CN108269786A - 显示器件 - Google Patents

显示器件 Download PDF

Info

Publication number
CN108269786A
CN108269786A CN201711454185.3A CN201711454185A CN108269786A CN 108269786 A CN108269786 A CN 108269786A CN 201711454185 A CN201711454185 A CN 201711454185A CN 108269786 A CN108269786 A CN 108269786A
Authority
CN
China
Prior art keywords
alignment mark
display device
display
substrate
transistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201711454185.3A
Other languages
English (en)
Inventor
李冠锋
吴昱娴
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Innolux Corp
Original Assignee
Innolux Display Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Innolux Display Corp filed Critical Innolux Display Corp
Publication of CN108269786A publication Critical patent/CN108269786A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

本发明实施例提供一种显示器件。所述显示器件包括衬底、多个晶体管、多个显示单元、及多个对齐标记。所述衬底包括显示区域及与所述显示区域相邻的非显示区域。所述多个晶体管设置在所述衬底的所述显示区域上。所述多个显示单元设置在所述衬底的所述显示区域上，且所述多个显示单元电连接到所述多个晶体管。所述多个对齐标记设置在所述衬底上，其中所述多个对齐标记中的至少一个设置在所述衬底的所述显示区域上。本发明实施例提供的显示器件能够使在制作期间将显示单元转移到衬底上的准确度更佳或转移所述显示单元所需的时间更少。

