CN108206148A - 用于边缘均匀性控制的可调整的延伸电极 - Google Patents

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Abstract

公开了用于边缘均匀性控制的可调整的延伸电极。本文中描述的实施例大体涉及一种基板处理设备。在一个实施例中，本文中公开了一种用于基板处理腔室的工艺套件。工艺套件包括：第一环，所述第一环具有顶表面和底表面；可调整调谐环，所述可调整调谐环具有顶表面和底表面；以及致动机构。底表面由基板支撑构件支撑。底表面至少部分地延伸到由基板支撑构件支撑的基板下方。可调整调谐环定位在第一环下方。可调整调谐环的顶表面与第一环限定可调整的间隙。致动机构与可调整调谐环的底表面对接。致动机构被配置为更改限定在第一环的底表面与可调整调谐环的顶表面之间的可调整的间隙。

Description

用于边缘均匀性控制的可调整的延伸电极
技术领域
本文中描述的实施例总体涉及一种基板处理设备，并且更具体地涉及一种用于基板处理设备的改进工艺套件。
背景技术
随着半导体技术节点进步使器件几何结构大小减小，基板边缘临界尺寸均匀性要求变得更加严格并且影响晶粒良率。商用等离子体反应器包括用于控制跨基板的工艺均匀性(例如，诸如温度、气流、RF功率等等)的多个可调谐的旋钮。通常，在蚀刻工艺中，硅基板在被静电夹紧到静电卡盘的同时被蚀刻。
在处理期间，被搁置在基板支撑件上的基板可能经历在基板上沉积材料并且将材料的部分从基板去除、或蚀刻掉(通常以连续工艺或交替工艺)的工艺。具有跨基板表面的均匀的沉积和蚀刻速率通常是有益的。然而，工艺不均匀性常常存在于基板表面上，并且可能在基板的周边或边缘处是显著的。这些在周边处的不均匀性可归因于电场终止影响，并且有时称为边缘效应。在沉积或蚀刻期间，有时提供含有至少沉积环的工艺套件以有利地影响在基板周边或边缘处的均匀性。
因此，持续需要一种用于基板处理设备的改进工艺套件。
发明内容
本文中描述的实施例总体上涉及一种基板处理设备。在一个实施例中，本文中公开了一种用于基板处理腔室的工艺套件。工艺套件包括：第一环；可调整调谐环；以及致动机构。第一环具有顶表面和底表面。底表面由基板支撑构件支撑。底表面至少部分地延伸到由基板支撑构件支撑的基板下方。可调整调谐环定位在第一环下方。可调整调谐环具有顶表面和底表面。可调整调谐环的顶表面与第一环限定可调整的间隙。致动机构与可调整调谐环的底表面对接。致动机构被配置为更改限定在第一环的底表面与可调整调谐环的顶表面之间的可调整的间隙。
在另一实施例中，本文中公开了一种处理腔室。处理腔室包括基板支撑构件和工艺套件。基板支撑构件被配置为支撑基板。工艺套件由基板支撑构件支撑。工艺套件包括：第一环；可调整调谐环；以及致动机构。第一环具有顶表面和底表面。底表面由基板支撑构件支撑。底表面至少部分地延伸到由基板支撑构件支撑的基板下方。可调整调谐环定位在第一环下方。可调整调谐环具有顶表面和底表面。可调整调谐环的顶表面与第一环限定可调整的间隙。致动机构与可调整调谐环的底表面对接。致动机构被配置为更改限定在第一环的底表面与可调整调谐环的顶表面之间的可调整的间隙。
在另一实施例中，本文中公开了一种处理基板的方法。将基板定位在设置于基板处理腔室中的基板支撑构件上。在基板上方形成等离子体。通过致动可调整调谐环来调整可调整调谐环与边缘环之间的间距以改变在基板的边缘处的等离子体离子的方向。
附图说明
因此，为了详细理解本公开内容的上述特征所用方式，上文所简要概述的本公开内容的更具体的描述可以参考实施例进行，一些实施例示出在附图中。然而，应当注意，附图仅示出了本公开内容的典型实施例，并且因此不应视为限制本公开内容的范围，因为本公开内容可允许其它等效实施例。
图1是根据一个实施例的处理腔室的截面图。
图2A是根据一个实施例的图1的处理腔室的放大局部截面图。
图2B是根据一个实施例的图1的处理腔室的放大局部截面图。
图3是根据一个实施例的图1的处理腔室的一部分的简化截面图，其描绘了两个电容路径。
图4是根据一个实施例的图1的处理腔室的一部分的简化截面图，其示出了本公开内容的另一优点。
为了清楚起见，已尽可能使用相同附图标记指定各图所共有的相同要素。另外，一个实施例中的要素可有利地适于用于本文中描述的其它实施例中。
具体实施方式
图1是根据一个实施例的具有可调整调谐环150的处理腔室100的截面图。如图所示，处理腔室100是适于蚀刻基板(诸如基板101)的蚀刻腔室。可适于从本公开内容受益的处理腔室的示例是可从加利福尼亚州圣克拉拉应用材料公司(Applied Materials,Inc.,Santa Clara,California)商购的处理腔室、处理腔室和MesaTM处理腔室。构想的是，其它处理腔室(包括沉积腔室和来自其它制造商的腔室)可适于从本公开内容受益。
处理腔室100可以用于各种等离子体工艺。在一个实施例中，处理腔室100可以用于利用一种或多种蚀刻剂执行干法蚀刻。例如，处理腔室可以用于点燃来自前驱物CxFy(其中x和y可以是不同的允许组合)、O2、NF3或以上项的组合的等离子体。
处理腔室100包括腔室主体102、盖组件104和支撑组件106。盖组件104定位在腔室主体102的上端处。支撑组件106出现在由腔室主体102限定的内部容积108中。腔室主体102包括形成在其侧壁中的狭缝阀开口110。狭缝阀开口110选择性地打开和关闭以允许基板搬运机器人(未示出)进入内部容积108。
腔室主体102可进一步包括衬里112，衬里包围支撑组件106。衬里112可移除以进行维修和清洁。衬里112可由诸如铝的金属、陶瓷材料或任何其它工艺相容材料制成。在一个或多个实施例中，衬里112包括一个或多个孔隙114和形成在其中的泵送通道116，泵送通道与真空端口118流体连通。孔隙114提供用于使气体进入泵送通道116的流路。泵送通道116提供用于使腔室100内的气体通向真空端口118的出口。
真空系统120耦接到真空端口118。真空系统120可以包括真空泵122和节流阀124。节流阀124调节通过腔室100的气体的流量。真空泵122耦接到设置在内部容积108中的真空端口118。
盖组件104包括至少两个堆叠部件，这至少两个堆叠部件被配置为在两者之间形成等离子体容积或空腔。在一个或多个实施例中，盖组件104包括第一电极126(“上部电极”)，垂直地设置在第二电极128(“下部电极”)上方。上部电极126和下部电极128两者之间约束等离子体空腔130。第一电极126耦接到电源132，诸如RF电源。第二电极128连接到地面，从而在两个电极126、128之间形成电容。上部电极126与气体入口134流体连通。一个或多个气体入口134的第一端开口到等离子体空腔130中。
盖组件104还可包括将第一电极126与第二电极128电隔离的隔离环136。隔离环136可由氧化铝或任何其它绝缘处理相容材料制成。
盖组件还可包括气体分配板138和阻挡板140。可将第二电极128、气体分配板138和阻挡板140堆叠并且设置在耦接到腔室主体102的盖边缘142上。
在一个或多个实施例中，第二电极128可以包括多个气体通路144，这些气体通路形成在等离子体空腔130下方，以便允许来自等离子体空腔130的气体从中流过。气体分配板138包括多个孔隙146，这些孔隙被配置为分配气流从中穿过。阻挡板140可选地设置在第二电极128与气体分配板138之间。阻挡板140包括多个孔隙148，用于提供从第二电极128到气体分配板138的多个气体通路。
支撑组件106可以包括支撑构件180。支撑构件180被配置为支撑基板101以便进行处理。支撑构件180可通过轴184耦接到升降机构182，轴延伸穿过腔室主体102的底表面。升降机构182可由波纹管186来柔性密封到腔室主体102，波纹管防止轴184四周真空泄漏。升降机构182允许支撑构件180在腔室主体102内在下部传送部分与多个升高工艺位置之间垂直移动。另外，一个或多个升降杆188可以穿过支撑构件180设置。一个或多个升降杆188被配置为延伸穿过支撑构件180，使得基板101可以从支撑构件180的表面升高。一个或多个升降杆188可通过升降环190而活动。
图2A是处理腔室100的一部分的局部截面图，其示出了其中根据一个实施例的设置在支撑构件180上的工艺套件200。支撑构件180包括静电卡盘202、冷却板(或阴极)204和基部206。冷却板204设置在基部206上。冷却板204可以包括多个冷却通道(未示出)以使冷却剂循环从中循环通过。冷却板204可通过粘合剂或任何合适机构与静电卡盘202啮合。一个或多个电源208可耦接到冷却板204。静电卡盘202可以包括一个或多个加热器(未示出)。一个或多个加热器可以是可独立控制的。一个或多个加热器使得静电卡盘202能够从基板101的底表面将基板101加热到期望温度。
