CN113950753A - 发光基板及其制备方法和发光装置 - Google Patents

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BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Technology Development Co Ltd
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Abstract

一种发光基板，包括：衬底；设置于衬底上的多个发光器件，多个发光器件包括：至少一个第一发光器件和至少一个第二发光器件，至少一个第一发光器件包括：具有第一厚度的第一颜色发光层，至少一个第二发光器件包括具有第二厚度的所述第一颜色发光层，以及沿远离衬底的方向依次层叠设置在第二发光器件所包含的第一颜色发光层上的第一材料层和第二颜色发光层；其中，第二厚度小于第一厚度；且第一材料层被配置为将从第一颜色发光层传输的空穴传输至第二颜色发光层，并对从第二颜色发光层传输的电子进行阻挡，或者，第一材料层被配置为将从第一颜色发光层传输的电子传输至第二颜色发光层，并对从第二颜色发光层传输的空穴进行阻挡。

Description

发光基板及其制备方法和发光装置
技术领域
本公开涉及照明和显示技术领域，尤其涉及一种发光基板及其制备方法和发光装置。
背景技术
相对于OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)发光器件来说，QLED(Quantum Dot Light Emitting Diodes，量子点发光二极管)发光器件具有理论发光效率更高、颜色可调、色域更广、色彩饱和度和鲜艳度更好、能耗成本更低等优点。
发明内容
一方面，提供一种发光基板，包括：衬底；设置于所述衬底上的多个发光器件，所述多个发光器件包括：至少一个第一发光器件和至少一个第二发光器件，所述至少一个第一发光器件包括：具有第一厚度的第一颜色发光层，所述至少一个第二发光器件包括具有第二厚度的所述第一颜色发光层，以及沿远离所述衬底的方向依次层叠设置在所述第二发光器件所包含的所述第一颜色发光层上的第一材料层和第二颜色发光层；其中，所述第二厚度小于所述第一厚度；且在所述第二发光器件中，所述第一材料层被配置为将从所述第一颜色发光层传输的空穴传输至所述第二颜色发光层，并对从所述第二颜色发光层传输的电子进行阻挡，或者，所述第一材料层被配置为将从所述第一颜色发光层传输的电子传输至所述第二颜色发光层，并对从所述第二颜色发光层传输的空穴进行阻挡。
在一些实施例中，所述至少一个第二发光器件还包括：设置于所述第二发光器件所包含的所述第一颜色发光层靠近所述衬底一侧的电子传输层，所述第一材料层的材料包括具有电子传输功能的材料；或者，所述至少一个第二发光器件还包括：设置于所述第二发光器件所包含的所述第一颜色发光层靠近所述衬底一侧的空穴传输层，所述第一材料层的材料包括具有空穴传输功能的材料。
在一些实施例中，在所述至少一个第二发光器件还包括电子传输层的情况下，所述第一材料层的材料与所述电子传输层的材料不同；在所述至少一个第二发光器件还包括空穴传输层的情况下，所述第一材料层的材料与所述空穴传输层的材料不同。
在一些实施例中，所述第二颜色发光层仅设置在所述第二发光器件所在区域；或者，所述第二颜色发光层包括设置在所述第二发光器件所在区域的第一部分和设置在所述第一发光器件所在区域的第二部分，所述第二部分位于所述第一发光器件所包含的第一颜色发光层之上，且与所述第一颜色发光层接触，所述第一部分具有第三厚度，所述第二部分具有第四厚度，所述第四厚度小于所述第三厚度。
在一些实施例中，所述第四厚度小于所述第二厚度。
在一些实施例中，所述第一颜色发光层的材料和所述第二颜色发光层的材料均包括量子点发光材料。
在一些实施例中，所述多个发光器件还包括：至少一个第三发光器件；所述至少一个第三发光器件包括：具有第五厚度的所述第一颜色发光层，以及沿远离所述衬底的方向依次层叠设置于所述第三发光器件所包含的所述第一颜色发光层之上的第二材料层和第三颜色发光层，其中，所述第五厚度小于所述第一厚度，且在所述第三发光器件中，所述第二材料层被配置为将从所述第一颜色发光层传输的空穴传输至所述第三颜色发光层，并对从所述第三颜色发光层传输的电子进行阻挡，或者，所述第二材料层被配置为将从所述第一颜色发光层传输的电子传输至所述第三颜色发光层，并对从所述第三颜色发光层传输的空穴进行阻挡。
在一些实施例中，所述第二材料层和所述第一材料层连接为连续的结构。
在一些实施例中，在所述第二颜色发光层包括第一部分和第二部分的情况下，所述第二颜色发光层还包括设置在所述第三发光器件所在区域的第三部分，且所述第三部分位于所述第二材料层和所述第三颜色发光层之间。
在一些实施例中，所述第三发光器件还包括第三材料层，所述第三材料层位于所述第三部分和所述第三颜色发光层之间，所述第三材料层被配置为将从所述第三部分传输的空穴传输至所述第三颜色发光层，并对从所述第三颜色发光层传输的电子进行阻挡，或者，所述第二材料层被配置为将从所述第三部分传输的电子传输至所述第三颜色发光层，并对从所述第三颜色发光层传输的空穴进行阻挡。
在一些实施例中，所述第二材料层的材料和所述第一材料层的材料不同。
在一些实施例中，所述第三颜色发光层仅设置在所述第三发光器件所在区域；或者，所述第三颜色发光层包括设置在所述第三发光器件所在区域的第三部分，以及设置在所述第一发光器件所在区域的第四部分和设置在所述第二发光器件所在区域的第五部分，且所述第四部分位于所述第一发光器件所包含的第一颜色发光层或第二颜色发光层之上，且与所述第一颜色发光层或所述第二颜色发光层接触，所述第五部分位于所述第二发光器件所包含的第二颜色发光层之上，且与所述第二颜色发光层接触，所述第三部分具有第六厚度，所述第四部分和所述第五部分具有第七厚度，所述第七厚度小于所述第六厚度。
在一些实施例中，所述第三颜色发光层的材料包括量子点发光材料。
在一些实施例中，所述第一材料层通过至少一种电子传输材料在电磁辐射下制备获得；所述电子传输材料的结构通式如下式(I)所示：
Figure BDA0003264654480000031
其中，A选自三价的取代或未取代的吸电子基团中的任一种，B选自能够在电磁辐射下改变溶解度的基团，n为大于或等于1的整数，在A中，取代的取代基选自硝基、羟基和烷基中的任一种；
或者，所述第一材料层通过至少一种电子传输材料在电磁辐射下制备获得；所述空穴传输材料的结构通式如下式(II)所示：
Figure BDA0003264654480000032
其中，C选自三价的取代或未取代的给电子基团中的任一种，D选自能够在电磁辐射下改变溶解度的基团，n为大于或等于1的整数，在C中，取代的取代基选自硝基、羟基和烷基中的任一种。
另一方面，提供一种发光装置，包括：如上所述的发光基板。
再一方面，提供一种发光基板的制备方法，包括：
在衬底上形成多个发光器件，所述多个发光器件包括至少一个第一发光器件和至少一个第二发光器件；所述至少一个第一发光器件包括：具有第一厚度的第一颜色发光层，所述至少一个第二发光器件包括具有第二厚度的所述第一颜色发光层，以及沿远离所述衬底的方向依次层叠形成在所述第二发光器件所包含的所述第一颜色发光层上的第一材料层和第二颜色发光层；其中，所述第二厚度小于所述第一厚度；且在所述第二发光器件中，所述第一材料层被配置为将从所述第一颜色发光层传输的空穴传输至所述第二颜色发光层，并对从所述第二颜色发光层传输的电子进行阻挡，或者，所述第一材料层被配置为将从所述第一颜色发光层传输的电子传输至所述第二颜色发光层，并对从所述第二颜色发光层传输的空穴进行阻挡。
在一些实施例中，形成所述第一材料层的步骤包括：
在形成有第一颜色发光层的衬底上形成第一薄膜；对所述第一薄膜进行图案化，以在所述第二发光器件所在区域形成所述第一材料层。
在一些实施例中，对所述第一薄膜进行图案化，包括：
对所述第一薄膜位于所述第二发光器件所在区域的部分进行电磁辐射，改变所述第一薄膜位于所述第二发光器件所在区域的部分的溶解度；对所述第一薄膜位于所述第二发光器件所在区域以外的部分进行溶解，将所述第一薄膜位于所述第二发光器件所在区域以外的部分去除。
在一些实施例中，所述第一薄膜的材料为电子传输材料或空穴传输材料；所述电子传输材料的结构通式如下式如下式(I)所示：
Figure BDA0003264654480000051
其中，A选自三价的取代或未取代的吸电子基团中的任一种，B选自能够在电磁辐射下改变溶解度的基团，n为大于或等于1的整数，在A中，取代的取代基选自硝基、羟基和烷基中的任一种。
所述空穴传输材料的结构通式如下式(II)所示：
Figure BDA0003264654480000052
其中，C选自三价的取代或未取代的给电子基团中的任一种，D选自能够在电磁辐射下改变溶解度的基团，n为大于或等于1的整数，在C中，取代的取代基选自硝基、羟基和烷基中的任一种。
在一些实施例中，形成所述第一颜色发光层的步骤包括：
在所述衬底上形成第二薄膜，所述第二薄膜的材料包括第一量子点发光材料；对所述第二薄膜位于所述第一发光器件所在区域的部分进行电磁辐射，改变所述第二薄膜位于所述第一发光器件所在区域的部分的溶解度；对所述第二薄膜位于所述第一发光器件所在区域以外的部分进行溶解，得到所述第一发光器件所包含的具有第一厚度的所述第一颜色发光层和所述第二发光器件所包含的具有第二厚度的所述第一颜色发光层。
在一些实施例中，形成所述第二颜色发光层的步骤包括：
在形成有所述第一材料层的衬底上形成第三薄膜，所述第三薄膜包括第二量子点发光材料；对所述第三薄膜位于所述第二发光器件所在区域的部分进行电磁辐射，改变所述第三薄膜位于所述第二发光器件所在区域的部分的溶解度；对所述第三薄膜位于所述第二发光器件所在区域以外的部分进行溶解，使所述第三薄膜在所述第二发光器件所在区域以外的区域无覆盖，或者，，使所述第三薄膜在所述第二发光器件所在区域以外的区域形成厚度小于5nm的残留部。
在一些实施例中，所述发光基板还包括：至少一个第三发光器件，所述至少一个第三发光器件包括具有第五厚度的第一颜色发光层，以及沿远离衬底的方向依次层叠设置于所述第三发光器件所包含的所述第一颜色发光层之上的第二材料层和第三颜色发光层，所述制备方法还包括：在衬底上依次形成所述第二材料层和所述第三颜色发光层的步骤。
在一些实施例中，所述第二材料层的材料和所述第一材料层的材料不同，在衬底上形成所述第二材料层的步骤包括：
在形成有所述第二颜色发光层的衬底上形成第四薄膜；对所述第四薄膜进行图案化，有以在所述第三发光器件所在区域形成所述第二材料层。
在一些实施例中，所述对所述第四薄膜进行图案化，包括：
对所述第四薄膜位于所述第三发光器件所在区域的部分进行电磁辐射，改变所述第四薄膜位于所述第三发光器件所在区域的部分的溶解度；对所述第四薄膜位于所述第三发光器件所在区域以外的部分进行溶解，将所述第四薄膜位于所述第三发光器件所在区域以外的部分去除。
在一些实施例中，所述第二材料层和所述第一材料层连接成连续的结构，在衬底上形成所述第二材料层的步骤包括：
在对所述第一薄膜位于所述第二发光器件所在区域的部分进行电磁辐射，的同时，还对所述第一薄膜位于所述第三发光器件所在区域的部分进行电磁辐射，改变所述第一薄膜位于所述第三发光器件所在区域的部分的溶解度。
在一些实施例中，在衬底上形成所述第三颜色发光层的步骤包括：
在形成有所述第二材料层的衬底上形成第五薄膜，所述第五薄膜包括第三量子点发光材料；对所述第五薄膜位于所述第三发光器件所在区域的部分进行电磁辐射，改变所述第五薄膜位于所述第三发光器件所在区域的部分的溶解度；对所述第五薄膜位于所述第三发光器件所在区域以外的部分进行溶解，使所述第五薄膜在所述第三发光器件所在区域以外的部分无覆盖，或者，使所述第五薄膜在所述第三发光器件所在区域以外的区域形成厚度小于5nm的残留部。
在一些实施例中，在所述第二颜色发光层还包括形成在所述第三发光器件所在区域的残留部，且所述第二颜色发光层形成在所述第三发光器件所在区域的残留部位于所述第二材料层和所述第三颜色发光层之间的情况下，所述第三发光器件还包括设置于所述第二材料层和所述第三颜色发光层之间的第三材料层；所述制备方法还包括：
在形成所述第三颜色发光层的步骤之前，形成所述第三材料层。
在一些实施例中，形成所述第三材料层的步骤包括：
在形成有所述第二颜色发光层的衬底上形成第六薄膜，对所述第六薄膜进行图案化，以在所述第三发光器件所在区域形成所述第三材料层。
在一些实施例中，所述对所述第六薄膜进行图案化，包括：
对所述第六薄膜位于所述第三发光器件所在区域的部分进行电磁辐射，改变所述第六薄膜位于所述第三发光器件所在区域的部分的溶解度；对所述第六薄膜位于所述第三发光器件所在区域以外的部分进行溶解，将所述第六薄膜位于所述第三发光器件所在区域以外的部分去除。
附图说明
为了更清楚地说明本公开中的技术方案，下面将对本公开一些实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例的附图，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。此外，以下描述中的附图可以视作示意图，并非对本公开实施例所涉及的产品的实际尺寸、方法的实际流程、信号的实际时序等的限制。
图1A为根据一些实施例的一种发光基板的剖视结构图；
图1B为根据一些实施例的一种发光基板的俯视结构图；
图1C为根据一些实施例的一种3T1C的等效电路图；
图2A为根据一些实施例的另一种发光基板的剖视结构图；
图2B为根据一些实施例的另一种发光基板的剖视结构图；
图2C为根据一些实施例的另一种发光基板的剖视结构图；
图2D为根据一些实施例的另一种发光基板的剖视结构图；
图2E为根据一些实施例的另一种发光基板的剖视结构图；
图2F为根据一些实施例的另一种发光基板的剖视结构图；
图3为根据一些实施例的另一种发光基板的剖视结构图；
