CN101826488B - 阵列基板及制造方法和液晶面板及制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种阵列基板及制造方法和液晶面板及制造方法，其中阵列基板包括：显示区域和非显示区域，所述非显示区域包括：切割区域和其他区域，所述其他区域设有由栅绝缘薄膜和钝化薄膜构成的双层结构，所述切割区域露出基板。从而可以在切割过程当中，有效地克服栅绝缘薄膜和钝化薄膜破损或开裂的缺陷。

Description

阵列基板及制造方法和液晶面板及制造方法

技术领域

本发明属于液晶显示装置领域，特别涉及在切割过程中能够防止栅绝缘薄膜和钝化薄膜破损或开裂的阵列基板及制造方法和液晶面板及制造方法。 

背景技术

液晶显示装置(Liquid Crystal Display，简称为LCD)是一种主要的平板显示装置(Flat Panel Display，简称为FPD)。 

根据驱动液晶的电场方向，液晶显示装置分为垂直电场型液晶显示装置和水平电场型液晶显示装置。垂直电场型液晶显示装置包括：扭曲向列(TwistNematic，简称为TN)型液晶显示装置；水平电场型液晶显示装置包括：边界电场切换(Fringe Field Switching，简称为FFS)型液晶显示装置，共平面切换(In-Plane Switching，简称为IPS)型液晶显示装置。 

图1a为现有液晶面板的平面示意图。图1b为图1a中A-A1切面示意图。如图1a和图1b所示，一个母板包括了第一液晶面板、第二液晶面板、第三液晶面板和第四液晶面板。在切割区域内通过切割方法对母板进行切割，最终形成4个液晶面板。其中液晶面板由基板1和彩膜基板构成。在基板1上设有栅绝缘薄膜11，在栅绝缘薄膜11上设有数据线12，在数据线12上方设有钝化薄膜13。 

图2a为现有的液晶面板中栅绝缘薄膜和钝化薄膜的破损示意图。图2b为现有的液晶面板中栅绝缘薄膜和钝化薄膜的开裂示意图。如图2a和图2b所示，进行切割时，由于现有的栅绝缘薄膜和钝化薄膜容易被切碎，从而导致了栅绝缘薄膜和钝化薄膜的破损即开裂，则需要适当的减少密封区域(sealing area)的宽度，这将会影响密封的质量。如果对密封区域不进行变化， 则会增加非显示区域的面积。 

在制造液晶面板的过程中，进行切割时若出现了栅绝缘薄膜和钝化薄膜开裂的现象，则露出的数据线在稳定性测试过程中将会被腐蚀，从而有可能导致断线。 

发明内容

本发明的目的是提供一种阵列基板及制造方法和液晶面板及制造方法，以克服现有技术中栅绝缘薄膜和钝化薄膜破损或开裂的缺陷。 

为实现上述目的，本发明提供了一种阵列基板的制造方法，包括：提供一基板，所述基板包括多个液晶面板区域和多个切割区域，所述切割区域位于相邻的所述液晶面板区域之间，以隔离每个所述液晶面板区域；在所述基板上形成栅线和栅电极；在形成有所述栅线和栅电极的所述基板上沉积栅绝道；在形成有所述数据线、源电极、漏电极和沟道的所述基板上沉积钝化薄膜，并且在所述漏电极上方的所述钝化薄膜上形成钝化层过孔；在形成有所述钝化层过孔的所述基板上形成通过所述钝化层过孔与所述漏电极电连接的像素电极；采用一个单调掩模板在所述基板上形成栅线和栅电极；采用一个双调掩模板在所述栅电极上形成所述源层、数据线、源电极、漏电极和沟道，沟道对应双调掩模板的半透射区域，数据线、源电极和漏电极对应双调掩模板的非透射区域，除数据线、源电极、漏电极和沟道之外的区域对应双调掩模板的透射区域；采用一个单调掩模板或一个双调掩模板在所述漏电极上方的所述钝化薄膜上形成所述钝化层过孔；采用一个双调掩模板在所述漏电极上方的所述钝化薄膜上形成所述钝化层过孔时，钝化层过孔对应双调掩模板的透射区域；将要形成的像素电极对应双调掩模板的半透射区域；除钝化层过孔和将要形成的像素电极之外的区域对应双调掩模板的非透射区域；然后在与双调掩模板的半透射区域对应的区域露出数据线薄膜，即露出漏电极，并沉积透明导电薄膜；采用一个单调掩模板在所述基板的切割区域去除所述栅绝缘薄膜和所述钝化薄膜。 

