KR100787423B1 - 유기 전계 발광 소자 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 제1 전극 및 제2 전극 사이에 인광 도펀트를 포함하는 발광층을 갖는 유기 전계 발광 소자에 있어서, 상기 발광층은 인광 호스트로서 하기 화학식 1로 표시되는 바이폴라 화합물(bipolar compound)을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자:
<화학식 1>
A - C - B
상기 식에서, A는 홀 수송 단위이고, B는 전자 수송 단위이며, C는 결합이거나, 연결기이다.
본 발명의 유기 전계 발광 소자는 인광 호스트로서 두 가지의 성질을 동시에 갖는 바이폴라 화합물을 이용함으로써 소자의 효율 및 수명 특성을 개선할 수 있다.

Description

유기 전계 발광 소자{Organic electroluminescence display}
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 유기 전계 발광 소자의 단면을 나타낸 도면이다.
본 발명은 유기 전계 발광 소자에 관한 것으로서, 보다 상세하기로는 인광 도펀트를 포함하는 발광층에서 바이폴라 화합물을 채용하여 효율 및 수명 특성이 개선된 유기 전계 발광 소자에 관한 것이다.
유기 전계 발광 소자의 발광 재료는 그 발광 메카니즘에 따라 일중항 상태의 엑시톤을 이용하는 형광 재료와 삼중항 상태를 이용하는 인광 재료로 나뉜다.
인광 재료는 일반적으로 무거운 원자를 함유하는 유기금속 화합물 구조를 가지고 있으며 이러한 인광 재료를 이용하면, 원래 금지 전이이던 삼중항 상태의 엑시톤이 허용 전이를 거쳐 발광 하게 된다. 인광 재료는 75% 생성 확률을 갖는 삼중항 엑시톤을 사용할 수 있게 되어 25% 생성 확률을 갖는 일중항 엑시톤을 이용하는 형광 재료보다 매우 높은 발광 효율을 가질 수 있다.
인광 재료를 이용한 발광층은 호스트 물질과 이로부터 에너지를 전이받아 발 광하는 도펀트 물질로 구성된다. 상기 도펀트 물질로는 프린스턴 대학과 남캘리포니아 대학에서 이리듐 금속 화합물을 이용한 여러 재료들이 보고되고 있다. 특히 청색 발광 재료로는 (4,6-F2ppy)2Irpic이나 불소화된 ppy(fluorinated ppy) 리간드 구조를 기본으로 하는 Ir 화합물이 개발되었으며 이들 물질의 호스트 재료로는 CBP(4,4'-N,N'-dicarbazole-biphenyl) 물질이 많이 사용되고 있다. CBP 분자는 그 삼중항 상태의 에너지 밴드 갭(band gap)이 녹색, 적색 재료의 에너지 갭에는 충분한 에너지 전이를 가능케 하지만 청색 재료의 에너지 갭보다는 적어 발열 에너지 전이가 아닌 매우 비효율적인 흡열 전이가 일어난다고 보고되고 있다. 이러한 결과로 CBP 호스트는 청색 도펀트로의 에너지 전이가 충분하지 못하므로 청색 발광 효율이 낮고 수명이 짧은 문제점들의 원인으로 지적되고 있다.
최근에 인광 재료를 이용한 발광층 형성시 CBP보다 더 큰 삼중항 에너지 밴드 갭을 갖는 카바졸계 화합물을 호스트로 이용하는 방법이 공지되었다.
그러나 지금까지 알려진 카바졸계 화합물을 이용하는 경우, 인광 디바이스의 효율 및 수명 특성이 만족할 만한 수준에 이르지 못하여 개선의 여지가 많다.
이에 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상술한 문제점을 해결하여 효율 및 수명 특성이 개선된 유기 전계 발광 소자를 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여, 본 발명에서는 제1 전극 및 제2 전극 사 이에 인광 도펀트를 포함하는 발광층을 갖는 유기 전계 발광 소자에 있어서,
상기 발광층은 인광 호스트로서 하기 화학식 1을 갖는 바이폴라 화합물(bipolar compound)을 포함하는 유기 전계 발광 소자를 제공한다:
A - C - B
상기 식에서, A는 홀 수송 단위이고, B는 전자 수송 단위이며, C는 결합이거나, 연결기이다.
