CN112051709A - 量子点光刻胶、由其获得的量子点发光层、包含该量子点发光层的qled及其制备和应用 - Google Patents
量子点光刻胶、由其获得的量子点发光层、包含该量子点发光层的qled及其制备和应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112051709A CN112051709A CN201910485642.8A CN201910485642A CN112051709A CN 112051709 A CN112051709 A CN 112051709A CN 201910485642 A CN201910485642 A CN 201910485642A CN 112051709 A CN112051709 A CN 112051709A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- quantum dot
- photoresist
- emitting layer
- phenyl
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 title claims abstract description 236
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 114
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 73
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000010413 mother solution Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims abstract description 5
- -1 alkyl mercaptan Chemical compound 0.000 claims description 64
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 35
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 34
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical group ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 30
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 28
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 23
- 239000012452 mother liquor Substances 0.000 claims description 20
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 19
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 claims description 16
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 14
- 239000004843 novolac epoxy resin Substances 0.000 claims description 14
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 11
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 claims description 11
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- UNKQPEQSAGXBEV-UHFFFAOYSA-N formaldehyde;4-[2-(4-hydroxyphenyl)propan-2-yl]phenol Chemical compound O=C.C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 UNKQPEQSAGXBEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 125000004642 (C1-C12) alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 9
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 8
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 claims description 8
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 claims description 8
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 7
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 7
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 claims description 6
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical class S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 claims description 6
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000001356 alkyl thiols Chemical class 0.000 claims description 6
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 claims description 6
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 6
- WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N dodecane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCCCCS WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical class I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 claims description 6
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 claims description 5
- FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 1-benzothiophene Chemical compound C1=CC=C2SC=CC2=C1 FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 4
- PHDAZHGCTGTQAS-UHFFFAOYSA-M dimethyl-tetradecyl-(3-trimethoxysilylpropyl)azanium;chloride Chemical compound [Cl-].CCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)CCC[Si](OC)(OC)OC PHDAZHGCTGTQAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 4
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 claims description 4
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 4
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 claims description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 4
- ULIKDJVNUXNQHS-UHFFFAOYSA-N 2-Propene-1-thiol Chemical compound SCC=C ULIKDJVNUXNQHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HQGSOKHUMAUNPH-UHFFFAOYSA-N 2-cyclohexyl-n,n-bis(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C(=CC=CC=1)C1CCCCC1)C1=CC=C(C)C=C1 HQGSOKHUMAUNPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PNPLRTWSLDSFET-UHFFFAOYSA-N 2-naphthalen-1-yl-5-phenyl-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NN=C(C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)O1 PNPLRTWSLDSFET-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NPDACUSDTOMAMK-UHFFFAOYSA-N 4-Chlorotoluene Chemical compound CC1=CC=C(Cl)C=C1 NPDACUSDTOMAMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- YGBCLRRWZQSURU-UHFFFAOYSA-N 4-[(diphenylhydrazinylidene)methyl]-n,n-diethylaniline Chemical compound C1=CC(N(CC)CC)=CC=C1C=NN(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 YGBCLRRWZQSURU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KBXXZTIBAVBLPP-UHFFFAOYSA-N 4-[[4-(diethylamino)-2-methylphenyl]-(4-methylphenyl)methyl]-n,n-diethyl-3-methylaniline Chemical compound CC1=CC(N(CC)CC)=CC=C1C(C=1C(=CC(=CC=1)N(CC)CC)C)C1=CC=C(C)C=C1 KBXXZTIBAVBLPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000004860 4-ethylphenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 3
- ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000000590 4-methylphenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1*)C([H])([H])[H] 0.000 claims description 3
- SFBHJDZYFDQEEY-UHFFFAOYSA-N 9-cyclobutylcarbazole Chemical compound C1CCC1N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 SFBHJDZYFDQEEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910017048 AsF6 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910004262 HgTe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 claims description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 3
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 claims description 3
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 claims description 3
- 229910001914 chlorine tetroxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052956 cinnabar Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VTXVGVNLYGSIAR-UHFFFAOYSA-N decane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCCS VTXVGVNLYGSIAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000001664 diethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])N(*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 3
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- JGOAZQAXRONCCI-SDNWHVSQSA-N n-[(e)-benzylideneamino]aniline Chemical compound C=1C=CC=CC=1N\N=C\C1=CC=CC=C1 JGOAZQAXRONCCI-SDNWHVSQSA-N 0.000 claims description 3
- YQVDNJJYNQAOER-UHFFFAOYSA-N n-[4-(4-aminophenyl)phenyl]-4-methylaniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1NC1=CC=C(C=2C=CC(N)=CC=2)C=C1 YQVDNJJYNQAOER-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KKFHAJHLJHVUDM-UHFFFAOYSA-N n-vinylcarbazole Chemical compound C1=CC=C2N(C=C)C3=CC=CC=C3C2=C1 KKFHAJHLJHVUDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000000269 nucleophilic effect Effects 0.000 claims description 3
- KZCOBXFFBQJQHH-UHFFFAOYSA-N octane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCS KZCOBXFFBQJQHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- CBHCDHNUZWWAPP-UHFFFAOYSA-N pecazine Chemical compound C1N(C)CCCC1CN1C2=CC=CC=C2SC2=CC=CC=C21 CBHCDHNUZWWAPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M perchlorate Chemical compound [O-]Cl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 claims description 3
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000001544 thienyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 claims description 3
- ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-M triflate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- DNXIASIHZYFFRO-UHFFFAOYSA-N pyrazoline Chemical compound C1CN=NC1 DNXIASIHZYFFRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 10
- LSDPWZHWYPCBBB-UHFFFAOYSA-N Methanethiol Chemical compound SC LSDPWZHWYPCBBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 127
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 42
- 239000010408 film Substances 0.000 description 21
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 13
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 239000012769 display material Substances 0.000 description 10
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 9
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 9
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 8
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 8
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 7
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 7
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000000319 biphenyl-4-yl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1C1=C([H])C([H])=C([*])C([H])=C1[H] 0.000 description 5
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 4
- LTYMSROWYAPPGB-UHFFFAOYSA-O diphenylsulfanium Chemical compound C=1C=CC=CC=1[SH+]C1=CC=CC=C1 LTYMSROWYAPPGB-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- VQVGJEIVVJBMCV-UHFFFAOYSA-N (4-octoxyphenyl)-phenyliodanium Chemical compound C1=CC(OCCCCCCCC)=CC=C1[I+]C1=CC=CC=C1 VQVGJEIVVJBMCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- 238000009210 therapy by ultrasound Methods 0.000 description 3
- ZJRNXDIVAGHETA-GQCTYLIASA-N 2-[(e)-2-(3,4-dimethoxyphenyl)ethenyl]-4,6-bis(trichloromethyl)-1,3,5-triazine Chemical compound C1=C(OC)C(OC)=CC=C1\C=C\C1=NC(C(Cl)(Cl)Cl)=NC(C(Cl)(Cl)Cl)=N1 ZJRNXDIVAGHETA-GQCTYLIASA-N 0.000 description 2
- IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dicyanomethylidene)-2,3,5,6-tetrafluorocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]propanedinitrile Chemical compound FC1=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(F)C1=C(C#N)C#N IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N butyl pbd Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000002508 contact lithography Methods 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N oxetane Chemical compound C1COC1 AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 1H-pyrrole Natural products C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNTWKPAKVQFCCF-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydro-1h-triazole Chemical compound N1NC=CN1 SNTWKPAKVQFCCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTJPUDCSZVCXFQ-UHFFFAOYSA-N 2,4-diethylthioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(CC)=CC(CC)=C3SC2=C1 BTJPUDCSZVCXFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QRHHZFRCJDAUNA-UHFFFAOYSA-N 2-(4-methoxyphenyl)-4,6-bis(trichloromethyl)-1,3,5-triazine Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1C1=NC(C(Cl)(Cl)Cl)=NC(C(Cl)(Cl)Cl)=N1 QRHHZFRCJDAUNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 2-[3,5-bis(1-phenylbenzimidazol-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N Vinyl ether Chemical compound C=COC=C QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052768 actinide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001255 actinides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical group 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 1
- JCJNNHDZTLRSGN-UHFFFAOYSA-N anthracen-9-ylmethanol Chemical compound C1=CC=C2C(CO)=C(C=CC=C3)C3=CC2=C1 JCJNNHDZTLRSGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229950011260 betanaphthol Drugs 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 150000004074 biphenyls Chemical class 0.000 description 1
- 238000000861 blow drying Methods 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 1
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000711 locust bean gum Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 229910003455 mixed metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002715 modification method Methods 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N phenyl(114C)methanol Chemical compound O[14CH2]C1=CC=CC=C1 WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000004054 semiconductor nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002888 zwitterionic surfactant Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
- G03F7/0385—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable using epoxidised novolak resin
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
- H10K71/441—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour in the presence of solvent vapors, e.g. solvent vapour annealing
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Abstract
本发明涉及一种适于光刻制备具有纳米级厚度的量子点发光层的量子点光刻胶，该光刻胶包含光刻胶母液、具有硫醇表面配体的量子点以及载流子传输材料。该光刻胶图案化后可获得具有纳米级别厚度的量子点发光层，从而可应用于QLED。本发明还涉及由本发明量子点光刻胶获得的量子点发光层。该发光层的厚度通常小于100nm，适合制备QLED。本发明还涉及所述量子点发光层的制备，包含本发明量子点发光层的QLED以及包含本发明量子点发光层或本发明QLED的发光装置、照明装置和显示装置。
Description
技术领域
本发明涉及一种量子点光刻胶，使用该光刻胶可获得适于电致发光器件用的量子点发光层。本发明还涉及由前述量子点光刻胶获得的量子点发光层，包含该量子点发光层的QLED及其制备，以及还涉及包含前述量子点发光层或 QLED的装置。
背景技术
显示材料是一类将肉眼看不见的信号变为图形或图像的材料，它的存在搭建了人机交互的基础，被广泛地应用于仪表、电子设备、电视、计算机等领域。根据信息显示材料的发光原理可以分为两大类：一类是主动式显示材料，这包括量子点、有机发光二极管等，另一类是被动式显示材料，如液晶等。
量子点(简称QD)是一种由II-VI族、III-V或IV-VI族元素组成的半导体纳米晶体，当受到光或电的激发时，量子点便发出可见光。量子点的发光波长与量子点粒子的尺寸相关，因此可以通过控制量子点的尺寸，发出各个波段的可见光。根据发光原理不同，量子点又分为光致发光量子点和电致发光量子点，前者是背光源激发发光(目前仅仅是在液晶色域上进行了优化)，后者则是名副其实的自发光技术，它具有色域宽、光线纯度高、寿命长和耗电低等优点，是目前为止人们发现的一种很有前景的电致发光材料。
量子点发光二极管(缩写为QLED)是由注入的电子和空穴通过量子点内的辐射复合转换成光子的器件，是不需要额外光源的尚处于研发阶段的自发光技术。其结构和原理是，量子点层夹在电子传输和空穴传输有机材料层之间，外加电场使电子和空穴迁移到量子点层中，电子和空穴在这里形成激子并激发量子点发射光子。因此，QLED与有机电致发光显示屏(OLED)类似，都是采用类似三明治的叠层结构，通常包括阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层以及阴极。
显示材料若想应用到实际器件中去，一定要经过图案化的过程，这个图案化的过程会由于材料性质的不同而采用不同的方法。OLED目前采用的图案化方式主要为蒸镀，已经实现了工业化。而QLED尚在研究中，QLED的量子点因其沸点高，难以实现与OLED相同的蒸镀方式，目前常采用的方式为喷墨打印和接触印刷。喷墨打印效率低，接触印刷对设备要求高，目前均不是最为理想的图案化手段。量子点发光材料还可以在非真空条件下采用旋涂加工方式制备成膜，然而旋涂的方式只能得到量子点照明材料，无法图案化得到量子点显示材料。
作为QLED中的量子点发光层，它通常是厚度为30-60纳米的薄膜。如果厚度太厚，则电流难以注入，空穴和电子也就难以汇合激发量子点发光。
光刻工艺是微电子行业的传统工艺，效率高，图案精确且操作简单。然而，光刻胶光刻之后获得的图案薄膜的厚度通常为微米级别，无法获得纳米级厚度平整且均匀的薄膜。
因此，一种高效的、稳定的、操作简单的图案化技术是QLED产业化重要的一环。
发明内容
鉴于上述现有技术状况，本发明的发明人对可光刻图案化的量子点显示材料进行了广泛而深入的研究，试图以光刻的方式实现量子点的图案化从而获得具有纳米级厚度的量子点发光层。结果发现，通过将包含硫醇表面配体的量子点和载流子传输材料混入光刻胶母液中获得的量子点光刻胶可以在光刻图案化后获得具有纳米级别厚度的量子点发光层，从而可应用于QLED。本发明人正是基于前述发现完成了本发明。
因此，本发明的一个目的是提供一种量子点光刻胶，该光刻胶图案化后可获得具有纳米级别厚度的量子点发光层，从而可应用于QLED。
本发明的另一个目的是提供一种由本发明量子点光刻胶获得的量子点发光层。
本发明的又一个目的是提供一种使用本发明量子点光刻胶制备量子点发光层的方法。
本发明的再一个目的是提供一种QLED，该QLED包含本发明量子点发光层。
本发明的最后一个目的是提供一种包含本发明量子点发光层或本发明 QLED的发光装置、照明装置和显示装置。
实现本发明上述目的的技术方案可以概括如下：
1.一种适于光刻制备具有纳米级厚度的量子点发光层的量子点光刻胶，该光刻胶包含光刻胶母液、具有硫醇表面配体的量子点以及载流子传输材料。
