CN107526018B9 - 探针卡、使用该探针卡的检查装置及检查方法 - Google Patents

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Abstract

提供一种被控制为所希望温度而使温度分布均匀化的探针卡、使用该探针卡的检查装置及检查方法。探针卡(1)包括：支承基板(3)；包含布线(2)而设于支承基板(3)的主面(8)的布线层(4)；配置在布线层(4)的与支承基板(3)侧相反一侧的面(11)并与布线(2)连接的探针(5)；多个加热器(6)。在探针卡(1)中，通过俯视下纵横排列的多个加热器区域(10)被假想地分割为加热器区域，各个加热器区域(10)分别配置有多个加热器(6)中的至少一个。使用探针卡(1)构成检查装置，使用该检查装置进行被检查体的检查。

Description

探针卡、使用该探针卡的检查装置及检查方法
技术领域
本发明涉及探针卡(probe card)、检查装置及检查方法。尤其涉 及在使用了探针卡的半导体芯片的电气试验中，能够进行高温试验的 探针卡、使用该探针卡的检查装置及检查方法，所述高温试验为在对 半导体晶片加热而高温的状态下进行半导体芯片的电气试验。
背景技术
对于制作于半导体晶片的IC等许多半导体芯片，在从半导体晶 片切断、分离之前，作为被检查体而接受用于确认是否具有如说明书 所述的性能的电气试验。作为这样的电气试验，例如采用对向半导体 晶片上的半导体芯片的电极供给检查信号并进行检测而得的信号进 行分析的方法。
在上述这样的半导体芯片的电气试验中，为了实现半导体芯片的 电极与连接于探测器的测试头等的试验用的布线基板(或电路等)之 间的电连接，使用探针卡作为检查工具。探针卡包括：支承基板；设 于支承基板的一个面即主面的布线层；分别与布线层的布线连接的多 个探针。
在探针卡中，使设有探针一侧的面即主面与形成有被检查体即半 导体芯片的半导体晶片相对。例如，半导体晶片通过利用负压的吸附 机构等机构而稳定地载置于XYZ台之上，所述XYZ台能够向彼此正 交的X轴、Y轴及Z轴的各个方向驱动。由此，使探针卡的许多探针 分别从上方与半导体芯片的各个检查用电极接触，实现半导体芯片的 电极与探测器的测试头等装置之间的电连接。
在这样的使用了探针卡的半导体芯片的电气试验中，除了室温、 低温的试验之外，例如有对半导体晶片加热而对半导体芯片加热，在 高温状态下进行电气试验的高温试验。
以往，对于形成有被检查体即半导体芯片的半导体晶片的加热， 通过在载置该半导体晶片的XYZ台上设置的加热器进行加热。这样 的被加热器加热的半导体晶片，受到加热导致的影响，形成于半导体 晶片的半导体芯片的检查用电极之间的间隔发生膨胀。因此，在半导 体晶片与探针卡的温度产生了差异的情况下，有时在探针卡上的探针 间的间隔与半导体芯片的电极间的间隔产生偏差。在产生了这样的偏 差的情况下，无法使探针的针尖与半导体芯片的电极准确抵接来电连 接，成为问题。
作为应对这样的因被检查体的加热而导致探针的抵接位置偏差 的问题的技术，例如如日本特开2012－256799号公报(以下，专利 文献1)所示，公知有在探针卡内置加热器，将探针卡加热到所希望 的温度的技术。
即，在专利文献1的探针卡中，可以使用埋设于支承基板的1个 加热器进行探针卡的加热。由此，例如在半导体芯片的高温试验中， 根据将半导体晶片加热到规定的温度的、内置于XYZ台的加热器的 温度，探针卡将支承基板加热到规定的温度，进而探针卡被加热到与 半导体晶片相同的温度。由此，即使被检查体被加热，探针的抵接位 置也不会产生偏差。
然而，在专利文献1中，在利用内置于XYZ台的加热器进行半 导体晶片的加热的情况下，有时探针卡受到影响。作为利用这样的 XYZ台内置的加热器进行加热的影响，例如有如下等：发生来自探针 卡内部的各种构成部件、探测器的放射热。
根据上述，在以往的探针卡中有如下状况：在利用埋设于支承基 板的加热器进行加热之前，由于因内置于XYZ台的加热器对半导体 晶片的加热的影响而产生温度的不均匀分布。
因而，在以往的探针卡中，在使用埋设于支承基板的1个加热器 进行加热时，会受到原本存在于支承基板的不均匀温度分布的影响。
在以往的探针卡中，针对这样的原本存在的不均匀温度分布，在 排除上述的原本存在于支承基板的不均匀温度分布的影响较为困难， 在支承基板中难以形成均匀化的温度分布。
此外，针对温度分布不均匀的探针卡，在使用埋设于支承基板的 1个加热器进行了加热时，有时产生比目标温度高出很多的成为高温 的区域。这样的支承基板中的高温区域的发生，使得支承基板的温度 分布更不均匀，有时引起支承基板的裂纹、探针卡的破损。
发明内容
发明所要解决的课题
本发明的目的在于提供一种控制为所希望温度而使温度分布均 匀化的探针卡，提供一种检查装置及检查方法。此外，本发明的其他 目的及优点，将通过以下的记载而得以清楚。
用于解决课题的手段
本发明的第一方案的探针卡，包括：
支承基板；
布线层，其包含布线而设置于所述支承基板的一个面；
探针，其配置在所述布线层的与所述支承基板侧相反一侧的面， 并与所述布线连接；
多个加热器区域，在俯视下被假想地分割，所述多个加热器区域 纵横排列；以及
多个第一加热器，在所述加热器区域的各个加热器区域分别配置 有多个第一加热器中的至少一个第一加热器。
在本发明的第一方案的探针卡中优选是，还包括分别单独控制所 述多个第一加热器的各自的发热量的多个控制装置。
在本发明的第一方案的探针卡中优选是，所述多个第一加热器与 所述多个加热器区域分别对应地分别埋设于所述支承基板。
在本发明的第一方案的探针卡中优选是，还包括与所述多个加热 器区域分别对应地配置的多个温度传感器。
在本发明的第一方案的探针卡中优选是，所述加热器区域具有俯 视下为矩形状的形状，该形状的一边处于10mm～40mm的范围。
在本发明的第一方案的探针卡中优选是，在所述支承基板中，在 与所述加热器区域之间的边界对应的部分设有隔热件。
在本发明的第一方案的探针卡中优选是，在所述支承基板中，在 与所述加热器区域之间的边界对应的部分设有隔热件，所述隔热件形 成为与所述多个加热器区域对应地划分所述支承基板内的隔壁状。
本发明的第二方案为一种检查装置，使用探针卡对被检查体进行 检查，所述检查装置包括：
载置所述被检查体的XYZ台；
上述第一方案所述的探针卡，所述探针卡还具有分别单独控制所 述多个第一加热器的各自的发热量的多个控制装置；以及
被输入所述探针卡的目标温度的温度控制部。
在本发明的第二方案的检查装置中优选是，所述XYZ台包括以 能够对所述被检查体进行加热的方式载置所述被检查体的第二加热 器。
在本发明的第二方案的检查装置中优选是，所述探针卡具有与所 述支承基板的所述多个加热器区域分别对应地配置的多个温度传感 器，所述控制装置基于所述目标温度和所述多个温度传感器的各自的 输出，分别单独控制所述多个第一加热器的各自的发热量。
在本发明的第二方案的检查装置中优选是，在所述探针卡的所述 支承基板中，在与所述加热器区域之间的边界对应的部分设有隔热 件。
本发明的第三方案为一种检查方法，使用探针卡对被检查体进行 检查，所述检查方法包括如下工序：
使用上述第一方案所述的探针卡，所述探针卡还具有分别单独控 制所述多个第一加热器的各自的发热量的多个控制装置及多个温度 传感器，
以使所述探针卡成为目标温度的方式分别单独控制所述多个加 热器区域的各自的温度，对被检查体进行检查，
分别单独控制所述多个加热器区域的各自的温度的温度控制包 括如下工序：
设定所述目标温度的温度设定工序；
基于所述目标温度向所述第一加热器供给电流的电流供给工序；
使用供给了所述电流的第一加热器，对设有所述第一加热器的加 热器区域进行加热的加热器加热工序；
使用配置于所述加热器区域的温度传感器，基于所述温度传感器 的输出来测定所述加热器区域的温度的温度测定工序，
所述检查方法还包括如下的判断工序：在所述温度测定工序之 后，进行判断，在所述加热器区域的温度与所述目标温度相等时，重 复进行所述温度测定工序，在所述加热器区域的温度与所述目标温度 不同时，按所述电流供给工序、所述加热器加热工序及所述温度测定 工序的顺序重复进行。
发明的效果
根据本发明，提供一种控制为所希望温度而使温度分布均匀化的 探针卡，提供一种检查装置及检查方法。
附图说明
图1是示意性表示本发明的第1实施方式的探针卡的构造的截面 图。
图2是示意性表示本发明的第1实施方式的探针卡被假想地分割 为多个加热器区域的构造的图。
图3是示意性表示本发明的第1实施方式的探针卡被假想地分割 为多个加热器区域的构造的另一例子的图。
图4是示意性表示本发明的第2实施方式的探针卡的构造的截面 图。
图5是示意性表示设于支承基板的隔热件的构造的俯视图。
图6是示意性表示隔热件的另一例子的截面形状的图。
图7是示意性表示本发明的第3实施方式的检查装置的要部构造 的截面图。
图8是示意性表示本发明的第4实施方式的检查装置的要部构造 的截面图。
图9是说明本发明的第5实施方式的检查方法的、对多个加热器 区域的各自的温度控制方法的流程图的一例。
图10是示意性表示在对形成有被检查体的半导体芯片的半导体 晶片加热进行的电气试验中产生于探针卡的温度分布的例子的图。