Description

显示器件
技术领域
本发明实施例涉及一种器件，且具体来说，涉及一种显示器件。
背景技术
由于发光二极管(light emitting diode，LED)显示装置具有例如主动发光、高亮度、高对比度及低功率消耗等优点，因而近年来，其已变为新型显示器中被大力发展的技术之一。为满足高分辨率要求，发光二极管显示装置正朝着由有源元件衬底及发光二极管形成的方向发展，所述发光二极管具有微米尺寸且被排列成阵列。
发明内容
本发明实施例提供一种能够使在制作期间将显示单元转移到衬底上的准确度更佳或转移所述显示单元所需的时间更少的显示器件。
在一个实施例中，显示器件包括衬底、多个晶体管、多个显示单元及多个对齐标记。所述衬底包括显示区域及与所述显示区域相邻的非显示区域。所述多个晶体管设置在所述衬底的所述显示区域上。所述多个显示单元设置在所述衬底的所述显示区域上，且所述多个显示单元分别电连接到所述多个晶体管。所述多个对齐标记设置在所述衬底上，其中所述多个对齐标记中的至少一个设置在所述衬底的所述显示区域上。
在另一实施例中，显示器件包括基础衬底、晶体管、对齐标记、及显示单元。所述晶体管设置在所述基础衬底上。所述对齐标记设置在所述基础衬底上。所述显示单元设置在所述晶体管上且电连接到所述晶体管，其中所述显示单元是微显示二极管。
为使本发明实施例的前述以及其他目标及优点易于理解，下文结合各图来详细阐述各实施例。
附图说明
结合附图阅读以下详细说明，会最佳地理解本发明实施例的各方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为使论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。
图1是具有本发明实施例显示器件的载体衬底的示意性俯视图。
图2是说明根据本发明实施例的显示器件的示意性俯视图。
图3是说明根据本发明另一实施例的显示器件的示意性俯视图。
图4是说明根据本发明另一实施例的显示器件的示意性俯视图。
图5是说明根据本发明另一实施例的显示器件的示意性俯视图。
图6是根据本发明实施例的显示器件的一部分的示意性剖视图。
图7是根据本发明另一实施例的显示器件的一部分的示意性剖视图。
图8是根据本发明另一实施例的显示器件的一部分的示意性剖视图。
图9是根据本发明另一实施例的显示器件的一部分的示意性剖视图。
图10A是根据本发明第一实施例，显示器件的制造工艺的中间阶段的示意性剖视图。
图10B是图10A所示显示器件的示意性平面图。
图11A是根据本发明第一实施例在显示器件的制造工艺的中间阶段中所使用的拾取装置的示意性剖视图。
图11B是图11A所示拾取装置的示意性平面图。
图12A是根据本发明第一实施例，显示器件的制造工艺的中间阶段的示意性剖视图。
图12B是图12A所示显示器件的示意性平面图。
图13A是根据本发明第二实施例，显示器件的制造工艺的中间阶段的示意性剖视图。
图13B是图13A所示显示器件的示意性平面图。
图14A是根据本发明第二实施例在显示器件的制造工艺的中间阶段中所使用的拾取装置的示意性剖视图。
图14B是图14A所示拾取装置的示意性平面图。
图15A是根据本发明第二实施例，显示器件的制造工艺的中间阶段的示意性剖视图。
图15B是图15A所示显示器件的示意性平面图。
图16A是根据本发明第二实施例在显示器件的制造工艺的中间阶段中所使用的拾取装置的示意性剖视图。
图16B是图16A所示拾取装置的示意性平面图。
图17A是根据本发明第二实施例，显示器件的制造工艺的中间阶段的示意性剖视图。
图17B是图17A所示显示器件的示意性平面图。
图18A到图18D是设置在显示面板上的对齐标记与设置在拾取装置上的对齐标记之间的相对位置的示意性俯视图。
图19是说明根据本发明另一实施例的显示器件的示意性俯视图。
附图标记说明
10、10’、20、30、40：显示器件；
50、60：拾取装置；
51、61：固持器；
52、53、62、63：对齐标记；
54：拾取头；
100A、100B、100C、100D：对齐区；
101：衬底；
102：缓冲层；
103、104、105、106、107、108：绝缘层；
109：保护层；
110：半导体层；
112：栅极电极；
114、116：源极/漏极电极；
120：像素电极；
130：显示单元；
132：半导体层；
134：有源层；
136：第二导电类型的半导体层；
138a、138b：电极；
140：填充材料；
150：导电电极；
AA：显示区域；
AM1、AM2、AM1’、AM2’、AM1”、AM2”：对齐标记；
CH：沟道区；
D1～D8:数据线；
M1、M2：区；
PA：非显示区域；
R1：第一区；
R2：第二区；
SUB：载体衬底；
S1～S6：扫描线；
T：晶体管；
U1、U1’：像素单元；
VA：空位。
具体实施方式
现在将详细参照本发明的优选实施例，所述优选实施例的实例在附图中进行说明。只要可能，便在附图及说明中使用相同的参考编号来指代相同或相似的部件。
在本说明书中，对在结构上方或结构上形成另一结构的说明可包括在所述结构与所述另一结构之间形成直接接触的实施例，且还可包括在所述结构与所述另一结构之间形成附加结构进而使得所述结构可不直接接触所述另一结构的实施例。
图1是具有本发明实施例显示器件的载体衬底的示意性俯视图。图2是说明根据本发明实施例的显示器件的示意性俯视图。图6是根据本发明实施例的显示器件的一部分的示意性剖视图。图7是根据本发明另一实施例的显示器件的一部分的示意性剖视图。图6及图7说明沿着图2所示截面线A-A’、B-B’及C-C’而截取的显示器件的一部分的剖视图。
参照图1及图2，提供具有显示面板的载体衬底SUB。在所述实施例中，所述显示面板可为显示器件10。在某些实施例中，载体衬底SUB例如包括四个显示器件10，且显示器件10中的每一个例如包括衬底101，衬底101具有用于转移显示单元的四个对齐区100A。衬底101的材料可为具有以下中的一种的单个层或堆叠：玻璃、石英、有机聚合物(例如，聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate，PMMA)等)、不透明/反射性材料(例如，导电材料、金属、晶片、陶瓷等)、及其他适用材料，或者可为具有至少两种上述材料的混合物的堆叠，但本发明实施例并非仅限于此。然而，在其他实施例中，载体衬底SUB可包括少于四个显示器件或多于四个显示面板，且每一显示器件可包括少于或多于四个用于转移显示单元的区，但本发明实施例并非仅限于此。为清楚起见，由于显示器件10中各对齐区100A的构造均相同，因而在以下说明中将通过一个显示器件10的一个对齐区100A来详述每一显示面板10的详细结构。
在所述实施例中，如图2及图6所示，显示器件10具有显示区域AA、与显示区域AA相邻的非显示区域PA。如图2及图6所示，显示器件10包括设置在显示区域AA上的多个子像素单元U1、设置在显示区域AA上的多个对齐标记AM1及设置在非显示区域PA上的多个对齐标记AM2，所述多个子像素单元U1具有晶体管T及显示单元130。显示器件10进一步包括扫描线及数据线(图中未示出)、缓冲层102、栅极绝缘层103、多个绝缘层104/105/106/107/108、像素电极120、填充材料140、导电电极150、及保护层109。
参照图2，子像素单元U1设置在显示区域AA上，且子像素单元U1沿着X方向及Y方向被排列成阵列。在所述实施例中，子像素单元U1被排列成6×8阵列的形式；然而，相关领域中的普通技术人员应理解，图2中所示的由子像素单元U1形成的阵列是基于需要而由被排列成阵列的多个子像素单元构成，其中子像素单元的数目在本发明实施例中并不受具体限制。在图6中，说明沿着图2所示截面线B-B’而截取的一个子像素单元U1的剖视图，且说明沿着图2所示截面线A-A’及截面线C-C’而截取的对齐标记AM1及对齐标记AM2的剖视图，以使所属领域中的技术人员可清晰地理解本发明实施例。此外，如图2及图6所示，应注意，子像素单元U1中的每一个包括如图6所说明的晶体管及显示元件。然而，本发明实施例并不将每一子像素单元U1限制成包括一个晶体管和/或一个显示单元，晶体管及显示单元的数目并不受限。晶体管及显示单元的数目可为一个或多于一个，且可基于需要来指定及选择。举例来说，如图7所示，子像素单元U1可包括一个晶体管T及电连接到晶体管T的三个显示单元130，其中各显示单元130通过像素电极120被串联地电连接。另一方面，在本发明实施例中，所述多个显示单元130的数目大于设置在衬底101的显示区域AA上的所述多个对齐标记AM1的数目。
