CN101266351A - 液晶显示装置及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种显示品质优越的液晶显示装置及其制造方法。本发明的液晶显示装置的制造方法在经由切断线(10)矩阵状地配置有多个面板(19)的母板(100)上形成具有跨过切断线(10)的液晶注入口密封图形的密封图形(11)，在切断线(10)上对母板(100)进行切断，其中具备下述工序：涂敷有机膜(8)；对有机膜(8)进行构图，形成沿着切断线(10)设置并具有与有机膜(8)的边界线成为曲线而宽度变宽地形成的宽幅部的有机膜除去区域；在有机膜(8)上涂敷感光性树脂；将液晶注入口密封图形形成在邻接的面板(19)的宽幅部上；以及在切断线(10)上对母板(100)进行切断，以便分离液晶注入口密封图形。
Description
技术领域
本发明涉及液晶显示装置及其制造方法。
背景技术
近年来，液晶显示装置的高清晰化技术的开发不断推进，并一直要求高功能化、高附加值化、低成本化。特别是对低成本化的要求升高，在便携式电话或数字照相机(digital camera)等小型液晶显示装置中，作为成本削减对策之一，在1块母板(mother substrate)上配置尽可能多的面板(panel)的研究变得必不可少。
为了使对于1块母板的面板取得面数增加，极力减少各面板间的多余的空间(space)是有效的。进而通过使各面板间的间隔在上下左右方向上均为零，就能够确保来自1块基板的最大面板取得面数。
但是，在液晶显示装置中，有将背光源(backlight)配置于其背面以进行图像显示的透射型液晶显示装置、以及通过在基板上配置反射板而利用反射板表面反射周围的光从而进行图像显示的反射型液晶显示装置。该透射型液晶显示装置在周围光为直射阳光等非常明亮的光的情况下，因为显示光比周围光暗淡所以存在难以确认显示的问题。此外，反射型液晶显示装置在周围光暗淡的情况下存在可视性(visibility)极低的缺点。
为了解决这些问题，提出有一种使光的一部分透射并使光的一部分反射的半透射型液晶显示装置。在半透射型液晶显示装置中，为了得到良好的散射特性，在绝缘膜上设置有表面具有凹凸图形(pattern)的有机膜(专利文献1)。例如，通过旋涂(spin coat)在绝缘膜上涂敷有机膜之后，以光刻工艺(photolithography process)在有机膜的表面进行凹部构图(patterning)，在有机膜的表面形成凹凸图形。因此，有机膜膜厚为3～4μm左右，比起作为其它结构要素的金属膜等变得非常厚。
该有机膜虽然在显示区域内构图为规定的形状，但是在以往，在显示区域的外侧即在框缘区域内并不构图而是全面地形成。但是，在1块母板上配置多个面板的取得多面的情况下，面板切断线上的有机膜成为障碍，使切断精度下降。此外，通过有机膜形成在框缘整个区域上，从而会产生FPC端子的粘着强度下降、读取安装用对准标记(alignmentmark)变得困难等问题。因此，在面板切断线上、FPC端子粘着部以及安装用对准标记周边，除去有机膜。
进而近年来，如前述那样，为了使面板取得面数为最大限度的目的，各面板间的间隔以上下左右均为零的方式配置。这时，作为密封图形的配置，使用使密封图形(seal pattern)的一部分溢出至邻接面板的方法。一般来说，在密封图形中，形成液晶注入口的注入口密封图形从包围显示区域的框缘状的密封框突出地设置。通过将该注入口密封图形的一部分向邻接面板溢出配置，在考虑了密封图形的位置精度或面板切断时导致的错位(displacement)等的基础上，能够确保容易注入液晶的注入口。在此，将该注入口密封图形称为密封图形的角(horns)。密封图形的角由于空间制约而配置在FPC端子粘着部以及安装用对准标记的附近。而且，为了防止密封图形的剥离等，在密封图形的角周边也除去有机膜。
图11是表示框缘区域42内的有机膜8的构图形状的图。再有，为了便于说明，在图11中将在以后的面板粘合工序中形成的密封图形11以虚线标出。在图11中，在与设置了注入口的密封框的边邻接的面板切断线10上以及其周边除去了有机膜8，有机膜除去范围(area)沿切断线形成为条纹(stripe)状(有机膜除去范围13)。而且，以从沿着切断线的条纹状的有机膜除去范围13延伸的形式，除去FPC端子粘着部上的有机膜(有机膜除去范围14)。同样地，密封图形的角部以及其周边的有机膜从沿着切断线的条纹状的有机膜除去范围13延伸而被矩形形状地除去(有机膜除去范围16)。进而，在安装用对准标记以及其周边将有机膜除去(有机膜除去范围15)。
这样，在框缘区域42中，密封图形的角12区域的有机膜除去范围16延伸设置到面板切断线10的有机膜除去范围13中，从上面看有机膜8被凸形状地除去。
专利文献1：日本专利申请公开2004-294805号公报
但是，当在框缘区域42设置这样凸形状的有机膜除去范围时，在后续的工序中，在通过旋涂来涂敷抗蚀剂(resist)时有时会发生涂敷斑(non-uniformity)。如图12所示，该涂敷斑17以凸形状的有机膜除去范围的角落(corner)部，即设置于密封图形的角12区域的矩形形状的有机膜除去范围的角落部为起点放射状地发生。此外，该涂敷斑17不是停留在框缘区域42内，而是还遍及显示区域41而宽范围地发生。
在此，使用图13对涂敷斑17的发生机理(mechanism)进行说明。图13(a)是将有机膜除去范围的凸形状部分放大的示意图，表示密封图形的角12区域中的有机膜8的构图形状。图13(b)是图13(a)的D-D剖面图。再有，为了便于说明，在图13(a)中将在以后的面板粘合工序中形成的密封图形11以虚线标出。在将显示区域41内的有机膜8构图为规定形状时，同时形成框缘区域42的有机膜除去范围。具体是，以光刻工艺对有机膜8构图之后，通过干法刻蚀(dry etching)除去露出的绝缘膜7。即，在有机膜除去范围中除去有机膜8以及绝缘膜7，在有机膜除去范围和有机膜除去范围周边之间形成有3～4μm以上的台阶差。此外，如图13(b)所示，有机膜除去范围的侧面相对于基板1成为大致垂直、或急陡的锥形(taper)形状。因此，有机膜除去范围的凸形状部分通过高且陡的侧壁被3方向包围。
而且，在有机膜除去范围形成后，作为后续工序例如利用金属膜形成反射电极或透明电极等。具体是，将金属膜成膜，在其上以旋涂来涂敷用于对金属膜构图的抗蚀剂。此时，因为通过高且陡的侧壁被3方向包围，所以在有机膜除去范围的凸形状部分(特别是角落部)，在旋涂中抗蚀剂容易滞留。当抗蚀剂积存成为饱和状态时，滞留的抗蚀剂从凸形状的角落部像被扒出那样地排出，使放射状的涂敷斑17发生。
虽然在没有涂敷斑17的部分中，抗蚀剂的膜厚大致均一地涂敷，但在这样的涂敷斑17发生的部分中，抗蚀剂的膜厚不均一。即，在涂敷斑17的部分中，形成有膜厚比没有涂敷斑17的部分厚或薄的抗蚀剂。当抗蚀剂的膜厚厚时，有时应被除去的区域却没有被除去而残留下来。因此，在涂敷斑17的部分中，抗蚀剂不能构图为所希望的形状。进而，由于经由这样的抗蚀剂图形来进行金属膜的刻蚀(etching)，所以在涂敷斑17的部分不能得到规定的形状。在使用这样的面板的显示装置中，存在发生显示斑等并会招致显示品质或成品率下降的问题。
发明内容
本发明是为了解决上述这样的问题而做出的，其目的是提供一种显示品质优越的液晶显示装置及其制造方法。
涉及本发明的液晶显示装置的制造方法在经由切断线矩阵(matrix)状地配置有多个面板的母板上，形成具有跨过上述切断线的液晶注入口密封图形的密封图形，在上述切断线上对上述母板进行切断，切断成每个上述面板，其中该方法具备下述工序：在上述母板上涂敷有机膜；对上述有机膜进行构图，形成沿着上述切断线设置并具有与上述有机膜的边界线成为曲线而宽度变宽地形成的宽幅部的有机膜除去区域；在上述进行了构图的有机膜上涂敷感光性树脂；在上述母板上形成包围上述面板的显示区域的密封图形，将上述液晶注入口密封图形形成在邻接的上述面板的上述宽幅部；以及在上述切断线上对上述母板进行切断，以便分离上述液晶注入口密封图形。
根据本发明，能够提供显示品质优越的液晶显示装置及其制造方法。
附图说明
图1是表示涉及实施方式1的TFT阵列基板的结构的正面图。
图2是表示涉及实施方式1的半透射型液晶显示装置的TFT阵列基板的一个结构例的剖面图。
图3是表示涉及实施方式1的面板配置的平面图。
图4是表示涉及实施方式1的密封图形的配置的图。
图5是表示涉及实施方式1的在有机膜的框缘区域内的构图形状的示意图。
图6是表示涉及实施方式1的在密封图形的角区域中的有机膜构图形状的平面图。
图7是表示涉及实施方式2的在密封图形的角区域中的有机膜构图形状的平面图。
图8是表示涉及实施方式3的在密封图形的角区域中的有机膜构图形状的平面图。
图9是表示涉及实施方式4的在密封图形的角区域中的有机膜构图形状的平面图和剖面图。
图10是表示涉及实施方式5的在密封图形的角区域中的有机膜构图形状的平面图和剖面图。
图11是表示在框缘区域内的有机膜的构图形状的示意图。
图12是表示起因于框缘区域内的有机膜的构图形状的在后续工序的涂敷斑的图。
图13是表示涉及现有技术的在密封图形的角区域中的有机膜的构图形状的平面图和剖面图。
具体实施方式
实施方式1
首先，使用图1对涉及本发明的液晶显示装置进行说明。图1是表示使用于液晶显示装置中的TFT阵列(array)基板结构的正面图。关于该液晶显示装置的整体结构，在以下叙述的第1～第5实施方式是通用的。