2.根据第1项的量子点光刻胶，其中硫醇配体以分子间作用力的形式连接在量子点表面上；优选所述硫醇配体化合物是烷基硫醇如直链烷基硫醇，优选C4-C16直链烷基硫醇，更优选C8-C14直链烷基硫醇，例如辛硫醇、癸硫醇、十二烷基硫醇；烯基硫醇如直连烯基硫醇，优选C2-C16直链烯基硫醇，更优选 C3-C10直链烯基硫醇，例如烯丙基硫醇。
3.根据第1或2项的量子点光刻胶，其中量子点为选自CdS、CdSe、 CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgTe、GaN、GaAs、InP、InAs中的一种或多种；优选为包含量子点核和量子点壳的核/壳型量子点，其中量子点壳的表面包覆有硫醇表面配体；特别优选量子点核为CdSe、CdTe、CdS中的一种或多种并且量子点壳为ZnS、ZnSe、ZnTe中的一种或多种的核/壳型量子点；尤其是CdSe(核)/ZnS(壳)量子点；特别是红色CdSe/ZnS型量子点、绿色CdSe/ZnS 型量子点或蓝色CdSe/ZnS型量子点，或它们的混合物。
4.根据第1-3项中任一项的量子点光刻胶，其中载流子传输材料为空穴传输材料、电子传输材料或其混合物；优选空穴传输材料为选自联苯类、聚/并噻吩类、三芳胺类、咔唑类、吡唑啉类、丁二烯类和苯乙烯类中的一种或多种；更优选空穴传输材料为选自下组中的一种或多种：4,4’-双[N-(1-萘基)-N- 苯基氨基]联苯(α-NPD)、N,N’-二苯基-N,N’-双(3-甲基苯基)[1,1’-联苯]-4,4’-二胺(TPD)、1,1-双[(二-4-甲苯基氨基)苯基]环己烷(TAPC)、N,N’-双(4-甲基苯基)-N,N’-双(4-乙基苯基)[1,1’-(3,3’-二甲基)联苯]-4,4’-二胺(ETPD)、四-(3-甲基苯基)-N,N,N’,N’-2,5-苯二胺(PDA)、α-苯基-4-N,N-二苯基氨基苯乙烯(TPS)、对-(二乙基氨基)苯甲醛二苯基腙(DEH)、三苯基胺(TPA)、双[4-(N,N-二乙基氨基)-2- 甲基苯基]-(4-甲基苯基)甲烷(MPMP)、1-苯基-3-[对-(二乙基氨基)苯乙烯基]-5-[对-(二乙基氨基)苯基]吡唑啉(PPR或DEASP)、1,2-反式-双(9H-咔唑-9- 基)环丁烷(DCZB)、N,N,N’,N’-(4-甲基苯基)-(1,1’-联苯)-4,4’-二胺(TTB)、4,4’,4”- 三(N,N-二苯基氨基)三苯基胺(TDTA)、卟啉类化合物、酞菁、聚-9-乙烯基咔唑 (PVK)，(苯基甲基)聚硅烷、PEDOT(聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩))以及聚苯胺。
5.根据第1-4项中任一项的量子点光刻胶，其中光刻胶母液包含活性低聚物、光引发剂、溶剂、任选的活性稀释剂和任选的添加剂。
6.根据第5项的量子点光刻胶，其中
活性低聚物为环氧树脂、酚醛树脂、酚醛环氧树脂，例如双酚A甲醛酚醛环氧树脂(Bis-ANER)；和/或
光引发剂为碘鎓盐、硫鎓盐和三嗪类杂环类产酸剂中的一种或几种；优选的是，所述碘鎓盐光引发剂、硫鎓盐光引发剂和三嗪类杂环类光引发剂分别具有如下通式(I)、(II)和(III):
其中
R1、R2、R3、R4、R5各自独立地是未取代的C6-C10芳基，或者被卤素、硝基、羰基、C1-C12烷基、C1-C12烷氧基、苯硫基、苯基、取代苯基取代的C6-C10芳基，优选是苯基或萘基，或者被卤素、硝基、C1-C6烷基、取代苯基取代的苯基或萘基，其中所述取代苯基包含的取代基为一个或多个选自卤素、硝基、 C1-C6烷基和C1-C6烷氧基的基团；
R6、R7和R8各自独立地是C1-C12烷基、C1-C12烷氧基、卤素取代的C1-C12烷基、卤素取代的C1-C12烷氧基、未取代苯基或者被C1-C12烷基和/或C1-C12烷氧基取代的苯基、未取代的苯乙烯基或者苯环被C1-C12烷基和/或C1-C12烷氧基取代的苯乙烯基；以及
Y、Z是非亲核性阴离子，例如三氟甲磺酸根、BF4 —、ClO4 —、PF6 —、AsF6 —、 SbF6 —；和/或
所述溶剂为氯仿、氯苯、对氯甲苯或其任意混合物，优选氯仿、氯苯或其任意混合物。
7.根据第5或6项的量子点光刻胶，其中量子点光刻胶基于其总重量包含如下组分：
A)0.05-1.0重量％，优选0.10-0.5重量％，优选0.25-0.5重量％的量子点；和/或
B)0.05-3.0重量％，优选0.05-1.5重量％的活性低聚物；和/或
C)0.001-0.1重量％，优选0.002-0.06重量％的光引发剂；和/或
D)90-99.5重量％，优选95-99.5重量％，更优选97-99.5重量％的溶剂；和/或
E)0.2-3.0重量％，优选0.4-2.5重量％的载流子传输材料；和/或
F)任选地，0.005-0.1重量％的活性稀释剂；和/或
G)任选地，0.005-0.1重量％的添加剂。
8.一种量子点发光层，其通过将根据权利要求1-7中任一项的量子点光刻胶通过光刻工艺获得，优选该量子点发光层的厚度小于100nm，优选小于80nm，更优选为20-80nm，特别优选为30-60nm。
9.一种制备根据第8项的量子点发光层的方法，包括：
a)将量子点光刻胶旋涂在基片上；
b)将步骤b)得到的经涂布基片进行前烘；
c)将经步骤b)前烘的基片进行曝光；
d)将经步骤c)曝光的基片进行后烘；以及
e)将经步骤d)后烘的基片进行显影处理，获得量子点发光层。
10.一种量子点发光二极管(QLED)，其包括根据第8项的量子点发光层。
11.一种发光装置、照明装置和显示装置，其包含根据第8项的量子点发光层或根据第10项的QLED。
附图说明
图1是实施例1中制备的量子点光刻胶光刻图案化后获得的薄膜的光学显微镜照片。
图2是实施例2中制备的量子点光刻胶光刻图案化后获得的薄膜的光学显微镜照片。
图3是实施例3中制备的量子点光刻胶光刻图案化后获得的薄膜的光学显微镜照片。
图4是实施例4中制备的量子点光刻胶光刻图案化后获得的薄膜的光学显微镜照片。
图5是实施例5中制备的QLED的电流密度-电压特性曲线。
图6是实施例5中制备的QLED的亮度-电压特性曲线。
图7是实施例1中制备的量子点光刻胶旋涂获得的薄膜的照片。
图8是对比例7中获得的薄膜的照片。
图9是对比例8中获得的薄膜的照片。
具体实施方式
根据本发明的一个方面，提供了一种适于光刻制备具有纳米级厚度量子点发光层的量子点光刻胶，该光刻胶包含光刻胶母液、具有硫醇表面配体的量子点以及载流子传输材料。
本发明人意想不到地发现，通过在光刻胶母液中包含具有硫醇表面配体的量子点和载流子传输材料，如此得到的量子点光刻胶适合制备具有纳米级厚度的量子点发光层。通常而言，由本发明量子点光刻胶光刻制得的量子点发光层的厚度可小于100nm，优选小于80nm，更优选为30-60nm。该厚度远远小于不含量子点和载流子传输材料的常规光刻胶母液光刻后获得的薄膜厚度，后者通常为微米级别，例如0.5-200μm。
光刻胶又称为光致抗蚀剂，是指通过紫外光、深紫外光、电子束、离子束、 X射线等光照或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料，是光刻工艺中的关键材料，主要应用于集成电路和半导体分立器件的细微图形加工。
在本发明中，光刻胶母液指的是液态光致抗蚀剂，通常包含活性低聚物、光引发剂、溶剂、任选的活性稀释剂和任选的添加剂。活性低聚物是用于将光刻胶中的各种材料聚在一起的粘合剂，给予光刻胶以机械和化学性质，活性低聚物包含不饱和基团或其它可聚合基团，能够在光照或辐射后发生聚合形成成膜物质。对本发明而言，活性低聚物例如可以是环氧树脂、酚醛树脂、酚醛环氧树脂，例如双酚A甲醛酚醛环氧树脂(Bis-ANER)，活性低聚物还可以是氧杂环丁烷树脂或聚对羟基苯乙烯。
对本发明而言，活性低聚物的用量是常规的。基于本发明量子点光刻胶的总重量，活性低聚物的含量通常为0.05-3.0重量％，优选为0.05-1.5重量％。
光刻胶母液中的光引发剂为光刻胶母液中的光敏成分，又称光敏剂或光固化剂，是一类能在紫外光区或可见光区吸收一定波长的能量，产生自由基、阳离子等，从而引发单体聚合交联固化的化合物。对本发明而言，对于光引发剂的类型没有特别的限制，光引发剂可以是任何适合光刻胶的光引发剂。例如，当使用环氧树脂、酚醛树脂、酚醛环氧树脂(例如双酚A甲醛酚醛环氧树脂)时，通常采用阳离子引发剂。
根据本发明优选的是，光引发剂为碘鎓盐、硫鎓盐和三嗪类杂环类产酸剂中的任一种或几种。有利的是，所述碘鎓盐光引发剂、硫鎓盐光引发剂和三嗪类杂环类光引发剂分别具有如下通式(I)、(II)和(III):
其中
R1、R2、R3、R4、R5各自独立地是未取代的C6-C10芳基，或者被卤素、硝基、羰基、C1-C12烷基、C1-C12烷氧基、苯硫基、苯基、取代苯基取代的C6-C10芳基，优选是苯基或萘基，或者被卤素、硝基、C1-C6烷基、取代苯基取代的苯基或萘基，其中所述取代苯基包含的取代基为一个或多个选自卤素、硝基、 C1-C6烷基和C1-C6烷氧基的基团；
R6、R7和R8各自独立地是C1-C12烷基、C1-C12烷氧基、卤素取代的C1-C12烷基、卤素取代的C1-C12烷氧基、未取代苯基或者被C1-C12烷基和/或C1-C12烷氧基取代的苯基、未取代的苯乙烯基或者苯环被C1-C12烷基和/或C1-C12烷氧基取代的苯乙烯基；以及
Y、Z是非亲核性阴离子，例如三氟甲磺酸根、BF4 —、ClO4 —、PF6 —、AsF6 —、 SbF6 —。
在本发明的一个实施方案中，光引发剂为式(I)化合物，其中R1和R2相同或不同，并且选自下组：苯基以及被C1-C12烷基和/或C1-C8烷氧基取代的苯基。
在本发明的一个实施方案中，光引发剂为式(II)化合物，其中R3、R4和R5相同或不同，并且选自下组：苯基、苯硫基苯基。
在本发明的一个实施方案中，光引发剂为式(III)化合物，其中R6、R7和R8相同或不同，并且选自下组：C1-C6烷基、C1-C6烷氧基、卤素取代的C1-C6烷基、卤素取代的C1-C6烷氧基、未取代苯基或者被C1-C12烷基和/或C1-C12烷氧基取代的苯基、未取代的苯乙烯基或者苯环被C1-C12烷基和/或C1-C12烷氧基取代的苯乙烯基。
在本发明的一个特别优选实施方案中，光引发剂为选自下组中的一种或多种:4-(苯硫基)苯基.二苯基硫鎓六氟磷酸盐、4-(苯硫基)苯基.二苯基硫鎓六氟锑酸盐、双(4-(二苯基锍)苯基)硫醚双六氟磷酸盐、双(4-(二苯基锍)苯基)硫醚双六氟锑酸盐、10-(4-联苯基)-2-异丙基噻吨酮-10-硫鎓六氟磷酸盐、10-(4-联苯基)-2- 异丙基噻吨酮-10-硫鎓六氟锑酸盐、二苯基碘鎓六氟磷酸盐、4-辛氧基二苯碘鎓六氟磷酸盐、4-辛氧基二苯碘鎓六氟锑酸盐、4-异丁基苯基.4'-甲基苯基碘鎓六氟磷酸盐、4-异丁基苯基.4'-甲基苯基碘鎓六氟锑酸盐、双(4-十二烷基苯)碘鎓六氟锑酸盐、双(4-十二烷基苯)碘鎓六氟磷酸盐、4-辛氧基二苯碘鎓六氟锑酸盐、 4-辛氧基二苯碘鎓六氟磷酸、双(4-叔丁基苯)碘鎓六氟磷酸盐、双(4-叔丁基苯) 碘鎓六氟锑酸盐、2-(4-甲氧基苯基)-4,6-双(三氯甲基)-1,3,5-三嗪、2-(3,4-二甲氧基苯乙烯基)-4,6-双(三氯甲基)-1,3,5-三嗪、(5-对甲苯磺酰氧亚胺-5H-噻吩-2-亚基)-(4-甲氧基苯基)-乙腈、(5-对甲苯磺酰氧亚胺-5H-噻吩-2-亚基)-邻甲基苯基- 乙腈、(5-对甲苯磺酰氧亚胺-5H-噻吩-2-亚基)-苯乙腈。尤其优选的是，光引发剂为选自下组中的一种或多种:双(4-(二苯基锍)苯基)硫醚双六氟磷酸盐、双 (4-(二苯基锍)苯基)硫醚双六氟锑酸盐、10-(4-联苯基)-2-异丙基噻吨酮-10-硫鎓六氟磷酸盐、10-(4-联苯基)-2-异丙基噻吨酮-10-硫鎓六氟磷锑盐、二苯基碘鎓六氟磷酸盐、4-辛氧基二苯碘鎓六氟锑酸盐、4-异丁基苯基.4'-甲基苯基碘鎓六氟磷酸盐、双(4-十二烷基苯)碘鎓六氟锑酸盐、双(4-十二烷基苯)碘鎓六氟磷酸盐、 4-辛氧基二苯碘鎓六氟磷酸盐、双(4-叔丁基苯)碘鎓六氟锑酸盐、2-(3,4-二甲氧基苯乙烯基)-4,6-双(三氯甲基)-1,3,5-三嗪、(5-对甲苯磺酰氧亚胺-5H-噻吩-2-亚基)-(4-甲氧基苯基)-乙腈、(5-对甲苯磺酰氧亚胺-5H-噻吩-2-亚基)-邻甲基苯基- 乙腈。
