CN107531859A - 作为电镀浴添加剂的双酸酐与二胺的反应产物 - Google Patents

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Abstract

伯二胺和仲二胺与双酸酐的反应产物作为添加剂被包括在金属电镀浴中。金属电镀浴具有良好的均镀能力并沉积具有基本上平坦表面的金属层。金属镀覆浴可用于在具有表面特征(如通孔和通道)的衬底上沉积金属。

Description

作为电镀浴添加剂的双酸酐与二胺的反应产物
技术领域
本发明涉及作为电镀浴添加剂的双酸酐与二胺的反应产物。更确切地说，本发明涉及双酸酐与二胺的反应产物，其作为添加剂用于电镀浴以提供具有良好均镀能力的电镀浴。
背景技术
用金属涂层电镀物品的方法一般涉及在镀覆溶液中的两个电极之间通电流，其中一个电极是待镀覆的物品。典型酸性镀铜溶液包括溶解铜(通常硫酸铜)、足以赋予浴液导电性的量的酸电解质(如硫酸)、卤离子来源和改善镀覆均一性和金属沉积质量的专用添加剂。这类添加剂尤其包括调平剂、加速剂和抑制剂。
电解镀铜溶液用于多种工业应用，如装饰性和防腐蚀涂层，以及电子行业，尤其用于制造印刷电路板和半导体。对于电路板制造，通常将铜电镀在印刷电路板表面的所选部分上、盲通道和沟槽中以及在电路板基底材料的表面之间穿过的通孔壁上。首先如通过无电金属镀覆使盲通道、沟槽和通孔的暴露表面(即，壁和底)导电，随后将铜电镀在这些孔口的表面上。经镀覆的通孔提供从一个板表面到另一个板表面的导电路径。通道和沟槽提供电路板内层之间的导电路径。对于半导体制造，将铜电镀在含有多种特征(如通道、沟槽或其组合)的晶片表面上。将通道和沟槽金属化，以提供半导体装置的各个层之间的导电性。
众所周知，在某些镀覆领域中，如在印刷电路板(“PCB”)的电镀中，在电镀浴中使用调平剂在实现衬底表面上的均一金属沉积方面可为至关重要的。电镀具有不规则表面形态的衬底可能造成困难。在电镀期间，通常在表面中的孔口内发生电压降，其可能在表面与孔口之间产生不均匀的金属沉积物。电镀不规则性在电压降相对极端处(即在窄且高的孔口处)加剧。因此，基本上均一厚度的金属层常常是电子装置制造中具有挑战性的步骤。调平剂常常用于镀铜浴以在电子装置中提供基本上均一或调平的铜层。
电子装置的便携性与功能性提高相组合的趋势已驱使PCB小型化。具有通孔互连件的常规多层PCB并非总是实用解决方案。已开发高密度互连件的替代方法，如利用盲通道的连续累积技术。使用盲通道的方法的目标之一是使通道填充达到最大，同时使通道与衬底表面之间的铜沉积物厚度变化减到最小。这在PCB含有通孔和盲通道时尤其具有挑战性。
将调平剂用于镀铜浴中以调平整个衬底表面上的沉积物并且改善电镀浴的均镀能力。均镀能力被定义为通孔中心铜沉积物厚度与表面铜厚度的比率。制造含有通孔和盲通道的较新PCB。当前的浴液添加剂，特别是当前的调平剂，并不总是提供在衬底表面与填充的通孔和盲通道之间调平的铜沉积物。通道填充的特征在于填充的通道中与表面上的铜之间的高度差。因此，所属领域中仍需要在用于制造PCB的金属电镀浴中使用的调平剂以提供调平的铜沉积物，同时增强浴液的均镀能力。
发明内容
一种或多种包括伯胺或仲胺部分的二胺与一种或多种具有下式的化合物的反应产物：
其中R是连接基团。
组合物包括一种或多种金属离子来源、电解质和一种或多种包括伯胺或仲胺部分的二胺与一种或多种具有下式的化合物的反应产物：
其中R是连接基团。
