25kg/cm2以下に下がった場合
→弁51,52に加えて弁53を開く。
出圧力が25kg/cm2G以下に下がった場合 →
弁51のみを開く。 (b) 弁51のみが開き、弁52,53が閉じた状態
で検出圧力が25kg/cm2以下に下がった場合
→弁51に加えて弁52を開く。 (c) 弁51,52が開き、弁53のみが閉じた状態
で検出圧力が25kg/cm2以下に下がった場合
→弁51,52に加えて弁53を開く。
【0021】次に、この装置の作用を説明する。
【0022】ヘリウム回収ライン10を通じて回収され
たヘリウム蒸発ガスは、内圧が一定(ほぼ大気圧)に保
たれるガスバッグ12内に一旦集められ、このガスバッ
グ12から回収圧縮機14を経て圧縮状態でガスボンベ
16内に導入され、貯留される。このようにしてガスボ
ンベ16にヘリウムが十分充填された状態、すなわち液
化運転を開始する前の状態では、ガスボンベ16内の圧
力は十分に高く、この実施例では約150kg/cm2
とされている。一方、この初期状態では、上記圧力検出
器58による制御の下、各弁51〜53は閉状態に切換
えられており、よって各バイパス通路は閉じた状態にあ
る。
たヘリウム蒸発ガスは、内圧が一定(ほぼ大気圧)に保
たれるガスバッグ12内に一旦集められ、このガスバッ
グ12から回収圧縮機14を経て圧縮状態でガスボンベ
16内に導入され、貯留される。このようにしてガスボ
ンベ16にヘリウムが十分充填された状態、すなわち液
化運転を開始する前の状態では、ガスボンベ16内の圧
力は十分に高く、この実施例では約150kg/cm2
とされている。一方、この初期状態では、上記圧力検出
器58による制御の下、各弁51〜53は閉状態に切換
えられており、よって各バイパス通路は閉じた状態にあ
る。
【0023】次に、上記ガスボンベ16から不純ヘリウ
ムガスを払い出して液化運転を開始すると、この不純ガ
スが膜分離精製装置M1,M2,M3を順次通過するこ
とにより、各膜分離精製装置M1,M2,M3で不純成
分が濃縮され、排出通路31,32,33でそれぞれ系
外へ排出されるとともに、各膜分離精製装置M1,M2
,M3を通過する度にヘリウムガスの圧力が下がる。 従って、低温精製装置20には、適当に減圧され、かつ
不純成分が適当に除去された(すなわち粗精製された)
ヘリウムガスが導入されることとなる。このガスは低温
精製装置20で空気成分が 10ppm 以下となるま
で精製され、圧力調整弁22で9kg/cm2Gまで減
圧された後、サージタンク24内に貯留される。この貯
留されたガスは適宜ヘリウム液化装置に払い出され、再
利用に供される。
ムガスを払い出して液化運転を開始すると、この不純ガ
スが膜分離精製装置M1,M2,M3を順次通過するこ
とにより、各膜分離精製装置M1,M2,M3で不純成
分が濃縮され、排出通路31,32,33でそれぞれ系
外へ排出されるとともに、各膜分離精製装置M1,M2
,M3を通過する度にヘリウムガスの圧力が下がる。 従って、低温精製装置20には、適当に減圧され、かつ
不純成分が適当に除去された(すなわち粗精製された)
ヘリウムガスが導入されることとなる。このガスは低温
精製装置20で空気成分が 10ppm 以下となるま
で精製され、圧力調整弁22で9kg/cm2Gまで減
圧された後、サージタンク24内に貯留される。この貯
留されたガスは適宜ヘリウム液化装置に払い出され、再
利用に供される。
【0024】このようにして液化運転が開始された直後
の状態では、ガスボンベ16から排出されるガス圧力が
十分高いので、各膜分離精製装置M1,M2,M3にお
ける入出口圧力差も大きく、よって不純ヘリウムガスは
十分な流量でもって各膜分離精製装置M1,M2,M3
を通過する。具体的に、この実施例装置において各位置
でのガス圧力を測定したところ、運転開始直後の状態で
は、第1膜分離精製装置M1の入口圧力が150kg/
cm2G、第2膜分離精製装置M2の入口圧力が105