이하, 본 발명을 보다 상세하게 설명하기로 한다.
본 발명에서는 인광 도펀트를 포함하는 발광층 형성시 인광 호스트로서 홀 수송 특성을 갖는 단위(A), 전자 수송 특성을 갖는 단위(B), 및 연결기(C)를 함께 갖는 물질을 사용함으로써 유기 전계 발광 소자의 발광 효율 및 수명 특성을 향상시킨 것이다.
본 발명의 일구현예에 의하면, 상기 화학식 1에서 상기 홀 수송 단위(A)는 홀 수송 특성을 갖는 카바졸 단위이고, 상기 전자 수송 단위(B)는 전자 수송 특성을 갖는 플루오렌(fluorene) 단위, 스피로플루오렌(spirofluorene) 단위 및 알루미늄 히드로퀴놀린(aluminum hydroquinoline) 단위중에서 선택되는 것이 바람직하고, 상기 연결기 (C)는 결합이거나, 또는 O, S, NH이다.
상기 홀 수송 단위 A로 사용가능한 물질의 일예를 하기에 나타낸다:
Figure 112004051225395-pat00001
상기 식에서, R, R'은 각각 H이거나, 또는 탄소수 1 내지 22의 알킬기, 알콕시기, CN기, NO2기, 및 -O-Ar 중에서 선택될 수 있고, 상기 Ar은 페닐, 비페닐, 1-나프틸, 및 2-나프틸 중에서 선택될 수 있고, X는 O, CR2, NR, S, 또는 N=N이다.
Figure 112004051225395-pat00002
상기 식에서, R, R'은 각각 H이거나, 탄소수 1 내지 22의 알킬기, 알콕시기, CN기, NO2기, 및 -O-Ar 중에서 선택될 수 있고, 상기 Ar은 페닐, 비페닐, 1-나프틸, 및 2-나프틸 중에서 선택될 수 있고, X는 O, CR2, NR, S, 또는 N=N이다.
상기 카바졸계 단위의 비제한적인 예로서는, 1,3,5-트리카바졸릴벤젠, 4,4'-비스카바졸릴비페닐(CBP), 폴리비닐카바졸, m-비스카바졸릴페닐, 4,4'-비스카바졸릴-2,2'-디메틸비페닐(dmCBP), 4,4',4"-트리(N-카바졸릴)트리페닐아민, 1,3,5-트리(2-카바졸릴페닐)벤젠, 1,3,5-트리스(2-카바졸릴-5-메톡시페닐)벤젠 및 비스(4-카 바졸릴페닐)실란으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 들 수 있다.
상기 전자 수송 단위 B로 사용가능한 물질의 일예를 하기에 나타낸다.
Figure 112004051225395-pat00003
상기 식에서, R은 H이거나, 또는 탄소수 1 내지 22의 알킬기, 알콕시기, CN기, NO2기, 및 -O-Ar 중에서 선택될 수 있고, 상기 Ar은 페닐, 비페닐, 1-나프틸, 및 2-나프틸 중에서 선택될 수 있고, X는 O, CR2, NR, S, 또는 N=N이다.
상기 플루오렌 단위의 비제한적인 예는 플루오렌(fluorene), 디메틸플루오렌(dimethylfluorene), 디페닐플루오렌(diphenylfluorene), 및 디에틸플루오렌(diethylfluorene) 등으로 이루어지는 군에서 선택된 하나 이상일 수 있다.
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Figure 112004051225395-pat00005
상기 식에서, R1, R2, R3, R4는 각각 H이거나, 또는 탄소수 1 내지 22개의 알킬기, 알콕시기, CN기, NO2기, 및 -O-Ar 중에서 선택될 수 있고, 상기 Ar은 페닐, 비페닐, 1-나프틸, 및 2-나프틸 중에서 선택될 수 있고, X는 O, CR2, NR, S, N=N이고, R은 R1과 같다.
상기 스피로플루오렌 단위의 비제한적인 예는 페닐스피로플루오렌(phenylspirofluorene), 비페닐스피로플루오렌(biphenylspirofluorene), 및 메틸스피로플루오렌 (methylspirofluorene) 등으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상일 수 있다.
상기 알루미늄 히드로퀴놀린(aluminum hydroquinoline) 단위는 하기의 화학식으로 표시된다.