参照图2及图6，缓冲层102是视需要设置在衬底101上。缓冲层102的材料可包括但不限于氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或以上材料的堆叠层。
在所述实施例中，晶体管T设置在衬底101及缓冲层102上。在所述实施例中，晶体管T包括半导体层110、栅极电极112、源极/漏极电极114、及源极/漏极电极116。在所述实施例中，栅极电极112位于半导体层110上。详细来说，半导体层110包括第一区R1、第二区R2及位于第一区R1与第二区R2之间的沟道区CH。在所述实施例中，半导体层110的材料例如可选择性地是低温多晶硅半导体材料、非晶硅半导体材料、氧化物半导体材料、有机半导体材料、或其他半导体材料。考虑到导电率，栅极电极112经常由金属材料制成。然而，本发明实施例并非仅限于此。根据本发明的其他实施例，栅极电极112也可由其他导电材料制成。所述金属材料例如包括导电材料(例如合金、金属氮化物材料、金属氧化物材料、金属氮氧化物材料、或其他适合的材料)、或含有金属材料及任何其他导电材料的堆叠层。
栅极绝缘层103设置在半导体层110与栅极电极112之间，其中栅极绝缘层103保形地形成在半导体层110上且覆盖半导体层110。栅极绝缘层103的材料可包括无机材料(例如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅)、有机材料(例如聚酰亚胺树脂、环氧树脂或丙烯酸树脂)、或含有绝缘材料及任何其他绝缘材料的堆叠层。
如图6所示，绝缘层104及绝缘层105设置在栅极电极112上，其中绝缘层105位于绝缘层104上。详细来说，绝缘层104及绝缘层105均用于保护栅极电极112免于在制造工艺期间受到损坏，其中绝缘层105可进一步用作用于提供整平功能的钝化层。绝缘层104及绝缘层105的材料可包括无机材料(例如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅)、有机材料(例如聚酰亚胺树脂、环氧树脂或丙烯酸树脂)、或含有绝缘材料及任何其他绝缘材料的堆叠层。
在所述实施例中，源极/漏极电极114及源极/漏极电极116设置在栅极电极112上。如图6所示，源极/漏极电极114通过在绝缘层104及绝缘层105中形成的第一介层孔而物理连接到第一区R1；且类似地，源极/漏极电极116通过在绝缘层104及绝缘层105中形成的第二介层孔而物理连接到第二区R2。源极/漏极电极114及源极/漏极电极116的材料可包括金属材料(例如铝、钼、钛、金铟、锡、或其组合)、金属氧化物、或其他半导体材料。因此，晶体管T至少包括半导体层110、栅极电极112、源极/漏极电极114、及源极/漏极电极116。
参照图6，绝缘层106及绝缘层107设置在晶体管T上，其中绝缘层107位于绝缘层106上。详细来说，绝缘层107及绝缘层106均用于保护晶体管T免于在制造工艺期间受到损坏，其中绝缘层107可进一步用作用于提供整平功能的钝化层。绝缘层106及绝缘层107的材料可包括无机材料(例如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅)、有机材料(例如聚酰亚胺树脂、环氧树脂或丙烯酸树脂)、或含有绝缘材料及任何其他绝缘材料的堆叠层。
参照图6，像素电极120设置在晶体管T上且电连接到晶体管T。在所述实施例中，像素电极120通过在绝缘层106及绝缘层107中形成的开口而物理连接到晶体管T的源极/漏极电极116。详细来说，在绝缘层106及绝缘层107中形成的开口暴露出晶体管T的一部分(例如，源极/漏极电极116的一部分)。像素电极120填满所述开口的一部分(例如，在绝缘层106中形成的开口)并覆盖所述开口的一部分(例如，在绝缘层107中形成的开口)的底表面及侧壁，且像素电极120延伸到绝缘层107的与晶体管T相对的表面。在所述实施例中，像素电极120用作晶体管T的像素电极。像素电极120的材料可包括金属材料，例如铝、钼、钛、金铟、锡、或其组合。在某些实施例中，源极/漏极电极114、源极/漏极电极116及像素电极120的材料可为相同或不同的，但本发明实施例并非仅限于此。
如图6所示，绝缘层108设置在绝缘层107上及在像素电极120的一部分上。换句话说，绝缘层108暴露出像素电极120的一部分。绝缘层108的材料例如可为无机材料、有机材料或其组合，其中所述无机材料例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或具有上述至少两种材料的堆叠层；所述有机材料例如是大分子材料，例如聚酰亚胺树脂、环氧树脂或丙烯酸树脂。在所述实施例中，像素电极120与绝缘层108一同为显示单元130界定容置空间。换句话说，容置空间的位置对应于像素电极120的位置。
参照图6，显示单元130设置在晶体管T上且通过像素电极120而电连接到晶体管T。在所述实施例中，显示单元130包括第一导电类型的半导体层132、有源层134、第二导电类型的半导体层136、电极138a、及电极138b。详细来说，显示单元130设置在由像素电极120及绝缘层108形成的容置空间中，且显示单元130通过电极138b而电连接到像素电极120，以使晶体管T可通过像素电极120来驱动显示单元130。在一个实施例中，第一导电类型的半导体层132可为n型半导体层，有源层134可为量子阱结构层，第二导电类型的半导体层136可为p型半导体层，电极138a可为n型电极，且电极138b可为p型电极。然而，本发明实施例并非仅限于此。在另一实施例中，第一导电类型的半导体层132可为p型半导体层，有源层134可为量子阱结构层，第二导电类型的半导体层136可为n型半导体层，电极138a可为p型电极，且电极138b可为n型电极。有源层134可例如是多量子阱结构层。在所述实施例中，显示单元130可为发光二极管(LED)或为具有微米级尺寸的发光二极管(例如，微发光二极管(微LED))；且如图6所示，显示单元130是垂直发光二极管(LED)，然而，本发明实施例并非仅限于此。在其他实施例中，显示单元130可为倒装芯片发光二极管。
填充材料140填充容置空间且至少覆盖显示单元130的侧表面。填充材料140的材料可例如包括胶、树脂、氧化硅、氮化硅、或底部填充剂(underfiller)。另外，填充材料140的材料可进一步包括但不限于量子点材料、荧光粉材料、磷光体粉材料、或其组合。在其他实施例中，填充材料140可完全包封显示单元130。
参照图6，导电电极150设置在显示单元130、填充材料140及绝缘层108上。在所述实施例中，导电电极150保形地形成在显示单元130、填充材料140及绝缘层108上。导电电极150从位于非显示区域PA上的驱动电路的元件(例如，晶体管或被电接地的端子接点)接收共用电压，所述驱动电路可由所属领域中的技术人员基于需要来选择且在本发明实施例中并不受具体限制，并且因此本文中不再对其予以说明。在某些实施例中，导电电极150可用作晶体管T的共用电极。导电电极150的材料可包括金属材料，例如铝、钼、钛、金铟、锡、或其组合。导电电极150的材料可与源极/漏极电极114、源极/漏极电极116及像素电极120的材料相同或不同；本发明实施例并非仅限于此。
