CN107887466A - 一种稀土掺杂无机钙钛矿量子点复合硅太阳能电池及其制备方法 - Google Patents
一种稀土掺杂无机钙钛矿量子点复合硅太阳能电池及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107887466A CN107887466A CN201711245522.8A CN201711245522A CN107887466A CN 107887466 A CN107887466 A CN 107887466A CN 201711245522 A CN201711245522 A CN 201711245522A CN 107887466 A CN107887466 A CN 107887466A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- quantum dot
- perovskite quantum
- solar cell
- silicon solar
- earth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 title claims abstract description 138
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 87
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 87
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 86
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 26
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 26
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 3
- -1 rare earth ion Chemical class 0.000 claims description 24
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- ZASWJUOMEGBQCQ-UHFFFAOYSA-L dibromolead Chemical compound Br[Pb]Br ZASWJUOMEGBQCQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 9
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 8
- CKLHRQNQYIJFFX-UHFFFAOYSA-K ytterbium(III) chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Cl-].[Yb+3] CKLHRQNQYIJFFX-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 7
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 claims description 6
- VYLVYHXQOHJDJL-UHFFFAOYSA-K cerium trichloride Chemical compound Cl[Ce](Cl)Cl VYLVYHXQOHJDJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 6
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 claims description 6
- 229910004664 Cerium(III) chloride Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910021623 Tin(IV) bromide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910021627 Tin(IV) chloride Inorganic materials 0.000 claims description 5
- FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L caesium carbonate Chemical compound [Cs+].[Cs+].[O-]C([O-])=O FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 5
- 229910000024 caesium carbonate Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 claims description 5
- HWSZZLVAJGOAAY-UHFFFAOYSA-L lead(II) chloride Chemical compound Cl[Pb]Cl HWSZZLVAJGOAAY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 5
- LTSUHJWLSNQKIP-UHFFFAOYSA-J tin(iv) bromide Chemical compound Br[Sn](Br)(Br)Br LTSUHJWLSNQKIP-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 5
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 4
- 125000004836 hexamethylene group Chemical group [H]C([H])([*:2])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:1] 0.000 claims description 3
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 3
- 238000010792 warming Methods 0.000 claims description 3
- QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N (z)-octadec-9-en-1-amine Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCN QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N 0.000 claims description 2
- 229910016644 EuCl3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910003317 GdCl3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910017544 NdCl3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- BOXVSFHSLKQLNZ-UHFFFAOYSA-K dysprosium(iii) chloride Chemical compound Cl[Dy](Cl)Cl BOXVSFHSLKQLNZ-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 2
