CN107887417A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

本申请涉及一种显示装置，其包括：基板，所述基板具有显示区和所述显示区外侧的周边区；在显示区和周边区两者上方的第一绝缘层；在周边区上方且与第一绝缘层间隔开的第一坝；电极供电线，所述电极供电线的至少一部分位于第一绝缘层和第一坝之间；在第一绝缘层上方的保护导电层，所述保护导电层在电极供电线上方延伸并且电连接到电极供电线；在显示区中的第一绝缘层上方的像素电极；在像素电极上方的对置电极；以及覆盖对置电极且延伸到对置电极外侧的覆盖层，使得覆盖层的端部在第一绝缘层上。根据本发明的实施方式，显示装置具有防止或基本上防止分离的部件。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求2016年9月30日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2016-0127155的优先权和权益，该申请的全部公开内容通过引用并入本文。
技术领域
本申请的一个或多个实施方式涉及显示装置。
背景技术
一般的显示装置包括各种层的堆叠。例如，在有机发光显示装置中，每个子像素包括：包括像素电极的有机发光二极管(OLED)、包括发光层的中间层以及对置电极。有机发光显示装置还包括覆盖OLED的封装层，以保护其免受外部水分、外部杂质等的影响。
除了该封装层之外，有机发光显示装置可以包括各种其它层。其它显示装置，比如液晶显示器(LCD)，也可以包括各种层。
然而，这种常规显示装置的一些层可能在制造显示装置时或在使用制造的显示装置时剥落。
发明内容
根据一个或多个实施方式的一方面，显示装置具有防止或基本上防止分离的部件。然而，本文描述的一个或多个实施方式仅是实例，并且本发明的范围不限于此。
在下面的描述中将部分地阐述另外的方面，并且从该描述中该另外的方面将部分地是明显的，或者可以通过实践所提出的实施方式来了解。
根据一个或多个实施方式，显示装置包括：基板，该基板具有显示区和显示区外侧的周边区；在显示区和周边区两者上方的第一绝缘层；在周边区上方且与第一绝缘层间隔开的第一坝；在基板上方的电极供电线，该电极供电线的至少一部分位于第一绝缘层和第一坝之间；在第一绝缘层上方的保护导电层，该保护导电层在电极供电线上方延伸且电连接到电极供电线；在显示区中的第一绝缘层上方的像素电极；在像素电极上方的对置电极，该对置电极延伸到周边区以接触保护导电层；以及覆盖对置电极且延伸到对置电极外侧的覆盖层，使得该覆盖层的端部在第一绝缘层上。
显示装置可以进一步包括覆盖该覆盖层且延伸到覆盖层外侧的封装层，使得该封装层的下表面接触保护导电层。
封装层和保护导电层之间的结合强度可以高于封装层和覆盖层之间的结合强度。
显示装置可以进一步包括在覆盖层和封装层之间的保护层。该保护层可以延伸到覆盖层外侧，使得覆盖层和封装层可以彼此不直接接触。
保护层的端部可以在第一绝缘层上方。换句话说，保护层的端部可以接触保护导电层。保护层可以包括氟化锂(LiF)。
保护层和封装层之间的结合强度可以高于对应于覆盖层的第一层和对应于封装层的第二层之间的结合强度。
显示装置可以进一步包括在第一坝和第一绝缘层之间的第二坝，该第二坝的至少一部分位于保护导电层上方。在这种情况下，第一坝距基板的高度可以大于第二坝距基板的高度。显示装置可以进一步包括在第一绝缘层上方的第二绝缘层。第一坝可以包括第一层和第二层，该第一层包括与第一绝缘层相同的材料，该第二层包括与第二绝缘层相同的材料，并且第二坝可以包括与第二绝缘层相同的材料。
第一绝缘层可以在周边区中包括孔，并且覆盖层的端部可以在第一绝缘层的端部和孔之间。
覆盖层的上表面的不平度可以与覆盖层下面的层的上表面的不平度相对应。
附图说明
结合附图，从以下对一个或多个实施方式的描述中，这些和/或其他方面将变得明显并且更容易理解，在附图中：
图1是根据实施方式的显示装置的一部分的示意性平面图；
图2是沿图1的II-II'线截取的截面图；
图3是图2的显示装置的一些部件之间的相关性的概念图；
图4是根据另一实施方式的显示装置的一部分的示意性截面图；
图5是图4的显示装置的一部分的概念图。
具体实施方式
由于本发明允许各种变化和大量实施方式，一些具体实施方式将在附图中图示说明并且在书面描述中进一步详细描述。在下文中，将参照附图更充分地描述本发明的效果和特征以及实现它们的方法，其中示出本发明的一些实施方式。然而，本发明可以以许多不同的形式体现，并且不应被解释为限于本文所阐述的实施方式。
下面将参照附图更详细地描述本发明的一个或多个实施方式。不论附图如何，使用相同的附图标记来表示相同或相对应的那些部件，并且多余的说明可以省略。
将理解，除非另有说明，否则当比如层、膜、区或基板的元件被称为在另一元件上“上”时，其可以直接在另一个元件上或者也可以存在中间元件。在附图中，为了便于说明，可以放大或缩小层和区的厚度。换句话说，由于为了便于说明可以任意地图示说明附图中的部件的尺寸和厚度，以下实施方式不限于此。
在以下实施方式中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，而可以在更广泛的意义上被解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。
图1是根据本发明的实施方式的显示装置的一部分的示意性平面图。图2是沿图1的II-II'线截取的截面图。图3是图2的显示装置的一些部件之间的相关性的概念图。