对本发明而言，光引发剂的用量是常规的。基于本发明量子点光刻胶的总重量，光引发剂的含量通常为0.001-0.1重量％，优选为0.002-0.06重量％。
光刻胶母液还包含溶剂，该溶剂使光刻胶具有流动性、易挥发，对于光刻胶的化学性质几乎没有影响。对本发明而言，对于溶剂的类型没有特别的限制，只要能将光刻胶的各个组分溶解并且在光固化过程中挥发掉即可。通常使用有机溶剂。作为实例，例如可以提及氯仿、氯苯、对氯甲苯或其任意混合物。特别优选的是，采用选自下组中的一种或多种作为溶剂：氯仿、氯苯。
对本发明而言，溶剂的用量是常规的。基于本发明量子点光刻胶的总重量，溶剂的含量通常为90-99.5重量％，更优选为95-99.5重量％，更优选为97-99.5 重量％。
光刻胶母液视情况而定还可包含作为反应性稀释剂的反应性单体，该反应性稀释剂的分子中包含可聚合的不饱和基团或其它可聚合基团(环氧基团)，它既能起到溶剂的作用，又可在光照或辐射后发生聚合，最终成为漆膜的一部分。作为实例，反应性稀释剂例如可以提及乙烯基醚单体、N-乙烯基单体、环氧单体、氧杂环丁烷类单体、丙烯酸系单体或其混合物等。
光刻胶母液还可任选地包含添加剂，用来控制或改变光刻胶特定化学性质或光响应特性。这些添加剂包括但不限于成膜助剂、稳定剂、流平剂、颜料、染料、表面活性剂、光致产酸剂、碱性添加剂、敏化剂等。
在本发明的光刻胶母液中，任选存在的成膜助剂的选择是常规的，例如可以是乙二醇、丙二醇、苯甲醇、乙二醇丁醚、丙二醇醚、醇酯类或其混合物。
在本发明的光刻胶母液中，任选存在的稳定剂的选择是常规的，例如可以是德国BYK公司的BYK-E410、BYK-420，罗门哈斯化学试剂公司GN-935。
在本发明的光刻胶母液中，任选存在的流平剂的选择是常规的，例如可以是德国BYK公司的BYK-310、BYK-333、BYK-345、BYK-347。
在本发明的光刻胶母液中，任选存在的表面活性剂可以使用阴离子型、阳离子型、非离子型和/或两性离子型的表面活性剂。
根据本发明优选的是，光刻胶母体液还可包含碱性添加剂，例如叔胺类和/ 或季胺类物质。
根据本发明优选的是，光刻胶母液还可包含对特定波长敏感的敏化剂，如 2,4-二乙基硫杂蒽酮、9-蒽甲醇和1-[(2,4-二甲苯基)偶氮]-2-萘酚中的任一种或几种。
本发明量子点光刻胶中包含量子点，其中的量子点借助于光刻胶的图案化技术将量子点图案化，从而获得具有适于QLED的量子点发光层。在本发明中，硫醇配体是以分子间作用力(氢键或π-π相互作用)的形式连接在量子点表面的。作为这类具有硫醇表面配体的量子点，既可以市购获得，也可通过本领域已知的方法制备。例如，可以将量子点用硫醇化合物进行处理或分散，从而获得具有硫醇表面配体的量子点。作为该硫醇化合物，可以提及烷基硫醇如直链烷基硫醇，也可以提及烯基硫醇如直连烯基硫醇。直链烷基硫醇可以是C4-C16直链烷基硫醇，优选C8-C14直链烷基硫醇，例如辛硫醇、癸硫醇、十二烷基硫醇。直链烯基硫醇可以是C2-C16直链烯基硫醇，优选C3-C10直链烯基硫醇，例如烯丙基硫醇。
作为量子点的类型，没有特别的限制，只要量子点具有硫醇表面配体即可。例如，可以使用CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgTe、GaN、 GaAs、InP、InAs中的一种或多种。至于量子点的构造，它可以是均一混合型、梯度混合型、核-壳型或联合型。优选使用核/壳型量子点，其中量子点壳的表面包覆有硫醇表面配体。作为核/壳型量子点，优选量子点核为CdSe、CdTe、CdS 中的一种或多种，量子点壳为ZnS、ZnSe、ZnTe中的一种或多种，特别优选 CdSe(核)/ZnS(壳)。在本发明的尤其优选的实施方案中，量子点为红色CdSe/ZnS 型量子点、绿色CdSe/ZnS型量子点或蓝色CdSe/ZnS型量子点，或它们的混合物。
量子点的平均粒径没有特别的限制，通常为10-40nm，优选为10-20nm。
对本发明而言，量子点的用量是常规的。基于本发明量子点光刻胶的总重量，量子点的含量通常为0.05-1重量％，优选0.10-0.5重量％，特别优选为 0.25-0.5重量％。
本发明量子点光刻胶的一个特点是包含载流子传输材料。载流子传输材料的引入不仅能够使得量子点光刻胶可以获得纳米级厚度的量子点发光层，而且还增强了量子点发光层的载流子传输性能，使电子和空穴能够顺利传达到量子点，从而激发量子点发光。载流子传输材料包括空穴传输材料和电子传输材料。因而，本发明量子点光刻胶即可以包含空穴传输材料，也可以包含电子传输材料，亦或这二者的混合物。
对本发明而言，载流子传输材料的选择没有特别的限制，适合OLED的那些载流子传输材料都可使用。
空穴传输材料是常规的。空穴传输分子或聚合物都可以用作空穴传输材料。空穴传输材料包括但不限于联苯类、聚/并噻吩类、三芳胺类、咔唑类、吡唑啉类、丁二烯类和苯乙烯类。作为经常使用的空穴传输分子，可以提及：4,4’-双 [N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(α-NPD)、N,N’-二苯基-N,N’-双(3-甲基苯基)[1,1’- 联苯]-4,4’-二胺(TPD)、1,1-双[(二-4-甲苯基氨基)苯基]环己烷(TAPC)、N,N’-双 (4-甲基苯基)-N,N’-双(4-乙基苯基)[1,1’-(3,3’-二甲基)联苯]-4,4’-二胺(ETPD)、四 -(3-甲基苯基)-N,N,N’,N’-2,5-苯二胺(PDA)、α-苯基-4-N,N-二苯基氨基苯乙烯 (TPS)、对-(二乙基氨基)苯甲醛二苯基腙(DEH)、三苯基胺(TPA)、双[4-(N,N- 二乙基氨基)-2-甲基苯基]-(4-甲基苯基)甲烷(MPMP)、1-苯基-3-[对-(二乙基氨基) 苯乙烯基]-5-[对-(二乙基氨基)苯基]吡唑啉(PPR或DEASP)、1,2-反式-双(9H-咔唑-9-基)环丁烷(DCZB)、N,N,N’,N’-(4-甲基苯基)-(1,1’-联苯)-4,4’-二胺(TTB)、 4,4’,4”-三(N,N-二苯基氨基)三苯基胺(TDTA)和卟啉类化合物以及酞菁。常常使用的空穴传输聚合物选自下组：聚-9-乙烯基咔唑(PVK)、(苯基甲基)聚硅烷、 PEDOT(聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩))以及聚苯胺。同样还可通过将空穴传输分子掺杂到聚合物如聚苯乙烯和聚碳酸酯中来获得空穴传输聚合物。合适的空穴传输分子是上面提及的分子。电子传输材料例如包括与下列物质螯合的金属： oxinoid化合物，例如8-羟基喹啉铝类金属配合物，基于菲咯啉的化合物，例如 2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(DDPA＝BCP)或4,7-二苯基-1,10-菲咯啉 (DPA)，以及含氮五元杂环类化合物(唑类化合物)，例如1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(PBD)和 3-(4-联苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1,2,4-三唑(TAZ)。
电子传输材料也可以电子掺杂，以改进所用材料的传输性能，以首先使层厚度加大(避免针孔/短路)，其次将器件的操作电压降至最低。例如，空穴传输材料可以掺杂有电子受体；例如，酞菁或芳基胺如TPD或TDTA可以掺杂有四氟四氰基醌二甲烷(F4-TCNQ)。电子传输材料可以例如掺杂有碱金属；例如Alq3可以掺杂锂。电子掺杂对于本领域的技术人员而言是已知的。
对本发明而言，载流子传输材料的用量是常规的。基于本发明量子点光刻胶的总重量，载流子传输材料的含量通常为0.2-3.0重量％，优选为0.4-2.5重量％。
在本发明的一个实施方案中，量子点光刻胶基于其总重量包含如下组分：
A)0.05-1.0重量％，优选0.10-0.5重量％的量子点；和/或
B)0.05-3.0重量％的活性低聚物；和/或
C)0.001-0.1重量％的光引发剂；和/或
D)90-99.5重量％，优选95-99.5重量％的溶剂；和/或
E)0.2-3.0重量％的载流子传输材料；和/或
F)任选地，0.005-0.1重量％的活性稀释剂；和/或
G)任选地，0.005-0.1重量％的添加剂，
其中量子点光刻胶所含的每个组分的百分含量之和总是等于100重量％。
在本发明的另一个实施方案中，量子点光刻胶基于其总重量包含如下组分：
A)0.25-0.5重量％的量子点；和/或
B)0.05-1.5重量％的活性低聚物；和/或
C)0.002-0.06重量％的光引发剂；和/或
D)97-99.5重量％的溶剂；和/或
E)0.4-2.5重量％的载流子传输材料；和/或
F)任选地，0.005-0.1重量％的活性稀释剂；和/或
G)任选地，0.005-0.1重量％的添加剂，
其中量子点光刻胶所含的每个组分的百分含量之和总是等于100重量％。
本发明的量子点光刻胶通过在光刻胶母液中引入具有硫醇表面配体的量子点和载流子传输材料，使得所得量子点光刻胶在图案化之后可以获得纳米级厚度的量子点发光层，量子点发光层的厚度通常小于100nm，优选小于80nm，尤其为30-60nm。然而，同等条件下，当不引入量子点和载流子传输材料时，光刻胶母液在图案化之后无法获得纳米级厚度的薄膜或者获得不平整的/不均匀的薄膜。
本发明量子点光刻胶的制备是常规的，只要能将量子点和载流子传输材料均匀分布在光刻胶母液中即可。例如，先将载流子传输材料以溶液或分散液的形式与光刻胶母液混合，其中形成该溶液或分散液所采用的溶剂通常为适合光刻胶母液的溶剂，优选与光刻胶母液所含溶剂相同，例如采用氯仿、氯苯或其混合物。然后，将量子点的溶液或分散液与将载流子传输材料的溶液或分散液与光刻胶母液混合得到的混合液均匀混合，超声，得到量子点光刻胶。形成量子点的溶液或分散液所采用的溶剂通常为适合光刻胶母液的溶剂，优选与光刻胶母液所含溶剂相同，例如采用氯仿、氯苯或其混合物。
根据本发明的第二方面，提供了一种量子点发光层，该发光层通过将本发明量子点光刻胶通过光刻工艺获得。该量子点发光层的厚度通常小于100nm，优选小于80nm，更优选为20-80nm，特别优选为30-60nm。量子点发光层的制备采用光刻胶的典型图案化技术来制备。