工艺套件200可以支撑在支撑构件180上。工艺套件200包括边缘环210，边缘环具有环形主体230。主体230包括顶表面209、底表面211、内缘232和外缘234。顶表面209基本上平行于底表面211。内缘232基本上平行于外缘234，并且基本上垂直于底表面211。主体230还包括了限定在其中的阶梯状的表面236。阶梯状的表面236形成在内缘232中，使得阶梯状的表面236基本上平行于底表面211。阶梯状的表面236限定用于接收基板(例如，基板101)的凹部。边缘环210适于覆盖支撑构件180的外周边并且保护支撑构件180不受沉积影响。
工艺套件200还可包括覆盖环212和石英环214。覆盖环212包括环形主体238，环形主体具有顶表面240、底表面242、内缘244和外缘246。顶表面240基本上平行于底表面242。内缘244基本上平行于外缘246，并且基本上垂直于底表面242。在图2A中示出的实施例中，凹槽248形成在主体238的底表面242中。石英环214邻近支撑构件180设置。石英环214包括环形主体251，环形主体具有顶表面252、底表面254、内缘256和外缘258。石英环214被配置为支撑处理腔室100中的覆盖环212。例如，在所示出的实施例中，石英环214从覆盖环212的底表面242支撑覆盖环212。在一些实施例中，石英环214可以包括突出构件263。突出构件263从石英环的顶表面252突出。突出构件263被配置为与形成在覆盖环212的底表面242中的凹槽248配合。覆盖环212沿着边缘环210的外周边216定位。边缘环210被配置为阻挡颗粒在边缘环210下方滑动。
工艺套件200还包括了具有顶表面215和底表面217的可调整调谐环150。可调整调谐环150可由诸如铝的导电材料形成。可调整调谐环150设置在边缘环210下方，在石英环214与支撑构件180之间，从而形成间隙250。例如，在一个实施例中，可调整调谐环150沿着冷却板204的边向下延伸经过静电卡盘202。在一个实施例中，可调整调谐环150具有一直延伸到冷却板204的底部的高度。因此，可调整调谐环150能够将来自冷却板204的功率耦合到边缘环210。可调整调谐环150可以环绕冷却板204，从而形成侧向间隔开的间隙255。在一个示例中，侧向间隔开的间隙大于0英寸而小于或等于0.03英寸。可调整调谐环150与升降杆218对接。例如，升降杆218可与可调整调谐环150可操作地耦接。升降杆218由升降机构183驱动。在一些实施例中，升降杆218可由独立于升降机构183的升降机构(未示出)驱动。升降机构183允许可调整调谐环150在腔室100内垂直移动。在一个实施例中，可调整调谐环可在大于0mm且小于或等于4mm之间垂直移动，例如，在2mm至4mm之间。垂直移动调谐环150改变与边缘环耦合的RF功率。在一个实施例中，可调整调谐环150可以包括形成在可调整调谐环150的顶表面215上的涂层281。例如，涂层281可以是氧化钇涂层或凝胶状涂层。涂层281用于限制等离子体与可调整调谐环150之间的化学反应，并且因此限制颗粒形成和环损坏。在另一实施例中，一个或多个电介质垫(例如，特氟龙垫)289定位在边缘环210与静电卡盘之间，边缘环210安置在静电卡盘上。一个或多个电介质垫289在边缘环210与静电卡盘之间形成间隙，以便减小电容302，使得从阴极耦合到环210的功率最小化。
在另一实施例(诸如图2B中示出)中，可调整调谐环150可以手动移动，从而消除对升降杆218的需要。调谐环150可以包括空腔260和形成在其中的进出孔口。进出孔口262从可调整调谐环150的顶部形成，并且向下延伸到空腔260中。进出孔口262具有小于空腔260的第二直径265的第一直径264。空腔260是形成在进出孔口262下方。空腔260向下形成到调谐环150的底部。空腔260被配置为容纳螺钉266。螺钉266可以经由六角扳手(未示出)转动，例如，从而经由进出孔口260延伸到空腔262中，使得螺钉266可以升高/降低调谐环150。
图3是根据一个实施例的图1的处理腔室的一部分的简化截面图，其描绘了两个电容。功率可以从阴极204沿着穿过两个电容302、304的两条路径耦合到边缘环。耦合的功率量取决于沿着这两个路径的电容。电容302是固定的。电容304可以变化。例如，可通过在垂直方向上在边缘环210下方移动可调整调谐环150来调谐电容304，从而修改形成在它们之间的间隙250。控制可调整调谐环150和边缘环210之间的间隙250控制在它们之间的电容。在数学上，电容可以被表示为其中ε表示两个电极之间的材料的介电常数(在间隙250情况下的空气为1)，ε0表示自由空间的介电常数，面积表示可调整调谐环150的面积，并且间隙表示间隙250。如图所示，随着间隙减小，的值增大，这导致了总电容C的增大。随着间隙增大，即，随着可调整的调谐套筒移动得更远离边缘环210，的值减小，这减小了总电容C。因此，控制间隙值更改边缘环210与阴极204之间的电容。电容变化改变耦合在边缘环210与阴极204之间的功率，并且因此改变施加到边缘环210的电压。例如，随着间隙250减小，电容增大，施加到边缘环210的电压增大。控制施加到边缘环210的电压允许控制围绕基板101和边缘环210的等离子体壳层。它的效果在下文中结合图4更详细地讨论。
图4示出了根据一个实施例的处理腔室100的一部分，其示出了本公开内容的另一优点。调整在可调整调谐环150与边缘环210之间的垂直间隙402增大/减小施加到边缘环210的电压。电压可以用于控制在基板101的边缘406处的等离子体壳层404分布，以便补偿在基板边缘406处的临界尺寸均匀性。等离子体壳层404是由空间电荷形成的强电场的薄区域，它将等离子体主体结合到其材料边界。在数学上，壳层厚度d由Child-Langmuir方程表示：
其中i是离子电流密度，ε是真空的介电常数，e是基本电荷，Vp是等离子体电位，并且VDC是DC电压。
在蚀刻反应器情况下，在等离子体与被蚀刻的基板101、腔室主体102以及与等离子体接触的处理腔室100的其它部分之间形成等离子体壳层404。等离子体中产生的离子在等离子体壳层中加速并且垂直于等离子体壳层而移动。控制VDC(即，控制施加到边缘环210的电压)影响壳层404的厚度d。例如，在电压因电容减小而增大时，壳层404的厚度减小，因为Vp-VDC值减小。因此，移动可调整调谐环150影响壳层404的形状，这进而控制等离子体离子的方向。
返回参考图1，对可调整调谐环的控制可由控制器191控制。控制器191包括可编程的中央处理单元(CPU)192，CPU可与存储器194以及耦接到处理系统的各种部件的大容量存储装置、输入控制单元和显示单元(未示出)(诸如电源、时钟、高速缓存、输入/输出(I/O)电路和衬里)一起操作，以便促成对基板处理的控制。
为了促成对上述腔室100的控制，CPU 192可以是可在工业环境使用的任何形式通用计算机处理器中的一种，诸如可编程逻辑控制器(PLC)，用于控制各种腔室和子处理器。存储器194耦接到CPU 192，并且存储器194是非暂态的，而且可以是容易获得的存储器中的一种或多种，诸如随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、软盘驱动器、硬盘或任何其它形式数字存储装置(无论本地还是远程)。支持电路196耦接到CPU 192，以便以常规的方式支持处理器。带电荷的物质生成、加热和其它工艺一般存储在存储器194中，通常是作为软件例程。软件例程还可以由远离由CPU 192控制的处理腔室100的第二CPU(未示出)存储和/或执行。
存储器194呈含有指令的计算机可读存储介质的形式，所述指令在由CPU 192执行时促成腔室100的操作。存储器194中的指令呈程序产品的形式，诸如实现本公开内容的方法的程序。程序代码可符合许多不同编程语言中任一种。在一个示例中，可将本公开内容实现为存储在用于与计算机系统一起使用的计算机可读存储介质上的程序产品。程序产品的程序限定实施例的功能(包括本文中描述的方法)。说明性计算机可读存储介质包括但不限于：(i)其上永久存储信息的不可写入存储介质(例如，计算机内的只读存储器装置，诸如可由CD-ROM驱动器读出的CD-ROM盘、闪存、ROM芯片或任何类型固态非易失性半导体存储器)；以及(ii)其上存储可更改的信息的可写入的存储介质(例如，磁盘驱动器或硬盘驱动器内的软盘或任何类型固态随机存取半导体存储器)。在执行指示本文中描述的方法的功能的计算机可读指令时，此类计算机可读存储介质是本公开内容的实施例。
尽管前述内容针对特定实施例，但是也可在不脱离本发明的基本范围的情况下构想其它和进一步实施例，并且本发明的范围是由随附的权利要求书确定。