根据本实施方式的显示装置包括各种部件，其包括基板100。基板100包括显示区DA和围绕显示区DA的周边区PA。基板100可以由任何各种材料形成，该材料例如，玻璃、塑料或金属。当基板100是柔性基板时，基板100可以包括聚合物树脂，比如聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙基化物(polyallylate)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)或醋酸丙酸纤维素(CAP)。
在实施方式中，基板100的显示区DA包括薄膜晶体管(TFT)210，并且可以进一步包括电连接到TFT 210的显示设备。图2图示说明有机发光设备(OLED)300作为显示设备。为了便于说明，现在将描述根据本实施方式的显示装置包括OLED作为显示设备的情况。作为显示设备的电连接到TFT210的OLED 300可以理解为电连接到TFT 210的像素电极310。在实施方式中，TFT(未示出)可以布置在基板100的周边区PA上。位于周边区PA中的TFT可以是用于控制施加到显示区DA的电信号的电路单元的一部分。
TFT 210包括：包括非晶硅、多晶硅或有机半导体材料的半导体层211，栅极213，源极215和漏极217。为了平坦化基板100的表面或防止杂质等渗透半导体层211，可以在基板100上布置缓冲层110，该缓冲层110由氧化硅、氮化硅或氮氧化硅形成，并且半导体层211可以位于缓冲层110上。
栅极213布置在半导体层211上，并且源极215和漏极217响应于施加到栅极213的信号而彼此电连通。考虑到与相邻层的粘合力、堆叠在栅极213上的层的表面平滑度和可加工性，栅极213可以由铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一种形成为单层结构或多层结构。为了确保半导体层211和栅极213之间的绝缘，可以在半导体层211和栅极213之间插入由氧化硅和/或氮化硅形成的栅极绝缘层120。
层间绝缘层130可以布置在栅极213上方，并且该层间绝缘层130可以由氧化硅、氮化硅或氮氧化硅形成为单层结构或多层结构。
源极215和漏极217布置在层间绝缘层130上。源极215和漏极217可以通过形成在层间绝缘层130和栅极绝缘层120中的接触孔来电连接到半导体层211。考虑到导电性等，源极215和漏极217可以由选自铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一种形成为单层结构或多层结构。
保护层(未示出)可以布置在TFT 210上，具有用以保护TFT 210的结构。保护层可以由比如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的无机材料形成。保护层可以是单个层或者多个层的堆叠。
平坦化层140可以布置在保护层上。例如，当OLED 300如图2所示布置在TFT 210上方时，平坦化层140可以使覆盖TFT 210的保护层的上部分平坦化。例如，平坦化层140可以由比如苯并环丁烯(BCB)或六甲基二硅氧烷(HMDSO)的有机材料形成。虽然在图2中平坦化层140被示为单层，但是可以对平坦化层140进行任意各种修改。例如，平坦化层140可以是多个层的堆叠。
根据本实施方式的显示装置可以包括保护层和平坦化层140两者。在实施方式中，根据本实施方式的显示装置可以仅包括平坦化层140。为了便于说明，平坦化层140可以理解为第一绝缘层。
OLED 300可以布置在基板100的显示区DA中的平坦化层140上。OLED 300包括像素电极310、对置电极330以及在像素电极310和对置电极330之间且包括发光层的中间层320。
在平坦化层140中存在孔，所述孔暴露TFT 210的源极215和漏极217中的至少一个，并且电连接到TFT210的像素电极310通过该孔来接触源极215或漏极217并且布置在平坦化层140上。像素电极310可以是透明(或半透明)电极或反射电极。当像素电极310是透明(或半透明)电极时，像素电极310可以包括例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)。当像素电极310是反射电极时，像素电极310可以包括由银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其化合物形成的反射层，以及由ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO或AZO形成的层。当然，实施方式不限于此，并且像素电极310可以包括任何各种其它材料，并且可以具有任何各种结构，比如单层结构或多层结构。
像素限定层150可以布置在平坦化层140上。像素限定层150通过包括对应于子像素的开口(即，通过其至少暴露像素电极310的中心部分的开口)来限定像素。在这种情况下，如图2图示说明的，像素限定层150可以通过增加像素电极310的边缘和布置在像素电极310上方的对置电极330之间的距离来防止在像素电极310的边缘上发生电弧等。像素限定层150可以由例如聚酰亚胺或HMDSO的有机材料形成。为了便于说明，像素限定层150可以理解为第二绝缘层。
OLED 300的中间层320可以包括低分子量材料或高分子量材料。当中间层320包括低分子量材料时，中间层320可以具有其中空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)堆叠为单一结构或复合结构的结构，并且可以包括各种有机材料，包括铜酞菁(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基联苯胺(NPB)和三-8-羟基喹啉铝(Alq3)。在实施方式中，这些层可以通过真空沉积形成。
