CN108122536B - 显示装置 - Google Patents

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    • G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element

Abstract

公开了一种包括子像素和至少两个扫描线的显示装置。子像素布置在基板上，并且每个子像素包括发光元件被设置成在其中以发射光的发射区域和其中设置有用于驱动发光元件的电路的电路区域。至少两个扫描线位于电路区域中。通过与构成设置在电路区域中的晶体管的栅电极的栅极金属层不同的金属层形成至少两个扫描线中的一个或更多个。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2016年11月30日提交的韩国专利申请第10-2016-0161513号的优先权，其全部内容如同在此完全阐述一样通过引用并入本文用于所有目的。
技术领域
本公开内容涉及一种显示装置。
背景技术
随着信息技术的发展，用作用户与信息之间的连接介质的显示装置的市场正在增长。因此，诸如有机发光二极管(OLED)显示器、液晶显示器(LCD)和等离子体显示面板(PDP)的显示装置的使用正在上升。
OLED显示器包括包含多个子像素的显示面板和用于驱动显示面板的驱动器。驱动器包括用于向显示面板提供扫描信号(或栅极信号)的扫描驱动器，用于向显示面板提供数据信号的数据驱动器等。
当扫描信号和数据信号被提供至以矩阵布置的子像素时，响应于扫描信号和数据信号选择的子像素发光。因此，OLED显示器能够显示图像。
当OLED显示器使用了较长时间时，OLED显示器具有子像素中包括的部件的特性(例如，阈值电压、电流迁移率等)变化的问题。为了补偿特性的变化，已经提出了根据相关技术的方法来添加用于感测子像素中包括的部件的特性的感测电路。
当如上所述在子像素内部添加感测电路时，需要考虑各种问题，包括子像素的开口率的减小，诸如信号线或电力线的线和电极在修复过程中被激光损坏的问题，等等。当使用高分辨率和大尺寸显示装置时，需要进一步考虑这些问题。
发明内容
根据一个实施例的显示装置包括：布置在基板上的子像素，每个子像素包括发射区域和电路区域，发射元件被设置在发射区域中以发光，用于驱动发射元件的电路被设置在电路区域中；以及位于电路区域中的至少两个扫描线，其中至少两个扫描线中的一个或更多个扫描线由与构成电路区域中设置的晶体管的栅电极的栅极金属层不同的金属层形成。
根据另一个实施例的显示装置包括：布置在基板上的子像素，每个子像素包括发射区域和电路区域，发射元件被设置在发射区域中以发光，用于驱动发射元件的电路被设置在电路区域中；以及位于电路区域中的至少两个扫描线，其中至少两个扫描线包括第一扫描线和第二扫描线，第一扫描线和第二扫描线位于电路区域上的相对部分并且彼此间隔开。
附图说明
包括附图以提供对本发明的进一步理解，并且附图被并入并构成本说明书的一部分，附图示出了本发明的实施方式，并且与描述一起用于解释本发明的原理。在图中：
图1是有机发光二极管(OLED)显示器的示意性框图；
图2示意性地示出子像素的电路配置；
图3详细示出了子像素的电路配置；
图4是显示面板的示例性截面图；
图5示意性地示出了根据实验示例的子像素的平面布局；
图6详细示出了根据实验示例的图5的电路区域；
图7是用于说明实验示例的问题的图；
图8示意性地示出了根据第一实施方式的子像素的平面布局；
图9详细示出了根据第一实施方式的图8的电路区域；
图10是图9的部分A1-A2的截面图；
图11是用于说明第一实施方式的改进的图；
图12详细示出了根据第二实施方式的图8的电路区域；以及
图13详细示出了根据第三实施方式的图8的电路区域。
具体实施方式
现在将详细参考本公开内容的实施方式，其示例在附图中示出。尽可能地，在全部附图中将使用相同的附图标记来指代相同或相似的部件。将注意到，如果确定已知技术可能误导本公开内容的实施方式，则将省略对该技术的详细描述。
根据实施方式的显示装置可以被实现为电视系统、视频播放器、个人计算机(PC)、家庭影院系统、智能电话等。在下面的描述中，根据实施方式的显示装置使用基于有机发光二极管(或发光元件)实现的有机发光二极管(OLED)显示器。根据实施方式的OLED显示器执行用于显示图像的图像显示操作和用于补偿部件随时间变化的特性(或时变特性)的外部补偿操作。
外部补偿操作可以在图像显示操作期间的竖直空白间隔中、在图像显示操作开始之前的通电序列间隔中、或在图像显示操作结束之后的断电序列间隔中执行。竖直空白间隔是不施加用于图像显示的数据信号的时间，并且被布置在其中施加一帧的数据信号的竖直工作时段之间。
通电序列间隔是在用于驱动装置的电力的接通与图像显示的开始之间的时间。断电序列间隔是在图像显示的结束与用于驱动装置的电力的关断之间的时间。
执行外部补偿操作的外部补偿方法可以以源极跟随器的方式操作驱动晶体管，然后感测存储在感测线的线电容器中的电压(例如，驱动晶体管的源极电压)，但是不限于此。线电容器是指感测线上存在的单位电容。
为了补偿驱动晶体管的阈值电压的变化，当驱动晶体管的源极节点的电压饱和时(即，当驱动晶体管的电流Ids为零时)，外部补偿方法感测源极电压。此外，为了补偿驱动晶体管的迁移率的变化，外部补偿方法在驱动晶体管的源极节点的电压饱和之前以线性状态感测源极节点的电压。