其中，所述在所述基板的切割区域去除所述栅绝缘薄膜和所述钝化薄膜具体为：在所述漏电极上方的所述钝化薄膜上形成钝化层过孔的同时，蚀刻在所述基板的切割区域的所述栅绝缘薄膜和所述钝化薄膜。 

其中，所述在所述漏电极上方的所述钝化薄膜上形成钝化层过孔，并且在形成有所述钝化层过孔的所述基板上形成通过所述钝化层过孔与所述漏电极电连接的像素电极具体为：采用双调掩模板在所述漏电极上方的所述钝化 薄膜上形成钝化层过孔，并且在形成有所述钝化层过孔的所述基板上通过剥离工艺形成通过所述钝化层过孔与所述漏电极电连接的像素电极。 

为实现上述目的，本发明还提供了一种阵列基板，包括多个液晶面板区域和多个切割区域，所述切割区域位于相邻的所述液晶面板区域之间，以隔离每个所述液晶面板区域，所述液晶面板区域包括栅绝缘薄膜和钝化薄膜，所述切割区域露出基板的表面。 

为实现上述目的，本发明还提供了一种液晶面板的制造方法，包括阵列基板的制造方法和彩膜基板的制造方法，其中，所述阵列基板的制造方法包括：提供一基板，所述基板包括多个液晶面板区域和多个切割区域，所述切割区域位于相邻的所述液晶面板区域之间，以隔离每个所述液晶面板区域；在所述基板上形成栅线和栅电极；在形成有所述栅线和栅电极的所述基板上沉积栅绝缘薄膜，并且在所述栅电极上形成有源层、数据线、源电极、漏电极和沟道；在形成有所述数据线、源电极、漏电极和沟道的所述基板上沉积钝化薄膜，并且在所述漏电极上方的所述钝化薄膜上形成钝化层过孔；在形成有所述钝化层过孔的所述基板上形成通过所述钝化层过孔与所述漏电极电连接的像素电极；采用一个单调掩模板在所述基板上形成栅线和栅电极；采用一个双调掩模板在所述栅电极上形成所述源层、数据线、源电极、漏电极和沟道，沟道对应双调掩模板的半透射区域，数据线、源电极和漏电极对应双调掩模板的非透射区域，除数据线、源电极、漏电极和沟道之外的区域对应双调掩模板的透射区域；采用一个单调掩模板或一个双调掩模板在所述漏电极上方的所述钝化薄膜上形成所述钝化层过孔；采用一个双调掩模板在所述漏电极上方的所述钝化薄膜上形成所述钝化层过孔时，钝化层过孔对应双调掩模板的透射区域；将要形成的像素电极对应双调掩模板的半透射区域；除钝化层过孔和将要形成的像素电极之外的区域对应双调掩模板的非透射区域；然后在与双调掩模板的半透射区域对应的区域露出数据线薄膜，即露出漏电极，并沉积透明导电薄膜；采用一个单调掩模板在所述基板的切割区域去除所述栅绝缘薄膜和所述钝化薄膜。 

其中，所述在所述基板的切割区域去除所述栅绝缘薄膜和所述钝化薄膜具体为：在在所述漏电极上方的所述钝化薄膜上形成钝化层过孔的同时，蚀刻在所述基板的切割区域的所述栅绝缘薄膜和所述钝化薄膜。 

其中，所述在所述漏电极上方的所述钝化薄膜上形成钝化层过孔，并且 在形成有所述钝化层过孔的所述基板上形成通过所述钝化层过孔与所述漏电极电连接的像素电极具体为：采用双调掩模板在所述漏电极上方的所述钝化薄膜上形成钝化层过孔，并且在形成有所述钝化层过孔的所述基板上通过剥离工艺形成通过所述钝化层过孔与所述漏电极电连接的像素电极。 