图11是示意性表示在对形成有被检查体的半导体芯片的半导体 晶片加热进行的电气试验中产生于探针卡的温度分布的另一例子的 图。
附图标记的说明
1，100，1001 探针卡
2 布线
3，103，1003 支承基板
4 布线层
5 探针
6 加热器
7 温度传感器
8，108，304， 主面
9，109， 连接端子面
10 加热器区域
11 面
15 控制装置
16 电源
17 控制电路
110 空间
130，130－2 隔热件
300，400 检查装置
301 XYZ台
302 半导体晶片
303 温度控制部
1021 第一温度区域
1022 第二温度区域
1023 第三温度区域
1024 第四温度区域
1025 第五温度区域。
具体实施方式
图10是示意性表示在对形成有被检查体的半导体芯片的半导体 晶片加热进行的电气试验中产生于探针卡的温度分布的例子的图。
图10示意性表示在一般的检查装置中的、产生于探针卡1001的 支承基板1003的温度分布的例子。即，图10的例子是使用在未图示 的XYZ台设置的加热器来加热半导体晶片时的、与半导体晶片相对 的探针卡的支承基板1003的状态，示意性表示在探针卡安装有加热 器的情况下，使用加热器加热探针卡1001之前产生的、支承基板1003 的不均匀的温度分布。
在图10中，在后述的第一温度区域1021、第二温度区域1022、 第三温度区域1023及第四温度区域1024中，各区域间的边界通常不 是以其为界线而具有明显温度差的清楚的边界。如上所述，第一温度 区域1021、第二温度区域1022、第三温度区域1023及第四温度区域 1024是示意性表示产生于支承基板1003的温度分布的划分，在上述 的各区域间的边界附近，通常是温度逐渐变化的。
如图10所示，探针卡1001的支承基板1003与检查对象的半导 体晶片为相同形状，具有俯视下为大致圆形的形状。而且，在探针卡 1001的支承基板1003，在使用所安装的未图示的加热器加热探针卡 1001之前，产生不均匀的温度分布。在图10所示的例子中，探针卡 1001的支承基板1003由第一温度区域1021由第二温度区域1022、 第三温度区域1023及第四温度区域1024构成。
在支承基板1003中，例如，包括其中心部分的大致圆形的区域 成为第一温度区域1021。并且，在其第一温度区域1021的外侧的周 围形成有例如第二温度区域1022。此外，例如在第二温度区域1022 的外侧的周围形成第三温度区域1023，在第三温度区域1023的外侧 的周围形成第四温度区域1024。
并且，比较第一温度区域1021、第二温度区域1022、第三温度 区域1023及第四温度区域1024的温度，例如第一温度区域1021为 最高温的区域。而且，例如第四区域1024为最低温的区域。
此外，例如，第二温度区域1022为比第一温度区域1021低温的 区域、且比第四温度区域1024高温的区域。进而，例如，第三温度 区域1023为比第二温度区域1022低温的区域、且比第四区域1024 高温的区域。即，在支承基板1003中，产生了例如按照第一温度区 域1021、第二温度区域1022、第三温度区域1023及第四温度区域1024 的顺序而温度逐渐变低的不均匀的温度分布。
在图10所例示的不均匀的温度分布的支承基板1003中，即使使 用通常所安装的1个加热器进行加热，也难以将整体加热到所希望的 温度使得温度分布均匀化。即，探针卡的1个加热器是实质上将整个 支承基板1003一起加热的部件，认为难以实现支承基板1003的温度 分布的均匀化。
图11是示意性表示在对形成有被检查体的半导体芯片的半导体 晶片加热进行的电气试验中产生于探针卡的温度分布的另一例子的 图。
图11与图10同样，示意性表示在一般的检查装置中，在使用所 安装的加热器加热探针卡1001之前，产生于支承基板1003的不均匀 的温度分布的另一例子。
在图11的例子中，与图10的例子相同，在加热探针卡1001之 前，在支承基板1003产生第一温度区域1021、第二温度区域1022、 第三温度区域1023及第四温度区域1024。此外，在图11的例子中， 示出了受到检查装置内部的各种构成部件的影响而在支承基板1003 还产生比周围低温的区域的第五温度区域1025的状态。因而，在图 11的例子中，在探针卡1001的支承基板1003产生更复杂的温度分布。
对于图11所例示的、产生更复杂温度分布的支承基板1003，即 使使用通常所安装的1个加热器对整个支承基板1003实质上一起加 热，也难以达到所希望的温度而使温度分布均匀化。
因此，本发明人进行了深入研究，结果发现：将探针卡假想地分 割为多个加热器区域，与多个加热器区域分别对应地配置多个加热 器，能够实现更精密的温度分布的控制。此外，还发现：通过上述的 与多个加热器区域分别对应地配置多个温度传感器来进行按各个加 热器区域的精密的温度控制，由此能够实现更进一步的精密的温度分 布的控制。
以下，参照适当的附图来说明本发明的实施方式。
实施方式1.
如上所述，本发明的第1实施方式的探针卡，假想地分割为多个 加热器区域，与多个加热器区域分别对应地配置多个加热器，实现精 密的温度分布的控制。
更具体而言，本发明的第1实施方式的探针卡中，与假象分割而 得的多个加热器区域分别对应地配置多个加热器，能够实现精密的温 度分布的控制。进而，该第1实施方式的探针卡中，能够具有与上述 的多个加热器区域分别对应配置的多个温度传感器，能够实现更精密 的温度分布的控制。
图1是示意性表示本发明的第1实施方式的探针卡的构造的截面 图。
如图1所示，本发明的第1实施方式的探针卡1包括：支承基板 3；布线层4，其包含布线2地设置于支承基板3的一个面即主面8； 探针5，其配置在布线层4的同支承基板3侧相反一侧的面11并与布 线2连接；多个加热器6。
如后述的图2所示，探针卡1，被假想地分割为俯视下纵横排列 的多个加热器区域10。图1中，各加热器区域10作为被虚线包围的 区域示出。
并且，在探针卡1中，在多个加热器区域10的各个加热器区域 10，分别配置上述多个加热器6中的至少一个加热器6。因而，探针 卡1具有与多个加热器区域10分别对应地配置的多个加热器6。
此外，探针卡1具有分别单独控制多个加热器6的各个加热器的 发热量的多个控制装置15。控制装置15控制加热器6的发热量，以 使得被加热器6加热而加热器区域10达到加热目标的温度、即目标 温度。
进而，探针卡1可以具有多个温度传感器7。因而，探针卡1可 以具有与多个加热器区域10分别对应地配置的多个温度传感器7。
具有以上构造的探针卡1，例如组装到检查装置(图1中未图示)， 用于对具有电极的被检查体(图1中未图示)进行电气试验等的检查。
以下，使用本发明的第1实施方式的探针卡1的构造，参照附图 进行详细说明。
如上所述，本发明的第1实施方式的探针卡1具有支承基板3。
支承基板3为绝缘性的基板，例如可以使用陶瓷材料构成。作为 支承基板3的构成材料，还可以举出聚酰亚胺等树脂材料。
在支承基板3中，例如设置有探针5的一侧的一个面即主面8的 相反一侧的面为连接端子面9。在连接端子面9可以设置用于与探测 器的测试头等装置(未图示)连接的连接端子(未图示)。
在支承基板3，以自设置于上述连接端子面9的连接端子在支承 基板3内在其板厚方向延伸到主面8的方式，设置有布线线路部分(未 图示)。
并且，在探针卡1，在支承基板3的主面8设有布线层4。布线 层4例如使用陶瓷材料、聚酰亚胺等树脂材料形成，在内部等包含有 布线2而构成。
并且，布线层4中与支承基板3侧相反一侧的面11上具有多个 探针连接盘(probe land)(未图示)。布线层4的布线2从各探针连 接盘伸长，连接到支承基板3内的上述布线线路部分的布线层4侧的 端部。并且，布线2与支承基板3内的布线线路部分一起构成探针卡 1的布线线路(未图示)。
在探针卡1中，探针5可以做成例如悬臂型，还可以做成垂直型 的探针。并且，多个探针5在布线层4的同支承基板3侧相反一侧的 面11处分别固定于多个探针连接盘的各个探针连接盘。因而，在探 针5为例如悬臂型的情况下，多个探针5分别在布线层4的同支承基 板3侧相反一侧的面11处以悬臂梁状支承，分别配置在规定的位置。
并且，探针5配置在布线层4的同支承基板3侧相反一侧的面11， 经由探针连接盘与布线2连接。如上所述，布线2构成探针卡1的布 线线路。因而，固定于布线层4的各探针连接盘的多个探针5分别通 过其布线线路而与在支承基板3的连接端子面9设置的多个连接端子 的各个连接端子电连接。
如上所述，以上构造的探针卡1被假想地分割为在俯视下纵横排 列的多个加热器区域。
图2是示意性表示本发明的第1实施方式的探针卡被假想地分割 为多个加热器区域的构造的图。
在图2中示意性示出如下结构：使用构成本发明的第1实施方式 的探针卡1的支承基板3，探针卡1通过多个加热器区域10而被假想 地分割为多个加热器区域。需要说明的是，在图2中，在多个加热器 区域10分别设置的蜿蜒(meander)状的加热器6由实线示意性示出。
图2中，与图1相同，各加热器区域10为俯视下由虚线包围的 矩形区域。并且，如图2及上述的图1所示，探针卡1的支承基板3 通过纵横等间隔规则排列的多个加热器区域10而被假想地分割为多 个加热器区域。