元件符号列表
100 腔室(5)
101 基板(9)
102 腔室主体(10)
104 盖组件(5)
106 支撑组件(4)
108 内部容积(3)
110 狭缝阀开口(2)
112 衬里(4)
114 孔隙(2)
116 泵送通道(3)
118 真空端口(4)
120 真空系统(2)
122 真空泵(2)
124 节流阀(2)
126 第一电极(3)
128 下部电极
130 等离子体空腔(4)
132 电源
134 气体入口
134 气体入口
136 隔离环(2)
138 气体分配板(5)
140 阻挡板(4)
142 盖边缘
144 气体通路
146 孔隙
148 孔隙
150 可调整调谐环(21)
150 调谐环(4)
180 支撑构件(14)
182 升降机构(3)
183 升降机构(3)
184 轴(2)
186 波纹管
188 升降杆(3)
190 升降环
191 控制器(2)
192 CPU(5)
194 存储器(6)
196 支持电路
200 工艺套件(5)
202 静电卡盘(5)
204 阴极(3)
206 基部(2)
208 电源
209 顶表面(2)
210 边缘环(22)
210 环
211 底表面(4)
212 覆盖环(7)
214 石英环(7)
215 顶表面(2)
216 外侧周边
217 底表面
218 升降杆(5)
230 环形主体
230 主体(2)
232 内缘(3)
234 外缘(2)
236 阶梯状的表面(4)
238 环形主体
238 主体
240 顶表面(2)
242 底表面(6)
244 内缘(2)
246 外缘(2)
248 凹槽(2)
250 间隙(6)
251 环形主体
252 顶表面(2)
254 底表面
255 侧向间隔开的间隙
256 内缘
258 外缘
260 空腔(7)
262 进出孔口(4)
263 突出构件(3)
264 第一直径
265 第二直径
266 螺钉(3)
281 涂层(3)
289 电介质垫
302 电容(2)
304 电容(2)
402 垂直间隙
404 等离子体壳层
406 边缘

Claims (20)

1.一种用于基板处理腔室的工艺套件，边缘环包括：
第一环，所述第一环具有顶表面和底表面，所述底表面由基板支撑构件支撑，所述底表面至少部分地延伸到由所述基板支撑构件支撑的基板下方；
可调整调谐环，所述可调整调谐环定位在所述第一环下方，所述可调整调谐环具有顶表面和底表面，所述可调整调谐环的所述顶表面与所述第一环限定可调整的间隙；以及
致动机构，所述致动机构与所述可调整调谐环的所述底表面对接，所述致动机构被配置为更改限定在所述第一环的所述底表面与所述可调整调谐环的所述顶表面之间的所述可调整的间隙。
2.如权利要求1所述的工艺套件，其中所述可调整调谐环由导电材料形成。
3.如权利要求1所述的工艺套件，其中所述可调整的间隙可在0mm与4mm之间调整。
4.如权利要求1所述的工艺套件，其中所述致动机构包括：
升降杆，所述升降杆具有第一端和第二端，并且所述升降杆的所述第一端接触所述可调整调谐环的所述底表面，所述升降杆的所述第二端与所述升降机构连通。
5.如权利要求1所述的工艺套件，其中所述可调整调谐环包括：
环形主体；
空腔，所述空腔形成在所述环形主体中，所述空腔形成在所述环形主体的底表面中；以及
进出孔口，所述进出孔口形成在所述环形主体中，所述进出孔口从所述可调整调谐环的所述顶表面延伸到所述空腔中。
6.如权利要求5所述的工艺套件，其中所述致动机构是被至少部分地设置在空腔中的螺钉，所述螺钉被配置为旋转穿过所述进出孔口，以便致动所述可调整调谐环。
7.如权利要求5所述的工艺套件，其中所述空腔具有第一直径，并且所述进出孔口具有第二直径，所述第一直径大于所述第二直径。
8.如权利要求1所述的工艺套件，其中所述致动机构被配置为控制形成在等离子体与所述边缘环之间的等离子体壳层的厚度。
9.一种处理腔室，包括：
基板支撑构件，所述基板支撑构件被配置为支撑基板；以及
工艺套件，所述工艺套件由所述基板支撑构件支撑，所述工艺套件包括：
第一环，所述第一环具有顶表面和底表面，所述底表面由所述基板支撑构件支撑，所述底表面至少部分地延伸到由所述基板支撑构件支撑的所述基板下方；
可调整调谐环，所述可调整调谐环定位在所述第一环下方，所述可调整调谐环具有顶表面和底表面，所述可调整调谐环的所述顶表面与所述第一环限定可调整的间隙；以及
致动机构，所述致动机构与所述可调整调谐环的所述底表面对接，所述致动机构被配置为更改限定在所述第一环的所述底表面与所述可调整调谐环的所述顶表面之间的所述可调整的间隙。
10.如权利要求9所述的处理腔室，其中所述可调整调谐环由导电材料形成。
11.如权利要求9所述的处理腔室，其中所述可调整调谐环可在0mm与4mm之间调整。
12.如权利要求9所述的处理腔室，其中所述致动机构包括：
升降杆，所述升降杆具有第一端和第二端，并且所述升降杆的所述第一端接触所述可调整调谐环的所述底表面，所述升降杆的所述第二端与所述升降机构连通。
13.如权利要求9所述的处理腔室，其中所述可调整调谐环包括：
环形主体；
空腔，所述空腔形成在所述环形主体中，所述空腔形成在所述环形主体的底表面中；以及
进出孔口，所述进出孔口形成在所述环形主体中，所述进出孔口从所述可调整调谐环的所述顶表面延伸到所述空腔中。
14.如权利要求13所述的处理腔室，其中所述致动机构是被至少部分地设置在空腔中的螺钉，所述螺钉被配置为旋转穿过进出孔口，以便致动所述可调整调谐环。
15.如权利要求13所述的处理腔室，其中所述空腔具有第一直径，并且所述进出孔口具有第二直径，所述第一直径大于所述第二直径。
16.如权利要求9所述的处理腔室，其中所述致动机构被配置为控制形成在等离子体与所述边缘环之间的等离子体壳层的厚度。
17.如权利要求9所述的处理腔室，其中所述基板支撑构件包括：
基部；
冷却板，所述冷却板由所述基部支撑；以及
静电卡盘，所述静电卡盘定位在所述冷却板的顶表面上。
18.如权利要求17所述的处理腔室，其中所述可调整调谐环与所述冷却板间隔开约0mm至2mm之间。
19.一种处理基板的方法，包括：
将所述基板定位在设置于基板处理腔室中的基板支撑构件上；
在所述基板上方形成等离子体；以及
通过致动可调整调谐环来调整所述可调整调谐环与边缘环之间的间距以改变在所述基板的边缘处的离子方向。
20.如权利要求20所述的方法，其中致动可调整调谐环包括：
更改形成在所述等离子体与所述边缘环之间的等离子体壳层的厚度。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111383893A (zh) * 2018-12-29 2020-07-07 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种等离子体处理器及等离子体控制方法
CN113039626A (zh) * 2019-02-01 2021-06-25 应用材料公司 边缘环的温度及偏压控制

Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10892140B2 (en) 2018-07-27 2021-01-12 Eagle Harbor Technologies, Inc. Nanosecond pulser bias compensation
US10978955B2 (en) 2014-02-28 2021-04-13 Eagle Harbor Technologies, Inc. Nanosecond pulser bias compensation
CN116633324A (zh) 2013-11-14 2023-08-22 鹰港科技有限公司 高压纳秒脉冲发生器
US11539352B2 (en) 2013-11-14 2022-12-27 Eagle Harbor Technologies, Inc. Transformer resonant converter
US10020800B2 (en) 2013-11-14 2018-07-10 Eagle Harbor Technologies, Inc. High voltage nanosecond pulser with variable pulse width and pulse repetition frequency
US10483089B2 (en) 2014-02-28 2019-11-19 Eagle Harbor Technologies, Inc. High voltage resistive output stage circuit