根据本发明的第三方面，提供了一种制备量子点发光层的方法，包括如下步骤：
a)将量子点光刻胶旋涂在基片上；
b)将步骤b)得到的经涂布基片进行前烘；
c)将经步骤b)前烘的基片进行曝光；
d)将经步骤c)曝光的基片进行后烘；以及
e)将经步骤d)后烘的基片进行显影处理，获得量子点发光层。
在步骤a)中，将量子点光刻胶旋涂在基片上。为此，通常可以将量子点光刻胶倒于紧贴在匀胶机的基片上，然后以2000-4000r/min的速度旋转20s以上，例如25-60秒，使量子点光刻胶均匀地分布于基片上，形成一层均匀的膜。随后，静置15-30min以备后续使用。
在步骤b)中，将步骤b)得到的经涂布基片进行前烘。为此，通常可以将步骤a)中所得的经涂布基片置于烘胶机上烘30-90min，以除去溶剂。前烘温度依据溶剂沸点确定，通常高于所用溶剂的沸点。
在步骤c)中，将经步骤b)前烘的基片进行曝光。为此，通常可以将步骤b) 中所得的烘干基片置于掩模板下，用光强为10-15W/cm2的紫外光照射1-2s以进行曝光。
在步骤d)中，将经步骤c)曝光的基片进行后烘。为此，通常可以将经步骤 c)曝光的基片置于65-95℃的烘胶机上烘30-90min。
在步骤e)中，将经步骤d)后烘的基片进行显影处理，获得量子点发光层。为此，通常可以将步骤d)中所得的基片置于显影液中显影30-90s。显影液可以采用氯苯、氯仿等能溶解量子点的溶剂。显影之后，用溶剂比如异丙醇清洗，惰性气体吹干，获得量子点发光层。
根据本发明的第四个方面，提供了一种QLED，该QLED包含本发明量子点发光层。QLED的结构与OLED相似，其区别仅仅在于将OLED中的有机发光层替换为量子点发光层。
QLED原则上包含如下几层：
1.阳极(1)
2.空穴传输层(2)
3.量子点发光层(3)
4.电子传输层(4)
5.阴极(5)
然而，QLED也可不完全包括上述提及的所有层。例如，具有层(1)(阳极)、(3)(量子点发光层)和(5)(阴极)的QLED同样也是合适的，在此情形下，层(2)(空穴传输层)和(4)(电子传输层)的功能通过相邻层来实现。具有层(1)、(2)、(3)和(5) 或具有层(1)、(3)、(4)和(5)的QLED同样也是合适的。
QLED的上述各层进而又可以由两层或更多层组成。例如，空穴传输层可以由空穴从电极注入其中的层和将空穴从空穴注入层传输到量子点发光层中的层组成。电子传输层同样可由多层组成，例如由电子借助电极注入其中的层和从电子注入层接收电子并将它们传输到量子点发光层中的层组成。这些指定层各自根据诸如能级、耐热性和电荷载体的迁移率以及还有所提及各层与有机层或金属电极之间的能量差之类的因素进行选择。
为了获得特别有效的QLED，空穴传输层的HOMO(最高占据分子轨道)应该与阳极的功函匹配，并且电子传输层的LUMO(最低非占据分子轨道)应该与阴极的功函匹配。
QLED中的其它层可由常用于这些层并对于本领域中的技术人员而言是已知的任何材料组成。
阳极(1)是提供正电荷载体的电极。它例如可以由包含金属、不同金属的混合物、金属合金、金属氧化物或不同金属氧化物的混合物的材料组成。作为选择，阳极可以是导电性聚合物。合适的金属包括元素周期表中第11、4、5和6 族的金属以及第8-10族的过渡金属。当阳极是透明的时候，通常使用元素周期表中第12、13和14族金属的混合金属氧化物，例如氧化铟锡(ITO)。阳极(1) 还可以包含有机材料，例如聚苯胺。阳极或阴极中的至少一个应该至少部分是透明的，以能够发射所形成的光。
用于本发明QLED的层(2)的合适空穴传输材料与OLED中的空穴传输材料基本相同。该空穴传输材料与上文对于载流子传输材料所述的空穴传输材料相同，此处不再赘述。
用于本发明QLED的层(4)的合适电子传输材料与OLED中的空穴传输材料基本相同。该电子传输材料与上文对于载流子传输材料所述的电子传输材料相同，此处不再赘述。
阴极(5)是用于引入电子或负电荷载体的电极。阴极可以是具有的功函比阳极低的任何金属或非金属。用于阴极的合适材料选自元素周期表第1族的碱金属，例如Li、Cs，第2族的碱土金属和第12族金属，包括稀土金属和镧系金属和锕系金属。另外还可以使用诸如铝、铟、钙、钡、钐和镁之类的金属及其结合。另外，含锂的有机金属化合物或LiF可应用于有机层和阴极之间，以降低操作电压。
本发明的QLED可额外包含本领域技术人员已知的其它层。例如，可以将有助于正电荷的传输和/或使各层的带隙相互配合的层应用于层(2)和发光层(3) 之间。类似地，在发光层(3)和层(4)之间可以存在额外的层，以有助于负电荷的传输和/或使各层的带隙相互配合。
在优选实施方案中，本发明的QLED除了层(1)-(5)之外进一步包含下列额外层中的至少一层：
-阳极(1)和空穴传输层(2)之间的空穴注入层；
-空穴传输层(2)和量子点发光层(3)之间的电子和/或激子用阻挡层；
-量子点发光层(3)和电子传输层(4)之间的空穴和/激子用阻挡层；
-电子传输层(4)和阴极(5)之间的电子注入层。
本领域技术人员应当知道如何选择合适的材料(例如基于电化学研究)。用于各层的合适材料和合适的QLED结构对于本领域的技术人员而言是已知的。
此外，本发明QLED的上述层中的每一层可以由两层或更多层组成。还可以将层(1)、(2)、(3)、(4)和(5)中的一部分或全部进行表面处理，以增加电荷载体传输的效率。用于上述层中的每一层的材料的选择优选通过获得具有高效率的QLED来确定。
通常而言，不同层具有下列厚度：阳极(1)
优选
空穴传输层(2)
优选
量子点发光层(3)
优选
电子传输层(4)
优选
阴极(5)
优选
本发明QLED中的空穴和电子的重组区的位置以及QLED的发射光谱可能会受到各层的相对厚度的影响。这意味着电子传输层的厚度应该优先经选择，使得电子/空穴的重组区位于量子点发光层内。QLED中各层的厚度的比例取决于所用材料。使用的任何额外层的层厚度对于本领域的技术人员而言是已知的。
本发明的量子点光刻胶是一种可图案化的显示材料，同时还兼具易制备、效率高等其他优势，使得其作为产品性能优异，尤其适合电致主动发光的显示屏幕方面。
在本发明中，与以往修饰改性的方法不同，本发明量子点光刻胶的获得均来自物理上的机械共混，这大大降低了操作难度，在优化了性能的同时降低了成本。
在本发明的量子点光刻胶中，量子点和载流子传输材料的加入都会使混合体系的成膜性得到提升，然而普通的光刻胶是很难稀释涂布到纳米级厚度的，正是因为量子点和载流子传输材料的加入才使得混合体系能够均匀地涂布到纳米级别。
根据本发明的最后一个方面，提供了一种包含本发明量子点发光层或本发明QLED的发光装置、照明装置和显示装置。
实施例
下面将结合实施例对本发明作进一步的说明，应当指出的是，这些实施例仅是对本发明的示范性说明，而不应认为是对本发明范围的限制。
实施例1
1)将双酚A-甲醛酚醛环氧树脂(Mn＝4620)0.0100g、二苯基碘鎓六氟磷酸盐0.0005g和0.0900g PVK(聚乙烯基咔唑)(由西安宝莱特光电科技有限公司市购获得，产品编号为PLT102011B)溶解于9.9000g氯仿中，于20℃温度下均匀分散30min，得到混合液。
2)将溶剂为氯仿且浓度为20mg/ml的CdSe/ZnS核壳型量子点(表面为十二烷基硫醇配体的电致发光量子点，由苏州星硕纳米科技有限公司市购获得，产品ID号为XSLC-20190315-1)和步骤1)得到的混合液按照重量比1：4的比例进行混合，并超声30min，得到量子点光刻胶。
3)将步骤2)得到的量子点光刻胶以4000r/min的速率并持续30s的方式旋涂于硅片上，并静置半小时备用。
4)将步骤3)得到的基片放在烘胶机上于65℃烘60min，随后静置至室温。
5)将步骤4)得到的基片置于掩模板下，用光强为13.6W/cm2的紫外光照射 1s以进行曝光。
6)将步骤5)得到的基片置于95℃的烘胶机上烘60min。
7)将步骤6)得到的基片置于氯苯中显影30s，后用异丙醇清洗并用氮气吹干。
该实施例中步骤7)后得到的量子点发光层的显微照片见图1。在本文中，所有显微照片均采用上海光学仪器一厂生产的12XB光学显微镜得到。
从图1中可以看出，光刻后的图像形状规整，底面干净，说明光刻效果良好。另外，该量子点发光层的厚度约为60nm。在本文中，量子点发光层的厚度采用美国维易科(Veeco)仪器公司公司生产的Dektak 150型号台阶仪测得。
实施例2
1)将双酚A-甲醛酚醛环氧树脂(Mn＝4620)0.1400g、二苯基碘鎓六氟磷酸盐0.0070g和0.0600g PVK(聚乙烯基咔唑)(由西安宝莱特光电科技有限公司市购获得，产品编号为PLT102011B)溶解于9.8000g氯仿中，于20℃温度下均匀分散30min，得到混合液。
2)重复实施例1的2)操作。
3)重复实施例1的3)操作。
4)重复实施例1的4)操作。
5)重复实施例1的5)操作。
6)重复实施例1的6)操作。
7)重复实施例1的7)操作。
该实施例中步骤7)后得到的量子点发光层的显微照片见图2。从图2可以看出，光刻后的图像形状规整，底面干净，说明光刻效果良好。另外，该量子点发光层的厚度约为60nm。
实施例3
1)将双酚A-甲醛酚醛环氧树脂(Mn＝4620)0.0300g、二苯基碘鎓六氟磷酸盐0.0015g和0.2700g PVK(聚乙烯基咔唑)(由西安宝莱特光电科技有限公司市购获得，产品编号为PLT102011B)溶解于9.7000g氯苯中，于20℃温度下均匀分散30min，得到混合液。
2)将溶剂为氯苯且浓度为20mg/ml的CdSe/ZnS核壳型量子点(表面为十二烷基硫醇配体的电致发光量子点，由苏州星硕纳米科技有限公司市购获得)和步骤1)得到的混合液按照重量比1：4的比例进行混合，并超声30min，得到量子点光刻胶。
3)重复实施例1的3)操作。
4)重复实施例1的4)操作，但是烘胶机的温度为95℃。
5)重复实施例1的5)操作。
6)重复实施例1的6)操作。
7)重复实施例1的7)操作，但是显影液由氯苯替换为氯仿。
该实施例中步骤7)后得到的量子点发光层的显微照片见图3。从图3可以看出，光刻后的图像形状规整，底面干净，说明光刻效果良好。另外，该量子点发光层的厚度约为80nm。
实施例4
1)将双酚A-甲醛酚醛环氧树脂(Mn＝4620)0.1400g、二苯基碘鎓六氟磷酸盐0.0070g和0.0600g m-TPD(N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'- 二胺)(由西安宝莱特光电科技有限公司市购获得，产品编号为PLT302011T)溶解于9.8000g氯仿中，于20℃温度下均匀分散30min，得到混合液。
2)重复实施例1的2)操作。
3)重复实施例1的3)操作。
4)重复实施例1的4)操作。
5)重复实施例1的5)操作。
6)重复实施例1的6)操作。
7)重复实施例1的7)操作。
该实施例中步骤7)后得到的量子点发光层的显微照片见图4。从图4可以看出，光刻后的图像形状规整，底面干净，说明光刻效果良好。另外，该量子点发光层的厚度约为80nm。
实施例5
1)将实施例1步骤2)得到的量子点光刻胶以4000r/min的速率并持续30s 的方式旋涂于ITO玻璃上，并静置半小时备用。