当中间层320包括高分子量材料时，中间层320一般地可以包括HTL和EML。在这种情况下，HTL可以包括聚(乙撑二氧噻吩)(PEDOT)，并且EML可以包括高分子量材料比如聚苯撑乙烯撑(PPV)类材料或聚芴类材料。中间层320可以通过丝网印刷、喷墨印刷、激光诱导热成像(LITI)等形成。
中间层320不限于上述结构，并且可以具有任何各种其它结构。
对置电极330布置在显示区DA上。如图2图示说明的，对置电极330可以覆盖显示区DA。换句话说，对置电极330可以形成为构成多个OLED 300的单个主体，并且因此可以对应于多个像素电极310。对置电极330可以是透明(或半透明)电极或反射电极。当对置电极330是透明(或半透明)电极时，对置电极330可以具有由例如Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或其化合物的具有小功函的金属形成的薄层，以及由例如ITO、IZO、ZnO或In2O3形成的透明(或半透明)导电层。当对置电极330是反射电极时，对置电极330可以具有由Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或其化合物形成的层。对置电极330的配置和用于形成对置电极330的材料不限于上述那些，并且可以对对置电极330进行任何各种修改。
因为显示设备(比如OLED 300)包括对置电极330，所以需要将电信号(例如，预设的电信号)施加到对置电极330，以便显示图像。因此，电极供电线410位于周边区PA中，从而将电信号传输到对置电极330。
在实施方式中，电极供电线410可以与显示区DA中的各种导电层同期或同时形成，并且可以由与用于形成导电层的材料相同的材料形成。在图2中，如位于层间绝缘层130上的显示区DA中的TFT 210的源极215和漏极217一样，电极供电线410位于周边区PA中的层间绝缘层130上。在实施方式中，与在显示区DA中的层间绝缘层130上形成TFT 210的源极215和漏极217同期或同时，在周边区PA中的层间绝缘层130上由与用于形成源极215和漏极217的材料相同的材料形成电极供电线410。因此，电极供电线410可以具有与源极215和漏极217相同的结构。实施方式不限于此，并且可以对电极供电线410进行各种修改。例如，可以与形成栅极213同期或同时，在栅极绝缘层120上由与用于形成栅极213的材料相同的材料形成电极供电线410。
在实施方式中，对置电极330不直接接触电极供电线410，而是如图2所示，可以通过保护导电层420电连接到电极供电线410。换句话说，位于平坦化层140(其可以理解为第一绝缘层)上的保护导电层420可以在电极供电线410上方延伸并且因而可以电连接到电极供电线410。因此，在周边区PA中，对置电极330可以接触保护导电层420，并且在周边区PA中，保护导电层420可以接触电极供电线410。
因为如图2所示保护导电层420位于平坦化层140上，所以保护导电层420可以与在平坦化层140上形成部件同期或同时，由与用于形成位于显示区DA中的平坦化层140上的部件的材料相同的材料形成。在实施方式中，与在平坦化层140上的显示区DA中形成像素电极310同期或同时，可以在周边区PA中的平坦化层140上由与用于形成像素电极310的材料相同的材料形成保护导电层420。因此，保护导电层420可以具有与像素电极310相同的结构。如图2所示，保护导电层420可以覆盖电极供电线410的没有被平坦化层140覆盖的暴露的部分。因此，如后面将描述的，在第一坝610或第二坝620正在形成时可以防止电极供电线410损坏。
如图2所示，为了防止或基本上防止杂质(比如外部氧或水分)通过平坦化层140渗透到显示区DA中，平坦化层140可以在周边区PA中具有孔140b。当形成保护导电层420时，保护导电层420可以填充孔140b。因此，可以有效地防止渗入到周边区PA中的平坦化层140中的杂质渗入到显示区DA中的平坦化层140中。
平坦化层140的孔140b可以具有任何各种形状。在实施方式中，例如，图3图示说明了平坦化层140包括在显示区DA外侧沿着显示区DA的边缘彼此间隔开的多个孔140b。在另一个实施方式中，平坦化层140可以具有沿着显示区DA的边缘没有任何中断的围绕显示区DA的单个孔140b。可替换地，平坦化层140可以具有多个孔140b，每个孔围绕显示区DA而没有任何中断。
覆盖层160位于对置电极330上，该覆盖层160提高由OLED 300发射的光的效率。覆盖层160覆盖对置电极330且延伸到对置电极330的外侧，并且因而覆盖层160的端部160a位于平坦化层140(其可以理解为第一绝缘层)上。在实施方式中，覆盖层160的端部160a位于平坦化层140的孔140b和平坦化层140的端部140a之间。换句话说，覆盖层160可以接触在对置电极330的外侧的位于对置电极330下面的保护导电层420。因为对置电极330覆盖显示区DA并且延伸到显示区DA外侧，所以覆盖层160还覆盖显示区DA并且延伸到显示区DA外侧的周边区PA。在实施方式中，覆盖层160包括有机材料。
如上所述，覆盖层160提高由OLED 300发射的光的效率。例如，覆盖层160提高光取出到显示装置外侧的效率。应在显示区DA中均匀地实现覆盖层160的效率提高。考虑到这一点，覆盖层160的上表面的不平度可以与覆盖层160下面的层的上表面的不平度相对应。换句话说，如图2所示，覆盖层160在对置电极330上的部分的上表面可以具有与对置电极330的上表面的不平度相对应的形状。
封装层500位于覆盖层160上。封装层500保护OLED 300免受外部水分或氧的影响。为此，封装层500在OLED 300所在的显示区DA中延伸，并且还延伸到显示区DA外侧的周边区PA。封装层500可以具有如图2所示的多层结构。在实施方式中，封装层500可以包括第一无机封装层510、有机封装层520和第二无机封装层530。