在下面的描述中，薄膜晶体管的除了栅电极之外的电极可以根据薄膜晶体管的类型被称为源电极和漏电极或者漏电极和源电极。此外，在下面的描述中，薄膜晶体管的源电极和漏电极或者漏电极和源电极可以被称为第一电极和第二电极。
图1是OLED显示器的示意性框图。图2示意性地示出子像素的电路配置。图3详细示出子像素的电路配置。图4是显示面板的示例性截面图。
如图1所示，根据实施方式的OLED显示器包括图像处理单元110、定时控制器120、数据驱动器130、扫描驱动器140和显示面板150。
图像处理单元110输出从外部提供的数据信号DATA和数据使能信号DE。图像处理单元110除了数据使能信号DE之外可以输出竖直同步信号、水平同步信号和时钟信号中的一个或更多个。为了简洁和易读，这些信号未示出。
定时控制器120接收来自图像处理单元110的数据信号DATA和数据使能信号DE或包括竖直同步信号、水平同步信号、时钟信号等的驱动信号。定时控制器120基于驱动信号输出用于控制扫描驱动器140的操作定时的栅极定时控制信号GDC和用于控制数据驱动器130的操作定时的数据定时控制信号DDC。
数据驱动器130响应于从定时控制器120提供的数据定时控制信号DDC采样并锁存从定时控制器120接收的数据信号DATA，并且使用伽马参考电压转换所采样并锁存的数据信号DATA。数据驱动器130将经转换的数据信号DATA输出至数据线DL1至DLn。数据驱动器130可以形成为集成电路(IC)。
扫描驱动器140响应于从定时控制器120提供的栅极定时控制信号GDC输出扫描信号。扫描驱动器140将扫描信号输出至扫描线GL1至GLm。扫描驱动器140形成为IC或者以板内栅极(GIP)方式形成在显示面板150上。
显示面板150响应于分别从数据驱动器130和扫描驱动器140接收的数据信号DATA和扫描信号来显示图像。显示面板150包括被配置成显示图像的子像素SP。
子像素SP可以包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，或者可以包括白色子像素、红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。子像素SP根据发射特性可以具有一个或更多个不同的发射区域。
如图2所示，每个子像素可以包括开关晶体管SW、驱动晶体管DR、电容器Cst、补偿电路CC和有机发光二极管OLED。
开关晶体管SW执行开关操作，使得通过第一数据线DL1提供的数据信号响应于通过第一扫描线GL1提供的扫描信号而被存储在电容器Cst中作为数据电压。驱动晶体管DR基于存储在电容器Cst中的数据电压使得驱动电流能够在第一电力线(或称为“高电位电力线”)EVDD与第二电力线(或称为“低电位电力线”)EVSS之间流动。有机发光二极管OLED根据由驱动晶体管DR形成的驱动电流而发射光。
补偿电路CC是添加到子像素并补偿驱动晶体管DR的阈值电压等的电路。补偿电路CC包括一个或更多个晶体管。补偿电路CC的配置可以根据外部补偿方法而不同地变化，并且下面将参照图3进行描述。
如图3所示，补偿电路CC包括感测晶体管ST和感测线(或称为“参考线”)VREF。感测晶体管ST连接在驱动晶体管DR的源电极(下文中称为“感测节点”)与有机发光二极管OLED的阳极电极之间。感测晶体管ST可以将通过感测线VREF传输的初始化电压(或称为“感测电压”)提供至驱动晶体管DR的感测节点，或者可以感测驱动晶体管DR的感测节点的电压或电流或者感测线VREF的电压或电流。
开关晶体管SW的第一电极连接至第一数据线DL1，并且开关晶体管SW的第二电极连接至驱动晶体管DR的栅电极。驱动晶体管DR的第一电极连接至第一电力线EVDD，并且驱动晶体管DR的第二电极连接至有机发光二极管OLED的阳极电极。电容器Cst的第一电极连接至驱动晶体管DR的栅电极，并且电容器Cst的第二电极连接至有机发光二极管OLED的阳极电极。有机发光二极管OLED的阳极电极连接至驱动晶体管DR的第二电极，并且有机发光二极管OLED的阴极电极连接至第二电力线EVSS。感测晶体管ST的第一电极连接至感测线VREF，并且感测晶体管ST的第二电极连接至感测节点，即有机发光二极管OLED的阳极电极和驱动晶体管DR的第二电极。
感测晶体管ST的操作时间根据外部补偿算法(或补偿电路的配置)可以与开关晶体管SW的操作时间类似(或相同)或不同。例如，开关晶体管SW的栅电极可以连接至1a扫描线GL1a，并且感测晶体管ST的栅电极可以连接至1b扫描线GL1b。在这种情况下，可以将扫描信号Scan传输到1a扫描线GL1a，并且可以将感测信号Sense传输到1b扫描线GL1b。作为另一示例，开关晶体管SW的栅电极和感测晶体管ST的栅电极可以共享1a扫描线GL1a或1b扫描线GL1b，并且可以连接。
感测线VREF可以连接至数据驱动器。在这种情况下，数据驱动器可以在实时图像或N帧周期的非显示时段期间感测子像素的感测节点，并且生成感测结果，其中N是等于或大于1的整数。开关晶体管SW和感测晶体管ST可以同时导通。在这种情况下，根据数据驱动器的时分驱动方法，使用感测线VREF的感测操作和用于输出数据信号的数据输出操作彼此分开(或区分开)。
此外，根据感测结果的补偿目标可以是数字数据信号、模拟数据信号、伽马信号等。用于基于感测结果产生补偿信号(或补偿电压)的补偿电路可以在数据驱动器内部、定时控制器内部或作为单独的电路实现。