kg/cm2G、第3膜分離精製装置M3の入口圧力が
60kg/cm2G、第3膜分離精製装置M3の出口圧
力が15kg/cm2Gであった。
の状態では、ガスボンベ16から排出されるガス圧力が
十分高いので、各膜分離精製装置M1,M2,M3にお
ける入出口圧力差も大きく、よって不純ヘリウムガスは
十分な流量でもって各膜分離精製装置M1,M2,M3
を通過する。具体的に、この実施例装置において各位置
でのガス圧力を測定したところ、運転開始直後の状態で
は、第1膜分離精製装置M1の入口圧力が150kg/
cm2G、第2膜分離精製装置M2の入口圧力が105
kg/cm2G、第3膜分離精製装置M3の入口圧力が
60kg/cm2G、第3膜分離精製装置M3の出口圧
力が15kg/cm2Gであった。
【0025】このような運転を続けていき、ガスボンベ
16内のヘリウムガスが消費されていくと、同ガスの圧
力が低下するのに伴い、各膜分離精製装置M1〜M3の
入出口の圧力差も小さくなり、不純ヘリウムガスは分離
膜を通りにくくなる。しかし、圧力検出器58の検出圧
力が25kg/cm2以下となった時点で弁51が開き
、第1膜分離精製装置M1がバイパスされて同装置M1
での減圧がなくなるので、その分、他の第2膜分離精製
装置M2,M3の入出口圧力差が再び上昇し、ヘリウム
ガスの十分な透過量が維持される。具体的に、この状態
で各位置でのガス圧力を測定したところ、第1膜分離精
製装置M1及び第2膜分離精製装置M2の入口圧力は4
5kg/cm2G、第3膜分離精製装置M3の入口圧力
は30kg/cm2G、第3膜分離精製装置M3の出口
圧力は15kg/cm2Gであった。
16内のヘリウムガスが消費されていくと、同ガスの圧
力が低下するのに伴い、各膜分離精製装置M1〜M3の
入出口の圧力差も小さくなり、不純ヘリウムガスは分離
膜を通りにくくなる。しかし、圧力検出器58の検出圧
力が25kg/cm2以下となった時点で弁51が開き
、第1膜分離精製装置M1がバイパスされて同装置M1
での減圧がなくなるので、その分、他の第2膜分離精製
装置M2,M3の入出口圧力差が再び上昇し、ヘリウム
ガスの十分な透過量が維持される。具体的に、この状態
で各位置でのガス圧力を測定したところ、第1膜分離精
製装置M1及び第2膜分離精製装置M2の入口圧力は4
5kg/cm2G、第3膜分離精製装置M3の入口圧力
は30kg/cm2G、第3膜分離精製装置M3の出口
圧力は15kg/cm2Gであった。
【0026】さらに、運転を続け、上記弁51を開いた
にもかかわらず再び圧力検出器58の検出圧力が25k
g/cm2以下となった場合には、弁51に加えて弁5
2が開かれ、第2膜分離精製装置M2もバイパスされて
第3膜分離精製装置M3の入出口圧力差が再び高められ
る。具体的に、この時の各ガス圧力を測定したところ、
各膜分離精製装置M1〜M3の入口圧力は35kg/c
m2G、第3膜分離精製装置M3の出口圧力は15kg
/cm2Gであった。
にもかかわらず再び圧力検出器58の検出圧力が25k
g/cm2以下となった場合には、弁51に加えて弁5
2が開かれ、第2膜分離精製装置M2もバイパスされて
第3膜分離精製装置M3の入出口圧力差が再び高められ
る。具体的に、この時の各ガス圧力を測定したところ、
各膜分離精製装置M1〜M3の入口圧力は35kg/c
m2G、第3膜分離精製装置M3の出口圧力は15kg
/cm2Gであった。
【0027】そして、この状態から再び圧力検出器58
の検出圧力が25kg/cm2以下となった時点で弁5
3も開かれ、ヘリウムガスは全く膜分離精製装置M1〜
M3を通ることなく直接低温精製装置20に導入され、
最後まで精製される。
の検出圧力が25kg/cm2以下となった時点で弁5
3も開かれ、ヘリウムガスは全く膜分離精製装置M1〜
M3を通ることなく直接低温精製装置20に導入され、
最後まで精製される。
【0028】以上のように、この装置では、低温精製装
置20の上流側に膜分離精製装置M1〜M3を設けてい