保护层109设置在衬底101上。如图6所示，保护层109保形地形成在绝缘层108及导电电极150上。保护层109保护显示单元130及导电电极150免于在制造工艺期间受到损坏。保护层109的材料例如可为无机材料、有机材料或其组合，其中所述无机材料例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或具有上述至少两种材料的堆叠层；所述有机材料例如是大分子材料，例如聚酰亚胺树脂、环氧树脂或丙烯酸树脂。
在某些实施例中，缓冲层102、绝缘层103、绝缘层104、绝缘层105、绝缘层106、绝缘层107、绝缘层108、及保护层109的材料可彼此相同或不同。本发明实施例并非仅限于此。
如图2及图6所示，对齐标记AM1位于衬底101的显示区域AA上，且对齐标记AM2位于衬底101的非显示区域PA上。在所述实施例中，如图6所示，对齐标记AM1及对齐标记AM2形成在与栅极电极112相同的层中；然而，本发明实施例并非仅限于此。在一个实施例中，如图8所示，对齐标记AM1’及对齐标记AM2’形成在与第一源极/漏极电极114及源极/漏极电极116相同的层中。在另一个实施例中，如图9所示，对齐标记AM1”及对齐标记AM2”形成在与像素电极120相同的层中。在一个实施例中，对齐标记AM1及对齐标记AM2可例如形成在选自以下群组的两个不同层中:栅极电极112、源极/漏极电极114、源极/漏极电极116、及像素电极120。对齐标记AM1及对齐标记AM2与显示单元130不交叠。
返回图2，每一对齐区100A具有一对位于非显示区域上沿着显示区域AA的对角线的延伸方向定位的两个不同位置处的对齐标记AM2，且每一子像素单元U1具有一对位于子像素单元U1上沿着子像素单元U1的对角线的延伸方向定位的两个不同位置处的对齐标记AM1。然而，本发明实施例并非仅限于此。
图3是说明根据本发明另一实施例的显示器件的示意性俯视图。一同参照图2及图3，图2所示显示器件10与图3所示显示器件20是类似的，两者的区别在于，对于图3所示显示器件20，显示器件20的每一对齐区100B具有一对位于非显示区域上沿着显示区域AA的对角线的延伸方向定位的两个不同位置处的对齐标记AM2，且每一子像素单元U1具有两对分别位于子像素单元U1上沿着子像素单元U1的两个对角线的延伸方向定位的四个不同位置处的对齐标记AM1。换句话说，对齐标记AM1分别位于子像素单元U1的四个隅角处。
图4是说明根据本发明另一实施例的显示器件的示意性俯视图。一同参照图2及图4，图2所示显示器件10与图4所示显示器件30是类似的，两者的区别在于，对于图4所示显示器件30，显示器件30的每一对齐区100C具有两对分别位于非显示区域上沿着显示区域AA的两个对角线的延伸方向定位的四个不同位置处的对齐标记AM2，且每一子像素单元U1具有一对位于子像素单元U1上沿着子像素单元U1的对角线的延伸方向定位的两个不同位置处的对齐标记AM1。换句话说，对齐标记AM2分别位于非显示区域上对齐区100C的四个隅角处。
图5是说明根据本发明另一实施例的显示器件的示意性俯视图。一同参照图2及图4，图2所示显示器件10与图5所示显示器件40是类似的，两者的区别在于，对于图5所示显示器件40，显示器件40的每一对齐区100D具有两对分别位于非显示区域上沿着显示区域AA的两个对角线的延伸方向定位的四个不同位置处的对齐标记AM2，且每一子像素单元U1具有两对分别位于子像素单元U1上沿着子像素单元U1的两个对角线的延伸方向定位的四个不同位置处的对齐标记AM1。
在另一实施例(图中未示出)中，两个独立地位于两个不同子像素单元U1中的相邻对齐标记AM1(如图2及图4所示)可由一个对齐标记AM1代替，其中所述一个对齐标记由所述两个子像素单元U1共用。在另一实施例(图中未示出)中，四个独立地位于四个不同子像素单元U1中的相邻对齐标记AM1(如图3及图5所示)可由一个对齐标记AM1代替，其中所述一个对齐标记由所述四个子像素单元U1共用。
另外，在某些实施例中，显示器件10可包括相对衬底(图中未示出)，其中所述相对衬底可包括具有以下中的至少一个的衬底：彩色滤光层、波长转换层、黑色矩阵层、及其他绝缘层，并且以上元件的定位构造及材料可为公知的并可由所属领域中的技术人员基于需要来指定及选择，且因此本文中不再对其予以说明。
图10A是根据本发明第一实施例，显示器件的制造工艺的中间阶段的示意性剖视图。图10B是图10A所示显示器件的示意性平面图。图11A是根据本发明第一实施例在显示器件的制造工艺的中间阶段中所使用的拾取装置的示意性剖视图。图11B是图11A所示拾取装置的示意性平面图。图12A是根据本发明第一实施例，显示器件的制造工艺的中间阶段的示意性剖视图。图12B是图12A所示显示器件的示意性平面图。
图10A是根据第一实施例，图2所示显示器件10的制造工艺的中间阶段的示意性剖视图，且图10B是图10A所示显示器件10的平面图，其中图10A所示剖视图是沿着图10B所示截面线A-A’、截面线B-B’及截面线C-C’而截取。一同参照图10A及图10B，提供具有晶体管T、像素电极120、对齐标记AM1、及对齐标记AM2的衬底101。换句话说，在图2及图6所示显示器件10的衬底101上尚未形成显示单元130、绝缘层108、填充材料140、导电电极150、及保护层109。
图11A是根据第一实施例，显示器件10的制造工艺的中间阶段的拾取装置50的示意性剖视图，且图11B是图11A所示拾取装置50的平面图，其中图11A所示剖视图是沿着图11B所示截面线D-D’、截面线E-E’及截面线F-F’而截取。一同参照图11A及图11B，通过阵列拾取装置(例如，图11A所示拾取装置50)来移动及拾取以阵列形式临时存放在载体衬底(图中未示出)上的显示单元130，以与衬底101组装在一起。换句话说，拾取装置50以阵列方式来移动多个显示单元130。
在所述实施例中，拾取装置50具有固持器51、对齐标记52、对齐标记53、及拾取头54的阵列，其中对齐标记52、对齐标记53及拾取头54设置在固持器51上，且拾取头54执行拾取动作以防止任何失效的显示单元130被移动且设置在衬底101上。在所述实施例中，如图11A及图11B所示，拾取装置50的固持器51对应于衬底101的一个对齐区100A，其中固持器51具有沿着X方向及Y方向排列成阵列的多个区M1，且区M1的阵列对应于子像素单元U1的阵列，其中一个区M1对应于一个子像素单元U1。详细来说，至少两个对齐标记53及至少一个拾取头54位于每一区M1中，且至少两个对齐标记52位于区M1的阵列之外。在所述实施例中，对齐标记52中的每一个对应于衬底101的对齐标记AM2中的一个，且对齐标记53中的每一个对应于对齐标记AM1中的一个。
图12A是根据第一实施例，显示器件10的制造工艺的中间阶段的示意性剖视图，且为清楚起见，在所述剖视图中省略了拾取装置50。图12B是图12A所示显示器件10的平面图，其中图12A所示剖视图是沿着图12B所示截面线A-A’、截面线B-B’及截面线C-C’而截取。如图12A及图12B所示，执行移动动作，显示单元130与衬底101准确地组装在一起，其中显示单元130中的一个通过像素电极120而电连接到对应晶体管T。
在所述实施例中，通过所述移动动作，固持器51的区M1、对齐标记52及对齐标记53分别与子像素单元U1、对齐标记AM2及对齐标记AM1对齐。由于对齐标记52与对齐标记AM2之间以及对齐标记53与对齐标记AM1之间的定位构造，显示单元130可与衬底101准确地组装在一起。详细来说，可利用光学显微镜(例如，探测对齐标记AM1和/或对齐标记AM2的光反射强度)来容易地执行对齐标记AM1与对齐标记53之间的对齐方式以及对齐标记AM2与对齐标记52之间的对齐方式。由于对齐标记AM1及对齐标记AM2的位置是确定的，因而对齐标记53及对齐标记52可分别快速地与对齐标记AM1及对齐标记AM2对齐。因此，在制作期间将显示单元转移到衬底上的准确度更佳且转移所述显示单元所需的时间更少。
图13A是根据本发明第二实施例，显示器件的制造工艺的中间阶段的示意性剖视图。图13B是图13A所示显示器件的示意性平面图。图14A是根据本发明第二实施例在显示器件的制造工艺的中间阶段中所使用的拾取装置的示意性剖视图。图14B是图14A所示拾取装置的示意性平面图。图15A是根据本发明第二实施例，显示器件的制造工艺的中间阶段的示意性剖视图。图15B是图15A所示显示器件的示意性平面图。图16A是根据本发明第二实施例在显示器件的制造工艺的中间阶段中所使用的拾取装置的示意性剖视图。图16B是图16A所示拾取装置的示意性平面图。图17A是根据本发明第二实施例，显示器件的制造工艺的中间阶段的示意性剖视图。图17B是图17A所示显示器件的示意性平面图。
图13A是根据第二实施例，图2所示显示器件10的制造工艺的中间阶段的示意性剖视图，且图13B是图13A所示显示器件10的平面图，其中图13A所示剖视图是沿着图13B所示截面线A-A’、截面线B-B’及截面线C-C’而截取。一同参照图13A及图13B，提供具有晶体管T、像素电极120、对齐标记AM1、及对齐标记AM2的衬底101。换句话说，在图2及图6所示显示器件10的衬底101上尚未设置显示单元130、绝缘层108、填充材料140、导电电极150、及保护层109。
图14A是根据第二实施例，显示器件10的制造工艺的中间阶段的拾取装置50的示意性剖视图，且图14B是图14A所示拾取装置50的平面图，其中图14A所示剖视图是沿着图14B所示截面线D-D’、截面线E-E’及截面线F-F’而截取。一同参照图14A及图14B，通过阵列拾取装置(例如，拾取装置50)来移动及拾取以阵列形式临时存放在载体衬底(图中未示出)上的显示单元130，以与衬底101组装在一起。在所述实施例中，几个显示单元130受到损坏或发生故障且因此被从通过拾取装置50通过拾取动作而移动的显示单元130的阵列中排除。换句话说，拾取装置50以阵列方式来移动多个显示单元130，其中受到损坏和/或发生故障的显示单元130未被拾取，且因此由拾取装置50移动及拾取的显示单元130的阵列中可呈现出所产生的空位VA(参见图14B)。
在所述实施例中，图14A及图14B所示拾取装置50具有固持器51、对齐标记52、对齐标记53、及拾取头54的阵列，其中对齐标记52、对齐标记53及拾取头54设置在固持器51上，且拾取头54执行拾取动作以防止任何失效的显示单元130被移动及设置在衬底101上。在所述实施例中，如图14A及图14B所示，拾取装置50的固持器51对应于衬底101的一个对齐区100A，其中固持器51具有沿着X方向及Y方向排列成阵列的多个区M1，且区M1的阵列对应于子像素单元U1的阵列，其中一个区M1对应于一个子像素单元U1。详细来说，至少两个对齐标记53及至少一个拾取头54位于一个区M1中，且至少两个对齐标记52位于区M1的阵列之外，其中对齐标记52中的每一个对应于衬底101的对齐标记AM2中的一个，且对齐标记53中的每一个对应于对齐标记AM1中的一个。
图15A是根据第二实施例，显示器件10的制造工艺的中间阶段的示意性剖视图，且为清楚起见，在所述剖视图中省略了拾取装置50。图15B是图15A所示显示器件10的平面图，其中图15A所示剖视图是沿着图15B所示截面线A-A’、截面线B-B’及截面线C-C’而截取。如图15A及图15B所示，执行移动动作，显示单元130与衬底101准确地组装在一起，其中显示单元130中的一个通过像素电极120而电连接到对应晶体管T。
在所述实施例中，通过所述移动动作，固持器51的区M1、对齐标记52及对齐标记53分别与子像素单元U1、对齐标记AM2及对齐标记AM1对齐。由于对齐标记52与对齐标记AM2之间以及对齐标记53与对齐标记AM1之间的定位构造，显示单元130可与衬底101准确地组装在一起。详细来说，可利用光学显微镜(例如，探测对齐标记AM1和/或对齐标记AM2的光反射强度)来容易地执行对齐标记AM1与对齐标记53之间的对齐方式以及对齐标记AM2与对齐标记52之间的对齐方式。由于对齐标记AM1及对齐标记AM2的位置是确定的，因而对齐标记53及对齐标记52可分别快速地与对齐标记AM1及对齐标记AM2对齐。因此，在制作期间将显示单元转移到衬底上的准确度更佳且转移所述显示单元所需的时间更少。
图16A是根据第二实施例，显示器件10的制造工艺的中间阶段的拾取装置60的示意性剖视图，且图16B是图16A所示拾取装置60的平面图。一同参照图16A及图16B，通过单个拾取装置(例如，拾取装置60)来个别地移动及拾取以阵列形式临时存放在载体衬底(图中未示出)上的显示单元130中的一个，以与衬底组装在一起。即，不同于拾取装置50以阵列方式来移动多个显示单元130，拾取装置60是一次移动一个显示单元130。
详细来说，图16A及图16B所示拾取装置60具有固持器61、至少两个对齐标记62及拾取头63，其中对齐标记62及拾取头63设置在固持器61上，且拾取头63执行拾取动作以防止任何失效的显示单元130被移动及设置在衬底101上。在所述实施例中，至少两个对齐标记62以及拾取头63位于拾取装置60的区M2中，且区M2对应于一个子像素单元U1，其中对齐标记62中的每一个对应于对齐标记AM1中的一个。
图17A是根据第一实施例，显示器件10的制造工艺的中间阶段的示意性剖视图，且为清楚起见，在所述剖视图中省略了拾取装置60。图17B是图17A所示显示器件10的平面图，其中图17A所示剖视图是沿着图17B所示截面线A-A’、截面线G-G’及截面线C-C’而截取。如图17A及图17B所示，执行移动动作，显示单元130与衬底101准确地组装在一起，其中显示单元130通过像素电极120而电连接到对应晶体管T。
在所述实施例中，通过所述移动动作，固持器61的区M2及对齐标记62分别与子像素单元U1及对齐标记AM1对齐。由于对齐标记62与对齐标记AM1之间的定位构造，显示单元130可与衬底101准确地组装在一起。详细来说，可利用光学显微镜(例如，探测对齐标记AM1的光反射强度)来容易地执行对齐标记AM1与对齐标记62之间的对齐方式。由于对齐标记AM1的位置是确定的，因而各对齐标记62可分别快速地与各对齐标记AM1对齐。因此，可实现使在制作期间将显示单元转移到衬底上的准确度更佳且转移所述显示单元所需的时间更少。另外，可重复图17A及图17B所示步骤若干次，以确保每一子像素单元U1具有一个显示单元130。
图18A到图18D是设置在显示面板上的对齐标记与设置在拾取装置上的对齐标记之间的相对位置的示意性俯视图。对齐标记AM2可例如是十字形、或正方形、或矩形的。另一方面，对齐标记52可例如包括空心正方形或矩形形状、多个三角形部分或多个L形部分。如图18A及图18B所示，对齐标记52环绕对齐标记AM2。如图18C及图18D所示，对齐标记52与对齐标记AM2局部地交叠。此外，对齐标记AM1可具有与对齐标记AM2相同的形状，且对齐标记53及对齐标记62可具有与对齐标记52相同的形状。然而，本发明实施例并非仅限于此。
另外，图19是说明根据本发明另一实施例的显示器件的示意性俯视图。一同参照图2及图19，图19所示显示器件10’类似于图2所示显示器件10；因此，这些实施例中相同或类似的元件由相同或类似的参考编号表示且将不予以进一步解释。区别在于，图19所示显示器件10’的子像素单元U1’已将对齐标记AM1替换成数据线(例如数据线D1～D8)与扫描线(例如扫描线S1～S6)的相交点(由AM所示)。换句话说，图19所示显示器件10’类似于图2所示显示器件10，区别在于，显示器件10’仅具有对齐标记AM2。对于此种构造，执行简单的计算便能对扫描线S1～S6中的一个与数据线D1～D8中的一个的特定相交点进行定位，以使每一显示单元130可准确地设置在对应晶体管T上。
基于上文，在本发明实施例的显示器件中，由于存在设置在非显示区域上和/或设置在显示区域上的对齐标记，因而实现了使在制造工艺期间将显示单元转移到显示器件的衬底上的准确度更佳且转移所述显示单元所需的时间更少。
对于所属领域中的技术人员来说将显而易见，在不背离本发明实施例的范围或精神的条件下，可对本发明实施例的结构做出各种修改及变化。鉴于上述内容，本发明实施例旨在涵盖对本发明实施例的修改及变化，前提是所述修改及变化归属于以上权利要求及其等效内容的范围内。

