CN108129661A - 一种聚合物、量子点膜层及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种聚合物、量子点膜层及其制备方法。所述聚合物包括多个聚合单元，聚合单元包括疏水结构和载流子传输结构，疏水结构和载流子传输结构通过含有功能原子的桥键连接，疏水结构上设置有第一配体，聚合单元在桥键处发生断裂时，生成含有第一配体的疏水单体和含有第二配体的载流子传输单体，第二配体包含功能原子，第二配体的配位活性强于第一配体的配位活性，因此载流子传输单体的配位活性强于聚合物的配位活性，载流子传输单体经过配体置换后包覆在目标物质如量子点粒子表面，形成具有强载流子传输功能的配体材料，如形成具有强载流子传输功能的量子点配体材料，从而提高了形成的量子点的电致发光性能，提高了显示器件的显示性能。

Description

一种聚合物、量子点膜层及其制备方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是一种聚合物、量子点膜层及其制备方法。
背景技术
量子点发光二极管显示器是(Quantum Dots Light Emitting Doide Display,QLED)是基于有机发光二极管显示器(Organic Light Emitting Diode，OLED) 的基础上发展起来的一种新型显示技术。而两者存在的区别是QLED里的发光层为量子点层，它的原理是电子/空穴通过电子/空穴传输层注入到量子点层，电子和空穴在量子点层中复合发光。与OLED相比，QLED具有发光峰窄，色彩饱和度高，色域宽等优点。
目前QLED显示器件制备过程中，常使用长链油性配体与量子点粒子形成量子点，长链油性配体的加入有利于量子点在合成体系中的稳定。但是，长链油溶性配体会对量子点后续各方面的应用产生不利的影响，如长链油溶性配体的绝缘性阻碍了载流子的传输性能，从而降低了QLED器件的显示性能。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种聚合物，聚合物包覆在量子点粒子表面后，可以形成具有强载流子传输功能的量子点，保证QLED器件的显示性能的目的。
一方面，提供了一种聚合物，包括多个聚合单元，所述聚合单元包括疏水结构和载流子传输结构，所述疏水结构和所述载流子传输结构通过含有功能原子的桥键连接；
所述疏水结构上设置有第一配体；
所述聚合单元在所述桥键处发生断裂时，生成含有所述第一配体的疏水单体和含有第二配体的载流子传输单体，所述第二配体包含所述功能原子，所述第二配体的配位活性强于所述第一配体的配位活性。
进一步地，所述功能原子为硫原子；
所述第一配体为含有氨基的氨基配体
所述第二配体为含有巯基的巯基配体。
进一步地，所述氨基配体为伯胺类配体、仲胺类配体或叔胺类配体。
进一步地，所述含有功能原子的桥键为二硫醚键、硫醚键或硫酯键。
进一步地，所述疏水结构为多氟芳香结构。
进一步地，所述多氟芳香结构为多氟苯结构、多氟联苯结构或碳位发生取代的六氟双酚A结构。
进一步地，所述载流子传输结构为三苯胺类结构、咔唑类结构或噻吩类结构。
另一方面，还提供了一种如上述的聚合物的制备方法，所述方法包括：
制备载流子传输单元和疏水单元；
反应所述疏水单元和所述载流子传输单元，生成聚合物；
所述聚合物包括多个聚合单元，所述聚合单元包括疏水结构和载流子传输结构，所述疏水结构和所述载流子传输结构通过含有功能原子的桥键连接，所述疏水结构上设置有第一配体，所述聚合单元在所述桥键处发生断裂时，生成含有所述第一配体的疏水单体和含有第二配体的载流子传输单体，所述第二配体包含所述功能原子，所述第二配体的配位活性强于所述第一配体的配位活性。
进一步地，所述制备载流子传输单元包括：
使用卤化剂取代包含所述桥键的多苯化合物，生成包含所述桥键的卤代多苯；
将所述卤代多苯与功能物质反应，生成具有芳氮结构或芳硫结构的所述载流子传输单元，所述载流子传输单元的至少一端具有卤原子。
进一步地，所述的反应所述疏水单元和所述载流子传输单元，生成聚合物的步骤包括：
使用多元醇连接所述载流子传输单元和所述疏水单元，在所得的连接化合物中的疏水结构上引入第一配体，在所述连接化合物中的载流子传输结构中的芳氮结构或芳硫结构上引入烷基链，以及在所述芳氮结构或芳硫结构的芳环空余碳位上引入有利于偶联聚合的取代基团，生成第一反应单体；
使用硼脂对所述第一反应单体中的所述取代基团进行反应，生成第二反应单体；
反应所述第一反应单体和所述第二反应单体，生成所述聚合物。
进一步地，所述卤化剂为氯化剂、溴化剂或碘化剂；
所述多苯化合物为二苯化合物；
所述载流子传输单元为具有三苯胺类结构、咔唑类结构或噻吩类结构的化合物；
所述多元醇为二元醇；
所述疏水单元为具有全氟芳香结构的化合物；
所述第一强配体为氨基配体；
所述烷基链为碳原子数为2-8的烷基；
所述取代基团为氯、溴、碘或硼脂。
另一方面，还提供了一种如上述的聚合物的应用，所述聚合物应用于具有载流子传输功能的配体材料的制备。
另一方面，还提供了一种量子点膜层，包括量子点粒子和载流子传输单体，所述载流子传输单体包覆在所述量子点粒子表面，所述载流子传输单体是原包覆在所述量子点表面的聚合物在发生桥键断裂后生成的；
所述聚合物包括多个聚合单元，所述聚合单元包括疏水结构和载流子传输结构，所述疏水结构和所述载流子传输结构通过含有功能原子的桥键连接；
所述疏水结构上设置有第一配体；
所述聚合单元在所述桥键处发生断裂时，生成含有所述第一配体的疏水单体和含有第二配体的所述载流子传输单体，所述第二配体包含所述功能原子，所述第二配体的配位活性强于所述第一配体的配位活性。
进一步地，所述功能原子为硫原子；
所述第一配体为含有氨基的氨基配体
所述第二配体为含有巯基的巯基配体。
进一步地，所述氨基配体为伯胺类配体、仲胺类配体或叔胺类配体。
进一步地，所述含有功能原子的桥键为二硫醚键、硫醚键或硫酯键。
进一步地，所述疏水结构为多氟芳香结构。
进一步地，所述多氟芳香结构为多氟苯结构、多氟联苯结构或碳位发生取代的六氟双酚A结构。
进一步地，所述载流子传输结构为三苯胺类结构、咔唑类结构或噻吩类结构。
另一方面，还提供了一种如上述的量子点膜层的制备方法，所述方法包括：
使用聚合物对量子点原材料进行配位替换，将所述聚合物包覆在所述量子点原材料的量子点粒子表面，得到聚合物配体量子点，所述聚合物的疏水结构中的第一配体的配位活性强于所述量子点原材料中所述量子点粒子上的原始配体的配位活性；
使用所述聚合物配体量子点形成量子点膜层初品；
使用还原剂处理所述量子点膜层初品，使所述聚合物的聚合单元中的桥键发生断裂，生成的载流子传输单体经过配位置换后包覆在所述量子点粒子表面，生成所述量子点膜层。
进一步地，所述还原剂包括还原性试剂、疏水溶剂和亲水溶剂。
进一步地，当所述桥键为含有硫原子的桥键，所述第一配体为含有氨基的氨基配体，所述第二配体为含有巯基的巯基配体时；所述还原性试剂包括硼氢化钠和氢化铝锂中的至少一种；
所述疏水溶剂包括己烷、庚烷、十四烷、十六烷、甲苯和氯苯中的至少一种；
所述亲水溶剂包括乙醇、甲醇、异丙醇和正丁醇中的至少一种。
与现有技术相比，本发明包括以下优点：
本发明实施例提供了一种聚合物及其制备方法，该聚合物包括多个聚合单元，聚合单元包括疏水结构和载流子传输结构，疏水结构和载流子传输结构通过含有功能原子的桥键连接，述疏水结构上设置有第一配体，聚合单元在桥键处发生断裂时，生成含有第一配体的疏水单体和含有第二配体的载流子传输单体，第二配体包含该功能原子，由于第二配体的配位活性强于第一配体的配位活性，因此该聚合物在桥键发生断裂时，可以生成配位活性强于该聚合物的具有较强载流子功能的载流子传输单体，载流子传输单体对包覆在目标物质外的该聚合物进行配体替换，从而得到具有强载流子功能的配体材料。