光屏蔽层LS可以设置在仅驱动晶体管DR的沟道区的下方。可替选地，光屏蔽层LS可以设置在驱动晶体管DR的沟道区的下方以及开关晶体管SW的沟道区和感测晶体管ST的沟道区的下方。光屏蔽层LS可以简单地用于遮挡外部光。此外，光屏蔽层LS可以连接至另一个电极或另一个线，并且用作构成电容器的电极等。因此，光屏蔽层LS可以被选择为由金属形成的多层(例如，两种不同的金属的多层)，以具有光屏蔽特性。
图3通过示例的方式示出了具有包括开关晶体管SW、驱动晶体管DR、电容器Cst、有机发光二极管OLED和感测晶体管ST的3T(晶体管)1C(电容器)的配置的子像素。然而，当将补偿电路CC添加到子像素时，子像素可以具有各种配置诸如3T2C、4T2C、5T1C和6T2C。
如图4所示，基于图3所示的电路，子像素形成在第一基板(或称为“薄膜晶体管基板”)150a的显示区AA上。显示区AA上的子像素由保护膜(或称为“保护基板”)150b密封。在图4中，“NA”表示非显示区。第一基板150a可以由玻璃或柔性材料形成。
子像素以红色(R)子像素、白色(W)子像素、蓝色(B)子像素和绿色(G)子像素的顺序水平地或竖直地布置在显示区AA上。红色(R)子像素、白色(W)子像素、蓝色(B)子像素和绿色(G)子像素形成一个像素P。然而，实施方式不限于此。例如，子像素的布置顺序可以根据发光材料、发射区域、补偿电路的配置(或结构)等而不同地变化。此外，红色(R)子像素、蓝色(B)子像素和绿色(G)子像素可以形成一个像素P。
制造显示面板150的方法包括用于在基板上沉积导电层、金属层、绝缘层等以形成包括元件(包含电极)、电力线、信号线等的结构的沉积工艺，以及用于修复基板上的结构的缺陷或关断有缺陷的子像素的修复工艺。
因为如上所述制造显示面板的方法复杂，当添加用于感测包括在子像素中的部件的特性的感测电路时，子像素的开口率可能减小。此外，电力线、信号线和电极可能在修复工艺中被激光损坏。
在下文中，讨论了实验示例的问题，并且描述了用于解决问题的本公开内容的实施方式。在下面的描述中，使用两个扫描线作为示例来描述实施方式，但不限于此。
<实验示例>
图5示意性地示出了根据实验示例的子像素的平面布局。图6详细示出了根据实验示例的图5的电路区域。图7是用于说明实验示例的问题的图。
如图4和图5所示，在第一基板150a的显示区AA上形成有各自具有发射区域EMA和电路区域DRA的第一子像素SPn1至第四子像素SPn4。在发射区域EMA中形成有有机发光二极管(或发光元件)，以及在电路区域DRA中形成有用于驱动有机发光二极管的包括开关晶体管、感测晶体管、驱动晶体管等的电路。通过包括多个金属层和多个绝缘层的薄膜沉积工艺形成发射区域EMA和电路区域DRA中的元件。
在第一子像素SPn1至第四子像素SPn4中，发射区域EMA中的有机发光二极管响应于电路区域DRA中的开关晶体管和驱动晶体管的操作而发射光。线区域WA位于第一子像素SPn1至第四子像素SPn4中的每两个相邻的像素之间。在线区域WA中设置有第一电力线EVDD、感测线VREF、第一数据线DL1至第四数据线DL4。
诸如第一电力线EVDD、感测线VREF和第一数据线DL1至第四数据线DL4的线以及构成薄膜晶体管的电极位于不同的层上，但是通过使用接触孔(或通孔)的触点彼此电连接。通过干蚀刻或湿蚀刻工艺形成接触孔以部分地露出位于子像素的下部上的电极、信号线或电力线。
如图6所示，驱动晶体管DR和电容器Cst设置在电路区域DRA的上部中。电路区域DRA的上部被限定为与连接至第一方向(例如，竖直方向)的第一电力线EVDD并且沿第二方向(例如水平方向)设置的第一电力连接线EVDDC相邻的部分。1b扫描线GL1b和感测晶体管ST设置在电路区域DRA的下部中。电路区域DRA的下部被限定为与连接至第一方向的感测线VREF并且沿第二方向设置的感测连接线VREFC相邻的部分。1a扫描线GL1a和开关晶体管SW设置在电路区域DRA的中部中。电路区域DRA的中部被限定为与沿第二方向设置的扫描线GL1a相邻的部分。
如图7所示，在实验示例中，1a扫描线GL1a和1b扫描线GL1b使用栅极金属层形成，并且被设置成在电路区域DRA的中部与下部之间彼此靠近。因此，与1a扫描线GL1a和1b扫描线GL1b相邻的电极必须与介于其间的绝缘层连接。因此，如图7的“PNT1”所示，在实验示例中需要许多跳跃电极(jumping electrode)。
在实验示例中，如图7的“PNT2”所示，因为由三种或更多种信号线和电极的相邻布置而引起空间限制，子像素的开口率减小。此外，与第一电力线EVDD和第一数据线DL1至第四数据线DL4交叠(或交叉)的1a扫描线GL1a和1b扫描线GL1b的一部分被分支以形成分支部分，以便解决1a扫描线GL1a和1b扫描线GL1b的结构问题(包括线路负荷问题、修复工艺中的损坏问题等)。因此，如图7的“PNT2”所示，感测线VREF和感测连接线VREFC在其中彼此接触的接触孔CH的位置需要被拉至电路区域DRA的下部，并且感测连接线VREFC必须以非线性形式设置。然而，这将导致子像素的开口率减小。
此外，在实验示例中，如图7的“PNT3”所示，1a扫描线GL1a和1b扫描线GL1b与邻近于1a扫描线GL1a和1b扫描线GL1b的电极交叠，有绝缘层介于其间，并且在1a扫描线GL1a和1b扫描线GL1b与电极之间的多个交叠区域中产生寄生电容。因此，线路负荷增加。
在实验示例中，如图7的“PNT4”所示，由于需要只在竖直方向上进行修复设计的空间限制，难以确保修复裕量。此外，这将导致子像素的开口率减小。