2)将步骤3)得到的基片放在烘胶机上于65℃烘60min，随后静置至室温。
3)将步骤4)得到的基片置于掩模板下，用光强为13.6W/cm2的紫外光照射 1s以进行曝光。
4)将步骤5)得到的基片置于95℃的烘胶机上烘60min。
5)将步骤6)得到的基片置于高真空电阻蒸发镀膜机中蒸镀上一层40nm厚的TPBI(由西安宝莱特光电科技有限公司市购获得，产品编号为PLT302021T，属于电子传输材料)薄膜。
6)将步骤7)得到的基片置于高真空电阻蒸发镀膜机中再蒸镀上一层120 nm厚的Ca/Al薄膜。
7)将步骤8)得到的基片连接keithley 2400源测量单元和keithley 2000数字万用表，测得其电流密度-电压特性曲线和亮度-电压特性曲线，分别见图5和图 6。
由图5和图6可见，制备的QLED成功地点亮，证明所制备的量子点光刻胶可以应用于QLED。
实施例6
1)将实施例1步骤2)得到的量子点光刻胶以4000r/min的速率并持续30s 的方式旋涂于硅片上，并静置半小时，得到一薄膜。
所得薄膜的显微照片见图7。由图7可见，所得薄膜表面均匀、平整。另外，所得薄膜的厚度约为80nm。
对比例7
1)将双酚A-甲醛酚醛环氧树脂(Mn＝4620)0.2500g和二苯基碘鎓六氟磷酸盐0.0125g溶解于9.7500g氯仿中，于20℃温度下均匀分散30min，得到混合液。将混合液以4000r/min的速率并持续30s的方式旋涂于硅片上，并静置半小时，得到一薄膜。
所得薄膜的显微照片见图8。由图8可见，所得薄膜表面出现了沟壑，薄膜变得不均匀且不平整。另外，所得薄膜的厚度在20-140nm，平均厚度约为80nm。
对比例8
1)将双酚A-甲醛酚醛环氧树脂(Mn＝4620)0.1000g和二苯基碘鎓六氟磷酸盐0.0050g溶解于9.9000g氯仿中，于20℃温度下均匀分散30min，得到混合液。将混合液以4000r/min的速率并持续30s的方式旋涂于硅片上，并静置半小时，得到一薄膜。
所得薄膜的显微照片见图9。由图9可见，所得薄膜表面出现了沟壑，同时由于膜厚较低还出现了许多圆形的缺陷。另外，所得薄膜的厚度在10-50nm，平均厚度约为30nm。
上述实验实例不以任何方式限定本发明，凡采用等同替换或者等效变换的形式获得的技术方案，均落在本发明的保护范围之内。
Claims (11)
1.一种适于光刻制备具有纳米级厚度的量子点发光层的量子点光刻胶，该光刻胶包含光刻胶母液、具有硫醇表面配体的量子点以及载流子传输材料。
2.根据权利要求1的量子点光刻胶，其中硫醇配体以分子间作用力的形式连接在量子点表面上；优选所述硫醇配体化合物是烷基硫醇如直链烷基硫醇，优选C4-C16直链烷基硫醇，更优选C8-C14直链烷基硫醇，例如辛硫醇、癸硫醇、十二烷基硫醇；烯基硫醇如直连烯基硫醇，优选C2-C16直链烯基硫醇，更优选C3-C10直链烯基硫醇，例如烯丙基硫醇。
3.根据权利要求1或2的量子点光刻胶，其中量子点为选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgTe、GaN、GaAs、InP、InAs中的一种或多种；优选为包含量子点核和量子点壳的核/壳型量子点，其中量子点壳的表面包覆有硫醇表面配体；特别优选量子点核为CdSe、CdTe、CdS中的一种或多种并且量子点壳为ZnS、ZnSe、ZnTe中的一种或多种的核/壳型量子点；尤其是CdSe(核)/ZnS(壳)量子点；特别是红色CdSe/ZnS型量子点、绿色CdSe/ZnS型量子点或蓝色CdSe/ZnS型量子点，或它们的混合物。
4.根据权利要求1-3中任一项的量子点光刻胶，其中载流子传输材料为空穴传输材料、电子传输材料或其混合物；优选空穴传输材料为选自联苯类、聚/并噻吩类、三芳胺类、咔唑类、吡唑啉类、丁二烯类和苯乙烯类中的一种或多种；更优选空穴传输材料为选自下组中的一种或多种：4,4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(α-NPD)、N,N’-二苯基-N,N’-双(3-甲基苯基)[1,1’-联苯]-4,4’-二胺(TPD)、1,1-双[(二-4-甲苯基氨基)苯基]环己烷(TAPC)、N,N’-双(4-甲基苯基)-N,N’-双(4-乙基苯基)[1,1’-(3,3’-二甲基)联苯]-4,4’-二胺(ETPD)、四-(3-甲基苯基)-N,N,N’,N’-2,5-苯二胺(PDA)、α-苯基-4-N,N-二苯基氨基苯乙烯(TPS)、对-(二乙基氨基)苯甲醛二苯基腙(DEH)、三苯基胺(TPA)、双[4-(N,N-二乙基氨基)-2-甲基苯基]-(4-甲基苯基)甲烷(MPMP)、1-苯基-3-[对-(二乙基氨基)苯乙烯基]-5-[对-(二乙基氨基)苯基]吡唑啉(PPR或DEASP)、1,2-反式-双(9H-咔唑-9-基)环丁烷(DCZB)、N,N,N’,N’-(4-甲基苯基)-(1,1’-联苯)-4,4’-二胺(TTB)、4,4’,4”-三(N,N-二苯基氨基)三苯基胺(TDTA)、卟啉类化合物、酞菁、聚-9-乙烯基咔唑(PVK)，(苯基甲基)聚硅烷、PEDOT(聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩))以及聚苯胺。
5.根据权利要求1-4中任一项的量子点光刻胶，其中光刻胶母液包含活性低聚物、光引发剂、溶剂、任选的活性稀释剂和任选的添加剂。
6.根据权利要求5的量子点光刻胶，其中
活性低聚物为环氧树脂、酚醛树脂、酚醛环氧树脂，例如双酚A甲醛酚醛环氧树脂(Bis-ANER)；和/或
光引发剂为碘鎓盐、硫鎓盐和三嗪类杂环类产酸剂中的一种或几种；优选的是，所述碘鎓盐光引发剂、硫鎓盐光引发剂和三嗪类杂环类光引发剂分别具有如下通式(I)、(II)和(III):
其中
R1、R2、R3、R4、R5各自独立地是未取代的C6-C10芳基，或者被卤素、硝基、羰基、C1-C12烷基、C1-C12烷氧基、苯硫基、苯基、取代苯基取代的C6-C10芳基，优选是苯基或萘基，或者被卤素、硝基、C1-C6烷基、取代苯基取代的苯基或萘基，其中所述取代苯基包含的取代基为一个或多个选自卤素、硝基、C1-C6烷基和C1-C6烷氧基的基团；
R6、R7和R8各自独立地是C1-C12烷基、C1-C12烷氧基、卤素取代的C1-C12烷基、卤素取代的C1-C12烷氧基、未取代苯基或者被C1-C12烷基和/或C1-C12烷氧基取代的苯基、未取代的苯乙烯基或者苯环被C1-C12烷基和/或C1-C12烷氧基取代的苯乙烯基；以及
Y、Z是非亲核性阴离子，例如三氟甲磺酸根、BF4 —、ClO4 —、PF6 —、AsF6 —、SbF6 —；和/或
所述溶剂为氯仿、氯苯、对氯甲苯或其任意混合物，优选氯仿、氯苯或其任意混合物。
7.根据权利要求5或6的量子点光刻胶，其中量子点光刻胶基于其总重量包含如下组分：
A)0.05-1.0重量％，优选0.10-0.5重量％，优选0.25-0.5重量％的量子点；和/或
B)0.05-3.0重量％，优选0.05-1.5重量％的活性低聚物；和/或
C)0.001-0.1重量％，优选0.002-0.06重量％的光引发剂；和/或
D)90-99.5重量％，优选95-99.5重量％，更优选97-99.5重量％的溶剂；和/或
E)0.2-3.0重量％，优选0.4-2.5重量％的载流子传输材料；和/或
F)任选地，0.005-0.1重量％的活性稀释剂；和/或
G)任选地，0.005-0.1重量％的添加剂，
其中量子点光刻胶所含的每个组分的百分含量之和总是等于100重量％。
8.一种量子点发光层，其通过将根据权利要求1-7中任一项的量子点光刻胶通过光刻工艺获得，优选该量子点发光层的厚度小于100nm，优选小于80nm，更优选为20-80nm，特别优选为30-60nm。
9.一种制备根据权利要求8的量子点发光层的方法，包括：
a)将量子点光刻胶旋涂在基片上；
b)将步骤b)得到的经涂布基片进行前烘；
c)将经步骤b)前烘的基片进行曝光；
d)将经步骤c)曝光的基片进行后烘；以及
e)将经步骤d)后烘的基片进行显影处理，获得量子点发光层。
10.一种量子点发光二极管(QLED)，其包括根据权利要求8的量子点发光层。
11.一种发光装置、照明装置和显示装置，其包含根据权利要求8的量子点发光层或根据权利要求10的QLED。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910485642.8A CN112051709B (zh) | 2019-06-05 | 2019-06-05 | 量子点光刻胶、由其获得的量子点发光层、包含该量子点发光层的qled及其制备和应用 |
| PCT/CN2020/094161 WO2020244549A1 (zh) | 2019-06-05 | 2020-06-03 | 量子点光刻胶、由其获得的量子点发光层、包含该量子点发光层的qled及其制备和应用 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910485642.8A CN112051709B (zh) | 2019-06-05 | 2019-06-05 | 量子点光刻胶、由其获得的量子点发光层、包含该量子点发光层的qled及其制备和应用 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112051709A true CN112051709A (zh) | 2020-12-08 |
| CN112051709B CN112051709B (zh) | 2022-10-18 |
Family
ID=73608735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910485642.8A Active CN112051709B (zh) | 2019-06-05 | 2019-06-05 | 量子点光刻胶、由其获得的量子点发光层、包含该量子点发光层的qled及其制备和应用 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112051709B (zh) |
| WO (1) | WO2020244549A1 (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114114835A (zh) * | 2021-12-13 | 2022-03-01 | 陕西彩虹新材料有限公司 | 一种添加剂及包含该添加剂的光刻胶组合物 |
| WO2022135528A1 (zh) * | 2020-12-24 | 2022-06-30 | 清华大学 | 锌基金属有机纳米颗粒及其制备方法以及光刻胶 |
| WO2022143554A1 (zh) * | 2020-12-31 | 2022-07-07 | Tcl科技集团股份有限公司 | 发光器件及其制备方法 |