Figure 112007055515619-pat00021
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본 발명의 일구현예에 의하면, 상기 단위 A 및 단위 B로 사용될 수 있는 물 질은 HOMO 에너지 전위와 LUMO 에너지 전위 중 적어도 하나는 서로 상이한 화합물인 것이 바람직하다. 즉, 단위 A의 HOMO 전위와 단위 B의 HOMO 전위가 동일하지 않거나, 또는 단위 A의 LUMO 전위와 단위 B의 LUMO 전위가 동일하지 않아야 한다.
두 물질 단위의 에너지 레벨이 상이할 경우에는 홀과 전자가 주입되어 이동될 때보다 안정된 에너지 준위를 따라 이동하기 때문에 발광층에서 재결합(recombination) 확률이 높고 전하가 발광층 밖으로 유출되지 않는다. 두 물질의 에너지 레벨이 같으면 이러한 효과를 얻을 수 없다. 따라서 단위 A 및 단위 B가 될 수 있는 두 물질의 HOMO와 LUMO 에너지 준위 중 적어도 하나는 서로 상이하여야 안정된 에너지 준위를 따라 전하가 이동될 수 있다.
또한 발광층의 인광 호스트 물질로 사용될 수 있는 바이폴라 물질은 상기 단위 A 및 단위 B가 각각의 삼중항 에너지 레벨(triplet energy level)이 2.0eV 이상인 것이 바람직하다. 상기 에너지 레벨이 2.0eV 미만인 경우에는 에너지 전이가 불완전하여 바람직하지 못하다.
상기 발광층에서 인광 호스트인 바이폴라 화합물의 함량은 발광층 형성재료 총중량(즉, 호스트와 도펀트의 총중량) 100 중량부를 기준으로 하여 70 내지 99 중량부인 것이 바람직하다. 만약 인광 호스트의 함량이 70 중량부 미만이면, 삼중항의 소광 현상이 일어나 효율이 저하되고, 99 중량부를 초과하면 발광 물질이 부족하여 효율 및 수명이 저하되어 바람직하지 못하다.
본 발명의 발광층 형성시 사용되는 인광 도펀트는 발광 물질로서, 이의 비제한적인 예로서, 비스티에닐피리딘 아세틸아세토네이트 이리듐(bisthienylpyridine acetylacetonate Iridium), 비스(벤조티에닐피리딘)아세틸아세토네이트 이리듐{bis(benzothienylpyridine)acetylacetonate Iridium}, 비스(2-페닐벤조티아졸)아세틸아세토네이트 이리듐{Bis(2-phenylbenzothiazole)acetylacetonate Iridium}, 비스(1-페닐이소퀴놀린) 이리듐 아세틸아세토네이트{bis(1-phenylisoquinoline) Iridium acetylacetonate}, 트리스(1-페닐이소퀴놀린)이리듐{tris(1-phenylisoquinoline) Iridium}, 트리스(페닐피리딘) 이리듐{tris(phenylpyridine) Iridium}, 트리스(2-비페닐피리딘) 이리듐{tris(2-phenylpyridine) Iridium}, 트리스(3-비페닐 피리딘) 이리듐{tris(3-biphenylpyridine) Iridium}, 또는 트리스(4-비페닐 피리딘) 이리듐{tris(4-biphenylpyridine) Iridium} 등을 들 수 있다.
본 발명의 일구현예에 의하면, 상기 제1 전극과 상기 발광층 사이에 홀 주입층 및 홀 수송층 중에서 선택된 하나 이상이 더 구비할 수 있고, 상기 발광층과 제2 전극 사이에 홀 방지층, 전자수송층 및 전자주입층 중에서 선택된 하나 이상이 더 구비될 수 있다.
본 발명의 일구현예에 의하면, 발광층에서 인광 호스트로서 사용되는 바이폴라 화합물의 상기 단위 A는 4,4'-비스카바졸릴비페닐을 포함하고, 상기 단위 B는 알루미늄 히드로퀴놀린을 포함할 수 있다. 상기 바이폴라 화합물의 일예를 하기 화학식에 나타내었다:
Figure 112007055515619-pat00022
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상기 발광층의 인광 도펀트는 Ir(ppy)3이고, 이의 함량은 인광 호스트 100 중량부를 기준으로 하여 1 내지 30 중량부인 것이 바람직하다. 본 발명에 의한 바이폴라 화하물은 A 단위에 B 단위를 커플링하는 방법에 의하여 제조가능하다.
이하, 본 발명의 유기 전계 발광 소자의 제조방법을 살펴보면 다음과 같다.
도 1을 참조하여 본 발명의 일실시예에 따른 유기 전계 발광소자의 제조방법을 설명하면 다음과 같다.
먼저 기판 상부에 제1전극인 애노드용 물질을 코팅하여 애노드를 형성한다. 여기에서 기판으로는 통상적인 유기 전계 발광 소자에서 사용되는 기판을 사용하는데 투명성, 표면 평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 유기기판 또는 투명 플라스틱 기판이 바람직하다. 그리고 애노드용 물질로는 투명하고 전도성이 우수한 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO) 등을 사용한다.
상기 애노드 상부에 홀 주입층 물질을 진공 열증착, 또는 스핀 코팅하여 홀 주입층(HIL)을 선택적으로 형성한다. 여기에서 홀 주입층의 두께는 50 내지 1500Å인 것이 바람직하다. 만약 홀주입층의 두께가 50Å 미만인 경우에는 홀주입 특성이 저하되고, 1500Å을 초과하는 경우에는 구동전압 상승 때문에 바람직하지 못하다.
상기 홀 주입층 물질로는 특별히 제한되지 않으며 구리 프탈로시아닌(CuPc) 또는 스타버스트(Starburst)형 아민류인 TCTA, m-MTDATA, IDE406 (이데미쯔사 재료) 등을 홀 주입층으로 사용할 수 있다.
Figure 112004051225395-pat00009
상기 과정에 따라 형성된 홀 주입층 상부에 홀 수송층 물질을 진공 열증착 또는 스핀 코팅하여 홀 수송층(HTL)을 선택적으로 형성한다. 상기 홀 수송층 물질은 특별히 제한되지는 않으며, N,N'-비스(3-메틸페닐)- N,N'-디페닐-[1,1-비페닐]-4,4'-디아민(TPD), N,N'-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐 벤지딘,N,N'-디(나프탈렌-1-일) -N,N'-diphenyl- benxidine :α-NPD), IDE320(이데미쯔사 재료) 등이 사용된다. 여기에서 홀 수송층의 두께는 50 내지 1500Å인 것이 바람직하다. 만약 홀수송층의 두께가 50Å 미만인 경우에는 홀전달 특성이 저하되며 1500Å를 초과하는 경 우에는 구동전압 상승 때문에 바람직하지 못하다.
Figure 112004051225395-pat00010
이어서 홀 수송층 상부에, 인광 호스트로서 상술한 바이폴라 화합물과, 인광 도펀트를 함께 사용하여 발광층(EML)이 형성된다. 여기에서 발광층 형성 방법은 특별하게 제한되지는 않으나, 진공 증착, 잉크젯 프린팅, 레이저 전사법, 포토리소그래피법(photolithography)등의 방법을 이용한다.
상기 발광층의 두께는 100 내지 800 Å인 것이 바람직하고, 300 내지 400 Å인것이 더욱 바람직하다. 만약 발광층의 두께가 100Å 미만이면, 효율 및 수명이 저하되고, 800 Å을 초과하면 구동전압이 상승하여 바람직하지 못하다.
상기 발광층 위에 홀 블로킹용 물질을 진공 증착 또는 스핀코팅하여 홀 블로킹층(HBL)을 선택적으로 형성된다. 이 때 사용되는 홀 블로킹층용 물질은 특별히 제한되지는 않으나 전자 수송 능력을 가지면서 발광 화합물 보다 높은 이온화 퍼텐셜을 가져야 하며 대표적으로 Balq, BCP, TPBI 등이 사용된다. 만약 홀블로킹층의 두께는 30 내지 500Å인 것이 바람직하다. 만약 홀블로킹층의 두께가 30 Å 미만인 경우에는 정공 방지 특성이 좋지 않아 효율이 저하되며, 500Å를 초과하는 경우에 는 구동전압 상승으로 바람직하지 못하다.
