CN100587571C - 一种薄膜晶体管在彩膜之上的液晶显示器件及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种薄膜晶体管在彩膜之上的液晶显示器件，其中包括：下基板；黑矩阵，形成在下基板之上；彩色滤光层，形成在黑矩阵的开口处，对应于像素区域；过敷保护膜，形成在彩色滤光层和黑矩阵之上；栅线及栅电极，形成在过敷保护膜之上；薄膜晶体管，形成在栅电极上；数据线、源电极和漏电极，形成在薄膜晶体管之上；钝化保护膜，覆盖除像素区域以外的整个基板表面；像素电极，形成在像素区域的过敷保护膜之上，与漏电极的部分区域形成接触；上基板；公共电极，形成在上基板上；液晶分子层，形成在上基板和下基板之间。本发明同时公开了该显示器件的制造方法。本发明提高了显示器件光透过率和开口率，简化了工艺方法。

Description

一种薄膜晶体管在彩膜之上的液晶显示器件及其制造方法

技术领域

本发明涉及液晶显示器件及其制造方法，特别涉及一种薄膜晶体管在彩膜之上的液晶显示器件及其制造方法。

背景技术

平板显示器由于轻薄和低能耗的优点，被广泛运用于便携式显示。在各种平板显示器中，液晶显示器件由于其高清晰度和画面品质的优势，已经被大量使用于电脑显示器、笔记本电脑和电视方面。液晶显示器的图像显示是利用液晶分子的光学各向异性和偏振特性实现的。液晶分子本身的这些特点，导致其不同的排列取向改变入射光的折射和透射。因为液晶分子各向异性的介电性能，外界施加电场可以改变它们的排列取向。换而言之，控制液晶显示器的施加电场，就能显示所要的画面。具体来讲，液晶显示器一般由上下两张玻璃基板组成，每张玻璃基板都有电极相对应，并间隔一定距离，液晶分子夹于两张玻璃之间。通过两张玻璃基板的电极，向液晶分子施加外电场，使得液晶分子排列成特定的相对应于外加电场的方向，由此导致的光透过率变化，实现图像数据的显示。

各种液晶显示器中使用最广泛的是有源矩阵液晶显示器，利用形成矩阵的薄膜晶体管控制单个像素，实现高清晰度的大容量信息显示。薄膜晶体管液晶显示器(TFT LCD)包括两张玻璃基板，其中一张是阵列基板，其上形成控制开关薄膜晶体管和像素电极，另一张是彩膜基板，其上形成红、绿、蓝的单色滤光层和公共电极。液晶分子夹于阵列基板和彩膜基板之间，受两张玻璃基板的电极形成的电场作用，而形成一定趋向排列，如前所述实现画面图像显示。

图1是一种传统的TFT LCD器件在薄膜晶体管处的横截面示意图。它包括一个彩膜基板1(又称上基板)，一个阵列基板5(下基板)和一层液晶分子16。由于彩色滤光层2和黑矩阵3形成在上基板，上基板又称彩膜基板；由于薄膜晶体管在下基板上形成矩阵式的开关器件组合，下基板又称阵列基板。彩膜基板1和阵列基板5间隔一定距离，中间填充液晶分子16。彩膜基板1的彩色滤光层2分别由红、蓝、绿三原色的树脂胶组成，树脂胶之间有不透光的黑矩阵3隔离。黑矩阵3的作用是防止像素区域的漏光，和防止光照薄膜晶体管产生的暗态漏电流。在彩色滤光层2和黑矩阵3之上，有一层透明导电薄膜形成的公共电极4，作为液晶层电场的参考电极。阵列基板有矩阵式的薄膜晶体管，它包括一个栅电极6、本征半导体层8、掺杂半导体层9、源电极10和漏电极11。栅电极绝缘层在栅电极6和本征半导体8之间保护栅电极，更为重要的是形成薄膜晶体管正常工作所必需的栅极电场。本征半导体8和源电极10以及漏电极11之间有一层掺杂半导体9，形成和源漏电极金属接触必需的欧姆层，薄膜晶体管沟道12形成在常在本征半导体8的掺杂半导体9上。在薄膜晶体管之上有一层钝化保护膜13，防止湿气水分腐蚀薄膜晶体管和氧气氧化金属电极以及半导体薄膜。一层透明导电薄膜构成的像素电极15形成于像素区域，通过钝化保护膜过孔14与薄膜晶体管的漏电极11连结。