并且，例如如图2所示，多个加热器区域10具有实质上相同面 积、实质上为相同矩形状的形状。优选是，构成探针卡1的支承基板 3，通过纵横规则排列的多个加热器区域10而被假想分割为在加热器 区域之间不形成间隙(温度差的间隙)。因此，加热器区域10优选 具有矩形状的形状。
在加热器区域10具有矩形状的形状的情况下，优选是其一边为 10mm～40mm的范围。通过将各加热器区域10的尺寸设定为上述范 围，由此在支承基板3例如具有半径约30cm的圆形形状的情况下， 能够通过100个～600个左右的加热器区域10将支承基板3假想分割 为多个加热器区域。
并且，通过使加热器区域10的尺寸为上述范围，设置许多加热 器区域10，由此如后所述，能够使支承基板3的温度分布更加均匀化。 需要说明的是，从使支承基板3的温度分布进一步均匀化、且维持制 造的容易性的观点考虑，更优选是加热器区域具有俯视下为矩形状的 形状，其一边处于10mm～30mm的范围。
并且，如图2所示，多个加热器区域10可以以如下方式排列， 即，由在X轴方向并列的多个加热器区域10构成的加热器区域10的 列在Y轴方向上多段相连。在该情况下，如图2所示，支承基板3被 如下方式排列的多个加热器区域10假想地分割，即，多个加热器区 域10是以由在X轴方向并列的多个加热器区域10构成的加热器区域 10的列在Y轴方向上多段相连地方式排列。
并且，如上所述，各加热器区域10具有在俯视下实质上为相同 矩形状的形状。因而，在支承基板3中，多个加热器区域10分别在 纵横上以等间隔规则排列，将支承基板3假想地分割。即，探针卡1 的支承基板3被在俯视下在纵横上以等间隔规则排列的多个加热器区 域10而假想地分割为多个加热器区域。
在探针卡1中，如图2所示，关于以在Y轴方向相连的方式排列 的加热器区域10的列，可以设置成：在相邻的加热器区域10的列间， 加热器区域10的配置间距一致而没有偏差。在该情况下，多个加热 器区域10在支承基板3上在X轴方向及Y轴方向配置成矩阵状，能 够将支承基板3假想地分割。
在此，关于探针卡1中的多个加热器区域10的排列构造，不限 于图2所例示的构造。
图3是示意性表示本发明的第1实施方式的探针卡被假想地分割 为多个加热器区域的构造的另一例子的图。
需要说明的是，在图3中，在多个加热器区域10的各个加热器 区域设置的蜿蜒状的加热器6通过实线而示意性示出。
在多个加热器区域10的排列构造中，关于以在Y方向上相连的 方式排列的加热器区域10的列，如图3所例示，可以构成为在相邻 的加热器区域10的列间，加热器区域10的配置间距各错开一半间距。 通过做成图3所示的加热器区域10的排列构造，由此分别为矩形状 的多个加热器区域10，例如对于大致圆形的支承基板3，能够减少残 余区域地以更高效率将支承基板3假想分割为多个加热器区域。
并且，如上所述，探针卡1中，与支承基板3的多个加热器区域 10分别对应地配置多个加热器6。
多个加热器6优选是与多个加热器区域10分别对应地分别埋设 于支承基板3。在该情况下，优选是设置成，如图1所示，成为加热 器6的连接端子的部分从连接端子面9露出。
需要说明的是，配置于各加热器区域10的加热器6的数量，如 图1所例示的探针卡1，不限于1个，可以在加热器区域10配置2 个以上的加热器6。此外，不需要在多个加热器区域10的全部加热器 区域，配置相同数量的加热器6，加热器区域10之间所配置的加热器 6的数量可以不同。在探针卡1中，在加热器区域10的各个加热器区 域，配置多个加热器6中的至少一个加热器。
在探针卡1中，加热器6可以具有漩涡状或蜿蜒状的形状。即， 加热器6为蜿蜒状的情况下，形成为在两端子之间沿X轴方向延伸时， 可以形成为在±Y轴方向折返并反复弯曲的锯齿状的图案。
并且，优选是，如图1所示，加热器6的两端的成为连接端子的 部分，设置成分别从连接端子面9露出。
加热器6可以使用镍铬系合金(镍铬线)、铬－铝－铁系合金(坝 塔尔合金线)、钼(Mo)、钽(Ta)或钨(W)等电阻发热体。
由这样的材料构成的加热器6为与支承基板3的布线线路部分相 同的材料，即，支承基板3由陶瓷构成时，例如可以使用钼、钨等在 形成布线线路部分的同时形成。在这种情况下，通过用与布线线路部 分相同的材料同时将加热器6形成为漩涡状或上述的蜿蜒状，由此能 够使发热量比布线线路部分更大，由此能够容易形成加热器6。
此外，如上所述，探针卡1具有分别单独控制多个加热器6的各 自的发热量的多个控制装置15。多个控制装置15分别以所连接的1 个加热器6加热具有该1个加热器6的1个加热器区域10、使该加热 器区域10成为目标温度的方式，控制该1个加热器6的发热量。
多个控制装置15分别由电源16和控制电路17构成。在多个控 制装置15的各个控制装置中构成为，控制电路17连接于对应的1个 电源16，电源16连接于对应的1个加热器6的两端的端子。因而， 探针卡1具有多个控制装置15，结果，具有多个电源16及多个控制 电路17。
多个控制电路17分别独立地对多个电源16的各个电源进行控 制。即，多个控制电路17分别独立地对多个电源16中的所连接的1 个电源16，以进行向加热器6的电流供给的方式进行控制。
多个电源16分别独立地对多个加热器6的各个加热器供给用于 加热器6发热的电流。即，多个电源16分别独立地对多个加热器6 中的所连接的1个加热器6供给用于发热的电流。
因而，探针卡1构成为：多个控制装置15分别单独地控制多个 加热器6的各个加热器的发热量。
并且，在探针卡1中，可以控制多个加热器6的各个加热器，使 各加热器区域10的温度为例如80℃～150℃的范围中的所希望的温 度。结果，探针卡1能够具有以在80℃～150℃的范围中的所希望的 温度被均匀化的温度分布。
此外，如上所述，探针卡1具有与多个加热器区域10分别对应 地配置的多个温度传感器7。多个温度传感器7分别与同设有该温度 传感器的加热器区域10对应配置的控制装置15的控制电路17连接。
各温度传感器7优选是配置成能够对设有该温度传感器的加热器 区域10的温度进行测量。例如，如图1所示，多个温度传感器7优 选是与多个加热器区域10分别对应地，分别埋设于支承基板3。在该 情况下，优选是，温度传感器7的成为连接端子的部分如图1所示设 置成从连接端子面9露出。
温度传感器7是可以检测设有该温度传感器的加热器区域10的 温度的温度检测装置，检测元件可以使用例如热电偶、热敏电阻等。
在探针卡1中，控制电路17接受来自与其连接的温度传感器7 的输出，可以测量设有该温度传感器7的加热器区域10的温度。例 如，控制电路17可以测定温度传感器7的电流值，作为来自与其连 接的温度传感器7的输出，并根据该电流值测量设有温度传感器7的 加热器区域10的温度。
需要说明的是，配置于各加热器区域10的温度传感器7的数量， 如图1所例示的探针卡1，不限于1个，可以在加热器区域10配置2 个以上的温度传感器7。此外，不需要在多个加热器区域10的全部加 热器区域设置相同数量的温度传感器7，在多个加热器区域10之间配 置的温度传感器7的数量可以不同。因而，在探针卡1中，在多个加 热器区域10的各个加热器区域配置多个温度传感器7中的至少一个 温度传感器。
具有以上构造的探针卡1，以与多个加热器区域10分别对应的方 式设置的多个控制装置15的控制电路17，基于探针卡1的目标温度， 分别独立地控制与该控制电路17连接的多个电源16。在该情况下， 与1个加热器区域10对应设置的1个控制装置的1个控制电路17基 于探针卡1的目标温度来控制与其连接的1个电源16。
并且，由多个控制电路17分别控制的多个电源16，分别独立地 向与它们连接的多个加热器6分别供给电流。在该情况下，与1个加 热器区域10对应设置的1个控制装置的1个电源16向与其连接的1 个加热器6供给电流。
被供给了电流的多个加热器6分别独立地相应于来自电源16的 电流的供给量而发热。结果，多个加热器6分别独立地对多个加热器 区域10分别进行加热。在该情况下，1个加热器6对设有该加热器的 1个加热器区域10进行加热。
如以上所述，探针卡1的多个加热器区域10的各个加热器区域 通过其所具有的控制装置15及加热器6而进行单独的加热，以实现 所希望的温度、即目标温度。结果，在通过多个加热器区域10被假 象分割为多个加热器区域的探针卡1中，根据多个加热器区域10各 自的控制进行探针卡的整体加热。
设于多个加热器区域10的多个控制装置15的控制电路17分别 基于来自对应的温度传感器7的输出，测定多个加热器区域10的各 自的温度。在该情况下，1个控制电路17测定设有该控制电路的1 个加热器区域10的温度。
并且，多个控制电路17分别重复进行与其连接的电源16的控制 和与该电源16连接的加热器6的加热，直到通过对应的温度传感器7 测定到的加热器区域10的温度达到上述的探针卡1的目标温度。
即，在探针卡1中，以由各温度传感器7测量到的各加热器区域 10的温度保持一定的值的方式、即以目标温度保持恒定的方式，使用 各控制装置15及各温度传感器7对向各加热器6供给的电流进行反 馈控制。
具有以上构造的探针卡1，能够按假想分割的各个加热器区域10 而独立进行基于加热器6的加热、基于温度传感器7的温度测量、和 基于控制装置15的温度调节的控制，与以往相比，能够更精密地控 制为所希望温度而使温度分布均匀化。
实施方式2.