方法包括提供衬底；提供组合物，组合物包括一种或多种金属离子来源、电解质和一种或多种包括伯胺或仲胺部分的二胺与一种或多种具有下式的化合物的一种或多种反应产物：
其中R是连接基团；使衬底与组合物接触；向衬底施加电流；以及在衬底上镀覆金属。
包括反应产物的电镀浴提供在整个衬底上、甚至在具有小特征的衬底上和在具有多种特征尺寸的衬底上基本上调平的金属层。金属镀覆组合物具有良好的均镀能力并有效地将金属沉积在盲通道和通孔中。
具体实施方式
如本说明书通篇所用，除非上下文另作明确指示，否则以下缩写应具有以下含义：A＝安培；A/dm2＝安培每平方分米＝ASD；℃＝摄氏度；g＝克；mg＝毫克；ppm＝百万分率＝mg/L；mol＝摩尔；L＝升；μm＝微米(micron/micrometer)；mm＝毫米；em＝厘米；PO＝环氧丙烷；EO＝环氧乙烷；DI＝去离子；mL＝毫升；Mw＝重量平均分子量；Mn＝数目平均分子量；以及v/v＝体积比体积。所有数值范围都是包括性的并且可按任何顺序组合，但显然这类数值范围限制于总计100％。
如本说明书通篇所用，“特征”是指衬底上的几何结构。“孔口”是指包括通孔和盲通道的凹陷特征。如本说明书通篇所用，术语“镀覆”是指金属电镀。“沉积”和“镀覆”在本说明书通篇可互换使用。“卤化物”是指氟化物、氯化物、溴化物和碘化物。“加速剂”是指提高电镀浴的镀覆速率的有机添加剂，并且这类加速剂还可充当光亮剂。“抑制剂”是指在电镀期间抑制金属镀覆速率的有机添加剂。“调平剂”是指能够提供基本上调平或平坦的金属层的有机化合物。术语“调平剂(leveler)”和“调平剂(leveling agent)”在本说明书通篇可互换使用。术语“印刷电路板”和“印刷布线板”在本说明书通篇可互换使用。术语“部分”意思是可包括整个官能团或官能团的一部分作为子结构的分子或聚合物的一部分。术语“部分”和“基团”在本说明书通篇可互换使用。不定冠词“一(a/an)”是指单数和复数。
化合物是一种或多种包括伯胺或仲胺部分的二胺与一种或多种具有下式的化合物的反应产物：
其中R是通过共价键连接到酸酐环氮的连接基团。这类连接基团是有机部分。优选地，R具有以下结构：
其中R1和R2可相同或不同并且包括氢、直链或支链(C1-C4)烷基、羟基、羟基(C1-C3)烷基、羧基、羧基(C1-C3)烷基和(C1-C3)烷氧基，优选地，R1和R2包括氢或直链或支链(C1-C4)烷基，更优选地，R1和R2是氢并且m是1至15、优选地2至10、更优选地2至3的整数；
其中R1和R2如上文所定义；R3和R4可相同或不同并且是与R1和R2相同的基团；R5和R6可相同或不同并且包括氢、羧基和羧基(C1-C3)烷基，优选地，R5和R6可相同或不同并且是氢和羧基；并且m如上文所定义，并且n是1至15、优选地2至10、更优选地2至3的整数，并且优选地，m和n相同；
其中R7、R8、R9和R10可相同或不同并且包括氢、直链或支链(C1-C5)烷基、直链或支链羟基(C1-C5)烷基、羧基(C1-C3)烷基、直链或支链(C1-C5)烷氧基，优选地，R7、R8、R9和R10可相同或不同并且是氢、直链或支链(C1-C5)烷基，更优选地，R7、R8、R9和R10是氢；q、r和t可相同或不同并且是1至10、优选地2至3的整数；以及
其中R11和R12可相同或不同并且是氢或直链或支链(C1-C5)烷基，优选地，R11和R12是氢，Ar是具有5至6个碳原子、优选地6个碳原子的芳基，更优选地，式(V)的R具有以下结构：
并且n如上文所定义。