るので、これらによって不純ヘリウムガスの粗精製を行
うことにより、低温精製装置20へ導入されるガスの純
度を適当に高め、これによって低温精製装置の負担を軽
減して同装置の低コスト化及び小型化を図ることができ
るともに、上記膜分離精製装置M1〜M3をヘリウムガ
スの減圧手段として兼用することにより、特別な圧力調
整手段を備えることなく、常に適当な圧力でヘリウムガ
スを上記低温精製装置20へ導入することができる効果
がある。しかも、各膜分離精製装置M1〜M3にはバイ
パス通路及び弁51〜53を設けているので、ヘリウム
ガスの圧力が下がって同ガスが分離膜を通りにくくなっ
た場合には各膜分離精製装置M1〜M3をバイパスさせ
ることにより、常に、ヘリウムガスの必要流量を確保す
ることができる。
置20の上流側に膜分離精製装置M1〜M3を設けてい
るので、これらによって不純ヘリウムガスの粗精製を行
うことにより、低温精製装置20へ導入されるガスの純
度を適当に高め、これによって低温精製装置の負担を軽
減して同装置の低コスト化及び小型化を図ることができ
るともに、上記膜分離精製装置M1〜M3をヘリウムガ
スの減圧手段として兼用することにより、特別な圧力調
整手段を備えることなく、常に適当な圧力でヘリウムガ
スを上記低温精製装置20へ導入することができる効果
がある。しかも、各膜分離精製装置M1〜M3にはバイ
パス通路及び弁51〜53を設けているので、ヘリウム
ガスの圧力が下がって同ガスが分離膜を通りにくくなっ
た場合には各膜分離精製装置M1〜M3をバイパスさせ
ることにより、常に、ヘリウムガスの必要流量を確保す
ることができる。
【0029】さらに、この装置では複数の膜分離精製装
置M1〜M3を直列に配し、圧力検出器58による検出
圧力の低下に伴って各膜分離精製装置M1〜M3を段階
的にバイパスさせていくようにしているので、ヘリウム
ガスの消費に伴う圧力の低下を加味した、適切な膜分離
精製装置M1〜M3の使用を自動的に行うことができる
。
置M1〜M3を直列に配し、圧力検出器58による検出
圧力の低下に伴って各膜分離精製装置M1〜M3を段階
的にバイパスさせていくようにしているので、ヘリウム
ガスの消費に伴う圧力の低下を加味した、適切な膜分離
精製装置M1〜M3の使用を自動的に行うことができる
。
【0030】具体的に、上記実施例装置において、10
00l(リットル)の液体ヘリウムを液化するために不
純物濃度(空気濃度)1%のヘリウムガス 700Nm
3 を使用したところ、容量20lの低温精製装置20
によって、10ppm 以下に精製された高純度ヘリウ
ムガスが流量70Nm3/hでもって常時得られること
が判明した。
00l(リットル)の液体ヘリウムを液化するために不
純物濃度(空気濃度)1%のヘリウムガス 700Nm
3 を使用したところ、容量20lの低温精製装置20
によって、10ppm 以下に精製された高純度ヘリウ
ムガスが流量70Nm3/hでもって常時得られること
が判明した。
【0031】なお、本発明はこのような実施例に限定さ
れず、例として次のような態様を採ることも可能である
。
れず、例として次のような態様を採ることも可能である
。
【0032】(1) 上記実施例では、圧力検出器58
によって各弁51〜53の駆動制御、すなわち各バイパ
ス通路の開閉制御を自動的に行うようにしているが、圧
力検出値に応じて手動操作で各弁51〜53を開閉駆動
するようにしてもよい。
によって各弁51〜53の駆動制御、すなわち各バイパ
ス通路の開閉制御を自動的に行うようにしているが、圧
力検出値に応じて手動操作で各弁51〜53を開閉駆動
するようにしてもよい。
【0033】(2) 上記実施例では複数の膜分離精製
装置M1〜M3を設けたものを示したが、本発明では単
数の膜分離精製装置のみを設けたものであってもよい。 ただし、上記のように複数の膜分離精製装置精製装置M
1〜M3を直列に配したものによれば、ガス圧力に応じ
て段階的に使用膜分離精製装置を切換えることができる
効果がある。
装置M1〜M3を設けたものを示したが、本発明では単
数の膜分離精製装置のみを設けたものであってもよい。 ただし、上記のように複数の膜分離精製装置精製装置M
1〜M3を直列に配したものによれば、ガス圧力に応じ
て段階的に使用膜分離精製装置を切換えることができる
効果がある。
【0034】(3) 上記実施例では、最も下流側に位
置する第3膜分離精製装置M3の入口近傍に圧力検出器
58を接続したものを示したが、本発明では、上記位置
よりも上流側の圧力を検出するようにすればよく、例え
ば第1膜分離精製装置M1の入口近傍に圧力検出器58
を接続するようにしてもよい。この場合には、ガス圧力
の低下に応じて弁51〜53を開く順序も問わず、例え
ば弁51から順に開くようにしてもよい。
置する第3膜分離精製装置M3の入口近傍に圧力検出器
58を接続したものを示したが、本発明では、上記位置
よりも上流側の圧力を検出するようにすればよく、例え
ば第1膜分離精製装置M1の入口近傍に圧力検出器58
を接続するようにしてもよい。この場合には、ガス圧力
の低下に応じて弁51〜53を開く順序も問わず、例え
ば弁51から順に開くようにしてもよい。
【0035】(4) 上記実施例では、特定個所でのガ
ス圧力を検出し、これに基づいて各弁51〜53を段階
的に開くものを示したが、各膜分離精製装置M1〜M3
の入出口圧力差を個別に検出する差圧センサを設け、こ
の差圧が一定値以下となった膜分離精製装置を個別にバ
イパスするようにしてもよい。
ス圧力を検出し、これに基づいて各弁51〜53を段階
的に開くものを示したが、各膜分離精製装置M1〜M3
の入出口圧力差を個別に検出する差圧センサを設け、こ
の差圧が一定値以下となった膜分離精製装置を個別にバ
イパスするようにしてもよい。
【0036】(5) 上記実施例では、全ての膜分離精
製装置M1〜M3についてバイパス通路及び弁を設けた
ものを示したが、一部の膜分離精製装置についてはバイ
パス通路を省略するようにしてもよい。例えば上記実施
例装置の場合、第3膜分離精製装置M3のバイパス通路
及び弁53を省略しても、弁51,52が開いた状態で
ガスボンベ16内のヘリウムガス圧力が25kg/cm
2以下になるまでは少なくとも良好な精製を実現するこ
とができる。
製装置M1〜M3についてバイパス通路及び弁を設けた
ものを示したが、一部の膜分離精製装置についてはバイ
パス通路を省略するようにしてもよい。例えば上記実施
例装置の場合、第3膜分離精製装置M3のバイパス通路
及び弁53を省略しても、弁51,52が開いた状態で
ガスボンベ16内のヘリウムガス圧力が25kg/cm
2以下になるまでは少なくとも良好な精製を実現するこ
とができる。
【0037】
【発明の効果】以上のように本発明は、精製手段の上流
側に膜分離精製装置を設けるとともに、この膜分離精製
装置をバイパスして不純ヘリウムガスを直接精製手段に
導入するためのバイパス通路と、このバイパス通路を開
閉する通路開閉手段とを備えたものであるので、上記膜
分離精製装置によって不純ヘリウムガスの粗精製を行う
ことにより、精製手段へ導入されるガスの純度を適当に
高め、これによって精製手段の負担を軽減して同装置の
低コスト化及び小型化を図ることができるとともに、上
記膜分離精製装置をヘリウムガスの減圧手段として兼用
することにより、特別な圧力調整手段を備えることなく
、適当な圧力でヘリウムガスを上記精製手段へ導入する
ことができる効果がある。しかも、ヘリウムガスの圧力
が下がって同ガスが分離膜を通りにくくなった場合には
上記バイパス通路を開いて膜分離精製装置をバイパスさ
せることにより、常に、ヘリウムガスの必要な流量を確
保することができる。
側に膜分離精製装置を設けるとともに、この膜分離精製
装置をバイパスして不純ヘリウムガスを直接精製手段に
導入するためのバイパス通路と、このバイパス通路を開
閉する通路開閉手段とを備えたものであるので、上記膜
