TWI730202B - 用於邊緣一致性控制的可調整延伸電極 - Google Patents

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Abstract

本文中描述的實施例大體涉及一種基板處理設備。在一個實施例中，本文中公開了一種用於基板處理腔室的製程套件。製程套件包括：第一環，所述第一環具有頂表面和底表面；可調整調諧環，所述可調整調諧環具有頂表面和底表面；以及致動機構。底表面由基板支撐構件支撐。底表面至少部分地延伸到由基板支撐構件支撐的基板下方。可調整調諧環定位在第一環下方。可調整調諧環的頂表面與第一環限定可調整的間隙。致動機構與可調整調諧環的底表面對接。致動機構被配置為更改限定在第一環的底表面與可調整調諧環的頂表面之間的可調整的間隙。

Description

用於邊緣一致性控制的可調整延伸電極
本文中描述的實施例總體涉及一種基板處理設備，並且更具體地涉及一種用於基板處理設備的改進製程套件。
隨著半導體技術節點進步使元件幾何結構大小減小，基板邊緣臨界尺寸一致性要求變得更加嚴格並且影響晶粒良率。商用電漿反應器包括用於控制跨基板的製程一致性（例如，諸如溫度、氣流、RF電力等等）的多個可調諧的旋鈕。通常，在蝕刻製程中，矽基板在被靜電夾緊到靜電卡盤的同時被蝕刻。
在處理期間，被擱置在基板支撐件上的基板可能經歷在基板上沉積材料並且將材料的部分從基板去除、或蝕刻掉（通常以連續製程或交替製程）的製程。具有跨基板表面的均勻的沉積和蝕刻速率通常是有益的。然而，製程不一致性常常存在於基板表面上，並且可能在基板的周邊或邊緣處是顯著的。這些在周邊處的不一致性可歸因於電場終止影響，並且有時稱為邊緣效應。在沉積或蝕刻期間，有時提供含有至少沉積環的製程套件以有利地影響在基板周邊或邊緣處的一致性。
因此，持續需要一種用於基板處理設備的改進製程套件。
本文中描述的實施例總體上涉及一種基板處理設備。在一個實施例中，本文中公開了一種用於基板處理腔室的製程套件。製程套件包括：第一環；可調整調諧環；以及致動機構。第一環具有頂表面和底表面。底表面由基板支撐構件支撐。底表面至少部分地延伸到由基板支撐構件支撐的基板下方。可調整調諧環定位在第一環下方。可調整調諧環具有頂表面和底表面。可調整調諧環的頂表面與第一環限定可調整的間隙。致動機構與可調整調諧環的底表面對接。致動機構被配置為更改限定在第一環的底表面與可調整調諧環的頂表面之間的可調整的間隙。
在另一實施例中，本文中公開了一種處理腔室。處理腔室包括基板支撐構件和製程套件。基板支撐構件被配置為支撐基板。製程套件由基板支撐構件支撐。製程套件包括：第一環；可調整調諧環；以及致動機構。第一環具有頂表面和底表面。底表面由基板支撐構件支撐。底表面至少部分地延伸到由基板支撐構件支撐的基板下方。可調整調諧環定位在第一環下方。可調整調諧環具有頂表面和底表面。可調整調諧環的頂表面與第一環限定可調整的間隙。致動機構與可調整調諧環的底表面對接。致動機構被配置為更改限定在第一環的底表面與可調整調諧環的頂表面之間的可調整的間隙。
在另一實施例中，本文中公開了一種處理基板的方法。將基板定位在設置於基板處理腔室中的基板支撐構件上。在基板上方形成電漿。透過致動可調整調諧環來調整可調整調諧環與邊緣環之間的間距以改變在基板的邊緣處的電漿離子的方向。
圖1是根據一個實施例的具有可調整調諧環150的處理腔室100的截面圖。如圖所示，處理腔室100是適於蝕刻基板（諸如基板101）的蝕刻腔室。可適於從本公開內容受益的處理腔室的示例是可從加利福尼亞州聖克拉拉應用材料公司（Applied Materials, Inc., Santa Clara, California）商購的Sym3®處理腔室、C3®處理腔室和Mesa™處理腔室。構想的是，其它處理腔室（包括沉積腔室和來自其它製造商的腔室）可適於從本公開內容受益。