CN116110846A (zh) 2016-01-26 2023-05-12 应用材料公司 晶片边缘环升降解决方案
KR102689380B1 (ko) 2016-01-26 2024-07-26 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 웨이퍼 에지 링 리프팅 솔루션
US11004660B2 (en) 2018-11-30 2021-05-11 Eagle Harbor Technologies, Inc. Variable output impedance RF generator
US11430635B2 (en) 2018-07-27 2022-08-30 Eagle Harbor Technologies, Inc. Precise plasma control system
US9947517B1 (en) * 2016-12-16 2018-04-17 Applied Materials, Inc. Adjustable extended electrode for edge uniformity control
US10679827B2 (en) * 2017-01-25 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for semiconductor processing chamber isolation for reduced particles and improved uniformity
US10553404B2 (en) * 2017-02-01 2020-02-04 Applied Materials, Inc. Adjustable extended electrode for edge uniformity control
WO2018148182A1 (en) 2017-02-07 2018-08-16 Eagle Harbor Technologies, Inc. Transformer resonant converter
JP6902167B2 (ja) 2017-08-25 2021-07-14 イーグル ハーバー テクノロジーズ, インク.Eagle Harbor Technologies, Inc. ナノ秒パルスを使用する任意波形の発生
US11075105B2 (en) 2017-09-21 2021-07-27 Applied Materials, Inc. In-situ apparatus for semiconductor process module
WO2019112903A1 (en) * 2017-12-05 2019-06-13 Lam Research Corporation System and method for edge ring wear compensation
US11043400B2 (en) 2017-12-21 2021-06-22 Applied Materials, Inc. Movable and removable process kit
US10600623B2 (en) 2018-05-28 2020-03-24 Applied Materials, Inc. Process kit with adjustable tuning ring for edge uniformity control
US10957521B2 (en) * 2018-05-29 2021-03-23 Lam Research Corporation Image based plasma sheath profile detection on plasma processing tools
US11935773B2 (en) 2018-06-14 2024-03-19 Applied Materials, Inc. Calibration jig and calibration method
US11532457B2 (en) 2018-07-27 2022-12-20 Eagle Harbor Technologies, Inc. Precise plasma control system
US11222767B2 (en) 2018-07-27 2022-01-11 Eagle Harbor Technologies, Inc. Nanosecond pulser bias compensation
US11302518B2 (en) 2018-07-27 2022-04-12 Eagle Harbor Technologies, Inc. Efficient energy recovery in a nanosecond pulser circuit
EP3834285A4 (en) 2018-08-10 2022-07-20 Eagle Harbor Technologies, Inc. PLASMA JACKET CONTROL FOR RF PLASMA REACTORS
US11289310B2 (en) 2018-11-21 2022-03-29 Applied Materials, Inc. Circuits for edge ring control in shaped DC pulsed plasma process device
TWI783203B (zh) 2019-01-08 2022-11-11 美商鷹港科技股份有限公司 奈秒脈波產生器電路
US11279032B2 (en) 2019-04-11 2022-03-22 Applied Materials, Inc. Apparatus, systems, and methods for improved joint coordinate teaching accuracy of robots
WO2020214327A1 (en) 2019-04-19 2020-10-22 Applied Materials, Inc. Ring removal from processing chamber
US12009236B2 (en) 2019-04-22 2024-06-11 Applied Materials, Inc. Sensors and system for in-situ edge ring erosion monitor
US10964584B2 (en) 2019-05-20 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Process kit ring adaptor
US11626305B2 (en) 2019-06-25 2023-04-11 Applied Materials, Inc. Sensor-based correction of robot-held object
KR102640172B1 (ko) 2019-07-03 2024-02-23 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 이의 구동 방법
US11211269B2 (en) 2019-07-19 2021-12-28 Applied Materials, Inc. Multi-object capable loadlock system
US11894255B2 (en) 2019-07-30 2024-02-06 Applied Materials, Inc. Sheath and temperature control of process kit
TWM602283U (zh) 2019-08-05 2020-10-01 美商蘭姆研究公司 基板處理系統用之具有升降銷溝槽的邊緣環
JP7438698B2 (ja) * 2019-09-12 2024-02-27 エドワーズ株式会社 真空ポンプ、及び、真空ポンプシステム
CN112701027B (zh) * 2019-10-22 2024-09-17 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 等离子体处理装置及边缘环的更换方法
US11424096B2 (en) * 2019-11-05 2022-08-23 Applied Materials, Inc. Temperature controlled secondary electrode for ion control at substrate edge
TWI778449B (zh) 2019-11-15 2022-09-21 美商鷹港科技股份有限公司 高電壓脈衝電路
US11370114B2 (en) 2019-12-09 2022-06-28 Applied Materials, Inc. Autoteach enclosure system
EP4082036A4 (en) 2019-12-24 2023-06-07 Eagle Harbor Technologies, Inc. NANOSECOND PULSE RF ISOLATION FOR PLASMA SYSTEMS
KR102175990B1 (ko) * 2020-01-09 2020-11-09 하나머티리얼즈(주) 포커스링 및 그를 포함하는 플라즈마 장치
KR20220134688A (ko) * 2020-02-04 2022-10-05 램 리써치 코포레이션 플라즈마 프로세싱 시스템을 위한 rf 신호 필터 배열
JP7330115B2 (ja) * 2020-02-07 2023-08-21 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US12027397B2 (en) 2020-03-23 2024-07-02 Applied Materials, Inc Enclosure system shelf including alignment features
USD954769S1 (en) 2020-06-02 2022-06-14 Applied Materials, Inc. Enclosure system shelf
USD980176S1 (en) 2020-06-02 2023-03-07 Applied Materials, Inc. Substrate processing system carrier
WO2022259793A1 (ja) * 2021-06-08 2022-12-15 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
KR102585290B1 (ko) * 2021-06-14 2023-10-10 하나머티리얼즈(주) 포커스 링 및 그를 포함하는 플라즈마 장치

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040083975A1 (en) * 2002-09-20 2004-05-06 Lam Research Corporation Apparatus for reducing polymer deposition on a substrate and substrate support
CN101238553A (zh) * 2005-08-08 2008-08-06 朗姆研究公司 带有介电间隔环的边缘环组件
US20120061351A1 (en) * 2010-09-14 2012-03-15 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus, plasma processing method and storage medium for storing program for executing the method
US20150001180A1 (en) * 2013-06-28 2015-01-01 Applied Materials, Inc. Process kit for edge critical dimension uniformity control
US20160211166A1 (en) * 2015-01-16 2016-07-21 Lam Research Corporation Moveable edge coupling ring for edge process control during semiconductor wafer processing
CN107112275A (zh) * 2014-12-19 2017-08-29 应用材料公司 用于基板处理腔室的边缘环
CN207977299U (zh) * 2016-12-16 2018-10-16 应用材料公司 用于基板处理腔室的工艺套件以及处理腔室

Family Cites Families (95)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5267607A (en) * 1991-05-28 1993-12-07 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
JP2638443B2 (ja) 1993-08-31 1997-08-06 日本電気株式会社 ドライエッチング方法およびドライエッチング装置
US5730801A (en) * 1994-08-23 1998-03-24 Applied Materials, Inc. Compartnetalized substrate processing chamber
US5762714A (en) 1994-10-18 1998-06-09 Applied Materials, Inc. Plasma guard for chamber equipped with electrostatic chuck
JP2713276B2 (ja) 1995-12-07 1998-02-16 日本電気株式会社 半導体装置の製造装置およびこれを用いた半導体装置の製造方法
US5851140A (en) 1997-02-13 1998-12-22 Integrated Process Equipment Corp. Semiconductor wafer polishing apparatus with a flexible carrier plate
ATE290252T1 (de) 1997-12-23 2005-03-15 Unaxis Balzers Ag Haltevorrichtung
US6022809A (en) 1998-12-03 2000-02-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Composite shadow ring for an etch chamber and method of using
US6709547B1 (en) 1999-06-30 2004-03-23 Lam Research Corporation Moveable barrier for multiple etch processes
US6206976B1 (en) 1999-08-27 2001-03-27 Lucent Technologies Inc. Deposition apparatus and related method with controllable edge exclusion
US6589352B1 (en) 1999-12-10 2003-07-08 Applied Materials, Inc. Self aligning non contact shadow ring process kit
JP2001230239A (ja) * 2000-02-15 2001-08-24 Tokyo Electron Ltd 処理装置及び処理方法
TW506234B (en) 2000-09-18 2002-10-11 Tokyo Electron Ltd Tunable focus ring for plasma processing
US6391787B1 (en) * 2000-10-13 2002-05-21 Lam Research Corporation Stepped upper electrode for plasma processing uniformity
JP3388228B2 (ja) * 2000-12-07 2003-03-17 株式会社半導体先端テクノロジーズ プラズマエッチング装置、及びプラズマエッチング方法
JP3969081B2 (ja) * 2001-12-14 2007-08-29 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US7138014B2 (en) * 2002-01-28 2006-11-21 Applied Materials, Inc. Electroless deposition apparatus
US6744212B2 (en) 2002-02-14 2004-06-01 Lam Research Corporation Plasma processing apparatus and method for confining an RF plasma under very high gas flow and RF power density conditions
US6776849B2 (en) 2002-03-15 2004-08-17 Asm America, Inc. Wafer holder with peripheral lift ring
US6896765B2 (en) * 2002-09-18 2005-05-24 Lam Research Corporation Method and apparatus for the compensation of edge ring wear in a plasma processing chamber
US7311784B2 (en) 2002-11-26 2007-12-25 Tokyo Electron Limited Plasma processing device
US6898558B2 (en) 2002-12-31 2005-05-24 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for monitoring a material processing system
US7244336B2 (en) 2003-12-17 2007-07-17 Lam Research Corporation Temperature controlled hot edge ring assembly for reducing plasma reactor etch rate drift
US20050263070A1 (en) * 2004-05-25 2005-12-01 Tokyo Electron Limited Pressure control and plasma confinement in a plasma processing chamber
US7138067B2 (en) 2004-09-27 2006-11-21 Lam Research Corporation Methods and apparatus for tuning a set of plasma processing steps
KR101153118B1 (ko) 2005-10-12 2012-06-07 파나소닉 주식회사 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법
CN101322237B (zh) 2006-01-31 2010-06-23 东京毅力科创株式会社 基板处理装置及其使用的基板载置台和暴露于等离子体的部件
US7589950B2 (en) * 2006-10-13 2009-09-15 Applied Materials, Inc. Detachable electrostatic chuck having sealing assembly
US7968469B2 (en) 2007-01-30 2011-06-28 Applied Materials, Inc. Method of processing a workpiece in a plasma reactor with variable height ground return path to control plasma ion density uniformity
JP5317424B2 (ja) * 2007-03-28 2013-10-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US20080289766A1 (en) 2007-05-22 2008-11-27 Samsung Austin Semiconductor Lp Hot edge ring apparatus and method for increased etch rate uniformity and reduced polymer buildup
US8563619B2 (en) * 2007-06-28 2013-10-22 Lam Research Corporation Methods and arrangements for plasma processing system with tunable capacitance
JP2009044075A (ja) * 2007-08-10 2009-02-26 Toshiba Corp プラズマ処理装置およびプラズマエッチング方法
US7824146B2 (en) 2007-09-07 2010-11-02 Advanced Technology Development Facility Automated systems and methods for adapting semiconductor fabrication tools to process wafers of different diameters
US8999106B2 (en) 2007-12-19 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for controlling edge performance in an inductively coupled plasma chamber
JP5294669B2 (ja) * 2008-03-25 2013-09-18 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
KR20200067957A (ko) * 2008-04-16 2020-06-12 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 웨이퍼 프로세싱 증착 차폐 컴포넌트들
US8398777B2 (en) * 2008-05-02 2013-03-19 Applied Materials, Inc. System and method for pedestal adjustment
JP5406067B2 (ja) 2009-02-16 2014-02-05 キヤノンアネルバ株式会社 トレイ及び真空処理装置
TWI522013B (zh) * 2009-03-30 2016-02-11 Tokyo Electron Ltd Plasma processing device and plasma processing method
SG178288A1 (en) * 2009-08-31 2012-03-29 Lam Res Corp A multi-peripheral ring arrangement for performing plasma confinement
US8270141B2 (en) 2009-11-20 2012-09-18 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with reduced arcing
JP5584517B2 (ja) 2010-05-12 2014-09-03 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及び半導体装置の製造方法
US8633423B2 (en) 2010-10-14 2014-01-21 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for controlling substrate temperature in a process chamber
JP5759718B2 (ja) * 2010-12-27 2015-08-05 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
WO2012133585A1 (ja) 2011-03-29 2012-10-04 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法
US9287093B2 (en) 2011-05-31 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Dynamic ion radical sieve and ion radical aperture for an inductively coupled plasma (ICP) reactor