二胺包括具有以下通式的化合物：
其中R′是通过共价键连接到末端氮的连接基团。这类连接基团是有机部分。优选地，R′具有以下结构：
经取代或未经取代的(C6-C18)芳基；
其中R13和R14可相同或不同并且包括氢、直链或支链(C1-C12)烷基、亚烷氧基或经取代或未经取代的(C6-C18)芳基。芳基上的取代基包括(但不限于)直链或支链(C1-C12)烷基、直链或支链羟基(C1-C12)烷基、羟基、羧基、直链或支链羧基(C1-C12)烷基、硝基、巯基、直链或支链巯基(C1-C12)烷基、直链或支链卤基(C1-C12)烷基，优选地，芳基是六元环，更优选地，芳基是未经取代的六元环；变量p和s可相同或不同并且独立地是一或更大、优选地1至10的整数，变量e是0至3、优选地1至2的整数，更优选地，e是1并且变量a、b、c和d可相同或不同并且是1或更大、优选地1至10的数字；当R13和R14是亚烷氧基时，亚烷氧基的末端碳可连在一起以形成环，其限制条件为当R13和R14连接在一起以形成环时，R′也是亚烷氧基；R15-R22可相同或不同并且包括氢、直链或支链(C1-C5)烷基、直链或支链羟基(C1-C5)烷基或直链或支链(C1-C5)烷氧基；并且z可为碳原子或氮原子。
二胺还包括(但不限于)具有下式的杂环饱和非芳香族化合物：
其中R23和R24可相同或不同并且是氢或氨基(C1-C10)烷基，优选地，R23和R24是氢或氨基(C1-C3)烷基。
一般来说，反应产物是通过在搅拌和加热下或在室温下在搅拌下将一种或多种双酸酐化合物混合在如二甲基甲酰胺(DMF)的有机溶剂中来制备。随后在加热和搅拌下将一种或多种二胺逐滴添加到混合物中。加热通常在50℃至150℃的范围内进行。此混合物可接着加热2小时至15小时，随后在搅拌下使温度下降到室温。可通过添加无水乙醇沉淀产物。反应物的量可变化，但是一般添加足量的每一种反应物以得到产物，其中双酸酐反应物与胺反应物的摩尔比范围介于1∶0.1至1∶2、优选地1∶0.5至1∶2。
反应产物可为具有内盐的聚合物，如具有下式的那些：
其中R和R′如上文所定义并且变量v是2或更大。优选地，v是2至200。
镀覆组合物和方法可用于提供在衬底(如印刷电路板)上基本上调平的镀覆金属层。另外，镀覆组合物和方法可用于用金属填充衬底中的孔口。另外，金属沉积物具有良好的均镀能力。
上面可电镀金属的任何衬底都可用于本发明。这类衬底包括(但不限于)：印刷布线板、集成电路、半导体封装、引线框架和互连件。集成电路衬底可为用于双镶嵌制造工艺的晶片。这类衬底通常含有许多具有多种尺寸的特征，特别是孔口。PCB中的通孔可具有多种直径，如50μm至2mm直径。这类通孔的深度可不同，如35μm至15mm或更大。PCB可含有多种尺寸的盲通道，如至多200μm直径和150μm深度。
金属镀覆组合物含有金属离子来源、电解质和调平剂，其中调平剂是如上所述的反应产物。金属镀覆组合物可含有卤离子来源、加速剂和抑制剂。可由组合物电镀的金属包括(但不限于)铜、锡以及锡/铜合金。
合适的铜离子来源是铜盐并且包括(但不限于)：硫酸铜；卤化铜，如氯化铜；乙酸铜；硝酸铜；四氟硼酸铜；烷基磺酸铜；芳基磺酸铜；氨基磺酸铜；高氯酸铜和葡萄糖酸铜。示例性烷基磺酸铜包括(C1-C6)烷基磺酸铜，并且更优选地(C1-C3)烷基磺酸铜。优选的烷基磺酸铜是甲磺酸铜、乙磺酸铜和丙磺酸铜。示例性芳基磺酸铜包括(但不限于)苯磺酸铜和对甲苯磺酸铜。可使用铜离子来源的混合物。可以将除铜离子以外的金属离子的一种或多种盐添加到本发明电镀浴中。通常，铜盐的存在量足以提供10至400g/L镀覆溶液的铜金属的量。