当目标物质为量子点粒子时，通过本发明实施例提供的聚合物，可以得到具有强载流子功能的量子点配体材料，从而提高了形成的量子点的电致发光性能，提高了显示器件如QLED器件的显示性能。
由于聚合物具有疏水结构，可以对内部包裹的量子点粒子进行疏水保护，因此包覆有聚合物的量子点粒子在存储过程中能够保持较好的性能，由包覆有聚合物的量子点粒子制备的量子点膜层具有较好的显示性能等性能。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种聚合物的制备方法的流程图；
图2是本发明实施例提供的一种聚合物的制备方法的示意图；
图3是本发明实施例提供的一种量子点膜层的制备方法的流程图；
图4是本发明实施例提供的一种量子点膜层的制备方法的示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上；术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的机或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
下面结合附图和实施例对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
本发明实施例提供了一种聚合物，包括多个聚合单元，聚合单元包括疏水结构和载流子传输结构，疏水结构和载流子传输结构通过含有功能原子的桥键连接，疏水结构上设置有第一配体，聚合物的嵌段结构为疏水结构-载流子传输结构-疏水结构-载流子传输结构。
聚合单元在桥键处发生断裂时，生成含有第一配体的疏水单体和含有第二配体的载流子传输单体，第二配体包含所述功能原子，第二配体的配位活性强于第一配体的配位活性。
本发明实施例提供的聚合物中，可以根据实际设置第一配体和第二配体的具体结构，例如，第一配体可以为含有氨基的氨基配体(-NH2)，第二配体可以为含有巯基的巯基配体(-SH)。由于第二配体中包含功能原子，因此当第二配体不同时，对应不同的功能原子，例如，当第二配体为巯基配体时，对应的功能原子为硫原子，聚合物单元中的疏水结构和载流子传输结构通过含有硫原子的桥键连接。
具体地，当第一配体为氨基配体时，氨基配体可以为伯胺类配体、仲胺类配体或叔胺类配体；当第二配体为巯基配体时，功能原子是硫原子，含有功能原子的桥键可以为二硫醚键、硫醚键或硫酯键。
本发明实施例提供的聚合物中，可以根据实际设置疏水结构、载流子传输结构的具体形式。例如，疏水结构可以为多氟芳香结构，多氟芳香结构可以包括多种具体结构，例如多氟苯结构、多氟联苯结构、碳位发生取代的六氟双酚A结构，具体例如取代的六氟苯结构、取代的十氟联苯结构。对于多氟苯结构或多氟联苯结构，原苯环上的氟原子被取代，第一配体间接地或直接地接枝到苯环碳位上。对于碳位发生取代的六氟双酚A结构，可以通过相关反应，将第一配体间接地或直接地接枝到苯环碳位上。载流子传输结构可以包括多种，例如三苯胺类结构、咔唑类结构、噻吩类结构，具体例如TPD (N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺)、TCTA(4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺)、NPB(N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺)。
示例性的，当疏水结构为取代的十氟联苯，疏水结构的第一配体为氨基配体，含有功能原子的桥键为二硫醚键，载流子传输结构为三苯胺类结构时，对应的聚合物的结构如下所示：
本示例提供的聚合物可以通过疏水结构的氨基配体包覆在量子点粒子表面即量子点核表面，基于疏水结构的存在，聚合物具有疏水性能，因此该聚合物可以对内部的量子点粒子起到疏水保护作用，从而保证了形成的量子点的显示性能安全。使用还原剂处理该聚合物时，聚合物中的二硫醚键发生断裂，生成具有-SH配体的载流子传输单体和具有-NH2配体的疏水单体，由于-SH配体的配位活性强于-NH2配体，因此经过配位替换后，具有-SH配体的载流子传输单元包覆在量子点粒子表面，形成具有强载流子传输性能的量子点或量子点膜层。
本发明实施例提供的聚合物中，由于第二配体的配位活性强于第一配体的配位活性，因此该聚合物在桥键发生断裂时，可以生成配位活性较强的载流子传输单体，由于载流子传输单体的第二配体的配位活性高于聚合物的第一配体的配位活性，因此载流子传输单体对包覆在目标物质外的聚合物进行配体置换，从而得到具有强载流子功能的配体材料。当目标物质为量子点粒子时，通过使用本发明实施例提供的聚合物，可以得到具有强载流子功能的量子点配体材料，从而提高了量子点的电致发光性质，提高了显示器件如 QLED器件的显示性能。因此本发明实施例提供的聚合物可以应用于具有载流子传输功能的配体材料的制备。
本发明实施例提供的聚合物尺寸较小，可以达到纳米级别，可以包覆在纳米粒子如纳米量子点粒子外。由于聚合物中具有疏水结构，可以对内部的量子点粒子进行疏水保护，因此包覆有聚合物的量子点粒子在存储过程中能够保持较好的性能，由包覆有聚合物的量子点粒子制备的量子点膜层具有较好的性能。
本发明实施例还提供了一种上述的聚合物的制备方法。图1是本发明实施例提供的一种聚合物的制备方法的流程图，如图1所示，所述的制备方法包括：
步骤101、制备载流子传输单元和疏水单元。
步骤102、反应载流子传输单元和疏水单元，生成聚合物。
生成的聚合物包括多个聚合单元，聚合单元包括疏水结构和载流子传输结构，疏水结构和载流子传输结构通过含有功能原子的桥键连接，疏水结构上设置有第一配体，聚合单元在桥键处发生断裂时，生成含有第一配体的疏水单体和含有第二配体的载流子传输单体，第二配体包含该功能原子，第二配体的配位活性强于第一配体的配位活性。
所述的制备载流子传输单元的步骤可以包括：
使用卤化剂取代包含桥键的多苯化合物，生成包含桥键的卤代多苯；
将卤代多苯与功能物质反应，生成具有芳氮结构或芳硫结构的载流子传输单元，载流子传输单元的至少一端具有卤原子。
进一步，所述的反应疏水单元和载流子传输单元，生成聚合物的步骤可以包括：
使用多元醇连接载流子传输单元和疏水单元，在所得的连接化合物中的疏水结构上引入第一配体，在连接化合物中的载流子传输结构中的芳氮结构或芳硫结构上引入烷基链，以及在芳氮结构或芳硫结构的芳环空余碳位上引入有利于偶联聚合的取代基团，生成第一反应单体；
使用硼脂对生成的第一反应单体中的取代基团进行反应，生成第二反应单体；
反应第一反应单体和第二反应单体，生成聚合物。
本发明实施例提供的聚合物的制备方法中，可以根据实际选择多种试剂的种类。具体地，卤化剂可以为氯化剂、溴化剂或碘化剂；多苯化合物可以为二苯化合物；载流子传输单元可以为具有三苯胺类结构、咔唑类结构或噻吩类结构的化合物；多元醇可以为二元醇；疏水单元可以为具有全氟芳香结构的化合物；第一强配体可以为氨基配体；烷基链为碳原子数可以为2-8的烷基；取代基团可以为氯、溴、碘或硼脂。
根据本发明实施例提供的制备方法，即可制备出本发明实施例提供的聚合物，聚合物具有诸多优点及性质，可参照前面所述，本发明在此不再赘述。
示例性的，本发明实施例提供了一种聚合物的制备方法，该聚合物的结构如聚合物示例所示，制备方法如图2所示。
基于本发明实施例提供的聚合物的上述特点，可以使用本发明实施例提供的聚合物制备量子点膜层。制备的量子点膜层包括量子点粒子和载流子传输单体，载流子传输单体包覆在量子点粒子表面，载流子传输单体是原包覆在量子点表面的本发明实施例提供的聚合物在发生桥键断裂后生成的。对于载流子传输单元结构、聚合物结构以及桥键结构等相关结构，可参照本发明实施例前面的关于聚合物的描述，本发明在此不再赘述。
由于聚合物具有疏水结构，可以对内部包裹的量子点粒子进行疏水保护，因此包覆有聚合物的量子点粒子在存储过程中能够保持较好的性能，由包覆有聚合物的量子点粒子制备的量子点膜层具有较好的显示性能等性能。
图3是本发明实施例提供的一种量子点膜层的制备方法的流程图。参考图3，量子点膜层的制备方法可以包括：
步骤201、使用聚合物对量子点原材料进行配位替换，将聚合物包覆在量子点原材料的量子点粒子表面，得到聚合物配体量子点。
量子点原材料包括量子点粒子和原始配体，原始配体包覆在量子点粒子表面，如背景技术所述的，原始配体通常为长链油性配体，如油酸。
聚合物中的疏水结构中的第一配体的配位活性强于量子点原材料中量子点粒子上的原始配体的配位活性，使用聚合物对量子点原材料中的原始配体进行配位替换，聚合物通过第一配体包覆在量子点粒子表面。
基于上述原理，可以根据实际选择第一配体和原始配体的种类。
制备的聚合物配体量子点中，由于量子点粒子表面包覆了聚合物，聚合物具有疏水结构，因此聚合物对量子点粒子起到了防水作用，使得聚合物配体量子点具有较好的防水性能，保证了量子点粒子的发光性能。
步骤202、使用聚合物配体量子点形成量子点膜层初品。
使用步骤201制备的聚合物配体量子点，得到量子点膜层初品。由量子点制备量子点膜层的工艺为现有工艺，可以根据本发明实施例提供的材料性质，适当调整工艺参数，本发明在此不再赘述。
步骤203、使用还原剂处理量子点膜层初品，使得聚合物的聚合单元中的桥键发生断裂，生成的载流子传输单体经过配位置换后包覆在量子点粒子表面，生成量子点膜层。
使用还原剂对聚合物进行处理，聚合物桥键断裂后生成含有第一配体的疏水单体和含有第二配体的载流子传输单体，第二配体的配位活性强于第一配体的配位活性。载流子传输单体移动至量子点粒子表面，由于载流子传输单体的第二配体的配位活性高于包裹在量子点粒子表面的聚合物的第一配体的配位活性，因此载流子传输单体对聚合物进行了配体置换，载流子传输单体通过第二配体包覆在量子点粒子表面，生成量子点膜层。
由于量子点膜层中，量子点粒子表面包覆有具有强载流子传输性能的载流子传输单体，因此量子点膜层具有强载流子传输功能，使用该量子点膜层制备的显示器件，具有较好的发光等显示性能。
本发明实施例中，所使用的量子点粒子包括但不限于CdS、CdSe、ZnSe、 InP、PbS、CsPbCl3、CsPbBr3、CsPhI3、CdS/ZnS、CdSe/ZnS、ZnSe、InP/ZnS、 PbS/ZnS、CsPbCl3/ZnS、CsPbBr3/ZnS和CsPhI3/ZnS等。
可以根据实际选择还原剂种类。例如，还原剂可以包括还原性试剂、疏水溶剂和亲水溶剂。具体地，当桥键为含有硫原子的桥键，第一配体为含有氨基的氨基配体，第二配体为含有巯基的巯基配体时；还原性试剂可以包括硼氢化钠和氢化铝锂中的至少一种；疏水溶剂可以包括己烷、庚烷、十四烷、十六烷、甲苯和氯苯中的至少一种；亲水溶剂可以包括乙醇、甲醇、异丙醇和正丁醇中的至少一种。还原剂中疏水溶剂的加入，可以浸润量子点膜层初品表面，但是需要控制疏水溶剂与亲水溶剂的用量比例，确保溶剂对膜层中的量子点不发生明显溶解。
示例性的，图4是本发明实施例提供的一种量子点膜层的制备方法的示意图，结合图4所示，本发明实施例提供的量子点膜层的制备方法如下：
图4中的结构(1)为量子点原材料，量子点原材料包括量子点粒子和原始配体，结构(1)中的中心核体表示量子点粒子，包覆在中心核体外的小尺寸粒子表示原始配体。本示例中，所使用的量子点原材料通过高温油相法制备，量子点原材料中，量子点粒子的具体组成为：CdSe/ZnS，原始配体为油酸配体。
聚合物(Polymer)包括多个聚合单元，聚合单元中的强疏水结构A为多氟联苯(取代的十氟联苯)，第一配体为氨基配体-NH2，强载流子传输结构B为TPD试剂，桥健为二硫醚键。
将如结构(1)所示的量子点原材料(1份当量)与聚合物(100份当量) 溶于甲苯中，进行配体交换。交换完成后加入DMF(N,N-二甲基甲酰胺) 将量子点析出，洗涤干净烘干后备用，得到聚合物配体量子点，聚合物配体量子点的结构图4中结构(2)所示。
器件制备过程中，使用结构(2)所示的聚合物配体量子点制备量子点膜层初品，之后将硼氢化钠(100份当量)溶于混合溶剂中，混合溶剂包括己烷和甲醇，己烷和甲醇的摩尔比为1:8，将混合溶剂滴在量子点膜层初品的表面，让其渗入到膜层内部使桥键二硫键发生断裂，形成硫醇类单体，所得结构如图4中结构(3)所示；进一步，硫醇类单体通过配位置换包覆在量子点粒子表面，形成有利于载流子传输的新配体量子点材料，所得结构如图4中结构(4)所示；配体交换完成后，加入甲醇对膜层内部的小分子和参与溶剂进行清洗、退火处理，得到量子点膜层。
使用本示例所述方法制备的量子点膜层，具有强载流子传输功能。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
以上对本发明所提供的聚合物、量子点膜层及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (22)

1.一种聚合物，其特征在于，包括多个聚合单元，所述聚合单元包括疏水结构和载流子传输结构，所述疏水结构和所述载流子传输结构通过含有功能原子的桥键连接；
所述疏水结构上设置有第一配体；
所述聚合单元在所述桥键处发生断裂时，生成含有所述第一配体的疏水单体和含有第二配体的载流子传输单体，所述第二配体包含所述功能原子，所述第二配体的配位活性强于所述第一配体的配位活性。
2.根据权利要求1所述的聚合物，其特征在于，所述功能原子为硫原子；
所述第一配体为含有氨基的氨基配体
所述第二配体为含有巯基的巯基配体。
3.根据权利要求2所述的聚合物，其特征在于，所述氨基配体为伯胺类配体、仲胺类配体或叔胺类配体。
4.根据权利要求2所述的聚合物，其特征在于，所述含有功能原子的桥键为二硫醚键、硫醚键或硫酯键。
5.根据权利要求1所述的聚合物，其特征在于，所述疏水结构为多氟芳香结构。
6.根据权利要求5所述的聚合物，其特征在于，所述多氟芳香结构为多氟苯结构、多氟联苯结构或碳位发生取代的六氟双酚A结构。
7.根据权利要求1所述的聚合物，其特征在于，所述载流子传输结构为三苯胺类结构、咔唑类结构或噻吩类结构。
8.一种如权利要求1-7任一项所述的聚合物的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
制备载流子传输单元和疏水单元；
反应所述疏水单元和所述载流子传输单元，生成聚合物；
所述聚合物包括多个聚合单元，所述聚合单元包括疏水结构和载流子传输结构，所述疏水结构和所述载流子传输结构通过含有功能原子的桥键连接，所述疏水结构上设置有第一配体，所述聚合单元在所述桥键处发生断裂时，生成含有所述第一配体的疏水单体和含有第二配体的载流子传输单体，所述第二配体包含所述功能原子，所述第二配体的配位活性强于所述第一配体的配位活性。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述制备载流子传输单元包括：
使用卤化剂取代包含所述桥键的多苯化合物，生成包含所述桥键的卤代多苯；
将所述卤代多苯与功能物质反应，生成具有芳氮结构或芳硫结构的所述载流子传输单元，所述载流子传输单元的至少一端具有卤原子。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述的反应所述疏水单元和所述载流子传输单元，生成聚合物的步骤包括：