處理腔室100可以用於各種電漿製程。在一個實施例中，處理腔室100可以用於利用一種或多種蝕刻劑執行乾法蝕刻。例如，處理腔室可以用於點燃來自前驅物Cx Fy （其中x和y可以是不同的允許組合）、O2 、NF3 或以上項的組合的電漿。
處理腔室100包括腔室主體102、蓋元件104和支撐元件106。蓋元件104定位在腔室主體102的上端處。支撐元件106出現在由腔室主體102限定的內部容積108中。腔室主體102包括形成在其側壁中的狹縫閥開口110。狹縫閥開口110選擇性地打開和關閉以允許基板搬運機器人（未圖示）進入內部容積108。
腔室主體102可進一步包括襯裡112，襯裡包圍支撐組件106。襯裡112可移除以進行維修和清潔。襯裡112可由諸如鋁的金屬、陶瓷材料或任何其它製程相容材料製成。在一個或多個實施例中，襯裡112包括一個或多個孔隙114和形成在其中的泵送通道116，泵送通道與真空埠118流體連通。孔隙114提供用於使氣體進入泵送通道116的流路。泵送通道116提供用於使腔室100內的氣體通向真空埠118的出口。
真空系統120耦接到真空埠118。真空系統120可以包括真空泵122和節流閥124。節流閥124調節透過腔室100的氣體的流量。真空泵122耦接到設置在內部容積108中的真空埠118。
蓋元件104包括至少兩個堆疊部件，這至少兩個堆疊部件被配置為在兩者之間形成電漿容積或空腔。在一個或多個實施例中，蓋元件104包括第一電極126（「上部電極」），垂直地設置在第二電極128（「下部電極」）上方。上部電極126和下部電極128兩者之間約束電漿空腔130。第一電極126耦接到電源132，諸如RF電源。第二電極128連接到地面，從而在兩個電極126、128之間形成電容。上部電極126與氣體入口134流體連通。一個或多個氣體入口134的第一端開口到電漿空腔130中。
蓋元件104還可包括將第一電極126與第二電極128電隔離的隔離環136。隔離環136可由氧化鋁或任何其它絕緣處理相容材料製成。
蓋元件還可包括氣體分配板138和阻擋板140。可將第二電極128、氣體分配板138和阻擋板140堆疊並且設置在耦接到腔室主體102的蓋邊緣142上。
在一個或多個實施例中，第二電極128可以包括多個氣體通路144，這些氣體通路形成在電漿空腔130下方，以便允許來自電漿空腔130的氣體從中流過。氣體分配板138包括多個孔隙146，這些孔隙被配置為分配氣流從中穿過。阻擋板140可選地設置在第二電極128與氣體分配板138之間。阻擋板140包括多個孔隙148，用於提供從第二電極128到氣體分配板138的多個氣體通路。
支撐元件106可以包括支撐構件180。支撐構件180被配置為支撐基板101以便進行處理。支撐構件180可透過軸184耦接到升舉機構182，軸延伸穿過腔室主體102的底表面。升舉機構182可由波紋管186來柔性密封到腔室主體102，波紋管防止軸184四周真空洩漏。升舉機構182允許支撐構件180在腔室主體102內在下部傳送部分與多個升高製程位置之間垂直移動。另外，一個或多個升舉銷188可以穿過支撐構件180設置。一個或多個升舉銷188被配置為延伸穿過支撐構件180，使得基板101可以從支撐構件180的表面升高。一個或多個升舉銷188可透過升舉環190而活動。