图4A为根据一些实施例的一种发光基板的制备方法的一部分的流程图；
图4B为根据一些实施例的一种发光基板的制备方法的另一部分的流程图；
图4C为根据一些实施例的另一种发光基板的制备方法的另一部分的流程图；
图4D为根据一些实施例的一种发光基板的制备方法的另一部分的流程图；
图4E为根据一些实施例的另一种发光基板的制备方法的另一部分的流程图；
图4F为根据一些实施例的一种发光基板的制备方法的另一部分的流程图；
图4G为根据一些实施例的另一种发光基板的制备方法的另一部分的流程图；
图4H为根据一些实施例的一种发光基板的制备方法的另一部分的流程图；
图4I为根据一些实施例的另一种发光基板的制备方法的另一部分的流程图；
图4J为根据一些实施例的一种发光基板的制备方法的另一部分的流程图；
图4K为根据一些实施例的另一种发光基板的制备方法的另一部分的流程图；
图4L为根据一些实施例的另一种发光基板的剖视结构图；
图4M为根据一些实施例的另一种发光基板的剖视结构图；
图4N为根据一些实施例的另一种发光基板的剖视结构图。
具体实施方式
下面将结合附图，对本公开一些实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开所提供的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非上下文另有要求，否则，在整个说明书和权利要求书中，术语“包括(comprise)”及其其他形式例如第三人称单数形式“包括(comprises)”和现在分词形式“包括(comprising)”被解释为开放、包含的意思，即为“包含，但不限于”。在说明书的描述中，术语“一个实施例(one embodiment)”、“一些实施例(some embodiments)”、“示例性实施例(exemplary embodiments)”、“示例(example)”、“特定示例(specific example)”或“一些示例(some examples)”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本公开的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外，所述的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。
以下，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
“A、B和C中的至少一个”与“A、B或C中的至少一个”具有相同含义，均包括以下A、B和C的组合：仅A，仅B，仅C，A和B的组合，A和C的组合，B和C的组合，及A、B和C的组合。
“A和/或B”，包括以下三种组合：仅A，仅B，及A和B的组合。
本文中“适用于”或“被配置为”的使用意味着开放和包容性的语言，其不排除适用于或被配置为执行额外任务或步骤的设备。
另外，“基于”的使用意味着开放和包容性，因为“基于”一个或多个所述条件或值的过程、步骤、计算或其他动作在实践中可以基于额外条件或超出所述的值。
本文参照作为理想化示例性附图的剖视图和/或平面图描述了示例性实施方式。在附图中，为了清楚，放大了层和区域的厚度。因此，可设想到由于例如制造技术和/或公差引起的相对于附图的形状的变动。因此，示例性实施方式不应解释为局限于本文示出的区域的形状，而是包括因例如制造而引起的形状偏差。例如，示为矩形的蚀刻区域通常将具有弯曲的特征。因此，附图中所示的区域本质上是示意性的，且它们的形状并非旨在示出设备的区域的实际形状，并且并非旨在限制示例性实施方式的范围。
本公开的一些实施例提供了发光装置，该发光装置包括发光基板，当然还可以包括其他部件，例如可以包括用于向发光基板提供电信号，以驱动该发光基板发光的电路，该电路可以称为控制电路，可以包括与发光基板电连接的电路板和/或IC(IntegrateCircuit，集成电路)。
在一些实施例中，该发光装置可以为照明装置，此时，发光装置用作光源，实现照明功能。例如，发光装置可以是液晶显示装置中的背光模组，用于内部或外部照明的灯，或各种信号灯等。
在另一些实施例中，该发光装置可以为显示装置，此时，该发光基板为显示基板，用于实现显示图像(即画面)功能。发光装置可以包括显示器或包含显示器的产品。其中，显示器可以是平板显示器(Flat Panel Display，FPD)，微型显示器等。若按照用户能否看到显示器背面的场景划分，显示器可以是透明显示器或不透明显示器。若按照显示器能否弯折或卷曲，显示器可以是柔性显示器或普通显示器(可以称为刚性显示器)。示例的，包含显示器的产品可以包括：计算机显示器，电视，广告牌，具有显示功能的激光打印机，电话，手机，个人数字助理(Personal Digital Assistant，PDA)，膝上型计算机，数码相机，便携式摄录机，取景器，车辆，大面积墙壁，剧院的屏幕或体育场标牌等。
本公开的一些实施例提供了一种发光基板1，如图1A和图1B所示，该发光基板1包括衬底11、设置在衬底11上的像素界定层12和多个发光器件13。其中，该像素界定层12具有多个开口Q，多个发光器件13可以与多个开口Q一一对应设置。这里的多个发光器件13可以是发光基板1包含的全部或部分发光器件13；多个开口Q可以是像素界定层12上的全部或部分开口。
每个发光器件13可以包括第一电极131、第二电极132，以及设置于第一电极131和第二电极132之间的发光功能层133，该发光功能层133包括发光层。
在一些实施例中，该第一电极131可以为阳极，此时，该第二电极132为阴极。在另一些实施例中，该第一电极131可以为阴极，此时，该第二电极132为阳极。
该发光器件13的发光原理为：通过阳极和阴极连接的电路，利用阳极向发光功能层133注入空穴，阴极向发光功能层133注入电子，所形成的电子和空穴在发光层中形成激子，激子通过辐射跃迁回到基态，发出光子。
如图1A所示，为了提高电子和空穴注入发光层的效率，该发光功能层133还可以包括：空穴传输层(Hole Transport Layer，HTL)133b、电子传输层(Electronic TransportLayer，ETL)133c、空穴注入层(Hole Injection Layer，HIL)133d和电子注入层(Electronic Injection Layer，EIL)133e中的至少一个。示例的，该发光功能层133可以包括设置于阳极和发光层133a之间的空穴传输层(HTL)133b，以及设置于阴极和发光层133a之间的电子传输层(ETL)133c。为了进一步提高电子和空穴注入发光层133a的效率，发光功能层133还可以包括设置于阳极和空穴传输层133b之间的空穴注入层(HIL)133d，以及设置于阴极和电子传输层133c之间的电子注入层(EIL)133e。
发光基板1上还可以设置连接各个发光器件13的驱动电路，驱动电路可以与控制电路连接，以根据控制电路输入的电信号，驱动各个发光器件13发光。该驱动电路可以为有源驱动电路或者无源驱动电路。
该发光基板1可以发白光、单色光(单一颜色的光)或颜色可调的光等。
在第一种示例中，该发光基板1可以发白光。此时，第一种情况，发光基板1包含的多个发光器件13(例如可以是全部的发光器件13)均发白光。此时，每个发光器件13中的发光层133a的材料可以包括红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料的混合材料。这时，可以通过驱动每个发光器件13发光，以实现发白光。第二种情况，如图1A所示，多个发光器件13包括发红色的光的发光器件13R，发绿色的光的发光器件13G和发蓝色的光的发光器件13B，其中，发光器件13R中的发光层133a的材料可以包括红色发光材料，发光器件13G中的发光层133a的材料可以包括绿色发光材料，发光器件13B中的发光层133a的材料可以包括蓝色发光材料。此时，可以通过控制发光器件13R、发光器件13G和发光器件13B发光的亮度，以使得发光器件13R、发光器件13G和发光器件13B实现混光，以使发光基板1呈现白光。
在该示例中，该发光基板1可用于照明，即可以应用于照明装置中。
在第二种示例中，该发光基板1可以发单色光。第一种情况，发光基板1包含的多个发光器件13(例如可以是全部的发光器件13)均发单色光(如红光)，此时，每个发光器件13中的发光层的材料包括红色发光材料。这时，可以通过驱动每个发光器件13发光，以实现发红光。第二种情况，该发光基板1与第一种示例中的第二种情况所描述的多个发光器件的结构相类似，此时，可以通过单独驱动发光器件13R、发光器件13G或发光器件13B实现单色发光。
在该示例中，该发光基板1可用于照明，即可以应用于照明装置中，也可以用于显示单一色彩的图像或画面，即可应用于显示装置中。
在第三种示例中，该发光基板1可以发颜色可调的光(即彩色光)，该发光基板1与第一种示例中的第二种情况所描述的多个发光器件的结构相类似的，通过对各个发光器件13的亮度进行控制，即可对该发光基板1发出的混合光的颜色和亮度进行控制，可实现彩色发光。
在该示例中，该发光基板可用于显示图像或画面，即可应用于显示装置中，当然，该发光基板也可以用于照明装置中。
在第三种示例中，以该发光基板1为显示基板为例，如全彩显示面板，如图1A和图1B所示，该发光基板1包括显示区A和设置于显示区A周边的周边区S。显示区A包括多个亚像素区Q’，每个亚像素区Q’对应一个开口Q，一个开口Q对应一个发光器件13，每个亚像素区Q’中设置有用于驱动对应的发光器件13发光的像素驱动电路200。周边区S用于布线，如连接像素驱动电路200的栅极驱动电路100。
当然，如图1C所示，该发光基板1的像素驱动电路200还可以为如图1C所示的3T1C的结构。
在一些实施例中，如图2A所示，多个发光器件包括：至少一个第一发光器件13a和至少一个第二发光器件13b。其中，至少一个第一发光器件13a可以是发红色的光的发光器件13R，至少一个第二发光器件13b可以是发绿色的光的发光器件13G。
至少一个第一发光器件13a包括：具有第一厚度d1的第一颜色发光层133a_1，至少一个第二发光器件13b包括具有第二厚度d2的第一颜色发光层133a_1，以及沿远离衬底11的方向依次层叠设置在第二发光器件13b所包含的第一颜色发光层133a_1上的第一材料层10和第二颜色发光层133a_2。也即，第一颜色发光层133a_1的材料为红色发光材料，第二颜色发光层133a_2的材料为绿色发光材料。
其中，第二厚度d2小于第一厚度d1，且在第二发光器件13b中，第一材料层10被配置为将从第一颜色发光层133a_1传输的空穴传输至第二颜色发光层133a_2，并对从第二颜色发光层133a_2传输的电子进行阻挡，或者，第一材料层10被配置为将从第一颜色发光层133a_1传输的电子传输至第二颜色发光层133a_2，并对从第二颜色发光层133a_2传输的空穴进行阻挡。
也即，在这些实施例中，第二发光器件13b所包含的第一颜色发光层133a_1的厚度小于第一发光器件13a所包含的第一颜色发光层133a_1的厚度。第一材料层10可以作为电子阻挡层或空穴阻挡层。
在一些实施例中，如图2A所示，至少一个第二发光器件13还包括：设置于第二发光器件13b所包含的第一颜色发光层133a_1靠近衬底11一侧的电子传输层133b，第一材料层10的材料包括具有电子传输功能的材料。也即该发光基板为“倒置”式发光基板。
在另一些实施例中，如图2A所示，至少一个第二发光器件13还包括：设置于第二发光器件13b所包含的第一颜色发光层133a_1靠近衬底11一侧的空穴传输层133c，第一材料层10的材料包括具有空穴传输功能的材料。也即该发光基板为“正置”式发光基板。
其中，上述电子传输层133b和空穴传输层133c可以为形成在第二发光器件所在区域的图案，也可以整层覆盖。
另外，上述电子传输层133b和空穴传输层133c可以与第二发光器件13b所包含的第一颜色发光层133a_1接触或间隔有其他图案(如在第二发光器件13b包括电子传输层133b的情况下，间隔有空穴阻挡层，在第二发光器件13b包括空穴传输层133c的情况下，间隔有电子阻挡层)。这里，以电子传输层133b和空穴传输层133c与各发光器件所包含的第一颜色发光层133a_1接触为例，在第二发光器件13b包括电子传输层133b，且电子传输层133b整层覆盖的情况下，该第一颜色发光层133a_1的前膜层20是电子传输层133b，在第二发光器件13b包括空穴传输层133c，且空穴传输层133c整层覆盖的情况下，该第一颜色发光层133a_1的前膜层20是空穴传输层133c。
这里，以第一发光器件13a和第二发光器件13b均为量子点发光器件为例，第一颜色发光层133a_1的材料可以包括第一量子点发光材料，如红色量子点发光材料，第二颜色发光层133a_2的材料可以包括第二量子点发光材料，如绿色量子点发光材料。在制作发光基板时，若通过直接对量子点发光材料进行曝光、显影的方式进行图案化，则在显影过程中，容易发生量子点发光材料在前膜层20如电子传输层133b或空穴传输层133c等上的残留，这可能是由于量子点发光材料与已经形成在衬底11上的电子传输层133b或空穴传输层133c等的材料的性质等不同所致。
当然，这里仅示出了量子点发光材料的前膜层20为电子传输层133b或空穴传输层133c的情形，本领域技术人员能够理解的是，量子点发光材料的前膜层20还可以为电子注入层133d或空穴注入层133e。