Figure 112004051225395-pat00011
상기 홀 블로킹층 위에 전자 수송층이 진공 증착 방법, 또는 스핀 코팅 방법으로서 전자수송층(ETL)을 형성한다. 전자 수송층 재료로서는 특별히 제한되지는 않으며 Alq3를 이용할 수 있다. 상기 전자수송층의 두께는 50 내지 600Å인 것이 바람직하다. 만약 전자수송층의 두께가 50Å 미만인 경우에는 수명 특성이 저하되며, 600Å를 초과하는 경우에는 구동전압 상승으로 바람직하지 못하다.
또한 상기 전자 수송층 위에 전자 주입층(EIL)이 선택적으로 적층될 수 있다. 상기 전자 주입층 형성 재료로서는 LiF, NaCl, CsF, Li2O, BaO, Liq 등의 물질을 이용할 수 있다. 상기 전자 주입층의 두께는 1 내지 100Å인 것이 바람직하다. 만약 전자주입층의 두께가 1Å 미만인 경우에는 효과적인 전자주입층으로서 역할을 못하여 구동전압이 높고, 100Å를 초과하는 경우에는 절연층으로 작용하여 구동전 압이 높아 바람직하지 못하다.
Figure 112004051225395-pat00012
이어서, 상기 전자주입층 상부에 제2전극인 캐소드용 금속을 진공열 증착하여 제2전극인 캐소드를 형성함으로써 유기 전계 발광 소자가 완성된다.
상기 캐소드 금속으로는 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag) 등이 이용된다.
본 발명의 유기 전계 발광 소자는 애노드, 홀 주입층, 홀 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층, 캐소드의 필요에 따라 한 층 또는 두 층의 중간층을 더 형성하는 것도 가능하다. 위에서 언급한 층 외에도 홀 블록킹층, 전자 블로킹층이 들어갈 수도 있다.
이하, 본 발명을 하기 실시예를 들어 설명하기로 하되, 본 발명이 하기 실시예로만 한정되는 것은 아니다.
바이폴라 물질의 제조
2-methyl-8-quinolinol(0.01 mole)을 에탄올과 물의 혼합용액에서 재결정한후 재결정한 물질을 aluminum isopropoxide(0.005 mole)와 무수 diethylether에서 교반한다. 30분 반응후 용액을 필터한 후 hydroxycarbazolebiphenyl(0.01 mole)을 diethylether 용액에 넣어 가열하여 6시간 동안 반응시킨 후 냉각한다. 고체물질을 얻은 후 washing하고 drying하여 본 화합물을 제조한다.
실시예 1
애노드는 코닝(corning) 15Ω/cm2 (1200Å) ITO 유리 기판을 50mm x 50mm x 0.7mm 크기로 잘라서 이소프로필 알코올과 순수 물 속에서 각 5 분 동안 초음파 세정한 후, 30분 동안 UV, 오존 세정하여 사용하였다.
상기 기판 상부에 N,N'-디(1-나프틸)-N,N'-디페닐벤지딘(NPD)을 진공 증착하여 홀 수송층을 600Å 두께로 형성하였다.
상기 홀 수송층 상부에 인광 호스트로서 상기 제조한 바이폴라 화합물 90 중량부와 인광 도펀트인 트리스(2-페닐피리딘)이리듐(tris(2-phenylpyridine) Iridium) 10 중량부를 진공증착하여 약 400Å의 두께로 발광층을 형성하였다.
상기 발광층 상부에 전자 수송 물질인 Alq3를 증착하여 약 300Å 두께의 전자 수송층을 형성하였다.
상기 전자 수송층 상부에 LiF 10Å (전자 주입층)과 Al 1000Å (캐소드)을 순차적으로 진공 증착하여 LiF/Al 전극을 형성하여 도 1에 도시한 바와 같은 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
비교예 1
애노드는 코닝(corning) 15Ω/cm2 (1200Å) ITO 유리 기판을 50mm x 50mm x 0.7mm 크기로 잘라서 이소프로필 알코올과 순수 물 속에서 각 5 분 동안 초음파 세정한 후, 30분 동안 UV, 오존 세정하여 사용하였다.