为实现上述目的，本发明还提供了一种液晶面板，包括：阵列基板和彩膜基板，所述阵列基板包括多个液晶面板区域和多个切割区域，所述切割区域位于相邻的所述液晶面板区域之间，以隔离每个所述液晶面板区域，所述液晶面板区域包括栅绝缘薄膜和钝化薄膜，所述切割区域露出基板的表面。 

本发明的阵列基板制造方法形成了完整的阵列基板结构之后，将位于阵列基板的切割区域内的栅绝缘薄膜和钝化薄膜去除。从而可以在切割过程当中，有效地克服栅绝缘薄膜和钝化薄膜破损或开裂的缺陷，因此不仅可以防止在小型液晶面板中由栅绝缘薄膜和钝化薄膜的破损而引起的各种缺陷，而且还可以防止由栅绝缘薄膜和钝化薄膜的开裂而引起的断线。 

下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。 

附图说明

图1a为现有液晶面板的平面示意图； 

图1b为图1a中A-A1切面示意图； 

图2a为现有的液晶面板中栅绝缘薄膜和钝化薄膜的破损示意图； 

图2b为现有的液晶面板中栅绝缘薄膜和钝化薄膜的开裂示意图； 

图3为本发明阵列基板制造方法的第一实施例流程图； 

图4a为本发明阵列基板制造方法的第二实施例流程图； 

图4b为本发明阵列基板制造方法的第二实施例中提供的基板示意图； 

图4c为本发明阵列基板制造方法的第二实施例中栅线和栅电极的示意图； 

图4d为本发明阵列基板制造方法的第二实施例中形成有源层、数据线、源电极、漏电极和沟道的示意图； 

图4e为本发明阵列基板制造方法的第二实施例中形成钝化层过孔的示意图； 

图4f为本发明阵列基板制造方法的第二实施例中形成像素电极的示意图； 

图5a为本发明阵列基板制造方法的第三实施例流程图； 

图5b为本发明阵列基板制造方法的第三实施例中提供的基板示意图； 

图5c为本发明阵列基板制造方法的第三实施例中形成栅线和栅电极的示意图； 

图5d为本发明阵列基板制造方法的第三实施例中形成有源层、数据线、源电极和漏电极的示意图； 

图5e为本发明阵列基板制造方法的第三实施例中形成钝化层过孔和像素电极的示意图； 

图5f为本发明阵列基板制造方法的第三实施例中去除栅绝缘薄膜和钝化薄膜的示意图； 

图6为本发明阵列基板的第一实施例的结构示意图； 

图7为本发明液晶面板制造方法的第一实施例的流程图； 

图8a为本发明液晶面板制造方法的第二实施例流程图； 

图8b为本发明液晶面板制造方法的第二实施例中提供的基板示意图； 

图8c为本发明液晶面板制造方法的第二实施例中栅线和栅电极的示意图； 

图8d为本发明液晶面板制造方法的第二实施例中形成有源层、数据线、源电极、漏电极和沟道的示意图； 

图8e为本发明液晶面板制造方法的第二实施例中形成钝化层过孔的示意图； 

图8f为本发明液晶面板制造方法的第二实施例中形成像素电极的示意图； 

图9a为本发明液晶面板制造方法的第三实施例流程图； 

图9b为本发明液晶面板制造方法的第三实施例中提供的基板示意图； 

图9c为本发明液晶面板制造方法的第三实施例中形成栅线和栅电极的示意图； 

图9d为本发明液晶面板制造方法的第三实施例中形成有源层、数据线、源电极和漏电极的示意图； 

图9e为本发明液晶面板制造方法的第三实施例中形成钝化层过孔和像素电极的示意图； 

图9f为本发明液晶面板制造方法的第三实施例中去除栅绝缘薄膜和钝化薄膜的示意图； 

图10为本发明液晶面板的第一实施例中阵列基板的结构示意图。 

附图标记说明 

1-基板；        11-栅绝缘薄膜； 12-数据线； 

13-钝化薄膜；   14-栅电极；     15-有源层； 

16-像素电极。 

具体实施方式

本发明阵列基板制造方法的第一实施例 

图3为本发明阵列基板制造方法的第一实施例流程图。如图3所示，本发明的阵列基板制造方法包括： 

步骤101，提供一基板，所述基板包括多个液晶面板区域和多个切割区域，所述切割区域位于相邻的所述液晶面板区域之间，以隔离每个所述液晶面板区域； 

步骤102，在所述基板上形成栅线和栅电极； 

步骤103，在形成有所述栅线和栅电极的所述基板上沉积栅绝缘薄膜，并且在所述栅电极上形成有源层、数据线、源电极、漏电极和沟道； 

步骤104，在形成有所述数据线、源电极、漏电极和沟道的所述基板上沉积钝化薄膜，并且在所述漏电极上方的所述钝化薄膜上形成钝化层过孔； 

步骤105，在形成有所述钝化层过孔的所述基板上形成通过所述钝化层过孔与所述漏电极电连接的像素电极； 

步骤106，在所述基板的切割区域去除所述栅绝缘薄膜和所述钝化薄膜。 

本实施例的阵列基板制造方法形成了完整的阵列基板结构之后，将位于阵列基板的切割区域内的栅绝缘薄膜和钝化薄膜去除。从而可以在切割过程当中，有效地克服栅绝缘薄膜和钝化薄膜破损或开裂的缺陷，因此不仅可以 防止在小型液晶面板中由栅绝缘薄膜和钝化薄膜的破损而引起的各种缺陷，而且还可以防止由栅绝缘薄膜和钝化薄膜的开裂而引起的断线。 

本发明阵列基板制造方法的第二实施例 

图4a为本发明阵列基板制造方法的第二实施例流程图。图4b为本发明阵列基板制造方法的第二实施例中提供的基板示意图。图4c为本发明阵列基板制造方法的第二实施例中栅线和栅电极的示意图。图4d为本发明阵列基板制造方法的第二实施例中形成有源层、数据线、源电极、漏电极和沟道的示意图。图4e为本发明阵列基板制造方法的第二实施例中形成钝化层过孔的示意图。图4f为本发明阵列基板制造方法的第二实施例中形成像素电极的示意图。如图4a所示，本发明的阵列基板制造方法包括： 

步骤201，如图4b所示，提供基板1，所述基板1包括多个液晶面板区域和多个切割区域，所述切割区域位于相邻的所述液晶面板区域之间，以隔离每个所述液晶面板区域。 

步骤202，如图4c所示，采用一个单调掩模板(Full Tone Mask)在所述基板1上形成栅线和栅电极14。 

步骤203，如图4d所示，在形成有所述栅线和栅电极14的所述基板1上依次沉积栅绝缘薄膜、半导体薄膜和数据线薄膜，并且采用一个双调掩模板(Dual Tone Mask)在所述栅电极14上形成有源层15、数据线12、源电极、漏电极和沟道。 

步骤204，如图4e所示，在形成有所述数据线12、源电极、漏电极和沟道的所述基板1上沉积钝化薄膜，并且采用一个单调掩模板在所述漏电极上方的所述钝化薄膜上形成钝化层过孔，同时在所述基板1的切割区域去除所述栅绝缘薄膜和所述钝化薄膜。 

步骤205，如图4f所示，在形成有所述钝化层过孔的所述基板1上，采用一个单调掩模板形成通过所述钝化层过孔与所述漏电极电连接的像素电极16。 

本实施例的阵列基板制造方法通过在4次掩模工艺中形成钝化层过孔时去除位于切割区域内的栅绝缘薄膜和钝化薄膜的方式，在增加掩模工艺的前提下去除了位于切割区域内的栅绝缘薄膜和钝化薄膜。从而可以在不增加制造成本的前提下有效地改善了由栅绝缘薄膜和钝化薄膜的破损或开裂引起的各种缺陷，提高了液晶显示装置的质量。 

本发明阵列基板制造方法的第三实施例 

图5a为本发明阵列基板制造方法的第三实施例流程图。图5b为本发明阵列基板制造方法的第三实施例中提供的基板示意图。图5c为本发明阵列基板制造方法的第三实施例中形成栅线和栅电极的示意图。图5d为本发明阵列基板制造方法的第三实施例中形成有源层、数据线、源电极和漏电极的示意图。图5e为本发明阵列基板制造方法的第三实施例中形成钝化层过孔和像素电极的示意图。图5f为本发明阵列基板制造方法的第三实施例中去除栅绝缘薄膜和钝化薄膜的示意图。如图5a所示，本发明的阵列基板制造方法包括： 