在此，以量子点发光材料的前膜层20为电子传输层133b为例，在制作时，首先在衬底11上依次形成多个阴极、电子注入层、电子传输层，其中，多个阴极可以间隔排列，分别一一对应地位于一个开口中，电子注入层和电子传输层均整层覆盖。接着，在形成有电子传输层133b的衬底11上，通过旋涂形成红色量子点发光材料的液膜，也即，将红色量子点发光材料分散或溶解于溶剂中，然后旋涂在衬底11上，这时，红色量子点发光材料的液膜在整个电子传输层上。而后，对红色量子点发光材料的液膜进行图案化，具体的，以红色量子点发光材料在紫外光的照射下改变溶解度为例，对红色量子点发光材料的液膜位于第一发光器件13a所在区域的部分进行紫外光照射，使红色量子点发光材料的液膜位于第一发光器件13a所在区域的部分不被溶解掉，这样，在后续显影过程中利用合适的溶剂将红色量子点发光材料位于第一发光器件13a所在区域以外的部分溶解即可，然而，在实际溶解过程中，红色量子点发光材料位于第一发光器件13a所在区域以外的部分并不能被完全溶解掉，而是在第一发光器件13a所在区域以外的区域形成残留。
其中，在一些实施例中，如图2A所示，第一厚度d1为20nm～50nm，第二厚度d2为5nm～15nm。也即，图2A示出了红色量子点发光材料位于第一发光器件所在区域的部分的厚度为20nm～50nm，残留的红色量子点发光材料的厚度为5nm～15nm的情形。
这样，在未设置第一材料层10的情况下，在后续制作第二发光器件13b所包含的绿色量子点发光图案时，就会在第二发光器件13b所在区域形成残留的红色量子点发光材料和绿色量子点发光材料叠加的结构，在发光时，电子和空穴的复合区域部分落在残留的红色量子点发光材料所在区域，造成残留的红色量子点发光材料发光，造成混色现象，不利于发光器件中色纯度的提高。
其中，残留的红色量子点发光材料发光，主要有两种可能的发光机制，第一种，电子和空穴直接在残留的红色量子点发光材料中复合而进行发光，第二种，电子和空穴在绿色量子点发光材料中复合，然后通过能量转移，使残留的红色量子点发光材料中的电子和空穴发光。
这里，根据以上发光器件的阳极和阴极的位置，发光器件13可以分为“正置”式发光器件和“倒置”式发光器件。对于“正置”式发光器件而言，阳极相对于阴极更靠近衬底11，而对于“倒置”式发光器件而言，阴极相对于阳极更靠近衬底11。
在发光器件为“正置”式发光器件的情况下，根据电子和空穴传输是否平衡，电子和空穴的复合区域的分布可以有两种可能的情况，第一种情况，电子和空穴传输平衡，电子和空穴的复合区域可以落在残留的红色量子点发光材料和绿色量子点发光材料叠加的结构中，造成电子和空穴中的一部分在残留的红色量子点发光材料中复合发光，另一部分在绿色量子点发光材料中复合发光。第二种情况，电子和空穴传输不平衡，这时，有两种可能的情形，第一种情形，电子传输速度大于空穴传输速度，电子和空穴的复合区域会向残留的红色量子点发光材料中偏移，造成大部分的电子和空穴在残留的红色量子点发光材料中复合发光，少部分的电子和空穴在绿色量子点发光材料中复合发光。第二种情形，空穴传输速度大于电子传输速度，电子和空穴的复合区域会向绿色量子点发光材料中偏移，造成大部分的电子和空穴在绿色量子点发光材料中复合发光，少部分的电子和空穴在残留的红色量子点发光材料中复合发光。
在发光器件为“倒置”式发光器件的情况下，电子和空穴的复合区域的分布可以参照对上述发光器件为“正置”式发光器件相类似的分析过程。不同的是，与上述发光器件为“正置”式发光器件相比，“倒置”式发光器件的电子从下往上传输，空穴从上往下传输，这时，在电子传输速度大于空穴传输速度的情况下，电子和空穴的复合区域会向绿色量子点发光材料中偏移，造成大部分的电子和空穴在绿色量子点发光材料中复合发光，少部分的电子和空穴在残留的红色量子点发光材料中复合发光。而在空穴传输速度大于电子传输速度，电子和空穴的复合区域会向残留的红色量子点发光材料中偏移，造成大部分的电子和空穴在残留的红色量子点发光材料中复合发光，少部分的电子和空穴在绿色量子点发光材料中复合发光。
由此可见，在上述发光器件未设置第一材料层10的情况下，无论该发光器件是“正置”式发光器件还是“倒置”式发光器件，都或多或少存在空穴和电子在残留的红色量子点发光材料中发光的情况，从而造成混色。
在本公开的实施例中，在发光器件为“正置”式发光器件的情况下，通过在残留的红色量子点发光材料和绿色量子点发光材料之间插入第一材料层10，该第一材料层10可以被配置为将从残留的红色量子点发光材料传输的空穴传输给绿色量子点发光材料，并对从绿色量子点发光材料传输的电子进行阻挡，一方面，第一材料层10可以对第二发光器件13b中的空穴进行传输，并对第二发光器件13b中的电子进行阻挡，从而可以改变空穴和电子在第二发光器件13b中的复合区域，如将本身在残留的红色量子点发光材料中复合的空穴和电子转移到绿色量子点发光材料中进行复合，从而可以避免残留的红色量子点发光材料发光。另一方面，通过对第二发光器件13b中的电子进行阻挡，还可以将电子限制在绿色量子点发光材料中，避免电子直接传输到残留的红色量子点发光材料中与空穴复合进行发光，提高绿色量子点发光材料的发光效率。另外，通过设置第一材料层10，还能够避免绿色量子点发光材料和残留的红色量子点发光材料之间发生能量转移，从而能够从整体上降低残留的红色量子点发光材料的发光几率，降低混色所带来的显示不良。
反之，在发光器件为“倒置”式发光器件的情况下，通过在残留的红色量子点发光材料和绿色量子点发光材料之间插入第一材料层10，该第一材料层可以被配置为将从残留的红色量子点发光材料传输的电子传输给绿色量子点发光材料，并对从绿色量子点发光材料传输的空穴进行阻挡，同样能够将电子和空穴限制在绿色量子点发光材料中，与相关技术中电子和空穴在残留的红色量子点发光材料中复合发光相比，可以减少电子和空穴在残留的红色量子点发光材料中的复合几率，从而可以在降低残留的红色量子点发光材料的发光效率的同时，提高绿色量子点发光材料的发光效率，进而可以降低混色所带来的显示不良。
在一些实施例中，如图2A所示，在至少一个第二发光器件13b还包括电子传输层133b的情况下，第一材料层10的材料与电子传输层133b的材料不同。也即，第一材料层10的材料的能级与电子传输层133b的材料的能级不同，可以通过对第一材料层10的材料进行选择，以得到具有合适能级的第一材料层10，从而可以更好地起到传输电子阻挡空穴的作用。
在另一些实施例中，在至少一个第二发光器件13b还包括空穴传输层133c的情况下，第一材料层10的材料与空穴传输层133c的材料不同。也即，第一材料层10的材料的能级与空穴传输层133c的材料的能级不同，可以通过对第一材料层10的材料进行选择，以得到具有合适能级的第一材料层10，从而可以更好地起到传输空穴阻挡电子的作用。
在一些实施例中，第一材料层10可以通过至少一种电子传输材料在电磁辐射下制备获得，电子传输材料的结构通式如下式(I)所示：
Figure BDA0003264654480000171
其中，A选自三价的取代或未取代的吸电子基团中的任一种，B选自能够在电磁辐射下改变溶解度的基团，n为大于或等于1的整数，在A中，取代的取代基选自硝基、羟基和烷基中的任一种。
也即，在这些实施例中，第一材料层10作为空穴阻挡层。
吸电子基团是相对于给电子基团而言的，在半导体材料中，例如喹啉类基团、嘧啶类基团、咪唑类基团、三嗪类基团等都属于吸电子基团，而芳胺类基团、咔唑类基团、芴类基团等则都属于给电子基团。示例的，在一些实施例中，吸电子基团选自取代或未取代的苯并咪唑基。
B选自能够在电磁辐射下改变溶解度的基团，是指，B可以是任何能够在电磁辐射下发生物理或化学变化，使得该电子传输材料的溶解度发生变化的基团。
电磁波向空中发射或泄露的现象，叫电磁辐射，电磁波按照频率或波长分为不同类型，包括：无线电波，微波，太赫兹辐射，红外辐射，可见光，紫外光，X射线和伽玛射线等。这里的电磁辐射是指采用电磁波(可以是任意一个波段的电磁波)对电子传输材料进行辐照。
在一些实施例中，B可以为烯基、炔基、丙烯酸酯基和环氧基中的任一种。也即，B为可以在电磁辐射下发生交联反应的基团。这样，在电磁辐射下，可以使电子传输材料的分子交联成网状，从而可以改变该电子传输材料的溶解度。
其中，如下示出了烯基、炔基、环氧基和丙烯酸酯基的结构：
Figure BDA0003264654480000181
在上述烯基、炔基、环氧基和丙烯酸酯基所示结构中虚线表示与A连接的键。
示例的，电子传输材料可以为如下式所示的结构：
Figure BDA0003264654480000191
这里，还需要说明的是，在第一材料层10作为空穴阻挡层的情况下，该第一材料层10除需要满足以上结构式以外，还满足一定的能级要求，以更好地起到传输电子阻挡空穴的作用。
也即，在一些实施例中，第一材料层10、第一颜色发光层133a_1和第二颜色发光层133a_2之间的能级满足：第一材料层10的LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital，最低未占分子轨道)能级与第一颜色发光层133a_1的LUMO能级之差，以及第二颜色发光层133a_2的LUMO能级与第一材料层10的LUMO能级之差均小于或等于第一预设阈值，如0.3eV，第二颜色发光层133a_2的HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital，最高已占分子轨道)能级与第一材料层10的HOMO能级之差大于第二预设阈值，如0.3eV。
在另一些实施例中，在第一材料层10可以通过至少一种空穴传输材料在电磁辐射下制备获得；空穴传输材料的结构通式如下式(II)所示：
Figure BDA0003264654480000192
其中，C选自三价的取代或未取代的给电子基团中的任一种，D选自能够在电磁辐射下改变溶解度的基团，n为大于或等于1的整数，在C中，取代的取代基选自硝基、羟基和烷基中的任一种。
也即，在这些实施例中，第一材料层10作为电子阻挡层。
其中，给电子基团可以参照上述描述，在此不再赘述。
在一些实施例中，给电子基团可以为取代或未取代的三苯胺基、二苯胺基、咔唑基和芴基中的任一种。
与上述相类似地，D选自能够在电磁辐射下改变溶解度的基团，是指，D可以是任何能够在电磁辐射下发生物理或化学变化，使得该空穴传输材料的溶解度发生变化的基团。
电磁波向空中发射或泄露的现象，叫电磁辐射，电磁波按照频率或波长分为不同类型，包括：无线电波，微波，太赫兹辐射，红外辐射，可见光，紫外光，X射线和伽玛射线等。这里的电磁辐射是指采用电磁波(可以是任意一个波段的电磁波)对空穴传输材料进行辐照。
示例的，D可以选自烯基、炔基、丙烯酸酯基和环氧基中的任一种。也即，D为可以在电磁辐射下发生交联反应的基团。这样，在电磁辐射下，可以使空穴传输材料的分子交联成网状，从而可以改变该空穴传输材料的溶解度。
其中，如下示出了三苯胺、二苯胺、咔唑和芴的结构：
Figure BDA0003264654480000201
Figure BDA0003264654480000211
示例的，空穴传输材料可以为如下式所示的结构：
Figure BDA0003264654480000212
这里，还需要说明的是，在第一材料层10作为电子阻挡层的情况下，该第一材料层10除需要满足以上条件以外，还可以满足一定的能级要求，以更好地起到传输电子阻挡空穴的作用。
示例的，在第一材料层10作为电子阻挡层的情况下，第一材料层10、第一颜色发光层133a_1和第二颜色发光层133a_2的能级之间满足：第一材料层10的HOMO能级与第一颜色发光层133a_1的HOMO能级之差，以及第二颜色发光层133a_2的HOMO能级与第一材料层10的HOMO能级之差均小于或等于第三预设阈值，如0.3eV，第一材料层10的LUMO能级与第二颜色发光层133a_2的LUMO能级之差大于第四预设阈值，如0.3eV。
另外，还需要说明的是，为了对上面所列举的结构式进行充分说明，上面几种结构式的制备方法可以见文末所示的示例。
在一些实施例中，如图2A所示，第二颜色发光层133a_2仅设置在第二发光器件13b所在区域，或者，如图2B所示，第二颜色发光层133a_2包括设置在第二发光器件13b所在区域的第一部分133a_21和设置在第一发光器件13a所在区域的第二部分133a_22，且第二部分133a_22位于第一发光器件所包含的第一颜色发光层133a_1之上，并与第一颜色发光层133a_1接触，其中，第一部分133a_21具有第三厚度d3，第二部分133a_22具有第四厚度d4，第四厚度d4小于第三厚度d3。
在这些实施例中，在第二颜色发光层133a_2仅设置在第二发光器件13b所在区域的情况下，第二颜色发光层133a_2在第一发光器件13a所在区域无覆盖，这可能是由于第二颜色发光层133a_2的材料和第一颜色发光层133a_1的材料性质比较相近所导致的，如第一颜色发光层133a_1的材料和第二颜色发光层133a_2的材料可以均为量子点发光材料，在制作时，与上述第一颜色发光层133a_1的制备方法类似，不同的是，在通过溶解去除第二颜色发光层133a_2位于第一发光器件13a所在区域的部分的情况下，由于第二颜色发光层133a_2相对于第一颜色发光层133a_1而言，与其前膜层20的材料性质接近，因此，通过选择合适的溶剂，即可将第二颜色发光层133a_2去除完全，从而可以达到使第二颜色发光层133a_2在第一发光器件13a所在区域无覆盖的目的。
同理，通过对溶剂进行选择，还可以对第二颜色发光层133a_2在第一发光器件13a所在区域的部分(也即第二部分133a_22)的厚度进行控制，如使得第二部分133a_22具有第四厚度d4，第四厚度d4小于第三厚度d3，而本领域技术人员能够理解的是，在第二颜色发光层133a_2在第一发光器件13a所在区域形成残留的情况下，为了防止第二颜色发光层133a_2在第一发光器件13a所在区域发光，可选的，第四厚度d4为不对显示产生影响的厚度。
示例的，在一些实施例中，第四厚度d4小于第二厚度d2。
具体的，如图2B所示，第三厚度d3为20nm～50nm，第四厚度d4小于5nm。
另外，在第二颜色发光层133a_2仅设置在第二发光器件13b所在区域的情况下，第二颜色发光层133a_2的厚度可以为20nm～50nm。