合适的锡化合物包括(但不限于)盐，如卤化锡、硫酸锡、烷磺酸锡(如甲烷磺酸锡)、芳基磺酸锡(如苯磺酸锡和甲苯磺酸锡)。这些电解质组合物中锡化合物的量通常是提供在5到150g/L范围内的锡含量的量。锡化合物的混合物可以如上文所述的量使用。
可用于本发明的电解质可为碱性或酸性的。通常，电解质是酸性的。合适的酸性电解质包括(但不限于)：硫酸、乙酸、氟硼酸、烷磺酸(如甲磺酸、乙磺酸、丙磺酸和三氟甲磺酸)、芳基磺酸(如苯磺酸和对甲苯磺酸)、氨基磺酸、盐酸、氢溴酸、高氯酸、硝酸、铬酸和磷酸。酸的混合物适宜用于本发明的金属镀覆浴中。优选的酸包括硫酸、甲磺酸、乙磺酸、丙磺酸、盐酸及其混合物。酸的存在量可在1至400g/L范围内。电解质一般可购自多种来源并且无需进一步纯化即可使用。
这类电解质可任选地含有卤离子来源。通常使用氯离子。示例性氯离子来源包括氯化铜、氯化锡、氯化钠和盐酸。本发明中可使用广泛范围的卤离子浓度。通常，卤离子浓度是在以镀覆浴计0到100ppm的范围内。这类卤离子来源一般是市售的并且无需进一步纯化即可使用。
镀覆组合物优选地含有加速剂。任何加速剂(也称为光亮剂)都适用于本发明。这类加速剂是所属领域的技术人员所熟知的。加速剂包括(但不限于)N，N-二甲基-二硫基氨基甲酸-(3-磺丙基)酯；3-巯基-丙基磺酸-(3-磺丙基)酯；3-巯基-丙基磺酸钠盐；碳酸二硫基-O-乙酯-S-酯与3-巯基-1-丙烷磺酸钾盐；双磺丙基二硫化物；双-(钠磺丙基)-二硫化物；3-(苯并噻唑基-S-硫基)丙基磺酸钠盐；吡啶鎓丙基磺基甜菜碱；1-钠-3-巯基丙烷-1-磺酸盐；N，N-二甲基-二硫基氨基甲酸-(3-磺乙基)酯；3-巯基-乙基丙基磺酸-(3-磺乙基)酯；3-巯基-乙基磺酸钠盐；碳酸-二硫基-O-乙酯-S-酯与3-巯基-1-乙烷磺酸钾盐；双磺乙基二硫化物；3-(苯并噻唑基-S-硫基)乙基磺酸钠盐；吡啶鎓乙基磺基甜菜碱；和1-钠-3-巯基乙烷-1-磺酸盐。加速剂可以多种量使用。一般来说，加速剂是以0.1ppm至1000ppm的量使用。优选地，加速剂浓度在0.5ppm至100ppm范围内。更优选地，加速剂浓度在0.5ppm至50ppm范围内，并且最优选地在0.5ppm至25ppm范围内。
能够抑制金属镀覆速率的任何化合物都可用作本发明电镀组合物中的抑制剂。合适的抑制剂包括(但不限于)聚丙二醇共聚物和聚乙二醇共聚物，包括环氧乙烷-环氧丙烷(“EO/PO”)共聚物和丁醇-环氧乙烷-环氧丙烷共聚物。合适的丁醇-环氧乙烷-环氧丙烷共聚物是重量平均分子量为100至100,000、优选地500至10,000的那些。当使用这类抑制剂时，其存在量通常是在以组合物的重量计1至10,000ppm并且更通常5至10,000ppm范围内。
一般来说，反应产物的数目平均分子量(Mn)是200至10,000、通常300至50,000、优选地500至8000，但可使用具有其它Mn值的反应产物。这类反应产物的重量平均分子量(Mw)值可在1000至50,000、通常5000至30,000范围内，但可使用其它Mw值。
用于金属电镀组合物的反应产物(调平剂)的量取决于所选特定调平剂、电镀组合物中金属离子的浓度、所用特定电解质、电解质的浓度和所施加的电流密度。一般来说，电镀组合物中调平剂的总量介于以镀覆组合物的总重量计0.01ppm至5,000ppm范围内，但可使用更大或更小的量。优选地，调平剂的总量是0.1至1000ppm，更优选地0.1至500ppm，最优选地0.1至100ppm。除了调平活性之外，反应产物还可充当抑制剂。