产生实验示例中描述的问题的原因在于，1a扫描线GL1a和1b扫描线GL1b是根据常规方法使用构成开关晶体管SW和感测晶体管ST的栅电极的栅极金属层形成的。因此，由于其结构特性，通过与位于栅极金属层上或下方的另一金属层(例如，源漏极金属层)有关的部分的尺寸增加而产生实验示例的问题。
为了进一步考虑上述实验示例的问题，包括子像素的开口率的减小、修复工艺问题、线路负荷的增加等，需要改变1a扫描线GL1a、1b扫描线GL1b以及连接至1a扫描线GL1a和1b扫描线GL1b的开关晶体管SW和感测晶体管ST的位置和结构。
<第一实施方式>
图8示意性地示出了根据第一实施方式的子像素的平面布局。图9详细地示出了根据第一实施方式的图8的电路区域。图10是图9的部分A1-A2的截面图。图11是用于说明第一实施方式的改进的图。
如图4和图8所示，在第一基板150a的显示区域AA上形成有各自具有发射区域EMA和电路区域DRA的第一子像素SPn1至第四子像素SPn4。在发射区域EMA中形成有有机发光二极管(或发光元件)，以及在电路区域DRA中形成有用于驱动有机发光二极管的包括开关晶体管、感测晶体管、驱动晶体管等的电路。通过包括多个金属层和多个绝缘层的薄膜沉积工艺形成发射区域EMA和电路区域DRA中的元件。
在第一子像素SPn1至第四子像素SPn4中，发射区域EMA中的有机发光二极管响应于电路区域DRA中的开关晶体管和驱动晶体管的操作而发射光。线区域WA位于第一子像素SPn1至第四子像素SPn4中每两个相邻的像素之间。线区域WA中布置有第一电力线EVDD、感测线VREF、第一数据线DL1至第四数据线DL4。
例如，第一电力线EVDD可以位于第一子像素SPn1的左侧，感测线VREF可以位于第二子像素SPn2的右侧，以及第一数据线DL1和第二数据线DL2可以位于第一子像素SPn1与第二子像素SPn2之间。感测线VREF可以位于第三子像素SPn3的左侧，第一电力线EVDD可以位于第四子像素SPn4的右侧，以及第三数据线DL3和第四数据线DL4可以位于第三子像素SPn3与第四子像素SPn4之间。
第一子像素SPn1可以电连接至第一子像素SPn1左侧的第一电力线EVDD、第一子像素SPn1右侧的第一数据线DL1以及第二子像素SPn2右侧的感测线VREF。第二子像素SPn2可以电连接至第一子像素SPn1左侧的第一电力线EVDD、第二子像素SPn2左侧的第二数据线DL2以及第二子像素SPn2右侧的感测线VREF。
第三子像素SPn3可以电连接至第三子像素SPn3左侧的感测线VREF、第三子像素SPn3右侧的第三数据线DL3以及第四子像素SPn4右侧的第一电力线EVDD。第四子像素SPn4可以电连接至第三子像素SPn3左侧的感测线VREF、第四子像素SPn4左侧的第四数据线DL4以及第四子像素SPn4右侧的第一电力线EVDD。
第一子像素SPn1至第四子像素SPn4可以共同地连接至第二子像素SPn2与第三子像素SPn3之间的感测线VREF。也就是说，第一子像素SPn1至第四子像素SPn4可以彼此共享感测线VREF。然而，实施方式不限于此。
诸如第一电力线EVDD和感测线VREF的线以及构成薄膜晶体管的电极位于不同的层上，但通过使用接触孔(或通孔)的触点彼此电连接。通过干蚀刻或湿蚀刻工艺形成接触孔以部分地露出位于子像素的下部上的电极、信号线或电力线。
如图9所示，1a扫描线GL1a和开关晶体管SW设置在电路区域DRA的上部中。电路区域DRA的上部被限定为与连接至第一方向(例如，竖直方向)的第一电力线EVDD并且沿第二方向(例如，水平方向)设置的第一电力连接线EVDDC相邻的部分。1b扫描线GL1b和感测晶体管ST设置在电路区域DRA的下部中。电路区域DRA的下部被限定为与连接至第一方向的感测线VREF并且沿第二方向设置的感测连接线VREFC相邻的部分。驱动晶体管DR和电容器Cst设置在电路区域DRA的中部中。电路区域DRA的中部被限定为开关晶体管SW与感测晶体管ST之间的部分。
使用存在于第一基板150a的最下层中的金属层(例如，光屏蔽层)形成1a扫描线GL1a和1b扫描线GL1b中的每个。下面参照图10来描述1b扫描线GL1b的结构。由于1a扫描线GL1a的结构与1b扫描线GL1b的结构基本相同，因此可以简要地进行说明或者可以完全省略其说明。
如图9和图10所示，在第一基板150a上形成构成1b扫描线GL1b的光屏蔽层GL1b_LS。例如，可以将光屏蔽层GL1b_LS选择为具有钼(Mo)、钛(Ti)和铜(Cu)的堆叠结构的多层(Mo/Ti/Cu)。在光屏蔽层GL1b_LS上形成缓冲层BUF。例如，缓冲层BUF可以具有硅氧化物(SiOx)和硅氮化物(SiNx)交替堆叠的结构。
在缓冲层BUF上形成构成感测晶体管ST的有源层的半导体层ST_ACT。例如，半导体层ST_ACT可以由氧化物形成。在半导体层ST_ACT上形成第一绝缘层GI。第一绝缘层GI可以是栅极绝缘层，并且可以被选择为硅氧化物(SiOx)层、硅氮化物(SiNx)层或其多层。
在第一绝缘层GI上形成构成感测晶体管ST的栅电极的栅极金属层ST_GAT。例如，栅极金属层ST_GAT可以由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)和铜(Cu)中之一或其合金形成。栅极金属层ST_GAT可以具有单层结构或多层结构。栅极金属层ST_GAT连接至通过第一绝缘层GI和缓冲层BUF露出的光屏蔽层GL1b_LS。也就是说，构成1b扫描线GL1b的光屏蔽层GL1b_LS和构成感测晶体管ST的栅电极的栅极金属层ST_GAT由于第一绝缘层GI和缓冲层BUF而在竖直方向上彼此间隔开。