在一些实施例中，如图2A和图2B所示，多个发光器件13还包括：至少一个第三发光器件13c。至少一个第三发光器件13c包括：具有第五厚度d5的第一颜色发光层133a_1，以及沿远离衬底11的方向依次层叠设置于第三发光器件13c所包含的第一颜色发光层133a_1之上的第二材料层30和第三颜色发光层133a_3。其中，第五厚度d5小于第一厚度d1，且在第三发光器件13c中，第二材料层30被配置为将从第一颜色发光层133a_1传输的空穴传输至第三颜色发光层133a_3，并对从第三颜色发光层133a_3传输的电子进行阻挡，或者，第二材料层30被配置为将从第一颜色发光层133a_1传输的电子传输至第三颜色发光层133a_3，并对从第三颜色发光层133a_2传输的空穴进行阻挡。
在这些实施例中，在上述至少一个第一发光器件13a是发红色的光的发光器件13R，至少一个第二发光器件13b是发绿色的光的发光器件13G的情况下，至少一个第三发光器件13c可以是发蓝色的光的发光器件13B。这里仅是示例，本领域技术人员能够理解的是，第一发光器件13a、第二发光器件13b和第三发光器件13c可以分别为发任意颜色的光的发光器件。如第一发光器件13a可以是发蓝色的光的发光器件，第二发光器件13b可以是发黄色的光的发光器件，第三发光器件13c可以是发红色的光的发光器件。
另外，第三发光器件13c所包含的第一颜色发光层133a_1的厚度小于第一发光器件13a所包含的第一颜色发光层133a_1的厚度。第二材料层30可以作为电子阻挡层或空穴阻挡层。
这里，仍然以第一发光器件13a、第二发光器件13b和第三发光器件13c均为量子点发光器件为例，第一颜色发光层133a_1的材料可以包括第一量子点发光材料，如红色量子点发光材料，第二颜色发光层133a_2的材料可以包括第二量子点发光材料，如绿色量子点发光材料，第三颜色发光层133a_3的材料可以包括第三量子点发光材料，如蓝色量子点发光材料。
也即，在这些实施例中，与上述第一材料层10相类似地，通过在第一颜色发光层133a_1和第三颜色发光层133a_3之间插入第二材料层30，第二材料层30可以起到与第一材料层10相同的作用，具体可参照第一材料层10的描述，在此不再赘述。
在一些实施例中，如图2C所示，第二材料层30和第一材料层10连接为连续的结构。也即，第二材料层30和第一材料层10的材料相同，且连接为一体结构，此时，第一材料层10和第二材料层30可以通过同一次图案化工艺形成，也即，在形成第二颜色发光层133a_2之前，形成第一材料层10和第二材料层30，可以节省制备工艺，减少掩膜板的使用。
这里，需要说明的是，在第一材料层10的材料和第二材料层30的材料相同的情况下，第一材料层10不仅要与第一颜色发光层133a_1和第二颜色发光层133a_2之间满足一定的能级关系，还要与第三颜色发光层133a_3之间满足一定的能级关系。
具体的，在第一材料层10作为空穴阻挡层的情况下，第一材料层的LUMO能级与第一颜色发光层的LUMO能级之差，以及第二颜色发光层的LUMO能级与第一材料层的LUMO能级之差均小于或等于第一预设阈值，如0.3eV，第二颜色发光层的HOMO能级与第一材料层的HOMO能级之差大于第二预设阈值，如0.3eV。同时，第三颜色发光层的LUMO能级与第一材料层的LUMO能级之差均小于或等于第五预设阈值，如0.3eV，第三颜色发光层的HOMO能级与第一材料层的HOMO能级之差大于第六预设阈值，如0.3eV。
在第一材料层10作为电子阻挡层的情况下，第一材料层的HOMO能级与第一颜色发光层的HOMO能级之差，以及第二颜色发光层的HOMO能级与第一材料层的HOMO能级之差均小于或等于第三预设阈值，如0.3eV，第一材料层的LUMO能级与第二颜色发光层的LUMO能级之差大于第四预设阈值，如0.3eV。同时，第三颜色发光层的HOMO能级与第一材料层的HOMO能级之差均小于或等于第七预设阈值，如0.3eV，第一材料层的LUMO能级与第三颜色发光层的LUMO能级之差大于第八预设阈值，如0.3eV。
在另一些实施例中，第一材料层10的材料和第二材料层30的材料不同。也即，第一材料层10和第二材料层30可以通过不同的图案化工艺形成。
这时，第二材料层30的材料可以包括至少一种电子传输材料，或者第二材料层30的材料可以包括至少一种空穴传输材料。
电子传输材料的结构通式可以如式(I)所示，空穴传输材料的结构通式可以如式(II)所示。具体可参照上述对式(I)和式(II)的描述。与上述第一材料层10的材料不同的是，第二材料层10的材料可以通过改变式(I)或式(II)中的取代基等得到，以使得第二材料层30的能级与第一材料层10的能级不同。
在一些实施例中，如图2B所示，在第二颜色发光层133a_2包括第一部分133a_21和第二部分133a_22的情况下，第二颜色发光层133a_2还包括设置在第三发光器件13c所在区域的第三部分133a_23。具体制备方法可以参照上述第二颜色发光层133a_2的制备方法，不同的是，第二颜色发光层133a_2除在第一发光器件13a所在区域形成残留之外，还在第三发光器件13c所在区域形成残留。
这时，第三部分133a_23在第三发光器件13c所在区域的位置有两种情况，第一种情况，如图2B所示，第二材料层30的材料和第一材料层10的材料不同，也即，可以在形成第二颜色发光层133a_2之后，再形成第二材料层30，在此情况下，第二颜色发光层133a_2设置在第三发光器件13c所在区域的部分(也即第三部分133a_23)可以位于第二材料层30和第一颜色发光层133a_1之间。这时，第三部分133a_23的厚度d6小于第二厚度d2。与上述第四厚度d4小于第二厚度d2的原因类似，也即，第二颜色发光层133a_2的材料和第一颜色发光层133a_1的材料之间的性质较为相近，从而可以通过选择合适的溶剂将第二颜色发光层133a_2设置在第三发光器件13c所在区域的部分溶解至只有少量残留的程度，从而可以使第三部分133a_23的厚度小于第二厚度d2。
第二种情况，如图2C和2D所示，第二材料层30和第一材料层10连接为连续的结构，也即，在形成第二颜色发光层133a_2之前，通过同一次图案化工艺形成第一材料层10和第二材料层30，在此情况下，如图2C所示，第二颜色发光层133a_2设置在第三发光器件13c所在区域的部分(也即第三部分133a_23)位于第二材料层30和第三颜色发光层133a_3之间。这时，第三部分133a_23的厚度可以与第一颜色发光层133a_1设置在第二发光器件13b所在区域的部分的厚度(也即第二厚度d2)大致相同。也即，与相邻的两个材料层的材料均为量子点发光材料相比，第二颜色发光层133a_2的材料与第二材料层30的材料之间的性质相差较大，从而会使第二颜色发光层133a_2在第二材料层30上形成较大的残留，也即第三部分133a_23的厚度大于第二部分133a_22的厚度。
当然，这是第二颜色发光层133a_2在第一发光器件13a所在区域形成残留的情形，需要说明的是，根据第二颜色发光层133a_2也可以在第一发光器件13a所在区域无覆盖，可以得知，该发光基板还可以为如图2D所示结构，这时，第二颜色发光层133a_2仅包括设置在第二发光器件13b所在区域的第一部分133a_21和设置在第三发光器件13c所在区域的第三部分133a_23。
在一些实施例中，如图2C和图2D所示，在第三部分133a_23位于第二材料层30和第三颜色发光层133a_3之间的情况下，第三发光器件13c还包括第三材料层40，第三材料层40位于第三部分133a_23和第三颜色发光层133a_3之间，第三材料层40被配置为将从第三部分133a_23传输的空穴传输至第三颜色发光层133a_3，并对从第三颜色发光层133a_3传输的电子进行阻挡，或者，第三材料层40被配置为将从第三部分133a_23传输的电子传输至第三颜色发光层133a_3，并对从第三颜色发光层133a_3传输的空穴进行阻挡。
在这些实施例中，通过在第三部分133a_23和第三颜色发光层133a_3之间插入第三材料层40，第三材料层40同样也可以作为电子阻挡层或空穴阻挡层，第三材料层40可以起到与第一材料层10和第二材料层30类似的作用，具体可参照第一材料层10的描述，在此不再赘述。
在一些实施例中，如图2A～图2D所示，第三颜色发光层133a_3仅设置在第三发光器件13c所在区域，或者，如图2E和图2F所示，第三颜色发光层133a_3包括设置在第三发光器件13c所在区域的第三部分133a_31，以及设置在第一发光器件13a所在区域的第四部分133a_32和设置在第二发光器件13b所在区域的第五部分133a_33，且第四部分133a_32位于第一发光器件13a所包含的第一颜色发光层133a_1或第二颜色发光层133a_2之上，且与第一颜色发光层133a_1或第二颜色发光层133a_2接触，第五部分133a_33位于第二发光器件13b所包含的第二颜色发光层133a_2之上，且与第二颜色发光层133a_2接触，第三部分133a_31具有第六厚度d7，第四部分133a_32和第五部分133a_33具有第七厚度d8，第七厚度d8小于第六厚度d7。
在这些实施例中，在第三颜色发光层133a_3仅设置在第三发光器件13a所在区域的情况下，第三颜色发光层133a_3在第一发光器件13a和第二发光器件13b所在区域均无覆盖，这可能是由于第三颜色发光层133a_3的材料与第一颜色发光层133a_1的材料和第二颜色发光层133a_1的材料性质比较相近所导致的，如第三颜色发光层133a_3的材料、第一颜色发光层133a_1的材料和第二颜色发光层133a_2的材料可以均为量子点发光材料，在制作时，各自的量子点发光材料发生电磁辐射的部分的溶解度相当，未发生电磁辐射的部分在相同性质的溶剂中的溶解度相当，这样，通过选择合适的溶剂对第三颜色发光层133a_3的量子点发光材料未发生电磁辐射的部分进行溶解，即可对第七厚度d8进行控制，达到使第三颜色发光层133a_3在第一发光器件13a和第二发光器件13b所在区域无覆盖或者仅有少量残留的目的。
本领域技术人员能够理解的是，在第三颜色发光层133a_3在第一发光器件13a和第二发光器件13b所在区域形成残留的情况下，为了防止第三颜色发光层133a_3在第一发光器件13a和第二发光器件13b所在区域发光，可选的，第七厚度d8为不对显示产生影响的厚度。
在一些示例中，如图2E和图2F所示，第六厚度d7为20nm～50nm，第七厚度d8小于5nm。
综上所述，通过在第一颜色发光层133a_1位于第二发光器件13b所在区域的部分和第二发光器件13b所包含的第二颜色发光层133a_2之间设置第一材料层10，并在第一颜色发光层133a_1位于第三发光器件13c所在区域的部分和第三发光器件13c所包含的第三颜色发光层133a_3之间设置第二材料层30，可以在第二发光器件13b所在区域的残留的第一颜色发光层133a_1和第二颜色发光层133a_2之间形成第一隔离层，在第三发光器件13c所在区域的残留的第一颜色发光层133a_1和第三颜色发光层133a_3之间形成第二隔离层，第一隔离层可以充当第二发光器件13b的电子阻挡层或空穴阻挡层，对第二发光器件13b中的电子和空穴的复合区域进行调节，避免电子和空穴在残留的第一颜色发光层133a_1中复合发光，从而可以起到防止混色的作用，第二隔离层同样可以充当第三发光器件13c的电子阻挡层或空穴阻挡层，对第三发光器件13c中的电子和空穴的复合区域进行调节，避免电子和空穴在残留的第一颜色发光层133a_1中复合发光，同样可以起到防止混色的作用。这样一来，在第一颜色发光层133a_1的材料为红色量子点发光材料，第二颜色发光层133a_2的材料为绿色量子点发光材料，第三颜色发光层133a_3的材料为蓝色量子点发光材料的情况下，可以在保证各个发光器件13具有较高的色纯度的情况下，实现全彩发光，从而可以提高色域。
需要说明的是，上述仅示出了第一颜色发光层133a_1、第一材料层10、第二材料层30、第二颜色发光层133a_2和第三颜色发光层133a_3等各自的设置区域的一种剖视图，本领域技术人员能够理解的是，在实际产品中，发光基板还包括像素界定层，因此，实际产品的剖视图可以如图3所示。在图3中，仅示出了第一材料层10、第二材料层30、第二颜色发光层133a_2和第三颜色发光层133a_3仅形成在开口Q中的结构，本领域技术人员能够理解的是，第一材料层10、第二材料层30、第二颜色发光层133a_2和第三颜色发光层133a_3还可以如图1A中第一颜色发光层133a_1、第二颜色发光层133a_2和第三颜色发光层133a_3所示，还包括形成在开口Q外的部分，这时，第一材料层10和第二颜色发光层133a_2所设置的区域即为第二发光器件13b所在区域，第二材料层30和第三颜色发光层133a_3所设置的区域即为第三发光器件13c所在区域。
本公开的一些实施例提供一种发光基板的制备方法，包括：
在衬底11上形成多个发光器件13。多个发光器件包括至少一个第一发光器件13a和至少一个第二发光器件13b。至少一个第一发光器件13a包括：具有第一厚度d1的第一颜色发光层133a_1，至少一个第二发光器件13b包括：具有第二厚度d2的第一颜色发光层133a_1，以及沿远离衬底11的方向依次层叠形成在第二发光器件13b所包含的第一颜色发光层133a_1上的第一材料层10和第二颜色发光层133a_2。其中，第二厚度d2小于第一厚度d1，且在第二发光器件13b中，第一材料层10被配置为将从第一颜色发光层133a_1传输的空穴传输至第二颜色发光层133a_2，并对从第二颜色发光层133a_2传输的电子进行阻挡，或者，第一材料层10被配置为将从第一颜色发光层133a_1传输的电子传输至第二颜色发光层133a_2，并对从第二颜色发光层133a_2传输的空穴进行阻挡。
其中，该衬底11可以为已经形成有像素驱动电路200、像素界定层12、多个第一电极131的衬底。
其中，第一电极131可以为阳极或阴极。在第一电极131为阳极的情况下，第一电极131的材料可以是透明氧化物半导体材料，例如ITO、ZnO等高功函数材料。在第一电极131为阴极的情况下，第一电极131的材料可以是Al、Ag等低功函数材料。
