CN108022878A - 显示面板及其制作方法 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 99
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 55
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 42
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 149
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 35
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 30
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 238000005253 cladding Methods 0.000 abstract description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 208000037656 Respiratory Sounds Diseases 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- -1 alcohol ester Chemical class 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 241000208340 Araliaceae Species 0.000 description 1
- 235000005035 Panax pseudoginseng ssp. pseudoginseng Nutrition 0.000 description 1
- 235000003140 Panax quinquefolius Nutrition 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020286 SiOxNy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 235000008434 ginseng Nutrition 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- KYTZHLUVELPASH-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2-dicarboxylic acid Chemical compound C1=CC=CC2=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C21 KYTZHLUVELPASH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明提供了一种显示面板制作方法，包括以下的步骤：提供承载基板，所述承载基板包括多个功能区和位于所述功能区之间切割区；在所述承载基板上形成器件层，所述器件层包括TFT器件及包覆所述TFT器件的无机层，所述TFT器件位于所述功能区上，所述无机层覆盖所述功能区及所述切割区；去除所述切割区上的所述无机层，形成多个TFT器件区及位于所述TFT器件区之间的凹槽；沿所述凹槽切割所述承载基板，形成多个显示面板。本发明还提供了一种显示面板。本发明能够提高显示面板的生产良率。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板及其制作方法。
背景技术
有源矩阵有机发光二极体显示面板(Active-matrix organic light emittingdiode，简称AMOLED)，具有自发光的特性，视角广，色饱和度高，尤其是其驱动电压低且功耗低，以及反应快、重量轻、厚度薄，构造简单，成本低等，被视为最具前途的显示产品之一。
在AMOLED显示面板的制造过程中，为了降低生产成本，在大的基板上制造多个显示面板，形成显示面板母板，然后将显示面板母板切割为各个显示面板单元。在AMOLED显示面板的切割工艺中，由于被切割的膜层大多由SiNx、SiOx等无机膜构成，而无机膜层厚，容易在切割工艺中产生应力堆积，从而在被切割的膜层中产生开裂或裂纹，裂纹扩散至AMOLED显示面板的封装区或外围走线区或显示区，都会导致AMOLED显示面板制作失败，降低AMOLED显示面板生产良率。
发明内容
本发明提供了一种显示面板及其制作方法，提高显示面板的生产良率。