상기 기판 상부에 NPD를 진공 증착하여 홀 수송층을 600Å 두께로 형성하였다. 상기 홀 수송층 상부에 인광 호스트인 4,4'-비스카바졸릴비페닐에 인광 도펀트인 트리스(2-페닐피리딘)이리듐(tris(2-phenylpyridine) Iridium) 10 중량부를 진공증착하여 약 400Å의 두께로 발광층을 형성하였다.
상기 발광층 상부에 전자 수송 물질인 Alq3를 증착하여 약 300Å 두께의 전자 수송층을 형성하였다.
상기 전자 수송층 상부에 LiF 10Å (전자 주입층)과 Al 1000Å (캐소드)을 순차적으로 진공 증착하여 LiF/Al 전극을 형성하여 도 1에 도시한 바와 같은 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
상기 실시예 1 및 비교예 1에 따라 제조된 유기 전계 발광 소자에 있어서, 효율 및 수명 특성을 조사하였다.
그 결과, 비교예 1의 유기 전계 발광 소자의 효율은 약 24cd/A이고, 실시예 1의 유기 전계 발광 소자는 효율이 31cd/A로서, 비교예 1의 경우에 비하여 효율이 개선되었다.
또한, 수명 특성은 최초 발광 휘도가 50%선까지 감소하는 시간으로 나타내는데 실시예 1의 유기 전계 발광 소자는 1000cd/m2에서 7,000시간이고, 비교예 1의 유기 전계 발광 소자는 1000cd/m2에서 5,000시간으로 나타나 실시예 1은 비교예 1의 경우에 비하여 수명 특성이 개선됨을 확인할 수 있었다.
본 발명의 유기 전계 발광 소자는 발광층 형성시 홀 수송 단위와 전자 수송 단위를 함께 갖는 바이폴라 화합물을 인광 디바이스의 인광 호스트로 사용함으로써 정공 수송성 물질 및 전자 수송성 물질을 혼합한 효과와 유사한 효과를 얻을 수 있다. 또한 단일 물질을 사용하여 두 물질을 혼합한 효과를 얻을 수 있으며 디바이스의 효율 및 수명 특성을 개선할 수 있다.

Claims (17)

  1. 제1 전극 및 제2 전극 사이에 인광 도펀트를 포함하는 발광층을 갖는 유기 전계 발광 소자에 있어서,
    상기 발광층은 인광 호스트로서 하기 화학식 1을 갖는 바이폴라 화합물(bipolar compound)을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자:
    <화학식 1>
    A - C - B
    상기 식에서, A는 홀 수송 단위이고, B는 전자 수송 단위이며, C는 결합이거나, 연결기이다.
  2. 제1항에 있어서, 상기 홀 수송 단위(A)는 하기의 화학식 중 하나인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자:
    Figure 112007005039615-pat00013
    또는
    Figure 112007005039615-pat00014
    상기 식에서, R, R'은 각각 H이거나, 탄소수 1 내지 22의 알킬기, 알콕시기, CN기, NO2기, 및 -O-Ar 중에서 선택될 수 있고, 상기 Ar은 페닐, 비페닐, 1-나프틸, 및 2-나프틸 중에서 선택될 수 있고, X는 O, CR2, NR, S, 또는 N=N이다.
  3. 제1항에 있어서, 상기 홀 수송 단위(A)는 1,3,5-트리카바졸릴벤젠, 4,4'-비스카바졸릴비페닐(CBP), 폴리비닐카바졸, m-비스카바졸릴페닐 4,4'-비스카바졸릴-2,2'-디메틸비페닐, 4, 4',4"-트리(N-카바졸릴)트리페닐아민, 1,3,5-트리(2-카바졸릴페닐)벤젠, 1,3,5-트리스(2-카바졸릴-5-메톡시페닐)벤젠 및 비스(4-카바졸릴페닐)실란으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  4. 제1항에 있어서, 상기 전자 수송 단위(B)는 플루오렌(fluorene) 단위, 스피로플루오렌(spirofluorene) 단위 및 알루미늄 히드로퀴놀린(aluminum hydroquinoline) 단위중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  5. 제4항에 있어서, 상기 플루오렌 단위는 하기의 화학식으로 표시되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자:
    Figure 112007005039615-pat00015
    상기 식에서, R은 H이거나, 또는 탄소수 1 내지 22의 알킬기, 알콕시기, CN기, NO2기, 및 -O-Ar 중에서 선택될 수 있고, 상기 Ar은 페닐, 비페닐, 1-나프틸, 및 2-나프틸 중에서 선택될 수 있고, X는 O, CR2, NR, S, 또는 N=N이다.