本发明的第2实施方式的探针卡，与上述的本发明的第1实施方 式的探针卡相同，能够假想分割为多个加热器区域，与多个加热器区 域分别对应地配置多个加热器，实现精密的温度分布的控制。
该第2实施方式的探针卡中，在支承基板，在加热器区域间的边 界部分设有隔热件。即，该第2实施方式的探针卡通过隔热件而以使 支承基板与多个加热器区域对应的方式进行假想分割。
此外，第2实施方式的探针卡，与多个加热器区域分别对应地配 置多个加热器，实现更精密的温度分布的控制。此外，探针卡能够与 多个加热器区域分别对应地配置多个温度传感器，可实现进一步精密 的温度分布的控制。
以下，使用附图更详细说明第2实施方式的探针卡，除了设置隔 热件之外，其余构成要素与使用图1等说明的本发明的第1实施方式 的探针卡1共通。因而，对于与本发明的第1实施方式的探针卡1共 通的构成要素，标注相同的附图标记，省略重复说明。
图4是示意性表示本发明的第2实施方式的探针卡的构造的截面 图。
如图4所示，探针卡100包括：支承基板103；布线层4，其包 含布线2而设置于支承基板103的一个面即主面108；探针5，其配 置与布线层4的同支承基板103侧相反一侧的面11而与布线2连接； 多个加热器6。
探针卡100被在俯视下在纵横以等间隔排列的多个加热器区域 10而假想地分割为多个加热器区域。图4中，各加热器区域10以虚 线包围的区域示出。
并且，在探针卡100中，与多个加热器区域10分别对应地使支 承基板103被隔热件130隔开而分割。即，在支承基板103，在与相 邻的加热器区域10之间的边界对应的部分设有隔热件130。
图5是示意性表示设于支承基板的隔热件的构造的俯视图。
如图4及图5所示，支承基板103，在与相邻的加热器区域10 之间的边界对应的部分设有隔热件130。在该情况下，在图5中，为 了便于说明，隔热件130用黑色实线示意性地示出。
需要说明的是，在图5中，分别设于多个加热器区域10的各个 加热器区域的蜿蜒状的加热器6使用实线而示意性示出。
在支承基板103中，隔热件130优选是以与多个加热器区域10 对应地将支承基板103内划分而隔开的方式形成为图4所例示的隔壁 状。隔热件130发挥作用以使夹着该隔热件130而相邻的加热器区域 10之间隔热。
关于隔热件130的构造，如图4及图5所例示，优选是做成隔壁 状。即，如图4所示，隔热件130具有从支承基板103的连接端子面 109朝向主面108而沿板厚方向延伸的隔壁状的形状。
隔热件130的支承基板103的连接端子面109侧的端部，如图4 所例示，形成为从连接端子面109突出。但是，图4所示的隔热件130 的端部的突出构造不是必须的。隔热件130可以是形成为连接端子面 109侧的端部构成与连接端子面109齐平的平面的形状、即所谓的齐 平形状。并且，隔热件130也可以形成为其连接端子面109侧的端部 埋没于连接端子面109。
此外，隔热件130的支承基板103的主面108侧的端部，如图4 所例示，可以形成为与布线层4抵接。但是，图4所例示的端部与布 线层4的抵接构造不是必须的。隔热件130的主面108侧的端部可以 形成在从支承基板103内的布线层4分离开的位置。在该情况下，优 选是以不损害隔热件130所具有的使加热器区域10间隔热的作用的 方式，形成隔热件130。
此外，如图4所例示，隔壁状的隔热件130的截面形状可以为长 方形状。但是，隔热件130的截面形状并不必须是长方形状。隔热件 130的截面形状除了图4所例示的长方形状之外，可以具有倒三角形 状、梯形状等多种形状。
图6是示意性表示隔热件的另一例子的截面形状的图。
如图6所示，在隔热件130的另一例子的隔热件130－2中，可 以将其截面形状做成在图的下方侧的端部、即与图4的布线层4相对 一侧的端部处带有圆角的形状。
关于隔热件130的形成，可以是在与支承基板103的加热器区域 10间的边界对应的部分设有槽，在该槽填充形成隔热件130。更具体 而言，可以是，从连接端子面109一侧向支承基板103挖入而形成槽， 在该槽填充作为隔热件130的前体的材料，由此形成隔热件130。
作为隔热件130，可以使用硅橡胶、硅胶海绵、玻璃棉等。此外， 作为隔热件130也可以使用空气。
并且，在探针卡100，在多个加热器区域10的各个加热器区域设 置上述多个加热器6中的至少一个加热器。例如，在探针卡100中， 如图4所示，与多个加热器区域10分别对应，多个加热器6中的1 个加热器埋设于支承基板103。在该情况下，多个加热器6分别在由 支承基板103内的隔热件130划分出的空间110的内部，埋设于支承 基板103。
因而，探针卡100具有与多个加热器区域10分别对应配置的多 个加热器6。并且，例如，通过形成为隔壁状的隔热件130的作用， 能够抑制多个加热器6的各个加热器处的发热影响到包含该加热器6 的加热器区域10以外的其他加热器区域10的温度。
即，在探针卡100中，1个加热器6以配置于1个加热器区域10 内的方式，例如在由支承基板103中的隔热件130划分出的1个空间 110内，埋设于支承基板103。并且，在探针卡100中，该1个加热 器6对由支承基板103中的隔热件130划分出的1个空间110内加热， 结果，能够高效地对包含该1个加热器6的加热器区域10进行加热。 并且，在探针卡100中，包含该1个加热器6的1个加热器区域10 的加热构成为，例如不会对与该加热器区域10相邻的另一加热器区 域10这样的其他加热器区域10的温度造成影响。
此外，探针卡100具有分别单独控制多个加热器6的各自的发热 量的多个控制装置15。控制装置15分别由电源16和控制电路17构 成。在控制装置15的各个控制装置中构成为：控制电路17与对应的 1个电源16连接，电源16与对应的1个加热器6的两端的端子连接。 因而，探针卡100具有多个控制装置15，结果，具有多个电源16及 多个控制电路17。
并且，在探针卡100中，使用多个控制装置15，控制多个加热器 6的各个加热器，可以使各加热器区域10的温度为例如80℃～150℃ 的范围内的所希望的温度。结果，可以使探针卡100具有以处于80 ℃～150℃的范围的所希望的温度被均匀化的温度分布。
进而，探针卡100可以具有多个温度传感器7。例如，在探针卡 100中，如图4所示，与多个加热器区域10分别对应地，多个温度传 感器7中的1个温度传感器埋设于支承基板103。例如，多个温度传 感器7分别在由支承基板103内的隔热件130划分出的空间110的内 部而埋设于支承基板103。
因而，探针卡100中，在多个加热器区域10的各个加热器区域 配置有多个温度传感器7中的至少一个。即，探针卡100具有与多个 加热器区域10分别对应地配置的多个温度传感器7。并且，多个温度 传感器7分别与同设有该温度传感器的加热器区域10对应地设置的 控制装置15的控制电路17连接。
在探针卡100中，控制电路17能够接受来自与其连接的温度传 感器7的输出，测量设有该温度传感器7的加热器区域10的温度。 例如可以是，控制电路17测定温度传感器7的电流值作为来自与其 连接的温度传感器7的输出，根据其电流值而测量设有温度传感器7 的加热器区域10的温度。
具有以上构造的本实施方式的探针卡100，通过控制装置15和加 热器6分别进行单独加热，以使多个加热器区域10分别达到所希望 的温度、即目标温度。结果，在通过多个加热器区域10被假想地分 割为多个加热器区域的探针卡100中，与多个加热器区域10各自的 控制相应地进行其整体的加热。
在支承基板103中，如上所述，在与多个加热器区域10之间的 边界对应的部分，设有隔热件130。并且，支承基板103通过该隔热 件130而以与多个加热器区域10分别对应的方式，支承基板103内 被划分而分隔。因此，在探针卡100中能够抑制在多个加热器区域10 中分布单独进行加热的影响，波及到相邻的其他加热器区域10。
并且，多个控制电路17分别重复进行与其连接的电源16的控制 和与该电源16连接的加热器6的加热，直到通过对应的温度传感器7 测定到的加热器区域10的温度达到上述的探针卡1的目标温度。
即，在探针卡100中，以由各温度传感器7测量到的各加热器区 域10的温度保持一定的值的方式、即以目标温度保持恒定的方式， 使用各控制装置15及各温度传感器7。并且，探针卡100使用各控制 装置15及各温度传感器7对向各加热器6供给的电流进行反馈控制。
在探针卡100中，上述反馈控制按各个加热器区域10而进行。 在该情况下，由于设于支承基板103的隔热件130的效果，能够抑制 假想分割的多个加热器区域10分别单独进行的加热的影响波及到相 邻的其他加热器区域10。
结果，探针卡100能够比以往更精密地控制为所希望温度而以更 高的水平使温度分布均匀化。
实施方式3.
