CN107452340A - 电光学装置以及电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种即使电光学装置微细化、也能够防止显示品质的降低的电光学装置以及电子设备，该电光学装置具有：第一电容，其具备第一电极和第二电极；第二电容，其具备第三电极和第四电极；控制电路，其对第一电极供给第一数据信号，对第三电极供给第二数据信号；第一布线，其与第二电极电连接；第二布线，其与第四电极电连接；第一像素电路，其与第一布线电连接；第二像素电路，其与第二布线电连接；以及定电位线，俯视的状态下，该定电位线设置于第一电容与第二电容之间，第一电容的一端以及第二电容的一端以第一导电层和第二导电层中的任意一方来形成，第一电容的另一端以及第二电容的另一端以第一导电层和第二导电层中的任意另一方来形成。

Description

电光学装置以及电子设备
本申请是申请号为201310102240.8、申请日为2013年03月27日、申请人为精工爱普生株式会社、发明名称为“电光学装置以及电子设备”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明的几个方式例如涉及以电光学元件显示图像时防止显示品质的降低的技术。
背景技术
近几年，提出有各种使用有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，以下称为“OLED”)元件等发光元件的电光学装置。在该电光学装置中，一般采用对应于扫描线与数据线的交叉而设置像素电路的构成。像素电路包括上述发光元件、驱动晶体管等，与应显示的图像的像素对应设置。
在这样的构成中，若与像素的灰度电平对应的电位的数据信号施加于驱动晶体管的栅极，则该驱动晶体管将与栅极/源极间的电压对应的电流向发光元件供给。由此，该发光元件以与灰度电平对应的亮度发光。此时，若驱动晶体管的阈值电压等特性按每个像素电路产生偏差，则产生损坏显示画面的一致性的显示不匀。
因此，提出了补偿像素电路的驱动晶体管的特性的技术(例如，参照专利文献1)。
专利文献1：日本特开2011-53635号公报
然而，若电光学装置趋于微细化，则由于各种布线、端子、电极等接近，则相互容易产生电容耦合。因此，若在某个电极中电位变动，则影响其它的电极的电位，结果成为使显示品质降低的重要原因。
发明内容
本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的之一是提供一种即使电光学装置微细化、也能够防止显示品质的降低的电光学装置以及电子设备。
为了实现上述目的本发明实施方式的电光学装置具有：多个数据线；第一像素电路，其与上述多个数据线中的第一数据线对应设置；和第二像素电路，其与上述多个数据线中的第二数据线对应设置，上述第一像素电路以及第二像素电路分别包括：发光元件；和驱动晶体管，其将与栅极/源极间的电压对应的电流向上述发光元件供给，上述电光学装置具有：第一保持电容，其一端与上述第一数据线连接，另一端与应向上述第一像素电路的发光元件供给的电流对应地进行电位移位；第二保持电容，其一端与上述第二数据线连接，另一端与应向上述第二像素电路的发光元件供给的电流对应地进行电位移位；定电位线，俯视状态下，其设置于上述第一保持电容与上述第二保持电容之间。
根据本发明方式，设置于第一保持电容与第二保持电容之间的定电位线作为屏蔽线起作用。因此，经由第一保持电容的第一数据线、经由第二保持电容的第二数据线相互不容易受电位变动的影响，从而能够防止显示品质降低。
在上述方式中，也可以构成为，上述第一保持电容的一端以及上述第二保持电容的一端以第一导电层或者第二导电层中的任意一方形成，上述第一保持电容的另一端以及上述第二保持电容的另一端以上述第一导电层或者上述第二导电层中的任意另一方形成，上述定电位线至少以上述第一导电层的布线以及第二导电层的布线来形成。
根据该构成，由构成第一保持电容以及第二保持电容的第一导电层、第二导电层构成。定电位线也由第一导电层、第二导电层构成。作为屏蔽线的功能提高。
在该构成中，优选构成为，上述定电位线的上述第一导电层的布线以及第二导电层的布线相互电连接。根据该构成，剖面方向的屏蔽功能也提高。
此外，定电位线的第一导电层的布线以及第二导电层的布线也可以是相互不电连接。不连接的情况下，定电位线的第一导电层的布线以及第二导电层的布线可以是相互相同或者不相同的电位。
在上述方式中，也可以构成为，作为定电位线，使用供给复位电位的布线。即，也可以构成为，上述发光元件是双端子型元件，上述发光元件与上述驱动晶体管在不同的2个电源电位之间以串联的方式电连接，上述发光元件两端子中的、上述驱动晶体管侧的端子被该驱动晶体管供给电流之后，变为规定的复位电位，向上述定电位线供给上述复位电位。
另外，在上述方式中，也可以构成为，作为定电位线，使用发光元件的电源线。即，也可以构成为，上述发光元件与上述驱动晶体管在不同的2个电源电位之间以串联的方式连接，上述2个电源电位中的一方被供给至所述定电位线。
在本发明的方式中，除了电光学装置之外，还能够定义为具有电光学装置的电子设备。作为电子设备，典型地能够例举出头戴式显示器(HMD)、电子取景器等显示装置。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式的电光学装置的构成的立体图。
图2是表示该电光学装置的电构成的图。
图3是表示该电光学装置中的像素电路的图。
图4是表示该像素电路的构成的俯视图。
图5是表示图4的等效电路的俯视图。
图6是表示该电光学装置的电平移位电路的要部构成的俯视图。
图7是表示图6的等效电路的俯视图。
图8是表示以图6的P-p线剖开的局部剖视图。
图9是表示以图6的Q-q线以及R-r线剖开的局部剖视图。
图10是表示该电光学装置的动作的时序图。
图11是该电光学装置的动作说明图。
图12是该电光学装置的动作说明图。
图13是该电光学装置的动作说明图。
图14是该电光学装置的动作说明图。
图15是表示该电光学装置的数据信号的振幅压缩的图。
图16是表示该电光学装置的晶体管的特性的图。
图17是表示应用方式的电平移位电路的要部构成的俯视图。
图18是表示使用了实施方式等的电光学装置的HMD的立体图。
图19是表示HMD的光学构成的图。
具体实施方式
以下，参照附图，对用于实施本发明的方式进行说明。
图1是表示本发明的实施方式的电光学装置10的构成的立体图。
该电光学装置10例如是在HMD(Head Mount Display)等中显示彩色图像的微型显示器。电光学装置10是多个像素电路、驱动该像素电路的驱动电路等例如形成于半导体硅基板上而构成的有机EL装置，在像素电路中作为发光元件的一个例子使用OLED，电光学装置10的详细说明在后面进行叙述。
电光学装置10收纳在显示区域开口的框状的壳体72中，并且连接有FPC(FlexiblePrinted Circuits，柔性印刷电路)基板74的一端。在FPC基板74的另一端设置有多个端子76，与省略图示的上位电路连接。在FPC基板上，通过COF(Chip On Film)技术安装半导体晶片的控制电路5，并且从该上位电路经由多个端子76且与同步信号同步地供给图像(映像)数据。同步信号包括垂直同步信号、水平同步信号、点时钟信号。另外，对于图像数据而言，按照每个RGB例如以8比特来规定应显示的图像的像素的灰度电平。
控制电路5兼具电光学装置10的电源电路和数据信号输出电路的功能。即，控制电路5除了将根据同步信号生成的各种控制信号、各种电位(电压)向电光学装置10供给之外，还将数字的图像数据变换为模拟的数据信号而向电光学装置10供给。
图2是表示实施方式的电光学装置10的电构成的图。如该图所示，电光学装置10大致包括扫描线驱动电路20、多路分离器30、电平移位电路40、显示部100。
其中，在显示部100矩阵状地排列有与应显示的图像的像素对应的像素电路110。详细而言，在显示部100中，m行的扫描线12在图中沿横向延伸设置，另外，例如，每3列分组的(3n)列的数据线14在图中沿纵向延伸，并且，与各扫描线12保持相互电绝缘地交叉设置。而且，在对应于m行的扫描线12与(3n)列的数据线14的交叉的位置设置有像素电路110。
这里，m、n是任一自然数。扫描线12以及像素电路110的矩阵中，为了区别行(row)，有在图中从上按顺序称作1、2、3、…、(m-1)、m行的情况。同样，为了区别数据线14以及像素电路110的矩阵的列(column)，有在图中从左按顺序称作1、2、3、…、(3n-1)、(3n)列的情况。另外，为了将数据线14的组通用地进行说明，若使用1以上n以下的整数j，则从左数第j组从属有第(3j-2)列、第(3j-1)列以及第(3j)列的数据线14。
此外，对应于同一行的扫描线12与属于同一组的3列数据线14的交叉的3个像素电路110，分别与R、G、B的像素对应。因此，在本实施方式中，像素电路110的矩阵排列为纵m行×横(3n)列，从显示图像的点排列来看为纵m行×横n列。
为便于说明，例如在将与R对应的第(3j-2)列的数据线14设为第一数据线时，有将与G对应的第(3j-1)列的数据线14称为第二数据线的情况。对于像素电路110而言，与R的数据线14(第一数据线)对应的像素电路成为第一像素电路，与G的数据线14(第二数据线)对应的像素电路成为第二像素电路。
那么，在电光学装置10，如下所述的控制信号由控制电路5供给。详细而言，向电光学装置10供给：用于控制扫描线驱动电路20的控制信号Ctr；用于控制在多路分离器30的选择的控制信号Sel(1)、Sel(2)、Sel(3)；与这些信号有逻辑反转的关系的控制信号/Sel(1)、/Sel(2)、/Sel(3)；用于控制电平移位电路40的控制信号/Gini、Gref、Gcpl；与控制信号Gcpl有逻辑反转的关系的控制信号/Gcpl。此外，控制信号Ctr实际上包括脉冲信号、时钟信号、使能信号等多个信号。
另外，数据信号Vd(1)、Vd(2)、…、Vd(n)与在多路分离器30的选择时机一致地从控制电路5经由与第1、2、…、n组对应的共用端子78向电光学装置10供给。
这里，在本实施方式中，规定应显示的像素的灰度的灰度电平例如被指定为从最暗0电平到最亮255电平的范围，此时，在从相当于0电平的电位Vmax到相当于255电平的电位Vmin的范围内阶段性地取得数据信号Vd(1)～Vd(n)。这里，因为将控制针对OLED的电流的晶体管设为P沟道型，指定越亮的灰度电平，则数据信号从电位Vmax降低。
另外，在数据线14分别设置保持电容50。保持电容50的一端与数据线14连接，保持电容50的另一端与定电位的、例如电位Vorst的供电线16共通连接。作为保持电容50，也可以使用寄生于数据线14的电容，也可以使用该寄生电容与由构成数据线14的布线和另外的布线夹持绝缘体(电介质)而形成的电容元件的合成电容。这里，将保持电容50的电容设为Cdt。
扫描线驱动电路20根据控制信号Ctr而生成在横跨帧期间对扫描线12每一行按顺序进行扫描的扫描信号。这里，将向第1、2、3、…、(m-1)、m行的扫描线12供给的扫描信号分别标记为Gwr(1)、Gwr(2)、Gwr(3)、…、Gwr(m-1)、Gwr(m)。
此外，扫描线驱动电路20除了扫描信号Gwr(1)～Gwr(m)之外，还按每行生成与该扫描信号同步的各种控制信号并向显示部100供给，但在图2中省略图示。另外，所谓帧期间为电光学装置10显示1个镜头(画面)大小的图像所需要的时间，例如若同步信号所包含的垂直同步信号的频率是120Hz的话，则其1个周期为8.3毫秒。
多路分离器30是设置于每列的传输门34的集合体。与属于第j组的(3j-2)列、(3j-1)列、(3j)列对应的传输门34的输入端相互与共用端子78连接，并且数据信号Vd(j)以时分割方式供给。
在第j组中，设置于作为左端列的(3j-2)列的传输门34在控制信号Sel(1)为H电平(控制信号/Sel(1)为L电平)时接通(导通)。同样，在第j组中，设置于作为中央列的(3j-1)列的传输门34在控制信号Sel(2)为H电平(控制信号/Sel(2)为L电平)时接通，在第j组中设置于作为右端列的(3j)列的传输门34在控制信号Sel(3)为H电平时(控制信号/Sel(3)为L电平时)接通。
电平移位电路40是使该数据信号的电位向将从各列的传输门34的输出端输出的数据信号的电位振幅压缩的方向移位的器件。因此，电平移位电路40每列具有保持电容41、传输门42、N沟道型的晶体管43、保持电容44、P沟道型的晶体管45的组合。
在各列中，多路分离器30的传输门34的输出端在电平移位电路40中、分别与保持电容41的一端、电平移位电路40中传输门42的输入端连接。保持电容41的另一端在各列中相互与作为固定电位的Gnd共通接地。
此外，对于电压而言，只要没有特别说明，保持电容的两端电压、栅极/源极间的电压、OLED150的阳极/阴极间的电压的电位Gnd以零伏为基准。
各列的传输门42在控制信号Gcpl为H电平时(控制信号/Gcpl为L电平时)接通。传输门42的输出端经由保持电容44与数据线14连接。
这里，对于保持电容44的一端以及另一端而言，为便于说明，将一端设为数据线14一侧，将另一端设为传输门42一侧。此时，保持电容44的一端除了与数据线14连接之外，也与晶体管45的漏极节点连接，另一方面，保持电容44的另一端也与晶体管43的漏极节点连接。
为便于说明，图2中虽然省略表示，但将保持电容44的电容设为Cref1，将保持电容44的另一端设为节点h。另外，在以列区别保持电容44的情况下，与R列对应的保持电容为第一保持电容，与G列对应的保持电容为第二保持电容。
此外，如图2所示，供电线16以纵贯电平移位电路40的内部的方式延伸配置。
对于晶体管43而言，源极节点遍及各列与作为规定的基准电位而供给电位Vref的供电线62共通地连接，栅极节点遍及各列与供给控制信号Gref的控制线64共通地连接。因此，节点h和供电线62在控制信号Gref为H电平时由于晶体管45的接通而电连接，另一方面，在控制信号Gref为L电平时由于晶体管45的断开而成为非电连接。
另外，对于晶体管45而言，源极节点遍及各列地与作为初始电位而供给电位Vini的供电线61共通地连接，栅极节点遍及各列与供给控制信号/Gini的控制线63共通地连接。因此，数据线14和供电线61在控制信号/Gini为L电平时由于晶体管45的接通而电连接，另一方面，在控制信号/Gini为H电平时由于晶体管45的断开而成为非电连接。
在本实施方式中，为便于说明，将扫描线驱动电路20、多路分离器30以及电平移位电路40分开，但是这些能够作为驱动像素电路110的驱动电路而整合定义。
参照图3对像素电路110进行说明。因为从电学来看，各像素电路110是互相相同的构成，所以这里以位于第i行、第j组中的左端列的第(3j-2)列的i行(3j-2)列的像素电路110为例进行说明。
此外，图3仅限于表示像素电路110的等效电路，并不是反应实际的电路布局的图。另外i是一般地表示像素电路110排列的行的情况下的符号，是1以上m以下的整数。
如图3所示，像素电路110包括P沟道型的晶体管121～125、保持电容140、OLED150。向该像素电路110供给扫描信号Gwr(i)、控制信号Gel(i)、Gcmp(i)、Gorst(i)。这里，扫描信号Gwr(i)、控制信号Gel(i)、Gcmp(i)、Gorst(i)分别与第i行对应而由扫描线驱动电路20供给。其中，经由控制线134供给控制信号Gel(i)，同样，分别经由控制线133、135供给控制信号Gcmp(i)、Gorst(i)。
此外，因为扫描信号Gwr(i)、控制信号Gel(i)、Gcmp(i)、Gorst(i)与第i行对应地供给，从而若是第i行，则也共通地向着眼的(3j-2)列以外的其它列的像素电路供给。
那么，对于在i行(3j-2)列的像素电路110中的晶体管122而言，栅极节点与第i行的扫描线12连接，漏极或者源极节点的一方与第(3j-2)列的数据线14连接，另一方分别与晶体管121的栅极节点、保持电容140的一端、晶体管123的漏极节点连接。这里，为了与其它节点区别而将晶体管121的栅极节点标记为g。
在晶体管121，源极节点与供电线116连接，漏极节点分别与晶体管123的源极节点、晶体管124的源极节点连接。这里，在像素电路110中成为电源的高位侧的电位Vel向供电线116供给。
在晶体管123中，栅极节点与第i行的控制线133连接并供给控制信号Gcmp(i)。
在晶体管124中，栅极节点与第i行的控制线134连接并供给控制信号Gel(i)，漏极节点分别与晶体管125的源极节点、OLED150的阳极Ad连接。
在晶体管125中，栅极节点与第i行的控制线135连接并供给与第i行对应的控制信号Gorst(i)，漏极节点和与第(3j-2)列对应的供电线16连接并保持为电位Vorst。
此外，在晶体管121～125中，有因沟道型的变更等引起电位关系变化的情况。在电位关系变化的情况下，有作为漏极节点说明的节点成为源极节点、作为源极节点说明的节点成为漏极节点的可能。例如，晶体管121的源极节点以及漏极节点的任意一方与供电线116电连接，任意另一方能够经由晶体管123与OLED150的阳极Ad电连接。
保持电容140的另一端与供电线116连接。因此，保持电容140保持晶体管121的源极/漏极间的电压。这里，将保持电容140的电容标记为Cpix时，保持电容50的电容Cdt、保持电容44的电容Cref1、保持电容140的电容Cpix设定为：
Cdt、Cref1＞＞Cpix。
即，Cpix比Cdt以及Cref1小很多。此外，Cref2是与Cref1相同的程度，或者是比Cref1稍微小。另外，作为保持电容140，也可以使用寄生于晶体管121的栅极节点g的电容，也可以使用通过在半导体硅基板中用相互不同的导电层夹持绝缘层而形成的电容。
OLED150的阳极Ad是按照每个像素电路110分别独立地设置的像素电极。与此相对，OLED150的阴极Ct是遍及整个像素电路110而共通的公共电极118，在像素电路110中保持为成为电源的低位侧的电位Vct。
因此，构成为晶体管121的源极/漏极与OLED150在电源的高位侧的电位Vel与低位侧的电位Vct之间，经由晶体管124以串联的方式电连接。
OLED150是在上述半导体硅基板中，用阳极Ad和具有透光性的阴极Ct夹持白色有机EL层的双端子型元件。而且，在OLED150的射出侧(阴极侧)重叠与RGB的任一个对应的彩色滤光片。
在这样的OLED150中，若电流从阳极向阴极流动，则阳极注入的空穴与从阴极注入的电子在有机EL层再结合生成激子，产生白色光。构成为，此时产生的白色光透过与硅基板(阳极)相反的一侧的阴极，经由彩色滤光片着色，而在观察者侧可视(顶部发光构造)。
另外，在本实施方式中，因为电光学装置10形成于半导体硅基板，所以虽然在图3中省略晶体管121～125的基板电位，但设为电位Vel。
在这样的构成中，若电性地插入到数据信号的供给路径的保持电容44的一端的电位以及另一端的电位偏离目标值，则显示品质降低。如上述那样，若电光学装置10微细化，则因为由于电容耦合而相邻列的电位的变动传播，所以容易产生显示品质的降低。
因此，在本实施方式中，构成为，通过定电位线屏蔽保持电容44的一端和另一端，所以难以受到相邻列的电位变动的影响。
在该构成的说明中，作为预备知识需要电光学装置10的制造工序。因此首先，对电光学装置10的制造工序进行简单的说明。
在电光学装置中，首先，例如在P型的半导体硅基板形成作为P沟道型的晶体管的基础的岛状的N阱区域，之后，经由栅极绝缘膜对多晶硅膜等第一导电层进行刻蚀而形成栅极等第一布线。其后，除了通过抗蚀剂保护形成有P沟道型的晶体管的区域，还通过对该抗蚀剂、栅极布线等掩模的离子进行注入，形成作为N沟道型的晶体管的源极节点以及漏极节点的N型扩散层。接着，通过抗蚀剂对形成有N沟道型的晶体管的区域进行保护，之后，通过打入对该抗蚀、栅极布线等进行掩模的离子，在P沟道型的晶体管形成作为源极节点或者漏极节点的P型扩散层。
接着，经由第一层间绝缘膜，对铝、铜等的导电层(第二导电层)进行刻蚀，作为后述的各种布线而设置第二布线。此时，第二布线与第一布线、源极节点、漏极节点经由在第一层间绝缘膜开孔的接触孔连接。
接着，经由第二层间绝缘膜，同样对铝、铜等的导电层(第三导电层)进行刻蚀，作为各种布线而设置第三布线。此时，第三布线与第二布线经由在第二层间绝缘膜开孔的接触孔连接。
而且，经由第三层间绝缘膜以及遮光层，形成矩形形状的像素电极来作为OLED150的阳极Ad。因为之后与本发明没有直接关系，所以省略说明。
对于通过这样的制造工序，如何构成显示部100的像素电路110、周边电路的电平移位电路40分别进行说明。
此外，对于以下的图4至图9而言，为了对构造进行说明，适当地变更比例尺，所以纵横比并不是尺度。
像素电路
图4是从观察侧观察顶部发光构造的像素电路110时的俯视图，表示第一布线、第二布线以及第三布线的各种布线。另外，图5是用电路置换图4中的构造而表示的说明图，电路上与图3相同。
如图4所示，在像素电路110中，首先，设置晶体管121～125，并且通过第一导电层的图案形成栅极布线121g～125g来作为第一布线。
俯视状态下，晶体管121在列方向(数据线14的延伸方向)成为长边的矩形形状，具有在N阱经由绝缘膜形成的栅极布线121g，和2个P型扩散层(图中用阴影表示的区域)。在晶体管121的2个扩散层中，图中下侧为源极节点，上侧为漏极节点。
图中晶体管122、123配置于晶体管121的右侧，俯视状态下，列方向上为长边的矩形形状。在晶体管122、123中，形成相互分离的栅极布线122g、123g，并且形成有3个P型扩散层。在这3个扩散层中，图中下侧为晶体管122的漏极或者源极节点中的一方，中央为晶体管122的漏极或者源极节点中的另一方与晶体管123的漏极节点的共通(共用)节点，上侧是晶体管123的源极节点。
如图4所示那样，俯视状态下，晶体管124在列方向为长边的矩形形状，相对于晶体管122、123而配置于在列方向上对齐的地点。在晶体管124形成有栅极布线124g，并形成有2个P型扩散层。在2个扩散层中，图中下侧为晶体管124的源极节点，上侧为漏极节点。
晶体管125配置于图中晶体管124的左侧，以及相对于晶体管121在列方向对齐的地点。在晶体管125形成有栅极布线125g，并形成有2个P型扩散层。在2个扩散层中，图中下侧为晶体管125的漏极节点，上侧为源极节点。
对于这样设置的晶体管121～125，在设置有第一层间绝缘膜之后，图案化第二导电层而设置有如下所述的第二布线。即，扫描线12、布线81～86、供电线116、布线116b、控制线133～135作为上述第二布线而设置。其中，扫描线12、供电线116、控制线133～135分别沿行方向延伸。
扫描线12通过栅极布线122g的上表面一侧(纸面近前侧)。扫描线12经由在第一层间绝缘膜开孔的接触孔(通孔，图中的“□”)12f与栅极布线122g连接。控制线133通过栅极布线123g的上表面一侧，经由接触孔133f与栅极布线123g连接。
俯视状态下，供电线116在晶体管121～123与晶体管124、125的边界、沿行方向延伸设置。控制线134、135均通过栅极布线124g、125g的上表面一侧，并且其中控制线134经由接触孔134f与栅极布线124g连接，控制线135经由接触孔135f与栅极布线125g连接。
对于布线81而言，一端连接于数据线14和晶体管122的漏极或者源极节点中的一方。
对于布线82而言，一端与晶体管122、123中的共通节点连接，另一方面，另一端经由接触孔82f与晶体管121的栅极布线121g连接。布线82在栅极布线121g的上表面一侧宽度变大，构成保持电容140的一对电极中的一方。
对于布线83而言，一端与晶体管121的漏极节点连接，另一端与晶体管123的源极节点连接。
布线84是用于将晶体管124的源极节点与后述的第二布线层的布线91连接的中继电极。布线85一端与晶体管125的漏极节点连接。布线86与晶体管124的漏极节点、晶体管125的源极节点，OLED150(在图4、图5中省略图示)的阳极Ad连接。
布线116b是用于经由后述的第二布线层的布线116a将晶体管121的源极节点与供电线116连接的中继布线。
对于这样的第二布线，在设置了第二层间绝缘膜后，图案化第三导电层而设置图示的数据线14、供电线16、布线91、116a来作为上述第三布线。
数据线14、供电线16分别沿列方向延伸设置。俯视状态下，数据线14配置于下晶体管122～124的右侧，经由在第二层间绝缘膜开孔的接触孔14f，与布线81的另一端连接。由此，数据线14经由布线81，与晶体管122的漏极或者源极节点的一方连接。
俯视状态下，供电线16配置于晶体管122、123、124与晶体管121、125之间，经由接触孔16f与布线85的另一端连接。由此，供电线16经由布线85与晶体管125的漏极节点连接。
另一方面，俯视状态下，布线116a配置于晶体管121的左侧，在跨越控制线133以及扫描线12的状态下，经由接触孔116e与供电线116连接，经由接触孔116f与布线116b连接。由此，供电线116经由布线116a、116b与晶体管121的源极节点连接。
另外，俯视状态下，布线116a形成为与布线82重叠，构成为保持电容140的一对电极中的另一方。由此，保持电容140成为用布线82和布线116a夹持第二层间绝缘膜的构成。
布线91以跨越供电线116的状态将布线83、84彼此连接。由此，晶体管121的漏极节点、晶体管123的漏极节点以及晶体管124的源极节点相互连接。
这样，像素电路110中，晶体管121～123与晶体管124、125被电位Vel的供电线116隔开。另外，晶体管121的栅极节点g构成为，在图中左侧被布线116a屏蔽，并且右侧被供电线16屏蔽。
电平移位电路
图6是从观察侧观察电平移位电路40中形成晶体管43、45以及保持电容44的区域时的俯视图，表示第一布线、第二布线以及第三布线各种布线。
此外，图6中的各种布线分别用与像素电路110共通的工序形成。图7是用电路置换表示图6的构造的说明图。
另外，图8是以图6中P-p线剖开的局部剖视图，图9(a)是用图6的Q-q线剖开的局部剖视图，图9(b)是用图6的R-r线剖开的局部剖视图。此外，以下，以图6的俯视图为主进行说明，以图8、图9的局部剖视图为辅进行说明。
对图6进行概略说明，保持电容44设置于数据线14的一端，并且在左侧以及右侧分别延伸配置有供电线16。
在图中下侧(多路分离器30侧)设置有晶体管43，上侧(显示部100侧)设置有晶体管45。俯视状态下，晶体管43、45与像素电路110中的晶体管121～125同样成为列方向为长边的矩形形状。另外，通过第一导电层的图案形成来形成栅极布线43g、45g、布线16g、61g、62g以及电极44g来作为第一布线。
特别是如图9(b)所示，晶体管43具有相对于P型的半导体硅基板S(P阱)经由绝缘膜L0而形成的栅极布线43g、和2个N型扩散层。晶体管43的2个扩散层中，图9(b)中右侧(图6中下侧)为漏极节点，左侧(同，上侧)为源极节点。
晶体管45具有相对于N阱经由绝缘膜L0而形成的栅极布线45g与2个P型扩散层。在晶体管45的2个扩散层中，右侧为源极节点，左侧为漏极节点。
另一方面，在供电线16列方向形成的区域内，布线16g设置于行方向的供电线61、62之间。在形成有行方向的供电线62的区域内，布线62g设置于各列的晶体管43的源极节点之间。在形成有行方向的供电线61的区域内，布线61g设置于各列的晶体管45的源极节点之间。
电极44g是保持电容44的另一端，如图所示成为列方向为长边的矩形形状。
相对于晶体管43、45设置有第一层间绝缘膜L1，之后，通过第二导电层的图案化而形成有供电线61、62、控制线63、64、布线43a、45a、49a、16a以及电极44a来作为第二布线。其中，供电线61、62、控制线63、64分别沿行方向延伸设置。
供电线62设置于布线62g的上表面一侧，并且经由在第一层间绝缘膜L1开孔的接触孔43e，与晶体管43的源极节点连接。另外，供电线62经由接触孔62e与布线62g连接。因此，供电线62将布线62g作为下层而部分成为二层构造。控制线64设置为，在栅极布线43g的上表面一侧通过，并且经由在第一层间绝缘膜开孔的接触孔43f与栅极布线43g连接。布线43a的一端经由接触孔与晶体管43的漏极节点连接。
另一方面，供电线61设置于布线61g的上表面一侧，并且经由接触孔45e与晶体管45的源极节点连接。另外，供电线61经由接触孔61e与布线61g连接。因此，供电线61将布线61g作为下层而部分成为二层构造。控制线63设置为通过栅极布线45g的上表面一侧，并且经由接触孔45f与栅极布线45g连接。布线45a的一端经由接触孔与晶体管45的源极节点连接。
布线49a是将在保持电容44中成为另一端的电极44g与后述的布线48中继的部件，与电极44a经由接触孔49e连接。
布线16a设置于布线16g的上表面一侧，并且经由多个接触孔16e与该布线16g连接。
电极44a与电极44g重叠，成为保持电容44的一端。在电极44g与电极44a之间，如图9(a)所示，因为夹持第一层间绝缘膜L1，由此形成保持电容44。
在相对于这样的第二布线设置第二层间绝缘膜L2之后，通过第三导电层的图案化而设置有数据线14、供电线16以及布线48来作为第三布线。
数据线14经由将第二层间绝缘膜L2开孔的多个接触孔44f与电极44a连接。另外，数据线14经由接触孔55与布线45a的另一端连接。由此，数据线14按顺序经由接触孔55以及布线45a与晶体管45的漏极节点连接。
供电线16经由多个接触孔16f与布线16a连接。由此，供电线16因为布线16g、16a而部分成为三层构造。因此，在保持电容44的左右两侧分别配置有三层构造的供电线16作为屏蔽线。
布线48从传输门42(参照图2)的输出端引出，并经由接触孔49f与布线49a连接。因此，布线48通过布线49a的中继与作为保持电容44的另一端的电极44g连接。另外，布线48经由接触孔53与布线43a的另一端连接。由此，布线48按顺序经由接触孔43以及布线43a与晶体管43的漏极节点连接。
这样，在电平移位电路40中，相对于保持电容44，如图6所示，分别在左右两侧设置供电线16，在上侧设置供电线61，在下侧设置供电线62。因此，保持电容44的四边分别被定电位线屏蔽。
第一实施方式的动作
参照图10对电光学装置10的动作进行说明。图10是用于对电光学装置10中的各部分的动作进行说明的时序图。
如该图所示，扫描信号Gwr(1)～Gwr(m)依次切换为L电平，在1帧期间第1～m行的扫描线12以1水平扫描期间(H)为单位按顺序扫描。
1水平扫描期间(H)的动作在各行的像素电路110整体上是共同的。因此，以下在第i行水平扫描的扫描期间中，特别着眼于i行(3j-2)列的像素电路110进行动作说明。
第i行的扫描期间大致区分为图10中(b)所示的初始化期间、(c)所示的补偿期间、(d)所示的写入期间。而且，在(d)的写入期间之后，隔开间隔成为(a)所示的发光期间，在经过1帧期间后再次到第i行的扫描期间。因此，若以时间顺序来说的话，以(发光期间)→初始化期间→补偿期间→写入期间→(发光期间)则以周期反复。
此外，在图10中，对于相对于第i行、与1行前的第(i-1)行对应的扫描信号Gwr(i-1)、控制信号Gel(i-1)、Gcmp(i-1)、Gorst(i-1)而言，分别成为与第i行所对应的扫描信号Gwr(i)、控制信号Gel(i)、Gcmp(i)、Gorst(i)相比，时间上分别先行1水平扫描期间(H)的时间的波形。
发光期间
为便于说明，从成为初始化期间的前提的发光期间进行说明。如图10所示那样，在第i行的发光期间，扫描信号Gwr(i)为H电平。另外，作为逻辑信号的控制信号Gel(i)、Gcmp(i)、Gorst(i)中，控制信号Gel(i)为L电平，控制信号Gcmp(i)、Gorst(i)为H电平。
因此，如图11所示，在i行(3j-2)列的像素电路110中，晶体管124接通，另一方面晶体管122、123、125断开。因此，晶体管121作为向OLED150供给与晶体管121的栅极/源极间的电压Vgs对应的电流Ids的驱动晶体管而工作。如后述那样，在本实施方式中，发光期间的电压Vgs为从晶体管121的阈值电压根据数据信号的电位进行电平移位后的值。因此，与灰度电平对应的电流以补偿晶体管121的阈值电压的状态供给到OLED150。
此外，第i行的发光期间因为是第i行以外的行被水平扫描的期间，所以数据线14的电位适当地变更。但是，在第i行的像素电路110中，因为晶体管122断开，所以这里没有考虑数据线14的电位变动。另外，在图11中，将动作说明中重要的路径用粗线表示(以下的在图12～图14也相同)。
初始化期间
接下来若到第i行的扫描期间，则成为(b)的初始化期间。在初始化期间中，与发光期间相比，控制信号Gel(i)变为H电平，控制信号Gorst(i)变为L电平。
因此，如图12所示，在i行(3j-2)列的像素电路110中晶体管124断开，晶体管125接通。因此向OLED150供给的电流的路径被隔绝，并且OLED150的阳极Ad复位至电位Vorst。
因为OLED150构成为用阳极Ad和阴极夹持有机EL层，所以在阳极/阴极之间，如图中虚线所示那样并联地寄生有电容Coled。在发光期间中电流在OLED150流动时，该OLED150的阳极/阴极间的两端电压虽然被该电容Coled保持，该保持电压由于晶体管125的接通而复位。因此，在本实施方式中，在之后的发光期间中电流再次在OLED150流动时，难以受到被该电容Coled保持的电压的影响。
详细而言，例如从高亮度的显示状态转为低亮度的显示状态时，若是不进行复位的构成，则因为亮度高(大电流流动)时的高电压被保持，所以接下来，即使要使小电流流动，则也会导致过剩的电流流动，难以得到低亮度的显示状态。相对于此，在本实施方式中，因为晶体管125接通而OLED150的阳极Ad的电位被复位，所以低亮度侧的再现性提高。
此外，在本实施方式中，电位Vorst被设定为该电位Vorst与公共电极118的电位Vct之差低于OLED150的发光阈值电压。因此，在初始化期间(接下来进行说的明补偿期间以及写入期间)中，OLED150为断开(非发光)状态。
另一方面在初始化期间，控制信号/Gini成为L电平，控制信号Gref成为H电平，并且控制信号Gcpl成为L电平。因此，在电平移位电路40中，如图12所示那样晶体管45，43分别接通，并且传输门42断开。因此，作为保持电容44的一端的数据线14初始化为电位Vini，作为保持电容44的另一端的节点h初始化为电位Vref
这里，电位Vini被设定为(Vel-Vini)比晶体管121的阈值电压|Vth|大。此外，因为晶体管121是P沟道型，所以以源极节点的电位为基准的阈值电压Vth为负。因此，为了避免由于高低关系的说明而产生混乱，所以阈值电压用绝对值的|Vth|表示，用大小关系规定。
另外，控制电路5遍及初始化期间以及补偿期间供给数据信号。即，对于控制电路5而言，若以第j组来说,将规定数据信号Vd(j)按顺序切换为、对应i行(3j-2)列、i行(3j-1)列、i行(3j)列的像素的灰度电平的电位，另一方面，与数据信号的电位的切换一致按顺序排他地将控制信号Sel(1)、Sel(2)、Sel(3)设为H电平。因此，在多路分离器30中，在各组中传输门34分别以左端列、中央列、右端列的顺序接通。
这里，在初始化期间中，属于第j组的左端列的传输门34由控制信号Sel(1)接通的情况下，如图12所示，数据信号Vd(j)向保持电容41的一端供给，因此该数据信号被保持电容41保持。
补偿期间
在第i行的扫描期间，接下来变为(c)的补偿期间。在补偿期间与初始化期间相比，扫描信号Gwr(i)以及控制信号Gcmp(i)变为L电平。另一方面，在补偿期间，以控制信号Gref被维持H电平的状态控制信号/Gini变为H电平。
因此，如图13所示那样，在i行(3j-2)列的像素电路110中晶体管122接通，栅极节点g与数据线14电连接，另一方面由于晶体管123的接通，晶体管121成为二极管连接。
因此，电流以供电线116→晶体管121→晶体管123→晶体管122→第(3j-2)列数据线14这一路径流动，栅极节点g从电位Vini上升。但是，对于在上述路径流动的电流而言，随着栅极节点g靠近电位(Vel-|Vth|)而难以流动，所以在到补偿期间的结束为止，数据线14以及栅极节点g以电位(Vel-|Vth|)饱和。因此，保持电容140在直到补偿期间结束为止保持晶体管121的阈值电压|Vth|。
另一方面，在电平移位电路40，因为控制信号/Gini以控制信号Gref维持H电平的状态而成为H电平，所以在电平移位电路40中节点h固定于电位Vref。
已经在初始化期间，属于第j组的左端列的传输门34由控制信号Sel(1)接通的情况下，在补偿期间，该传输门34不接通。
另外，若补偿期间结束，则因为控制信号Gcmp(i)成为H电平，所以晶体管121的二极管连接被解除。
此外，因为补偿期间结束之后到接下来的写入期间开始为止的期间控制信号Gref变为L电平，晶体管43断开。因此，从第(3j-2)列的数据线14到i行(3j-2)列的像素电路110的栅极节点g的路径成为流动状态，该路径的电位被保持电容50，140维持为(Vel-|Vth|)。
写入期间
在第i行的扫描期间，在补偿期间之后变为(c)的写入期间。在写入期间，控制信号Gcmp(i)变为H电平，另一方面在补偿期间，控制信号/Gini以控制信号Gref变为L电平的状态下变为H电平(控制信号/Gcpl变为L电平)。
因此，如图14所示在电平移位电路40中，因为传输门42接通，被保持电容41保持的数据信号向作为保持电容44的另一端的节点h供给。即，与OLED150的亮度对应的电位的信号向节点h供给。因此，节点h从补偿期间的电位Vref移位。将此时的节点h的电位变化量设为ΔV，将变化后的电位作为(Vref+ΔV)表示。
另一方面，由于栅极节点g经由数据线14与保持电容44的一端连接，所以从补偿期间的电位(Vel-|Vth|)移位节点h的电位变化量ΔV乘以电容比k2的值程度。即，栅极节点g的电位变为从补偿期间的电位(Vel-|Vth|)移位了节点h的电位变化量ΔV乘以电容比k2的值而得的(Vel-|Vth|+k2·ΔV)。若将此用晶体管121的电压Vgs以绝对值表示，则成为从阈值电压|Vth|移位了相当于栅极节点g的电位移位量的值(|Vth|-k2·ΔV)。
此外，电容比k2是用Cdt、Cref1、Cref2确定的电容比。严格来说，虽然还必须考虑保持电容140的电容Cpix，因为设定为电容Cpix与电容Cdt、Cref1、Cref2相比充分小，所以忽略。
图15是表示写入期间的数据信号的电位与栅极节点g的电位的关系的图。从控制电路5供给的数据信号如上述那样与像素的灰度电平对应而取从最小值Vmin到最大值Vmax的电位范围。在本实施方式中，该数据信号并不直接向栅极节点g写入，而是如图所示进行电平移位，而向栅极节点g写入。
此时，栅极节点g的电位范围ΔVgate被压缩到数据信号的电位范围ΔVdata(＝Vmax-Vmin)乘以电容比k2的值。
另外，对于使栅极节点g的电位范围ΔVgate相对于数据信号的电位范围ΔVdata向哪一方向移位多少，能够用电位Vp(＝Vel-|Vth|)、Vref确定。这是因为数据信号的电位范围ΔVdata以电位Vref为基准以电容比k2被压缩，并且其压缩范围以电位Vp为基准移位后成为栅极节点g的电位范围ΔVgate。
在这样第i行的写入期间中，在第i行的像素电路110的栅极节点g写入从补偿期间的电位(Vel-|Vth|)移位了电容比k2与节点h的电位变化量ΔV的乘积对应的量的电位(Vel-|Vth|+k2·ΔV)。
于是扫描信号Gwr(i)变为H电平，晶体管122断开。由此写入期间结束，栅极节点g的电位被确定为移位后的值。
发光期间
在本实施方式中，第i行的写入期间的结束后，在1水平扫描期间(H)经过后到达发光期间。在该发光期间中，如上述那样因为控制信号Gel(i)变为L电平，所以在i行(3j-2)列的像素电路110中，晶体管124接通。因为栅极/源极间的电压Vgs是(|Vth|-k2·ΔV)，所以OLED150如前图11所示那样，与灰度电平对应的电流以补偿了晶体管121的阈值电压的状态下被供给。
这样的动作在第i行的扫描期间中，在第(3j-2)列的像素电路110以外的第i行其它的像素电路110也在时间上并列执行。并且，这样的第i行的动作实际上在1帧期间以第1、2、3、…、(m-1)、m行的顺序执行，以帧为单位重复。
根据本实施方式，因为栅极节点g的电位范围ΔVgate相对于数据信号的电位范围ΔVdata狭窄，所以即使不以高精度细分数据信号，也能够使反应灰度电平的电压施加于晶体管121的栅极/源极间。因此，在微小的像素电路110中相对于晶体管121的栅极/源极间的电压Vgs的变化而在OLED150流动的微小电流相对变大的情况下，也能够高精度地控制向OLED150供给的电流。
在电平移位电路40中，数据信号经由保持电容44向数据线14供给时，以电位振幅被压缩的方式数据信号被电平移位。在该电平移位时，保持电容44的一端(数据线14)、另一端(节点h)的电位若经由结合电容而受到其它要素的电位变动的影响，则不能够将正确地使数据信号的电位电平移位的电位向数据线14供给，结果会存在使显示品质降低的忧患。
相对于此，在本实施方式中，特别是如图6所示作为供给电位Vorst的供电线16作为定电位线，在俯视状态下分别设置于保持电容44的左右两侧。因此，保持电容44的两端由于相邻列的电位的变动被屏蔽，所以能够抑制显示品质的降低。
并且，屏蔽保持电容44的两端的供电线16的部分，特别是用图8所示那样，被构成为：将与作为该保持电容44的一端的电极44a用相同导电层构成的布线16a，和与作为该保持电容44的另一端的电极44g用相同的导电层构成的布线16g层叠而成。因此，与通过与构成保持电容44的导电层不同的单一层来形成供电线16的情况下相比，用剖面视观察时，因为朝斜向的电容耦合减少，所以能够使屏蔽功能进一步提高。
除此之外，在本实施方式中，布线16g、16a经由接触孔16e、16f与供电线16连接。该接触孔16a，16f因为成为第一层间绝缘膜L1以及第二层间绝缘L2中的一种电荷防御壁，所以能够使屏蔽功能进一步提高。
在本实施方式中，如图6所示，不仅是保持电容44的左右两侧，在保持电容44的上侧设置有供电线61与布线61g的层叠体，在下侧设置有供电线62与布线62g的层叠体。
供电线61与电极44a由同一导电层构成，布线61g与电极44g由同一导电层构成，并且供电线61与布线61g经由接触孔61e连接。因为控制信号/Gini向控制线63供给，因此以逻辑信号L电平、H电平来发生电位变化，但是由于保持电容44被供电线61与布线61g的层叠体屏蔽，所以难以受到控制线63的电位变化的影响。
另一方面，供电线62与电极44a由同一导电层构成，布线62g与电极44g由同一导电层构成，并且供电线62与布线62g经由接触孔62e连接。因为控制信号Gref向控制线64供给，因此以逻辑信号L电平、H电平来发生电位变化，但是由于保持电容44被供电线62与布线62g的层叠体屏蔽，所以难以受到控制线64的电位的变化的影响。
这样，在本实施方式中，以俯视状态下观察时，因为保持电容44的四边被供电线16、61、62围起，所以保持电容44的两端电位从周边的电位的变动有效地得到屏蔽。因此，所以能够抑制显示品质的降低。
此外，保持电容44从俯视观察时，因为纵向成为长边的形状，所以与供电线61、62相比供电线16的屏蔽更加重要。
此外，在本实施方式中，作为设置于保持电容44的左右的定电位线，虽然使用了供给电位Vorst的供电线16，但从优选选择将定电位向像素电路110供给的供电线的观点来看，并不限定于供电线16。例如，将供电线16沿行方向延伸，另一方面，替代这个，将供给电源的高位侧的电位Vel的供电线116设置在保持电容44的左右也可以。另外，将与电源的低位侧的电位Vct的公共电极118连接的供电线设置在保持电容44的左右也可以。
在实施方式中，例如构成为布线16a经由多个接触孔16e与布线16g连接，供电线16经由多个接触孔16f与布线16a连接，但接触孔的数有规定的设计规则来确定。因此，根据设计规则，在俯视状态下，也可以是一个，并且其开孔部分为纵向为长边的矩形形状也可以。
构成为布线16g、16a经由接触孔16e、16f与供电线16连接，成为共通的电位Vorst，但也可以不相互连接，且设为不同电位。例如，如图17所示，布线16g作为从布线61g分支的布线，将电极44g的初始电位Vref经由接触孔62e供电也可以，并且，布线16a作为从上述供电线61分支的布线供给电极44a的初始电位Vini也可以。
另一方面，根据本实施方式，通过晶体管121向OLED150供给的电流Ids被抵消阈值电压的影响。因此根据本实施方式，即使晶体管121的阈值电压按每个像素电路110产生偏差，该偏差也被补偿，与灰度电平对应的电流被供给至OLED150，所以能够抑制损失显示画面的一致性的显示不均的产生，其结果是能够进行高品质的显示。
参照图16对该抵消进行说明。如该图所示，晶体管121为了控制向OLED150供给的微小电流，在弱反转区域(子临界值区域)工作。
在图中，A表示阈值电压|Vth|大的晶体管，B表示阈值电压|Vth|小的晶体管。此外，在图16中，栅极/源极间的电压Vgs为用实线来表示的特性与电位Vel之差。另外，在图16中，纵刻度的电流用将从源极朝漏极的方向设定为正(上)的对数表示。
在补偿期间，栅极节点g从电位Vini变为电位(Vel-|Vth|)。因此，在阈值电压|Vth|大的晶体管A中，动作点从S向Aa移动，另一方面在阈值电压|Vth|小的晶体管B中，动作点从S向Ba移动。
接下来，向属于2个的晶体管的像素电路110供给的数据信号的电位相同的情况下，换句话说相同的灰度电平被指定的情况下，在写入期间中，从动作点Aa，Ba的电位移位量，都为相同的k2·ΔV。因此，对于晶体管A而言，动作点从Aa向Ab移动，对于晶体管B而言，动作点从Ba向Bb移动，电位移位(电平偏移)后的动作点的电流与晶体管A，B皆一致于几乎相同的Ids。
由此，根据本实施方式，即使晶体管121的阈值电压按每个像素电路110产生偏差，也能够补偿该偏差。
另外，根据本实施方式，将横跨从初始化期间到补偿期间而从控制电路5供给的数据信号暂时保持于保持电容41之后，在写入期间将该保持电位电平移位之后向数据线14供给。因此，从控制电路5来看，还可以在从初始化期间到补偿期间的比较长的期间供给数据信号，而并非写入期间，所以能够使数据信号的供给动作低速化。
应用·变形例
本发明并不限定于上述实施方式、应用例等的实施方式等，例如能够如下所述那样进行各种变形。另外，下述的变形方式中，能够将任意选择的一个或者多个进行适当的组合。
保持电容的电极
在实施方式中，虽然由第一导电层构成保持电容44的电极44g，由第二导电层构成电极44a，但是例如，由第二导电层构成电极44g，由第三导电层构成电极44a也可以。另外，在实施方式中，将电极44g设为剖面视中电极44a的下部电极，也可以将电极44g作为电极44a的上部电极。
控制电路
在实施方式中，供给数据信号的控制电路5与电光学装置10独立，但是控制电路5也可以与扫描线驱动电路20、多路分离器30、电平移位电路40一起在半导体硅基板集成化。
基板
在实施方式中，构成为将电光学装置10集成于半导体硅基板，但是也可以集成于其它的半导体基板。例如，也可以是SOI基板。另外，应用多晶硅工序形成于玻璃基板等也可以。
控制信号Gcmp(i)
在实施方式中，在第i行，在写入期间将控制信号Gcmp(i)设为H电平，但也可以设为L电平。即，也可以构成为，将使晶体管123接通引起的阈值补偿与针对节点栅极g的写入一并执行。
多路分离器
在实施方式中，构成为按照3列将数据线14分组，并且在各组中按顺序选择数据线14，而供给数据信号，构成组的数据线数也可以是“2”，也可以是“4”以上。
另外，不组化，即不使用多路分离器30而将数据信号一起按线顺序向各列的数据线14供给的构成也可以。
晶体管的沟道型
在上述实施方式等中，虽然将像素电路110中的晶体管121～125统一为P沟道型，也可以统一为N沟道型。另外，也可以将P沟道型以及N沟道型适当地组合。
其它
在实施方式等中，作为电光学元件的发光元件，举例表示了OLED，但只要是例如无机发光二极管、LED(Light Emitting Diode)等与电流对应的灰度来发光的部件就可以。
电子设备
接下来，对于应用了实施方式等、应用例的电光学装置10的电子设备进行说明。电光学装置10用于像素为小尺寸且高精度的显示用途。因此，作为电子设备例举头戴式显示器为例进行说明。
图18是表示头戴式显示器(HMD)的外观的图，图19是表示其光学构成的图。首先，如图18所示，外观上HMD300与一般眼镜同样具有镜架310、镜梁320、透镜301L、301R。另外，如图19所示，HMD300在镜梁320附近在透镜301L、301R的内侧(图中下侧)设置有左眼用的电光学装置10L和右眼用的电光学装置10R。
电光学装置10L的图像显示面配置于图19中左侧。因此电光学装置10L的显示图像经由光学透镜302L向图中9点方向射出。半透半反镜303L使电光学装置10L的显示图像向6点方向反射，另一方面使从12点方向入射的光透过。
电光学装置10R的图像显示面配置于与电光学装置10L相反的右侧。因此电光学装置10R的显示图像经由光学透镜302R向图中3点的向射出。半透半反镜303R使电光学装置10R的显示图像向6点方向反射，另一方面使从12点方向入射的光透过。
在该构成中，戴式显示器300的佩戴者能够以与外面的情况重叠的透明的状态观察电光学装置10L、10R的显示图像。
另外，在该头戴式显示器300中，若使伴随着视差的两眼图像中的左眼用图像在电光学装置10L显示，右眼用图像在电光学装置10R显示，则对于能够使佩戴者感觉到显示的图像具有纵深、立体感(3D显示)。
此外，除了头戴式显示器300之外，电光学装置10也能够应用于录像机、透镜交换式的数字照相机等电子式取景器。
附图标记的说明：
10…电光学装置；12…扫描线；14…数据线；16…供电线；20…扫描线驱动电路；30…多路分离器；40…电平移位电路；41、44、50…保持电容；100…显示部；110…像素电路；116…供电线；118…公共电极；121～125…晶体管；140…保持电容；150…OLED；300…头戴式显示器。

Claims (7)

1.一种电光学装置，其特征在于，具有：
第一电容，其具备第一电极和第二电极；
第二电容，其具备第三电极和第四电极；
控制电路，其对所述第一电极供给第一数据信号，对所述第三电极供给第二数据信号；
第一布线，其与所述第二电极电连接；
第二布线，其与所述第四电极电连接；
第一像素电路，其与所述第一布线电连接；
第二像素电路，其与所述第二布线电连接；以及
定电位线，俯视的状态下，该定电位线设置于所述第一电容与所述第二电容之间，
所述第一电容的一端以及所述第二电容的一端以第一导电层和第二导电层中的任意一方来形成，
所述第一电容的另一端以及所述第二电容的另一端以所述第一导电层和所述第二导电层中的任意另一方来形成，
所述定电位线至少以所述第一导电层的布线以及所述第二导电层的布线来形成。
2.根据权利要求1所述的电光学装置，其特征在于，
所述定电位线的所述第一导电层的布线以及所述第二导电层的布线相互电连接。
3.根据权利要求1或2所述的电光学装置，其特征在于，
所述第一像素电路以及所述第二像素电路分别包括：
发光元件；以及
驱动晶体管，其将与栅极/源极间的电压对应的电流供给至所述发光元件。
4.根据权利要求3所述的电光学装置，其特征在于，
所述发光元件是双端子型元件，
所述发光元件与所述驱动晶体管在不同的2个电源电位之间以串联的方式电连接，
所述发光元件的两端子中的所述驱动晶体管侧的端子被该驱动晶体管供给电流之后，变为规定的复位电位，
所述复位电位被供给至所述定电位线。
5.根据权利要求3或4所述的电光学装置，其特征在于，
所述发光元件与所述驱动晶体管在不同的2个电源电位之间以串联的方式连接，
所述2个电源电位中的一方被供给至所述定电位线。
6.根据权利要求3～5中任一项所述的电光学装置，其特征在于，
所述第一电容电性地插入到所述控制电路与所述第一像素电路之间的第一路径，
所述第二电容电性地插入到所述控制电路与所述第二像素电路之间的第二路径。
7.一种电子设备，其特征在于，
具备权利要求1～6中任一项所述的电光学装置。
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