电镀组合物可通过按任何次序组合组分来制备。优选地，首先向浴容器中添加无机组分，如金属离子来源、水、电解质和任选的卤离子来源，接着添加有机组分，如调平剂、加速剂、抑制剂和任何其它有机组分。
电镀组合物可任选地含有两种或更多种调平剂。这类额外流平剂可为本发明的另一种调平剂，或者可为任何常规调平剂。可与本发明调平剂组合使用的合适的常规调平剂包括(但不限于)Step等人的美国专利第6,610,192号、Wang等人的美国专利第7,128,822号、Hayashi等人的美国专利第7,374,652号和Hagiwara等人的美国专利第6,800,188号中所公开的那些。这类调平剂的组合可用于修整镀覆浴的特征，包括调平能力和均镀能力。
通常，镀覆组合物可在10至65℃或更高的任何温度下使用。优选地，镀覆组合物的温度是10至35℃并且更优选地15至30℃。
一般来说，在使用期间搅动金属电镀组合物。可使用任何合适的搅动方法并且这类方法在所属领域中是众所周知的。合适的搅动方法包括(但不限于)空气喷射、工件搅动和冲击。
通常，通过使衬底与镀覆组合物接触来电镀衬底。衬底通常充当阴极。镀覆组合物含有阳极，其可为可溶或不溶的。通常向电极施加电势。施加足够的电流密度并且进行镀覆持续一段足以在衬底上沉积具有所需厚度的金属层以及填充盲通道、沟槽和通孔或保形镀覆通孔的时间。电流密度包括(但不限于)0.05至10A/dm2，但可使用更高和更低的电流密度。特定电流密度部分取决于待镀覆的衬底、镀覆浴的组成和所需表面金属厚度。这类电流密度选择在所属领域的技术人员的能力内。
本发明的优势是可在PCB和其它衬底上获得基本上调平的金属沉积物。“基本上调平的”金属层意思指阶梯高度，即密集型极小孔口的面积与不含或基本上不含孔口的面积之间的差，小于5μm并且优选地小于1μm。PCB中的通孔和/或盲通道基本上被填充。本发明的另一个优势是可填充广泛范围的孔口和孔口尺寸。
均镀能力被定义为在通孔中心镀覆的金属的平均厚度与在PCB样品表面镀覆的金属的平均厚度相比的比率并且以百分比形式报告。均镀能力越高，镀覆组合物能够越好地保形镀覆通孔。
化合物提供在整个衬底上、甚至在具有小特征的衬底上和在具有多种特征尺寸的衬底上具有基本上调平表面的金属层。镀覆方法有效地将金属沉积在通孔和盲通道中，使得金属镀覆组合物具有良好的均镀能力和减少的开裂。
虽然本发明的方法已大体上参照印刷电路板制造加以描述，但是应了解，本发明可用于需要基本上调平或平坦的金属沉积物和经填充或保形镀覆的孔口的任何电解工艺中。这类方法包括(但不限于)半导体封装和互连件制造以及在塑料上镀覆。
以下实例意图进一步说明本发明，但并不意图限制其范围。
实例1
将乙二胺四乙酸(EDTA)双酸酐(10mmol)溶解于30mL二甲基甲酰胺(DMF)中并将10mmol己二胺(结构A)溶解于30mL DMF中。将EDTA双酸酐溶液逐滴添加到己二胺溶液中。在氮气氛围下在60℃下搅拌混合物12小时。通过添加60mL无水乙醇使反应产物沉淀，随后用丙酮洗涤并且在真空下干燥。反应产物包括如由结构(B)所示的内盐。
变量v如上文所定义。
实例2
将EDTA双酸酐(10mmol)溶解于30mL二甲基甲酰胺(DMF)中并将10mmol下文所示的二胺(结构C)溶解于30mL DMF中。将EDTA双酸酐溶液逐滴添加到二胺溶液中。在氮气氛围下在60℃下搅拌混合物12小时。通过添加60mL无水乙醇使反应产物沉淀，随后用丙酮洗涤并且在真空下干燥。反应产物包括如由结构(D)所示的内盐。