步骤301，图5b所示，提供基板1，所述基板1包括多个液晶面板区域和多个切割区域，所述切割区域位于相邻的所述液晶面板区域之间，以隔离每个所述液晶面板区域。 

步骤302，图5c所示，采用一个单调掩模板在所述基板1上形成栅线和栅电极14。 

步骤303，图5d所示，在形成有所述栅线和栅电极14的所述基板1上依次沉积栅绝缘薄膜11、半导体薄膜和数据线薄膜，并且采用一个双调掩模板在所述栅电极14上形成有源层15、数据线12、源电极、漏电极和沟道。此时，沟道对应双调掩模板的半透射区域；数据线12、源电极和漏电极对应双调掩模板的非透射区域；其他区域对应双调掩模板的透射区域。 

步骤304，图5e所示，在形成有所述数据线12、源电极、漏电极和沟道的所述基板1上沉积钝化薄膜13，并且采用一个双调掩模板在所述漏电极上方的所述钝化薄膜13上形成钝化层过孔。此时，钝化层过孔对应双调掩模板 的透射区域；将要形成的像素电极16对应双调掩模板的半透射区域；其他区域对应双调掩模板的非透射区域。然后在与双调掩模板的半透射区域对应的区域露出数据线薄膜，即露出漏电极，并沉积透明导电薄膜。通过剥离(lift off)工艺将与双调掩模板的非透射区域对应的透明导电薄膜剥离掉，形成与漏电极电连接的像素电极16。 

步骤305，图5f所示，采用一个单调掩模板，在所述基板1的切割区域去除所述栅绝缘薄膜11和所述钝化薄膜13。 

本实施例的阵列基板的制造方法在3次掩模工艺中增加了去除位于切割区域内的栅绝缘薄膜和钝化薄膜的工艺，从而有效地改善了由栅绝缘薄膜和钝化薄膜的破损或开裂引起的各种缺陷，提高了液晶显示装置的质量。 

在本实施例中，在步骤304中形成钝化层过孔时，去除位于切割区域内的栅绝缘薄膜和钝化薄膜，同样可以改善由栅绝缘薄膜和钝化薄膜的破损或开裂引起的各种缺陷。 

本发明阵列基板的第一实施例 

图6为本发明阵列基板的第一实施例的结构示意图。如图6所示，本发明的阵列基板包括多个液晶面板区域和多个切割区域，所述切割区域位于相邻的所述液晶面板区域之间，以隔离每个所述液晶面板区域，所述液晶面板区域设有由栅绝缘薄膜11和钝化薄膜13构成的双层结构，所述切割区域露出基板1的表面，即切割区域没有栅绝缘薄膜11和钝化薄膜13。 

本实施例的阵列基板通过仅在非显示区域的其他区域设置由栅绝缘薄膜和钝化薄膜构成的双层结构，在切割区域露出阵列基板的方式，克服了在切割过程当中产生的栅绝缘薄膜和钝化薄膜破损或开裂的缺陷。从而不仅可以防止在小型液晶面板中由栅绝缘薄膜和钝化薄膜的破损而引起的各种缺陷，而且还可以防止由栅绝缘薄膜和钝化薄膜的开裂而引起的断线。 

本发明液晶面板制造方法的第一实施例 

图7为本发明液晶面板制造方法的第一实施例的流程图。如图7所示， 本发明的液晶面板的制造方法包括阵列基板的制造方法和彩膜基板的制造方法，其中阵列基板的制造方法具体包括： 