上述结构的TFT LCD器件可以通过以下工艺步骤制作的：通过四次光刻在上基板(彩膜基板1)上依次形成黑矩阵3和红、蓝、绿的彩色滤光层2；利用磁控溅射的方法在彩膜基板1上淀积一层公共电极4；通过薄膜沉积和五次光刻工艺在阵列基板5上依次形成栅电极6、栅电极绝缘层7，构成有源层的本征半导体薄膜8和掺杂半导体薄膜9、薄膜晶体管沟道12、源电极10和漏电极11、钝化保护膜13、钝化保护膜过孔14、和像素电极15；利用涂敷、摩擦、清洗、滴注、真空对盒、烘烤固化等工艺方法，使阵列基板5和彩膜基板1按照像素区域(像素电极15)和彩色滤光层2相对应的方式固定在一起，并在间隔的空间填充液晶分子16。

上述TFT LCD器件结构和制造方法有下述一些缺点和不足。使用两张玻璃基板形成彩膜1和薄膜晶体管的阵列基板5，在对盒时设备对位精度差异可能导致彩色滤光层2和像素电极15的区域发生错位，产生显示不良如Zaratsuki漏光和白Mura等；基于对位精度和上述漏光现象的考虑，使得设计TFT LCD时开口率不能最大化，降低的开口率减少了透过率和增大背光源的功率和成本；复杂的工艺步骤导致生产成本增加和缺陷发生机率上升。

美国专利6803975提出了一种薄膜晶体管坐落于彩膜的复合结构的TFTLCD及其制造方法。首先形成彩色滤光层和黑矩阵；接着涂敷一层透光薄膜；然后在此上形成薄膜晶体管和像素电极；最后对合涂敷公共电极的玻璃基板并注入液晶。此种结构的TFT LCD器件克服对位精度造成的不利因素，但是还有以下不足：涂敷的透光材料没有进一步提高透过率；需要5次光刻工艺制作薄膜晶体管；栅极绝缘薄膜和钝化保护膜覆盖彩色滤光层，导致光透过率和开口率的下降。

发明内容

为了克服上述现有技术中的缺陷，本发明提供一种的薄膜晶体管在彩膜之上的液晶显示器件及其制造方法，其能够提高液晶显示器件的光透过率和开口率，能够简化液晶显示器件的制造工艺方法。

为了实现上述目的，本发明提供一种薄膜晶体管在彩膜之上的液晶显示器件，其中包括：

一下基板；

一黑矩阵，形成在所述下基板之上，其开口部分对应为像素区域；

一彩色滤光层，形成在所述黑矩阵的开口处，对应于所述像素区域；

一过敷保护膜，形成在所述彩色滤光层和黑矩阵之上；

一栅线及与其连接的栅电极，形成在所述过敷保护膜之上；

一栅电极绝缘层，形成在所述栅线和栅电极之上；

一本征半导体层和掺杂半导体层，形成在所述栅电极绝缘层之上；

一薄膜晶体管沟道，形成在本征半导体层上，其上没有掺杂半导体层；

一数据线及与其相连接的源电极和对应的漏电极，形成在所述掺杂半导体层之上；

一钝化保护膜，形成在所述数据线、源电极、漏电极的部分区域、薄膜晶体管沟道、栅电极绝缘层和像素区域以外的其它部分之上；

一像素电极，覆盖除像素区域以外的整个基板表面，即完全覆盖源电极、薄膜晶体管沟道、部分漏电极、栅电极绝缘层、以及部分本征半导体层和掺杂半导体层的侧面；

一上基板；

一公共电极，形成在所述上基板上；

一液晶分子层，形成在所述上基板和下基板之间。

上述方案中，所述黑矩阵部分对应于所述栅线、数据线、源电极、漏电极和薄膜晶体管沟道部分，所述黑矩阵的面积超出所述栅线、数据线和薄膜晶体管的面积。所述黑矩阵和彩色滤光层边缘部分重叠，重叠部分彩色滤光层在黑矩阵之上。所述黑矩阵厚度在0.5-1.5微米之间。所述彩色滤光层厚度在1.5-2.5微米之间。所述过敷保护膜为苯并环丁烯、丙烯酸树脂胶、聚酰亚胺、旋转涂布玻璃、或溶胶-凝胶多孔氧化硅。所述过敷保护膜厚度为1-5微米。所述栅线及其栅电极在过敷保护膜之上，完全位于黑矩阵的图案之内。所述栅电极绝缘层图案与黑矩阵完全一致，黑矩阵边缘超出栅电极绝缘层。所述数据线、源电极以及漏电极和掺杂半导体层的图案完全一致，与本征半导体层在除薄膜晶体管沟道部分外的其他部分一致。所述钝化保护膜与栅电极绝缘层基本一致，只在漏电极的部分区域没有钝化保护膜，露出漏电极的一部分。所述像素区域没有栅电极绝缘层和钝化保护膜，像素电极直接形成在过敷保护膜之上。所述像素电极区域大于所对应的彩色滤光层，和黑矩阵在边缘部分重叠；

为了实现上述目的，本发明同时提供一种薄膜晶体管在彩膜之上的液晶显示器件的制造方法，其中包括：

提供一下基板；

在所述下基板之上形成一个有开口的黑矩阵；

在所述黑矩阵的开口处形成彩色滤光层；

在所述黑矩阵和彩色滤光层之上形成一层过敷保护膜；

在所述过敷保护膜之上形成一组栅线和栅电极；

在所述栅线和栅电极之上形成栅电极绝缘层、本征和掺杂半导体层、数据线、源电极、漏电极和薄膜晶体管沟道；

在所述栅线、数据线、源电极、漏电极和薄膜晶体管沟道之上形成一层钝化保护膜；

在所述过敷保护膜之上形成与所述漏电极的上表面搭接且与所述钝化保护膜形状互补的像素电极。

上述方案中，所述形成黑矩阵和彩色滤光层使用的是相同的光刻设备和光刻工艺。所述形成过敷保护膜使用的是旋转涂布方法。所述形成栅电极绝缘层、本征和掺杂半导体层、数据线、源电极、漏电极和薄膜晶体管沟道具体为连续沉积栅电极绝缘层、本征和掺杂半导体层、金属薄膜，使用一个灰色调掩模版形成台阶状光刻胶，刻蚀金属薄膜形成数据线；采用光刻胶灰化工艺去除较薄的光刻胶，刻蚀金属薄膜和掺杂半导体层，形成薄膜晶体管沟道、源电极和漏电极。所述形成钝化保护膜和像素电极使用的是一个掩模版，由所述掩模版形成钝化保护膜图案后，保留其上光刻胶；接着沉积一层透明导电薄膜，采用光刻胶离地剥离工艺，去除光刻胶及其上的透明导电薄膜，形成与所述钝化保护膜图案形状互补的像素电极。所述形成栅线和栅电极、数据线和源电极、漏电极、像素电极是通过溅射方法制备。所述形成栅电极绝缘层、本征和掺杂半导体层、和钝化保护膜是通过等离子体化学气相沉积方法制备。

相对于现有技术，本发明由于薄膜晶体管形成于彩膜之上，因此消除对盒工艺精度引起的漏光不良和其它缺陷。

此外，本发明在彩膜之上涂布一层高透过率的薄膜(SOG)，因此平坦化彩膜表面和提高像素的透过率。

另外，本发明像素区域的钝化保护膜和栅电极绝缘膜被刻蚀去除，提高了像素的光透过率。

再者，本发明使用三次光刻工艺形成薄膜晶体管，减少了工艺步骤和提高了产品良率。

下面结合附图和具体实施例对本发明进行进一步更为详细地说明。

附图说明

图1是现有技术中一种典型TFT LCD器件横截面图；

图2是本发明薄膜晶体管在彩膜之上的液晶显示器件横截面图；

图3是本发明薄膜晶体管在彩膜之上的液晶显示器件的俯视图；

图4A是本发明形成黑矩阵和彩色滤光层的横截面图；

图4B是本发明形成过敷保护膜的横截面图；

图4C是本发明形成栅电极的横截面图；

图4D是本发明形成源、漏电极的横截面图；

图4E是本发明形成钝化保护膜和像素电极的横截面图。

图中标记：1、彩膜基板；2、彩色滤光层；3、黑矩阵；4、公共电极；5、阵列基板；6、栅电极；7、栅电极绝缘层；8、本征半导体层；9、掺杂半导体层；10、源电极；11、漏电极；12、薄膜晶体管沟道；13、钝化保护膜；14、钝化保护膜过孔；15、像素电极；16、液晶分子；17、过敷保护膜；18、栅线；19、数据线；20、公共电极基板。

具体实施方式

下面结合附图详细说明本发明的具体实施例。需要指出的是附图中各层薄膜和材料的厚度和区域大小不反映器件结构的真实比例，只是为了清晰示意说明本发明内容。

本发明的液晶显示器件包括一个阵列基板和一个公共电极基板，夹于二者之间的液晶分子，周边电路和驱动电路板，以及背光源。与传统液晶显示器件不同之处在于，彩色滤光层和黑矩阵形成于阵列基板的玻璃之上，薄膜晶体管形成于彩色滤光层和黑矩阵构成的彩膜之上；另一个玻璃基板只有透明导电薄膜构成的公共电极。图2所示是本发明的一种具体实施例的液晶显示器件横截面图，图3是本发明的一种具体实施例的液晶显示器件俯视图。

如图2所示，在阵列基板5之上有彩色滤光层2和黑矩阵3，彩色滤光层2和黑矩阵3有重叠部分，彩色滤光层2的一部分覆盖在黑矩阵3的边缘部分。图2所示的黑矩阵对应薄膜晶体管的栅电极6、源电极10、漏电极11和构成有源层的本征半导体层8和掺杂半导体层9。后面的说明还会描述黑矩阵挡遮其他部分，如数据线和栅线。图2所示的彩色滤光层2对应像素区域的像素电极15。像素电极15全部罩住彩色滤光层2，即像素电极15在彩色滤光层2的边缘往外延伸一部分，和黑矩阵在边缘部有部分重叠。彩膜和黑矩阵的重叠部分尺寸，以及像素电极和黑矩阵的重叠部分尺寸，根据液晶显示器件的光学特性而设计确定。如为了降低漏光不良，可以增大黑矩阵的关键尺寸，亦增大其和彩膜重叠部分尺寸；为了提高开口率和对比度，可以降低黑矩阵的关键尺寸，亦降低其和彩膜重叠部分尺寸。上述重叠部分尺寸一般在1微米至10微米之间。图2所示的彩色滤光层2代表液晶显示器件中的三原色滤光层红、绿、蓝。黑矩阵3的厚度在0.5-1.5微米之间，彩色滤光层2的厚度在1.5-2.5微米之间，可以根据显示器特性要求和彩膜材料调整它们的厚度。在整个阵列玻璃基板5之上有一层过敷保护膜17，覆盖彩色滤光层2和黑矩阵3。过敷保护膜17可以是苯并环丁烯、或丙烯酸树脂胶、或聚酰亚胺、或旋转涂布玻璃、溶胶-凝胶多孔氧化硅。这些材料具有一定范围的折射系数(1-2)，和高达99％的透过率。过敷保护膜的厚度在1-5微米之间。由于过敷保护膜材料的流动性，表面覆层填平在彩色滤光膜加工过程中留下的台阶，一个是不同颜色层(红绿蓝树脂胶)的高度差，另外一个是颜色层同黑矩阵间的高度差。通过旋转涂布的方法，过敷保护膜17在黑矩阵3和彩色滤光层2构成的彩膜之上形成平坦的表面。基板表面的高度差变得更加均匀，有利于后续薄膜晶体管的制作。

在过敷保护膜17之上有底栅结构的薄膜晶体管。对应于黑矩阵3的过敷保护膜17上面有一个薄膜晶体管的栅电极6，一个栅电极绝缘层7覆盖栅电极6和像素区域以外的过敷保护膜17。一个本征半导体层8在栅电极绝缘层7之上，对应于黑矩阵3并小于黑矩阵3的区域。一个掺杂半导体层9在本征半导体层8之上，形状和区域与本征半导体层8相同，只在薄膜晶体管沟道12处断开。掺杂半导体层9的两端有金属薄膜构成的源电极10和漏电极11，形成低电阻的欧姆接触层。源电极10和漏电极11的形状与掺杂半导体层9的形状完全一致。栅电极6、栅电极绝缘层7、本征半导体层8、掺杂半导体层9、源电极10和漏电极11构成薄膜晶体管。如图3所示，薄膜晶体管的栅电极6外接栅线18，源电极10外接数据线19，接收扫描控制信号。一层钝化保护膜13覆盖除像素区域以外的整个基板表面，即完全覆盖源电极10、薄膜晶体管沟道12、部分漏电极、栅电极绝缘层7、以及部分本征半导体层8和掺杂半导体层9的侧面。暴露的部分漏电极和像素区域的过敷保护膜17之上有透明导电薄膜构成的像素电极15。像素电极15与漏电极11在漏电极暴露部分接触，形状对应并略大于彩色滤光层2。一层透明导电薄膜构成的公共电极4形成在公共电极基板20之上，和上述阵列基板一起夹住液晶分子16，形成本发明的液晶显示器。

如图3所示，相邻栅线18和数据线19交叉定义一个像素。薄膜晶体管的栅电极6、源电极10、漏电极11和薄膜晶体管沟道12在像素区的一个角落或者边缘区。源电极10、漏电极11、数据线19与掺杂半导体层9(图2中所示)的形状完全一致，与本征半导体层8(图2中所示)的形状基本一致，只在薄膜晶体管沟道12处不同。钝化保护膜13的形状与像素电极15的形状互补，正好涵盖基板表面。如前所述薄膜晶体管形成于彩膜之上，其中黑矩阵3对应于薄膜晶体管、栅线18和数据线19的区域，彩色滤光层2对应于像素区的像素电极15。如图2和图3所示，像素电极15的区域略大于彩色滤光层2的区域，其边缘部分有黑矩阵3交叠。黑矩阵3和彩色滤光层2的边缘也有部分交叠。

附图4A至图4E所示为本发明薄膜晶体管在彩膜之上的液晶显示器件的制作工艺步骤。

如图4A所示，首先在阵列玻璃基板5上面涂布一层不透光的黑矩阵材料，通过光刻工艺形成黑矩阵3。在基板表面涂布一层红色滤光膜，通过相同的光刻工艺，在对应红色亚像素区域形成红色滤光层。利用上述相同的方法，依次形成对应其它亚像素的绿色和蓝色滤光层。使用的黑矩阵和彩色滤光膜为光敏感树脂胶类材料，在光刻工艺过程不需要光刻胶，可以直接曝光显影形成图案。上述方法形成有高度差的彩色滤光层2和黑矩阵3，它们构成彩膜。

如图4B所示，通过旋转涂布或者溶胶凝胶的方法，在彩膜之上涂布一层过敷保护膜17，覆盖彩色滤光层2在黑矩阵3的台阶，形成平坦表面。旋转涂布可以使用与涂布光刻胶类似的设备，过敷保护膜的原材料通过细长裂缝滴注在大型玻璃基板上面，然后玻璃在旋转机上旋转，使得液态过敷保护膜甩干，通过加温烘烤成为固态。

如图4C所示，通过溅射的方法，在过敷保护膜17上面沉积一层100-500纳米的低电阻的金属薄膜，如铝、钼、铝镍、钨、铜等，通过光刻工艺形成栅线和栅电极6。

如图4D所示，在栅线和栅电极6及过敷保护膜17上面，连续沉积100-500纳米的栅电极绝缘层7、100-500纳米的本征半导体层8、50-200纳米的掺杂半导体层9、和一层100-500纳米的金属薄膜。其中栅电极绝缘层7、本征半导体层8、和掺杂半导体层9通过等离子体增强化学气相沉积方法形成，金属薄膜通过溅射方法形成，其材料是铝、钼、铝镍、钨、铜等。栅电极绝缘层7可以是氮化硅，本征半导体层8和掺杂半导体层9可以是非晶硅或者多晶硅。使用一个灰色调光刻掩模版，在光刻工艺中形成台阶状光刻胶，利用光刻胶作为刻蚀掩模版，首先刻蚀形成数据线19、源电极10、和漏电极11，然后通过光刻胶灰化工艺去除薄膜晶体管沟道12处的较薄的光刻胶，再刻蚀去除薄膜晶体管沟道12处的金属薄膜和掺杂半导体层9，形成薄膜晶体管沟道12。

如图4E所示，通过等离子体增强化学气相沉积方法在基板表面形成一层100-500纳米的钝化保护膜13，其材料为氮化硅。利用光刻工艺去除像素区域的钝化保护膜13和栅电极绝缘层7。保留光刻胶，通过溅射方法在基板表面沉积一层10-100纳米的透明导电薄膜，利用离地剥离工艺去除光刻胶及其上面的透明导电薄膜，在像素区域形成像素电极15。至此完成薄膜晶体管在彩膜上的阵列基板的制作。

最后，利用与传统工艺相同的方法，如涂布和摩擦取向膜、滴注液晶、密封和退火老化，和形成公共电极的玻璃基板以及液晶一起做成液晶显示器。

本发明提供的彩膜在薄膜晶体管之上的阵列基板，简化制造工艺和减低生产成本。黑矩阵直接覆盖薄膜晶体管，减弱对盒精度引起的漏光现象，增大设计容限和像素开口率。使用灰色调掩模光刻工艺和离地剥离工艺，减少掩模板和光刻工艺步骤，更进一步降低制造成本。

最后应说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当按照需要可使用不同材料和设备实现之，即可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围。

Claims (20)

1、一种薄膜晶体管在彩膜之上的液晶显示器件，其特征在于，包括：

一下基板；

一黑矩阵，形成在所述下基板之上，其开口部分对应为像素区域；

一彩色滤光层，形成在所述黑矩阵的开口处，对应于所述像素区域；

一过敷保护膜，形成在所述彩色滤光层和黑矩阵之上；

一栅线及与其连接的栅电极，形成在所述过敷保护膜之上；

一栅电极绝缘层，形成在所述栅线和栅电极之上；

一本征半导体层和掺杂半导体层，形成在所述栅电极绝缘层之上；

一薄膜晶体管沟道，形成在本征半导体层上，其上没有掺杂半导体层；

一数据线及与其相连接的源电极和对应的漏电极，形成在所述掺杂半导体层之上；

一钝化保护膜，覆盖除像素区域以外的整个基板表面，即完全覆盖源电极、薄膜晶体管沟道、部分漏电极、栅电极绝缘层、以及部分本征半导体层和掺杂半导体层的侧面；

一像素电极，形成在所述像素区域的过敷保护膜之上，与所述漏电极的上表面搭接，与所述钝化保护膜形状互补，并且所述像素电极的上表面与所述钝化保护膜的上表面平齐；

一上基板；

一公共电极，形成在所述上基板上；

一液晶分子层，形成在所述上基板和下基板之间。

2、根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于：所述黑矩阵部分对应于所述栅线、数据线、源电极、漏电极和薄膜晶体管沟道部分，所述黑矩阵的面积超出所述栅线、数据线和薄膜晶体管的面积。

3、根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于：所述黑矩阵和彩色滤光层边缘部分重叠，重叠部分彩色滤光层在黑矩阵之上。

4、根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于：所述黑矩阵厚度在0.5-1.5微米之间。

5、根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于：所述彩色滤光层厚度在1.5-2.5微米之间。

6、根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于：所述过敷保护膜为苯并环丁烯、丙烯酸树脂胶、聚酰亚胺、旋转涂布玻璃、或溶胶-凝胶多孔氧化硅。

7、根据权利要求1或6所述的液晶显示器件，其特征在于：所述过敷保护膜厚度为1-5微米。

8、根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于：所述栅线及其栅电极在过敷保护膜之上，完全位于黑矩阵的图案之内。

9、根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于：所述栅电极绝缘层图案与黑矩阵完全一致，黑矩阵边缘超出栅电极绝缘层。

10、根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于：所述数据线、源电极以及漏电极和掺杂半导体层的图案完全一致，与本征半导体层在除薄膜晶体管沟道部分外的其他部分一致。

11、根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于：所述钝化保护膜与栅电极绝缘层基本一致，只在漏电极的部分区域没有钝化保护膜，露出漏电极的一部分。

12、根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于：所述像素区域没有栅电极绝缘层和钝化保护膜，像素电极直接形成在过敷保护膜之上。

13、根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于：所述像素电极区域大于所对应的彩色滤光层，和黑矩阵在边缘部分重叠。

14、一种薄膜晶体管在彩膜之上的液晶显示器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供一下基板；

在所述下基板之上形成一个有开口的黑矩阵；

在所述黑矩阵的开口处形成彩色滤光层；

在所述黑矩阵和彩色滤光层之上形成一层过敷保护膜；

在所述过敷保护膜之上形成一组栅线和栅电极；

在所述栅线和栅电极之上形成栅电极绝缘层、本征和掺杂半导体层、数据线、源电极、漏电极和薄膜晶体管沟道；

在所述栅线、数据线、源电极、漏电极和薄膜晶体管沟道之上形成一层钝化保护膜；

在所述过敷保护膜之上形成与所述漏电极的上表面搭接且与所述钝化保护膜形状互补的像素电极。

15、根据权利要求14所述的制造方法，其特征在于：所述形成黑矩阵和彩色滤光层使用的是相同的光刻设备和光刻工艺。

16、根据权利要求14所述的制造方法，其特征在于：所述形成过敷保护膜使用的是旋转涂布方法。

17、根据权利要求14所述的制造方法，其特征在于：所述形成栅电极绝缘层、本征和掺杂半导体层、数据线、源电极、漏电极和薄膜晶体管沟道具体为连续沉积栅电极绝缘层、本征和掺杂半导体层、金属薄膜，使用一个灰色调掩模版形成台阶状光刻胶，刻蚀金属薄膜形成数据线；采用光刻胶灰化工艺去除较薄的光刻胶，刻蚀金属薄膜和掺杂半导体层，形成薄膜晶体管沟道、源电极和漏电极。

18、根据权利要求14所述的制造方法，其特征在于：所述形成钝化保护膜和像素电极使用的是一个掩模版，由所述掩模版形成钝化保护膜图案后，保留其上光刻胶；接着沉积一层透明导电薄膜，采用光刻胶离地剥离工艺，去除光刻胶及其上的透明导电薄膜，形成与所述钝化保护膜图案形状互补的像素电极。

19、根据权利要求14所述的制造方法，其特征在于：所述形成栅线和栅电极、数据线和源电极、漏电极、像素电极是通过溅射方法制备。

20、根据权利要求14所述的制造方法，其特征在于：所述形成栅电极绝缘层、本征和掺杂半导体层、和钝化保护膜是通过等离子体化学气相沉积方法制备。

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