在衬底11上形成多个发光器件13，如图4A～图4K所示，可以包括：
S10、在形成有像素界定层的衬底11上形成空穴注入层133d或电子注入层133e，空穴注入层133d或电子注入层133e整层覆盖。
其中，在第一电极131为阳极的情况下，在形成有多个第一电极131的衬底11上形成空穴注入层133d，在第一电极131为阴极的情况下，在形成有多个第一电极131的衬底11上形成电子注入层133e。
空穴注入层133d或电子注入层133e可以通过蒸镀或旋涂形成。该空穴注入层133d的材料可以包括氧化镍纳米粒子。电子注入层133e的材料可以包括氧化锌纳米粒子。
S20、在形成有空穴注入层133d或电子注入层133e的衬底11上形成第一颜色发光层133a_1。
其中，如图4A所示，形成第一颜色发光层133a_1的步骤可以包括：
S201、在形成有空穴注入层133d或电子注入层133e的衬底11上形成第二薄膜300，第二薄膜300的材料包括第一量子点发光材料。
其中，第一量子点发光材料可以是具有可交联的配体(如A配体：R-2-氨基-3-(S-硫代丁基)丙酸)的量子点发光材料。A配体配位的量子点发光材料可以通过油酸配位的量子点发光材料通过配体交换反应制备获得。第一量子点发光材料示例的可以是红色量子点发光材料。
S202、对第二薄膜300位于第一发光器件13a所在区域的部分进行电磁辐射，改变第二薄膜300位于第一发光器件13a所在区域的部分的溶解度。
如在电磁辐射下，第二薄膜300位于第一发光器件13a所在区域的部分所包含的第一量子点发光材料交联成网状，从而改变第二薄膜300位于第一发光器件13a所在区域的部分的溶解度。
这里的电磁辐射是指采用电磁波对第二薄膜300位于第一发光器件13a所在区域的部分进行辐照。示例的，可以是采用紫外光对第二薄膜300位于第一发光器件13a所在区域的部分进行辐照，使第二薄膜300位于第一发光器件13a所在区域的部分所包含的第一量子点发光材料发生交联反应生成网状。而未被紫外光照射的部分所包含的第一量子点发光材料之间不发生交联，或者仅有少量发生交联。
S203、对第二薄膜300位于第一发光器件13a所在区域以外的部分进行溶解，得到第一发光器件13a所包含的具有第一厚度d1的第一颜色发光层133a_1和第二发光器件13b所包含的具有第二厚度d2的第一颜色发光层133a_1。
这里，可以根据发生交联反应后的第一量子点发光材料和未发生交联反应的第一量子点发光材料在溶剂中的溶解度不同，选择合适的溶剂将第二薄膜300位于第一发光器件13a所在区域以外的部分进行溶解掉。然而，通过实验发现，在此过程中，第二薄膜300位于第一发光器件13a所在区域以外的部分并不会被完全溶解掉，而是会在第一发光器件13a所在区域以外的部分形成残留，也即形成具有第二厚度d2的第一颜色发光层133a_1。
S30、在形成有第一颜色发光层133a_1的衬底11上形成第一材料层10。
其中，如图4B所示，形成第一材料层10的步骤包括：
S301、在形成有第一颜色发光层133a_1的衬底上形成第一薄膜400。
其中，该第一薄膜400的材料可以包括电子传输材料或空穴传输材料。
在第一电极为阳极的情况下，第一薄膜400的材料包括电子传输材料，在第一电极为阴极的情况下，第一薄膜400的材料包括空穴传输材料。
其中，由于上述第一材料层10仅设置在第二发光器件13b所在区域，因此，电子传输材料或空穴传输材料可以是通过在电磁辐射下可发生溶解度改变的材料，这样，可以根据后续改变溶解度的部分和未改变溶解度的部分的溶解度不同将未改变溶解度的部分去除完全。
在一些实施例中，电子传输材料的结构通式如下式(I)所示：
Figure BDA0003264654480000301
其中，A选自三价的取代或未取代的吸电子基团中的任一种，B选自能够在电磁辐射下改变溶解度的基团，n为大于或等于1的整数，在A中，取代的取代基选自硝基、羟基和烷基中的任一种。
其中，电子传输材料的具体结构可以参照上述对式(I)的描述，在此不再赘述。
在另一些实施例中，空穴传输材料的结构通式如下式(II)所示：
Figure BDA0003264654480000311
其中，C选自三价的取代或未取代的给电子基团中的任一种，D选自能够在电磁辐射下改变溶解度的基团，n为大于或等于1的整数，在C中，取代的取代基选自硝基、羟基和烷基中的任一种。
其中，空穴传输材料的具体结构可以参照上述对式(II)的描述，在此不再赘述。
S302、对第一薄膜400位于第二发光器件13b所在区域的部分进行电磁辐射，改变第一薄膜400位于第二发光器件13b所在区域的部分的溶解度。
如在电磁辐射下，第一薄膜400位于第二发光器件13b所在区域的部分所包含的电子传输材料或空穴传输材料交联成网状。
其中，电磁辐射的定义可以参照上述描述，在此不再赘述。
在一些实施例中，在第一薄膜400包括空穴传输材料的情况下，可以采用紫外光对第一薄膜400位于第二发光器件13b所在区域的部分进行照射，使第一薄膜400位于第二发光器件13b所在区域的部分所包含的空穴传输材料发生交联反应生成网状。而未被紫外光照射的部分所包含的空穴传输材料之间不发生交联，或者仅有少量发生交联。
在另一些实施例中，在第一薄膜400包括电子传输材料的情况下，可以采用紫外光对第一薄膜400位于第二发光器件13b所在区域的部分进行照射，使第一薄膜400位于第二发光器件13b所在区域的部分所包含的电子传输材料发生交联反应生成网状。而未被紫外光照射的部分所包含的电子传输材料之间不发生交联，或者仅有少量发生交联。
这里，仅示出了上述电子传输材料或空穴传输材料在紫外光照射下发生交联的情形，本领域技术人员能够理解的是，用其他波段的光照射发生交联的情形也在本公开的保护范围之内。
S303、对第一薄膜400位于第二发光器件13b所在区域以外的部分进行溶解，将第一薄膜400位于第二发光器件13b所在区域以外的部分去除，得到第一材料层10。
其中，在第一薄膜400包括空穴传输材料的情况下，可以采用第一溶剂对第一薄膜400位于第二发光器件13b所在区域以外的部分进行溶解，以将第一薄膜400位于第二发光器件13b所在区域以外的部分完全去除，得到第一材料层10。
在第一薄膜400包括电子传输材料的情况下，可以采用第二溶剂对第一薄膜400位于第二发光器件13b所在区域以外的部分进行溶解，以将第一薄膜400位于第二发光器件13b所在区域以外的部分完全去除，得到第一材料层10。
S40、在形成有第一材料层10的衬底11上形成第二颜色发光层133a_2。
其中，如图4C和图4D所示，形成第二颜色发光层133a_2的步骤可以包括：
S401、在形成有第一材料层10的衬底上形成第三薄膜500，第三薄膜500包括第二量子点发光材料。
其中，第二量子点发光材料可以是具有可交联的配体(如A配体：R-2-氨基-3-(S-硫代丁基)丙酸)的量子点发光材料。A配体配位的量子点发光材料可以通过油酸配位的量子点发光材料通过配体交换反应制备获得。第二量子点发光材料示例的可以是绿色量子点发光材料。
S402、对第三薄膜500位于第二发光器件13b所在区域的部分进行电磁辐射，改变第三薄膜500位于第二发光器件13b所在区域的部分的溶解度。
如在电磁辐射下，第三薄膜500位于第二发光器件13b所在区域的部分所包含的第二量子点发光材料交联成网状。
其中，电磁辐射的定义可以参照上述描述，在此不再赘述。
以第二量子点发光材料为A配体配位的绿色量子点发光材料为例，可以采用紫外光对第三薄膜500位于第二发光器件13b所在区域的部分进行照射，使第三薄膜500位于第二发光器件13b所在区域的部分所包含的第二量子点发光材料发生交联反应生成网状。而未被紫外光照射的部分所包含的第二量子点发光材料之间不发生交联，或者仅有少量发生交联。
S403、对第三薄膜500位于第二发光器件13b所在区域以外的部分进行溶解，使第三薄膜500在第二发光器件13b所在区域以外的区域无覆盖，或者，使第三薄膜500在第二发光器件13b所在区域以外的区域形成厚度小于5nm的残留部。
也即，在交联完成后，可以根据发生交联反应后的第二量子点发光材料和未发生交联反应的第二量子点发光材料在溶剂中的溶解度不同，选择合适的溶剂将第三薄膜500位于第二发光器件13b所在区域以外的部分进行溶解掉。这时，在溶解过程中发现，可能是因为第二颜色发光层133a_2的材料和第一颜色发光层133a_1的材料性质较为相近，在采用有机溶剂对第二颜色发光层133a_2设置在第二发光器件13b所在区域以外的部分进行溶解时，更有利于将第二颜色发光层133a_2设置在第二发光器件13b所在区域以外的部分去除掉，从而使得第二颜色发光层133a_2在第二发光器件13b所在区域无覆盖(如图4C中得到的结构所示)或者仅有少量的残留(如图4D中得到的结构所示)，且该残留不会对显示造成影响。
在一些实施例中，多个发光器件13还包括：至少一个第三发光器件13c，至少一个第三发光器件13c包括具有第五厚度d5的第一颜色发光层133a_1、以及沿远离衬底11的方向依次层叠设置于第三发光器件13c的第一颜色发光层133a_1之上的第二材料层30和第三颜色发光层133a_3。如图4E、4F和图4G所示，该制备方法还包括：
S50、在衬底11上依次形成第二材料层30和第三颜色发光层133a_3的步骤。
其中，在一些实施例中，第二材料层30的材料和第一材料层10的材料不同，如图4E所示，在衬底11上形成第二材料层30的步骤包括：
S501、在形成有第二颜色发光层133a_2的衬底11上形成第四薄膜600。
其中，第四薄膜600的材料可以包括电子传输材料或空穴传输材料。
在第一电极131为阳极的情况下，第四薄膜600的材料包括空穴传输材料，在第一电极131为阴极的情况下，第四薄膜600的材料包括电子传输材料。
其中，由于上述第二材料层30仅设置在第三发光器件13c所在区域，因此，电子传输材料或空穴传输材料可以是通过在电磁辐射下可发生溶解度改变的材料，这样，可以根据后续改变溶解度的部分和未改变溶解度的部分的溶解度不同将未改变溶解度的部分去除完全。
在一些实施例中，电子传输材料的结构通式如下式(I)所示：
Figure BDA0003264654480000341
其中，A选自三价的取代或未取代的吸电子基团中的任一种，B选自能够在电磁辐射下改变溶解度的基团，n为大于或等于1的整数，在A中，取代的取代基选自硝基、羟基和烷基中的任一种。
其中，电子传输材料的具体结构可以参照上述对式(I)的描述，在此不再赘述。
在另一些实施例中，空穴传输材料的结构通式如下式(II)所示：
Figure BDA0003264654480000342
其中，C选自三价的取代或未取代的给电子基团中的任一种，D选自能够在电磁辐射下改变溶解度的基团，n为大于或等于1的整数，在C中，取代的取代基选自硝基、羟基和烷基中的任一种。
其中，空穴传输材料的具体结构可以参照上述对式(II)的描述，在此不再赘述。
S502、对第四薄膜600位于第三发光器件13c所在区域的部分进行电磁辐射，改变第四薄膜600位于第三发光器件13c所在区域的部分的溶解度。
如在电磁辐射下，第四薄膜600位于第三发光器件13c所在区域的部分所包含的电子传输材料或空穴传输材料交联成网状。
具体的，在第四薄膜600包括空穴传输材料的情况下，可以采用紫外光对第四薄膜600位于第三发光器件13c所在区域的部分进行照射，使第四薄膜600位于第三发光器件13c所在区域的部分所包含的空穴传输材料发生交联反应生成网状。而未被紫外光照射的部分所包含的空穴传输材料之间不发生交联，或者仅有少量发生交联。
在另一些实施例中，在第四薄膜600包括电子传输材料的情况下，可以采用紫外光对第四薄膜600位于第三发光器件13c所在区域的部分进行照射，使第四薄膜600位于第三发光器件13c所在区域的部分所包含的电子传输材料发生交联反应生成网状。而未被紫外光照射的部分所包含的电子传输材料之间不发生交联，或者仅有少量发生交联。
S503、对第四薄膜600位于第三发光器件13c所在区域以外的部分进行溶解，将第四薄膜600位于第三发光器件13c所在区域以外的部分去除，得到第二材料层30。
其中，在第四薄膜600包括空穴传输材料的情况下，可以采用第三溶剂对第四薄膜600位于第三发光器件13c所在区域以外的部分进行溶解，以将第四薄膜600位于第三发光器件13c所在区域以外的部分完全去除，得到第二材料层30。
在第四薄膜600包括电子传输材料的情况下，可以采用第四溶剂对第四薄膜600位于第三发光器件13c所在区域以外的部分进行溶解，以将第四薄膜600位于第三发光器件13c所在区域以外的部分完全去除，得到第二材料层30。
在另一些实施例中，第二材料层30和第一材料层10连接成连续的结构。如图4F所示，在衬底11上形成第二材料层30的步骤包括：
在执行步骤S302)对第一薄膜400位于第二发光器件13b所在区域的部分进行电磁辐射的同时，还对第一薄膜400位于第三发光器件13c所在区域的部分进行电磁辐射，改变第一薄膜400位于第三发光器件13c所在区域的部分的溶解度。从而可以在执行步骤S303)将第一薄膜400位于第二发光器件13b所在区域以外的部分去除时，得到该第一材料层10和该第二材料层30。
在这些实施例中，第二材料层30与第一材料层10通过同一次图案化工艺形成，可以节省掩膜板的数量。
基于以上结构，在一些实施例中，如图4G和图4H所示，在衬底11上形成第三颜色发光层133a_3的步骤包括：
S504、在形成有第二材料层30的衬底上形成第五薄膜700，第五薄膜700包括第三量子点发光材料。
其中，第三量子点发光材料可以是具有可交联的配体(如A配体：R-2-氨基-3-(S-硫代丁基)丙酸)的量子点发光材料。A配体配位的量子点发光材料可以通过油酸配位的量子点发光材料通过配体交换反应制备获得。第三量子点发光材料示例的可以是蓝色量子点发光材料。
S505、对第五薄膜700位于第三发光器件13c所在区域的部分进行电磁辐射，改变第五薄膜700位于第三发光器件13c所在区域的部分的溶解度。