本发明提供了一种显示面板制作方法，包括以下的步骤：
提供承载基板，所述承载基板包括多个功能区和位于所述功能区之间切割区；
在所述承载基板上形成器件层，所述器件层包括TFT器件及包覆所述TFT器件的无机层，所述TFT器件位于所述功能区上，所述无机层覆盖所述功能区及所述切割区；
去除所述切割区上的所述无机层，形成多个TFT器件区及位于所述TFT器件区之间的凹槽；
沿所述凹槽切割所述承载基板，形成多个显示面板。
其中，在去除所述切割区上的所述无机层的步骤中，通过掩膜版曝光、显影及蚀刻工艺去除所述切割区上的所述无机层。
其中，在去除所述切割区上的所述无机层的步骤之后，在所述TFT器件区边缘处的无机层上成型沟槽，所述沟槽沿所述凹槽延伸，所述沟槽用于阻挡所述凹槽处的切割应力。
其中，在所述TFT器件区边缘处的无机层上成型沟槽的步骤中，通过掩膜版曝光、显影及蚀刻工艺成型沟槽。
其中，在去除所述切割区上的所述无机层的步骤之后，包括
沉积有机层，所述有机层填充所述沟槽并覆盖所述器件层；
通过掩膜版曝光、显影工艺去除所述切割区上的所述有机层；
其中，在提供承载基板的步骤中，所述承载基板包括依次设于所述基板上第一有机膜、第一无机膜、第二有机膜和第二无机膜。
其中，在去除所述切割区上的所述无机层的步骤中，部分或完全去除所述第二无机膜。
本发明提供了一种显示面板，包括承载基板及设于所述承载基板上的器件层，所述承载基板包括功能区和位于所述功能区周侧的切割区，所述器件层包括正对所述功能区的TFT器件区及正对所述切割区的挖空区。
其中，所述TFT器件区边缘处还包括沟槽，所述沟槽沿所述TFT器件区的边沿延伸，所述沟槽用于阻挡所述挖空区的切割应力。
其中，所述显示面板包括设于所述器件层上的有机层，所述有机层填充所述沟槽并覆盖所述器件层。
本发明提供的一种显示面板及其制作方法，通过去除所述承载基板上切割区所对应的所述无机层，以使切割区的无机层被减薄，一方面，被切割膜层的厚度减少，降低了切割工艺的难度，另一方面，无机层被减薄，有效地缓解了切割工艺中应力集中的问题，提高显示面板的生产良率，同时去除的无机层形成凹槽，该凹槽可以在切割过程中作为切割线，从而提高切割显示面板的效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种显示面板制作方法的流程图。
图2是本发明实施例提供的制作方法中步骤S101中显示面板的结构示意图。
图3是本发明实施例提供的制作方法中步骤S101中显示面板的结构示意图。
图4是本发明实施例提供的制作方法中步骤S102中显示面板的结构示意图。
图5是本发明实施例提供的制作方法中步骤S103中显示面板的结构示意图。
图6是本发明实施例提供的制作方法中步骤S104中显示面板的结构示意图。
图7是本发明实施例提供的制作方法中步骤S103中显示面板的结构示意图。
图8是本发明实施例提供的制作方法中步骤S1031中显示面板的结构示意图。
图9是本发明实施例提供的制作方法中步骤S1031中显示面板的结构示意图。
图10是本发明实施例提供的制作方法中步骤S1030中显示面板的结构示意图。
图11是本发明实施例提供的制作方法中步骤S1030中显示面板的结构示意图。
图12是本发明实施例提供的制作方法中步骤S1031中显示面板的结构示意图。
图13是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图。
具体实施方式
为了能够更清楚地理解本申请的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本申请进行详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施方式及实施方式中的特征可以相互组合。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请，所描述的实施方式仅仅是本申请一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本申请中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本申请保护的范围。
此外，以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请中所提到的方向用语，例如，“顶”、“底”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“内”、“外”、“侧面”等，仅是参考附加图式的方向，因此，使用的方向用语是为了更好、更清楚地说明及理解本申请，而不是指示或暗指所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