本发明的第3实施方式涉及具有探针卡的检查装置。在检查装置 中，探针卡用作为用于检查被检查体与试验用布线基板的电气电路等 之间的电连接的检查工具。并且，第3实施方式涉及的检查装置，使 用本发明涉及的探针卡进行被检查体的电气试验，对被检查体进行检 查。
例如，作为探针卡，可以使用上述的本发明的第1实施方式的探 针卡。因而，在第3实施方式涉及的检查装置中，探针卡可被假想地 分割为多个加热器区域，与多个加热器区域分别对应地配置多个加热 器，能够实现更精密的温度分布的控制。
此外，在本发明的第3实施方式涉及的检查装置中，探针卡可以 与多个加热器区域分别对应地配置多个温度传感器。因而，该探针卡， 可以按多个加热器区域中的每个加热器区域进行反馈控制，可以实现 更精密的温度分布的控制。
如以上所述，本发明的第3实施方式涉及的检查装置，可以使用 可实现精密的温度分布的控制、被控制为所希望温度而温度分布均匀 化的探针卡，进行被检查体的电气试验，对被检查体进行检查。
以下，使用附图更加详细说明本发明的第3实施方式涉及的检查 装置。需要说明的是，如上所述，探针卡可以具有如图1等所示的本 发明的第1实施方式的探针卡1。在该情况下，检查装置包括与使用 图1等说明的探针卡1共通的构成要素。因而，在检查装置的说明中， 对于与本发明的第1实施方式的探针卡1共通的构成要素，标注相同 的附图标记而省略重复说明。
图7是示意性表示本发明的第3实施方式的检查装置的要部构造 的截面图。
如图7所示，检查装置300包括：XYZ台301、探针卡1、被输 入探针卡1的目标温度的温度控制部303。
在检查装置300中，被检查体可以为例如形成于半导体晶片302 的半导体芯片(未图示)。形成有作为被检查体的半导体芯片的半导 体晶片302载置于XYZ台301上。
XYZ台301能够利用负压将被检查体吸附固定于作为被检查体 的载置面的主面304，并能稳定地保持该被检查体。因而，XYZ台301 将形成有作为被检查体的半导体芯片的半导体晶片302载置于主面 304，并吸附固定该半导体晶片302而稳定地加以保持。这样吸附固 定被检查体并加以保持的XYZ台301也称为吸附台等。
XYZ台301可以绕作为垂直轴的Z轴旋转，并且在与Z轴垂直 的XY面上可以分别沿X轴及Y轴移动。因而，载置于XYZ台301 的主面304的半导体晶片302，随着XYZ台301的驱动，可绕Z轴 旋转，并可以在与Z轴垂直的XY面上分别沿X轴及Y轴移动。
此外，XYZ台301具有用于对载置于主面304的半导体晶片302 进行加热的加热器(未图示)。例如，该加热器内置于XYZ台301。 即，XYZ台301具有加热器，以可对形成有作为被检查体的半导体芯 片的半导体晶片302进行加热的方式载置该半导体芯片。
因而，检查装置300在对半导体晶片302加热进行的电气试验中， XYZ台301的加热器可以对载置于XYZ台301的半导体晶片302进 行加热以使其达到规定的温度。
温度控制部303是被输入探针卡1的目标温度的温度控制装置。 温度控制部303具有多个连接路径(未图示)，该多个连接路径分别 与以分别单独控制探针卡1的多个加热器6的各自的发热量的方式设 置的多个控制装置15的各控制装置连接。温度控制部303用于使探 针卡1的多个加热器区域10的各区域成为所希望的目标温度。
如上所述，探针卡1是图1等所示的本发明的第1实施方式的探 针卡1，如图7所示，探针5以与XYZ台301上的半导体晶片302 相对的方式配置。
探针卡1包括：支承基板3；布线层4，其包含布线2地设置于 支承基板3的一个面即主面8；探针5，其配置在布线层4的同支承 基板3侧相反一侧的面11并与布线2连接；多个加热器6。
探针卡1被假想地分割为俯视下纵横排列的多个加热器区域10。 图7中，各加热器区域10作为被虚线包围的区域示出。
并且，在探针卡1中，在多个加热器区域10的各个加热器区域 10，分别配置上述多个加热器6中的至少一个加热器6。如图1所示， 在探针卡1中，与多个加热器区域10分别对应地，多个加热器6中 的1个加热器埋设于支承基板3。因而，探针卡1具有与多个加热器 区域10分别对应地配置的多个加热器6。
此外，探针卡1具有分别单独控制多个加热器6的各个加热器的 发热量的多个控制装置15。控制装置15分别由电源16和控制电路 17构成。在控制装置15的各个控制装置中构成为：控制电路17与对 应的1个电源16连接，电源16与对应的1个加热器6的两端的端子 连接。因而，探针卡1具有多个控制装置15，结果，具有多个电源 16及多个控制电路17。
在探针卡100中，使用多个控制装置15，控制多个加热器6的各 个加热器，可以使各加热器区域10的温度为例如80℃～150℃的范围 内的所希望的温度。结果，可以使探针卡100具有以处于80℃～150 ℃的范围的所希望的温度被均匀化的温度分布。
此外，探针卡100具有多个温度传感器7。在探针卡100中，如 图7所示，与多个加热器区域10分别对应地，多个温度传感器7中 的1个温度传感器埋设于支承基板103。因而，探针卡1在多个加热 器区域10的各个加热器区域中配置有多个温度传感器7中的至少一 个。即，探针卡1具有与多个加热器区域10的分别对应地配置的多 个温度传感器7。并且，多个温度传感器7分别与(与设有该温度传 感器的加热器区域10对应设置的)控制装置15的控制电路17连接。
在探针卡1中，控制电路17接受来自与其连接的温度传感器7 的输出，可以测量设有该温度传感器7的加热器区域10的温度。例 如，控制电路17可以测定温度传感器7的电流值，作为来自与其连 接的温度传感器7的输出，并根据该电流值测量设有温度传感器7的 加热器区域10的温度。
具有以上构造的本实施方式的探针卡1，以与多个加热器区域10 分别对应的方式设置的多个控制装置15的控制电路17，基于输入到 温度控制部303的探针卡1的目标温度，分别独立地控制与其控制电 路17连接的多个电源16。在该情况下，与1个加热器区域10对应设 置的1个控制装置15的1个控制电路17，基于探针卡1的目标温度， 控制与其连接的1个电源16。
并且，被多个控制电路17的各个控制电路控制的多个电源16分 别独立地向与它们连接的多个加热器6分别供给电流。在该情况下， 与1个加热器区域10对应设置的1个控制装置15的1个电源16向 与其连接的1个加热器6供给电流。
被供给了电流的多个加热器6分别独立地相应于来自电源16的 电流的供给量而发热。结果，多个加热器6分别独立地对多个加热器 区域10分别进行加热。在该情况下，1个加热器6对设有该加热器的 1个加热器区域10进行加热。
如以上所述，探针卡1的多个加热器区域10的各个加热器区域 通过其所具有的控制装置15及加热器6而进行单独的加热，以实现 所希望的温度。结果，在通过多个加热器区域10被假象分割为多个 加热器区域的探针卡1中，进行加热。
设于多个加热器区域10的多个控制装置15的控制电路17分别 基于来自对应的温度传感器7的输出，测定多个加热器区域10的各 自的温度。在该情况下，1个控制电路17测定设有该控制电路的1 个加热器区域10的温度。
并且，多个控制电路17分别重复进行与其连接的电源16的控制 和与该电源16连接的加热器6的加热，直到通过对应的温度传感器7 测定到的加热器区域10的温度达到上述的探针卡1的目标温度。
即，在探针卡1中，以由各温度传感器7测量到的各加热器区域 10的温度保持一定的值的方式、即以目标温度保持恒定的方式，使用 各控制装置15及各温度传感器7对向各加热器6供给的电流进行反 馈控制。
结果，在探针卡1中，能够按假想分割的各个加热器区域10而 独立进行基于加热器6的加热、基于温度传感器7的温度测量、和基 于控制装置15的温度调节的控制，与以往相比，能够更精密地控制 为所希望温度而使温度分布均匀化。
如以上所示，具有XYZ台301、探针卡1和温度控制部303的检 查装置300，在对半导体晶片302加热进行的电气试验中，使用内置 于XYZ台301的加热器，将载置于XYZ台301的半导体晶片302加 热以使其达到规定的温度。
另一方面，在检查装置300中，在探针卡1中，如上所述，按被 假想分割的加热器区域10分别进行温度的控制，更精密地控制为目 标温度而使温度分布均匀化。
因而，在检查装置300中，能够使半导体晶片302为规定的温度， 同时，使探针卡1为所希望的目标温度。
可以使半导体晶片302的温度与探针卡1的目标温度为相等的温 度。此外，考虑到半导体晶片302的构成材料的热膨胀率与探针卡1 的支承基板3、布线层4的构成材料的热膨胀率之间的差异，检查装 置300也可以以使探针卡1的目标温度与半导体晶片302的温度不同 的方式设定探针卡1的目标温度。并且，在检查装置300中，使得在 探针卡1上的探针5间的间隔与加热到规定温度的半导体芯片的电极 间的间隔之间不发生偏差。
结果，检查装置300可以将探针卡1的许多探针5分别从上方与 半导体芯片的检查用的微小电极(未图示)分别接触。并且，检查装 置300可以使用探针卡1来实现半导体芯片的电极与探测器的测试头 等装置(未图示)之间的电连接。
实施方式4.