涉及本发明的液晶显示装置具备具有绝缘性的基板1。基板1例如是TFT阵列基板等的阵列基板。在基板1设置有显示区域41和以包围显示区域41的方式设置的框缘区域42。在该显示区域41中，形成有多条栅极(gate)布线(扫描信号线)43和多条源极(source)布线(显示信号线)44。多条栅极布线43平行地设置。同样地，多条源极布线44平行地设置。栅极布线43和源极布线44以互相交叉的方式形成。栅极布线43和源极布线44正交。以邻接的栅极布线43和源极布线44包围的区域成为像素47。因此，在基板1中，像素47呈矩阵状地排列。
进而，在基板1的框缘区域42中，设有扫描信号驱动电路45和显示信号驱动电路46。栅极布线43从显示区域41到框缘区域42延伸设置。而且，栅极布线43在基板1的端部连接至扫描信号驱动电路45。源极布线44也同样地从显示区域41到框缘区域42延伸设置。而且，源极布线44在基板1的端部与显示信号驱动电路46连接。在扫描信号驱动电路45的附近，连接有外部布线48。此外，在显示信号驱动电路46的附近，连接有外部布线49。外部布线48、49例如是FPC(FlexiblePrinted Circuit：柔性印刷电路)等的布线基板。
来自外部的各种信号经由外部布线48、49供给到扫描信号驱动电路45、以及显示信号驱动电路46。扫描信号驱动电路45基于来自外部的控制信号，对栅极布线43供给栅极信号(扫描信号)。根据该栅极信号，栅极布线43被依次选择。显示信号驱动电路46基于来自外部的控制信号、或显示数据(data)对源极布线44供给显示信号。由此，能够向各像素47供给对应于显示数据的显示电压。再有，扫描信号驱动电路45和显示信号驱动电路46并不局限于在基板1上配置的结构。例如通过TCP(Tape Carrier Package：带载封装)连接驱动电路也可。
在像素47内，形成有至少1个TFT50。TFT50被配置在源极布线44和栅极布线43的交叉点附近。例如，该TFT50对像素电极供给显示电压。即，通过来自栅极布线43的栅极信号，使作为开关(switching)元件的TFT50导通(on)。由此，从源极布线44对连接在TFT50的漏(drain)电极上的像素电极施加显示电压。而且，在像素电极与对置电极之间，产生对应于显示电压的电场，再有，在基板1的表面形成有取向膜(未图示)。
进而，在基板1上对置地配置有对置基板。对置基板例如是滤色器(color filter)基板，配置于可视侧。在对置基板上，形成有滤色器、黑矩阵(black matrix)(BM)、对置电极以及取向膜等。再有，对置电极也有配置在基板1一侧的情况。而且，在基板1与对置基板之间夹持有液晶层。即，液晶被导入至基板1与对置基板之间。进而，在基板1与对置基板的外侧的面上设置有偏振片以及相位延迟片等。此外，在液晶显示面板的可视侧相反侧，配设有背光源单元(backlight unit)等。
根据像素电极和对置电极之间的电场从而驱动液晶。即，基板间的液晶的取向方向变化。由此，通过液晶层的光的偏振状态变化。即，通过偏振片变为线偏振光的光根据液晶层其偏振状态变化。具体是，来自背光源单元的光根据阵列基板侧的偏振片变成线偏振光。而且，该线偏振光通过液晶层，由此偏振状态变化。
因此，根据偏振状态，通过对置基板侧的偏振片的光量变化。即，从背光源单元透射液晶显示面板的透射光中，通过可视侧的偏振片的光的光量变化。液晶的取向方向根据被施加的显示电压而变化。因此，通过控制显示电压，就能够使通过可视侧的偏振片的光量变化。即，通过按每个像素改变显示电压，就能显示所希望的图像。
接着，参照图2对用于半透射型液晶显示装置中的TFT阵列基板的剖面结构进行说明。图2是表示涉及本实施方式的半透射型液晶显示装置的TFT阵列基板的一个结构例的剖面图。在图2中，在基板1上通过第1电极膜形成有栅极电极2以及辅助电容电极3。栅极绝缘膜4以覆盖这些栅极电极2以及辅助电容电极3的方式通过第1绝缘膜形成。在栅极绝缘膜4上设有半导体层5，进而在其上通过第2金属膜形成有源极、漏极电极6。以覆盖源极、漏极电极6的方式形成有绝缘膜7。
在绝缘膜7上设有有机膜8。在像素电极的反射部中，在有机膜8的表面形成有凹凸图形。再有，在像素电极的透射部中，有机膜8、栅极绝缘膜4以及绝缘膜7被除去。而且，在这些之上设有像素电极9。作为像素电极9，在透射部设有ITO等的透明电极9a，在反射部进而在其上形成有铬(chrome)等的反射电极9b。这样，在显示区域41内将有机膜8构图为规定的形状。
这样的液晶显示装置一般是将配置在1块母板上的多个面板切断从而形成。图3是表示母板内的面板配置的平面图。如图3所示，各面板19以上下左右的间隔为零的方式配置在母板100上。由此，多个面板19经由切断线矩阵状地排列。使用图4对这时的密封图形的配置进行说明。图4是表示密封图形的配置的图，是将图3的A区域放大了的图。在图4中，形成有密封图形11，该密封图形11具有包围显示区域41的框状的密封图形、以及从框状的密封图形突出设置的液晶注入口密封图形。在此，将液晶注入口密封图形称为密封图形的角12。密封图形的角12以跨过切断线10的方式配置，溢出至邻接的面板19而形成。由此，在面板19的框缘区域42中，在与设置有液晶注入口的基板的端边对置的端边上形成有密封图形的角12。
接着，使用图5以及图6对框缘区域42内的有机膜8的构图形状进行说明。图5是表示框缘区域42内的有机膜8的构图形状的示意图。图6是将在密封图形的角12区域中的有机膜除去范围放大记述的平面图。再有，为了说明方便，在图5以及图6中将在后面的面板粘合工序中形成的密封图形11用虚线标出。
在图5中，与在图11表示的现有技术同样地，设置为框缘状的密封框的4条边中，沿着与设置有注入口的边邻接的面板切断线10，形成有条纹状的有机膜除去范围(有机膜除去范围13)。而且，在安装用对准标记以及其周边，有机膜被除去(有机膜除去范围15)。此外，以从沿着切断线的条纹状的有机膜除去范围13延伸的形式，除去FPC端子粘着部上的有机膜(有机膜除去范围14)。进而如在图6放大表示的那样，在本实施方式中除去了有机膜的切口图形(slit pattern)以包围密封图形的角12区域的方式形成为コ字型(“コ”-shaped)(有机膜除去范围161)，延伸设置到条纹状的除去范围。
形成有机膜除去范围161的コ字型的切口图形的宽度优选越细越好，在这里形成为宽度大约是5μm的切口图形。在コ字型的切口图形的内侧有机膜不被除去而残留。即，在扩张为矩形形状的开口部设置有岛状的分离图形20。矩形形状的分离图形20从显示区域41的有机膜8分离。分离图形20在有机膜除去范围161和切断线10之间形成。此外，分离图形20的3条边被コ字型的有机膜除去范围161所包围，剩下的一条边被有机膜除去范围13所包围。密封图形的角12以横切切断线10的方式设置，密封图形的角12部前端被配置在分离图形20上。
接着，对涉及本实施方式1的液晶显示装置的制造方法进行说明。首先，在基板1上成膜第1电极膜。例如可以使用铬、钼(molybdenum)、钽(tantalum)、钛(titanium)、铝(aluminum)、铜或对这些微量地添加了其它物质的合金、或由这些层叠而成的膜。接着通过光刻工艺对栅极电极2、以及辅助电容电极3进行构图。接着，以覆盖栅极电极2、以及辅助电容电极3的方式形成栅极绝缘膜4。在栅极绝缘膜4上形成半导体层5。作为半导体层5使用非晶硅(amorphous silicon)或多晶硅(poly silicon)等的膜对形成TFT的部分进行构图。进而以溅射(sputtering)等的方法成膜第2金属膜，以光刻工艺构图以形成源极、漏极电极6。接着通过等离子体CVD形成绝缘膜7。
接着形成有机膜8。在本实施方式中在框缘区域42内以如下方式形成具有有机膜除去范围的有机膜8。首先，在绝缘膜7上通过旋涂来涂敷有机膜8。有机膜8是公知的感光性有机膜，例如使用JSR制PC335或PC405。有机膜8以3～4μm左右的膜厚涂敷。接着，通过光刻工艺对有机膜8构图。由此，在显示区域41内有机膜8被构图为所希望的形状，并且在框缘区域42内除去具有机膜除去范围的有机膜8。具体是，沿着面板切断线10有机膜8被条纹状地除去(有机膜除去范围13)，与该条纹状的有机膜除去范围相邻接地将有机膜8除去为コ字型(有机膜除去范围161)。此外，除去FPC端子粘着部、安装用对准标记周边的有机膜8(有机膜除去范围14、15)。之后，通过干法刻蚀来除去露出的绝缘膜7以及栅极绝缘膜4。
在有机膜8形成后，形成像素电极9。以溅射等方法成膜ITO、SnO2、IZO等透明导电膜。接着在透明导电膜上通过旋涂来涂敷抗蚀剂(感光性树脂)，通过光刻工艺形成抗蚀剂图形。以该抗蚀剂图形作为掩模(mask)将透明导电膜刻蚀成透明电极9a等的形状。进而，以溅射等的方法成膜成为反射电极9b的金属薄膜。而且，在金属薄膜上通过旋涂来涂敷抗蚀剂，通过光刻工艺形成抗蚀剂图形。以该抗蚀剂图形作为掩模将金属薄膜刻蚀成反射电极9b等的形状。或者，利用多级曝光通过1次光刻工艺来形成透明电极9a和反射电极9b。特别是由于在多级曝光中抗蚀剂的膜厚控制很重要，所以在通过旋涂来涂敷抗蚀剂时需要使涂敷斑不发生。经过以上的工序完成TFT阵列基板。
在这样制造的TFT阵列基板和滤色器等的对置基板上形成取向膜。而且，对该取向膜，在与液晶的接触面上在一个方向上施加赋以微小(micro)伤痕的取向处理(摩擦(rubbing)处理)。接着，涂敷密封(seal)材料并与对置基板粘合。在TFT阵列基板上，以密封图形的角12部前端配置在コ字型的有机膜除去范围161内侧的分离图形20上的方式形成密封图形11，并与对置基板重合。或者，在对置基板上形成密封图形11，以密封图形的角12部前端配置在分离图形20上的方式与TFT阵列基板重合也可。
以液晶盒间隙(cell gap)成为规定值的方式加压并同时使密封图形11固化之后，沿着切断线10切断成各面板19。因为密封图形的角12以横切切断线10的方式形成，所以被分离。由此，在切断后的面板19上，在与设置有注入口的端边对置的端边上，密封图形的角12的一部分，即与密封图形11相同的密封材料残留。接着，使用真空注入法等从液晶注入口注入液晶。或者，切断成棒(stick)状，对多个面板19进行液晶注入也可。液晶通过2个角之间，注入到框状的密封图形内。而且，在2个角之间充填封装用树脂，封装液晶注入口。这样，完成本实施方式的液晶显示装置。
如上所述，在本实施方式中コ字型的有机膜除去范围161延伸设置到有机膜除去范围13中而形成。通过将有机膜8除去为这样的形状，从而使密封图形的角12区域的有机膜除去范围的面积变小。即，在后续工序中通过旋涂来涂敷抗蚀剂(感光性树脂)时，由于在该有机膜除去范围内滞留的抗蚀剂的量变少，所以能够防止涂敷斑的发生。例如，能够防止在对像素电极9的金属薄膜或透明导电膜构图时的发生在抗蚀剂图形上的涂敷斑。因此，在使用了这样的面板的显示装置中防止了显示斑的发生，所以能够提高显示品质，提高成品率。
实施方式2
使用图7对本实施方式的框缘区域42内的有机膜8的构图形状进行说明。图7是表示涉及本实施方式的有机膜除去范围形状的平面图，放大记载了密封图形的角12区域中的有机膜除去范围。在本实施方式中，密封图形的角12区域中的有机膜除去范围的形状与实施方式1不同，由于除此以外的结构与实施方式1相同，所以省略说明。再有，为了便于说明，在图7中将在后面的面板粘合工序中形成的密封图形11以虚线标出。
在图7中，沿着与设置了注入口的密封框的边邻接的面板切断线10，形成有条纹状的有机膜除去范围13。而且，以从沿着面板切断线10的条纹状的有机膜除去范围13延伸的形式，密封图形的角12部以及其周边的有机膜以扩张为圆弧状的方式被除去(有机膜除去范围162)。有机膜除去范围162在密封图形的2个角之间变成宽度最宽。而且，随着从2个角的中间离开，宽度变窄。由此，有机膜除去范围162的边界线通过圆弧状的曲线形成。有机膜除去范围162的外周端扩张成圆弧状而形成宽幅部。密封图形的角12以横切切断线10的方式设置，在成为该宽幅部的位置即有机膜除去范围162内配置有密封图形的角12部前端。
接着，对涉及本实施方式的液晶显示装置的制造方法进行说明。在本实施方式中，只是有机膜8的形成工序与实施方式1不同，由于除此之外的工序与实施方式1相同，所以省略其说明。在涂敷了有机膜8之后，通过光刻工艺进行构图。此时，使用具有与实施方式1不同的图形的光掩模(photomask)。由此，在框缘区域42中形成有与实施方式1不同形状的有机膜除去范围。之后，通过干法刻蚀除去露出的绝缘膜7。而且，在经过各种后续工序之后的面板粘合工序中，以密封图形的角12部前端配置在圆弧状的有机膜除去范围162内侧的方式形成密封图形11。在面板粘合之后，沿着切断线10切断成各面板19。因为密封图形的角12以横切切断线10的方式形成，所以在切断后的面板19中在与设置有注入口的端边对置的端边上，密封图形的角12的一部分、即与密封图形11相同的密封材料残留。
如上所述，在本实施方式中，圆弧状的有机膜除去范围162延伸设置到条纹状的有机膜除去范围13中而形成。通过将有机膜8除去为这样的形状，从而使在密封图形的角12区域的有机膜除去范围没有形成角落部。即，在后续工序中通过旋涂来涂敷抗蚀剂时，在该有机膜除去范围中抗蚀剂变得很难滞留，能够防止涂敷斑的发生。例如，能够防止在对像素电极9的金属薄膜或透明导电膜构图时的在抗蚀剂图形上发生的涂敷斑。因此，在使用了这样的面板的显示装置中防止了显示斑的发生，所以能够提高显示品质，提高成品率。此外，由于在密封图形的角12正下方没有形成有机膜8，所以能够防止密封图形的剥离。
实施方式3
使用图8对在本实施方式的框缘区域内的有机膜构图形状进行说明。图8是表示涉及本实施方式的有机膜除去范围的形状的平面图，放大记载了密封图形的角12区域中的有机膜除去范围。在本实施方式中，密封图形的角12区域中的有机膜除去范围的形状与实施方式1、2不同，由于除此以外的结构与实施方式1、2相同，所以省略说明。再有，为了便于说明，在图8中将在后面的面板粘合工序中形成的密封图形11以虚线标出。
在图8中，沿着与设置了注入口的密封框的边邻接的面板切断线10，形成有条纹状的有机膜除去范围13。而且，以从沿着面板切断线10的条纹状的有机膜除去范围13延伸的形式，在2处将有机膜以扩张为凸形状的方式除去(有机膜除去范围163)。即，密封图形的角12有2根，只有各个角以及其周边的有机膜8被宽度较宽地除去，形成有有机膜除去范围163。因此，本实施方式的有机膜除去范围163，比在图13所示的现有技术的有机膜除去范围16其宽度尺寸变小。在凸形状的有机膜除去范围中，在一方的有机膜除去范围和另一方的有机膜除去范围之间，有机膜8不被除去而残留。即，在2个角之间配置有有机膜8。设置于显示区域41中的有机膜8延伸到2个角之间。在图8中，有机膜除去范围163具有矩形形状。密封图形的角12以横切切断线10的方式设置，在各有机膜除去范围163中1个1个地配置有密封图形的角12部前端。
接着，对涉及本实施方式的液晶显示装置的制造方法进行说明。在本实施方式中，只有有机膜8的形成工序与实施方式1、2不同，由于除此之外的工序与实施方式1、2同样，所以省略其说明。在涂敷了有机膜8之后，通过光刻工艺进行构图。此时，使用具有与实施方式1、2不同的图形的光掩模。由此，在框缘区域42中形成有与实施方式1、2不同形状的有机膜除去范围。之后，通过干法刻蚀除去露出的绝缘膜7。而且，在经过各种后续工序之后的面板粘合工序中，以密封图形的角12部前端分别配置在凸形状的有机膜除去范围163内侧的方式形成密封图形11。在面板粘合之后，沿着切断线10切断成各面板19。因为密封图形的角12以横切切断线10的方式形成，所以在切断后的面板19中在与设置有注入口的端边对置的端边上，密封图形的角12的一部分、即与密封图形11相同的密封材料残留。
如上所述，在本实施方式中，具有凸形状的2个有机膜除去范围163延伸设置到条纹状的有机膜除去范围13中而形成。通过将有机膜8除去为这样的形状，从而使密封图形的角12区域的有机膜除去范围面积变小。即，在后续工序中通过旋涂来涂敷抗蚀剂时，由于在该有机膜除去范围内滞留的抗蚀剂的量变少，所以能够防止涂敷斑的发生。例如，能够防止在对像素电极9的金属薄膜或透明导电膜构图时的在抗蚀剂图形上发生的涂敷斑。因此，在使用了这样的面板的显示装置中防止了显示斑的发生，所以能够提高显示品质，提高成品率。此外，由于在密封图形的角12正下方没有形成有机膜8，所以能够防止密封图形的剥离。
实施方式4
使用图9对本实施方式的在框缘区域内的有机膜构图形状进行说明。图9(a)是表示涉及本实施方式的有机膜除去范围的形状的平面图，放大记载了在密封图形的角12区域中的有机膜除去范围。图9(b)是图9(a)的B-B剖面图。在本实施方式中，在框缘区域42中的有机膜除去范围的剖面形状具有特征，与实施方式1～3、以及图13所示的现有技术的剖面形状不同。由于除此以外的结构与实施方式1～3同样，所以省略说明。再有，为了便于说明，在图9(a)中将在后面的面板粘合工序中形成的密封图形11以虚线标出。
在图9(a)中，与图13(a)所示的现有技术同样，矩形形状的有机膜除去范围16延伸设置到条纹状的有机膜除去范围13中而形成。密封图形的角12以横切切断线10的方式设置，在该矩形形状的有机膜除去范围16内配置有密封图形的角12部前端。在本实施方式中，有机膜除去范围的侧面如图9(b)所示相对于基板成为缓和的锥形。即，形成有机膜除去范围16的侧面的有机膜8的端部具有缓和的锥角。此外，在有机膜8下设置的绝缘膜7的端部也成为反映了有机膜8的端部形状的缓和的锥角。例如，形成有机膜除去范围16的侧面的有机膜8以及绝缘膜7的倾斜角为60度以下。
接着，对涉及本实施方式的液晶显示装置的制造方法进行说明。在本实施方式中，只是有机膜8的形成工序与实施方式1～3不同，除此之外的工序与实施方式1～3同样，所以省略说明。在涂敷了有机膜8之后，在本实施方式中使用具备切口图形的掩模图形(切口图形掩模)进行曝光。在切口图形掩模上，在开口部(曝光部)的外周上，曝光机的分辨率以下的切口图形以分辨率以下的间隔设置。使用这样的切口图形掩模，一边适当地调节曝光量一边进行曝光、显影。由此，由于在开口部的外周比开口部被照射的曝光量少，所以变成平缓的锥形形状。之后，通过干法刻蚀除去露出的绝缘膜7。这时，由于与露出的绝缘膜7同时有机膜8也被除去，所以干法刻蚀后的绝缘膜7变成反映了干法刻蚀前的有机膜8的锥形形状的锥形形状。
而且，在经过各种后续工序后的面板粘合工序中，以将密封图形的角12部前端配置在矩形形状的有机膜除去范围16内侧的方式形成密封图形11。在面板粘合后，沿着切断线10切断成各面板19。因为密封图形的角12以横切切断线10的方式形成，所以在切断后的面板19中在与设置有注入口的端边对置的端边上，密封图形的角12的一部分、即与密封图形11相同的密封材料残留。
如上所述，在本实施方式中，矩形形状的有机膜除去范围16延伸设置到条纹状的有机膜除去范围13中而形成。有机膜除去范围16的侧面相对于基板具有缓和的锥形形状。通过将有机膜8除去为这样的形状，从而使密封图形的角12区域的有机膜除去范围16不被急陡的侧壁所包围，该侧壁平缓地连结至有机膜形成区域。即，在后续工序中通过旋涂来涂敷抗蚀剂时，由于在该有机膜除去范围16中抗蚀剂变得难以滞留，所以能够防止涂敷斑的发生。例如，能够防止在对像素电极9的金属薄膜或透明导电膜构图时的在抗蚀剂图形上发生的涂敷斑。因此，在使用了这样的面板的显示装置中防止了显示斑的发生，所以能够提高显示品质，提高成品率。
实施方式5
使用图10对本实施方式的在框缘区域内的有机膜构图形状进行说明。图10(a)是表示涉及本实施方式的有机膜除去范围的形状的平面图，放大记载了在密封图形的角区域中的有机膜除去范围。图10(b)是图10(a)的C-C剖面图。在本实施方式中，在框缘区域42中的有机膜除去范围的剖面形状具有特征，与实施方式1～4、以及图13所示的现有技术的剖面形状不同。由于除此以外的结构与实施方式1～4相同，所以省略说明。再有，为了便于说明，在图10(a)中将在后面的面板粘合工序中形成的密封图形11以虚线标出。
在图10(a)中，与实施方式5以及图13(a)所示的现有技术相同，矩形形状的有机膜除去范围16延伸设置到条纹状的有机膜除去范围13中而形成。密封图形的角12以横切切断线10的方式设置，在该矩形形状的有机膜除去范围16内配置有密封图形的角12部前端。在本实施方式中，有机膜除去范围16的侧面如图10(b)所示那样成为台阶状。例如，在图10(b)中在1级绝缘膜7上形成有3级的有机膜8。
接着，对涉及本实施方式的液晶显示装置的制造方法进行说明。在本实施方式中，只是有机膜8的形成工序与实施方式1～4不同，除此之外的工序与实施方式1～4相同，所以省略说明。在涂敷了有机膜8之后，在本实施方式中使用半色调(halftone)掩模、灰色调(gray tone)掩模等的多灰度(gradation)曝光来进行曝光。在这些掩模上，在遮光部和曝光部之间的区域设置有中间曝光部。在半色调掩模的中间曝光部上形成有过滤(filter)膜，使用于曝光的波长区域(通常350～450nm)的光的透射量减少。在灰色调掩模的中间曝光部上，为了利用光衍射现象的同时减少曝光量，设置有曝光机分辨率以下的切口图形。使用这样的掩模，一边适当地调节曝光量一边进行曝光、显影。由此，由于在中间曝光部被照射了比曝光部少比遮光部多的曝光量，所以在有机膜8图形的外周部上形成有膜厚薄的薄膜部。因此，形成有具有2级台阶状的有机膜8。例如当使用在曝光部和遮光部之间设置有具有不同透射量特性的2种中间曝光部(透射量66％的中间曝光部、透射量33％的中间曝光部等)的掩模时，能够如图10(b)那样形成3级的有机膜8。
之后，通过干法刻蚀除去露出的绝缘膜7。这时，由于与露出的绝缘膜同时有机膜8也被除去，所以在干法刻蚀后成为进而追加了1级绝缘膜的剖面形状。而且，在经过各种后续工序后的面板粘合工序中，以将密封图形的角12部前端配置在矩形形状的有机膜除去范围16内侧的方式形成密封图形11。在面板粘合后，沿着切断线10切断成各面板19。因为密封图形的角12以横切切断线10的方式形成，所以在切断后的面板19中在与设置有注入口的端边对置的端边上，密封图形的角12的一部分、即与密封图形11相同的密封材料残留。
如上所述，在本实施方式中，矩形形状的有机膜除去范围16延伸设置到条纹状的有机膜除去范围13中而形成。有机膜除去范围16的侧面具有台阶状的形状。通过将有机膜8除去为这样的形状，从而使密封图形的角12区域的有机膜除去范围16不被高且陡的侧壁所包围，该侧壁台阶状地连结至有机膜形成区域。即，在后续工序中通过旋涂来涂敷抗蚀剂时，由于在该有机膜除去范围16中抗蚀剂变得难以滞留，所以能够防止涂敷斑的发生。例如，能够防止在对像素电极9的金属薄膜或透明导电膜构图时的在抗蚀剂图形上发生的涂敷斑。因此，在使用了这样的面板的显示装置中防止了显示斑的发生，所以能够提高显示品质，提高成品率。
再有，在上述实施方式4、5中，例示性地说明了在密封图形的角区域中的有机膜除去范围的形状是与现有技术相同的矩形形状的情况，但其它的形状也可，例如实施方式1～3那样的形状也可。
在实施方式1～5中，虽然对具有TFT阵列基板的有源(active)矩阵型液晶显示装置进行了说明，但是无源(passive)矩阵型液晶显示装置也可。虽然例示性地说明了在有机膜8的后续工序中涂敷的抗蚀剂在用于其下形成的层的刻蚀的掩模之后被除去的情况，但不除去而直接构成液晶显示装置也可。此外，虽然说明了使用在有机膜8的后续工序中涂敷的抗蚀剂的图形而形成像素电极9的例子，但也能够形成液晶显示装置的像素电极9以外的结构要素。此外，只要是使用了有机膜8的液晶显示装置即可，并不一定必须是半透射型的。
以上的说明对本发明的实施方式进行了说明，但本发明并不局限于以上的实施方式。此外，本领域技术人员在本发明的范围内，能够容易地对以上的实施方式的各要素进行变更、追加以及转换。
Claims (10)
1.一种液晶显示装置，具有：有机膜，形成在基板上；以及密封图形，以在上述有机膜上包围显示区域的方式设置并具有注入液晶的液晶注入口密封图形，其中，
沿着上述基板的端边设置有除去了上述有机膜的有机膜除去区域，
在上述基板的与设置有上述液晶注入口的端边对置的端边上，上述有机膜除去区域具有宽度变宽的宽幅部，
在上述宽幅部设置有与上述密封图形相同密封材料的图形，
上述有机膜与上述有机膜除去区域的上述宽幅部的边界线包含曲线。
2.一种液晶显示装置，具有：有机膜，形成在基板上；以及密封图形，以在上述有机膜上包围显示区域的方式设置并具有注入液晶的液晶注入口密封图形，其中，
沿着上述基板的端边设置有除去了上述有机膜的有机膜除去区域，
在上述基板的与设置有上述液晶注入口的端边对置的端边上，上述有机膜除去区域具有宽度变宽的宽幅部，
在上述宽幅部设置有2个与上述密封图形相同的密封材料，
在上述2个密封材料之间配置有上述有机膜。
3.一种液晶显示装置，具有：有机膜，形成在基板上；以及密封图形，以在上述有机膜上包围显示区域的方式设置并具有注入液晶的液晶注入口密封图形，其中，
沿着上述基板的端边设置有除去了上述有机膜的有机膜除去区域，
上述有机膜具有与设置在上述显示区域内的上述有机膜分离设置的岛状分离图形，
在上述分离图形上设置有与上述密封图形相同的密封材料。
4.根据权利要求3所述的液晶显示装置，其中，上述有机膜除去区域为宽度5μm以下，并以包围上述岛状分离图形的方式而形成。
5.一种液晶显示装置，具有：有机膜，形成在基板上；以及密封图形，以在上述有机膜上包围显示区域的方式设置并具有注入液晶的液晶注入口密封图形，其中，
沿着上述基板的端边设置有除去了上述有机膜的有机膜除去区域，
在上述基板的与设置有上述液晶注入口的端边对置的端边上，上述有机膜除去区域具有宽度变宽的宽幅部，
在上述宽幅部设置有与上述密封图形相同密封材料的图形，
在上述有机膜与上述有机膜除去区域的上述宽幅部的边界上，上述有机膜的端面形成为锥形状或台阶状。
6.一种液晶显示装置的制造方法，在经由切断线矩阵状地配置有多个面板的母板上，形成具有跨过上述切断线的液晶注入口密封图形的密封图形，在上述切断线上对上述母板进行切断，切断成每个上述面板，其中该方法具备下述工序：
在上述母板上涂敷有机膜；
对上述有机膜进行构图，形成沿着上述切断线设置并具有与上述有机膜的边界线成为曲线而宽度变宽地形成的宽幅部的有机膜除去区域；
在上述进行了构图的有机膜上涂敷感光性树脂；
在上述母板上形成包围上述面板的显示区域的密封图形，将上述液晶注入口密封图形形成在邻接的上述面板的上述宽幅部中；以及
在上述切断线上对上述母板进行切断，使得分离上述液晶注入口密封图形。
7.一种液晶显示装置的制造方法，在经由切断线矩阵状地配置有多个面板的母板上，形成具有跨过上述切断线的2个液晶注入口密封图形的密封图形，在上述切断线上对上述母板进行切断，切断成每个上述面板，其中该方法具备下述工序：
在上述母板上涂敷有机膜；
对上述有机膜进行构图，形成沿着上述切断线设置并具有宽度变宽地形成的宽幅部的有机膜除去区域；
在上述进行了构图的有机膜上涂敷感光性树脂；
在上述母板上形成包围上述面板的显示区域的密封图形，将上述液晶注入口密封图形形成在邻接的上述面板的上述宽幅部中，使得在2个上述液晶注入口密封图形之间配置有上述有机膜；以及
在上述切断线上对上述母板进行切断，使得分离上述液晶注入口密封图形。
8.一种液晶显示装置的制造方法，在经由切断线矩阵状地配置有多个面板的母板上，将具有跨过上述切断线的液晶注入口密封图形的密封图形以包围显示区域的方式形成，在上述切断线上对上述母板进行切断，切断成每个上述面板，其中该方法具备下述工序：
在上述母板上涂敷有机膜；
对上述有机膜进行构图，并形成：沿着上述切断线设置的有机膜除去区域、以及与上述有机膜除去区域邻接并从上述显示区域内的上述有机膜分离的岛状分离图形；
在上述进行了构图的有机膜上涂敷感光性树脂；
在上述母板上形成包围上述面板的显示区域的密封图形，将上述液晶注入口密封图形形成在邻接的上述面板的上述岛状分离图形上；以及
在上述切断线上对上述母板进行切断，使得分离上述液晶注入口密封图形。
9.一种液晶显示装置的制造方法，在经由切断线矩阵状地配置有多个面板的母板上，形成具有跨过上述切断线的液晶注入口密封图形的密封图形，在上述切断线上对上述母板进行切断，切断成每个上述面板，其中该方法具备下述工序：
在上述母板上涂敷有机膜；
对上述有机膜进行构图，形成沿着上述切断线设置并具有宽度变宽地形成的宽幅部的有机膜除去区域，在上述有机膜与上述宽幅部的边界上将上述有机膜的端面形成为锥形状或台阶状；
在上述进行了构图的有机膜上涂敷感光性树脂；
在上述母板上形成包围上述面板的显示区域的密封图形，将上述液晶注入口密封图形形成在邻接的上述面板的上述宽幅部中；以及
在上述切断线上对上述母板进行切断，使得分离上述液晶注入口密封图形。
10.根据权利要求9所述的液晶显示装置的制造方法，其中，在对上述有机膜进行构图的工序中，利用具有切口图形的切口图形掩模或多灰度曝光来进行构图。
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