请参阅图1，图1是本发明实施例提供的一种显示面板制作方法S10，用于制备显示面板。可以理解的，所述显示面板包括但不限于LCD、OLED等显示面板。本发明以AMOLED显示面板为例说明本发明的发明点。本发明提供的一种显示面板制作方法S10主要涉及显示面板切割方法。在AMOLED显示面板的制造过程中，为了降低生产成本，可以在大尺寸的基板上制造多个显示面板，形成显示面板母板，然后将显示面板母板切割为多个显示面板，从而实现显示面板的批量化生产，提高生产效率。
所述AMOLED显示面板包括承载基板和设于所述承载基板上的多膜层。所述多膜层包括依次层叠设置的阻隔层、TFT器件层、OLED器件层及封装层。在切割这些多膜层时，被切割的膜层大多由SiNx、SiOx等无机膜构成，无机膜的膜层厚，且韧性差，在切割工艺中容易产生应力堆积，从而产生开裂或裂纹。当裂纹扩散至AMOLED显示面板外围走线上时，将严重影响画面质量，导致画面显示不均等问题。当裂纹扩散至AMOLED显示面板的GOA区域时，GOA中的TFT器件将失效，导致GOA失效，显示面板无法点亮。当裂纹在凹槽附近时，将引起薄膜封装的一系列问题，使得水氧容易入侵显示面板，降低显示面板的良率。
请参阅图1，本发明实施例提供了一种显示面板制作方法S10，包括以下的步骤。
S101、请参阅图2及图3，提供承载基板100，所述承载基板100包括多个功能区101和位于所述功能区101之间切割区102。所述功能区101用于设置显示器件及驱动所述显示器件的走线。所述切割区102设于所述功能区101之外，不含有器件及电路。可选的，所述功能区101呈矩形，所述切割区102呈网格状。在后续的工艺中，沿所述切割区102切割可以分离出多个显示面板单元。
S102、请参阅图4，在所述承载基板100上形成器件层200。所述器件层200包括TFT器件201及包覆所述TFT器件201的无机层202。所述TFT器件201位于所述功能区101上。所述无机层202覆盖所述功能区101及所述切割区102。
S103、请参阅图5，去除所述切割区102上的所述无机层202，形成多个TFT器件区205及位于所述TFT器件区205之间的凹槽203。
S104、请参阅图6，沿所述凹槽203切割所述承载基板100，形成多个显示面板。
本实施例中，通过去除所述承载基板100上切割区102所对应的所述无机层202，以使切割区102的无机层202被减薄，一方面，被切割膜层的厚度减少，降低了切割工艺的难度，另一方面，无机层202被减薄，有效地缓解了切割工艺中应力集中的问题，提高显示面板的生产良率，同时去除的无机层202形成凹槽203，该凹槽203可以在切割过程中作为切割线，从而提高切割显示面板的效率。
下面结合附图分别对上述实施例的各步骤进行详细说明。
在步骤S101中，请参阅图2及图3，提供承载基板100。所述承载基板100为承载组成AMOLED显示面板的多个膜层的基板。所述承载基板100可以为柔性基板。
一种可能的实施方式中，所述承载基板100包括依次叠的第一有机膜103、第一无机膜104、第二有机膜105及第二无机膜106。其中，第一有机膜103和第二有机膜105通过加热工艺，发生交联固化反应，用以实现所述承载基板100的可弯折性和柔性。
可选的，所述第一有机膜103和第二有机膜105的成膜材质可以为聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚酰亚胺(PI)及聚对二甲苯(Parylene)中的一种或几种等。优选的，所述第一有机膜103和第二有机膜105的成膜材质为聚酰亚胺。
由于第一有机膜103和第二有机膜105的水氧透过率高，会影响TFT器件201及OLED器件的性能稳定性及使用寿命。优选的，所述承载基板100采用第一有机膜103、第一无机膜104、第二有机膜105及第二无机膜106交替形成阻隔层。其中，第一无机膜104和第二无机膜106的成膜材质为SiNx及SiOxNy中的一种或几种，无机膜结构致密性好，起到阻挡水汽、氧气的作用，从而提高承载基板100的水氧阻隔能力，有效地保护TFT器件201及OLED器件。利用有机膜及无机膜相互交叠，既可以达到阻隔保护，又可消除各防护层材料间应力的相互影响。双层无机膜起到双重阻挡水汽、氧气的作用。因为无机膜成膜后表面平坦性不够，沉积第二有机膜105还可以能够起到平坦表面的作用。第二无机膜106还可以作为隔热层，其能起到有效阻隔热传导的作用，避免承载基板100经过高温处理后性能出现不稳定影响整个器件制作的问题。
在其他的实施方式中，在第二无机膜106上还可继续交替设置有机膜和无机膜。本申请对于承载基板100中有机膜和无机膜的层数不做具体的限定。