在栅极金属层ST_GAT上形成第二绝缘层ILD。第二绝缘层ILD可以是层间电介质层，并且可以被选择为硅氧化物(SiOx)层、硅氮化物(SiNx)层或其多层。在第二绝缘层ILD上形成构成感测线VREF的突起的源漏极金属层VREF_SD。源漏极金属层VREF_SD可以由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)和铜(Cu)中之一或其合金形成。源漏极金属层VREF_SD可以具有单层结构或多层结构。
第一实施方式被配置成使得1a扫描线GL1a和1b扫描线GL1b分别位于电路区域DRA的上部和下部中并且彼此间隔开，以便解决实验示例的上述问题。因此，连接至1a扫描线GL1a的开关晶体管SW和连接至1b扫描线GL1b的感测晶体管ST分别位于电路区域DRA的上部和下部中并且彼此间隔开。
另外，第一实施方式被配置成使得1a扫描线GL1a和1b扫描线GL1b中的每个不是使用栅极金属层而是使用存在于第一基板150a的最下层中的光屏蔽层形成，以便解决实验示例的上述问题。开关晶体管SW和感测晶体管ST的栅电极以与实验示例相同的方式使用栅极金属层形成，并且利用接触孔电连接至构成1a扫描线GL1a和1b扫描线GL1b的光屏蔽层。
下面描述第一实施方式与实验示例相比的改进和效果。
如图11所示，第一实施方式使用存在于第一基板150a的最下层中的光屏蔽层来形成1a扫描线GL1a和1b扫描线GL1b，并且将1a扫描线GL1a和1b扫描线GL1b设置在电路区域DRA的上部和下部中以彼此间隔开。因此，如图11的“PNT1”所示，与实验示例相比，跳跃电极的数目可以减少。
第一实施方式使用存在于第一基板150a的最下层中的光屏蔽层来形成1a扫描线GL1a和1b扫描线GL1b，从而分开设置三种或更多种信号和电极。因此，第一实施方式能够解决实验示例中引起的空间限制，并且使子像素的开口率增加(即，将子像素的开口率确保在预定水平)。
第一实施方式能够以线性形式在1a扫描线GL1a和1b扫描线GL1b与第一电力线EVDD和第一数据线DL1至第四数据线DL4之间设置交叠部分。从而不需要分支部分。因此，感测线VREF和感测连接线VREFC在其中彼此接触的接触孔CH的位置不需要被拉至电路区域DRA的下部。此外，由于感测连接线VREFC可以以线性形式设置，能够使子像素的开口率增加。也就是说，通过电路区域DRA所占据的子像素的区域的减小来增加子像素中的发射区域EMA的大小，能够使子像素的开口率增加。
第一实施方式能够使1a扫描线GL1a和1b扫描线GL1b与邻近于1a扫描线GL1a和1b扫描线GL1b的电极(其彼此交叠，有绝缘层介于其间)之间的(产生寄生电容的)交叠区域减小，从而使线路负荷减小。
此外，第一实施方式具有足够的空间来执行水平方向的修复设计，从而确保修复裕量并且去除或改善使子像素的开口率降低的因素(例如，通过去除分支部分来确保空间)，如图11的“PNT2”所示。
由于第一实施方式被配置成使得1a扫描线GL1a和1b扫描线GL1b使用存在于第一基板150a的最下层中的光屏蔽层形成并且彼此间隔开，第一实施方式能够解决实验示例的问题。
在下文中，将描述可以具有与第一实施方式的效果相似或相同的效果的其他实施方式。与第一实施方式不同，其他实施方式将着重对1b扫描线GL1b进行描述。因此，将参照第一实施方式来描述与第一实施方式重叠的部分。
<第二实施方式>
图12详细地示出了根据第二实施方式的图8的电路区域。
如图8和图12所示，1a扫描线GL1a和开关晶体管SW设置在电路区域DRA的上部中。电路区域DRA的上部被限定为与连接至第一方向(例如，竖直方向)的第一电力线EVDD并且沿第二方向(例如水平方向)设置的第一电力连接线EVDDC相邻的部分。1b扫描线GL1b和感测晶体管ST设置在电路区域DRA的下部中。电路区域DRA的下部被限定为与连接至第一方向的感测线VREF并且沿第二方向设置的感测连接线VREFC相邻的部分。驱动晶体管DR和电容器Cst设置在电路区域DRA的中部中。电路区域DRA的中部被限定为开关晶体管SW与感测晶体管ST之间的部分。
第二实施方式被配置成使得1a扫描线GL1a和1b扫描线GL1b分别位于电路区域DRA的上部和下部中并且彼此间隔开，以便解决实验示例的上述问题。因此，连接至1a扫描线GL1a的开关晶体管SW和连接至1b扫描线GL1b的感测晶体管ST分别位于电路区域DRA的上部和下部中并且彼此间隔开。
另外，第二实施方式被配置成使得1a扫描线GL1a不是使用栅极金属层而是使用存在于显示面板的最下层中的光屏蔽层GL1a_LS形成，以便解决实验示例的上述问题。开关晶体管SW的栅电极以与实验示例相同的方式使用栅极金属层形成，并且利用接触孔电连接至构成1a扫描线GL1a的光屏蔽层GL1a_LS。1b扫描线GL1b和感测晶体管ST的栅电极以与实验示例相同的方式使用栅极金属层GL1b_GAT形成。
通过示例的方式，第二实施方式描述了1a扫描线GL1a使用光屏蔽层形成以及1b扫描线GL1b使用栅极金属层形成。然而，实施方式不限于此。例如，1a扫描线GL1a可以使用栅极金属层形成，以及1b扫描线GL1b可以使用光屏蔽层形成。