Claims (12)

1.一种显示器件，其特征在于，包括：
衬底，包括显示区域及与所述显示区域相邻的非显示区域；
多个晶体管，设置在所述衬底的所述显示区域上；
多个显示单元，设置在所述衬底的所述显示区域上且分别电连接到所述多个晶体管；以及
多个对齐标记，设置在所述衬底上，
其中所述多个对齐标记中的至少一个设置在所述衬底的所述显示区域上。
2.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述多个对齐标记中的至少另外一个设置在所述衬底的所述非显示区域上。
3.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述多个晶体管中的一个包括栅极电极，且所述多个对齐标记中的所述至少一个与所述栅极电极包含相同的材料。
4.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述多个晶体管中的一个包括源极/漏极电极，且所述多个对齐标记中的所述至少一个与所述源极/漏极电极包含相同的材料。
5.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，进一步包括：
绝缘层，设置在所述多个晶体管上，且所述绝缘层包括开口；以及
像素电极，设置在所述开口中且电连接到所述多个显示单元中的至少一个；
其中所述多个对齐标记中的所述至少一个与所述像素电极包含相同的材料。
6.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述多个显示单元的数目大于设置在所述衬底的所述显示区域上的对齐标记的数目。
7.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述多个对齐标记与所述多个显示单元不交叠。
8.一种显示器件，其特征在于，包括：
基础衬底；
晶体管，设置在所述基础衬底上；
对齐标记，设置在所述基础衬底上；以及
显示单元，设置在所述晶体管上且电连接到所述晶体管，其中所述显示单元是微发光二极管。
9.根据权利要求8所述的显示器件，其特征在于，所述基础衬底包括显示区域及与所述显示区域相邻的非显示区域，其中所述对齐标记设置在所述基础衬底的所述非显示区域上。
10.根据权利要求8所述的显示器件，其特征在于，所述晶体管包括栅极电极，且所述对齐标记与所述栅极电极包含相同的材料。
11.根据权利要求8所述的显示器件，其特征在于，所述晶体管包括源极/漏极电极，且所述对齐标记与所述源极/漏极电极包含相同的材料。
12.根据权利要求8所述的显示器件，其特征在于，进一步包括：
绝缘层，设置在所述晶体管上，其中所述绝缘层包括开口；以及
像素电极，设置在所述开口中且电连接到所述显示单元，
其中所述对齐标记与所述像素电极包含相同的材料。
CN201711454185.3A 2017-01-03 2017-12-28 显示器件 Pending CN108269786A (zh)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201762441579P 2017-01-03 2017-01-03
US62/441,579 2017-01-03
US201762450106P 2017-01-25 2017-01-25
US62/450,106 2017-01-25
US15/590,030 US20180190672A1 (en) 2017-01-03 2017-05-09 Display device
US15/590,030 2017-05-09

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN108269786A true CN108269786A (zh) 2018-07-10

Family

ID=60888335

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201711454185.3A Pending CN108269786A (zh) 2017-01-03 2017-12-28 显示器件

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20180190672A1 (zh)
EP (1) EP3343611B1 (zh)
KR (1) KR20180080091A (zh)
CN (1) CN108269786A (zh)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109301051A (zh) * 2018-09-03 2019-02-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法
CN110233146A (zh) * 2018-11-01 2019-09-13 友达光电股份有限公司 元件基板及其制造方法
CN110534508A (zh) * 2019-02-01 2019-12-03 友达光电股份有限公司 发光模块与显示模块
CN110571224A (zh) * 2019-08-05 2019-12-13 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置及其制备方法
CN111540755A (zh) * 2020-04-24 2020-08-14 昆山国显光电有限公司 阵列基板、显示面板及制备方法
CN111627952A (zh) * 2020-06-19 2020-09-04 武汉华星光电技术有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN113013311A (zh) * 2019-12-19 2021-06-22 群创光电股份有限公司 电子装置的制造方法
WO2022183602A1 (zh) * 2021-03-02 2022-09-09 Tcl华星光电技术有限公司 一种Mini LED背光板的制作方法及Mini LED背光板
WO2022227469A1 (zh) * 2021-04-30 2022-11-03 京东方科技集团股份有限公司 发光基板及显示装置
US11837590B2 (en) 2020-06-19 2023-12-05 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display panel, manufacturing method thereof, and display device

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10418527B2 (en) * 2014-10-31 2019-09-17 eLux, Inc. System and method for the fluidic assembly of emissive displays
US10446728B2 (en) * 2014-10-31 2019-10-15 eLux, Inc. Pick-and remove system and method for emissive display repair
KR102610028B1 (ko) * 2016-04-12 2023-12-06 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN107170785B (zh) * 2017-05-26 2019-06-25 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示基板及其制备方法、显示装置
KR102415243B1 (ko) * 2017-09-19 2022-06-30 엘지이노텍 주식회사 반도체 모듈 및 이를 포함하는 표시 장치
JP6853770B2 (ja) * 2017-11-30 2021-03-31 株式会社Ｊｏｌｅｄ 半導体装置および表示装置
JP7105612B2 (ja) * 2018-05-21 2022-07-25 シャープ株式会社 画像表示素子およびその形成方法
US11145251B2 (en) * 2018-10-23 2021-10-12 Innolux Corporation Display device
KR102589620B1 (ko) 2018-10-29 2023-10-17 삼성전자주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20200062863A (ko) * 2018-11-27 2020-06-04 삼성전자주식회사 디스플레이 장치 및 제조 방법
US11018089B2 (en) * 2019-01-08 2021-05-25 Innolux Corporation Display devices and methods for manufacturing the same
US11349052B2 (en) * 2019-02-05 2022-05-31 Facebook Technologies, Llc Bonding interface for hybrid TFT-based micro display projector
CN109658820B (zh) * 2019-02-19 2020-05-15 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、其制作方法及显示面板
EP3933944A4 (en) * 2019-02-26 2022-11-16 Kyocera Corporation MICRO-LED ELEMENT MOUNTED SUBSTRATE AND DISPLAY DEVICE USING THE SAME
KR20200124799A (ko) * 2019-04-24 2020-11-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
CN112242417A (zh) * 2019-07-19 2021-01-19 群创光电股份有限公司 显示设备及电子装置的制作方法
KR20210011835A (ko) 2019-07-23 2021-02-02 엘지디스플레이 주식회사 스트레쳐블 표시 장치
WO2021016821A1 (zh) * 2019-07-29 2021-02-04 北京小米移动软件有限公司南京分公司 显示面板、显示屏及电子设备
KR20190099164A (ko) * 2019-08-06 2019-08-26 엘지전자 주식회사 디스플레이 장치의 제조 방법 및 디스플레이 장치 제조를 위한 기판
KR20210025417A (ko) * 2019-08-27 2021-03-09 엘지디스플레이 주식회사 스트레쳐블 표시 장치
JP7317635B2 (ja) * 2019-08-29 2023-07-31 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN111025799B (zh) * 2019-12-02 2021-07-27 苏州华星光电技术有限公司 显示面板及显示装置
KR20210080873A (ko) * 2019-12-23 2021-07-01 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조 방법
EP3958308A1 (en) * 2020-08-19 2022-02-23 Lumileds LLC Lighting element alignment
EP4318587A1 (en) * 2021-03-31 2024-02-07 LG Display Co., Ltd. Display device comprising semiconductor light-emitting diode
DE102021108397A1 (de) * 2021-04-01 2022-10-06 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Transferverfahren für optoelektronisches halbleiterbauelement
EP4365950A1 (en) * 2021-06-30 2024-05-08 LG Electronics Inc. Display device comprising semiconductor light-emitting element
WO2023096053A1 (ko) * 2021-11-25 2023-06-01 엘지전자 주식회사 반도체 발광소자를 포함하는 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
WO2023113148A1 (ko) * 2021-12-16 2023-06-22 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 포함하는 디스플레이 장치