变量v如上文所定义。
实例3
将EDTA双酸酐(10mmol)溶解于30mL二甲基甲酰胺(DMF)中并将10mmol下文所示的二胺(结构E)溶解于30mL DMF中。将EDTA双酸酐溶液逐滴添加到二胺溶液中。在氮气氛围下在60℃下搅拌混合物12小时。通过添加60mL无水乙醇使反应产物沉淀，随后用丙酮洗涤并且在真空下干燥。反应产物包括如由结构(F)所示的内盐。
变量v如上文所定义。
实例4
将EDTA双酸酐(10mmol)溶解于30mL二甲基甲酰胺(DMF)中并将10mmol下文所示的二胺(结构G)溶解于30mL DMF中。将EDTA双酸酐溶液逐滴添加到二胺溶液中。在氮气氛围下在60℃下搅拌混合物12小时。通过添加60mL无水乙醇使反应产物沉淀，随后用丙酮洗涤并且在真空下干燥。反应产物包括如由结构(H)所示的内盐。
变量v如上文所定义。
实例5
将EDTA双酸酐(10mmol)溶解于30mL二甲基甲酰胺(DMF)中并将10mmol下文所示的二胺(结构I)溶解于30mL DMF中。将EDTA双酸酐溶液逐滴添加到二胺溶液中。在氮气氛围下在60℃下搅拌混合物12小时。通过减压蒸发DMF获得产物。反应产物包括如由结构(J)所示的内盐。
变量v如上文所定义。
实例6
将EDTA双酸酐(10mmol)溶解于30mL二甲基甲酰胺(DMF)中并将10mmol下文所示的二胺(结构K)溶解于30mL DMF中。将EDTA双酸酐溶液逐滴添加到二胺溶液中。在氮气氛围下在60℃下搅拌混合物12小时。通过减压蒸发DMF获得产物。反应产物包括如由结构(L)所示的内盐。
变量v如上文所定义。
实例7
将EDTA双酸酐(10mmol)溶解于30mL二甲基甲酰胺(DMF)中并将10mmol下文所示的二胺(结构M)溶解于30mL DMF中。将EDTA双酸酐溶液逐滴添加到二胺溶液中。在氮气氛围下在60℃下搅拌混合物12小时。通过减压蒸发DMF获得产物。反应产物包括如由结构(N)所示的内盐。
其中x＝2.5。
变量v如上文所定义并且“x”如上文所定义。
实例8
将EDTA双酸酐(10mmol)溶解于30mL二甲基甲酰胺(DMF)中并将10mmol下文所示的二胺(结构O)溶解于30mL DMF中。将EDTA双酸酐溶液逐滴添加到二胺溶液中。在氮气氛围下在60℃下搅拌混合物12小时。通过减压蒸发DMF获得反应产物。反应产物包括如由结构(P)所示的内盐。
其中y＝12.5并且x+z＝6，其中x＝2.5并且z＝3.5。
变量v如上文所定义并且“x”、“y”和“z”如上文所定义。
实例9
制备具有下表1中所公开的基础配方的十八种含水酸性铜电镀浴。
表1
组分 量
纯化的硫酸铜五水合物 73g/L
硫酸 235g/L
呈盐酸形式的氯离子 60ppm
分子量＜5000并具有末端羟基的EO/PO共聚物 1.5g/L
浴液的pH值小于1。浴液不同之处在于浴液中所包括的反应产物(调平剂)和光亮剂的量。光亮剂是双(钠-磺丙基)二硫化物。每一种浴液中所包括的调平剂和光亮剂的量和类型公开在下表2中。
将具有300μm平均通孔直径的3.2mm厚测试板浸没在含水酸性铜电镀浴中。在25℃下进行铜镀覆80分钟。电流密度为2.16ASD。根据以下方法分析铜镀覆样品以测定镀覆浴的均镀能力(“TP”)和开裂百分比。
均镀能力是通过测定在通孔中心镀覆的金属的平均厚度与在测试板表面镀覆的金属的平均厚度相比的比率来计算。均镀能力以百分比形式报告在表2中。
开裂是根据行业标准程序IPC-TM-650-2.6.8.(热应力、镀覆通孔(ThermalStress，Plated-Through Holes)，由IPC(美国伊利诺伊州诺斯布鲁克(Northbrook，Illinois，USA))在2004年5月出版，修订E)测定。每一镀覆板在288℃下浮焊六次以测定板的开裂抗性。如果未观测到开裂，那么板通过热应力测试。如果观测到任何开裂，那么板测试失败。均镀能力测试和热应力测试的结果公开在表2中。
表2
虽然各板浮焊测试的质量不同，但是TP％介于良好至极好。TP大于100％指示孔内部的铜厚度高于表面。TP大于100％还指示调平剂显示强极化。

Claims (9)

1.一种或多种包含伯胺或仲胺部分的二胺与一种或多种具有下式的化合物的反应产物：
其中R是连接基团。
2.根据权利要求1所述的反应产物，其中R包含：
其中R1、R2、R3和R4可相同或不同并且包含氢、直链或支链(C1-C4)烷基、羟基、羟基(C1-C3)烷基、羧基、羧基(C1-C3)烷基或(C1-C3)烷氧基；R5和R6可相同或不同并且包含氢、羧基和羧基(C1-C3)烷基；R7、R8、R9和R10可相同或不同并且包含氢、直链或支链(C1-C5)烷基、直链或支链羟基(C1-C5)烷基、羧基(C1-C3)烷基、直链或支链(C1-C5)烷氧基；R11和R12可相同或不同并且包含氢或直链或支链(C1-C5)烷基，Ar是具有5至6个碳原子的芳基；n和间可相同或不同并且是1至15的整数；并且q、r和t可相同或不同，是1至10的整数。
3.根据权利要求1所述的反应产物，其中所述一种或多种二胺包含下式：
其中R’是连接基团并且R13和R14可相同或不同并且包含氢、直链或支链(C1-C12)烷基、亚烷氧基或经取代或未经取代的(C6-C18)芳基。
4.根据权利要求3所述的反应产物，其中R’包含：
或
经取代或未经取代的(C6-C18)芳基；其中R15-R22可相同或不同并且包含氢、直链或支链(C1-C5)烷基、直链或支链羟基(C1-C5)烷基或直链或支链(C1-C5)烷氧基；并且Z是碳原子或氮原子；并且p和s可相同或不同并且独立地是一或更大的整数，e是0至3的整数，并且a、b、c和d可相同或不同并且是1或更大的数字。
5.根据权利要求1所述的反应产物，其中所述一种或多种二胺包含下式：
其中R23和R24可相同或不同并且是氢或氨基(C1-C10)烷基，优选地，R23和R24是氢或氨基(C1-C3)烷基。
6.一种组合物，包含一种或多种金属离子来源、电解质和一种或多种包含伯胺或仲胺部分的二胺与一种或多种具有下式的化合物的反应产物：
其中R是连接基团。
7.一种方法，包含：
a)使有待金属镀覆的衬底与包含以下的组合物接触：一种或多种金属离子来源、电解质和一种或多种包含伯胺或仲胺部分的二胺与一种或多种具有下式的化合物的一种或多种反应产物的反应产物：
其中R是连接基团；
b)使所述衬底与所述组合物接触；
c)向所述衬底施加电流；以及
d)在所述衬底上镀覆金属。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述电镀组合物的一种或多种金属离子来源选自铜盐和锡盐。
9.根据权利要求7所述的方法，其中所述衬底包含多个通孔和通道。
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