在步骤S102中，请参阅图4，在所述承载基板100上形成器件层200。所述器件层200的TFT器件201位于TFT器件层200上与所述功能区101相对应的区域。所述切割区102所对应的TFT器件层200为无机层202。
具体而言，所述器件层200的TFT器件201包括栅极、源极及漏极。所述无机层202包括多层绝缘层，例如，第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、栅极与数据线之间的层间绝缘层。这些绝缘层的材质为氧化硅(SiOx)和氮化硅(SiNx)中的一种或二者的组合。由于这些绝缘层的都具有较大的致密度，柔韧性差，容易产生应力集中，都对于切割工艺造成阻碍。本发明中，将这些绝缘层称为所述器件层200的无机层202。
S103、请参阅图5，去除所述切割区102上的所述无机层202，形成多个TFT器件区205及位于所述TFT器件区205之间的凹槽203。
第一种可能的实施方式中，通过在器件层200上涂布光刻胶，并采用掩膜版曝光、显影及蚀刻工艺去除所述切割区102上的所述无机层202，将所述器件层200图案化，形成多个TFT器件区205及位于所述TFT器件区205之间的凹槽203。TFT器件区205用于设置所述TFT器件201及走线。所述TFT器件区205与功能区101正对，且所述TFT器件区205在所述承载基板100上的投影与功能区101重合。所述凹槽203正对所述切割区102。可选的，所述凹槽203的宽度为50～100um。即相邻的两个TFT器件区205之间相距50～100um。
通过去除所述切割区102上的所述无机层202，可以减少切割区102的切割阻力，以及降低切割区102上的无机层202对切割工艺的影响，同时，仅通过一道黄光制程即可去除所述切割区102上的所述无机层202，工艺简单，操作方便，且效果明显。
本实施例中，所述承载基板100包括第一有机膜103、第一无机膜104、第二有机膜105及第二无机膜106。其中，第二无机膜106靠近所述器件层200的无机层202。所述第二无机膜106在切割工艺中也会造成应力集中，产生裂纹的问题。
第二种可能的实施方式中，请参阅图7，通过在器件层200上涂布光刻胶，并采用掩膜版曝光、显影及蚀刻工艺去除所述切割区102上的所述无机层202以及减薄或完全去除第二无机膜106，将所述器件层200图案化，形成多个TFT器件区205及位于所述TFT器件区205之间的凹槽203。
与第一种实施方式相比，本实施方式中，待切割层的厚度进一步地减少，特别是待切割层中无机层202的厚度进一步减少，这样可以进一步地降低所述切割区102在切割工艺的过程中造成的应力集中、产生裂纹的问题，从而更加优化显示面板的生产良率。同时，由于第一无机膜104的存在，所述承载基板100仍具有较好的水氧阻隔能力，在确保承载基板100的水氧阻隔能力下，进一步优化了显示面板的切割效果。
在步骤S103之后，所述显示面板制作方法S10还包括以下的步骤。
步骤S1031、请参阅图8及图9，在器件层200上沉积有机层300，去除所述切割区对应的有机层300。
具体地，有机层300用于制作OLED(有机发光二极管)层，这样器件层200和OLED层共同组成AMOLED(有源矩阵发光二极管)。
所述OLED层包括多层有机层，例如，平坦层301、设于所述平坦层301上的阳极、设于所述阳极上的发光区定义层、设于所述阳极上且被所述发光区定义层包围的有机发光层、以及设于所述有机发光层以及发光区定义层上的阴极。
上述的阳极、有机发光层及阴极位于正对所述功能区101，即位于所述切割区102之外，而平坦层301及发光区定义层正对所述切割区102，位于所述凹槽203内，有机层300为平坦层301及发光区定义层。
一种实施方式中，通过掩膜版曝光、显影工艺去除所述切割区102上的所述有机层。即通过掩膜版曝光、显影工艺去除所述切割区102上的平坦层301及发光区定义层，以减少待切割层的厚度，减少所述平坦层301及发光区定义层对切割工艺的影响。
第三种可能的实施方式中，在去除所述切割区102上的所述无机层202的步骤S103之后，在器件层200上沉积有机层的步骤S1031之前还包括以下步骤。
步骤S1030、请参阅图10及图11，在所述TFT器件区205边缘处的无机层202上成型沟槽204。所述沟槽204沿所述凹槽203延伸。所述沟槽204用于阻挡所述凹槽203处的切割应力。