JP5948026B2 (ja) 2011-08-17 2016-07-06 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置及び処理方法
US8933628B2 (en) 2011-10-28 2015-01-13 Applied Materials, Inc. Inductively coupled plasma source with phase control
US10825708B2 (en) 2011-12-15 2020-11-03 Applied Materials, Inc. Process kit components for use with an extended and independent RF powered cathode substrate for extreme edge tunability
KR101974422B1 (ko) * 2012-06-27 2019-05-02 세메스 주식회사 기판처리장치 및 방법
US9997381B2 (en) * 2013-02-18 2018-06-12 Lam Research Corporation Hybrid edge ring for plasma wafer processing
US9287147B2 (en) 2013-03-14 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Substrate support with advanced edge control provisions
US9017526B2 (en) * 2013-07-08 2015-04-28 Lam Research Corporation Ion beam etching system
KR20160047540A (ko) 2013-08-30 2016-05-02 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판 지지 시스템
JP2015050156A (ja) * 2013-09-04 2015-03-16 東京エレクトロン株式会社 基板載置台及びプラズマ処理装置
WO2015099892A1 (en) 2013-12-23 2015-07-02 Applied Materials, Inc. Extreme edge and skew control in icp plasma reactor
US9410249B2 (en) 2014-05-15 2016-08-09 Infineon Technologies Ag Wafer releasing
CN105336561B (zh) 2014-07-18 2017-07-21 中微半导体设备(上海)有限公司 等离子体刻蚀装置
CN105789010B (zh) 2014-12-24 2017-11-10 中微半导体设备(上海)有限公司 等离子体处理装置及等离子体分布的调节方法
US11605546B2 (en) 2015-01-16 2023-03-14 Lam Research Corporation Moveable edge coupling ring for edge process control during semiconductor wafer processing
US20170263478A1 (en) 2015-01-16 2017-09-14 Lam Research Corporation Detection System for Tunable/Replaceable Edge Coupling Ring
JP6456177B2 (ja) 2015-02-12 2019-01-23 株式会社ディスコ ウェーハ処理システム
JP2016225047A (ja) * 2015-05-27 2016-12-28 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US10163610B2 (en) 2015-07-13 2018-12-25 Lam Research Corporation Extreme edge sheath and wafer profile tuning through edge-localized ion trajectory control and plasma operation
US9761459B2 (en) 2015-08-05 2017-09-12 Lam Research Corporation Systems and methods for reverse pulsing
US9620376B2 (en) 2015-08-19 2017-04-11 Lam Research Corporation Self limiting lateral atomic layer etch
US9984858B2 (en) 2015-09-04 2018-05-29 Lam Research Corporation ALE smoothness: in and outside semiconductor industry
US10192751B2 (en) 2015-10-15 2019-01-29 Lam Research Corporation Systems and methods for ultrahigh selective nitride etch
US10062599B2 (en) 2015-10-22 2018-08-28 Lam Research Corporation Automated replacement of consumable parts using interfacing chambers
US9881820B2 (en) 2015-10-22 2018-01-30 Lam Research Corporation Front opening ring pod
US10124492B2 (en) 2015-10-22 2018-11-13 Lam Research Corporation Automated replacement of consumable parts using end effectors interfacing with plasma processing system
US20170115657A1 (en) 2015-10-22 2017-04-27 Lam Research Corporation Systems for Removing and Replacing Consumable Parts from a Semiconductor Process Module in Situ
US10985078B2 (en) 2015-11-06 2021-04-20 Lam Research Corporation Sensor and adjuster for a consumable
US9601319B1 (en) 2016-01-07 2017-03-21 Lam Research Corporation Systems and methods for eliminating flourine residue in a substrate processing chamber using a plasma-based process
KR102689380B1 (ko) * 2016-01-26 2024-07-26 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 웨이퍼 에지 링 리프팅 솔루션
US10699878B2 (en) 2016-02-12 2020-06-30 Lam Research Corporation Chamber member of a plasma source and pedestal with radially outward positioned lift pins for translation of a substrate c-ring
US10651015B2 (en) 2016-02-12 2020-05-12 Lam Research Corporation Variable depth edge ring for etch uniformity control
US10438833B2 (en) 2016-02-16 2019-10-08 Lam Research Corporation Wafer lift ring system for wafer transfer
US9966231B2 (en) 2016-02-29 2018-05-08 Lam Research Corporation Direct current pulsing plasma systems
US20170278679A1 (en) * 2016-03-24 2017-09-28 Lam Research Corporation Method and apparatus for controlling process within wafer uniformity
US10312121B2 (en) 2016-03-29 2019-06-04 Lam Research Corporation Systems and methods for aligning measurement device in substrate processing systems
US11011353B2 (en) 2016-03-29 2021-05-18 Lam Research Corporation Systems and methods for performing edge ring characterization
US10269566B2 (en) 2016-04-29 2019-04-23 Lam Research Corporation Etching substrates using ale and selective deposition
US9852889B1 (en) 2016-06-22 2017-12-26 Lam Research Corporation Systems and methods for controlling directionality of ions in an edge region by using an electrode within a coupling ring
JP6635888B2 (ja) 2016-07-14 2020-01-29 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理システム
US20180061696A1 (en) 2016-08-23 2018-03-01 Applied Materials, Inc. Edge ring or process kit for semiconductor process module
JP2018054500A (ja) 2016-09-29 2018-04-05 東京エレクトロン株式会社 位置検出システム及び処理装置
JP6812224B2 (ja) 2016-12-08 2021-01-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び載置台
US10553404B2 (en) 2017-02-01 2020-02-04 Applied Materials, Inc. Adjustable extended electrode for edge uniformity control
JP6812264B2 (ja) 2017-02-16 2021-01-13 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置、及びメンテナンス装置
US11404249B2 (en) 2017-03-22 2022-08-02 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
JP6656200B2 (ja) 2017-04-12 2020-03-04 東京エレクトロン株式会社 位置検出システム及び処理装置
TWI843457B (zh) 2017-04-26 2024-05-21 日商東京威力科創股份有限公司 電漿處理裝置
SG11202005150YA (en) * 2017-12-01 2020-06-29 Applied Materials Inc Highly etch selective amorphous carbon film

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040083975A1 (en) * 2002-09-20 2004-05-06 Lam Research Corporation Apparatus for reducing polymer deposition on a substrate and substrate support
CN101238553A (zh) * 2005-08-08 2008-08-06 朗姆研究公司 带有介电间隔环的边缘环组件
US20120061351A1 (en) * 2010-09-14 2012-03-15 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus, plasma processing method and storage medium for storing program for executing the method
US20150001180A1 (en) * 2013-06-28 2015-01-01 Applied Materials, Inc. Process kit for edge critical dimension uniformity control
CN107112275A (zh) * 2014-12-19 2017-08-29 应用材料公司 用于基板处理腔室的边缘环
US20160211166A1 (en) * 2015-01-16 2016-07-21 Lam Research Corporation Moveable edge coupling ring for edge process control during semiconductor wafer processing
CN207977299U (zh) * 2016-12-16 2018-10-16 应用材料公司 用于基板处理腔室的工艺套件以及处理腔室

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111383893A (zh) * 2018-12-29 2020-07-07 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种等离子体处理器及等离子体控制方法
CN111383893B (zh) * 2018-12-29 2023-03-24 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种等离子体处理器及等离子体控制方法
CN113039626A (zh) * 2019-02-01 2021-06-25 应用材料公司 边缘环的温度及偏压控制
US11810768B2 (en) 2019-02-01 2023-11-07 Applied Materials, Inc. Temperature and bias control of edge ring
CN113039626B (zh) * 2019-02-01 2024-04-26 应用材料公司 边缘环的温度及偏压控制

Also Published As

Publication number Publication date
US10504702B2 (en) 2019-12-10
US10103010B2 (en) 2018-10-16
KR102501697B1 (ko) 2023-02-17
US20180315583A1 (en) 2018-11-01
TWI730202B (zh) 2021-06-11
KR20180070493A (ko) 2018-06-26
US20180233334A1 (en) 2018-08-16
US9947517B1 (en) 2018-04-17
KR200497481Y1 (ko) 2023-11-22
JP7021914B2 (ja) 2022-02-17
CN207977299U (zh) 2018-10-16
KR20180001913U (ko) 2018-06-26
JP2018098187A (ja) 2018-06-21
TW201838062A (zh) 2018-10-16

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