分離精製装置によって不純ヘリウムガスの粗精製を行う
ことにより、精製手段へ導入されるガスの純度を適当に
高め、これによって精製手段の負担を軽減して同装置の
低コスト化及び小型化を図ることができるとともに、上
記膜分離精製装置をヘリウムガスの減圧手段として兼用
することにより、特別な圧力調整手段を備えることなく
、適当な圧力でヘリウムガスを上記精製手段へ導入する
ことができる効果がある。しかも、ヘリウムガスの圧力
が下がって同ガスが分離膜を通りにくくなった場合には
上記バイパス通路を開いて膜分離精製装置をバイパスさ
せることにより、常に、ヘリウムガスの必要な流量を確
保することができる。
【0038】さらに、請求項2記載の装置では、複数の
膜分離精製装置を直列に配設するとともに、各膜分離精
製装置について上記バイパス通路及び通路開閉手段を設
けているので、ガス圧力の低下に応じて各膜分離精製装
置を適宜バイパスさせることにより、ヘリウムガスの消
費に伴うガス圧力の低下を加味した、適切な膜分離精製
装置の使用を行うことができる効果がある。
膜分離精製装置を直列に配設するとともに、各膜分離精
製装置について上記バイパス通路及び通路開閉手段を設
けているので、ガス圧力の低下に応じて各膜分離精製装
置を適宜バイパスさせることにより、ヘリウムガスの消
費に伴うガス圧力の低下を加味した、適切な膜分離精製
装置の使用を行うことができる効果がある。
【0039】さらに、請求項3や請求項4記載の装置に
よれば、開閉制御手段の制御により、ヘリウムガスの圧
力や各膜分離精製装置の入出口圧力差に応じて各バイパ
ス通路が自動的に開閉され、これにより、各時点におい
て使用する膜分離精製装置の切換を自動的かつ的確に行
うことができる効果がある。
よれば、開閉制御手段の制御により、ヘリウムガスの圧
力や各膜分離精製装置の入出口圧力差に応じて各バイパ
ス通路が自動的に開閉され、これにより、各時点におい
て使用する膜分離精製装置の切換を自動的かつ的確に行
うことができる効果がある。
【図1】本発明の一実施例におけるヘリウム精製装置の
フローシートである。
フローシートである。
【図2】従来のヘリウム精製装置のフローシートである
。
。
20 低温精製装置(精製手段)
36,38,40,42,44,46,48 配管(
バイパス通路を構成) 51,52,53 弁(通路開閉手段)M1,M2,
M3 膜分離精製装置
バイパス通路を構成) 51,52,53 弁(通路開閉手段)M1,M2,
M3 膜分離精製装置
Claims (4)
- 【請求項1】 不純ヘリウムガス中の不純成分を吸着
して残りの高純度ヘリウムガスを排出する精製手段を備
えたヘリウム精製装置において、上記精製手段の上流側
に設けられ、不純ヘリウムガス中の不純成分を濃縮して
これを排出するとともに残りのヘリウムガスを減圧状態
で透過させる膜分離精製装置と、この膜分離精製装置を
バイパスして不純ヘリウムガスを直接精製手段に導入す
るためのバイパス通路と、このバイパス通路を開閉する
通路開閉手段とを備えたことを特徴とするヘリウム精製
装置。 - 【請求項2】 請求項1記載のヘリウム精製装置にお
いて、複数の膜分離精製装置を直列に配設するとともに
、各膜分離精製装置について上記バイパス通路及び通路
開閉手段を設けたことを特徴とするヘリウム精製装置。 - 【請求項3】 請求項1または2記載のヘリウム精製
装置において、最も下流側に位置する膜分離精製装置よ
りも上流側におけるガス圧力を検出し、この検出圧力の
低下に伴って各バイパス通路を開かせる開閉制御手段を
備えたことを特徴とするヘリウム精製装置。 - 【請求項4】 請求項1または2記載のヘリウム精製
装置において、各膜分離精製装置の入口及び出口におけ
るガス圧力の差を検出し、この差圧が一定値以下となっ
た膜分離精製装置に対応するバイパス通路を開かせる開
閉制御手段を備えたことを特徴とするヘリウム精製装置