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120042512A1 (en) * 2008-08-26 2012-02-23 Jeffrey Bisberg LED Chip-Based Lighting Products And Methods Of Building
JP2013037138A (ja) * 2011-08-05 2013-02-21 Panasonic Corp 自発光型表示装置
US20130270527A1 (en) * 2012-04-12 2013-10-17 Samsung Display Co., Ltd. Backplane for flat panel display apparatus, method of manufacturing the backplane, and organic light emitting display apparatus including the backplane
CN103839967A (zh) * 2012-11-21 2014-06-04 三星显示有限公司 有机发光二极管显示设备及其制造方法
CN105247848A (zh) * 2013-05-22 2016-01-13 奥林巴斯株式会社 摄像装置、摄像装置的制造方法以及内窥镜系统
CN105324858A (zh) * 2013-06-17 2016-02-10 勒克斯维科技公司 用于集成光发射设备的反射堤结构和方法
US20160218123A1 (en) * 2015-01-26 2016-07-28 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing display device and forming an alignment mark having concave and convex portions formed along a first pattern
CN106483658A (zh) * 2015-08-31 2017-03-08 三星显示有限公司 显示设备、头戴式显示设备和图像显示系统

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108602346B (zh) * 2015-12-07 2020-04-07 科迪华公司 用于以改进的均匀性和打印速度制造薄膜的技术
US20180130845A1 (en) * 2016-11-04 2018-05-10 Dpix, Llc Flat panel array with the alignment marks in active area

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120042512A1 (en) * 2008-08-26 2012-02-23 Jeffrey Bisberg LED Chip-Based Lighting Products And Methods Of Building
JP2013037138A (ja) * 2011-08-05 2013-02-21 Panasonic Corp 自発光型表示装置
US20130270527A1 (en) * 2012-04-12 2013-10-17 Samsung Display Co., Ltd. Backplane for flat panel display apparatus, method of manufacturing the backplane, and organic light emitting display apparatus including the backplane
CN103839967A (zh) * 2012-11-21 2014-06-04 三星显示有限公司 有机发光二极管显示设备及其制造方法
CN105247848A (zh) * 2013-05-22 2016-01-13 奥林巴斯株式会社 摄像装置、摄像装置的制造方法以及内窥镜系统
CN105324858A (zh) * 2013-06-17 2016-02-10 勒克斯维科技公司 用于集成光发射设备的反射堤结构和方法
US20160218123A1 (en) * 2015-01-26 2016-07-28 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing display device and forming an alignment mark having concave and convex portions formed along a first pattern
CN106483658A (zh) * 2015-08-31 2017-03-08 三星显示有限公司 显示设备、头戴式显示设备和图像显示系统

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020047888A1 (zh) * 2018-09-03 2020-03-12 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法
CN109301051A (zh) * 2018-09-03 2019-02-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法
CN110233146A (zh) * 2018-11-01 2019-09-13 友达光电股份有限公司 元件基板及其制造方法
CN110534508A (zh) * 2019-02-01 2019-12-03 友达光电股份有限公司 发光模块与显示模块
CN110534508B (zh) * 2019-02-01 2021-05-28 友达光电股份有限公司 发光模块与显示模块
CN110571224B (zh) * 2019-08-05 2021-12-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置及其制备方法
CN110571224A (zh) * 2019-08-05 2019-12-13 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置及其制备方法
CN113013311A (zh) * 2019-12-19 2021-06-22 群创光电股份有限公司 电子装置的制造方法
CN111540755A (zh) * 2020-04-24 2020-08-14 昆山国显光电有限公司 阵列基板、显示面板及制备方法
CN111540755B (zh) * 2020-04-24 2022-12-13 昆山国显光电有限公司 阵列基板、显示面板及制备方法
CN111627952A (zh) * 2020-06-19 2020-09-04 武汉华星光电技术有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
WO2021253558A1 (zh) * 2020-06-19 2021-12-23 武汉华星光电技术有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
US11837590B2 (en) 2020-06-19 2023-12-05 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display panel, manufacturing method thereof, and display device
WO2022183602A1 (zh) * 2021-03-02 2022-09-09 Tcl华星光电技术有限公司 一种Mini LED背光板的制作方法及Mini LED背光板
WO2022227469A1 (zh) * 2021-04-30 2022-11-03 京东方科技集团股份有限公司 发光基板及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20180190672A1 (en) 2018-07-05
EP3343611B1 (en) 2021-09-22
EP3343611A1 (en) 2018-07-04
KR20180080091A (ko) 2018-07-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108269786A (zh) 显示器件
CN100438119C (zh) 双面板型有机电致发光器件及其制造方法
US10937775B2 (en) Display device
TWI733121B (zh) 具有觸控感測器之發光顯示裝置
CN100353559C (zh) 双面板型有机电致发光装置及其制造方法
CN104518001B (zh) 有机发光显示装置
CN110034132B (zh) 一种阵列基板、显示面板及显示装置
CN109087922A (zh) 阵列基板及其制作方法、显示面板
KR102591412B1 (ko) 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
CN100355084C (zh) 双板型有机电致发光显示装置及其制造方法
CN105895655B (zh) 具有高孔径比的有机发光二极管显示器及其制造方法
US20190018530A1 (en) Display device having touch sensors
KR20180124326A (ko) 표시 장치
CN108258011A (zh) 显示装置
CN107452766A (zh) 背板基板及使用该背板基板的有机发光二极管显示器
CN110034159A (zh) 显示装置
CN108400148A (zh) 显示装置及其制造方法
EP3503189A1 (en) Display device
CN107357467A (zh) 一种显示面板和显示装置
CN110010624A (zh) 显示装置
CN209016060U (zh) 有机发光二极管阵列基板及电子装置
CN103811675A (zh) 柔性有机电致发光装置及其制造方法
CN109671764B (zh) 显示装置及其形成方法
CN111309171A (zh) 触摸面板和触摸显示装置
US9660001B2 (en) Organic light emitting diode display

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20180710