如在电磁辐射下，第五薄膜700位于第三发光器件13c所在区域的部分所包含的第三量子点发光材料交联成网状。
其中，电磁辐射的定义可以参照上述描述，在此不再赘述。
以第三量子点发光材料为A配体配位的蓝色量子点发光材料为例，可以采用紫外光对第五薄膜700位于第三发光器件13c所在区域的部分进行照射，使第五薄膜700位于第三发光器件13c所在区域的部分所包含的第三量子点发光材料发生交联反应生成网状。而未被紫外光照射的部分所包含的第三量子点发光材料之间不发生交联，或者仅有少量发生交联。
S506、对第五薄膜700位于第三发光器件13c所在区域以外的部分进行溶解，使第五薄膜700在第三发光器件13c所在区域以外的区域无覆盖(如图4G中得到的结构所示)，或者，使第五薄膜700在第三发光器件13c所在区域以外的区域形成厚度小于5nm的残留部(如图4H中得到的结构所示)。
也即，在交联完成后，可以根据发生交联反应后的第三量子点发光材料和未发生交联反应的第三量子点发光材料在溶剂中的溶解度不同，选择合适的溶剂将第五薄膜700位于第三发光器件13c所在区域以外的部分进行溶解掉。这时，可能是因为第三颜色发光层133a_3的材料与第一颜色发光层133a_1的材料和第二颜色发光层133a_2的材料性质较为相近，在采用有机溶剂对第三颜色发光层133a_3形成在第三发光器件13c所在区域以外的部分进行溶解时，更有利于将第三颜色发光层133a_3形成在第三发光器件13c所在区域以外的部分去除掉，从而使得第三颜色发光层133a_3在第三发光器件13c所在区域无覆盖或者仅有少量的残留，且该残留不会对显示造成影响。
在此，需要说明的是，若第二材料层30与第一材料层10连接为连续的结构，则在步骤S403中，由于第二颜色发光层133a_2与第二材料层30的材料性质的差异，使得第二颜色发光层133a_2在第二材料层30上形成残留，从而得到如图4I中步骤S403所示的结构。而与第二材料层30不同的，由于第二颜色发光层133a_2和第一颜色发光层133a_1的材料相近，因此，如图4I中步骤S403所示，第二颜色发光层133a_2在第一发光器件13a所在区域无覆盖，或者，如图4J中步骤S403所示，第二颜色发光层133a_2在第一发光器件13a所在区域形成残留，且第二颜色发光层133a_2位于第一发光器件13a所在区域的残留部的厚度小于第二颜色发光层133a_2位于第三发光器件13c所在区域的残留部的厚度。
有两种可能的情形，第一种情形，如图4I中S403得到的结构所示，第二颜色发光层133a_2仅设置在第二发光器件13b所在区域，这时，若直接使第三颜色发光层133a_3设置在第二材料层30上，则可以避免第一颜色发光层133a_1设置在第三发光器件13c所在区域的部分发光而产生混色。第二种情形，如图4J中S403得到的结构所示，第二颜色发光层133a_2还设置在第三发光器件13c所在区域，这时，若直接在第二颜色发光层133a_2设置在第三发光器件13c所在区域的部分上形成第三颜色发光层133a_3，则第三颜色发光层133a_3与第二颜色发光层133a_2设置在第三发光器件13c所在区域的部分直接接触，虽然能够避免第一颜色发光层133a_1设置在第三发光器件13c所在区域的部分发光而产生混色，但是，若第二颜色发光层133a_2设置在第三发光器件13c所在区域的部分发光，则仍然会产生混色。
基于此，在一些实施例中，在第二颜色发光层133a_2还包括形成在第三发光器件13c所在区域的残留部(也即第二颜色发光层133a_2设置在第三发光器件13c所在区域的部分)，且第二颜色发光层133a_2形成在第三发光器件13c所在区域的残留部位于第二材料层30和第三颜色发光层133a_3之间的情况下，第三发光器件13c还包括设置于第二材料层30和第三颜色发光层133a_3之间的第三材料层40；此时，制备方法还包括：
在形成第三颜色发光层133a_3的步骤之前，S60、形成第三材料层40。
其中，如图4K所示，形成第三材料层40的步骤包括：
S601、在形成有第二颜色发光层133a_2的衬底上形成第六薄膜800。
其中，第六薄膜800的材料包括电子传输材料或空穴传输材料。
其中，与上述相类似地，在第一电极131为阳极的情况下，第六薄膜800的材料包括空穴传输材料，在第一电极131为阴极的情况下，第六薄膜800的材料包括电子传输材料。
其中，由于上述第三材料层40仅设置在第三发光器件13c所在区域，因此，电子传输材料或空穴传输材料可以是通过在电磁辐射下可发生溶解度改变的材料，这样，可以根据后续改变溶解度的部分和未改变溶解度的部分的溶解度不同将未改变溶解度的部分去除完全。
在一些实施例中，电子传输材料的结构通式如下式(I)所示：
Figure BDA0003264654480000381
其中，A选自三价的取代或未取代的吸电子基团中的任一种，B选自能够在电磁辐射下改变溶解度的基团，n为大于或等于1的整数，在A中，取代的取代基选自硝基、羟基和烷基中的任一种。
其中，电子传输材料的具体结构可以参照上述对式(I)的描述，在此不再赘述。
在另一些实施例中，空穴传输材料的结构通式如下式(II)所示：
Figure BDA0003264654480000391
其中，C选自三价的取代或未取代的给电子基团中的任一种，D选自能够在电磁辐射下改变溶解度的基团，n为大于或等于1的整数，在C中，取代的取代基选自硝基、羟基和烷基中的任一种。
其中，空穴传输材料的具体结构可以参照上述对式(II)的描述，在此不再赘述。
S602、对第六薄膜800位于第三发光器件13c所在区域的部分进行电磁辐射，改变第六薄膜800位于所述第三发光器件13c所在区域的部分的溶解度。
如在电磁辐射下，第六薄膜800位于所述第三发光器件13c所在区域的部分所包含的电子传输材料或空穴传输材料交联成网状。
这里，需要说明的是，由于第六薄膜800所包括的材料和第一薄膜400所包括的材料基本相同，因此，对第六薄膜800位于第三发光器件13c所在区域的部分进行电磁辐射可以参照上述对第一薄膜400位于第二发光器件13b所在区域的部分进行电磁辐射的描述，在此不再赘述。
S603、对第六薄膜800位于第三发光器件13c所在区域以外的部分进行溶解，将第六薄膜800位于第三发光器件13c所在区域以外的部分去除，得到第三材料层40。
具体也可参照上述对第一薄膜400位于第二发光器件13b所在区域以外的部分进行溶解的描述，在此不再赘述。
另外，在制备完第三材料层40之后，形成第三颜色发光层133a_3，得到如图4L、图4M和图4N所示的结构。该步骤可以参照上述在形成有第二材料层30的衬底11上形成第三颜色发光层133a_3的描述，在此不再赘述。
S70、在形成有第三颜色发光层133a_3的衬底11上形成电子传输层133c或空穴传输层133b。
其中，在第一电极131为阳极的情况下，形成电子传输层133c，在第一电极131为阴极的情况下，形成空穴传输层133b。
S80、在形成有电子传输层133c或空穴传输层133b的衬底11上形成电子注入层133c或空穴注入层133b。
其中，在第一电极131为阳极的情况下，形成电子注入层133c，在第一电极为阴极的情况下，形成空穴注入层133b。
S90、在形成有电子注入层133c或空穴注入层133b的衬底11上形成第二电极132。第二电极132可以整层覆盖。
其中，在第一电极131为阳极的情况下，第二电极132为阴极，在第一电极131为阴极的情况下，第二电极132为阳极。
当然，还可以包括形成封装层。该封装层的材料可以为紫外固化胶，在紫外光激发下，使紫外固化胶固化对发光器件进行封装。
其中，上述仅是以在空穴注入层133d或电子注入层133e的衬底11上形成量子点发光材料进行的示例，本领域技术人员能够理解的是，在形成空穴注入层133或电子注入层133e之后，在形成量子点发光材料之前，也可以形成空穴传输层133b或电子传输层133c，通过选择合适的材料作为第一材料层10和第二材料层30均能够达到相同的技术效果，在此不再赘述。
其中，空穴传输层133b的材料可以选自TFB(Poly(9,9-dioctylfluorene-co-N-(4-butylphenyl)diphenylamine)，聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺))、NPB(N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)benzidine，N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4'-二胺)、2,4,6-三[3-(二苯基膦氧基)苯基]-1,3,5-三唑，4,4’,4”–三[N-(萘-2-基)-N-苯基-氨基)]三苯胺，三[2,4,6-三甲基-3-(3-吡啶基)苯基]硼烷和4,6-双(3,5-二(3-吡啶)基苯基)-2-甲基嘧啶中的任一种或多种。电子传输层133c的材料可以选自氧化镁锌、氧化镓锌和氧化镁铝锌中的任意一种。
另外，上述所述的量子点发光材料中的量子点通常为半导体纳米晶体，形成该半导体纳米晶体的半导体可以包括IV族元素，II-VI族化合物，II-V族化合物，III-VI族化合物，III-V族化合物，IV-VI族化合物，III族化合物。II-IV-VI族化合物，II-IV-V族化合物，包括前述任一项的合金和/或包括前述任一项的混合物，包括三元和四元混合物或合金。其中，量子点发光材料也可以为核壳结构。
可选的，每个配位基团M选自含硫基团、含氮基团和含氧基团中的一种。示例性的，每个配位基团可以为巯基、氨基或羟基等。
示例性的，该量子点发光材料中的量子点包括ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、HgTe、InP、CuInS、CuInSe、CuInSeS和AgInS中的一种或多种。
可选的，该量子点发光材料中的量子点还可以具有核壳结构。其中，核可以包括ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、HgTe、InP、CuInS、CuInSe、CuInSeS和AgInS中的一种或多种。壳可以是具有与核的组成不同的半导体材料，包裹在核的外部。示例性的，在本实施例中，具有核壳结构的量子点包括CdS/ZnS、CdSe/ZnS、CdSe/ZnSeS、CdSe/CdS、ZnSe/ZnS、InP/ZnS、CuInS/ZnS、(Zn)CuInS/ZnS、(Mn)CuInS/ZnS、AgInS/ZnS、(Zn)AgInS/ZnS、CuInSe/ZnS、CuInSeS/ZnS或者PbS/ZnS等。此处，需要说明的是，“/”前为核，“/”后为壳。
在有一些实施例中，该量子点发光材料中的量子点还可以具有配体。此时，该配体与量子点结合。
在本实施例中，该量子点的表面可以具有缺陷位点或者有配体未覆盖的地方，以便于配位基团M与该量子点进行配位。
基于以上具体实施方式，为了对本公开提供的技术方案的技术效果进行客观评价，以下，将对比例和实验例对本公开提供的技术方案进行详细地示例性地描述。
在以下的对比例和实验例中，红色量子点发光材料、绿色量子点发光材料和蓝色量子点发光材料的量子点均为硒化镉/硫化锌核壳结构，配体为A配体(也即R-2-氨基-3-(S-硫代丁基)丙酸)为例进行说明。各量子点发光材料均通过配体交换反应获得，具体的，取1mL原始配体为油酸的量子点发光材料(浓度为20mg/ml)的辛烷溶液，吹干溶剂后用氯仿溶解并向其中加入0.33ml A配体(R-2-氨基-3-(S-硫代丁基)丙酸)，室温下(25℃～35℃)搅拌4小时完成配体交换，之后使用8ml甲醇对量子点发光材料进行沉淀，离心后弃去上清液；使用1ml氯仿溶解量子点发光材料，加入8ml甲醇对其进行沉淀，离心后丢弃上清液，80℃真空抽干后得到量子点发光材料的粉末。将量子点发光材料的粉末溶于甲苯中配制成浓度为5mg/ml的溶液，即得各量子点发光材料的溶液。
对比例1
对比例1制备的是“正置”式底发射型发光基板，具体制备方法如下：
步骤1)在ITO(Indium Tin Oxides，氧化铟锡)基板(形成有ITO电极(作为阳极)的衬底)上，在空气中旋涂氧化镍纳米粒子(旋涂的转速2000rpm，时间30s，氧化镍纳米粒子的浓度25mg/ml)，120℃退火5min，在ITO基板上形成空穴注入层。
步骤2)在空气中旋涂红色量子点发光材料的溶液(旋涂的转速3000rpm，时间30s)，其中加入5％wt的2,4-双(三氯甲基)-6-对甲氧基苯乙烯基-S-三嗪作为光致生酸剂，完成旋涂后UV(ultraviolet，紫外线)曝光150mj(曝光时采用的能量是150mj)，曝光完后使用氯仿对膜层进行显影，显影完成后120℃退火20min，形成红色量子点膜层(HOMO为-5.9ev左右，LUMO为-3.9ev左右)，红色量子点膜层在发红光的发光器件所在区域的厚度为20nm，在发绿色的光的发光器件和发蓝色的光的发光器件所在区域的厚度为10nm。
步骤3)在空气中旋涂绿色量子点发光材料的溶液(旋涂的转速3000rpm，时间30s)，其中加入5％wt的2,4-双(三氯甲基)-6-对甲氧基苯乙烯基-S-三嗪作为光致生酸剂，完成旋涂后UV曝光150mj，曝光完后使用氯仿对膜层进行显影，显影完成后120℃退火20min形成图案化的绿色量子点膜层(HOMO能级为-6.1ev左右，LUMO能级为-3.85eV左右)绿色量子点膜层在发绿色的光的发光器件所在区域的厚度约为25nm，在发红色的光的发光器件和发蓝色的光的发光器件所在区域几乎无残留。
步骤4)在空气中旋涂蓝色量子点发光材料的溶液(旋涂的转速3000rpm，时间30s)，其中加入5％wt的2,4-双(三氯甲基)-6-对甲氧基苯乙烯基-S-三嗪作为光致生酸剂，完成旋涂后UV曝光150mj，曝光完后使用氯仿对膜层进行显影，显影完成后120℃退火20min形成图案化的蓝色量子点膜层(HOMO能级为-6.2eV左右，LUMO能级为-3.57eV左右)，蓝色量子点膜层在发蓝色的光的发光器件所在区域的厚度约为25nm，在发红色的光的发光器件和发绿色的光的发光器件所在区域几乎无残留。