本发明的第4实施方式涉及具有探针卡的检查装置。在检查装置 中，探针卡用作为用于检查被检查体与试验用布线基板的电气电路等 之间的电连接的检查工具。并且，第4实施方式涉及的检查装置，使 用本发明涉及的探针卡进行被检查体的电气试验，对被检查体进行检 查。
例如，作为探针卡，可以使用上述的本发明的第2实施方式的探 针卡。因而，在第4实施方式涉及的检查装置中，探针卡可被假想地 分割为多个加热器区域，与多个加热器区域分别对应地配置多个加热 器，能够实现更精密的温度分布的控制。此外，在该探针卡中，在支 承基板上，在加热器区域间的边界部分可以设置隔热件。
此外，探针卡可以与多个加热器区域分别对应地配置多个温度传 感器。因而，该探针卡，可以按多个加热器区域中的每个加热器区域 进行反馈控制，可以实现更精密的温度分布的控制。
如以上所述，本发明的第4实施方式涉及的检查装置，可以使用 可实现精密的温度分布的控制、被控制为所希望温度而温度分布均匀 化的探针卡，进行被检查体的电气试验，对被检查体进行检查。
以下，使用附图更加详细说明本发明的第4实施方式涉及的检查 装置。需要说明的是，如上所述，探针卡可以具有如图4等所示的本 发明的第2实施方式的探针卡100。在该情况下，检查装置包括与使 用图4等说明的探针卡100共通的构成要素。此外，检查装置除了取 代探针卡1而具有探针卡100之外，其余构造与本发明的第3实施方 式的检查装置300相同。因而，在检查装置的说明中，对于与本发明 的第2实施方式的探针卡100及本发明的第3实施方式的检查装置 300共通的构成要素，标注相同的附图标记而省略重复说明。
图8是示意性表示本发明的第4实施方式的检查装置的要部构造 的截面图。
如图8所示，检查装置400包括：XYZ台301、探针卡100、被 输入探针卡100的目标温度的温度控制部303。
在检查装置400中，与本发明的第3实施方式的检查装置300相 同，被检查体可以为例如形成于半导体晶片302的半导体芯片(未图 示)。形成有作为被检查体的半导体芯片的半导体晶片302载置于 XYZ台301上。
XYZ台301具有用于对载置于主面304的半导体晶片302进行加 热的加热器(未图示)。XYZ台301具有加热器，以可对形成有作为 被检查体的半导体芯片的半导体晶片302进行加热的方式载置该半导 体芯片。
因而，检查装置400在对半导体晶片302加热进行的电气试验中， XYZ台301的加热器可以对载置于XYZ台301的半导体晶片302进 行加热以使其达到规定的温度。
如上所述，探针卡100是图4等所示的本发明的第2实施方式的 探针卡100。
因而，探针卡100包括：支承基板103；布线层4，其包含布线2 而设置于支承基板103的一个面即主面108；探针5，其配置与布线 层4的同支承基板103侧相反一侧的面11而与布线2连接；多个加 热器6。
探针卡100被在俯视下在纵横以等间隔排列的多个加热器区域 10而假想地分割为多个加热器区域。图8中，各加热器区域10以虚 线包围的区域示出。
并且，在探针卡100中，与多个加热器区域10分别对应地使支 承基板103被隔热件130隔开而分割。即，在支承基板103，在与相 邻的加热器区域10之间的边界对应的部分设有隔热件130。
并且，在探针卡100，在多个加热器区域10的各个加热器区域设 置上述多个加热器6中的至少一个加热器。例如，在探针卡100中， 如图8所示，与多个加热器区域10分别对应，多个加热器6中的1 个加热器埋设于支承基板103。在该情况下，多个加热器6分别在由 支承基板103内的隔热件130划分出的空间110的内部，埋设于支承 基板103。
因而，探针卡100具有与多个加热器区域10分别对应配置的多 个加热器6。并且，例如，通过形成为隔壁状的隔热件130的作用， 能够抑制多个加热器6的各个加热器处的发热影响到包含该加热器6 的加热器区域10以外的其他加热器区域10的温度。
即，在探针卡100中，1个加热器6以配置于1个加热器区域10 内的方式，例如在由支承基板103中的隔热件130划分出的1个空间 110内，埋设于支承基板103。并且，在探针卡100中，该1个加热 器6对由支承基板103中的隔热件130划分出的1个空间110内加热， 结果，能够高效地仅对包含该1个加热器6的加热器区域10进行加 热。并且，在探针卡100中，包含该1个加热器6的1个加热器区域 10的加热构成为，例如不会对与该加热器区域10相邻的另一加热器 区域10这样的其他加热器区域10的温度造成影响。
此外，探针卡100具有分别单独控制多个加热器6的各自的发热 量的多个控制装置15。控制装置15分别由电源16和控制电路17构 成。在控制装置15的各个控制装置中构成为：控制电路17与对应的 1个电源16连接，电源16与对应的1个加热器6的两端的端子连接。 因而，探针卡1具有多个控制装置15，结果，具有多个电源16及多 个控制电路17。
在探针卡100中，使用多个控制装置15，控制多个加热器6的各 个加热器，可以使各加热器区域10的温度为例如80℃～150℃的范围 内的所希望的温度。结果，可以使探针卡100具有以处于80℃～150 ℃的范围的所希望的温度被均匀化的温度分布。
此外，探针卡100具有多个温度传感器7。例如，在探针卡100 中，如图7所示，与多个加热器区域10分别对应地，多个温度传感 器7中的1个温度传感器埋设于支承基板103。因而，探针卡100中， 在多个加热器区域10的各个加热器区域配置有多个温度传感器7中 的至少一个。并且，多个温度传感器7分别与(与设有该温度传感器 的加热器区域10对应地设置的)控制装置15的控制电路17连接。
在探针卡100中，控制电路17能够接受来自与其连接的温度传 感器7的输出，测量设有该温度传感器7的加热器区域10的温度。 例如可以是，控制电路17测定温度传感器7的电流值作为来自与其 连接的温度传感器7的输出，根据其电流值而测量设有温度传感器7 的加热器区域10的温度。
具有以上构造的本实施方式的探针卡100，通过控制装置15和加 热器6分别进行单独加热，以使多个加热器区域10分别达到所希望 的温度。结果，在通过多个加热器区域10被假想地分割为多个加热 器区域的探针卡100中，与多个加热器区域10各自的控制相应地进 行其整体的加热。
在支承基板103中，如上所述，在与多个加热器区域10之间的 边界对应的部分，设有隔热件130。并且，支承基板103通过该隔热 件130而以与多个加热器区域10分别对应的方式，支承基板103内 被划分而分隔。因此，在探针卡100中能够抑制在多个加热器区域10 中分布单独进行加热的影响，波及到相邻的其他加热器区域10。
并且，在探针卡100中，以由各温度传感器7测量到的各加热器 区域10的温度保持一定的值的方式、即以目标温度保持恒定的方式， 使用各控制装置15及各温度传感器7。并且，探针卡100使用各控制 装置15及各温度传感器7对向各加热器6供给的电流进行反馈控制。
结果，在探针卡100中，能够按假想分割的各个加热器区域10 而独立进行基于加热器6的加热、基于温度传感器7的温度测量、和 基于控制装置15的温度调节的控制。而且，由于设于支承基板103 的隔热件130的效果，能够抑制在假想分割的多个加热器区域10分 别单独进行的加热的影响波及到相邻的其他加热器区域10。
结果，探针卡100能够比以往更精密地控制为所希望温度而以更 高的水平使温度分布均匀化。
如以上所示，具有XYZ台301、探针卡100和温度控制部303 的检查装置400，在对半导体晶片302加热进行的电气试验中，使用 内置于XYZ台301的加热器，将载置于XYZ台301的半导体晶片 302加热以使其达到规定的温度。
另一方面，在检查装置400中，在探针卡100中，如上所述，按 被假想分割的加热器区域10分别进行温度的控制，更精密地控制为 目标温度而使温度分布均匀化。
因而，在检查装置400中，能够使半导体晶片302为规定的温度， 同时，使探针卡100为所希望的目标温度。
可以使半导体晶片302的温度与探针卡100的目标温度为相等的 温度。此外，考虑到半导体晶片302的构成材料的热膨胀率与探针卡 100的支承基板3、布线层4的构成材料的热膨胀率之间的差异，检 查装置300也可以以使探针卡100的目标温度与半导体晶片302的温 度不同的方式设定探针卡100的目标温度。并且，在检查装置400中， 使得在探针卡100上的探针5间的间隔与加热到规定温度的半导体芯 片的电极间的间隔之间不发生偏差。
结果，检查装置400可以将探针卡1的许多探针5分别从上方与 半导体芯片的检查用的微小电极(未图示)分别接触。并且，检查装 置400可以使用探针卡100来实现半导体芯片的电极与探测器的测试 头等装置(未图示)之间的电连接。
实施方式5.
本发明的第5实施方式涉及使用探针卡对被检查体进行检查的检 查方法。检查装置的探针卡是为了实现被检查体与试验用的布线基板 的电气电路等之间的电连接而用作检查工具。即，使用具有本发明的 探针卡的检查装置，进行被检查体的电气试验，由此来对被检查体进 行检查。
第5实施方式的检查方法优选是使用上述图7的本发明的第3实 施方式的检查装置300来实施。如上所述，本发明的第3实施方式的 检查装置300，包括：用于载置半导体晶片302的XYZ台301，所述 半导体晶片302形成有作为被检查体的半导体芯片；以探针5与半导 体晶片302相对的方式配置的探针卡1；被输入探针卡1的目标温度 的温度控制部303。
因而，本发明的检查方法，优选是，例如将被检查体加热到所希 望温度，同时使用本发明的第1实施方式的探针卡1，将其加热到目 标温度来实施检查。
在本实施方式的检查方法所使用的探针卡1包括：支承基板3； 包含布线2而设置于支承基板3的主面8的布线层4；配置在布线层 4的同支承基板3侧相反一侧的面11并与布线2连接的探针5；多个 加热器6；分别单独控制多个加热器6的各自的发热量的多个控制装 置15及多个温度传感器7。并且，探针卡1构成为：以通过俯视下纵 横等间隔排列的多个加热器区域10而被假想地分割为多个加热器区 域的方式，在加热器区域10的各个加热器区域设有多个加热器6中 的至少一个加热器及多个温度传感器7中的至少一个温度传感器。
在本实施方式的检查方法中，优选是，使用上述的探针卡1，分 别单独控制多个加热器6的各自的发热量，并分别单独控制多个加热 器区域10的各自的温度。并且，本实施方式的检查方法中优选是以 使探针卡1成为目标温度的方式来检查被检查体。
以下，详细说明本发明的第5实施方式的检查方法，尤其对于构 成其方法的主要部分的多个加热器区域的各自的温度的控制方法，使 用下述的图9，并适当参照图1及图7等详细说明。
图9是说明本发明的第5实施方式的检查方法的、多个加热器区 域的各自的温度的控制方法的流程图的一例。
在本实施方式的检查方法中，在开始多个加热器区域10的各自 的温度的控制方法(以下，简称为“温度控制方法“)时，首先，进 行探针卡的目标温度的设定(S101：温度设定工序)。
具体而言，为了进行所使用的探针卡1的加热，确定作为探针卡 1的加热目标的目标温度，并将该目标温度数据输入到检查装置300 的温度控制部303。即，探针卡1的目标温度的设定通过向温度控制 部303输入目标温度数据来进行。此时，在检查装置300中，温度控 制部303与探针卡1的多个控制装置15的各个控制装置连接，输入 到温度控制部303的目标温度数据可由多个控制装置15的各个控制 装置读出。并且，上述的目标温度可以设为例如处于80℃～150℃的 范围的所希望的温度。
接着，基于上述的目标温度，对检查装置300的探针卡1的加热 器6供给电流(S102：电流供给工序)。
如上所述，探针卡1为了分别单独控制多个加热器6的各自的发 热量而具有多个控制装置15，多个控制装置15分别由电源16和控制 电路17构成。并且，在多个控制装置15的各个控制装置中构成为， 1个控制电路17与对应的1个电源16连接，该1个电源16与对应的 1个加热器6的两端的端子连接。
因而，在探针卡1中，控制装置15的多个控制电路17分别读出 输入到温度控制部303的目标温度的数据，基于读出的目标温度数据， 分别独立地控制所连接的1个电源16。即，1个控制电路17读出输 入到温度控制部303的目标温度数据，基于读出的目标温度数据，控 制所连接的1个电源16。并且，在探针卡1，由多个控制装置15分 别控制的多个加热器6被分别独立地接受电流的供给。
因而，在多个加热器区域10的各个加热器区域的温度控制方法 中，由1个探针卡1的控制装置15控制，1个加热器6接受电流的供 给。
接着，使用供给了电流的加热器6，对设有该加热器6的加热器 区域10进行加热(S103：加热工序)。
如上所述，探针卡1的多个加热器6与多个加热器区域10分别 对应地分别埋设于支承基板3。因而，在多个加热器区域10的各个加 热器区域分别配置有多个加热器6中的至少一个加热器。
因此，在温度控制方法中，在电流供给工序(S102)接受电流供 给的加热器6，根据所供给的电流的量，分别单独加热设有该加热器 6的加热器区域10。结果，在探针卡1中，多个加热器6分别被单独 控制，分别单独对多个加热器区域10各自进行加热，对探针卡1进 行加热。
接着，使用配置于加热器区域10的温度传感器7，基于温度传感 器7的输出来测定加热器区域10的温度(S104：温度测定工序)。
如上所述，探针卡1具有与多个加热器区域10分别对应地配置 的多个温度传感器7。多个温度传感器7分别与(与设有该温度传感 器的加热器区域10对应设置的)控制装置15的控制电路17连接。
因此，探针卡1的多个控制电路17分别接受来自与其连接的1 个温度传感器7的输出，可以对设有该温度传感器7的1个加热器区 域10的温度进行测量。
因此，在温度控制方法中，使用配置于1个加热器区域10的1 个温度传感器7，测定其加热器区域10的温度。
接着，在温度控制方法中，在上述的温度测定工序(S104)测定 了加热器区域10的温度之后进行判断，在该加热器区域10的温度与 上述的目标温度相等时，重复进行温度测定工序(S104)，直到温度 控制的结束(S105：判断工序)。
更具体而言，在判断工序(S105)中加热器区域10的温度与目 标温度相等时，进入判断温度控制是否结束的结束判断工序(S106)。 并且，在结束判断工序(S106)中，判断为继续进行温度控制时，返 回温度测定工序(S104)，重复进行温度测定工序(S104)。
此外，在结束判断工序(S106)中，判断为温度控制的结束时， 结束温度控制。
另一方面，在温度控制方法的判断工序(S105)中进行判断，判 断为加热器区域10为与目标温度不同的温度时，进一步返回电流供 给工序(S102)，按电流供给工序(S102)、加热器加热工序(S103) 及温度测定工序(S104)的顺序重复进行(S105：判断工序)。
通过以上，在本实施方式的检查方法中，温度控制方法包括温度 设定工序(S101)、电流供给工序(S102)、加热工序(S103)、温 度测定工序(S104)、判断工序(S105)及结束判断工序(S106)。 并且，通过温度控制方法，可以分别单独控制探针卡1的多个加热器 6的各自的发热量。
在上述的温度控制方法中，使用探针卡1，以由各温度传感器7 测量到的各加热器区域10的温度保持一定的值的方式、即以目标温 度保持恒定的方式，使用各控制装置15及各温度传感器7对向各加 热器6供给的电流进行反馈控制。
并且，本实施方式的检查方法，对于探针卡1的多个加热器区域 10，能够分别独立地进行基于上述温度控制方法的加热的控制、进而 进行温度的控制，控制使得探针卡1达到目标温度。
结果，在本实施方式的检查方法中，探针卡1能够比以往更精密 地控制为所希望温度而使温度分布更加均匀化。
并且，在本实施方式的检查方法中，在探针卡1中，能够使得探 针5间的间隔与半导体芯片的电极间的间隔之间不发生偏差。此外， 本实施方式的检查方法，能够减少在检查时发生的支承基板3的裂纹、 探针卡1的破损。
本实施方式的检查方法，实施上述的温度控制方法，而在探针卡 1中能够使许多探针5分别从上方接触作为被检查体的、例如半导体 芯片的检查用的微小电极(未图示)的各个电极。并且，本实施方式 的检查方法，能够使用探针卡1，实现半导体芯片的电极与探测器的 测试头等装置(未图示)之间的电连接。
结果，本实施方式的检查方法中，为了实现被检查体与试验用的 布线基板的电气电路等之间的电连接而可以使用被控制为所希望温 度且温度分布均匀化的探针卡1，可以进行被检查体的电气试验。
需要说明的是，本发明的第5实施方式的检查方法，作为一例， 使用上述的图7的本发明的第3实施方式的检查装置300，由此使用 图1所示的本发明的第1实施方式的探针卡1，进行加热使其达到目 标温度来实施检查。
但是，本发明的第5实施方式的检查方法，作为另一例子，可以 使用上述的图8的本发明的第4实施方式的检查装置400。由此，本 发明的第5实施方式的检查方法的另一例子，可以使用图4所示的本 发明的第2实施方式的探针卡100，进行加热使其达到目标温度来实 施被检查体的检查。
即，本发明的第5实施方式的检查方法的另一例子优选是使用图 4所示的探针卡100。图4所示的探针卡100包括：支承基板103；包 含布线2而设置于支承基板103的主面108的布线层4；配置在布线 层4的同支承基板103侧相反一侧的面11并与布线2连接的探针5； 多个加热器6；分别单独控制多个加热器6的各自的发热量的多个控 制装置15及多个温度传感器7。
并且，探针卡100构成为，以通过俯视下纵横以等间隔排列的多 个加热器区域10被假想地分割为多个加热器区域的方式，在加热器 区域10的各个加热器区域分别配置多个加热器6中的至少一个加热 器及多个温度传感器7中的至少一个温度传感器。而且在探针卡100 中，在支承基板103，在与相邻的加热器区域10间的边界对应的部分 设有隔热件130。
在本发明的第5实施方式的检查方法的另一例子中，使用上述的 探针卡100，分别单独控制多个加热器6的各自的发热量，可以分别 单独控制由隔热件130划分而分隔开的多个加热器区域10的各自的 温度。
并且，在本发明的第5实施方式的检查方法的另一例子中，分别 单独控制多个加热器区域10的各自的温度的方法，可以取代检查装 置300而使用检查装置400，除此之外与图9所示的流程图的上述的 温度控制方法相同。
结果，本发明的第5实施方式的检查方法的另一例子，使用检查 装置400，以使探针卡100成为目标温度的方式，能够按加热器区域 10分别更精密地温度控制并以更高水平使温度分布均匀化。并且，本 发明的第5实施方式的检查方法的另一例子，使用探针卡100，分别 单独控制多个加热器区域10的各自的温度，还可以实现作为被检查 体的例如半导体芯片的电极与探测器的测试头等装置之间的电连接。
结果，本发明的第5实施方式的检查方法的另一例子，可以为了 被检查体与试验用的布线基板的电气电路等之间的电连接而使用被 控制为所希望温度且温度分布均匀化的探针卡100，可以进行被检查 体的电气试验。
需要说明的是，本发明不限于上述各实施方式，在不脱离本发明 的要旨的范围内可以进行各种变形加以实施。
例如，在本发明的第1实施方式的探针卡1中，如图1等所示， 通过俯视下纵横排列的多个加热器区域10而假想地分割为多个加热 器区域，在多个加热器区域10分别设有加热器6。在该情况下，多个 加热器6与多个加热器区域10分别对应地分别埋设于支承基板3。
但是，在本发明中，设有多个加热器6的部位不仅限于支承基板 3。
例如，在本发明中，可以是如图1等所示的加热器区域10，将探 针卡假想地分割为多个加热器区域，将多个加热器与多个加热器区域 分别对应地分别埋设于布线层。例如也可以在图1等所示的探针卡1 中，在布线层4埋设多个加热器6的各个加热器。
在这样构造的情况下，优选是多个温度传感器也与多个加热器区 域分别对应地分别埋设于布线层。例如，在图1等所示的探针卡1中， 可以在布线层4埋设多个温度传感器7的各个温度传感器。
在探针卡中，通过在布线层设置加热器及温度传感器，由此能够 将探针所配置的布线层更精密地控制为目标温度而使温度分布更加 均匀化。
结果，能够更有效地抑制探针卡上的探针间的间隔与被加热到规 定温度的被检查体即例如半导体芯片的电极间的间隔之间的偏差。

Claims (9)

1.一种探针卡，包括：
支承基板；
布线层，其包含布线而设置于所述支承基板的一个面；
探针，其配置在所述布线层的与所述支承基板侧相反一侧的面， 并与所述布线连接，
所述探针卡的特征在于，
在所述支承基板埋设有多个加热器区域，所述多个加热器区域在 俯视下被假想地分割，所述多个加热器区域纵横排列，所述多个加热 器区域分别具有矩形形状，以在X轴方向并列的加热器区域的列在Y 轴方向上多段相连的方式形成，
所述探针卡还包括在所述支承基板中在与所述加热器区域之间 的边界对应的部分设置的隔热件，
所述探针卡包括多个第一加热器，多个第一加热器中的至少一个 第一加热器为了控制在所述探针卡产生的温度分布而设置在所述加 热器区域的各个加热器区域，所述多个第一加热器与所述多个加热器 区域分别对应地分别埋设于所述支承基板。
2.根据权利要求1所述的探针卡，其中，
还包括分别单独控制所述多个第一加热器的各自的发热量的多 个控制装置。
3.根据权利要求1或2所述的探针卡，其中，
还包括与所述多个加热器区域分别对应地配置的多个温度传感 器。
4.根据权利要求1或2所述的探针卡，其中，
所述加热器区域具有俯视下为矩形状的形状，该形状的一边处于 10mm～40mm的范围。
5.根据权利要求1或2所述的探针卡，其中，
所述隔热件形成为与所述多个加热器区域对应地划分所述支承 基板内的隔壁状。
6.一种检查装置，使用探针卡对被检查体进行检查，所述检查装 置包括：
载置所述被检查体的XYZ台；
上述权利要求1所述的探针卡，所述探针卡还具有分别单独控制 所述多个第一加热器的各自的发热量的多个控制装置；以及
为了使所述探针卡的所述多个加热器区域分别为所希望的目标 温度而被输入目标温度的温度控制部。
7.根据权利要求6所述的检查装置，其中，
所述XYZ台包括以能够对所述被检查体进行加热的方式载置所 述被检查体的第二加热器。
8.根据权利要求6或7所述的检查装置，其中，
所述探针卡具有与所述支承基板的所述多个加热器区域分别对 应地配置的多个温度传感器，
所述控制装置基于所述目标温度和所述多个温度传感器的各自 的输出，分别单独控制所述多个第一加热器的各自的发热量。
9.一种检查方法，使用探针卡对被检查体进行检查，所述检查方 法包括如下工序：
使用上述权利要求1所述的探针卡，所述探针卡还具有分别单独 控制所述多个第一加热器的各自的发热量的多个控制装置及多个温 度传感器，
以使所述探针卡的所述多个加热器区域分别成为所希望的目标 温度的方式分别单独控制所述多个加热器区域的各自的温度，对被检 查体进行检查，
分别单独控制所述多个加热器区域的各自的温度的温度控制包 括如下工序：
设定所述目标温度的温度设定工序；
基于所述目标温度向所述第一加热器供给电流的电流供给工序；
使用供给了所述电流的第一加热器，对设有所述第一加热器的加 热器区域进行加热的加热器加热工序；
使用配置于所述加热器区域的温度传感器，基于所述温度传感器 的输出来测定所述加热器区域的温度的温度测定工序，
所述检查方法还包括如下的判断工序：在所述温度测定工序之 后，进行判断，在所述加热器区域的温度与所述目标温度相等时，重 复进行所述温度测定工序，在所述加热器区域的温度与所述目标温度 不同时，按所述电流供给工序、所述加热器加热工序及所述温度测定 工序的顺序重复进行。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7042158B2 (ja) * 2018-05-23 2022-03-25 東京エレクトロン株式会社 検査装置及び温度制御方法
CN109239575B (zh) * 2018-08-01 2020-12-29 上海移远通信技术股份有限公司 一种检测装置、检测方法及自动化检测系统
JP7212559B2 (ja) * 2019-03-18 2023-01-25 住友重機械工業株式会社 形状測定装置及び形状測定方法
JP7257880B2 (ja) * 2019-05-23 2023-04-14 東京エレクトロン株式会社 試験用ウエハおよび試験方法
JP7398935B2 (ja) * 2019-11-25 2023-12-15 東京エレクトロン株式会社 載置台、及び、検査装置
TWI782443B (zh) * 2021-03-10 2022-11-01 陽榮科技股份有限公司 半導體測試之溫度控制裝置
KR20220146304A (ko) 2021-04-23 2022-11-01 삼성전자주식회사 전원변환부를 갖는 프로브 카드 및 이를 포함하는 테스트 시스템
WO2023170737A1 (ja) * 2022-03-07 2023-09-14 株式会社アドバンテスト 温度制御装置、試験装置、温度制御方法、および温度制御プログラム

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007208138A (ja) * 2006-02-03 2007-08-16 Mitsumi Electric Co Ltd 半導体装置の検査方法
CN101520501A (zh) * 2008-02-28 2009-09-02 东京毅力科创株式会社 探针卡的倾斜调整方法和探针卡的倾斜检测方法
TW201001584A (en) * 2008-05-21 2010-01-01 Advantest Corp Testing wafer unit and test system

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5124639A (en) * 1990-11-20 1992-06-23 Motorola, Inc. Probe card apparatus having a heating element and process for using the same
US5210485A (en) * 1991-07-26 1993-05-11 International Business Machines Corporation Probe for wafer burn-in test system
JPH06151530A (ja) 1992-11-10 1994-05-31 Hitachi Electron Eng Co Ltd ヒータ内蔵プローブカード
JPH095358A (ja) * 1995-06-16 1997-01-10 Hitachi Ltd プローブカードおよびウエハハンドリング方法
TW462103B (en) * 1998-03-27 2001-11-01 Shiu Fu Jia Wafer testing device and method
JP3502034B2 (ja) * 1999-10-26 2004-03-02 イビデン株式会社 ウエハプローバおよびウエハプローバに使用されるセラミック基板
JP2001223257A (ja) * 2000-02-10 2001-08-17 Ibiden Co Ltd 半導体製造・検査装置用セラミック基板
JP4659328B2 (ja) * 2002-10-21 2011-03-30 東京エレクトロン株式会社 被検査体を温度制御するプローブ装置
JP2004150999A (ja) 2002-10-31 2004-05-27 Advantest Corp プローブカード
JP4747504B2 (ja) * 2004-03-24 2011-08-17 住友電気工業株式会社 半導体加熱装置
JP4145293B2 (ja) * 2004-12-28 2008-09-03 株式会社ルネサステクノロジ 半導体検査装置および半導体装置の製造方法
JP2008128838A (ja) 2006-11-21 2008-06-05 Shinko Electric Ind Co Ltd プローブ装置
JP5199859B2 (ja) * 2008-12-24 2013-05-15 株式会社日本マイクロニクス プローブカード
JP5258547B2 (ja) * 2008-12-26 2013-08-07 株式会社日本マイクロニクス 集積回路の検査方法及び装置
JP5294954B2 (ja) * 2009-04-07 2013-09-18 株式会社日本マイクロニクス プローブカードの製造方法
JP5235163B2 (ja) 2009-05-18 2013-07-10 株式会社日本マイクロニクス 検査装置
JP5600520B2 (ja) * 2010-08-25 2014-10-01 日本電子材料株式会社 プローブカード
JP2012256799A (ja) 2011-06-10 2012-12-27 Renesas Electronics Corp 半導体検査装置
JP6031238B2 (ja) * 2012-03-09 2016-11-24 東京エレクトロン株式会社 ウエハ検査用インターフェース及びウエハ検査装置
CN203011962U (zh) * 2012-12-21 2013-06-19 上海宏力半导体制造有限公司 探针卡的预热装置
JP6259590B2 (ja) * 2013-06-12 2018-01-10 株式会社日本マイクロニクス プローブカード及びその製造方法
CN203849229U (zh) * 2014-06-03 2014-09-24 哈尔滨商业大学 液相色谱柱填装装置匀浆罐

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007208138A (ja) * 2006-02-03 2007-08-16 Mitsumi Electric Co Ltd 半導体装置の検査方法
CN101520501A (zh) * 2008-02-28 2009-09-02 东京毅力科创株式会社 探针卡的倾斜调整方法和探针卡的倾斜检测方法
TW201001584A (en) * 2008-05-21 2010-01-01 Advantest Corp Testing wafer unit and test system

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