| WO2023028757A1 (zh) * | 2021-08-30 | 2023-03-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 量子点材料、量子点发光器件及其制备方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114725242B (zh) * | 2022-04-08 | 2023-06-06 | 成都中建材光电材料有限公司 | 一种提高量产化碲化镉薄膜电池发电效率的方法 |
| CN114958337B (zh) * | 2022-04-18 | 2024-04-05 | 北京师范大学 | 制备光刻胶-还原碳量子点的发光复合体系的方法以及所得发光复合体系及其应用 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160112506A (ko) * | 2015-03-19 | 2016-09-28 | 동우 화인켐 주식회사 | 자발광 감광성 수지 조성물, 이를 포함하는 컬러필터 및 화상표시장치 |
| CN106957645A (zh) * | 2017-03-17 | 2017-07-18 | 青岛海信电器股份有限公司 | 一种量子点材料、量子点光刻胶及其制备方法 |
| CN107102514A (zh) * | 2017-05-08 | 2017-08-29 | 苏州星烁纳米科技有限公司 | 量子点光刻胶、量子点彩膜基板和显示装置 |
| EP3327814A1 (en) * | 2016-11-25 | 2018-05-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Quantum dots, a composition or composite including the same, and an electronic device including the same |
| CN108129661A (zh) * | 2018-01-03 | 2018-06-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种聚合物、量子点膜层及其制备方法 |
| CN108303851A (zh) * | 2018-01-05 | 2018-07-20 | 湖北固润科技股份有限公司 | 包含聚对羟基苯乙烯类氧杂环丁烷树脂作为成膜树脂的光刻胶组合物 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010062120A (ja) * | 2008-08-06 | 2010-03-18 | Mitsubishi Chemicals Corp | 有機電界発光素子の隔壁用感光性組成物および有機電界発光表示装置 |
| KR20160066650A (ko) * | 2014-12-02 | 2016-06-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치의 제조 방법 및 표시 장치 |
| CN105929635A (zh) * | 2016-04-29 | 2016-09-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 量子点光刻胶及其制备方法、显示基板和显示装置 |
-
2019
- 2019-06-05 CN CN201910485642.8A patent/CN112051709B/zh active Active
-
2020
- 2020-06-03 WO PCT/CN2020/094161 patent/WO2020244549A1/zh active Application Filing
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160112506A (ko) * | 2015-03-19 | 2016-09-28 | 동우 화인켐 주식회사 | 자발광 감광성 수지 조성물, 이를 포함하는 컬러필터 및 화상표시장치 |
| EP3327814A1 (en) * | 2016-11-25 | 2018-05-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Quantum dots, a composition or composite including the same, and an electronic device including the same |
| CN108110144A (zh) * | 2016-11-25 | 2018-06-01 | 三星电子株式会社 | 包括量子点的发光器件和显示器件 |
| CN106957645A (zh) * | 2017-03-17 | 2017-07-18 | 青岛海信电器股份有限公司 | 一种量子点材料、量子点光刻胶及其制备方法 |
| CN107102514A (zh) * | 2017-05-08 | 2017-08-29 | 苏州星烁纳米科技有限公司 | 量子点光刻胶、量子点彩膜基板和显示装置 |
| CN108129661A (zh) * | 2018-01-03 | 2018-06-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种聚合物、量子点膜层及其制备方法 |
| CN108303851A (zh) * | 2018-01-05 | 2018-07-20 | 湖北固润科技股份有限公司 | 包含聚对羟基苯乙烯类氧杂环丁烷树脂作为成膜树脂的光刻胶组合物 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022135528A1 (zh) * | 2020-12-24 | 2022-06-30 | 清华大学 | 锌基金属有机纳米颗粒及其制备方法以及光刻胶 |
| WO2022143554A1 (zh) * | 2020-12-31 | 2022-07-07 | Tcl科技集团股份有限公司 | 发光器件及其制备方法 |
| WO2023028757A1 (zh) * | 2021-08-30 | 2023-03-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 量子点材料、量子点发光器件及其制备方法 |
| CN114114835A (zh) * | 2021-12-13 | 2022-03-01 | 陕西彩虹新材料有限公司 | 一种添加剂及包含该添加剂的光刻胶组合物 |
| CN114114835B (zh) * | 2021-12-13 | 2024-05-28 | 陕西彩虹新材料有限公司 | 一种添加剂及包含该添加剂的光刻胶组合物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN112051709B (zh) | 2022-10-18 |
| WO2020244549A1 (zh) | 2020-12-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN112051709B (zh) | 量子点光刻胶、由其获得的量子点发光层、包含该量子点发光层的qled及其制备和应用 | |
| KR102087299B1 (ko) | 양자점 박막, 이의 패터닝 방법 및 이를 적용한 양자점 발광소자 | |
| US20050186106A1 (en) | Organic electroluminescent device and process for preparing the same | |
| TWI720276B (zh) | 有機ｅｌ顯示裝置 | |
| US20090087792A1 (en) | Method for manufacturing electroluminescence element | |
| US8461572B2 (en) | Organic luminescent device and manufacturing method thereof | |
| KR101621636B1 (ko) | 격납된 층을 제조하기 위한 방법 및 물질, 및 이를 사용하여 제조된 소자 | |
| JP2002170667A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子、その製造方法及び画像表示装置 | |
| WO2006025554A1 (en) | Organic electroluminescent device and method for producing the same | |
| JP2014205830A (ja) | 有機半導体含有層形成用レベリング剤、有機半導体含有層形成用組成物、並びに、有機デバイス及びその製造方法 | |
| WO2010104183A1 (ja) | 有機電界発光素子用組成物、有機電界発光素子、有機ｅｌディスプレイ及び有機ｅｌ照明 | |
| CN104685651A (zh) | 有机电致发光元件、有机el照明和有机el显示装置 | |
| JP2002056973A (ja) | 有機電界発光素子および感光性高分子 | |
| JP2010034143A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 | |
| WO2019078080A1 (ja) | レベリング剤、機能層形成用インク組成物及び積層電子部品 | |
| CN104081878A (zh) | 有机电致发光元件、有机el照明和有机el显示装置 | |
| KR101319275B1 (ko) | 유기 발광소자용 조성물, 및 그를 이용한 유기 발광소자 | |
| JP2010108927A (ja) | 有機電界発光素子、該有機電界発光素子の製造方法、有機ｅｌ表示装置および有機ｅｌ照明 | |
| TW201714986A (zh) | 有機半導體元件用油墨組成物及使用其之有機半導體元件 | |
| Su | Cross-linking strategies for hole transport/emissive layers in quantum-dot light-emitting diodes | |
| WO2022213993A1 (zh) | 组合物及其在光电领域的应用 | |
| Xie et al. | Recent progress in hole-transporting materials and inkjet-printing QLEDs | |
| JP2012513661A (ja) | 有機発光ダイオード用の構成層の製造方法 | |
| KR102584211B1 (ko) | 유기 발광 패턴의 제조 방법 및 이를 적용한 유기 발광 소자 | |
| KR102019465B1 (ko) | 적층된 층을 제조하기 위한 방법 및 재료, 및 이를 사용하여 제조된 소자 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |