CN102012592A - 液晶显示装置及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种液晶显示装置及其制造方法。所述方法包括：提供基底；在所述基底上依次形成挡光层和薄膜晶体管结构层；图案化所述薄膜晶体管结构层和挡光层；在所述基底和部分图案化的挡光层上形成色阻层；在所述色阻层和图案化的欧姆接触层上形成平坦化层，去除部分平坦化层以暴露出所述图案化的薄膜晶体管结构层中的欧姆接触层；在所述平坦化层和图案化的欧姆接触层上形成数据线和晶体管源极、漏极；在晶体管源极、漏极之间形成晶体管沟道区域；在所述数据线、晶体管源极、沟道区域和平坦化层上形成保护层；在所述晶体管漏极和部分保护层上形成像素电极。所述液晶显示装置及其制造方法可以提高开口率和简化制造工艺。
Description
技术领域
本发明涉及液晶显示领域，特别涉及液晶显示装置及其制造方法。
背景技术
液晶显示装置由于具备轻薄、省电、无辐射等优点而逐渐取代阴极射线管(CRT)显示装置，成为显示器发展的主流趋势。液晶显示装置被大量的应用于个人数字助理器(PDA)、笔记本计算机、数字相机、摄录像机、移动电话等各式电子产品中。
液晶显示装置通常包含上基板、下基板和夹于上、下基板之间的液晶层，图1是现有的一种液晶显示装置的结构示意图，上基板包括：上基底1和形成于上基底1上的彩色滤光片，彩色滤光片包括黑色挡光矩阵2、红色色阻3、绿色色阻4和蓝色色阻5，共需要4道光刻掩模板形成所述黑色挡光矩阵2、红色色阻3、绿色色阻4和蓝色色阻5的图形。下基板包括：下基底6和形成于下基底6上的薄膜晶体管(TFT)结构层14、数据线金属、源极、漏极金属(图中未标示)、数据线保护绝缘层12和像素电极13。其中，薄膜晶体管结构层14包括栅极金属8、栅极绝缘层9、非晶硅层10和欧姆接触层11。形成上述下基板共需要5道光刻掩模板，其中，第一道形成栅极金属图形8，第二道形成栅极绝缘层图形9、非晶硅层图形10和欧姆接触层图形11，第三道形成数据线金属和源极金属、漏极金属图形，第四道形成数据线保护绝缘层图形12，第五道形成像素电极图形13。
图1所示的液晶显示装置，将带有彩色滤光片的上基板和带有薄膜晶体管的下基板贴合时，需要很高的对位精准；并且，为防止贴合时的对位偏差所造成的漏光，黑色挡光矩阵需要做得宽一些，这样显然会损失一定量的开口率，导致显示装置的开口率低，影响显示质量。
发明内容
本发明解决现有技术液晶显示装置的彩色滤光片形成在上基底，导致开口率低的问题。
为解决上述问题，本发明实施例提供一种液晶显示装置的制造方法，包括：提供基底；在所述基底上依次形成挡光层和薄膜晶体管结构层；图案化所述薄膜晶体管结构层和挡光层；在所述基底和部分图案化的挡光层上形成色阻层。
为解决上述问题，本发明实施例还提供一种液晶显示装置，包括：基底；图案化的挡光层和薄膜晶体管结构层，依次形成于所述基底上；色阻层，形成于所述基底和部分图案化的挡光层上。
相比于现有技术将彩色滤光片形成在上基底上，上述技术方案将彩色滤光片形成在下基底上，因而降低了上、下基板贴合时的对位精度要求，不需要加宽黑色挡光矩阵来防止因对位偏差而造成的漏光，从而提高了液晶显示装置的开口率和显示质量。
附图说明
图1是现有技术的一种液晶显示装置的结构示意图；
图2是本发明实施例的液晶显示装置的制造方法的流程图；
图3是本发明液晶显示装置的一个实施例的平面结构图；
图4至15是图3所示液晶显示装置的制造方法的步骤示意图；
图16是本发明液晶显示装置的另一个实施例的平面结构图；
图17至28是图16所示液晶显示装置的制造方法的步骤示意图。
具体实施方式
本发明实施方式将彩色滤光片形成在带有薄膜晶体管阵列的下基板上(COA，color filter on array)，即在下基板的下基底上形成彩色滤光片的色阻层和挡光层。下面结合附图和实施例对本发明实施方式进行详细说明。
本发明实施例的液晶显示装置的制造方法如图2所示，包括：
步骤S21，提供基底；
步骤S22，在所述基底上依次形成挡光层和薄膜晶体管结构层，所述薄膜晶体管结构层包括依次形成在该挡光层上的栅极金属层、栅极绝缘层、非晶硅层和欧姆接触层；
步骤S23，图案化所述薄膜晶体管结构层和挡光层；
步骤S24，在所述基底和部分图案化的挡光层上形成色阻层；
步骤S25，在所述色阻层和图案化的薄膜晶体管结构层上形成平坦化层，去除部分平坦化层，以暴露出所述图案化的薄膜晶体管结构层的欧姆接触层，所述平坦化层可以为有机膜；
步骤S26，在所述平坦化层和图案化的薄膜晶体管结构层的欧姆接触层上形成数据线和晶体管源极、漏极，并在晶体管源极、漏极之间形成晶体管沟道区域；
步骤S27，在所述数据线、晶体管源极、沟道区域和平坦化层上形成保护层；
步骤S28，在所述晶体管漏极和部分保护层上形成像素电极。
实施例1
图3是本实施例的液晶显示装置的平面结构图，所示液晶显示装置包括：扫描线101，其可以是铝或者其合金的金属；数据线103，其可以是钼或其合金的金属；像素电极105，例如可以为氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)；被像素电极105所覆盖的红色色阻R、绿色色阻G、蓝色色阻B；黑色挡光矩阵107，例如可以为金属铬或者黑色树脂，用于挡住不必要的光线，防止对显示的影响；薄膜晶体管(TFT：thin film transistor)109，包括与扫描线101连接的栅极109G、与像素电极105连接的漏极109D和与数据线103连接的源极109S。
图4至15是图3所示液晶显示装置的平面结构沿A-A方向的截面图，显示了图3所示液晶显示装置的制造过程，对应于图2所示液晶显示装置的制造方法的各流程步骤。
请结合参考图2和4，首先执行步骤S21，提供基底21。所述基底21作为液晶显示装置的下基底，其材料可以是玻璃或石英。
接着执行步骤S22，在基底21上依次形成挡光层407和薄膜晶体管结构层。本实施例中，薄膜晶体管结构层包括栅极金属层401、栅极绝缘层403、非晶硅层405和欧姆接触层409，该栅极金属层401、栅极绝缘层403、非晶硅层405和欧姆接触层409依次形成于该挡光层407上。请参考图4，步骤S22具体包括：
采用溅射工艺在基底21上沉积一层挡光金属作为挡光层407，所述挡光金属可以为铬。或者，挡光层407也可以是一层通过涂布和固化工艺形成在基底21上的黑色树脂，并且，如果采用黑色树脂制作挡光层407，则在该液晶显示装置制作的其他工艺过程的工艺温度均应低于150度，以防止高温对黑色树脂的影响。
采用溅射工艺在挡光层407上沉积栅极金属层401，栅极金属层401的材料可以选用铝(Al)或者其合金，例如铝-铌合金(Al-Nb)。
采用化学气相沉积工艺在栅极金属层401上沉积栅极绝缘层403，栅极绝缘层403可以为氮化硅层或氧化硅层。
采用化学气相沉积工艺在栅极绝缘层403上沉积非晶硅层405。
采用化学气相沉积工艺在非晶硅层405上沉积欧姆接触层409，所述欧姆接触层409为掺杂的非晶硅层。另外，欧姆接触层409还可以是对非晶硅层405进行掺杂而形成。
请结合参考图2、5和6，接着执行步骤S23，图案化薄膜晶体管结构层和挡光层407。多畴半灰调掩模板(MHTM，multi-halftone mask)22图案化欧姆接触层409、非晶硅层405、栅极绝缘层403、栅极金属层401和挡光层407，具体包括：
在欧姆接触层409上涂布光刻胶(图中未示出)。
如图5所示，采用多畴半灰调掩模板22曝光所述光刻胶，并通过曝光、显影将掩模板22的图形转移至光刻胶上。光刻胶上的图形包括区域A、B、C、D、E、F、G，其中，区域A、C、E和G没有光刻胶，区域B和F的光刻胶厚度大于区域D的光刻胶厚度(图中未示出)。
采用例如干法刻蚀工艺刻蚀去除区域A、C、E、G的欧姆接触层409、非晶硅层405和栅极绝缘层403，接着采用例如湿法刻蚀工艺刻蚀去除区域A、C、E、G栅极金属层401。再采用例如干法刻蚀工艺刻蚀去除区域A、C、E、G的挡光层407，露出基底21。
采用灰化工艺去除区域D的光刻胶，同时区域B、F的光刻胶厚度随之减小，接着采用例如干法刻蚀工艺刻蚀去除区域D的欧姆接触层409、非晶硅层405和栅极绝缘层403，接着采用例如湿法刻蚀工艺刻蚀去除区域D的栅极金属层401，露出挡光层407，如图6所示，其中，黑色挡光矩阵107为露出的挡光层图形。
请结合参考图2和7，接着执行步骤S24，在基底21和部分图案化的挡光层(即黑色挡光矩阵107)上形成色阻层。色阻层包括：红色色阻R、绿色色阻G和蓝色色阻B，采用曝光、显影和固化工艺形成在基底21和黑色挡光矩阵107上，具体包括：
采用涂布工艺在基底21、黑色挡光矩阵107和图案化的欧姆接触层409上均匀涂布红色色阻层，然后通过曝光、显影和固化工艺形成所需要的红色色阻图形。
采用涂布工艺在基底21、黑色挡光矩阵107、图案化的欧姆接触层409和红色色阻层上均匀涂布绿色色阻层，然后通过曝光、显影和固化工艺形成所需要的绿色色阻图形。
采用涂布工艺在基底21、黑色挡光矩阵107、图案化的欧姆接触层409、红色色阻层和绿色色阻层上均匀涂布蓝色色阻层，然后通过曝光、显影和固化工艺形成所需要的蓝色色阻图形。
灰化处理红色色阻层、绿色色阻层和蓝色色阻层，如图7所示，使得红色色阻R、绿色色阻G和蓝色色阻B远离该基底21的表面到该基底21的距离小于该图案化的欧姆接触层409、非晶硅层405、栅极绝缘层403、栅极金属层401和黑色挡光矩阵107的厚度总和。
上述各色阻的形成顺序可以前后变换。另外，可以采用三道掩模板分别曝光红色色阻层、绿色色阻层和蓝色色阻层；也可以采用一道掩模板曝光红色色阻层、绿色色阻层和蓝色色阻层。
经过步骤S21至24，包括色阻层R、G、B和黑色挡光矩阵107的彩色滤光片形成在下基底即该基底21上。
请结合参考图2、8和9，接着执行步骤S25，在色阻层R、G、B和图案化的欧姆接触层409上形成平坦化层，在本实施例中该平坦化层为有机膜23，去除部分平坦化层以暴露出图案化的欧姆接触层409。具体包括：
在色阻层R、G、B和图案化的欧姆接触层409上涂布一层有机膜23，如图8所示，有机膜23远离该基底21的表面到该基底21的距离大于该图案化的欧姆接触层409、非晶硅层405、栅极绝缘层403、栅极金属层401和黑色挡光矩阵107的厚度总和。
固化有机膜23。然后，采用灰化工艺去除部分有机膜23以暴露出图案化的欧姆接触层409，如图9所示，去除部分厚度的有机膜23，使得有机膜23远离该基底21的表面到该基底21的距离等于该图案化的欧姆接触层409、非晶硅层405、栅极绝缘层403、栅极金属层401和黑色挡光矩阵107的厚度总和，图案化的欧姆接触层409被完全暴露出来，形成平坦化的表面。
请结合参考图2、10至12，接着执行步骤S26，在有机膜23和图案化的欧姆接触层409上形成数据线103和晶体管源极109S、漏极109D，在晶体管源极109S、漏极109D之间形成晶体管沟道区域24。具体包括：
采用物理气相沉积工艺在有机膜23和图案化的欧姆接触层409上沉积金属层411，如图10所示，金属层411的金属可以为钼或者其合金。
采用光刻工艺刻蚀金属层411，形成数据线103和晶体管源极109S、漏极109D，具体来说，首先在金属层411上涂布一层光刻胶(图未示、)，采用一道掩模板曝光所述光刻胶，然后通过显影和刻蚀，形成如图11所示的数据线103、晶体管源极109S、漏极109D。数据线103形成在对应与图案化的挡光层407的位置，即形成在黑色挡光矩阵107的上方。
如图12所示，在晶体管源极109S、漏极109D之间形成晶体管沟道区域24，即蚀刻掉在晶体管源极109S、漏极109D之间的欧姆接触层409，在刻蚀形成晶体管沟道区域24时，为了防止沟道区域24的欧姆接触层409残留，必须对沟道区域24的非晶硅层405进行过刻蚀。
请结合参考图2、13和14，接着执行步骤S27，在数据线103、晶体管源极109S、沟道区域24和有机膜23上形成保护层413。具体包括：
采用化学气相沉积工艺在数据线103、晶体管源极109S、漏极109D、沟道区域24和有机膜23上沉积保护层413，如图13所示。
采用光刻工艺刻蚀保护层413以暴露出晶体管漏极109D，采用一道掩模板形成如图14所示的过孔25，暴露出晶体管漏极109D。
请结合参考图2和15，接着执行步骤S28，在晶体管漏极109D和部分保护层413上形成像素电极105。具体包括：
采用物理气相沉积工艺在晶体管漏极109D和保护层413上形成导电层(图中未示出)，所述导电层为氧化铟锡层或氧化铟锌层。
采用光刻工艺刻蚀所述导电层，以在所述晶体管漏极109D和部分保护层413上形成像素电极105，采用一道掩模板形成如图15所示的像素电极105。
对应于上述制造方法，本实施例的液晶显示装置的结构如图15所示，包括：基底21；图案化的挡光层107、栅极金属层401、栅极绝缘层403、非晶硅层405和欧姆接触层409，依次形成于基底21上；色阻层R、G、B，形成于基底21和部分图案化的挡光层107上；平坦化层(有机膜)23，形成于色阻层R、G、B上；数据线103和晶体管源极109S、漏极109D，形成于有机膜23和图案化的欧姆接触层409上；晶体管沟道区域24，形成于晶体管源极109S、漏极109D之间；保护层413，形成于数据线103、晶体管源极109S、沟道区域24和有机膜23上；像素电极105，形成于晶体管的漏极109D和部分保护层413上。本实施例中，数据线103形成在相邻色阻(例如图示的绿色色阻G和蓝色色阻B)之间的黑色挡光矩阵107的上方。
实施例2
图16是本实施例的液晶显示装置的平面结构图，所示液晶显示装置包括：扫描线201-1、201-2，其可以是例如为铝或者其合金的金属；数据线203，其可以是例如为钼或其合金的金属；像素电极205，例如可以为氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)；被像素电极205所覆盖的红色色阻R、绿色色阻G、蓝色色阻B；黑色挡光矩阵207，例如可以为金属铬或者黑色树脂，用于挡住不必要的光线，防止对显示的影响；薄膜晶体管209，包括与扫描线201-2连接的栅极209G、与像素电极205连接的漏极209D和与数据线203连接的源极209S。
图16所示的液晶显示装置为双扫描线结构，相邻的子像素由不同的扫描线控制，例如，图示的绿色色阻G对应的子像素和蓝色色阻B对应的子像素分别由不同的扫描线201-1、201-2控制。并且，两根扫描线201-1、201-2和两根数据线203之间只包括两个子像素，例如图示的绿色色阻G和蓝色色阻B对应的子像素。
图17至28是图16所示液晶显示装置的平面结构沿A1-A1方向的截面图，显示了图17所示液晶显示装置的制造过程，对应于图2所示液晶显示装置的制造方法的各流程步骤。
请结合参考图2和17，首先执行步骤S21，提供基底31。所述基底31作为液晶显示装置的下基底，其材料可以是玻璃或石英。
接着执行步骤S22，在基底31上依次形成挡光层507和薄膜晶体管结构层。本实施例中，薄膜晶体管结构层包括依次形成在该挡光层507上的栅极金属层501、栅极绝缘层503、非晶硅层505和欧姆接触层509，具体过程请参考实施例1所述。
请结合参考图2、18和19，接着执行步骤S23，图案化薄膜晶体管结构层和挡光层507。采用多畴半灰调掩模板32图案化欧姆接触层509、非晶硅层505、栅极绝缘层503、栅极金属层501和挡光层507，具体过程请参考实施例1所述，其中，图19所示的黑色挡光矩阵207即为图案化的挡光层507。
请结合参考图2和20，接着执行步骤S24，在基底31和部分图案化的挡光层(即黑色挡光矩阵207)上形成色阻层。色阻层包括：红色色阻R、绿色色阻G和蓝色色阻B，采用光刻工艺形成在基底31和黑色挡光矩阵207上，具体过程请参考实施例1所述。
经过步骤S21至24，包括色阻层R、G、B和黑色挡光矩阵207的彩色滤光片形成在下基底即该基底31上。
请结合参考图2、21和22，接着执行步骤S25，在色阻层R、G、B和图案化的欧姆接触层509上形成平坦化层，本实施例中该平坦化层为有机膜33，去除部分平坦化层以暴露出图案化的欧姆接触层509，具体过程请参考实施例1所述。
请结合参考图2、23至25，接着执行步骤S26，在有机膜33和图案化的欧姆接触层509上形成晶体管源极209S、漏极209D和与晶体管源极209S连接的数据线，并在晶体管源极209S、漏极209D之间形成晶体管沟道区域34。具体过程与实施例1所述基本相同，区别在于，本实施例在相邻两根数据线间的两个色阻(例如，图示的绿色色阻G和蓝色色阻B)之间的黑色挡光矩阵207上方没有形成数据线。
请结合参考图2、26和27，接着执行步骤S27，在数据线、晶体管源极209S、沟道区域34和有机膜33上形成保护层513，具体过程请参考实施例1所述。
请结合参考图2和28，接着执行步骤S28，在晶体管漏极209D和部分保护层513上形成像素电极205。具体过程请参考实施例1所述。
对应于上述制造方法，本实施例的液晶显示装置的结构如图28所示，包括：基底31；图案化的挡光层207、栅极金属层501、栅极绝缘层503、非晶硅层505和欧姆接触层509，依次形成于基底31上；色阻层R、G、B，形成于基底31和部分图案化的挡光层207上；平坦化层(有机膜)33，形成于色阻层R、G、B上；数据线和晶体管源极209S、漏极209D，形成于有机膜33和图案化的欧姆接触层509上；晶体管沟道区域34，形成于晶体管源极209S、漏极209D之间；保护层513，形成于数据线、晶体管源极209S、沟道区域34和有机膜33上；像素电极205，形成于晶体管的漏极209D和部分保护层513上。本实施例中，在相邻两根数据线间的两个色阻(例如，图示的绿色色阻G和蓝色色阻B)之间的黑色挡光矩阵207的上方没有数据线。
综上所述，上述实施例将彩色滤光片形成在下基底上，与现有技术将彩色滤光片形成在上基底上相比，降低了上、下基板贴合时的对位精度要求，不需要加宽黑色挡光矩阵来防止因对位偏差而造成的漏光，从而提高了液晶显示装置的开口率和显示质量。
采用多畴半灰调掩模板可以减少制造过程中所需光刻掩模板的数量，在上述实施例中，采用1道多畴半灰调掩模板形成薄膜晶体管结构层和挡光层图形，采用1道或3道掩模板形成色阻层图形，采用1道掩模板形成数据线，采用1道掩模板形成保护层图形，以及采用1道掩模板形成像素电极，因此上述实施例的液晶显示装置的制造方法共需要5道或7道光刻掩模板，相比于现有技术共需要9道光刻掩模板来说，简化了制造工艺，降低了成本。
由于黑色挡光矩阵和像素电极间存在色阻层，其为绝缘层，因此，相邻像素之间的耦合效应很小，从而降低了相邻像素之间的互扰。
虽然本发明已以较佳实施例披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
Claims (35)
1.一种液晶显示装置的制造方法，其特征在于，包括：
提供基底；
在所述基底上依次形成挡光层和薄膜晶体管结构层；
图案化所述薄膜晶体管结构层和挡光层；
在所述基底和部分图案化的挡光层上形成色阻层。
2.如权利要求1所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，所述形成挡光层包括：采用溅射工艺在所述基底上沉积挡光金属。
3.如权利要求1所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，所述形成挡光层包括：在所述基底上涂布黑色树脂，固化所述黑色树脂。
4.如权利要求1所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，所述薄膜晶体管结构层包括依次形成在所述挡光层上的栅极金属层、栅极绝缘层、非晶硅层和欧姆接触层。
5.如权利要求4所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，所述形成薄膜晶体管结构层包括：采用溅射工艺在所述挡光层上沉积栅极金属层。
6.如权利要求5所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，所述形成薄膜晶体管结构层还包括：采用化学气相沉积工艺在所述栅金属层上连续沉积栅极绝缘层、非晶硅层和欧姆接触层。
7.如权利要求5所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，所述形成薄膜晶体管结构层还包括：采用化学气相沉积工艺在所述栅金属层上连续沉积栅极绝缘层和非晶硅层，掺杂所述非晶硅层形成欧姆接触层。
8.如权利要求5所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，图案化所述薄膜晶体管结构层和挡光层包括：
在所述欧姆接触层上涂布光刻胶；
采用半灰调掩模板曝光所述光刻胶；
采用干法刻蚀工艺刻蚀所述欧姆接触层、非晶硅层和栅极绝缘层；
采用湿法刻蚀工艺刻蚀所述栅极金属层和挡光层。
9.如权利要求1所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，所述形成色阻层包括：采用光刻工艺在所述基底和部分图案化的挡光层上形成色阻层。
10.如权利要求5所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，还包括：在所述色阻层和图案化的欧姆接触层上形成平坦化层，去除部分平坦化层以暴露出所述图案化的欧姆接触层。
11.如权利要求10所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，所述形成平坦化层，去除部分平坦化层以暴露出所述图案化的欧姆接触层包括：
在所述色阻层和图案化的欧姆接触层上涂布平坦化层；
固化所述平坦化层；
采用灰化工艺去除部分平坦化层以暴露出所述图案化的欧姆接触层。
12.如权利要求10所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，还包括：在所述平坦化层和图案化的欧姆接触层上形成数据线和晶体管源极、漏极，并形成晶体管沟道区域。
13.如权利要求12所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，所述形成数据线和晶体管源极、漏极，并形成晶体管沟道区域包括：
采用物理气相沉积工艺在所述平坦化层和图案化的欧姆接触层上沉积金属层；
采用光刻工艺刻蚀所述金属层，形成数据线和晶体管源极、漏极；
刻蚀所述晶体管源极、漏极之间的欧姆接触层并过刻蚀非晶硅层，形成晶体管沟道区域。
14.如权利要求12所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，所述数据线形成在对应所述图案化的挡光层的位置。
15.如权利要求12所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，还包括：在所述数据线、晶体管源极、沟道区域和平坦化层上形成保护层。
16.如权利要求15所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，所述形成保护层包括：
采用化学气相沉积工艺在所述数据线、晶体管源极、漏极、沟道区域和平坦化层上沉积保护层；
采用光刻工艺刻蚀所述保护层以暴露出所述晶体管漏极。
17.如权利要求15所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，还包括：在所述晶体管漏极和部分保护层上形成像素电极。
18.如权利要求17所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，所述形成像素电极包括：
采用物理气相沉积工艺在所述晶体管漏极和保护层上形成导电层；
采用光刻工艺刻蚀所述导电层，以在所述晶体管漏极和部分保护层上形成像素电极。
19.一种液晶显示装置，其特征在于，包括：
基底；
图案化的挡光层和薄膜晶体管结构层，依次形成于所述基底上；
色阻层，形成于所述基底和部分图案化的挡光层上。
20.如权利要求19所述的液晶显示装置，其特征在于，所述基底材料为玻璃或石英。
21.如权利要求19所述的液晶显示装置，其特征在于，所述挡光层为挡光金属层或黑色树脂层。
22.如权利要求21所述的液晶显示装置，其特征在于，所述挡光金属层的材料为铬。
23.如权利要求19所述的液晶显示装置，其特征在于，所述薄膜晶体管结构层包括依次形成在所述挡光层上的栅极金属层、栅极绝缘层、非晶硅层和欧姆接触层。
24.如权利要求23所述的液晶显示装置，其特征在于，所述栅极金属层的材料为铝或者铝-铌合金。
25.如权利要求23所述的液晶显示装置，其特征在于，所述栅极绝缘层为氮化硅层或氧化硅层。
26.如权利要求23所述的液晶显示装置，其特征在于，所述欧姆接触层为掺杂的非晶硅层。
27.如权利要求23所述的液晶显示装置，其特征在于，还包括：形成于所述色阻层上的平坦化层。
28.如权利要求27所述的液晶显示装置，其特征在于，所述平坦化层为有机膜。
29.如权利要求27所述的液晶显示装置，其特征在于，还包括：数据线和晶体管源极、漏极，形成于所述平坦化层和图案化的欧姆接触层上；晶体管沟道区域，形成于所述晶体管源极、漏极之间。
30.如权利要求29所述的液晶显示装置，其特征在于，所述数据线和晶体管源极、漏极的材料为钼或者其合金。
31.如权利要求27所述的液晶显示装置，其特征在于，所述数据线形成在对应所述图案化的挡光层的位置。
32.如权利要求27所述的液晶显示装置，其特征在于，还包括：保护层，形成于所述数据线、晶体管源极、沟道区域和平坦化层上。
33.如权利要求32所述的液晶显示装置，其特征在于，所述保护层为氮化硅层或氧化硅层。
34.如权利要求32所述的液晶显示装置，其特征在于，还包括：像素电极，形成于所述晶体管的漏极和部分保护层上。
35.如权利要求34所述的液晶显示装置，其特征在于，所述像素电极的材料为氧化铟锡或氧化铟锌。
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