  6. 제4항에 있어서, 상기 스피로플루오렌 단위는 하기의 화학식으로 표시되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자:
    Figure 112006055183057-pat00016
    상기 식에서, R1, R2, R3, R4는 각각 H이거나, 또는 탄소수 1 내지 22개의 알킬기, 알콕시기, CN기, NO2기, 및 -O-Ar 중에서 선택될 수 있고, 상기 Ar은 페닐, 비페닐, 1-나프틸, 및 2-나프틸 중에서 선택될 수 있고, X는 O, CR2, NR, S, N=N이고, R은 R1과 같다.
  7. 삭제
  8. 제4항에 있어서, 상기 알루미늄 히드로퀴놀린(aluminum hydroquinoline) 단위는 하기의 화학식으로 표시되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자:
    Figure 112007055515619-pat00023
  9. 삭제
  10. 제1항에 있어서, 상기 단위 (C)는 결합이거나, 또는 O, S, NH 중 선택되는 하나인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  11. 제1항에 있어서, 상기 발광층에서 인광 호스트인 바이폴라 화합물의 함량은 발광층 형성재료 총중량 100 중량부를 기준으로 하여 70 내지 99 중량부인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  12. 제1항에 있어서, 상기 단위 A 및 단위 B의 삼중항 에너지 레벨(triplet energy level)이 2.0eV 이상인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  13. 제1항에 있어서, 상기 발광층에서 인광 도펀트가,
    비스티에닐피리딘 아세틸아세토네이트 이리듐, 비스(벤조티에닐피리딘)아세틸아세토네이트 이리듐, 비스(2-페닐벤조티아졸)아세틸아세토네이트 이리듐, 비스(1-페닐이소퀴놀린) 이리듐 아세틸아세토네이트, 트리스(1-페닐이소퀴놀린)이리듐, 트리스(페닐피리딘) 이리듐, 트리스(2-비페닐 피리딘) 이리듐, 트리스(3-비페닐 피리딘) 이리듐, 및 트리스(4-비페닐 피리딘) 이리듐으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  14. 제1항에 있어서, 상기 제1전극과 발광층 사이에 홀 주입층 및 홀 수송층 중에서 선택된 하나 이상이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  15. 제1항에 있어서, 상기 발광층과 제2전극 사이에 홀 방지층, 전자수송층 및 전자주입층 중에서 선택된 하나 이상이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  16. 제1항에 있어서, 발광층에서 인광 호스트로서 사용되는 바이폴라 화합물의 상기 단위 A가 4,4'-비스카바졸릴비페닐을 포함하고, 상기 단위 B가 알루미늄 히드로퀴놀린을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  17. 제1항에 있어서, 상기 바이폴라 화합물이 하기 화학식으로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
    Figure 112007055515619-pat00024
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Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1859656B1 (en) * 2004-12-30 2013-07-17 E.I. Du Pont De Nemours And Company Organometallic complexes
KR100787428B1 (ko) 2005-03-05 2007-12-26 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자
KR100732823B1 (ko) * 2005-04-21 2007-06-27 삼성에스디아이 주식회사 호스트용 화합물과 도판트용 화합물이 연결된 유기 금속화합물, 이를 이용한 유기 전계 발광 소자 및 그의제조방법
TWI297353B (en) * 2005-11-10 2008-06-01 Au Optronics Corp Phosphorescent organic light-emitting diodes
CN101461073B (zh) 2006-06-01 2013-01-02 株式会社半导体能源研究所 发光元件、发光器件和电子器件
GB0617167D0 (en) * 2006-08-31 2006-10-11 Cdt Oxford Ltd Compounds for use in opto-electrical devices
US9397308B2 (en) * 2006-12-04 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device, and electronic device
US8617720B2 (en) 2009-12-21 2013-12-31 E I Du Pont De Nemours And Company Electroactive composition and electronic device made with the composition
TWI432418B (zh) * 2011-12-19 2014-04-01 Au Optronics Corp 電子傳輸材料及有機發光元件
JP6317544B2 (ja) * 2013-02-15 2018-04-25 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子および電子機器
CN104177287A (zh) * 2013-05-28 2014-12-03 海洋王照明科技股份有限公司 红光磷光主体材料及其制备方法和有机电致发光器件
KR101742359B1 (ko) 2013-12-27 2017-05-31 주식회사 두산 유기 전계 발광 소자
WO2015099481A1 (ko) * 2013-12-27 2015-07-02 주식회사 두산 유기 전계 발광 소자
US10230053B2 (en) 2015-01-30 2019-03-12 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting device
US11208401B2 (en) 2015-06-10 2021-12-28 Merck Patent Gmbh Materials for organic electroluminescent devices