圖2A是處理腔室100的一部分的局部截面圖，其示出了其中根據一個實施例的設置在支撐構件180上的製程套件200。支撐構件180包括靜電卡盤202、冷卻板（或陰極）204和基部206。冷卻板204設置在基部206上。冷卻板204可以包括多個冷卻通道（未圖示）以使冷卻劑迴圈從中迴圈透過。冷卻板204可透過黏合劑或任何合適機構與靜電卡盤202嚙合。一個或多個電源208可耦接到冷卻板204。靜電卡盤202可以包括一個或多個加熱器（未圖示）。一個或多個加熱器可以是可獨立控制的。一個或多個加熱器使得靜電卡盤202能夠從基板101的底表面將基板101加熱到期望溫度。
製程套件200可以支撐在支撐構件180上。製程套件200包括邊緣環210，邊緣環具有環形主體230。主體230包括頂表面209、底表面211、內緣232和外緣234。頂表面209基本上平行於底表面211。內緣232基本上平行於外緣234，並且基本上垂直於底表面211。主體230還包括了限定在其中的階梯狀的表面236。階梯狀的表面236形成在內緣232中，使得階梯狀的表面236基本上平行於底表面211。階梯狀的表面236限定用於接收基板（例如，基板101）的凹部。邊緣環210適於覆蓋支撐構件180的外周邊並且保護支撐構件180不受沉積影響。
製程套件200還可包括覆蓋環212和石英環214。覆蓋環212包括環形主體238，環形主體具有頂表面240、底表面242、內緣244和外緣246。頂表面240基本上平行於底表面242。內緣244基本上平行於外緣246，並且基本上垂直於底表面242。在圖2A中示出的實施例中，凹槽248形成在主體238的底表面242中。石英環214鄰近支撐構件180設置。石英環214包括環形主體251，環形主體具有頂表面252、底表面254、內緣256和外緣258。石英環214被配置為支撐處理腔室100中的覆蓋環212。例如，在所示出的實施例中，石英環214從覆蓋環212的底表面242支撐覆蓋環212。在一些實施例中，石英環214可以包括突出構件263。突出構件263從石英環的頂表面252突出。突出構件263被配置為與形成在覆蓋環212的底表面242中的凹槽248配合。覆蓋環212沿著邊緣環210的外周邊216定位。邊緣環210被配置為阻擋顆粒在邊緣環210下方滑動。
製程套件200還包括了具有頂表面215和底表面217的可調整調諧環150。可調整調諧環150可由諸如鋁的導電材料形成。可調整調諧環150設置在邊緣環210下方，在石英環214與支撐構件180之間，從而形成間隙250。例如，在一個實施例中，可調整調諧環150沿著冷卻板204的邊向下延伸經過靜電卡盤202。在一個實施例中，可調整調諧環150具有一直延伸到冷卻板204的底部的高度。因此，可調整調諧環150能夠將來自冷卻板204的電力耦合到邊緣環210。可調整調諧環150可以環繞冷卻板204，從而形成側向間隔開的間隙255。在一個實例中，側向間隔開的間隙大於0吋而小於或等於0.03吋。可調整調諧環150與升舉銷218對接。例如，升舉銷218可與可調整調諧環150可操作地耦接。升舉銷218由升舉機構183驅動。在一些實施例中，升舉銷218可由獨立於升舉機構183的升舉機構（未圖示）驅動。升舉機構183允許可調整調諧環150在腔室100內垂直移動。在一個實施例中，可調整調諧環可在大於0 mm且小於或等於4 mm之間垂直移動，例如，在2 mm至4 mm之間。垂直移動調諧環150改變與邊緣環耦合的RF電力。在一個實施例中，可調整調諧環150可以包括形成在可調整調諧環150的頂表面215上的塗層281。例如，塗層281可以是氧化釔塗層或凝膠狀塗層。塗層281用於限制電漿與可調整調諧環150之間的化學反應，並且因此限制顆粒形成和環損壞。在另一實施例中，一個或多個介電質墊（例如，特氟龍墊）289定位在邊緣環210與靜電卡盤之間，邊緣環210安置在靜電卡盤上。一個或多個介電質墊289在邊緣環210與靜電卡盤之間形成間隙，以便減小電容302，使得從陰極耦合到環210的電力最小化。