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14014691A JPH04367506A (ja) | 1991-06-12 | 1991-06-12 | ヘリウム精製装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14014691A JPH04367506A (ja) | 1991-06-12 | 1991-06-12 | ヘリウム精製装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04367506A true JPH04367506A (ja) | 1992-12-18 |
Family
ID=15261944
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14014691A Pending JPH04367506A (ja) | 1991-06-12 | 1991-06-12 | ヘリウム精製装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04367506A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002097007A (ja) * | 2000-09-22 | 2002-04-02 | Nippon Sanso Corp | 希ガスの回収方法及び装置 |
WO2017169309A1 (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 三菱日立パワーシステムズ株式会社 | 脱硫処理装置及び脱硫処理装置の運転方法 |
JP2018179465A (ja) * | 2017-04-20 | 2018-11-15 | 株式会社新領域技術研究所 | 対象ガス処理システム |
-
1991
- 1991-06-12 JP JP14014691A patent/JPH04367506A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002097007A (ja) * | 2000-09-22 | 2002-04-02 | Nippon Sanso Corp | 希ガスの回収方法及び装置 |
WO2017169309A1 (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 三菱日立パワーシステムズ株式会社 | 脱硫処理装置及び脱硫処理装置の運転方法 |
JP2017177074A (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 三菱日立パワーシステムズ株式会社 | 脱硫処理装置及び脱硫処理装置の運転方法 |
KR20180116403A (ko) * | 2016-03-31 | 2018-10-24 | 미츠비시 히타치 파워 시스템즈 가부시키가이샤 | 탈황 처리 장치 및 탈황 처리 장치의 운전 방법 |
CN108883362A (zh) * | 2016-03-31 | 2018-11-23 | 三菱日立电力系统株式会社 | 脱硫处理装置以及脱硫处理装置的运转方法 |
US10617996B2 (en) | 2016-03-31 | 2020-04-14 | Mitsubishi Hitachi Power Systems, Ltd. | Desulfurization apparatus and method of operating desulfurization apparatus |
JP2018179465A (ja) * | 2017-04-20 | 2018-11-15 | 株式会社新領域技術研究所 | 対象ガス処理システム |
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