- HDGGAKOVUDZYES-UHFFFAOYSA-K erbium(iii) chloride Chemical compound Cl[Er](Cl)Cl HDGGAKOVUDZYES-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 2
- NNMXSTWQJRPBJZ-UHFFFAOYSA-K europium(iii) chloride Chemical compound Cl[Eu](Cl)Cl NNMXSTWQJRPBJZ-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 2
- MEANOSLIBWSCIT-UHFFFAOYSA-K gadolinium trichloride Chemical compound Cl[Gd](Cl)Cl MEANOSLIBWSCIT-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- ATINCSYRHURBSP-UHFFFAOYSA-K neodymium(iii) chloride Chemical compound Cl[Nd](Cl)Cl ATINCSYRHURBSP-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 2
- BHXBZLPMVFUQBQ-UHFFFAOYSA-K samarium(iii) chloride Chemical compound Cl[Sm](Cl)Cl BHXBZLPMVFUQBQ-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 2
- GFISHBQNVWAVFU-UHFFFAOYSA-K terbium(iii) chloride Chemical compound Cl[Tb](Cl)Cl GFISHBQNVWAVFU-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 2
- 238000005303 weighing Methods 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 8
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract description 3
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 18
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 11
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 10
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 9
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 9
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 8
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 8
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 8
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 5
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 5
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- 241000209149 Zea Species 0.000 description 2
- 235000005824 Zea mays ssp. parviglumis Nutrition 0.000 description 2
- 235000002017 Zea mays subsp mays Nutrition 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000005822 corn Nutrition 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001122 Mischmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JTCFNJXQEFODHE-UHFFFAOYSA-N [Ca].[Ti] Chemical compound [Ca].[Ti] JTCFNJXQEFODHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- BHZNUIJJNCASAH-UHFFFAOYSA-N cerium ytterbium Chemical compound [Ce][Yb] BHZNUIJJNCASAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000002803 fossil fuel Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 231100000252 nontoxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000003000 nontoxic effect Effects 0.000 description 1
- VIKNJXKGJWUCNN-XGXHKTLJSA-N norethisterone Chemical compound O=C1CC[C@@H]2[C@H]3CC[C@](C)([C@](CC4)(O)C#C)[C@@H]4[C@@H]3CCC2=C1 VIKNJXKGJWUCNN-XGXHKTLJSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 238000013112 stability test Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
- H01L31/0481—Encapsulation of modules characterised by the composition of the encapsulation material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic System
- H01L31/1812—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic System including only AIVBIV alloys, e.g. SiGe