步骤5)旋涂氧化锌纳米粒子(旋涂的转速3000rpm，时间30s，氧化锌纳米粒子的浓度30mg/ml)，120℃退火20min，得到电子注入层。
步骤6)蒸镀铝电极(阴极)，厚度为120nm，并经过封装后得到发光基板。
实验例1
实验例1中各步骤的制备方法与对比例1中各步骤的制备方法基本相同，不同的是，在步骤2)和步骤3)之间，加入在发绿色的光的发光器件所在区域形成空穴传输图案一的步骤，形成上述所述的第一材料层10。以及在步骤3)和步骤4)之间，加入在发蓝色的光的发光器件所在区域形成空穴传输图案二的步骤，形成上述所述的第二材料层30。
具体的，在步骤2)之后，旋涂空穴传输材料B1的氯苯溶液，空穴传输材料B1的浓度为15mg/ml，旋涂的转速为2500rpm，空穴传输材料B1的HOMO能级大约为-5.8ev左右，旋涂完成后使用365nm的紫外光对空穴传输材料进行曝光(曝光时采用的能量是50mj)，曝光完成后使用氯苯对膜层进行显影，显影完成后，得到设置在发绿色的光的发光器件所在区域的空穴传输图案一。
在步骤3)之后，旋涂空穴传输材料B2氯苯溶液，空穴传输材料B2的浓度为15mg/ml，旋涂的转速为2500rpm，空穴传输材料B2的HOMO能级大约为-5.9ev左右。旋涂完成后使用365nm进行曝光(曝光时采用的能量是50mj)，曝光完成后使用氯苯对膜层进行显影，显影完成后，得到设置在发蓝色的光的发光器件所在区域的空穴传输图案二。
B1和B2的结构如下所示：
Figure BDA0003264654480000431
Figure BDA0003264654480000441
实验例2
实验例2中各步骤的制备方法与实验例1中各步骤的制备方法基本相同，不同的是，空穴传输图案一制备时采用空穴传输材料C1的氯苯溶液，空穴传输材料C1的HOMO能级大约为-5.8ev左右。空穴传输图案二制备时采用空穴传输材料C2的氯苯溶液，空穴传输材料C2的HOMO能级大约为-5.95ev左右。
C1和C2的结构如下所示：
Figure BDA0003264654480000442
对比例2
对比例2中各步骤的制备方法与对比例1中各步骤的制备方法基本相同，不同的是，对比例2制备的是“正置”式顶发射型发光基板，在步骤1)中阳极采用ITO/Ag/ITO的叠层结构，步骤6)中溅射氧化铟镓锌(IGZO，indium gallium zinc oxide)作为阴极，厚度为50nm。
实验例3
实验例3中各步骤的制备方法与对比例1中各步骤的制备方法基本相同，不同的是，在步骤2)和步骤3)之间，加入在发绿色的光的发光器件所在区域形成空穴传输图案一的步骤，形成上述所述的第一材料层10。以及在步骤3)和步骤4)之间，加入在发蓝色的光的发光器件所在区域形成空穴传输图案二的步骤，形成上述所述的第二材料层30。
空穴传输图案一和空穴传输图案二的制备方法具体可参照上述实验例1中的描述，在此不再赘述。
对比例3
对比例3中各步骤的制备方法与对比例1中各步骤的制备方法基本相同，不同的是，对比例3还在步骤1)和步骤2)之间加入制备空穴传输层的步骤，具体的，在步骤1)之后，旋涂交联型TFB的氯苯溶液(浓度10mg/ml，含有5％交联剂，旋涂的转速2000rpm，时间30s)，旋涂完后使用365nm的UV光照射300mj，形成空穴传输层，并在170℃退火15min。
TFB的结构式如下所示：
Figure BDA0003264654480000451
实验例4
实验例4中各步骤的制备方法与对比例1中各步骤的制备方法基本相同，不同的是，在步骤2)和步骤3)之间，加入在发绿色的光的发光器件所在区域形成空穴传输图案一的步骤，形成上述所述的第一材料层10。以及在步骤3)和步骤4)之间，加入在发蓝色的光的发光器件所在区域形成空穴传输图案二的步骤，形成上述所述的第二材料层30。
空穴传输图案一和空穴传输图案二的制备方法具体可参照上述实验例1中的描述，在此不再赘述。
对比例4
对比例4制备的是“倒置”式底发射型发光基板，具体制备方法如下：
步骤1)在ITO基板(形成有ITO电极作为阴极的衬底)上，在空气中旋涂氧化锌纳米粒子(旋涂的转速2000rpm，时间30s，氧化锌纳米粒子的浓度25mg/ml)，120℃退火10min，在ITO基板上形成电子注入层。
步骤2)、步骤3)和步骤4)可参照上述对比例1中步骤2)、步骤3)和步骤4)的制备方法，在此不再赘述。
步骤5)通过蒸镀制备空穴传输层和空穴注入层。
步骤6)蒸镀银电极作为阳极，厚度为120nm，并经过封装后得到发光基板。
实验例5
实验例5中各步骤的制备方法与对比例4中各步骤的制备方法基本相同，不同的是，在步骤2)和步骤3)之间，加入在发绿色的光的发光器件所在区域形成电子传输图案一的步骤，形成上述所述的第一材料层10。以及在步骤3)和步骤4)之间，加入在发蓝色的光的发光器件所在区域形成电子传输图案二的步骤，形成上述所述的第二材料层30。
具体的，在步骤2)之后，旋涂电子传输材料D1的氯苯溶液，电子传输材料D1的浓度为15mg/ml，旋涂的转速为2500rpm，电子传输材料D1的LUMO能级大约为-3.4eV左右，旋涂完成后使用365nm的紫外光对电子传输材料D1进行曝光(曝光时采用的能量是50mj)，曝光完成后使用氯苯对膜层进行显影，显影完成后，得到设置在发绿色的光的发光器件所在区域的电子传输图案一。
在步骤3)之后，旋涂电子传输材料D1的氯苯溶液，电子传输材料D1的浓度为15mg/ml，旋涂的转速为2500rpm，电子传输材料D1的LUMO能级大约为-3.4eV左右。旋涂完成后使用365nm进行曝光(曝光时采用的能量是50mj)，曝光完成后使用氯苯对膜层进行显影，显影完成后，得到设置在发蓝色的光的发光器件所在区域的电子传输图案二。
D1的结构如下所示：
Figure BDA0003264654480000471
将上述实验例和对比例进行色度测试后发现：在插入第一材料层10和第二材料层30之后，可以减少混色，提高色纯度，并提高色域。
在此，为了对本公开的实施例进行更充分地说明，将对上述所列举的电子传输材料D1和空穴传输材料B1、B2、C1和C2的制备方法进行示例性地说明。
1、B1的反应方程式和制备方法如下所示：
B1的反应方程式：
Figure BDA0003264654480000472
B1的制备方法：
步骤1)将二溴三苯胺(1mmol)与双联频哪醇二硼(1.05mmol)置于250ml三口烧瓶中，加入1.2mmol氢氧化钾，100mlN,N-二甲基甲酰胺(DMF)，0.1g1,1'-双二苯基膦二茂铁二氯化钯，在氩气保护下升温至100度回流反应12小时，反应完成后倒入水中析出，过滤后使用二氯甲烷和水进行萃取，萃取三次后使用柱层析进行过滤，得到产物(1)。
步骤2)将二溴三苯胺(1mmol)与产物(1)(1.05mmol)置于250ml三口烧瓶中，加入碳酸钠(1.05mmol)，四三苯基膦钯0.1g，100ml甲苯后，在氩气保护下90度反应12小时，反应完成后倒入水中析出，过滤后使用二氯甲烷和水进行萃取，萃取三次后使用柱层析进行过滤，得到产物(2)。
步骤3)将产物(2)(1mmol)与N-溴代琥珀酰亚胺(NBS，1.2mmol)置于三口烧瓶中，加入100mlN,N-二甲基甲酰胺后，室温反应24小时后，倒入水中析出后，使用索氏提取器和甲苯将多余的NBS除去，再通过聚合物柱层析得到产物(3)。
步骤4)将产物(3)(1mmol)与双联频哪醇二硼(1.1mmol)置于250ml三口烧瓶中，加入1.2mmol氢氧化钾，100mlN,N-二甲基甲酰胺(DMF)，0.1g 1,1'-双二苯基膦二茂铁二氯化钯，在氩气保护下升温至100度回流反应12小时，反应完成后倒入水中析出，使用索氏提取器和甲苯将多余的双联频哪醇二硼除去，再通过聚合物柱层析得到产物(4)。
步骤5)将产物(4)(1mmol)与乙烯基溴(1.1mmol)置于250ml三口烧瓶中，加入碳酸钠(1.05mmol)，四三苯基膦钯0.1g，100ml甲苯后，在氩气保护下90度反应12小时，反应完成后倒入水中析出，使用索氏提取器和甲苯将多余的乙烯基溴除去，再通过聚合物柱层析得到产物(5)。
2、B2的反应方程式和制备方法如下所示：
B2的反应方程式：
Figure BDA0003264654480000491
B2的制备方法：
步骤1)将二溴三苯胺(1mmol)与双联频哪醇二硼(1.05mmol)置于250ml三口烧瓶中，加入1.2mmol氢氧化钾，100mlN,N-二甲基甲酰胺(DMF)，0.1g1,1'-双二苯基膦二茂铁二氯化钯，在氩气保护下升温至100度回流反应12小时，反应完成后倒入水中析出，过滤后使用二氯甲烷和水进行萃取，萃取三次后使用柱层析进行过滤，得到产物(1)。
步骤2)将二溴三苯胺(1mmol)与产物(1)(1.05mmol)置于250ml三口烧瓶中，加入碳酸钠(1.05mmol)，四三苯基膦钯0.1g，100ml甲苯后，在氩气保护下90度反应12小时，反应完成后倒入水中析出，过滤后使用二氯甲烷和水进行萃取，萃取三次后使用柱层析进行过滤，得到产物(2)。
步骤3)将产物(2)(1mmol)与N-溴代琥珀酰亚胺(NBS，1.2mmol)置于三口烧瓶中，加入100mlN,N-二甲基甲酰胺后，室温反应24小时后，倒入水中析出后，使用索氏提取器和甲苯将多余的NBS除去，再通过聚合物柱层析得到产物(3)。
步骤4)将产物(3)(1mmol)与丙烯酸(1.1mmol)置于250ml三口烧瓶中，加入1.2mmol氢氧化钾，100mlN,N-二甲基甲酰胺(DMF)，在氩气保护下升温至100度回流反应12小时，反应完成后倒入水中析出，使用索氏提取器和甲苯将多余的丙烯酸除去，再通过聚合物柱层析得到产物(4)。
3、C1的反应方程式和制备方法如下所示：
C1的反应方程式：
Figure BDA0003264654480000501
C1的制备方法：
步骤1)将2,2'-二硝基二苯胺(1mmol)与乙烯基溴(1.1mmol)置于250ml三口烧瓶中，加入1.2mmol氢氧化钾，100mlN,N-二甲基甲酰胺(DMF)，在氩气保护下升温至100度回流反应12小时，反应完成后倒入水中析出，过滤后使用二氯甲烷和水进行萃取，萃取三次后使用柱层析进行过滤，得到产物(1)。
步骤2)将产物(1)(1mmol)与N-溴代琥珀酰亚胺(NBS，1.2mmol)置于三口烧瓶中，加入100mlN,N-二甲基甲酰胺后，室温反应24小时后，倒入水中析出后，过滤后使用二氯甲烷和水进行萃取，萃取三次后使用柱层析进行过滤，得到产物(2)。
步骤3)将产物(2)(1mmol)与双联频哪醇二硼(1.1mmol)置于250ml三口烧瓶中，加入1.2mmol氢氧化钾，100mlN,N-二甲基甲酰胺(DMF)，0.1g1,1'-双二苯基膦二茂铁二氯化钯，在氩气保护下升温至100度回流反应12小时，反应完成后倒入水中析出，过滤后使用二氯甲烷和水进行萃取，萃取三次后使用柱层析进行过滤，得到产物(3)。
步骤4)将产物(2)(1mmol)与产物(3)(1.05mmol)置于250ml三口烧瓶中，加入碳酸钠(1.05mmol)，四三苯基膦钯0.1g，100ml甲苯后，在氩气保护下90度反应12小时，反应完成后倒入水中析出，过滤后使用索氏提取器和甲苯将多余的单体反应物除去，再通过聚合物柱层析得到产物(4)。
4、C2的反应方程式和制备方法如下所示：
C2的反应方程式：
Figure BDA0003264654480000511
C2的制备方法：
步骤1)将二(4-溴苯基)胺(1mmol)与乙烯基溴(1.1mmol)置于250ml三口烧瓶中，加入1.2mmol氢氧化钾，100mlN,N-二甲基甲酰胺(DMF)，在氩气保护下升温至100度回流反应12小时，反应完成后倒入水中析出，过滤后使用二氯甲烷和水进行萃取，萃取三次后使用柱层析进行过滤，得到产物(1)。
步骤2)将产物(1)(1mmol)与双联频哪醇二硼(1.1mmol)置于250ml三口烧瓶中，加入1.2mmol氢氧化钾，100mlN,N-二甲基甲酰胺(DMF)，0.1g1,1'-双二苯基膦二茂铁二氯化钯，在氩气保护下升温至100度回流反应12小时，反应完成后倒入水中析出，过滤后使用二氯甲烷和水进行萃取，萃取三次后使用柱层析进行过滤，得到产物(2)。
步骤3)将产物(1)(1mmol)与产物(2)(1.05mmol)置于250ml三口烧瓶中，加入碳酸钠(1.05mmol)，四三苯基膦钯0.1g，100ml甲苯后，在氩气保护下90度反应12小时，反应完成后倒入水中析出，过滤后使用索氏提取器和甲苯将多余的单体反应物除去，再通过聚合物柱层析得到产物(3)。
5、D1的反应方程式和制备方法如下所示：
D1的反应方程式：
Figure BDA0003264654480000521
D1的制备方法：
步骤1)将产物对二溴苯(1mmol)与双联频哪醇二硼(1.1mmol)置于250ml三口烧瓶中，加入1.2mmol氢氧化钾，100mlN,N-二甲基甲酰胺(DMF)，0.1g1,1'-双二苯基膦二茂铁二氯化钯，在氩气保护下升温至100度回流反应12小时，反应完成后倒入水中析出，过滤后使用二氯甲烷和水进行萃取，萃取三次后使用柱层析进行过滤，得到产物(1)。
步骤2)将产物(1)(1mmol)与乙烯基溴(1.05mmol)置于250ml三口烧瓶中，加入碳酸钠(1.05mmol)，四三苯基膦钯0.1g，100ml甲苯后，在氩气保护下90度反应12小时，反应完成后倒入水中析出，过滤后使用二氯甲烷和水进行萃取，萃取三次后使用柱层析进行过滤，得到产物(2)。
步骤3)将产物(2)(1mmol)与浓硝酸(4mmol)置于250ml三口烧瓶中，加入浓硫酸(2mmol)，，在氩气保护下60度反应12小时，反应完成后倒入水中析出，过滤后使用二氯甲烷和水进行萃取，萃取三次后使用柱层析进行过滤，得到产物(3)。
步骤4)将苯并咪唑(1mmol)与N-溴代琥珀酰亚胺(NBS，1.2mmol)置于三口烧瓶中，加入100mlN,N-二甲基甲酰胺后，室温反应24小时后，倒入水中析出后，过滤后使用二氯甲烷和水进行萃取，萃取三次后使用柱层析进行过滤，得到产物(4)。
步骤5)将产物(4)(1mmol)与双联频哪醇二硼(1.1mmol)置于250ml三口烧瓶中，加入1.2mmol氢氧化钾，100mlN,N-二甲基甲酰胺(DMF)，0.1g1,1'-双二苯基膦二茂铁二氯化钯，在氩气保护下升温至100度回流反应12小时，反应完成后倒入水中析出，过滤后使用二氯甲烷和水进行萃取，萃取三次后使用柱层析进行过滤，得到产物(5)。
步骤6)将产物(4)(1mmol)与产物(5)(1.05mmol)置于250ml三口烧瓶中，加入碳酸钠(1.05mmol)，四三苯基膦钯0.1g，100ml甲苯后，在氩气保护下90度反应12小时，反应完成后倒入水中析出，过滤后使用索氏提取器和甲苯将多余的单体反应物除去，再通过聚合物柱层析得到产物(6)。
步骤7)将产物(6)(1mmol)与产物(3)(1.1mmol)置于250ml三口烧瓶中，加入1.2mmol氢氧化钾，100mlN,N-二甲基甲酰胺(DMF)，在氩气保护下升温至100度回流反应12小时，反应完成后倒入水中析出，使用索氏提取器和甲苯将多余的二硝基对溴苯乙烯除去，再通过聚合物柱层析得到产物(7)。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (29)

1.一种发光基板，包括：
衬底；
多个发光器件，设置于所述衬底上；
所述多个发光器件包括：至少一个第一发光器件和至少一个第二发光器件，所述至少一个第一发光器件包括：具有第一厚度的第一颜色发光层，所述至少一个第二发光器件包括具有第二厚度的所述第一颜色发光层，以及沿远离所述衬底的方向依次层叠设置在所述第二发光器件所包含的所述第一颜色发光层上的第一材料层和第二颜色发光层；
其中，所述第二厚度小于所述第一厚度；且在所述第二发光器件中，所述第一材料层被配置为将从所述第一颜色发光层传输的空穴传输至所述第二颜色发光层，并对从所述第二颜色发光层传输的电子进行阻挡，或者，所述第一材料层被配置为将从所述第一颜色发光层传输的电子传输至所述第二颜色发光层，并对从所述第二颜色发光层传输的空穴进行阻挡。
2.根据权利要求1所述的发光基板，其中，
所述至少一个第二发光器件还包括：设置于所述第二发光器件所包含的所述第一颜色发光层靠近所述衬底一侧的电子传输层，所述第一材料层的材料包括具有电子传输功能的材料；
或者，
所述至少一个第二发光器件还包括：设置于所述第二发光器件所包含的所述第一颜色发光层靠近所述衬底一侧的空穴传输层，所述第一材料层的材料包括具有空穴传输功能的材料。
3.根据权利要求2所述的发光基板，其中，
在所述至少一个第二发光器件还包括电子传输层的情况下，所述第一材料层的材料与所述电子传输层的材料不同；
在所述至少一个第二发光器件还包括空穴传输层的情况下，所述第一材料层的材料与所述空穴传输层的材料不同。
4.根据权利要求1～3任一项所述的发光基板，其中，
所述第二颜色发光层仅设置在所述第二发光器件所在区域；
或者，
所述第二颜色发光层包括设置在所述第二发光器件所在区域的第一部分和设置在所述第一发光器件所在区域的第二部分，所述第二部分位于所述第一发光器件所包含的第一颜色发光层之上，且与所述第一颜色发光层接触，所述第一部分具有第三厚度，所述第二部分具有第四厚度，所述第四厚度小于所述第三厚度。
5.根据权利要求4所述的发光基板，其中，
所述第四厚度小于所述第二厚度。
6.根据权利要求1～5任一项所述的发光基板，其中，
所述第一颜色发光层的材料和所述第二颜色发光层的材料均包括量子点发光材料。
7.根据权利要求1～6任一项所述的发光基板，其中，
所述多个发光器件还包括：至少一个第三发光器件；
所述至少一个第三发光器件包括：具有第五厚度的所述第一颜色发光层，以及沿远离所述衬底的方向依次层叠设置于所述第三发光器件所包含的所述第一颜色发光层之上的第二材料层和第三颜色发光层，其中，所述第五厚度小于所述第一厚度，且在所述第三发光器件中，所述第二材料层被配置为将从所述第一颜色发光层传输的空穴传输至所述第三颜色发光层，并对从所述第三颜色发光层传输的电子进行阻挡，或者，所述第二材料层被配置为将从所述第一颜色发光层传输的电子传输至所述第三颜色发光层，并对从所述第三颜色发光层传输的空穴进行阻挡。
8.根据权利要求7所述的发光基板，其中，
所述第二材料层和所述第一材料层连接为连续的结构。
9.根据权利要求8所述的发光基板，其中，
在所述第二颜色发光层包括第一部分和第二部分的情况下，所述第二颜色发光层还包括设置在所述第三发光器件所在区域的第三部分，且所述第三部分位于所述第二材料层和所述第三颜色发光层之间。
10.根据权利要求9所述的发光基板，其中，
所述第三发光器件还包括第三材料层，所述第三材料层位于所述第三部分和所述第三颜色发光层之间，所述第三材料层被配置为将从所述第三部分传输的空穴传输至所述第三颜色发光层，并对从所述第三颜色发光层传输的电子进行阻挡，或者，所述第二材料层被配置为将从所述第三部分传输的电子传输至所述第三颜色发光层，并对从所述第三颜色发光层传输的空穴进行阻挡。
11.根据权利要求7所述的发光基板，其中，
所述第二材料层的材料和所述第一材料层的材料不同。
12.根据权利要求7～11任一项所述的发光基板，其中，
所述第三颜色发光层仅设置在所述第三发光器件所在区域；
或者，
所述第三颜色发光层包括设置在所述第三发光器件所在区域的第三部分，以及设置在所述第一发光器件所在区域的第四部分和设置在所述第二发光器件所在区域的第五部分，且所述第四部分位于所述第一发光器件所包含的第一颜色发光层或第二颜色发光层之上，且与所述第一颜色发光层或所述第二颜色发光层接触，所述第五部分位于所述第二发光器件所包含的第二颜色发光层之上，且与所述第二颜色发光层接触，所述第三部分具有第六厚度，所述第四部分和所述第五部分具有第七厚度，所述第七厚度小于所述第六厚度。
13.根据权利要求7～12任一项所述的发光基板，其中，
所述第三颜色发光层的材料包括量子点发光材料。
14.根据权利要求1～13任一项所述的发光基板，其中，
所述第一材料层通过至少一种电子传输材料在电磁辐射下制备获得；所述电子传输材料的结构通式如下式(I)所示：
Figure FDA0003264654470000031
其中，A选自三价的取代或未取代的吸电子基团中的任一种，B选自能够在电磁辐射下改变溶解度的基团，n为大于或等于1的整数，在A中，取代的取代基选自硝基、羟基和烷基中的任一种；
或者，
所述第一材料层通过至少一种电子传输材料在电磁辐射下制备获得；所述空穴传输材料的结构通式如下式(II)所示：
Figure FDA0003264654470000032
其中，C选自三价的取代或未取代的给电子基团中的任一种，D选自能够在电磁辐射下改变溶解度的基团，n为大于或等于1的整数，在C中，取代的取代基选自硝基、羟基和烷基中的任一种。
15.一种发光装置，包括：如权利要求1～14任一项所述的发光基板。
16.一种发光基板的制备方法，包括：
在衬底上形成多个发光器件，所述多个发光器件包括至少一个第一发光器件和至少一个第二发光器件；
所述至少一个第一发光器件包括：具有第一厚度的第一颜色发光层，所述至少一个第二发光器件包括具有第二厚度的所述第一颜色发光层，以及沿远离所述衬底的方向依次层叠形成在所述第一发光器件所包含的所述第一颜色发光层上的第一材料层和第二颜色发光层；
其中，所述第二厚度小于所述第一厚度；且在所述第二发光器件中，所述第一材料层被配置为将从所述第一颜色发光层传输的空穴传输至所述第二颜色发光层，并对从所述第二颜色发光层传输的电子进行阻挡，或者，所述第一材料层被配置为将从所述第一颜色发光层传输的电子传输至所述第二颜色发光层，并对从所述第二颜色发光层传输的空穴进行阻挡。
17.根据权利要求16所述的发光基板的制备方法，其中，
形成所述第一材料层的步骤包括：
在形成有第一颜色发光层的衬底上形成第一薄膜；
对所述第一薄膜进行图案化，以在所述第二发光器件所在区域形成所述第一材料层。
18.根据权利要求17所述的发光基板的制备方法，其中，
对所述第一薄膜进行图案化，包括：
对所述第一薄膜位于所述第二发光器件所在区域的部分进行电磁辐射，改变所述第一薄膜位于所述第二发光器件所在区域的部分的溶解度；
对所述第一薄膜位于所述第二发光器件所在区域以外的部分进行溶解，将所述第一薄膜位于所述第二发光器件所在区域以外的部分去除。
19.根据权利要求17或18所述的发光基板的制备方法，其中，
所述第一薄膜的材料为电子传输材料或空穴传输材料；
所述电子传输材料的结构通式如下式如下式(I)所示：
Figure FDA0003264654470000041
其中，A选自三价的取代或未取代的吸电子基团中的任一种，B选自能够在电磁辐射下改变溶解度的基团，n为大于或等于1的整数，在A中，取代的取代基选自硝基、羟基和烷基中的任一种；
所述空穴传输材料的结构通式如下式(II)所示：
Figure FDA0003264654470000051
其中，C选自三价的取代或未取代的给电子基团中的任一种，D选自能够在电磁辐射下改变溶解度的基团，n为大于或等于1的整数，在C中，取代的取代基选自硝基、羟基和烷基中的任一种。
20.根据权利要求16～19任一项所述的发光基板的制备方法，其中，
形成所述第一颜色发光层的步骤包括：
在所述衬底上形成第二薄膜，所述第二薄膜包括第一量子点发光材料；
对所述第二薄膜位于所述第一发光器件所在区域的部分进行电磁辐射，改变所述第二薄膜位于所述第一发光器件所在区域的部分的溶解度；
对所述第二薄膜位于所述第一发光器件所在区域以外的部分进行溶解，得到所述第一发光器件所包含的具有第一厚度的所述第一颜色发光层和所述第二发光器件所包含的具有第二厚度的所述第一颜色发光层。
21.根据权利要求16～20任一项所述的发光基板的制备方法，其中，
形成所述第二颜色发光层的步骤包括：
在形成有所述第一材料层的衬底上形成第三薄膜，所述第三薄膜包括第二量子点发光材料；
对所述第三薄膜位于所述第二发光器件所在区域的部分进行电磁辐射，改变所述第三薄膜位于所述第二发光器件所在区域的部分的溶解度；
对所述第三薄膜位于所述第二发光器件所在区域以外的部分进行溶解，使所述第三薄膜在所述第二发光器件所在区域以外的区域无覆盖，或者，使所述第三薄膜在所述第二发光器件所在区域以外的区域形成厚度小于5nm的残留部。
22.根据权利要求16～21任一项所述的发光基板的制备方法，其中，所述发光基板还包括：至少一个第三发光器件，所述至少一个第三发光器件包括具有第五厚度的第一颜色发光层，以及沿远离衬底的方向依次层叠设置于所述第三发光器件所包含的所述第一颜色发光层之上的第二材料层和第三颜色发光层，所述制备方法还包括：
在衬底上依次形成所述第二材料层和所述第三颜色发光层的步骤。
23.根据权利要求22所述的发光基板的制备方法，其中，所述第二材料层的材料和所述第一材料层的材料不同，在衬底上形成所述第二材料层的步骤包括：
在形成有所述第二颜色发光层的衬底上形成第四薄膜；
对所述第四薄膜进行图案化，以在所述第三发光器件所在区域形成所述第二材料层。
24.根据权利要求23所述的发光基板的制备方法，其中，
所述对所述第四薄膜进行图案化，包括：
对所述第四薄膜位于所述第三发光器件所在区域的部分进行电磁辐射，改变所述第四薄膜位于所述第三发光器件所在区域的部分的溶解度；
对所述第四薄膜位于所述第三发光器件所在区域以外的部分进行溶解，将所述第四薄膜位于所述第三发光器件所在区域以外的部分去除。
25.根据权利要求22所述的发光基板的制备方法，其中，所述第二材料层和所述第一材料层连接成连续的结构，在衬底上形成所述第二材料层的步骤包括：
在对所述第一薄膜位于所述第二发光器件所在区域的部分进行电磁辐射，的同时，还对所述第一薄膜位于所述第三发光器件所在区域的部分进行电磁辐射，改变所述第一薄膜位于所述第三发光器件所在区域的部分的溶解度。
26.根据权利要求21～25任一项所述的发光基板的制备方法，其中，在衬底上形成所述第三颜色发光层的步骤包括：
在形成有所述第二材料层的衬底上形成第五薄膜，所述第五薄膜包括第三量子点发光材料；
对所述第五薄膜位于所述第三发光器件所在区域的部分进行电磁辐射，改变所述第五薄膜位于所述第三发光器件所在区域的部分的溶解度；
对所述第五薄膜位于所述第三发光器件所在区域以外的部分进行溶解，使所述第五薄膜在所述第三发光器件所在区域以外的部分无覆盖，或者，使所述第五薄膜在所述第三发光器件所在区域以外的区域形成厚度小于5nm的残留部。
27.根据权利要求21～26任一项所述的发光基板的制备方法，其中，在所述第二颜色发光层还包括形成在所述第三发光器件所在区域的残留部，且所述第二颜色发光层形成在所述第三发光器件所在区域的残留部位于所述第二材料层和所述第三颜色发光层之间的情况下，所述第三发光器件还包括设置于所述第二材料层和所述第三颜色发光层之间的第三材料层；所述制备方法还包括：
在形成所述第三颜色发光层的步骤之前，形成所述第三材料层。
28.根据权利要求27所述的发光基板的制备方法，其中，
形成所述第三材料层的步骤包括：
在形成有所述第二颜色发光层的衬底上形成第六薄膜；
对所述第六薄膜进行图案化，以在所述第三发光器件所在区域形成所述第三材料层。
29.根据权利要求28所述的发光基板的制备方法，其中，
所述对所述第六薄膜进行图案化，包括：
对所述第六薄膜位于所述第三发光器件所在区域的部分进行电磁辐射，改变所述第六薄膜位于所述第三发光器件所在区域的部分的溶解度；
对所述第六薄膜位于所述第三发光器件所在区域以外的部分进行溶解，将所述第六薄膜位于所述第三发光器件所在区域以外的部分去除。
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