在另一實施例（諸如圖2B中示出）中，可調整調諧環150可以手動移動，從而減弱對升舉銷218的需要。調諧環150可以包括空腔260和形成在其中的進出孔口。進出孔口262從可調整調諧環150的頂部形成，並且向下延伸到空腔260中。進出孔口262具有小於空腔260的第二直徑265的第一直徑264。空腔260是形成在進出孔口262下方。空腔260向下形成到調諧環150的底部。空腔260被配置為容納螺釘266。螺釘266可以經由六角扳手（未圖示）轉動，例如，從而經由進出孔口260延伸到空腔262中，使得螺釘266可以升高/降低調諧環150。
圖3是根據一個實施例的圖1的處理腔室的一部分的簡化截面圖，其描繪了兩個電容。電力可以從陰極204沿著穿過兩個電容302、304的兩條路徑耦合到邊緣環。耦合的電力量取決於沿著這兩個路徑的電容。電容302是固定的。電容304可以變化。例如，可透過在垂直方向上在邊緣環210下方移動可調整調諧環150來調諧電容304，從而修改形成在它們之間的間隙250。控制可調整調諧環150和邊緣環210之間的間隙250控制在它們之間的電容。在數學上，電容可以被表示為𝐶 = 𝜀 •ε0 •其中ε表示兩個電極之間的材料的介電常數（在間隙250情況下的空氣為1），ε0 表示自由空間的介電常數，面積表示可調整調諧環150的面積，並且間隙表示間隙250。如圖所示，隨著間隙減小，的值增大，這導致了總電容C的增大。隨著間隙增大，即，隨著可調整的調諧套筒移動得更遠離邊緣環210，的值減小，這減小了總電容C。因此，控制間隙值更改邊緣環210與陰極204之間的電容。電容變化改變耦合在邊緣環210與陰極204之間的電力，並且因此改變施加到邊緣環210的電壓。例如，隨著間隙250減小，電容增大，施加到邊緣環210的電壓增大。控制施加到邊緣環210的電壓允許控制圍繞基板101和邊緣環210的電漿殼層。它的效果在下文中結合圖4更詳細地論述。
圖4示出了根據一個實施例的處理腔室100的一部分，其示出了本公開內容的另一優點。調整在可調整調諧環150與邊緣環210之間的垂直間隙402增大/減小施加到邊緣環210的電壓。電壓可以用於控制在基板101的邊緣406處的電漿殼層404分佈，以便補償在基板邊緣406處的臨界尺寸一致性。電漿殼層404是由空間電荷形成的強電場的薄區域，它將電漿主體結合到其材料邊界。在數學上，殼層厚度d由Child-Langmuir方程表示：
Figure 02_image003
其中𝑖是離子電流密度，ε是真空的介電常數，𝑒是基本電荷，𝑉𝑝 是電漿電位，並且𝑉 DC 是DC電壓。
在蝕刻反應器情況下，在電漿與被蝕刻的基板101、腔室主體102以及與電漿接觸的處理腔室100的其它部分之間形成電漿殼層404。電漿中產生的離子在電漿殼層中加速並且垂直於電漿殼層而移動。控制𝑉 DC （即，控制施加到邊緣環210的電壓）影響殼層404的厚度d 。例如，在電壓因電容減小而增大時，殼層404的厚度減小，因為Vp −VDC 值減小。因此，移動可調整調諧環150影響殼層404的形狀，這進而控制電漿離子的方向。
返回參考圖1，對可調整調諧環的控制可由控制器191控制。控制器191包括可程式設計的中央處理單元（CPU）192，CPU可與記憶體194以及耦接到處理系統的各種部件的大型存放區裝置、輸入控制單元和顯示單元（未圖示）（諸如電源、時鐘、快取記憶體、輸入/輸出（I/O）電路和襯裡）一起操作，以便促成對基板處理的控制。
為了促成對上述腔室100的控制，CPU 192可以是可在工業環境使用的任何形式通用電腦處理器中的一種，諸如可程式設計邏輯控制器（PLC），用於控制各種腔室和子處理器。記憶體194耦接到CPU 192，並且記憶體194是非暫態的，而且可以是容易獲得的記憶體中的一種或多種，諸如隨機存取記憶體（RAM）、唯讀記憶體（ROM）、軟碟機、硬碟或任何其它形式數位存儲裝置（無論本端還是遠端）。支援電路196耦接到CPU 192，以便以常規的方式支援處理器。帶電荷的物質生成、加熱和其它製程一般存儲在記憶體194中，通常是作為軟體常式。軟體常式還可以由遠離由CPU 192控制的處理腔室100的第二CPU（未圖示）存儲和/或執行。
記憶體194呈含有指令的電腦可讀存儲介質的形式，所述指令在由CPU 192執行時促成腔室100的操作。記憶體194中的指令呈程式產品的形式，諸如實現本公開內容的方法的程式。程式碼可符合許多不同程式設計語言中任一種。在一個實例中，可將本公開內容實現為存儲在用於與電腦系統一起使用的電腦可讀存儲介質上的程式產品。程式產品的程式限定實施例的功能（包括本文中描述的方法）。說明性電腦可讀存儲介質包括但不限於：(i) 其上永久存儲資訊的不可寫入存儲介質（例如，電腦內的唯讀記憶體裝置，諸如可由CD-ROM驅動器讀出的CD-ROM盤、快閃記憶體、ROM 晶圓或任何類型固態非易失性半導體記憶體）；以及(ii)其上存儲可更改的資訊的可寫入的存儲介質（例如，磁碟機或硬碟驅動器內的軟碟或任何類型固態隨機存取半導體記憶體）。在執行指示本文中描述的方法的功能的電腦可讀指令時，此類電腦可讀存儲介質是本公開內容的實施例。
儘管前述內容針對特定實施例，但是亦可在不脫離本發明的基本範圍的情況下構想其它和進一步實施例，並且本發明的範圍是由隨附的申請專利範圍決定。
100‧‧‧腔室101‧‧‧基板102‧‧‧腔室主體104‧‧‧蓋元件106‧‧‧支撐組件108‧‧‧內部容積110‧‧‧狹縫閥開口112‧‧‧襯裡114‧‧‧孔隙116‧‧‧抽吸通道118‧‧‧真空埠120‧‧‧真空系統122‧‧‧真空泵124‧‧‧節流閥126‧‧‧第一電極128‧‧‧下部電極130‧‧‧電漿空腔132‧‧‧電源134‧‧‧氣體入口136‧‧‧隔離環138‧‧‧氣體分配板140‧‧‧阻擋板142‧‧‧蓋邊緣144‧‧‧氣體通路146‧‧‧孔隙148‧‧‧孔隙150‧‧‧調諧環180‧‧‧支撐構件182、183‧‧‧升舉機構184‧‧‧軸186‧‧‧波紋管188‧‧‧升舉銷190‧‧‧升舉環191‧‧‧控制器192‧‧‧CPU194‧‧‧記憶體196‧‧‧支援電路200‧‧‧製程套件202‧‧‧靜電卡盤204‧‧‧冷卻板（或陰極）206‧‧‧基部208‧‧‧電源209‧‧‧頂表面210‧‧‧邊緣環211‧‧‧底表面212‧‧‧覆蓋環214‧‧‧石英環215‧‧‧頂表面216‧‧‧外周邊217‧‧‧底表面218‧‧‧升舉銷230‧‧‧主體232‧‧‧內緣234‧‧‧外緣236‧‧‧階梯狀的表面238‧‧‧環形主體240‧‧‧頂表面242‧‧‧底表面244‧‧‧內緣246‧‧‧外緣248‧‧‧凹槽250‧‧‧間隙251‧‧‧環形主體252‧‧‧頂表面254‧‧‧底表面255‧‧‧側向間隔開的間隙256‧‧‧內緣258‧‧‧外緣260‧‧‧空腔262‧‧‧進出孔口263‧‧‧突出構件264‧‧‧第一直徑265‧‧‧第二直徑266‧‧‧螺釘281‧‧‧塗層289‧‧‧介電質墊302、304‧‧‧電容402‧‧‧垂直間隙404‧‧‧電漿殼層406‧‧‧邊緣
因此，為了詳細理解本公開內容的上述特徵所用方式，上文所簡要概述的本公開內容的更具體的描述可以參考實施例進行，一些實施例示出在附圖中。然而，應當注意，附圖僅示出了本公開內容的典型實施例，並且因此不應視為限制本公開內容的範圍，因為本公開內容可允許其它等效實施例。
圖1是根據一個實施例的處理腔室的截面圖。
圖2A是根據一個實施例的圖1的處理腔室的放大局部截面圖。
圖2B是根據一個實施例的圖1的處理腔室的放大局部截面圖。
圖3是根據一個實施例的圖1的處理腔室的一部分的簡化截面圖，其描繪了兩個電容路徑。
圖4是根據一個實施例的圖1的處理腔室的一部分的簡化截面圖，其示出了本公開內容的另一優點。
為了清楚起見，已儘可能使用相同附圖標記指定各圖所共有的相同要素。另外，一個實施例中的要素可有利地適於用於本文中描述的其它實施例中。
國內寄存資訊 （請依寄存機構、日期、號碼順序註記） 無
國外寄存資訊 （請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記） 無
101‧‧‧基板
150‧‧‧調諧環
180‧‧‧支撐構件
200‧‧‧製程套件
202‧‧‧靜電卡盤
204‧‧‧冷卻板(或陰極)
206‧‧‧基部
208‧‧‧電源
209‧‧‧頂表面
210‧‧‧邊緣環
211‧‧‧底表面
212‧‧‧覆蓋環
214‧‧‧石英環
215‧‧‧頂表面
216‧‧‧外周邊
217‧‧‧底表面
218‧‧‧升舉銷
230‧‧‧主體
232‧‧‧內緣
234‧‧‧外緣
236‧‧‧階梯狀的表面
238‧‧‧環形主體
240‧‧‧頂表面
242‧‧‧底表面
244‧‧‧內緣
246‧‧‧外緣
250‧‧‧間隙
251‧‧‧環形主體
252‧‧‧頂表面
254‧‧‧底表面
255‧‧‧側向間隔開的間隙
256‧‧‧內緣
263‧‧‧突出構件

Claims (22)

  1. 一種用於一基板處理腔室的製程套件，該邊緣環包括：一第一環，該第一環具有一頂表面和一底表面，該底表面由一基板支撐構件支撐，該底表面至少部分地延伸到由該基板支撐構件支撐的一基板下方；一可調整調諧環，該可調整調諧環定位在該第一環下方，該可調整調諧環具有一頂表面和一底表面，該可調整調諧環的該頂表面與該第一環限定一可調整的間隙；以及一致動機構，該致動機構與該可調整調諧環的該底表面對接，該致動機構被配置為更改限定在該第一環的該底表面與該可調整調諧環的該頂表面之間的該可調整的間隙。
  2. 如請求項1所述的製程套件，其中該可調整調諧環由一導電材料形成。
  3. 如請求項1所述的製程套件，其中該可調整的間隙可在0mm與4mm之間調整。
  4. 如請求項1所述的製程套件，其中該致動機構包括：一升舉銷，該升舉銷具有一第一端和一第二端，並且該升舉銷的該第一端接觸該可調整調諧環的該底表 面，該升舉銷的該第二端與一升舉機構連通。
  5. 如請求項1所述的製程套件，其中該可調整調諧環包括：一環形主體；一空腔，該空腔形成在該環形主體中，該空腔形成在該環形主體的底表面中；以及一進出孔口，該進出孔口形成在該環形主體中，該進出孔口從該可調整調諧環的該頂表面延伸到該空腔中。
  6. 如請求項5所述的製程套件，其中該致動機構是被至少部分地設置在空腔中的一螺釘，該螺釘被配置為旋轉穿過該進出孔口，以便致動該可調整調諧環。
  7. 如請求項5所述的製程套件，其中該空腔具有一第一直徑，並且該進出孔口具有一第二直徑，該第一直徑大於該第二直徑。