在实施方式中，第一无机封装层510可以覆盖对置电极330，并且可以包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。如图2所示，因为第一无机封装层510沿着第一无机封装层510下面的结构形成，所以其上表面可以不是平坦的。有机封装层520覆盖第一无机封装层510并且具有足够的厚度，因而有机封装层520可以在整个显示区DA上方具有近似平坦的上表面。有机封装层520可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚磺酸乙二醇酯、聚甲醛、聚芳酯和六甲基二硅氧烷中的至少一种材料。第二无机封装层530可以覆盖有机封装层520，并且可以包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。第二无机封装层530可以延伸到有机封装层520的外侧且与第一无机封装层510接触，使得有机封装层520可以不暴露于外侧。
在实施方式中，由于封装层500包括第一无机封装层510、有机封装层520和第二无机封装层530，所以即使当封装层500由于这种多层结构而破裂时，在第一无机封装层510和有机封装层520之间或者在有机封装层520和第二无机封装层530之间这种破裂可以不连接。因此，可以防止或基本上防止外部水分、氧等通过其渗透到显示区DA中的路径的形成。
当在形成封装层500时，封装层500下面的结构可能被损坏。例如，可以通过化学气相沉积形成第一无机封装层510。当通过化学气相沉积形成第一无机封装层510时，可能损坏直接在第一无机封装层510下面的层。因此，当第一无机封装层510直接形成在覆盖层160上时，可能损坏提高由OLED 300发射的光的效率的覆盖层160，并且可能降低显示装置的发光效率。因此，在实施方式中，为了在形成封装层500时防止或基本上防止对覆盖层160的损坏，在覆盖层160和封装层500之间插入保护层170。在实施方式中，保护层170可以包括LiF。
如上所述，覆盖层160不仅延伸到显示区DA，而且延伸到显示区DA外侧的周边区PA。为了防止或基本上防止至少在显示区DA中的覆盖层160的损坏，保护层170也在显示区DA中延伸并且还延伸到显示区DA外侧的周边区PA。在这种情况下，即使覆盖层160在显示区DA外侧的周边区PA中被部分损坏，因为显示装置不在周边区PA中所以不会发生用户可识别出的图像质量的劣化。在实施方式中，如图2和图3所示，保护层170延伸到显示区DA外侧，并且保护层170的端部170a可以比覆盖层160的端部160a更靠近显示区DA。
当形成封装层500时，或者更详细地，当形成有机封装层520时，用于形成有机封装层520的材料需要被限制在区域(例如，预设区域)内。为此，如图2所示，第一坝610或第一坝层可以位于周边区PA中。在实施方式中，如图2所示，不仅缓冲层110、栅极绝缘层120和层间绝缘层130，而且平坦化层140(其可以理解为第一绝缘层)不仅可以存在于基板100的显示区DA中而且也可以存在于周边区PA中。在周边区PA中，第一坝610与平坦化层140间隔开。
第一坝610可以具有多层结构。在实施方式中，第一坝610可以包括在远离基板100的方向上堆叠(例如，顺序堆叠)的第一层611、第二层613和第三层615。在实施方式中，第一层611可以由与平坦化层140(其可以被理解为显示区DA的第一绝缘层)相同的材料形成，并且可以与平坦化层140同期或同时形成，并且第二层613可以由与像素限定层150相同的材料形成，并且可以与像素限定层150同期或同时形成，其可以被理解为显示区DA的第二绝缘层。在实施方式中，第三层615可以由与用于形成第二层613的材料相同的材料形成在第二层613上。
如图2所示，除了第一坝610之外，可以进一步包括第二坝620或第二坝层，并且该第二坝620或第二坝层可以位于第一坝610和平坦化层140之间。第二坝620可以位于电极供电线410上的保护导电层420的一部分上。第二坝620还与周边区PA中的平坦化层140(其可以理解为第一绝缘层)间隔开。在实施方式中，第二坝620可以如第一坝610一样具有多层结构，并且可以包括比第一坝610更少数量的层，以具有比第一坝610距离基板100更低的高度。在实施方式中，如图2所示，第二坝620包括下层623和上层625，该下层623可以由与第一坝610的第二层613相同的材料形成，并且可以与第一坝610的第二层613同期或同时形成，该上层625可以位于下层623上，并且可以由与第一坝610的第三层615相同的材料形成，并且可以与第一坝610的第三层615同期或同时形成。
从基板100测量，第一坝610高于第二坝620，并且从显示区DA中的基板100测量，第一坝610还高于像素限定层150。因此，第一坝610可以支持掩膜，该掩膜用于形成OLED 300的中间层320或对置电极330，或者在随后的过程中用于形成覆盖层160或保护层170。第一坝610可以防止或基本上防止先前形成的部件接触和损坏掩膜。
如图2所示，可以通过化学气相沉积形成的封装层500的第一无机封装层510覆盖第二坝620和第一坝610，并且延伸到第一坝610的外侧。在第一无机封装层510上的有机封装层520的位置可能受第二坝620的限制，因而当形成有机封装层520时可以防止或基本上防止用于形成有机封装层520的材料溢出第二坝620之外。即使用于形成有机封装层520的材料部分地溢出第二坝620之外，因为有机封装层520的位置还受第一坝610的限制，所以用于形成有机封装层520的材料可以不进一步朝基板100的边缘移动。
在根据本实施方式的显示装置中，可以有效地防止封装层500与其他部件分离。在实施方式中，作为封装层500的最下层的第一无机封装层510在第一坝610外侧的第一区域A1中与层间绝缘层130接触。因为第一无机封装层510和层间绝缘层130由无机材料形成，所以第一无机封装层510和层间绝缘层130之间的结合强度高。因此，在第一坝610外侧的第一区域A1中，封装层500和层间绝缘层130在它们之间保持良好的结合状态。此外，在覆盖层160的端部160a和第二坝620之间的第二区域A2中，作为封装层500的最下层的第一无机封装层510与保护导电层420接触。换句话说，封装层500的最下表面接触保护导电层420。在实施方式中，因为保护导电层420由与用于形成像素电极310的材料相同的材料形成，所以保护导电层420和第一无机封装层510之间的结合强度高于由有机材料形成的层和第一无机封装层510之间的结合强度。换句话说，保护导电层420和第一无机封装层510之间的结合强度高于覆盖层160和第一无机封装层510之间的结合强度或第一坝610或第二坝620与第一无机封装层510之间的结合强度。因此，在覆盖层160的端部160a和第二坝620之间的第二区域A2中，封装层500和保护导电层420在它们之间保持良好的结合状态。
如果包括有机材料的覆盖层160的端部不在平坦化层140(其可以理解为第一绝缘层)上，而是延伸到平坦化层140外侧的第一坝610或第二坝620，那么在除了第一区域A1之外的大部分区域中，封装层500将接触由有机材料形成的层，而结果是，封装层500和覆盖层160之间的结合强度将是低的。然而，在根据本实施方式的显示装置中，不仅在第一坝610外侧的第一区域A1中，而且在覆盖层160的端部160a和第二坝620之间的第二区域A2中保持封装层500和下层之间的高结合强度，并且因而，在制造显示装置期间或在制造之后的使用显示装置期间，可以有效地防止或最小化封装层500与下层的分离。
图4是根据另一实施方式的显示装置的一部分的示意性截面图；并且图5是图4的显示装置的一些部件之间的相关性的概念图。
根据图4的本实施方式的显示装置与根据图2的先前描述的实施方式的显示装置在保护层170的形状方面是不同的。在根据本实施方式的显示装置中，保护层170延伸到覆盖层160的外侧，使得覆盖层160和封装层500可以彼此不直接接触。因此，保护层170的端部170a位于平坦化层140(其将被理解为第一绝缘层)上。更详细地，如图4所示，保护层170的端部170a直接接触在平坦化层140上的保护导电层420的一部分。
如上所述，作为封装层500的最下层的第一无机封装层510与由无机材料形成的层的结合强度高于与由有机材料形成的层的结合强度。因为覆盖层160由上述有机材料形成，所以保护层170和由比如LiF的无机材料形成的第一无机封装层510之间的结合强度高于覆盖层160和第一无机封装层510之间的结合强度。因此，在根据本实施方式的显示装置中，不仅在第一坝610外侧的第一区域A1而且在第一坝610和第二坝620内侧的其中存在保护层170的区域中，保持封装层500和保护层170之间的高结合强度，因而可以有效地防止或最小化在制造显示装置期间或在制造之后使用显示装置期间封装层500与下层分离。
根据上述一个或多个实施方式，防止或基本上防止显示装置的部件之间的分离。当然，本发明的范围不限于此。
虽然发明构思已经参照其一些示例性实施方式被具体地示出和描述，但是本领域普通技术人员将理解，可以在形式和细节上对其进行各种改变，而不脱离由权利要求书限定的精神和范围。

Claims (14)

1.一种显示装置，包括：
基板，所述基板具有显示区和所述显示区外侧的周边区；
在所述显示区和所述周边区两者上方的第一绝缘层；
在所述周边区上方且与所述第一绝缘层间隔开的第一坝；
在所述基板上方的电极供电线，所述电极供电线的至少一部分位于所述第一绝缘层和所述第一坝之间；
在所述第一绝缘层上方的保护导电层，所述保护导电层在所述电极供电线上方延伸并且电连接到所述电极供电线；
在所述显示区中的所述第一绝缘层上方的像素电极；
在所述像素电极上方的对置电极，所述对置电极延伸到所述周边区以接触所述保护导电层；以及
覆盖所述对置电极且延伸到所述对置电极外侧的覆盖层，使得所述覆盖层的端部在所述第一绝缘层上。
2.如权利要求1所述的显示装置，进一步包括覆盖所述覆盖层且延伸到所述覆盖层外侧的封装层，使得所述封装层的下表面接触所述保护导电层。
3.如权利要求2所述的显示装置，其中所述封装层和所述保护导电层之间的结合强度高于所述封装层和所述覆盖层之间的结合强度。
4.如权利要求2所述的显示装置，进一步包括在所述覆盖层和所述封装层之间的保护层。
5.如权利要求4所述的显示装置，其中所述保护层延伸到所述覆盖层的外侧，使得所述覆盖层和所述封装层彼此不直接接触。
6.如权利要求5所述的显示装置，其中所述保护层的端部在所述第一绝缘层上方。
7.如权利要求5所述的显示装置，其中所述保护层的端部接触所述保护导电层。
8.如权利要求5所述的显示装置，其中所述保护层包括氟化锂。
9.如权利要求5所述的显示装置，其中，所述保护层和所述封装层之间的结合强度高于对应于所述覆盖层的第一层和对应于所述封装层的第二层之间的结合强度。
10.如权利要求1所述的显示装置，进一步包括在所述第一坝和所述第一绝缘层之间的第二坝，所述第二坝的至少一部分位于所述保护导电层上方。
11.如权利要求10所述的显示装置，其中，所述第一坝距所述基板的高度大于所述第二坝距所述基板的高度。
12.如权利要求11所述的显示装置，进一步包括在所述第一绝缘层上方的第二绝缘层，其中所述第一坝包括第一层和第二层，所述第一层包括与所述第一绝缘层相同的材料，所述第二层包括与所述第二绝缘层相同的材料，并且所述第二坝包括与所述第二绝缘层相同的材料。
13.如权利要求1所述的显示装置，其中所述第一绝缘层在所述周边区中包括孔，并且所述覆盖层的端部在所述第一绝缘层的端部和所述孔之间。
14.如权利要求1所述的显示装置，其中所述覆盖层的上表面的不平度与所述覆盖层下面的层的上表面的不平度相对应。
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108962947A (zh) * 2018-07-04 2018-12-07 上海天马微电子有限公司 一种柔性显示面板和显示装置
CN109659444A (zh) * 2018-11-29 2019-04-19 昆山国显光电有限公司 显示面板及显示装置
CN109841752A (zh) * 2019-01-29 2019-06-04 云谷（固安）科技有限公司 显示面板及显示装置
CN111599933A (zh) * 2019-02-20 2020-08-28 株式会社日本显示器 显示装置以及显示装置的制造方法
CN111863908A (zh) * 2020-07-28 2020-10-30 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置
CN112133727A (zh) * 2020-08-31 2020-12-25 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法和显示装置
CN112640578A (zh) * 2018-08-31 2021-04-09 株式会社日本显示器 显示装置以及显示装置的制造方法
WO2021212313A1 (zh) * 2020-04-21 2021-10-28 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
WO2021238482A1 (zh) * 2020-05-28 2021-12-02 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置
WO2022001405A1 (zh) * 2020-06-29 2022-01-06 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
WO2022111122A1 (zh) * 2020-11-25 2022-06-02 京东方科技集团股份有限公司 显示面板的制备方法、显示面板和显示装置
WO2023142908A1 (zh) * 2022-01-26 2023-08-03 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101974086B1 (ko) * 2016-09-30 2019-05-02 삼성디스플레이 주식회사 표시모듈
KR20180061866A (ko) * 2016-11-30 2018-06-08 엘지디스플레이 주식회사 봉지 유닛 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR102632615B1 (ko) 2016-12-05 2024-02-02 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102457251B1 (ko) * 2017-03-31 2022-10-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP2019012639A (ja) * 2017-06-30 2019-01-24 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN108511503B (zh) * 2018-05-28 2020-11-24 京东方科技集团股份有限公司 一种电致发光显示面板、其制作方法及显示装置
KR102537444B1 (ko) * 2018-05-31 2023-05-30 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
JP7108478B2 (ja) * 2018-06-21 2022-07-28 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102568920B1 (ko) * 2018-06-29 2023-08-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN109148728B (zh) * 2018-08-31 2019-10-29 昆山国显光电有限公司 一种显示面板及显示装置
KR20200029678A (ko) 2018-09-10 2020-03-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN109564986B (zh) * 2018-11-02 2021-08-27 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示设备和制造显示基板的方法
KR20200123906A (ko) * 2019-04-22 2020-11-02 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN110112311B (zh) * 2019-05-10 2020-10-27 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及显示模组
US11011591B2 (en) * 2019-05-28 2021-05-18 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Organic light emitting diode display panel and method for fabricating same
CN110854161B (zh) * 2019-09-12 2022-02-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板
KR20210032599A (ko) 2019-09-16 2021-03-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP2021048048A (ja) * 2019-09-18 2021-03-25 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び表示装置の製造方法
CN110610972B (zh) * 2019-09-19 2022-06-03 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示装置
CN110943115B (zh) * 2019-12-13 2022-12-06 云谷（固安）科技有限公司 显示面板及显示装置
US11844255B2 (en) * 2019-12-20 2023-12-12 Hefei Boe Joint Technology Co., Ltd Display device having a second electrode layer connected to an auxiliary electrode layer, display panel and manufacturing method thereof
KR20210084766A (ko) * 2019-12-27 2021-07-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20210105469A (ko) * 2020-02-18 2021-08-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210146489A (ko) * 2020-05-26 2021-12-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN112038382B (zh) * 2020-09-10 2022-11-04 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
KR20220063790A (ko) * 2020-11-09 2022-05-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120206684A1 (en) * 2011-02-14 2012-08-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display and manufacturing method thereof
US20130230664A1 (en) * 2012-03-02 2013-09-05 Jin-woo Park Method of preparing organic light emitting device
US20150228927A1 (en) * 2014-02-12 2015-08-13 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
US20160260928A1 (en) * 2015-03-06 2016-09-08 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101639071B1 (ko) 2008-10-30 2016-07-12 삼성전자주식회사 다층 박막, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 봉지구조체
KR20140133053A (ko) 2013-05-09 2014-11-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102080008B1 (ko) * 2013-07-12 2020-02-24 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
KR20150011231A (ko) 2013-07-22 2015-01-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102253531B1 (ko) * 2014-07-25 2021-05-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20160036722A (ko) * 2014-09-25 2016-04-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101740628B1 (ko) 2014-12-02 2017-05-29 한국과학기술원 박막 봉지막
KR102462424B1 (ko) * 2014-12-30 2022-11-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102391361B1 (ko) * 2015-01-14 2022-04-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102404577B1 (ko) * 2015-03-27 2022-06-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102376966B1 (ko) * 2015-08-11 2022-03-22 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120206684A1 (en) * 2011-02-14 2012-08-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display and manufacturing method thereof
US20130230664A1 (en) * 2012-03-02 2013-09-05 Jin-woo Park Method of preparing organic light emitting device
US20150228927A1 (en) * 2014-02-12 2015-08-13 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
US20160260928A1 (en) * 2015-03-06 2016-09-08 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108962947B (zh) * 2018-07-04 2020-11-27 上海天马微电子有限公司 一种柔性显示面板和显示装置
CN108962947A (zh) * 2018-07-04 2018-12-07 上海天马微电子有限公司 一种柔性显示面板和显示装置
CN112640578A (zh) * 2018-08-31 2021-04-09 株式会社日本显示器 显示装置以及显示装置的制造方法
CN109659444A (zh) * 2018-11-29 2019-04-19 昆山国显光电有限公司 显示面板及显示装置
CN109841752A (zh) * 2019-01-29 2019-06-04 云谷（固安）科技有限公司 显示面板及显示装置
CN109841752B (zh) * 2019-01-29 2021-09-28 云谷（固安）科技有限公司 显示面板及显示装置
CN111599933A (zh) * 2019-02-20 2020-08-28 株式会社日本显示器 显示装置以及显示装置的制造方法
CN111599933B (zh) * 2019-02-20 2023-10-10 株式会社日本显示器 显示装置以及显示装置的制造方法
CN113826210A (zh) * 2020-04-21 2021-12-21 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
US11963382B2 (en) 2020-04-21 2024-04-16 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display substrate and preparation method thereof, and display device
WO2021212313A1 (zh) * 2020-04-21 2021-10-28 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
WO2021238482A1 (zh) * 2020-05-28 2021-12-02 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置
WO2022001405A1 (zh) * 2020-06-29 2022-01-06 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN113937236A (zh) * 2020-06-29 2022-01-14 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN113937236B (zh) * 2020-06-29 2023-04-18 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN111863908B (zh) * 2020-07-28 2022-11-11 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置
CN111863908A (zh) * 2020-07-28 2020-10-30 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置
CN112133727A (zh) * 2020-08-31 2020-12-25 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法和显示装置
WO2022111122A1 (zh) * 2020-11-25 2022-06-02 京东方科技集团股份有限公司 显示面板的制备方法、显示面板和显示装置
WO2023142908A1 (zh) * 2022-01-26 2023-08-03 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置

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