步骤401，提供一基板，所述基板包括多个液晶面板区域和多个切割区域，所述切割区域位于相邻的所述液晶面板区域之间，以隔离每个所述液晶面板区域； 

步骤402，在所述基板上形成栅线和栅电极； 

步骤403，在形成有所述栅线和栅电极的所述基板上沉积栅绝缘薄膜，并且在所述栅电极上上形成有源层、数据线、源电极、漏电极和沟道； 

步骤404，在形成有所述数据线、源电极、漏电极和沟道的所述基板上沉积钝化薄膜，并且在所述漏电极上方的所述钝化薄膜上形成钝化层过孔； 

步骤405，在形成有所述钝化层过孔的所述基板上形成通过所述钝化层过孔与所述漏电极电连接的像素电极； 

步骤406，在所述基板的切割区域去除所述栅绝缘薄膜和所述钝化薄膜。 

本实施例的液晶面板制造方法形成了完整的阵列基板结构之后，将位于阵列基板的切割区域内的栅绝缘薄膜和钝化薄膜去除。从而可以在切割过程当中，有效地克服栅绝缘薄膜和钝化薄膜破损或开裂的缺陷，因此不仅可以防止在小型液晶面板中由栅绝缘薄膜和钝化薄膜的破损而引起的各种缺陷，而且还可以防止由栅绝缘薄膜和钝化薄膜的开裂而引起的断线。 

本发明液晶面板制造方法的第二实施例 

图8a为本发明液晶面板制造方法的第二实施例流程图。图8b为本发明液晶面板制造方法的第二实施例中提供的基板示意图。图8c为本发明液晶面板制造方法的第二实施例中栅线和栅电极的示意图。图8d为本发明液晶面板制造方法的第二实施例中形成有源层、数据线、源电极、漏电极和沟道的示意图。图8e为本发明液晶面板制造方法的第二实施例中形成钝化层过孔的示意图。图8f为本发明液晶面板制造方法的第二实施例中形成像素电极的示意图。如图8a所示，本发明的液晶面板的制造方法包括阵列基板的制造方法和 彩膜基板的制造方法，其中阵列基板的制造方法具体包括： 

步骤501，如图8b所示，提供基板1，所述基板1包括多个液晶面板区域和多个切割区域，所述切割区域位于相邻的所述液晶面板区域之间，以隔离每个所述液晶面板区域。 

步骤502，如图8c所示，采用一个单调掩模板在所述基板1上形成栅线和栅电极14。 

步骤503，如图8d所示，在形成有所述栅线和栅电极14的所述基板1上依次沉积栅绝缘薄膜、半导体薄膜和数据线薄膜，并且采用一个双调掩模板在所述栅电极14上形成有源层15、数据线12、源电极、漏电极和沟道。 

步骤504，如图8e所示，在形成有所述数据线12、源电极、漏电极和沟道的所述基板1上沉积钝化薄膜，并且采用一个单调掩模板在所述漏电极上方的所述钝化薄膜上形成钝化层过孔，同时在所述基板1的切割区域去除所述栅绝缘薄膜和所述钝化薄膜。 

步骤505，如图8f所示，在形成有所述钝化层过孔的所述基板1上，采用一个单调掩模板形成通过所述钝化层过孔与所述漏电极电连接的像素电极16。 

本实施例的液晶面板制造方法通过在4次掩模工艺中形成钝化层过孔时去除位于切割区域内的栅绝缘薄膜和钝化薄膜的方式，在不增加掩模工艺的前提下去除了位于切割区域内的栅绝缘薄膜和钝化薄膜。从而可以在不增加制造成本的前提下有效地改善了由栅绝缘薄膜和钝化薄膜的破损或开裂引起的各种缺陷，提高了液晶显示装置的质量。 

本发明液晶面板制造方法的第三实施例 

图9a为本发明液晶面板制造方法的第三实施例流程图。图9b为本发明液晶面板制造方法的第三实施例中提供的基板示意图。图9c为本发明液晶面板制造方法的第三实施例中形成栅线和栅电极的示意图。图9d为本发明液晶面板制造方法的第三实施例中形成有源层、数据线、源电极和漏电极的示意 图。图9e为本发明液晶面板制造方法的第三实施例中形成钝化层过孔和像素电极的示意图。图9f为本发明液晶面板制造方法的第三实施例中去除栅绝缘薄膜和钝化薄膜的示意图。如图9a所示，本发明的液晶面板的制造方法包括阵列基板的制造方法和彩膜基板的制造方法，其中阵列基板的制造方法具体包括： 

步骤601，如图9b所示，提供基板1，所述基板1包括多个液晶面板区域和多个切割区域，所述切割区域位于相邻的所述液晶面板区域之间，以隔离每个所述液晶面板区域。 

步骤602，如图9c所示，采用一个单调掩模板在所述基板1上形成栅线和栅电极14。 

步骤603，如图9d所示，在形成有所述栅线和栅电极14的所述基板1上依次沉积栅绝缘薄膜11、半导体薄膜和数据线薄膜，并且采用一个双调掩模板在所述栅电极14上形成有源层15、数据线12、源电极、漏电极和沟道。此时，沟道对应双调掩模板的半透射区域；数据线12、源电极和漏电极对应双调掩模板的非透射区域；其他区域对应双调掩模板的透射区域。 

步骤604，如图9e所示，在形成有所述数据线12、源电极、漏电极和沟道的所述基板1上沉积钝化薄膜13，并且采用一个双调掩模板在所述漏电极上方的所述钝化薄膜13上形成钝化层过孔。此时，钝化层过孔对应双调掩模板的透射区域；将要形成的像素电极16对应双调掩模板的半透射区域；其他区域对应双调掩模板的非透射区域。然后在与双调掩模板的半透射区域对应的区域露出露出数据线薄膜，即露出漏电极，并沉积透明导电薄膜。通过剥离(lift off)工艺将与双调掩模板的非透射区域对应的透明导电薄膜剥离掉，形成与漏电极电连接的像素电极16。 

步骤605，如图9f所示，采用一个单调掩模板，在所述基板1的切割区域去除所述栅绝缘薄膜11和所述钝化薄膜13。 

本实施例的阵列基板的制造方法在3次掩模工艺中增加了去除位于切割 区域内的栅绝缘薄膜和钝化薄膜的工艺，从而有效地改善了由栅绝缘薄膜和钝化薄膜的破损或开裂引起的各种缺陷，提高了液晶显示装置的质量。 

在本实施例中，在步骤603中形成钝化层过孔时，去除位于切割区域内的栅绝缘薄膜和钝化薄膜，同样可以改善由栅绝缘薄膜和钝化薄膜的破损或开裂引起的各种缺陷。因此，可以在3次掩模工艺中不增加工艺步骤的前提下改善由栅绝缘薄膜和钝化薄膜的破损或开裂引起的各种缺陷。 

本发明液晶面板的第一实施例 

图10为本发明液晶面板的第一实施例中阵列基板的结构示意图。如图10所示，本发明的液晶面板，包括：阵列基板和彩膜基板，所述阵列基板包括多个液晶面板区域和多个切割区域，所述切割区域位于相邻的所述液晶面板区域之间，以隔离每个所述液晶面板区域，所述液晶面板区域设有由栅绝缘薄膜11和钝化薄膜13构成的双层结构，所述切割区域露出基板1的表面，即切割区域没有栅绝缘薄膜11和钝化薄膜13。 

本实施例的液晶面板通过仅在非显示区域的其他区域设置由栅绝缘薄膜和钝化薄膜构成的双层结构，在切割区域露出阵列基板的方式，克服了在切割过程当中产生的栅绝缘薄膜和钝化薄膜破损或开裂的缺陷。从而不仅可以防止在小型液晶面板中由栅绝缘薄膜和钝化薄膜的破损而引起的各种缺陷，而且还可以防止由栅绝缘薄膜和钝化薄膜的开裂而引起的断线。 

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。 

Claims (6)