一种可能的实施方式中，通过在器件层200上涂布光刻胶，并采用掩膜版曝光、显影及蚀刻工艺去除所述切割区102上的所述无机层202，将所述器件层200图案化，在所述器件层200上成型沟槽204。所述沟槽204可以贯穿所述器件层200。所述沟槽204可以将TFT器件201、走线和邻近所述切割区102的无机层202分开。当显示面板在切割过程中，切割区102处产生裂纹，裂纹通过无机层202朝向TFT器件201及走线的方向延伸，此时，所述沟槽204可以将阻隔该裂纹的延伸路径，从而有效地保护TFT器件201及走线，防止TFT器件201及走线受到切割裂纹损伤。也就是说，本发明提出通过减小待切割层的厚度可以减少应力集中，以减少裂纹的产生，同时沟槽204的设置用于阻断裂纹的扩散途径，本实施方式中，凹槽203和沟槽204的设置成为TFT器件201及走线的双重防护墙，可以有效地降低所述切割区102在切割工艺的过程中造成的应力集中、产生裂纹及TFT器件201及走线受到应力损伤的问题，从而更加优化显示面板的生产良率。
一种可能的实施方式中，在器件层200上沉积有机层的步骤S1031中，还包括以下步骤。
请参阅图12，所述OLED层包括平坦层301。所述平坦层301可以填充所述沟槽204。平坦层301的材料为有机材料，具有较好的弹性和柔韧性，可以比较好释放应力，通过在无机层202中形成沟槽204并在其中填充平坦层301能够改善无机层202中的应力性能，防止在显示面板切割过程中的应力集中、产生裂纹的问题，进而提升柔性AMOLED显示面板的质量。
步骤S104、沿所述凹槽203切割所述承载基板100，形成多个显示面板。
采用激光切割的方法沿凹槽203切割所述承载基板100，可以沿凹槽203的中心线所述承载基板100，这样所述承载基板100受到激光的影响区域位于切割区102，而不会影响到功能区101，提高所述显示面板的切割效果。同时，凹槽203的设置，使得TFT器件201和走线不会受到激光的影响，也提高了显示面板的生产良率。
请参阅图13，本发明实施例还提供了一种显示面板10，采用以上的方法制作而成。所述显示面板10包括承载基板1001及设于所述承载基板1001上的器件层2001。所述承载基板1001包括功能区1011和包围所述功能区1011的切割区1021。所述器件层2001包括正对于所述功能区1011的TFT器件区2051及正对所述切割区1021的挖空区2031。所述TFT器件区2051包括TFT器件2011、驱动所述TFT器件2011的走线及包覆所述TFT器件2011、走线的无机层。所述TFT器件区2051在所述承载基板1001上的投影在所述功能区1011内。挖空区2031环绕所述TFT器件区2051的周侧。
通过在承载基板1001上设置正对于所述功能区1011的TFT器件区2051及正对所述切割区1021的挖空区2031，以使切割区1021对应的无机层厚度减少，一方面，被切割膜层的厚度减少，降低了切割工艺的难度，另一方面，切割区1021对应的无机层厚度减少，有效地缓解了切割工艺中应力集中的问题，提高显示面板10的生产良率。
一种可能的实施方式中，请参阅图13，所述TFT器件区2051边缘处还包括沟槽2041。沟槽2041位于TFT器件区2051的无机层中。所述沟槽2041沿所述挖空区2031延伸。所述沟槽2041用于阻挡所述挖空区2031处的切割应力。沟槽2041的设置用于阻断裂纹的扩散途径，挖空区2031和沟槽2041的设置成为TFT器件2011及走线的双重防护墙，可以有效地降低所述切割区1021在切割工艺的过程中造成的应力集中、产生裂纹及TFT器件2011及走线受到应力损伤的问题，从而更加优化显示面板10的生产良率。
一种可能的实施方式中，请参阅图13，所述显示面板10包括设于所述器件层2001上的OLED层。OLED层包括有机层。所述有机层填充所述沟槽2041并覆盖所述器件层2001。所述有机层可以为OLED层中的平坦层3011。有机层具有较好的弹性和柔韧性，可以比较好释放应力，通过形成沟槽2041并在其中填充平坦层3011能够改善无机层中的应力性能，防止在显示面板10切割过程中的应力集中、产生裂纹的问题，进而提升柔性AMOLED显示面板10的质量。
对于本领域技术人员而言，显然本申请不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本申请的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本申请。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本申请的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化涵括在本申请内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。此外，显然“包括”一词不排除其他单元或步骤，单数不排除复数。
最后应说明的是，以上实施方式仅用以说明本申请的技术方案而非限制，尽管参照以上较佳实施方式对本申请进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本申请的技术方案进行修改或等同替换都不应脱离本申请技术方案的精神和范围。