JP6839697B2 (ja) 2015-07-30 2021-03-10 メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングMerck Patent GmbH 電子素子のための材料
KR102537438B1 (ko) 2015-11-24 2023-05-30 삼성디스플레이 주식회사 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102552273B1 (ko) 2015-11-26 2023-07-07 삼성디스플레이 주식회사 축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
KR102546673B1 (ko) * 2015-12-03 2023-06-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102642199B1 (ko) 2016-04-07 2024-03-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
JP7039188B2 (ja) 2016-06-24 2022-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 燐光発光層用ホスト材料、有機化合物、発光素子、発光装置、電子機器および照明装置
CN108129661B (zh) * 2018-01-03 2021-01-22 京东方科技集团股份有限公司 一种聚合物、量子点膜层及其制备方法
CN109994640B (zh) * 2019-04-09 2021-06-15 江苏三月科技股份有限公司 一种含有多通道载流子传输材料的有机电致发光器件

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1065737A2 (en) 1999-06-28 2001-01-03 Motorola, Inc. Organic electroluminescent device
JP2002226722A (ja) * 2001-01-30 2002-08-14 Sony Corp アミノスチリルフェナントレン化合物及びその合成中間体並びにこれらの製造方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5141671A (en) * 1991-08-01 1992-08-25 Eastman Kodak Company Mixed ligand 8-quinolinolato aluminum chelate luminophors
US6242115B1 (en) * 1997-09-08 2001-06-05 The University Of Southern California OLEDs containing thermally stable asymmetric charge carrier materials
JP4511024B2 (ja) * 1997-10-09 2010-07-28 ザ、トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシティ 高透明性非金属カソード
US6451455B1 (en) * 1998-04-01 2002-09-17 The Trustees Of Princeton University Metal complexes bearing both electron transporting and hole transporting moieties
KR100582328B1 (ko) * 1998-04-09 2006-05-23 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 전자 발광 소자
EP3379591A1 (en) * 1999-12-01 2018-09-26 The Trustees of Princeton University Complexes of form l2mx
US6225467B1 (en) * 2000-01-21 2001-05-01 Xerox Corporation Electroluminescent (EL) devices
JP4089331B2 (ja) * 2001-07-25 2008-05-28 東レ株式会社 発光素子
JP2003229277A (ja) * 2002-02-04 2003-08-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光素子材料およびそれを用いた発光素子並びに装置
WO2003080760A1 (fr) * 2002-03-22 2003-10-02 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Materiau pour dispositifs electroluminescents organiques et dispositifs electroluminescents organiques produits avec ce materiau
US6902831B2 (en) * 2002-11-26 2005-06-07 Canon Kabushiki Kaisha Azulene-based compounds in organic light emitting device elements
JP4225043B2 (ja) * 2002-12-03 2009-02-18 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、その製造方法、表示装置、照明装置及び光源
EP1589789B1 (en) * 2003-01-24 2015-07-01 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device
CN100335462C (zh) * 2003-09-05 2007-09-05 清华大学 咔唑衍生物及其在电致发光器件中的应用
JP4576141B2 (ja) * 2004-03-26 2010-11-04 保土谷化学工業株式会社 フルオレン基を含有するカルバゾール誘導体
EP1859656B1 (en) * 2004-12-30 2013-07-17 E.I. Du Pont De Nemours And Company Organometallic complexes

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1065737A2 (en) 1999-06-28 2001-01-03 Motorola, Inc. Organic electroluminescent device
JP2002226722A (ja) * 2001-01-30 2002-08-14 Sony Corp アミノスチリルフェナントレン化合物及びその合成中間体並びにこれらの製造方法

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