显示面板已经逐渐发展成高分辨率和大尺寸显示面板。当开关晶体管SW中存在线路负荷时，整个显示面板可能出现诸如扫描信号的延迟等问题。这导致显示面板的显示质量下降。另一方面，由于感测晶体管ST即使在感测晶体管ST中存在线路负荷的情况下也不会很大地影响数据信号的提供，因此相对于扫描信号的延迟，由感测信号的延迟引起的问题较小。
因此，第二实施方式被配置成解决在高分辨率和大尺寸显示装置中可能发生的问题。在第二实施方式中，可能优选地但并非必须地，1a扫描线GL1a可以使用光屏蔽层形成，以及1b扫描线GL1b可以使用栅极金属层形成。
<第三实施方式>
图13详细地示出了根据第三实施方式的图8的电路区域。
如图8和图13所示，1a扫描线GL1a和开关晶体管SW设置在电路区域DRA的上部中。电路区域DRA的上部被限定为与连接至第一方向(例如，竖直方向)的第一电力线EVDD并且沿第二方向(例如，水平方向)设置的第一电力连接线EVDDC相邻的部分。1b扫描线GL1b和感测晶体管ST设置在电路区域DRA的下部中。电路区域DRA的下部被限定为与连接至第一方向的感测线VREF并且沿第二方向设置的感测连接线VREFC相邻的部分。驱动晶体管DR和电容器Cst设置在电路区域DRA的中部中。电路区域DRA的中部被限定为开关晶体管SW与感测晶体管ST之间的部分。
第三实施方式被配置成使得1a扫描线GL1a和1b扫描线GL1b分别位于电路区域DRA的上部和下部中并且彼此间隔开，以便解决实验示例的上述问题。因此，连接至1a扫描线GL1a的开关晶体管SW和连接至1b扫描线GL1b的感测晶体管ST分别位于电路区域DRA的上部和下部中并且彼此间隔开。
另外，第三实施方式被配置成使得1a扫描线GL1a不是使用栅极金属层而是使用存在于显示面板的最下层中的光屏蔽层GL1a_LS形成，以便解决实验示例的上述问题。开关晶体管SW的栅电极以与实验示例相同的方式使用栅极金属层形成，并且利用接触孔电连接至构成1a扫描线GL1a的光屏蔽层GL1a_LS。1b扫描线GL1b和感测晶体管ST的栅电极以与实验示例相同的方式使用栅极金属层GL1b_GAT形成。1b扫描线GL1b包括在1b扫描线GL1b和第一电力线EVDD以及第一数据线DL1至第四数据线DL1至DL4之间的交叠部分中被划分为至少两个线的分支部分。
通过示例的方式，第三实施方式描述了1a扫描线GL1a使用光屏蔽层形成以及1b扫描线GL1b使用栅极金属层形成。然而，实施方式不限于此。例如，1a扫描线GL1a可以使用栅极金属层形成，以及1b扫描线GL1b可以使用光屏蔽层形成。
显示面板已经逐渐发展成高分辨率和大尺寸显示面板。当开关晶体管SW中存在线路负荷时，整个显示面板可能出现诸如扫描信号的延迟等问题。这导致显示面板的显示质量下降。另一方面，由于感测晶体管ST即使在感测晶体管ST中存在线路负荷的情况下也不会很大地影响数据信号的提供，因此相对于扫描信号的延迟，由感测信号的延迟引起的问题较小。
因此，第三实施方式被配置成解决在高分辨率和大尺寸显示装置中可能发生的问题。在第三实施方式中，可能优选地但并非必须地，1a扫描线GL1a可以使用光屏蔽层形成，以及1b扫描线GL1b可以使用栅极金属层形成。
如上所述，本公开的实施方式能够防止在制造显示面板(包括用于感测元件的特性的感测电路)时由修复工艺导致的线路和电极的损坏，并且能够确保子像素的开口率，同时防止线路负荷的增加。此外，本公开内容的实施方式能够提供适于制造高分辨率和大尺寸显示装置的显示面板的结构。
尽管已经参考其多个说明性实施方式描述了实施方式，但是应当理解，本领域技术人员可以设计出将落入本公开内容的原理的范围内的许多其他修改和实施方式。更具体地，在本公开内容、附图和所附权利要求的范围内，可以对本组合布置的组成部件和/或布置进行各种变型和修改。除了组成部件和/或布置的变型和修改以外，替代用途对于本领域技术人员也是明显的。
本公开的实施例还包括：
(1)一种显示装置，包括：
布置在基板上的子像素，每个子像素包括发射区域和电路区域，发射元件被布置在所述发射区域中以发光，用于驱动所述发射元件的电路被布置在所述电路区域中；以及
位于所述电路区域中的至少两个扫描线，
其中，所述至少两个扫描线中的一个或更多个由与构成所述电路区域中设置的晶体管的栅电极的栅极金属层不同的金属层形成。
(2)根据(1)所述的显示装置，其中，所述至少两个扫描线包括：
第一扫描线，其连接至位于所述电路区域中的开关晶体管的栅电极；以及
第二扫描线，其连接至位于所述电路区域中的感测晶体管的栅电极。
(3)根据(2)所述的显示装置，其中，所述第一扫描线和所述第二扫描线中的至少之一由存在于紧接在所述基板之上的层中的金属层形成。
(4)根据(2)所述的显示装置，其中，所述第一扫描线和所述第二扫描线由与存在于紧接在所述基板之上的层中的光屏蔽层相同的金属层形成。
(5)根据(2)所述的显示装置，其中，所述第一扫描线和所述第二扫描线中的一个扫描线由存在于紧接在所述基板之上的层中的光屏蔽层形成，并且所述第一扫描线和所述第二扫描线中的另一个扫描线由所述栅极金属层形成。
(6)根据(5)所述的显示装置，其中，所述第一扫描线和所述第二扫描线中的所述另一个扫描线由包括分支部分的所述栅极金属层形成，所述分支部分在所述另一个扫描线与电力线、数据线和感测线中的任一个之间的重叠部分中分支成至少两个线。
(7)根据(2)所述的显示装置，其中，所述第一扫描线由存在于紧接在所述基板之上的层中的光屏蔽层形成，并且
其中，所述第二扫描线由位置高于所述光屏蔽层的所述栅极金属层形成。
(8)根据(2)所述的显示装置，其中，所述第一扫描线和所述第二扫描线被设置成被驱动晶体管彼此间隔开，所述驱动晶体管位于所述电路区域中并且提供用于所述发射元件的驱动电流。
(9)根据(2)所述的显示装置，其中，所述第一扫描线和所述第二扫描线中的至少之一包括所述基板上的光屏蔽层，其通过所述光屏蔽层上的缓冲层以及所述缓冲层上的绝缘层与所述栅极金属层绝缘，并且通过所述缓冲层和所述绝缘层上的接触孔电连接至所述绝缘层上的所述栅极金属层。
(10)根据(1)所述的显示装置，其中，所述至少两个扫描线位于所述电路区域上的相对部分并且彼此间隔开。
(11)根据(6)所述的显示装置，其中，所述电力线、所述数据线和所述感测线被设置在第一方向上，并且
其中，所述第一扫描线和所述第二扫描线被设置在与所述第一方向垂直的第二方向上。
(12)根据(6)所述的显示装置，其中，所述第一扫描线邻近所述电力线，并且，
其中，所述第二扫描线连接至所述扫描线并且邻近感测连接线，所述感测连接线被设置在与所述感测线垂直的方向上。
(13)一种显示装置，包括：
布置在基板上的子像素，每个子像素包括发射区域和电路区域，发射元件被布置在所述发射区域中以发光，用于驱动所述发射元件的电路被布置在所述电路区域中；以及
位于所述电路区域中的至少两个扫描线，
其中，所述至少两个扫描线包括第一扫描线和第二扫描线，所述第一扫描线和所述第二扫描线位于所述电路区域上的相对部分并且彼此间隔开。
(14)根据(13)所述的显示装置，其中，
所述第一扫描线连接至位于所述电路区域中的开关晶体管的栅电极；并且
所述第二扫描线连接至位于所述电路区域中的感测晶体管的栅电极。
(15)根据(13)所述的显示装置，其中，所述至少两个扫描线中的一个或更多个由与构成所述电路区域中设置的晶体管的栅电极的栅极金属层不同的金属层形成。
(16)根据(13)所述的显示装置，其中，所述第一扫描线和所述第二扫描线中的至少之一由存在于紧接在所述基板之上的层中的金属层形成。
(17)根据(13)所述的显示装置，其中，所述第一扫描线和所述第二扫描线由与存在于紧接在所述基板之上的层中的光屏蔽层相同的金属层形成。
(18)根据(13)所述的显示装置，其中，所述第一扫描线和所述第二扫描线中的一个扫描线由存在于紧接在所述基板之上的层中的光屏蔽层形成，并且所述第一扫描线和所述第二扫描线中的另一个扫描线由所述栅极金属层形成。
(19)根据(18)所述的显示装置，其中，所述第一扫描线和所述第二扫描线中的所述另一个扫描线由包括分支部分的所述栅极金属层形成，所述分支部分在所述另一个扫描线与电力线、数据线和感测线中的任一个之间的重叠部分中分支成至少两个线。
(20)根据(14)所述的显示装置，其中，所述第一扫描线由存在于紧接在所述基板之上的层中的光屏蔽层形成，并且
其中，所述第二扫描线由位置高于所述光屏蔽层的所述栅极金属层形成。
(21)根据(13)所述的显示装置，其中，所述第一扫描线和所述第二扫描线被设置成被驱动晶体管彼此间隔开，所述驱动晶体管位于所述电路区域中并且提供用于所述发射元件的驱动电流。
(22)根据(13)所述的显示装置，其中，所述第一扫描线和所述第二扫描线中的至少之一包括所述基板上的光屏蔽层，其通过所述光屏蔽层上的缓冲层以及所述缓冲层上的绝缘层与所述栅极金属层绝缘，并且通过所述缓冲层和所述绝缘层上的接触孔电连接至所述绝缘层上的所述栅极金属层。
(23)根据(19)所述的显示装置，其中，所述电力线、所述数据线和所述感测线被设置在第一方向上，并且
其中，所述第一扫描线和所述第二扫描线被设置在与所述第一方向垂直的第二方向上。
(24)根据(19)所述的显示装置，其中，所述第一扫描线邻近所述电力线，并且，
其中，所述第二扫描线连接至所述扫描线并且邻近感测连接线，所述感测连接线被设置在与所述感测线垂直的方向上。

Claims (22)

1.一种显示装置，包括：
布置在基板上的子像素，每个子像素包括发射区域和电路区域，发射元件被布置在所述发射区域中以发光，用于驱动所述发射元件的电路被布置在所述电路区域中；以及
位于所述电路区域中的至少两个扫描线，其中所述至少两个扫描线包括：
第一扫描线，其连接至位于所述电路区域中的开关晶体管的栅电极；以及
第二扫描线，其连接至位于所述电路区域中的感测晶体管的栅电极，
其中，所述至少两个扫描线中的一个或更多个由与构成所述开关晶体管或所述感测晶体管的栅电极的栅极金属层不同的金属层形成，并且
其中，所述第一扫描线和所述第二扫描线中的一个扫描线包括所述基板上的光屏蔽层，所述光屏蔽层通过接触孔直接接触并且电连接至所述栅极金属层。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一扫描线和所述第二扫描线中的所述一个扫描线由存在于紧接在所述基板之上的层中的所述光屏蔽层形成。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一扫描线和所述第二扫描线由存在于紧接在所述基板之上的层中的所述光屏蔽层形成。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一扫描线和所述第二扫描线中的所述一个扫描线由存在于紧接在所述基板之上的层中的所述光屏蔽层形成，并且所述第一扫描线和所述第二扫描线中的另一个扫描线由所述栅极金属层形成。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一扫描线和所述第二扫描线中的所述另一个扫描线由包括分支部分的所述栅极金属层形成，所述分支部分在所述另一个扫描线与电力线、数据线和感测线中的任一个之间的重叠部分中分支成至少两个线。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一扫描线由存在于紧接在所述基板之上的层中的所述光屏蔽层形成，并且
其中，所述第二扫描线由位置高于所述光屏蔽层的所述栅极金属层形成。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一扫描线和所述第二扫描线被设置成被驱动晶体管彼此间隔开，所述驱动晶体管位于所述电路区域中并且提供用于所述发射元件的驱动电流。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一扫描线和所述第二扫描线中的所述一个扫描线通过所述光屏蔽层上的缓冲层以及所述缓冲层上的绝缘层与所述栅极金属层绝缘，并且通过所述缓冲层和所述绝缘层上的所述接触孔电连接至所述绝缘层上的所述栅极金属层。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述至少两个扫描线位于所述电路区域上的相对部分并且彼此间隔开。
10.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述电力线、所述数据线和所述感测线被设置在第一方向上，并且
其中，所述第一扫描线和所述第二扫描线被设置在与所述第一方向垂直的第二方向上。
11.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第一扫描线邻近所述电力线，并且，
其中，所述第二扫描线连接至所述感测线并且邻近感测连接线，所述感测连接线被设置在与所述感测线垂直的方向上。
12.一种显示装置，包括：
布置在基板上的子像素，每个子像素包括发射区域和电路区域，发射元件被布置在所述发射区域中以发光，用于驱动所述发射元件的电路被布置在所述电路区域中；以及
位于所述电路区域中的至少两个扫描线，
其中，所述至少两个扫描线包括第一扫描线和第二扫描线，所述第一扫描线和所述第二扫描线位于所述电路区域上的相对部分并且彼此间隔开，并且
其中，所述第一扫描线和所述第二扫描线中的一个扫描线包括所述基板上的光屏蔽层，所述光屏蔽层通过接触孔直接接触并且电连接至构成所述电路区域中设置的晶体管的栅电极的栅极金属层。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，
所述第一扫描线连接至位于所述电路区域中的开关晶体管的栅电极；并且
所述第二扫描线连接至位于所述电路区域中的感测晶体管的栅电极。
14.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第一扫描线和所述第二扫描线中的所述一个扫描线由存在于紧接在所述基板之上的层中的所述光屏蔽层形成。
15.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第一扫描线和所述第二扫描线由存在于紧接在所述基板之上的层中的所述光屏蔽层形成。
16.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第一扫描线和所述第二扫描线中的所述一个扫描线由存在于紧接在所述基板之上的层中的所述光屏蔽层形成，并且所述第一扫描线和所述第二扫描线中的另一个扫描线由所述栅极金属层形成。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述第一扫描线和所述第二扫描线中的所述另一个扫描线由包括分支部分的所述栅极金属层形成，所述分支部分在所述另一个扫描线与电力线、数据线和感测线中的任一个之间的重叠部分中分支成至少两个线。
18.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述第一扫描线由存在于紧接在所述基板之上的层中的所述光屏蔽层形成，并且
其中，所述第二扫描线由位置高于所述光屏蔽层的所述栅极金属层形成。
19.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第一扫描线和所述第二扫描线被设置成被驱动晶体管彼此间隔开，所述驱动晶体管位于所述电路区域中并且提供用于所述发射元件的驱动电流。
20.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第一扫描线和所述第二扫描线中的所述一个扫描线通过所述光屏蔽层上的缓冲层以及所述缓冲层上的绝缘层与所述栅极金属层绝缘，并且通过所述缓冲层和所述绝缘层上的所述接触孔电连接至所述绝缘层上的所述栅极金属层。
21.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述电力线、所述数据线和所述感测线被设置在第一方向上，并且
其中，所述第一扫描线和所述第二扫描线被设置在与所述第一方向垂直的第二方向上。
22.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述第一扫描线邻近所述电力线，并且，
其中，所述第二扫描线连接至所述感测线并且邻近感测连接线，所述感测连接线被设置在与所述感测线垂直的方向上。
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