Claims (10)
1.一种显示面板制作方法，其特征在于，包括以下的步骤：
提供承载基板，所述承载基板包括多个功能区和位于所述功能区之间切割区；
在所述承载基板上形成器件层，所述器件层包括TFT器件及包覆所述TFT器件的无机层，所述TFT器件位于所述功能区上，所述无机层覆盖所述功能区及所述切割区；
去除所述切割区上的所述无机层，形成多个TFT器件区及位于所述TFT器件区之间的凹槽；
沿所述凹槽切割所述承载基板，形成多个显示面板。
2.如权利要求1所述的显示面板制作方法，其特征在于，在去除所述切割区上的所述无机层的步骤中，通过掩膜版曝光、显影及蚀刻工艺去除所述切割区上的所述无机层。
3.如权利要求1所述的显示面板制作方法，其特征在于，在去除所述切割区上的所述无机层的步骤之后，在所述TFT器件区边缘处的无机层上成型沟槽，所述沟槽沿所述凹槽延伸，所述沟槽用于阻挡所述凹槽处的切割应力。
4.如权利要求3所述的显示面板制作方法，其特征在于，在所述TFT器件区边缘处的无机层上成型沟槽的步骤中，通过掩膜版曝光、显影及蚀刻工艺成型沟槽。
5.如权利要求3所述的显示面板制作方法，其特征在于，在去除所述切割区上的所述无机层的步骤之后，包括
沉积有机层，所述有机层填充所述沟槽并覆盖所述器件层；
通过掩膜版曝光、显影工艺去除所述切割区上的所述有机层。
6.如权利要求1所述的显示面板制作方法，其特征在于，在提供承载基板的步骤中，所述承载基板包括依次设于所述基板上第一有机膜、第一无机膜、第二有机膜和第二无机膜。
7.如权利要求6所述的显示面板制作方法，其特征在于，在去除所述切割区上的所述无机层的步骤中，部分或完全去除所述第二无机膜。
8.一种显示面板，其特征在于，包括承载基板及设于所述承载基板上的器件层，所述承载基板包括功能区和位于所述功能区周侧的切割区，所述器件层包括正对所述功能区的TFT器件区及正对所述切割区的挖空区。
9.如权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述TFT器件区边缘处还包括沟槽，所述沟槽沿所述TFT器件区的边沿延伸，所述沟槽用于阻挡所述挖空区的切割应力。
10.如权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括设于所述器件层上的有机层，所述有机层填充所述沟槽并覆盖所述器件层。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711247587.6A CN108022878A (zh) | 2017-11-30 | 2017-11-30 | 显示面板及其制作方法 |
| PCT/CN2018/071669 WO2019104838A1 (zh) | 2017-11-30 | 2018-01-05 | 显示面板及其制作方法 |
| US15/969,354 US20190165328A1 (en) | 2017-11-30 | 2018-05-02 | Display panel and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711247587.6A CN108022878A (zh) | 2017-11-30 | 2017-11-30 | 显示面板及其制作方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108022878A true CN108022878A (zh) | 2018-05-11 |
Family
ID=62078015
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201711247587.6A Pending CN108022878A (zh) | 2017-11-30 | 2017-11-30 | 显示面板及其制作方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108022878A (zh) |
| WO (1) | WO2019104838A1 (zh) |
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| WO2019104838A1 (zh) | 2019-06-06 |
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|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
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