  8. 如請求項1所述的製程套件，其中該致動機構被配置為控制形成在電漿與該邊緣環之間的一電漿殼層的一厚度。
  9. 一種處理腔室，包括：一基板支撐構件，該基板支撐構件被配置為支撐一基板；以及 一製程套件，該製程套件由該基板支撐構件支撐，該製程套件包括：一第一環，該第一環具有一頂表面和一底表面，該底表面由該基板支撐構件支撐，該底表面至少部分地延伸到由該基板支撐構件支撐的該基板下方；一可調整調諧環，該可調整調諧環定位在該第一環下方，該可調整調諧環具有一頂表面和一底表面，該可調整調諧環的該頂表面與該第一環限定一可調整的間隙；以及一致動機構，該致動機構與該可調整調諧環的該底表面對接，該致動機構被配置為更改限定在該第一環的該底表面與該可調整調諧環的該頂表面之間的該可調整的間隙。
  10. 如請求項9所述的處理腔室，其中該可調整調諧環由一導電材料形成。
  11. 如請求項9所述的處理腔室，其中該可調整的間隙可在0mm與4mm之間調整。
  12. 如請求項9所述的處理腔室，其中該致動機構包括：一升舉銷，該升舉銷具有一第一端和一第二端，並且該升舉銷的該第一端接觸該可調整調諧環的該底表面，該升舉銷的該第二端與一升舉機構連通。
  13. 如請求項9所述的處理腔室，其中該可調整調諧環包括：一環形主體；一空腔，該空腔形成在該環形主體中，該空腔形成在該環形主體的底表面中；以及一進出孔口，該進出孔口形成在該環形主體中，該進出孔口從該可調整調諧環的該頂表面延伸到該空腔中。
  14. 如請求項13所述的處理腔室，其中該致動機構是被至少部分地設置在空腔中的一螺釘，該螺釘被配置為旋轉穿過進出孔口，以便致動該可調整調諧環。
  15. 如請求項13所述的處理腔室，其中該空腔具有一第一直徑，並且該進出孔口具有一第二直徑，該第一直徑大於該第二直徑。
  16. 如請求項9所述的處理腔室，其中該致動機構被配置為控制形成在電漿與該邊緣環之間的一電漿殼層的一厚度。
  17. 如請求項9所述的處理腔室，其中該基板支撐構件包括：一基部；一冷卻板，該冷卻板由該基部支撐；以及 一靜電卡盤，該靜電卡盤定位在該冷卻板的一頂表面上。
  18. 如請求項17所述的處理腔室，其中該可調整調諧環與該冷卻板間隔開約0mm至2mm之間。
  19. 一種處理一基板的方法，包括以下步驟：將該基板定位在設置於一基板處理腔室中的一基板支撐構件上；在該基板上方形成一電漿；以及透過致動一可調整調諧環來調整該可調整調諧環與一邊緣環之間的一間距以改變在該基板的一邊緣處的一離子方向。
  20. 如請求項19所述的方法，其中致動一可調整調諧環之步驟包括以下步驟：更改形成在該電漿與該邊緣環之間的一電漿殼層的一厚度。
  21. 一種用於一處理腔室中之一基板支撐件的製程套件，該製程套件包括：一邊緣環，具有一頂表面與一底表面；及一可調整調諧環，該可調整調諧環定位在該邊緣環的該底表面下方，該可調整調諧環具有一上表面和一下表面，該下表面被配置為與與一致動機構對接，該致動機構被配置為相對該邊緣環移動該可調整調諧環。
  22. 一種用於一基板處理腔室的基板支撐件，該基板支撐件包括：一介電主體，該介電主體被配置為支撐一基板於該介電主體上；一邊緣環，被至少部分地設置在該介電主體上，該邊緣環具有一頂表面與一底表面；一可調整調諧環，該可調整調諧環定位在該邊緣環下方，該可調整調諧環具有一頂表面，該可調整調諧環的該頂表面與該邊緣環限定一可調整的間隙；以及一致動機構，耦接至該可調整調諧環，該致動機構被配置為更改該可調整的間隙。
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