1.一种阵列基板的制造方法，包括：

提供一基板，所述基板包括多个液晶面板区域和多个切割区域，所述切割区域位于相邻的所述液晶面板区域之间，以隔离每个所述液晶面板区域；

在所述基板上形成栅线和栅电极；

在形成有所述栅线和栅电极的所述基板上沉积栅绝缘薄膜，并且在所述栅电极上形成有源层、数据线、源电极、漏电极和沟道；

在形成有所述数据线、源电极、漏电极和沟道的所述基板上沉积钝化薄膜，并且在所述漏电极上方的所述钝化薄膜上形成钝化层过孔；

在形成有所述钝化层过孔的所述基板上形成通过所述钝化层过孔与所述漏电极电连接的像素电极；

其特征在于，采用一个单调掩模板在所述基板上形成栅线和栅电极；采用一个双调掩模板在所述栅电极上形成所述源层、数据线、源电极、漏电极和沟道，沟道对应双调掩模板的半透射区域，数据线、源电极和漏电极对应双调掩模板的非透射区域，除数据线、源电极、漏电极和沟道之外的区域对应双调掩模板的透射区域；采用一个单调掩模板或一个双调掩模板在所述漏电极上方的所述钝化薄膜上形成所述钝化层过孔；采用一个双调掩模板在所述漏电极上方的所述钝化薄膜上形成所述钝化层过孔时，钝化层过孔对应双调掩模板的透射区域；将要形成的像素电极对应双调掩模板的半透射区域；除钝化层过孔和将要形成的像素电极之外的区域对应双调掩模板的非透射区域；然后在与双调掩模板的半透射区域对应的区域露出数据线薄膜，即露出漏电极，并沉积透明导电薄膜；采用一个单调掩模板在所述基板的切割区域去除所述栅绝缘薄膜和所述钝化薄膜。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述在所述基板的切割区域去除所述栅绝缘薄膜和所述钝化薄膜具体为：

在所述漏电极上方的所述钝化薄膜上形成钝化层过孔的同时，蚀刻在所述基板的切割区域的所述栅绝缘薄膜和所述钝化薄膜。

3.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述在所述漏电极上方的所述钝化薄膜上形成钝化层过孔，并且在形成有所述钝化层过孔的所述基板上形成通过所述钝化层过孔与所述漏电极电连接的像素电极具体为：

采用双调掩模板在所述漏电极上方的所述钝化薄膜上形成钝化层过孔，并且在形成有所述钝化层过孔的所述基板上通过剥离工艺形成通过所述钝化层过孔与所述漏电极电连接的像素电极。

4.一种液晶面板的制造方法，包括阵列基板的制造方法和彩膜基板的制造方法，其中，所述阵列基板的制造方法包括：

提供一基板，所述基板包括多个液晶面板区域和多个切割区域，所述切割区域位于相邻的所述液晶面板区域之间，以隔离每个所述液晶面板区域；

在所述基板上形成栅线和栅电极；

在形成有所述栅线和栅电极的所述基板上沉积栅绝缘薄膜，并且在所述栅电极上形成有源层、数据线、源电极、漏电极和沟道；

在形成有所述数据线、源电极、漏电极和沟道的所述基板上沉积钝化薄膜，并且在所述漏电极上方的所述钝化薄膜上形成钝化层过孔；

在形成有所述钝化层过孔的所述基板上形成通过所述钝化层过孔与所述漏电极电连接的像素电极；

其特征在于，采用一个单调掩模板在所述基板上形成栅线和栅电极；采用一个双调掩模板在所述栅电极上形成所述源层、数据线、源电极、漏电极和沟道，沟道对应双调掩模板的半透射区域，数据线、源电极和漏电极对应双调掩模板的非透射区域，除数据线、源电极、漏电极和沟道之外的区域对应双调掩模板的透射区域；采用一个单调掩模板或一个双调掩模板在所述漏电极上方的所述钝化薄膜上形成所述钝化层过孔；采用一个双调掩模板在所述漏电极上方的所述钝化薄膜上形成所述钝化层过孔时，钝化层过孔对应双调掩模板的透射区域；将要形成的像素电极对应双调掩模板的半透射区域；除钝化层过孔和将要形成的像素电极之外的区域对应双调掩模板的非透射区域；然后在与双调掩模板的半透射区域对应的区域露出数据线薄膜，即露出漏电极，并沉积透明导电薄膜；采用一个单调掩模板在所述基板的切割区域去除所述栅绝缘薄膜和所述钝化薄膜。

5.根据权利要求4所述的液晶面板的制造方法，其特征在于，所述在所述基板的切割区域去除所述栅绝缘薄膜和所述钝化薄膜具体为：在在所述漏电极上方的所述钝化薄膜上形成钝化层过孔的同时，蚀刻在所述基板的切割区域的所述栅绝缘薄膜和所述钝化薄膜。

6.根据权利要求5所述的液晶面板的制造方法，其特征在于，所述在所述漏电极上方的所述钝化薄膜上形成钝化层过孔，并且在形成有所述钝化层过孔的所述基板上形成通过所述钝化层过孔与所述漏电极电连接的像素电极具体为：

采用双调掩模板在所述漏电极上方的所述钝化薄膜上形成钝化层过孔，并且在形成有所述钝化层过孔的所述基板上通过剥离工艺形成通过所述钝化层过孔与所述漏电极电连接的像素电极。

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