使用多元醇连接所述载流子传输单元和所述疏水单元，在所得的连接化合物中的疏水结构上引入第一配体，在所述连接化合物中的载流子传输结构中的芳氮结构或芳硫结构上引入烷基链，以及在所述芳氮结构或芳硫结构的芳环空余碳位上引入有利于偶联聚合的取代基团，生成第一反应单体；
使用硼脂对所述第一反应单体中的所述取代基团进行反应，生成第二反应单体；
反应所述第一反应单体和所述第二反应单体，生成所述聚合物。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述卤化剂为氯化剂、溴化剂或碘化剂；
所述多苯化合物为二苯化合物；
所述载流子传输单元为具有三苯胺类结构、咔唑类结构或噻吩类结构的化合物；
所述多元醇为二元醇；
所述疏水单元为具有全氟芳香结构的化合物；
所述第一强配体为氨基配体；
所述烷基链为碳原子数为2-8的烷基；
所述取代基团为氯、溴、碘或硼脂。
12.一种如权利要求1-7任一项所述的聚合物的应用，其特征在于，所述聚合物应用于具有载流子传输功能的配体材料的制备。
13.一种量子点膜层，其特征在于，包括量子点粒子和载流子传输单体，所述载流子传输单体包覆在所述量子点粒子表面，所述载流子传输单体是原包覆在所述量子点表面的聚合物在发生桥键断裂后生成的；
所述聚合物包括多个聚合单元，所述聚合单元包括疏水结构和载流子传输结构，所述疏水结构和所述载流子传输结构通过含有功能原子的桥键连接；
所述疏水结构上设置有第一配体；
所述聚合单元在所述桥键处发生断裂时，生成含有所述第一配体的疏水单体和含有第二配体的所述载流子传输单体，所述第二配体包含所述功能原子，所述第二配体的配位活性强于所述第一配体的配位活性。
14.根据权利要求13所述的量子点膜层，其特征在于，所述功能原子为硫原子；
所述第一配体为含有氨基的氨基配体
所述第二配体为含有巯基的巯基配体。
15.根据权利要求14所述的量子点膜层，其特征在于，所述氨基配体为伯胺类配体、仲胺类配体或叔胺类配体。
16.根据权利要求14所述的量子点膜层，其特征在于，所述含有功能原子的桥键为二硫醚键、硫醚键或硫酯键。
17.根据权利要求13所述的量子点膜层，其特征在于，所述疏水结构为多氟芳香结构。
18.根据权利要求17所述的量子点膜层，其特征在于，所述多氟芳香结构为多氟苯结构、多氟联苯结构或碳位发生取代的六氟双酚A结构。
19.根据权利要求13所述的聚合物，其特征在于，所述载流子传输结构为三苯胺类结构、咔唑类结构或噻吩类结构。
20.一种如权利要求13-19任一项所述的量子点膜层的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
使用聚合物对量子点原材料进行配位替换，将所述聚合物包覆在所述量子点原材料的量子点粒子表面，得到聚合物配体量子点，所述聚合物的疏水结构中的第一配体的配位活性强于所述量子点原材料中所述量子点粒子上的原始配体的配位活性；
使用所述聚合物配体量子点形成量子点膜层初品；
使用还原剂处理所述量子点膜层初品，使所述聚合物的聚合单元中的桥键发生断裂，生成的载流子传输单体经过配位置换后包覆在所述量子点粒子表面，生成所述量子点膜层。
21.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，所述还原剂包括还原性试剂、疏水溶剂和亲水溶剂。
22.根据权利要求21所述的方法，其特征在于，当所述桥键为含有硫原子的桥键，所述第一配体为含有氨基的氨基配体，所述第二配体为含有巯基的巯基配体时；所述还原性试剂包括硼氢化钠和氢化铝锂中的至少一种；
所述疏水溶剂包括己烷、庚烷、十四烷、十六烷、甲苯和氯苯中的至少一种；
所述亲水溶剂包括乙醇、甲醇、异丙醇和正丁醇中的至少一种。
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