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/60—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation in which radiation controls flow of current through the devices, e.g. photoresistors
- H10K30/65—Light-sensitive field-effect devices, e.g. phototransistors
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
一种稀土掺杂无机钙钛矿量子点复合硅太阳能电池及其制备方法,属于光伏太阳能电池技术领域。其是由硅太阳能电池板和在硅太阳能电池板受光面上旋涂或沉积的稀土离子掺杂无机钙钛矿量子点薄膜组成;其中,稀土离子为Yb3+、Ce3+、Sm3+、Tb3+、Eu3+、Dy3+、Nd3+、Gd3+、Er3+中的一种以上,无机钙钛矿量子点为CsPbClx1Bry1Iz1或Cs2SnClx2Bry2Iz2,0≤x1、y1、z1≤3,且x1+y1+z1=3;0≤x2、y2、z2≤6,且x2+y2+z2=6。通过将稀土离子掺杂到钙钛矿量子点中,使得钙钛矿量子点除了可见区域的激子发光之外,在红外波段出现了红外发光,整体发光效率达到146%,制备的硅电池的光电转化效率从18.1%提高到21.5%。本发明所述方法简单高效,有很大的市场应用前景。
Description
技术领域
本发明属于光伏太阳能电池技术领域,具体涉及一种稀土掺杂无机钙钛矿量子点复合硅太阳能电池及其制备方法。
背景技术
随着人类社会的不断发展和进步,人与自然的矛盾也越来越突出。尤其是在受到经济危机冲击的今天,能源问题和环境问题已成为了制约国际社会经济发展的瓶颈,也受到了全社会的高度重视。开发可再生的新型能源取代传统的化石能源具有重要意义。太阳能取之不尽,用之不竭。通过源源不断的太阳能产生电力提供能源是替代化石燃料的最佳方式。目前,效率最高的最稳定的太阳能电池是硅太阳能电池,光电转换效率最高可以达到25%。从1954年第一块单晶硅太阳能电池发展到今天,太阳能电池所用材料涉及到很多半导体材料,包括硅、无机化合物半导体、有机半导体甚至一些金属材料。由于硅原料丰富,它是地球上储量(约27%)仅次于氧的第二大元素。此外,硅的性能稳定、无毒,且制备工艺成熟,因此成为太阳能电池研究开发、生产和应用的主体材料。单晶硅太阳能电池具有倒金字塔织构、双层减反膜以及背反射结构,使电池拥有优异的陷光性能;利用氧化层钝化电池的正、背两面,增加了电池少子寿命;并且采用点接触代替原来的全覆盖式的背面铝合金接触,使单晶硅太阳能电池的转换效率高达24.7%,接近理论值。
William Shockley和Hans J.Queisser等人计算了硅太阳能电池的理论最高效率为33%(Journal of Applied Physics 1961,32,510),现在生产的硅太阳能电池的效率已经逐渐接近这个理论最高值。因此,继续采用原有方法提高硅太阳能电池的效率是非常困难的。由于高能量的紫外光被吸收后容易复合,导致硅太阳能电池对紫外光的利用效率比较低。因此,将紫外光转化为可见光或者红外光,就可以被硅太阳能电池有效利用,提高硅太阳能电池的效率。近几年,很多研究者采用硅太阳能电池与其他种类电池的叠层电池,来突破硅太阳能电池的理论最高效率,比如,硅-钙钛矿叠层电池、硅-染料叠层电池、硅-聚合物叠层电池等。现在研究报道的硅-钙钛矿叠层电池的最高效率为25.2%。然而,叠层电池的制备工艺复杂,稳定性差,参与叠层的电池必然会使原来硅太阳能电池的效率降低,导致最高的效率提高的很有限。很多文献报道了采用紫外-可见下转换荧光材料来提高硅太阳能电池效率,包括半导体量子点、稀土下转换材料、石墨烯量子点等。但是由于这类下转换材料的量子效率普遍较低,使得其对硅太阳能电池效率的提高非常低。其中Wen-Jeng Ho等(Materials 2017,10,10)报道的采用稀土铕掺杂的荧光材料将硅太阳能电池的效率从12.56%提高到13.86%,相对提升比例达到9.2%。
寻找更高效率的下转换荧光材料,对于提高硅太阳能电池效率具有重大的意义。在稀土离子中,许多能级能量匹配的稀土离子对可以实现量子剪裁,即一个高能光子转化为两个低能光子,比如Yb-Ce、Yb-Tb、Yb-Er等。量子剪裁的理论最高效率为200%,能够极大提高荧光材料的效率。但是,实际测量的量子效率远远没有达到200%,大部分量子剪裁材料的量子效率依然不高。由于稀土材料的吸收截面比较低,严重限制了量子剪裁的效率。因此,寻找更高吸收截面、更高效率的基质材料对于提高量子剪裁效率很有意义。
近几年,大量文献研究报道了钙钛矿量子点,其具有高吸收截面、高量子效率、低声子能量等特征,是一种特别高效的荧光材料。将量子剪裁稀土材料与钙钛矿量子点结合,有可能制备出高效的量子剪裁荧光材料。因此,将量子剪裁稀土离子对掺杂到钙钛矿量子点中,实现高效的下转换荧光发射。将此荧光材料覆盖在硅太阳能电池表面,可以大幅提高硅太阳能电池的光电转化效率。迄今为止,这种方法还没有人报道。
发明内容
本发明针对商用硅太阳能电池光电转换效率低的瓶颈的问题,提出采用高效的稀土掺杂无机钙钛矿量子点作为光转换层提高硅太阳能电池的光电转换效率的方案,提供一种无机钙钛矿量子点复合硅太阳能电池及其制备方法。
一种稀土掺杂无机钙钛矿量子点复合硅太阳能电池,由硅太阳能电池板和在硅太阳能电池板受光面上旋涂或沉积的稀土离子掺杂无机钙钛矿量子点薄膜组成;本发明采用热注入法合成稀土离子(Yb3+、Ce3+、Sm3+、Tb3+、Eu3+、Dy3+、Nd3+、Gd3+、Er3+中的一种以上)掺杂的无机钙钛矿量子点CsPbClx1Bry1Iz1(其中,0≤x1、y1、z1≤3,且x1+y1+z1=3)或Cs2SnClx2Bry2Iz2(其中,0≤x2、y2、z2≤6,且x2+y2+z2=6),其中在钙钛矿量子点中稀土离子掺杂的摩尔比例为1~10%;此稀土离子掺杂的钙钛矿量子点在紫外光激发下,在红外(900~1200nm)和可见(400~700nm)区域有高效率的荧光发射,其效率可达到146%;进一步,将此稀土离子掺杂在钙钛矿量子点均匀地旋涂或沉积在硅太阳能电池板的受光面(硅太阳能电池一般结构为:梳状电极-SiO2保护膜-N型层-PN结-P型层-基片电极,其中梳状电极一面是受光面,接受太阳光照射),形成致密平整的稀土离子掺杂的钙钛矿量子点薄膜,随着量子点薄膜厚度(110~2000nm)的变化,硅太阳能电池的效率得到不同程度的提高。
本发明所述的一种稀土掺杂无机钙钛矿量子点复合硅太阳能电池的制备方法,其步骤如下:
(1)稀土掺杂无机钙钛矿量子点的制备
铯前驱体的制备:称量0.5~1.5克碳酸铯(Cs2CO3),加入20~40毫升十八烯、1.5~3.0毫升油酸,然后在惰性气体保护下加热到180~220摄氏度,直到粉末完全溶解;再在惰性气体保护下降温到110~140摄氏度,得到铯前驱体;
热注入:称量0.05~0.25克碘化铅(PbI2)、溴化铅(PbBr2)、氯化铅(PbCl2)、氯化锡(SnCl4)或溴化锡(SnBr4)中的一种或多种(可能生成的几种稀土掺杂无机钙钛矿量子点如表1所示),向其中加入0.05~0.25克六水合稀土氯化物(稀土氯化物包含YbCl3·6H2O、CeCl3·6H2O、SmCl3·6H2O、TbCl3·6H2O、EuCl3·6H2O、DyCl3·6H2O、NdCl3·6H2O、GdCl3·6H2O、ErCl3·6H2O中的一种或多种)、10~20毫升十八烯、1.5~3.0毫升油酸和1.5~3.0毫升油胺,在惰性气体保护下加热到110~150摄氏度反应1~3小时;然后升温到180~220摄氏度,注入0.5~3.0毫升前面步骤制备的铯前驱体,反应10~30秒,再迅速冷却到室温,8000~12000转/分钟离心,将离心产物溶解到环己烷或甲苯等有机溶剂中,得到尺寸为6nm~10nm的稀土掺杂无机钙钛矿量子点;通过调节碘化铅(PbI2)、溴化铅(PbBr2)、氯化铅(PbCl2)、氯化锡(SnCl4)或溴化锡(SnBr4)以及稀土氯化物的量来调节稀土离子掺杂比例;
表1:不同的铅源或锡源得到的稀土掺杂无机钙钛矿量子点的化学式,其中RE代表稀土离子,每种稀土掺杂无机钙钛矿量子点的合成均需要加入稀土氯化物,因此表1没有特别标注稀土氯化物
(2)制备稀土掺杂无机钙钛矿量子点复合硅太阳能电池
将步骤(1)得到的稀土掺杂无机钙钛矿量子点溶解到有机溶剂中,浓度为2~20mmol/L;然后将硅太阳能电池板(此硅太阳能电池结构为:梳状电极-SiO2保护膜-N型层-PN结-P型层-基片电极,其中梳状电极一面是受光面,接受太阳光照射)垂直放入到该稀土掺杂无机钙钛矿量子点溶液中,在30~50摄氏度条件下烘干,直至液体挥发干净,在硅太阳能电池受光面形成110~2000nm厚的无机钙钛矿量子点薄膜(其他表面也会形成钙钛矿量子点薄膜,但对电池效率影响特别小,不作讨论),从而得到本发明所述的稀土掺杂无机钙钛矿量子点复合硅太阳能电池。
随着无机钙钛矿量子点薄膜的厚度的变化,本发明所制备的无机钙钛矿量子点复合硅太阳能电池效率的提高也随之变化,硅太阳能电池的原始效率为18.1%(薄膜厚度0nm),提高之后的效率为21.5%(薄膜厚度230nm),相对提高18.8%。通过光电转换效率(IPCE)测试可以看出,单晶硅太阳能电池(薄膜厚度0nm)对紫外光的利用效率只有30%,覆盖上钙钛矿量子点薄膜(薄膜厚度230nm)之后,使得对紫外光的利用效率提高到80%。
附图说明
图1为合成的不同稀土掺杂比例的钙钛矿量子点的透射电子显微镜图片;图中,101为CsPbCl0.6Br2.4:Yb(1.2%)量子点的透射电子显微镜图片,102为CsPbClBr2:Yb(3.8%)量子点的透射电子显微镜图片,103为CsPbCl1.5Br1.5:Yb(7.2%)量子点的透射电子显微镜图片,104为CsPbCl1.5Br1.5:Ce(2.1%)量子点的透射电子显微镜图片,105为CsPbCl1.5Br1.5:Yb(7.1%),Ce(2.0%)量子点的透射电子显微镜图片。括号内的百分比是稀土掺入钙钛矿的摩尔比例。
图2为镱铈稀土掺杂的钙钛矿量子点的吸收光谱和发射光谱;图中,201为CsPbBr3量子点的吸收光谱,202为CsPbBr3量子点在365nm光源激发下的发射光谱,203为CsPbCl0.6Br2.4:Yb(1.2%)量子点的吸收光谱,204为CsPbCl0.6Br2.4:Yb(1.2%)量子点在365nm光源激发下的可见光区域发射光谱,205为CsPbCl0.6Br2.4:Yb(1.2%)量子点在365nm光源激发下的红外区域发射光谱,206为CsPbClBr2:Yb(3.8%)量子点的吸收光谱,207为CsPbClBr2:Yb(3.8%)量子点在365nm光源激发下的可见光区域发射光谱,208为CsPbClBr2:Yb(3.8%)量子点在365nm光源激发下的红外区域发射光谱,209为CsPbCl1.5Br1.5:Yb(7.2%)量子点的吸收光谱,210为CsPbCl1.5Br1.5:Yb(7.2%)量子点在365nm光源激发下的可见光区域发射光谱,211为CsPbCl1.5Br1.5:Yb(7.2%)量子点在365nm光源激发下的红外区域发射光谱,212为CsPbCl1.5Br1.5:Yb(7.1%),Ce(2.0%)量子点的吸收光谱,213为CsPbCl1.5Br1.5:Yb(7.1%),Ce(2.0%)量子点在365nm光源激发下的可见光区域发射光谱,214为CsPbCl1.5Br1.5:Yb(7.1%),Ce(2.0%)量子点在365nm光源激发下的红外区域发射光谱,215为CsPbCl1.5Br1.5:Ce(2.1%)量子点的吸收光谱,216为CsPbCl1.5Br1.5:Ce(2.1%)量子点在365nm光源激发下的可见光区域发射光谱。
图3为钙钛矿量子点复合硅太阳能电池的示意图;图中,301为太阳光,302为稀土掺杂无机钙钛矿量子点薄膜,303为硅太阳能电池。
图4为不同厚度的稀土掺杂的钙钛矿量子点薄膜的透过光谱;图中,401为2000nm厚的CsPbCl1.5Br1.5:Yb(7.1%),Ce(2.0%)量子点薄膜的透过光谱,402为1500nm厚的CsPbCl1.5Br1.5:Yb(7.1%),Ce(2.0%)量子点薄膜的透过光谱,403为750nm厚的CsPbCl1.5Br1.5:Yb(7.1%),Ce(2.0%)量子点薄膜的透过光谱,404为230nm厚的CsPbCl1.5Br1.5:Yb(7.1%),Ce(2.0%)量子点薄膜的透过光谱,405为110nm厚的CsPbCl1.5Br1.5:Yb(7.1%),Ce(2.0%)量子点薄膜的透过光谱。
图5为不同厚度的CsPbCl1.5Br1.5:Yb(7.1%),Ce(2.0%)钙钛矿量子点薄膜覆盖的稀土掺杂无机钙钛矿量子点复合硅太阳能电池的I-V曲线;图中,501是CsPbCl1.5Br1.5:Yb(7.1%),Ce(2.0%)钙钛矿量子点薄膜厚度为2000nm的稀土掺杂无机钙钛矿量子点复合硅太阳能电池的I-V曲线,502是CsPbCl1.5Br1.5:Yb(7.1%),Ce(2.0%)钙钛矿量子点薄膜厚度为1500nm的稀土掺杂无机钙钛矿量子点复合硅太阳能电池的I-V曲线,503是未覆盖钙钛矿量子点薄膜的硅太阳能电池的I-V曲线,504是CsPbCl1.5Br1.5:Yb(7.1%),Ce(2.0%)钙钛矿量子点薄膜厚度为750nm的稀土掺杂无机钙钛矿量子点复合硅太阳能电池的I-V曲线,505是CsPbCl1.5Br1.5:Yb(7.1%),Ce(2.0%)钙钛矿量子点薄膜厚度为110nm的稀土掺杂无机钙钛矿量子点复合硅太阳能电池的I-V曲线,506是CsPbCl1.5Br1.5:Yb(7.1%),Ce(2.0%)钙钛矿量子点薄膜厚度为230nm的稀土掺杂无机钙钛矿量子点复合硅太阳能电池的I-V曲线。
图6为不同厚度的钙钛矿量子点薄膜覆盖的稀土掺杂无机钙钛矿量子点复合硅太阳能电池的光电响应曲线。601是单晶硅太阳能电池的光电响应曲线,602是CsPbCl1.5Br1.5:Yb(7.1%),Ce(2.0%)钙钛矿量子点薄膜厚度为110nm的稀土掺杂无机钙钛矿量子点复合单晶硅太阳能电池的光电响应曲线,603是CsPbCl1.5Br1.5:Yb(7.1%),Ce(2.0%)钙钛矿量子点薄膜厚度为230nm的稀土掺杂无机钙钛矿量子点复合单晶硅太阳能电池的光电响应曲线,604是CsPbCl1.5Br1.5:Yb(7.1%),Ce(2.0%)钙钛矿量子点薄膜厚度为750nm的稀土掺杂无机钙钛矿量子点复合单晶硅太阳能电池的光电响应曲线,605是CsPbCl1.5Br1.5:Yb(7.1%),Ce(2.0%)钙钛矿量子点薄膜厚度为1500nm的稀土掺杂无机钙钛矿量子点复合单晶硅太阳能电池的光电响应曲线,606是CsPbCl1.5Br1.5:Yb(7.1%),Ce(2.0%)钙钛矿量子点薄膜厚度为2000nm的稀土掺杂无机钙钛矿量子点复合单晶硅太阳能电池的光电响应曲线。
图7为稀土掺杂无机钙钛矿量子点复合硅太阳能电池在紫外光照射下的照片;图中,701稀土掺杂无机钙钛矿量子点复合单晶硅太阳能电池在紫外光下的照片。
图8为钙钛矿量子点随放置时间的发光强度变化曲线与钙钛矿量子点复合硅太阳能电池随放置时间的光电转换效率变化曲线;图中,801是CsPbCl1.5Br1.5:Yb(7.1%),Ce(2.0%)钙钛矿量子点随放置时间的发光强度变化曲线,802是CsPbCl1.5Br1.5:Yb(7.1%),Ce(2.0%)钙钛矿量子点复合硅太阳能电池随放置时间的光电转换效率变化曲线。
具体实施方式
下面的实施例可以使本专业的技术人员更全面地理解本发明,但并不因此将本发明限制在所述的实施例范围之中。
实施例1
一种高效稀土掺杂无机钙钛矿量子点复合硅太阳能电池及其制备方法,具体如下:
(1)高效稀土掺杂无机钙钛矿量子点的制备
称量0.8克碳酸铯(Cs2CO3)放入三颈瓶中,加入30毫升十八烯,2.5毫升油酸,然后在惰性气体保护下加热到200摄氏度,直到粉末完全溶解。降温到130摄氏度保存,得到铯前驱体,此过程中须有惰性气体保护。
称量0.1克溴化铅(PbBr2),置于另一个三颈瓶中,然后称量0.075克氯化镱(YbCl3·6H2O)和0.025克氯化铈(CeCl3·6H2O)置于三颈瓶中,加入15毫升十八烯,1.5毫升油酸和1.5毫升油胺,在惰性气体保护下加热到120摄氏度反应一个小时,然后升温到200摄氏度,注入1毫升铯前驱体,反应15秒,迅速降温冷却,9500转/分钟离心,然后将固体溶解到甲苯溶剂中,得到无机钙钛矿量子点CsPbCl1.5Br1.5:Yb(7.1%),Ce(2.0%)。
通过改变PbBr2、YbCl3·6H2O和CeCl3·6H2O的量来调节镱、铈掺杂比例,如表2所示,可以得到五种不同稀土掺杂比例的无机钙钛矿量子点,分别为镱掺杂1.2%的CsPbCl0.6Br2.4:Yb(1.2%),镱掺杂3.8%的CsPbClBr2:Yb(3.8%),镱掺杂7.2%的CsPbCl1.5Br1.5:Yb(7.2%),镱掺杂7.1%和铈掺杂2.0%的CsPbCl1.5Br1.5:Yb(7.1%),Ce(2%)以及铈掺杂2.1%的CsPbCl1.5Br1.5:Ce(2.1%)。
如图1所示的钙钛矿量子点的透射电镜图片,此方法合成得到的钙钛矿量子点的尺寸约为6.8nm到8.7nm。图2为不同稀土掺杂的钙钛矿量子点的吸收光谱与365nm光激发下的发射光谱,在可见区域400到700nm和红外区域1000nm附近有发光。五种量子点在可见光区域和红外光区域的内量子效率如表3所示,其中CsPbCl1.5Br1.5:Yb(7.1%),Ce(2.0%)量子点的效率可达146%。
表2:本实施例合成的五种不同钙钛矿量子点所需的PbBr2、YbCl3·6H2O和CeCl3·6H2O原料用量数据
PbBr2(g) | YbCl3·6H2O(g) | CeCl3·6H2O(g) | ||
1 | CsPbCl0.6Br2.4:Yb(1.2%) | 0.100 | 0.030 | 0 |
2 | CsPbClBr2:Yb(3.8%) | 0.100 | 0.050 | 0 |
3 | CsPbCl1.5Br1.5:Yb(7.2%) | 0.100 | 0.075 | 0 |
4 | CsPbCl1.5Br1.5:Ce(2.1%) | 0.100 | 0 | 0.050 |
5 | CsPbCl1.5Br1.5:Yb(7.1%),Ce(2.0%) | 0.100 | 0.075 | 0.025 |
表3:五种不同钙钛矿量子点的可见光内量子效率、红外光内量子效率以及可见和红外量子效率之和数据
(2)制备无机钙钛矿量子点复合硅太阳能电池
无机钙钛矿量子点复合硅太阳能电池的模拟图如图3所示,硅太阳能电池表面覆盖有一层钙钛矿量子点。
首先将效率最高的CsPbCl1.5Br1.5:Yb(7.1%),Ce(2.0%)钙钛矿量子点2mmol、5mmol、10mmol、15mmol和20mmol,分别溶解到50mL环己烷中,然后将5个硅太阳能电池板分别放入到CsPbCl1.5Br1.5:Yb(7.1%),Ce(2.0%)钙钛矿量子点溶液中,再于烘干箱中30摄氏度烘干,直到液体挥发干净,钙钛矿量子点薄膜在硅太阳能电池表面形成,其厚度分别为110nm、230nm、750nm、1500nm、2000nm,从而制备出无机钙钛矿量子点复合硅太阳能电池。
随着钙钛矿量子点薄膜的厚度的变化,钙钛矿量子点层的透过率会逐渐变小,如图4所示。随着钙钛矿量子点厚度的变化,对硅太阳能电池效率(图5中501到506分别对应钙钛矿量子点薄膜厚度为2000nm、1500nm、0nm(未覆盖钙钛矿量子点薄膜的硅太阳能电池)、750nm、230nm、60nm的钙钛矿量子点复合硅电池的效率的提高也随之变化,硅太阳能电池的原始效率为18.1%,提高之后的效率分别为20.7%(110nm)、21.5%(230nm)、18.8%(750nm)、17.1%(1500nm)和15.0%(2000nm),如图5所示。通过图6的光电转换效率(IPCE)测试可以看出,单晶硅太阳能电池对300~400nm的紫外光的利用效率只有30%,覆盖上钙钛矿量子点薄膜之后,使得对紫外光的利用提高到80%(曲线603)。图7是钙钛矿量子点复合硅太阳能电池在紫外光照射下的照片(701),在紫外灯下可以明显看出钙钛矿量子点层的蓝色发光。我们对无机钙钛矿量子点复合硅太阳能电池进行了稳定性测试(图8),此电池在空气中和在阳光照射下,保存700小时以后,其光电转换效率由21.5%衰减到19.5%,衰减比例小于10%。
本发明不受限于上述的实例且可在权利要求书的范畴内而变化,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (6)
1.一种稀土掺杂无机钙钛矿量子点复合硅太阳能电池,其特征在于:由硅太阳能电池板和在硅太阳能电池板受光面上旋涂或沉积的稀土离子掺杂无机钙钛矿量子点薄膜组成;其中,稀土离子为Yb3+、Ce3+、Sm3+、Tb3+、Eu3+、Dy3+、Nd3+、Gd3+、Er3+中的一种以上,无机钙钛矿量子点为CsPbClx1Bry1Iz1或Cs2SnClx2Bry2Iz2,0≤x1、y1、z1≤3,且x1+y1+z1=3;0≤x2、y2、z2≤6,且x+y+z=6。
2.如权利要求1所述的一种稀土掺杂无机钙钛矿量子点复合硅太阳能电池,其特征在于:在钙钛矿量子点中稀土离子掺杂的摩尔比例为1~10%。
3.如权利要求1所述的一种稀土掺杂无机钙钛矿量子点复合硅太阳能电池,其特征在于:稀土离子掺杂无机钙钛矿量子点薄膜的厚度为110~2000nm。
4.权利要求1所述的一种稀土掺杂无机钙钛矿量子点复合硅太阳能电池的制备方法,其步骤如下:
(1)稀土掺杂无机钙钛矿量子点的制备
称量0.05~0.25克碘化铅、溴化铅、氯化铅、氯化锡或溴化锡中的一种或多种,向其中加入0.05~0.25克六水合稀土氯化物、10~20毫升十八烯、1.5~3.0毫升油酸和1.5~3.0毫升油胺,在惰性气体保护下加热到110~150摄氏度反应1~3小时;然后升温到180~220摄氏度,注入0.5~3.0毫升铯前驱体,反应10~30秒,再迅速冷却到室温,8000~12000转/分钟离心,将离心产物溶解到环己烷或甲苯有机溶剂中,得到尺寸为6nm~10nm的稀土掺杂无机钙钛矿量子点;
(2)制备稀土掺杂无机钙钛矿量子点复合硅太阳能电池
将步骤(1)得到的稀土掺杂无机钙钛矿量子点溶解到有机溶剂中,浓度为2~20mmol/L;然后将硅太阳能电池板垂直放入到该稀土掺杂无机钙钛矿量子点溶液中,在30~50摄氏度条件下烘干,直至液体挥发干净,在硅太阳能电池受光面得到无机钙钛矿量子点薄膜,从而制备得到稀土掺杂无机钙钛矿量子点复合硅太阳能电池。
5.如权利要求4所述的一种稀土掺杂无机钙钛矿量子点复合硅太阳能电池的制备方法,其特征在于:步骤(1)中所述的六水合稀土氯化物为YbCl3·6H2O、CeCl3·6H2O、SmCl3·6H2O、TbCl3·6H2O、EuCl3·6H2O、DyCl3·6H2O、NdCl3·6H2O、GdCl3·6H2O、ErCl3·6H2O中的一种或多种。
6.如权利要求4所述的一种稀土掺杂无机钙钛矿量子点复合硅太阳能电池的制备方法,其特征在于:步骤(1)中所述的铯前驱体的制备是称量0.5~1.5克碳酸铯,加入20~40毫升十八烯、1.5~3.0毫升油酸,然后在惰性气体保护下加热到180~220摄氏度,直到粉末完全溶解;再在惰性气体保护下降温到110~140摄氏度,得到铯前驱体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201711245522.8A CN107887466A (zh) | 2017-12-01 | 2017-12-01 | 一种稀土掺杂无机钙钛矿量子点复合硅太阳能电池及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201711245522.8A CN107887466A (zh) | 2017-12-01 | 2017-12-01 | 一种稀土掺杂无机钙钛矿量子点复合硅太阳能电池及其制备方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107887466A true CN107887466A (zh) | 2018-04-06 |
Family
ID=61776411
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201711245522.8A Pending CN107887466A (zh) | 2017-12-01 | 2017-12-01 | 一种稀土掺杂无机钙钛矿量子点复合硅太阳能电池及其制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN107887466A (zh) |
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108389976A (zh) * | 2018-04-20 | 2018-08-10 | 北京大学 | 一种少量稀土金属离子掺杂的有机无机杂化钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
CN108767116A (zh) * | 2018-06-06 | 2018-11-06 | 华南师范大学 | 一种自驱动光电探测器及其制备方法 |
CN109852387A (zh) * | 2019-04-04 | 2019-06-07 | 山东大学 | 一种通过掺杂Ce4+离子调控CsPbBr3钙钛矿量子点尺寸形貌和光致发光的方法 |
CN110002762A (zh) * | 2019-04-16 | 2019-07-12 | 武汉理工大学 | 一种Yb3+和CsPbBr3纳米晶掺杂的硼锗酸盐玻璃、其制备方法和应用 |
CN110534597A (zh) * | 2019-09-18 | 2019-12-03 | 吉林大学 | 一种近红外光电探测器及其制备方法 |
CN110642515A (zh) * | 2019-09-29 | 2020-01-03 | 昆明理工大学 | 一种全无机钙钛矿量子点玻璃的制备方法及应用 |
CN110911506A (zh) * | 2019-11-28 | 2020-03-24 | 南京大学 | 稀土Er掺杂高稳定全无机钙钛矿太阳能电池及制备方法 |
CN111029427A (zh) * | 2019-11-12 | 2020-04-17 | 杭州纤纳光电科技有限公司 | 含有量子剪裁涂层的晶硅电池组件及其制备方法 |
CN111170646A (zh) * | 2018-11-09 | 2020-05-19 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 一种基于量子裁剪效应的太阳能聚光板 |
CN111205863A (zh) * | 2020-01-17 | 2020-05-29 | 太原理工大学 | 一种真空低温制备粉末状稀土掺杂无机钙钛矿量子点的方法 |
CN111634939A (zh) * | 2020-06-09 | 2020-09-08 | 西南石油大学 | 一种稀土Sm掺杂的全无机钙钛矿、制备方法及其应用 |
CN111849476A (zh) * | 2020-05-26 | 2020-10-30 | 吉林大学 | 一种稀土掺杂钙钛矿纳米晶、其制备方法及光电探测器 |
CN111908787A (zh) * | 2020-06-11 | 2020-11-10 | 华南理工大学 | 一种x射线探测铽掺杂钙钛矿量子点玻璃及其制备方法与应用 |
CN112358190A (zh) * | 2020-09-30 | 2021-02-12 | 温州大学 | 一种GdF3:CsPbBrI2量子点微晶玻璃材料的制备方法 |
CN113667427A (zh) * | 2021-08-13 | 2021-11-19 | 无锡极电光能科技有限公司 | 一种彩色封装胶膜、太阳能电池及其制备方法 |
CN114369459A (zh) * | 2022-01-10 | 2022-04-19 | 吉林大学 | 一种无铅稀土钙钛矿量子点的制备方法及其产品和应用 |
WO2022078530A1 (zh) * | 2020-10-12 | 2022-04-21 | 隆基绿能科技股份有限公司 | 一种太阳能电池、太阳能电池的制备方法和光伏组件 |
CN115710502A (zh) * | 2022-11-19 | 2023-02-24 | 深圳先进技术研究院 | Yb3+掺杂CsPbBr3PMSCs及其制备方法和应用 |
CN115851273A (zh) * | 2022-12-16 | 2023-03-28 | 吉林大学 | 一种稀土掺杂钙钛矿纳米晶合成方法 |
CN116004229A (zh) * | 2023-01-04 | 2023-04-25 | 吉林大学 | 一种叶绿素修饰的CsPbCl3:Yb3+钙钛矿薄膜及其制备方法和应用 |
CN116083085A (zh) * | 2022-12-02 | 2023-05-09 | 南通昇纳光学技术有限公司 | 一种钙钛矿量子点及其制备方法 |
CN116240019A (zh) * | 2022-12-12 | 2023-06-09 | 吉林大学 | 利用稀土和过渡金属掺杂制备的钙钛矿量子点、制备方法及其应用 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008019317A (ja) * | 2006-07-11 | 2008-01-31 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 酸化物蛍光体エピタキシャル薄膜 |
US9570240B1 (en) * | 2016-08-04 | 2017-02-14 | The United States of America represented by the Secretary of the Air Force | Controlled crystallization to grow large grain organometal halide perovskite thin film |
CN107057699A (zh) * | 2017-05-15 | 2017-08-18 | 宁波大学 | 无铅铁电上转换荧光材料及其制备方法和应用 |
CN107271409A (zh) * | 2017-03-30 | 2017-10-20 | 南京师范大学 | 一种使用基于钙钛矿纳米晶的金属离子传感器检测溶液中金属离子的方法 |
-
2017
- 2017-12-01 CN CN201711245522.8A patent/CN107887466A/zh active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008019317A (ja) * | 2006-07-11 | 2008-01-31 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 酸化物蛍光体エピタキシャル薄膜 |
US9570240B1 (en) * | 2016-08-04 | 2017-02-14 | The United States of America represented by the Secretary of the Air Force | Controlled crystallization to grow large grain organometal halide perovskite thin film |
CN107271409A (zh) * | 2017-03-30 | 2017-10-20 | 南京师范大学 | 一种使用基于钙钛矿纳米晶的金属离子传感器检测溶液中金属离子的方法 |
CN107057699A (zh) * | 2017-05-15 | 2017-08-18 | 宁波大学 | 无铅铁电上转换荧光材料及其制备方法和应用 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
DONGLEI ZHOU,ECT.: "Cerium and Ytterbium Codoped Halide Perovskite Quantum Dots:A Novel and Efficient Downconverter for Improving the Performance of Silicon Solar Cells", 《ADVANCED MATERIALS》 * |
GENCAI PAN,ECT.: "Doping Lanthanide into Perovskite Nanocrystals:Highly Improved and Expanded Optical Properties", 《NANO LETTERS》 * |
Cited By (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108389976A (zh) * | 2018-04-20 | 2018-08-10 | 北京大学 | 一种少量稀土金属离子掺杂的有机无机杂化钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
CN108767116A (zh) * | 2018-06-06 | 2018-11-06 | 华南师范大学 | 一种自驱动光电探测器及其制备方法 |
CN108767116B (zh) * | 2018-06-06 | 2020-07-03 | 华南师范大学 | 一种自驱动光电探测器及其制备方法 |
CN111170646A (zh) * | 2018-11-09 | 2020-05-19 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 一种基于量子裁剪效应的太阳能聚光板 |
CN109852387A (zh) * | 2019-04-04 | 2019-06-07 | 山东大学 | 一种通过掺杂Ce4+离子调控CsPbBr3钙钛矿量子点尺寸形貌和光致发光的方法 |
CN109852387B (zh) * | 2019-04-04 | 2021-04-09 | 山东大学 | 一种通过掺杂Ce4+离子调控CsPbBr3钙钛矿量子点尺寸形貌和光致发光的方法 |
CN110002762A (zh) * | 2019-04-16 | 2019-07-12 | 武汉理工大学 | 一种Yb3+和CsPbBr3纳米晶掺杂的硼锗酸盐玻璃、其制备方法和应用 |
CN110534597A (zh) * | 2019-09-18 | 2019-12-03 | 吉林大学 | 一种近红外光电探测器及其制备方法 |
CN110642515A (zh) * | 2019-09-29 | 2020-01-03 | 昆明理工大学 | 一种全无机钙钛矿量子点玻璃的制备方法及应用 |
CN110642515B (zh) * | 2019-09-29 | 2022-02-01 | 昆明理工大学 | 一种全无机钙钛矿量子点玻璃的制备方法及应用 |
CN111029427A (zh) * | 2019-11-12 | 2020-04-17 | 杭州纤纳光电科技有限公司 | 含有量子剪裁涂层的晶硅电池组件及其制备方法 |
CN110911506A (zh) * | 2019-11-28 | 2020-03-24 | 南京大学 | 稀土Er掺杂高稳定全无机钙钛矿太阳能电池及制备方法 |
CN111205863A (zh) * | 2020-01-17 | 2020-05-29 | 太原理工大学 | 一种真空低温制备粉末状稀土掺杂无机钙钛矿量子点的方法 |
CN111849476A (zh) * | 2020-05-26 | 2020-10-30 | 吉林大学 | 一种稀土掺杂钙钛矿纳米晶、其制备方法及光电探测器 |
CN111634939A (zh) * | 2020-06-09 | 2020-09-08 | 西南石油大学 | 一种稀土Sm掺杂的全无机钙钛矿、制备方法及其应用 |
CN111634939B (zh) * | 2020-06-09 | 2022-05-03 | 西南石油大学 | 一种稀土Sm掺杂的全无机钙钛矿、制备方法及其应用 |
CN111908787A (zh) * | 2020-06-11 | 2020-11-10 | 华南理工大学 | 一种x射线探测铽掺杂钙钛矿量子点玻璃及其制备方法与应用 |
CN112358190A (zh) * | 2020-09-30 | 2021-02-12 | 温州大学 | 一种GdF3:CsPbBrI2量子点微晶玻璃材料的制备方法 |
CN112358190B (zh) * | 2020-09-30 | 2022-07-05 | 温州大学 | 一种GdF3:CsPbBrI2量子点微晶玻璃材料的制备方法 |
WO2022078530A1 (zh) * | 2020-10-12 | 2022-04-21 | 隆基绿能科技股份有限公司 | 一种太阳能电池、太阳能电池的制备方法和光伏组件 |
CN113667427A (zh) * | 2021-08-13 | 2021-11-19 | 无锡极电光能科技有限公司 | 一种彩色封装胶膜、太阳能电池及其制备方法 |
CN114369459B (zh) * | 2022-01-10 | 2022-12-09 | 吉林大学 | 一种无铅稀土钙钛矿量子点的制备方法及其产品和应用 |
CN114369459A (zh) * | 2022-01-10 | 2022-04-19 | 吉林大学 | 一种无铅稀土钙钛矿量子点的制备方法及其产品和应用 |
CN115710502A (zh) * | 2022-11-19 | 2023-02-24 | 深圳先进技术研究院 | Yb3+掺杂CsPbBr3PMSCs及其制备方法和应用 |
CN115710502B (zh) * | 2022-11-19 | 2024-01-02 | 深圳先进技术研究院 | Yb3+掺杂CsPbBr3PMSCs及其制备方法和应用 |
CN116083085A (zh) * | 2022-12-02 | 2023-05-09 | 南通昇纳光学技术有限公司 | 一种钙钛矿量子点及其制备方法 |
CN116240019A (zh) * | 2022-12-12 | 2023-06-09 | 吉林大学 | 利用稀土和过渡金属掺杂制备的钙钛矿量子点、制备方法及其应用 |
CN115851273B (zh) * | 2022-12-16 | 2023-12-15 | 吉林大学 | 一种稀土掺杂钙钛矿纳米晶合成方法 |
CN115851273A (zh) * | 2022-12-16 | 2023-03-28 | 吉林大学 | 一种稀土掺杂钙钛矿纳米晶合成方法 |
CN116004229A (zh) * | 2023-01-04 | 2023-04-25 | 吉林大学 | 一种叶绿素修饰的CsPbCl3:Yb3+钙钛矿薄膜及其制备方法和应用 |
CN116004229B (zh) * | 2023-01-04 | 2023-12-05 | 吉林大学 | 一种叶绿素修饰的CsPbCl3:Yb3+钙钛矿薄膜及其制备方法和应用 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107887466A (zh) | 一种稀土掺杂无机钙钛矿量子点复合硅太阳能电池及其制备方法 | |
De la Mora et al. | Materials for downconversion in solar cells: Perspectives and challenges | |
Lian et al. | Rare earth ions doped phosphors for improving efficiencies of solar cells | |
Bünzli et al. | Lanthanides in solar energy conversion | |
Rajeswari et al. | Recent progress and emerging applications of rare earth doped phosphor materials for dye‐sensitized and perovskite solar cells: a review | |
Huang et al. | Broadband downconversion of ultraviolet light to near‐infrared emission in Bi3+–Yb3+‐codoped Y2O3 phosphors | |
Yao et al. | Rare earth ion doped phosphors for dye-sensitized solar cells applications | |
Tadge et al. | Enhanced photovoltaic performance of Y2O3: Ho3+/Yb3+ upconversion nanophosphor based DSSC and investigation of color tunability in Ho3+/Tm3+/Yb3+ tridoped Y2O3 | |
Karunakaran et al. | Research progress on the application of lanthanide-ion-doped phosphor materials in perovskite solar cells | |
Deng et al. | Highly bright Li (Gd, Y) F4: Yb, Er upconverting nanocrystals incorporated hole transport layer for efficient perovskite solar cells | |
Karunakaran et al. | Efficiency improvement of Si solar cells by down-shifting Ce3+-doped and down-conversion Ce3+-Yb3+ co-doped YAG phosphors | |
Li et al. | Preparation of Gd 2 O 3: Eu 3+ downconversion luminescent material and its application in dye-sensitized solar cells | |
CN105694889B (zh) | 上转换发光材料、其制备方法及应用 | |
CN106753371A (zh) | 一种钬镱共掺杂钨酸铋荧光粉及其制备方法 | |
CN103194232B (zh) | 一种宽带紫外-可见光激发的近红外荧光发射材料及其制备方法和应用 | |
CN103215038B (zh) | 一种在紫外光激发下实现近红外发光的钼酸盐材料、制备方法及应用 | |
Satpute et al. | Synthesis and luminescence characterization of downconversion and downshifting phosphor for efficiency enhancement of solar cells: Perspectives and challenges | |
TW201233782A (en) | Phosphor-containing solar cell and fabrication method thereof | |
CN114242821B (zh) | 一种光伏组件的前板玻璃及其制备方法和应用 | |
Cang et al. | Applications and functions of rare-earth ions in perovskite solar cells | |
CN103474127B (zh) | 一种具有上转换特性的晶硅电池背面铝浆 | |
Kaliamurthy et al. | Trap‐Assisted Transition Energy Levels of SrF2: Pr3+− Yb3+ Nanophosphor in TiO2 Photoanode for Luminescence Tuning in Dye‐Sensitized Photovoltaic Cells | |
Pathak et al. | NIR emission and Ce3+–Nd3+ energy transfer in LaCaAl3O7 phosphor prepared by combustion synthesis | |
CN102832267B (zh) | 含有上转换发光量子点的晶体硅及其制备方法 | |
CN110571286B (zh) | 一种上转化稀土氟化物与氧化铜复合电极的制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20180406 |
|
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |