CN107425107B - 发光装置 - Google Patents

发光装置 Download PDF

Info

Publication number
CN107425107B
CN107425107B CN201710220323.5A CN201710220323A CN107425107B CN 107425107 B CN107425107 B CN 107425107B CN 201710220323 A CN201710220323 A CN 201710220323A CN 107425107 B CN107425107 B CN 107425107B
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
base material
phosphor
main surface
emitting device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201710220323.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107425107A (zh
Inventor
池田忠昭
中林拓也
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Corp
Original Assignee
Nichia Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nichia Corp filed Critical Nichia Corp
Publication of CN107425107A publication Critical patent/CN107425107A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107425107B publication Critical patent/CN107425107B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/34—Silicon-containing compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C09K11/025—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/0883—Arsenides; Nitrides; Phosphides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/61—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing fluorine, chlorine, bromine, iodine or unspecified halogen elements
    • C09K11/615—Halogenides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/61—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing fluorine, chlorine, bromine, iodine or unspecified halogen elements
    • C09K11/617—Silicates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77348—Silicon Aluminium Nitrides or Silicon Aluminium Oxynitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

一种抑制了锰激活氟化物荧光体劣化的可靠性高的发光装置。本发明一实施方式的发光装置(100)的特征在于，具备：发蓝色光的发光元件(10)、和具有与所述发光元件(10)接合的第一主面(20a)和位于所述第一主面(20a)的相反侧的第二主面(20b)的透光性部件(20)，所述透光性部件(20)具有透光性的母材(30)和包含于所述母材(30)中且吸收所述发光元件(10)的光而发光的波长转换物质(40)，所述波长转换物质(40)包含在所述母材(30)中偏向所述第一主面(20a)侧分布且发红色光的第二荧光体(42)、和比所述第二荧光体(42)更偏向第一主面(20a)侧分布的发绿色光或黄色光的第一荧光体(41)，所述第二荧光体(42)是锰激活氟化物荧光体。

Description

发光装置
技术领域
本发明涉及发光装置。
背景技术
例如，专利文献1中记载有一种半导体发光装置，其具备：第一发光组成物，将通过锰激活的低折射率氟络合物荧光体即第一荧光体用第一透明密封材料密封而成；第二发光组成物，将具有比第一透明密封材料高的折射率的第二荧光体用具有比第一透明密封材料高的折射率且小于等于第二荧光体的折射率的第二透明密封材料密封而成；作为光源的半导体发光元件，用于激发第一荧光体及第二荧光体。另外，专利文献1中记载有以从第二荧光体发出的光通过第一发光组成物输出到该发光装置外的方式配置第一发光组成物及第二发光组成物。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2010－251621号公报
发明内容
但是，如专利文献1中所记载，在将第一发光组成物作为密封材料的最外层的情况下，耐环境性的较低的氟络合物荧光体容易劣化，发光装置的可靠性可能会降低。
因此，本发明的一实施方式的目的在于，提供一种抑制了锰激活氟化物荧光体的劣化的可靠性高的发光装置。
本发明一实施方式提供一种发光装置，其具备：发蓝色光的发光元件、和具有与所述发光元件接合的第一主面和位于所述第一主面的相反侧的第二主面的透光性部件，所述透光性部件具有透光性的母材和包含于所述母材中且吸收所述发光元件的光而发光的波长转换物质，所述波长转换物质在所述母材中偏向所述第一主面侧分布，并且包含发红色光的第二荧光体和发绿色光或黄色光的第一荧光体，所述第一荧光体比所述第二荧光体更偏向所述第一主面侧分布，所述第二荧光体是锰激活氟化物荧光体。
根据本发明一实施方式的发光装置，得到抑制了锰激活氟化物荧光体的劣化的可靠性高的发光装置。
附图说明
图1A是本发明一实施方式的发光装置的概略立体图；
图1B是本发明一实施方式的发光装置的概略剖视图；
图2A是本发明一实施方式的波长转换片材的概略剖视图；
图2B是本发明一实施方式的其它波长转换片材的概略剖视图；
图3是表示本发明一实施例的发光装置和一比较例的发光装置的劣化试验中的发光色度的变化的图；
图4A是表示本发明一实施例的发光装置和一比较例的发光装置的回焊过程试验中的发光色度x值的变化的图；
图4B是表示本发明一实施例的发光装置和一比较例的发光装置的回焊过程试验中的发光色度y值的变化的图。
附图标记说明
10…发光元件
13…半导体叠层体
15…基板
15a…第三主面
15b…第四主面
20…透光性部件
20a…第一主面
20b…第二主面
20c…侧面
201…第一层
202…第二层
203…第三层
30…透光性部件的母材
31…第一母材
32…第二母材
33…第三母材
40…波长转换物质
41…第一荧光体
42…第二荧光体
50…覆盖部件
51…覆盖部件的母材
55…白色颜料
60…导光部件
70…导电性粘接部件
80…配线基板
81…基体
85…配线
100…发光装置
200、220…波长转换片材
具体实施方式
以下，适当参照附图说明发明的实施方式。但是，以下说明的发光装置用于将本发明的技术思想具体化，只要没有特别的记载，就不将本发明限定为以下方式。另外，为了明确说明，有时附图所示的部件的大小及位置关系等被夸张表示。
此外，将可见光波长域设为波长为380nm以上780nm以下的范围，蓝色域设为波长为420nm以上480nm以下的范围、绿色域为波长为500nm以上570nm以下的范围、黄色域设为波长比570nm长且为590nm以下的范围，红色域设为波长为610nm以上750nm以下的范围。
＜实施方式1＞
图1A是实施方式1的发光装置100的概略立体图。图1B是实施方式1的发光装置100的概略剖视图。
此外，在图1A、1B的发光装置100中，将横方向表示为X方向，将纵方向表示为Y方向，将前后(进深)方向表示为Z方向。该X、Y、Z方向(轴)分别是与其它2方向(轴)垂直的方向(轴)。更详细而言，将右方向设为X+方向、左方向设为X－方向、上方向设为Y+方向、下方向设为Y－方向、前方向设为Z+方向、后方向设为Z－方向。Y－方向为该发光装置100的安装方向。Z+方向为该发光装置100的主发光方向。此外，后述的图2A、2B中的X、Y、Z方向(轴)与图1A、1B中的X、Y、Z方向(轴)对应。以下，在发光装置100的各构成要素中，将面向Z+方向的面设为“前面”，将面向Z－方向的面设为“后面”。
如图1A、1B所示，实施方式1的发光装置100具备发光元件10和透光性部件20。该发光装置100进一步具备导光部件60、导电性粘接部件70及配线基板80。发光元件10发蓝色光。发光元件10经由导电性粘接部件70粘接于配线基板80上。透光性部件20具有与发光元件10接合的第一主面20a和位于第一主面20a的相反侧的第二主面20b。该发光元件10和透光性部件20的接合经由导光部件60。透光性部件20具有透光性的母材30和母材30中含有的波长转换物质40。波长转换物质40吸收发光元件10的光而发光。波长转换物质40在母材30中偏向第一主面20a侧分布。波长转换物质40包含发绿色光或黄色光的第一荧光体41和发红色光的第二荧光体42。与第二荧光体42相比，第一荧光体41更偏向第一主面20a侧分布。第二荧光体42为锰激活氟化物荧光体。
在具有以上结构的发光装置100中，与接近外部环境的第二主面20b侧相比，波长转换物质40相对于透光性部件20中的母材30的占有体积比在位于装置内部侧的第一主面20a侧更大。在这样的波长转换物质40中，在接近第一主面20a的一侧，第一荧光体41的占有体积比率比第二荧光体42的占有体积比率高，在接近第二主面20b的一侧，第二荧光体42的占有体积比率比第一荧光体41的占有体积比率高。这样，锰激活氟化物荧光体即第二荧光体42容易分布在透光性部件20的厚度方向即Z方向的中间区域。因此，位于比第二荧光体42更靠第二主面20b侧的母材30容易保护第二荧光体42不受外部环境影响。另外，位于比第二荧光体42更靠第一主面20b侧的第一荧光体41抑制发光部件10向容易引起亮度饱和的锰激活氟化物荧光体即第二荧光体42的过度照射，由此，可抑制第二荧光体42的劣化。如上，得到抑制了锰激活氟化物荧光体的劣化的可靠性高的发光装置。
以下，详述发光装置100的优选方式。
如图1A、1B所示，发光装置100还具备具有光反射性的覆盖部件50。而且，覆盖部件50优选覆盖透光性部件20的第一主面20a和第二主面20b之间的侧面20c。由此，可抑制透光性部件20向外部环境露出，能够抑制波长转换物质40(特别是锰激活氟化物荧光体即第二荧光体42)的劣化。另外，通过抑制从透光性部件20向侧方的发光，透光性部件20内的光密度增大，促进波长转换物质40的发光及发热，容易促进波长转换物质40(特别是锰激活氟化物荧光体即第二荧光体42)的劣化，因此，本实施方式的结构的技术意义提高。另外，从相同的观点考虑，优选地，覆盖部件50还覆盖发光元件10的侧面。此外，该覆盖部件50在母材51中添加白色颜料55而成。
如图1B所示，发光元件10包含半导体叠层体13和具有电绝缘性及透光性的基板15。基板15具有设置有半导体叠层体13的第三主面15a和位于第三主面15a的相反侧的第四主面15b。在这样的情况下，优选透光性部件的第一主面20a与基板的第四主面15b接合。由此，由于发光元件10具有基板15，生产性较高，另外，因为容易构成不需要引线接合的倒装片(フリップチップ)式的发光构造体，所以能够提高对透光性部件20的光耦合效率及光的输出效率。
如图1B所示，透光性部件20优选从第一主面20a朝向第二主面20b依次含有由母材30和第一荧光体41构成的第一层201、由母材30和第二荧光体42构成的第二层202、由母材30构成的第三层203。由此，透光性部件的母材30中的第一荧光体41和第二荧光体42的分布被区分成明确的层状，容易得到基于上述母材30、第一荧光体41及第二荧光体42的配置关系的明显作用、效果。此外，优选第一层201和第二层202、及第二层202和第三层203各自直接相接，但也可以在之间设置母材30。
如图1B所示，母材30包含第一母材31、第二母材32以及第三母材33，也可以是，第一层201由第一母材31和第一荧光体41构成，第二层202由第二母材32和第二荧光体42构成，第三层203由第三母材33构成。在这样的情况下，优选第二母材32由折射率与第一母材31的折射率相同的材料、或折射率比第一母材31的折射率低的材料构成，第三母材33由折射率与第二母材31的折射率比第一母材31的折射率低的情况下的第二母材32的折射率相同的材料、或折射率比第二母材32的折射率低的材料构成。由此，可提高发光装置100的光的输出效率。
除此之外，从各层的相容方面考虑，优选母材30全部由同一材料构成。
图2A是实施方式1的波长转换片材200的概略剖视图。图2B是实施方式1的其它波长转换片材220的概略剖视图。实施方式1的发光装置100中使用的透光性部件20例如可通过将以下这种波长转换片材切成小片而得到。
如图2A、2B所示，实施方式1的波长转换片材200具有第一主面20a和位于第一主面20a的相反侧的第二主面20b。波长转换片材200具有透光性的母材30和母材30中含有的波长转换物质40。波长转换物质40吸收蓝色光而发光。波长转换物质40在母材30中偏向第一主面20a侧分布。波长转换物质40包含发绿色光或黄色光的第一荧光体41和发红色光的第二荧光体42。与第二荧光体42相比，第一荧光体41更偏向第一主面20a侧分布。第二荧光体42是锰激活氟化物荧光体。
特别是，图2A所示的波长转换片材200例如可通过依次贴合由第一母材31和第一荧光体41构成的第一片材、由第二母材32和第二荧光体42构成的第二片材、及由第三母材33构成的第三片材来制作。在这种波长转换片材200及将其切成单片而制作的透光性部件20中，母材30中的第一荧光体41和第二荧光体42的分布被区分成明确的层状，容易得到基于上述母材30、第一荧光体41及第二荧光体42的配置关系的明显作用、效果。另外，如果是这种波长转换片材200，则容易管理波长转换物质40的浓度、分布、层厚等，容易制造均质的透光性部件20。
另外，图2B所示的波长转换片材220例如可以通过在液状的母材30中添加波长转换物质40，在使该母材30固化的过程中，使第一荧光体41先沉淀于第一主面20a侧后，使第二荧光体42沉淀于第一荧光体41上而制作。此时，为了强制沉淀第一荧光体41和/或第二荧光体42，也可以使用离心分离法。这样的波长转换片材220及将其切成单片而制作的透光性部件，具有在母材30中的第一荧光体41和第二荧光体42的分布有偏重的倾向，同时也具有两荧光体混合存在的区域。由此，在得到基于上述母材30、第一荧光体41及第二荧光体42的配置关系的作用、效果的同时，得到容易促进第一荧光体41及第二荧光体42各自发出的光的混色的结构。
以下，对本发明一实施方式的发光装置的各构成要素进行说明。
(发光装置100)
发光装置例如是发光二极管(LED；Light Emitting Diode)。上述实施方式1的发光装置为侧面发光式(也称作“侧视式”)，但也可以为上表面发光式(也称作“顶视式”)。侧面发光式的发光装置的安装方向和主发光方向相互垂直。上表面发光式的发光装置的安装方向和主发光方向相互平行。发光装置从前方看的形状即从主发光方向观察的形状可以适当选择，但从量产考虑优选矩形。特别是，发光装置为侧面发光式的情况下从前方看的形状优选为具有长边方向和短边方向的长方形。另一方面，发光装置为上表面发光式的情况下从前方看的形状优选为正方形。此外，发光元件及透光性部件也可以为与发光装置相同的从前方看的形状。另外，发光装置也可以不含配线基板，代替其而具有将发光元件的正负电极或与该正负电极接合的突起电极作为外部连接用的端子的、芯片尺寸封装(CSP；ChipSize Package)式。该突起电极例如可以是凸片或凸柱等。
(发光元件10)
发光元件至少具备构成发光元件构造的半导体叠层体，大多情况下还具备基板。作为发光元件，例如可举出LED芯片。发光元件的从前方看的形状优选为矩形、特别是正方形或沿一方向(图1A中X方向)长的长方形。发光元件或其基板的侧面可以相对于前面垂直，也可以向内侧或外侧倾斜。发光元件优选在同一面侧具有正负(p、n)电极。在发光元件为倒装片(面朝下)安装式的情况下，发光面即前面为与正负电极形成面相反侧的面。发光元件可以包含正负电极和/或绝缘膜。正负电极可以由金、银、锡、铂、铑、钛、铝、钨、钯、镍或它们的合金构成。绝缘膜可以由选自由硅、钛、锆、铌、钽、铝构成的组中的至少一种元素的氧化物或氮化物构成。搭载于一个发光装置的发光元件的个数可以是一个，也可以是多个。多个发光元件可以串联或并联连接。
(半导体叠层体13)
半导体层的叠层体优选至少含有n型半导体层和p型半导体层，且在之间设有活性层。发光元件的发光峰波长可根据半导体材料或其混晶比在紫外域至少红外域进行选择。作为半导体材料，优选使用作为能够高效激发波长转换物质的可发出短波长的光的材料的氮化物半导体。氮化物半导体主要由通式InxAlyGa1－x－yN(0≦x、0≦y、x+y≦1)表示。从发光效率、波长转换物质的激发及与该发光的混色关系等方面考虑，发光元件的发光峰波长优选位于蓝色域，更优选为450nm以上475nm以下的范围。除此之外，也可以使用InAlGaAs系半导体、InAlGaP系半导体、硫化锌、硒化锌、碳化硅等。
(基板15)
发光元件的基板主要为构成发光元件构造的半导体的晶体可生长的晶体生长用基板，但也可以是从晶体生长用基板分离的与半导体叠层体接合的接合用基板。由于基板具有透光性，容易采用倒装片安装，且容易提高光的输出效率。作为基板，可举出蓝宝石、尖晶石、氮化镓、氮化铝、硅、碳化硅、砷化镓、磷化镓、磷化铟、硫化锌、氧化锌、硒化锌、金刚石等。其中，优选蓝宝石。基板的厚度可以适当选择，但从基板的强度和/或发光装置的厚度方面考虑，优选为0.02mm以上1mm以下，更优选为0.05mm以上0.3mm以下。此外，也可以不设置发光元件的基板。
(透光性部件20、波长转换片材200、220)
透光性部件是设置于发光元件上，使从发光元件发出的光透射到装置外部的部件。透光性部件至少由母材和该母材中含有的波长转换物质构成，可作为波长转换部件起作用。另外，透光性部件也可以使用波长转换物质和例如氧化铝等无机物的烧结体、或波长转换物质的板状晶体等。
(透光性部件的母材30)
透光性部件的母材只要是对于从发光元件射出的光具有透光性的材料即可。此外，“透光性”是指第一发光元件及第二发光元件的发光峰波长的透光率优选为60％以上、更优选为70％以上、进一步优选为80％以上。透光性部件的母材可以使用有机硅树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂、或它们的改性树脂构成。另外，也可以是玻璃。其中，有机硅类树脂、即有机硅树脂或其改性树脂的耐热性及耐光性优异，故而优选。作为具体的有机硅树脂，可举出二甲基硅树脂、苯基-甲基硅树脂、二苯基硅树脂。透光性部件的母材可以将这些材料中的一种以单层构成，或者将这些材料中的两种以上叠层而构成。此外，本说明书中的“改性树脂”包含杂化树脂。
透光性部件的母材也可以在上述树脂或玻璃中含有各种填充剂。作为该填充剂，可举出氧化硅、氧化铝、氧化锆、氧化锌等。填充剂可以将这些材料中的一种单独使用，或者将这些材料中的两种以上组合使用。特别是，优选热膨胀系数小的氧化硅。另外，通过使用纳米粒子作为填充剂，也可以增大发光元件的蓝色光的包含瑞利散射在内的散射，降低波长转换物质的使用量。此外，纳米粒子是指粒径为1nm以上100nm以下的粒子。另外，本说明书中的“粒径”例如以D50定义。
(波长转换物质40)
波长转换物质吸收从发光元件射出的一次光的至少一部分，发出与一次光不同波长的二次光。由此，能够制成发出可见光波长的一次光及二次光的混色光(例如白色光)的发光装置。波长转换物质可单独使用以下具体例中的一种，或者组合两种以上使用。
(第一荧光体41)
第一荧光体发绿色光或黄色光。从发光效率、与其它光源的光的混色关系等方面考虑，第一荧光体的发光峰波长优选为520nm以上560nm以下的范围。具体而言，作为发绿色光的荧光体，可举出钇·铝·石榴石系荧光体(例如Y3(Al,Ga)5O12：Ce)、镥·铝·石榴石系荧光体(例如Lu3(Al,Ga)5O12：Ce)、铽·铝·石榴石系荧光体(例如Tb3(Al,Ga)5O12：Ce)系荧光体、硅酸盐系荧光体(例如(Ba,Sr)2SiO4：Eu)、氯硅酸盐系荧光体(例如Ca8Mg(SiO4)4Cl2：Eu)、β赛隆系荧光体(例如Si6－zAlzOzN8－z：Eu(0＜z＜4.2))、SGS系荧光体(例如SrGa2S4：Eu)等。作为发黄色光的荧光体，可举出α赛隆系荧光体(例如Mz(Si,Al)12(O,N)16(其中，0＜z≦2，M为Li、Mg、Ca、Y、及除La和Ce以外的镧系元素)等。除此之外，在上述发绿色光的荧光体中也有发黄色光的荧光体。另外，例如，钇·铝·石榴石系荧光体可以通过由Gd取代Y的一部分而使发光峰波长位移到长波长侧，可发出黄色光。另外，它们中也有可发出橙色光的荧光体。
(第二荧光体42)
第二荧光体发红色光。从发光效率、与其它光源的光的混色关系等方面考虑，第二荧光体的发光峰波长优选为620nm以上670nm以下的范围。具体而言，作为发红色光的荧光体，可举出含氮的铝硅酸钙(CASN或SCASN)系荧光体(例如(Sr,Ca)AlSiN3：Eu)等。除此之外，可举出锰激活氟化物系荧光体(由通式(I)A2[M1－aMnaF6]表示的荧光体(其中，上述通式(I)中，A是选自由K、Li、Na、Rb、Cs及NH4构成的组中的至少一种，M为选自由第四族元素及第十四族元素构成的组中的至少一种元素，a满足0＜a＜0.2))。作为该锰激活氟化物系荧光体的代表例，有锰激活氟化硅酸钾的荧光体(例如K2SiF6：Mn)。
(覆盖部件50)
覆盖部件具有光反射性。就覆盖部件而言，从朝向前方的光输出效率方面考虑，第一发光元件及第二发光元件的发光峰波长的光反射率优选为70％以上，更优选为80％以上，进一步优选为90％以上。进而，覆盖部件优选为白色。因此，覆盖部件优选母材中含有白色颜料而成。另外，覆盖部件也可以含有与上述透光性部件相同的填充剂。覆盖部件在固化前经过液状的状态。覆盖部件可以通过传递模塑成形、注塑成形、压缩成形、灌封等形成。
(覆盖部件的母材51)
覆盖部件的母材可以使用树脂，例如，可举出有机硅树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂、或它们的改性树脂。其中，有机硅树脂及改性有机硅树脂的耐热性及耐光性优异，故而优选。作为具体的有机硅树脂，可举出二甲基硅树脂、苯基-甲基硅树脂、二苯基硅树脂。另外，覆盖部件的母材也可以含有与上述透光性部件的母材相同的填充剂。
(白色颜料55)
白色颜料可以单独使用氧化钛、氧化锌、氧化镁、碳酸镁、氢氧化镁、碳酸钙、氢氧化钙、硅酸钙、硅酸镁、钛酸钡、硫酸钡、氢氧化铝、氧化铝、氧化锆中的一种，或者可将它们中的两种以上组合使用。白色颜料的形状可以适当选择，可以为破碎状或无规则形状，但从流动性考虑，优选为球状。另外，白色颜料的粒径例如可以在0.1μm以上0.5μm以下左右。覆盖部件中的白色颜料的含量可以适当选择，但从光反射性及流动状态下的粘度等方面考虑，例如优选为10wt％以上70wt％以下，更优选为30wt％以上60wt％以下。此外，“wt％”是重量％，表示白色颜料的重量相对于覆盖部件的总重量的比率。
(导光部件60)
导光部件是将发光元件和透光性部件粘接，将来自发光元件的光向透光性部件导光的部件。导光部件的母材可以使用有机硅树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂、以及它们的改性树脂中的至少一种。其中，有机硅树脂及改性有机硅树脂的耐热性及耐光性优异，故而优选。作为具体的有机硅树脂，可举出二甲基硅树脂、苯基-甲基硅树脂、二苯基硅树脂。另外，导光部件的母材也可以含有与上述透光性部件的母材相同的填充剂。另外，导光部件可以省略。
(导电性粘接部件70)
导电性粘接部件可以使用锡－铋系、锡－铜系、锡－银系、金－锡系等焊锡。另外，导电性粘接部件也可以是利用树脂粘合剂的固化物粘结的银、金、铜、铂、铝、钯等金属粉末的烧结体。这些导电性粘接部件例如在加热前为膏状，通过加热而熔融，之后通过冷却而固化。除此之外，导电性粘接部件也可以使用金、银、铜等的凸片等。
(配线基板80)
配线基板至少由基体和被保持于该基体的配线构成。配线基板也可以适当具有阻焊剂、覆盖膜等电绝缘性保护膜。从发光装置的刚性方面考虑，配线基板优选为刚性基板，但也可以是挠性基板。
(基体81)
基体只要是刚性基板即可，可以使用树脂或纤维强化树脂、陶瓷、玻璃、金属、纸等。作为树脂或纤维强化树脂，可举出环氧树脂、玻璃环氧树脂、双马来酰亚胺三嗪(BT)、聚酰亚胺等。作为陶瓷，可举出氧化铝、氮化铝、氧化锆、氮化锆、氧化钛、氮化钛、或它们的混合物等。作为金属，可举出铜、铁、镍、铬、铝、银、金、钛、或它们的合金等。基体只要是挠性基板即可，可以使用聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、液晶聚合物、环烯烃聚合物等而构成。
(配线85)
配线形成于基体的至少前面，也可以形成于基体的内部和/或侧面和/或后面。另外，配线优选具有安装发光元件的元件连接端子部即接合部、与外部电路连接的外部连接端子部、及连接这些端子部之间的引出配线部等。配线可以由铜、铁、镍、钨、铬、铝、银、金、钛、钯、铑、或它们的合金形成。可以是这些金属或合金的单层，也可以是多层。特别是，从散热性方面考虑，优选铜或铜合金。另外，从导电性粘接部件的润湿性和/或光反射性等方面考虑，也可以在配线的表层设置银、铂、铝、铑、金或它们的合金等的层。
[实施例]
以下，详述本发明的实施例。此外，不能说本发明仅限于以下所示的实施例。
＜实施例1＞
实施例1的发光装置为具有图1A、1B所示的例子的发光装置100的结构的、长1.8mm、宽0.32mm、深(厚度)0.70mm的侧面发光式LED。
配线基板80为长1.8mm、宽0.32mm、深(厚度)0.36mm，具有基体81和沿X方向在该基体81上排列形成的一对配线85。基体81为BT树脂制(例如三菱瓦斯化学社制：HL832NSFtypeLCA)的长方体状的小片。一对配线85通过自基体81侧层叠铜/镍/金而成。一对配线85分别包含形成于基体81前面的X方向中央侧的元件连接端子部和自基体81前面的X方向的端部经侧面形成到后面的外部连接端子部。元件连接端子部的铜层具有深(厚度)0.04mm的突起。
在一对配线85的元件连接端子部上，经由导电性粘接部件70倒装片安装有一个发光元件10。发光元件10为可发蓝色(发光峰波长452nm)光的长1.1mm、宽0.2mm、深(厚度)0.12mm的长方体状的LED芯片。发光元件10通过将依次含有氮化物半导体的n型层、活性层、p型层的半导体叠层体13层叠于蓝宝石基板15的后面(第三主面15a)而成。导电性粘接部件70为深(厚度)0.015mm的金－锡系焊锡(Au:Sn＝79:21)。
在发光元件10的前面(基板的第四主面15b)上经由导光部件60粘结透光性部件20的后面(第一主面20a)。透光性部件20是在母材30中含有作为波长转换物质40的铕激活β赛隆的第一荧光体41及锰激活氟化硅酸钾的第二荧光体42的、长1.21mm、宽0.24mm、深(厚度)0.16mm的长方体状的小片。更详细而言，透光性部件20通过自发光元件10侧叠层由母材31和第一荧光体41构成的层201、由母材32和第二荧光体42构成的层202、及由母材33构成的层203这3层而成。母材30即母材31、32、33全部为含有氧化硅纳米粒子作为填充剂的苯基-甲基硅树脂。导光部件60为深(厚度)0.005mm的二甲基硅树脂的固化物。导光部件60覆盖发光元件10的侧面的至少一部分。
在基板80的前面，以包围发光元件10及透光性部件20的侧方的全周的方式形成有光反射性的覆盖部件50。覆盖部件50为长1.35mm、宽0.32mm，在苯基-甲基硅树脂的母材51中含有作为白色颜料55的氧化钛60wt％而成。覆盖部件50直接覆盖发光元件10的侧面、透光性部件20的侧面20c、导光部件60的侧面及导电性粘接部件70的侧面。覆盖部件50的前面与透光性部件20的前面实质上构成同一面。覆盖部件50的分别面向Y+方向及Y－方向的两个侧面和配线基板80的分别面向Y+方向及Y－方向的两个侧面实质上构成同一面。覆盖部件50及配线基板80的面向Y－方向的侧面成为本发光装置的安装面。另外，通过覆盖部件50，透光性部件20的前面(第二主面20b)成为本发光装置的实质上的发光区域。
这种实施例1的发光装置通过以下方式制作。首先，通过将由母材31和第一荧光体41构成的第一片材、由母材32和第二荧光体42构成的第二片材、及由母材33构成的第三片材依次通过热压接进行贴合，制作波长转换片材200。然后，将该波长转换片材200使用超声波切割机切断成上述大小的小片，准备透光性部件20。接着，在复合基板上沿Y方向排列多个发光元件10，进行倒装片安装。在此，复合基板在X方向具有多个将多个配线基板80沿Y方向相连而构成且利用沿Y方向延伸的多个缝隙隔开的联合基板区域。发光元件10的安装通过在复合基板的各元件连接端子部上涂布作为导电性粘接部件70的膏状金－锡系焊锡，并在其上分别载置了发光元件10后，利用回焊炉使金－锡系焊锡熔融、固化而进行。接着，在各发光元件10的前面涂布了液状的导光部件60后，在其上载置透光性部件20，通过烘炉中的加热处理使导光部件60的树脂固化。以上述方式，将依次含有发光元件10、导光部件60及透光性部件20的发光构造体在复合基板上沿Y方向排列形成多个。接着，通过传递模塑成形模具在复合基板上成形覆盖部件50，并用一个长方体状的覆盖部件50掩埋沿Y方向排列的多个发光构造体。然后，利用研磨装置从上方研磨削去覆盖部件50，使透光性部件20的上表面露出。最后，利用划片装置将发光构造体间的覆盖部件50及复合基板沿X方向切断，将发光装置100单片化。
＜比较例1＞
比较例1的发光装置使用苯基-甲基硅树脂的固化物即母材的全域中均匀分散有铕激活β赛隆的荧光体和锰激活氟化硅酸钾的荧光体的透光性部件代替实施例1的透光性部件20，除此之外，与实施例1的发光装置相同地制作。
(评价)
测定上述的实施例1的发光装置和比较例1的发光装置的劣化试验及回焊过程试验中的发光色度的变化，评价各发光装置的可靠性。劣化试验在正向电流20mA、温度60℃、常湿、大气气氛的条件下进行500小时的发光装置的劣化。回焊过程试验进行三次最高到达温度260℃、保持时间10秒、大气气氛的条件的回焊过程。图3及图4A、4B表示该结果。
图3是表示实施例1的发光装置和比较例1的发光装置的劣化试验中的发光色度的变化的图。另外，图4A及图4B分别是表示实施例1的发光装置和比较例1的发光装置的回焊过程试验中的发光色度x值的变化、及发光色度y值的变化的图。此外、本说明书中的色度(x值、y值)及色度(u′值、v′值)分别以国际照明委员会(CIE)的xy色度图、及u′v′色度图为基准。根据图3及图4A、4B可知，与比较例1的发光装置相比，实施例1的发光装置伴随试验的发光色度的变化小，可靠性优异。因此，根据实施例1的透光性部件20中的波长转换物质40的配置，特别是锰激活氟化物荧光体即第二荧光体42的配置，推测为抑制了劣化。
本发明一实施方式的发光装置可用于液晶显示器的背光灯装置、各种照明器具、大型显示器、广告或指路牌等各种显示装置、投影仪装置、以及数码相机、传真机、复印机、扫描仪等中的图像读取装置等。

Claims (14)

1.一种发光装置，从主发光方向观察的形状为矩形，其特征在于，具备：
发蓝色光的发光元件、和
具有与所述发光元件接合的第一主面和位于所述第一主面的相反侧的第二主面的透光性部件，
所述透光性部件具有透光性的母材和包含于所述母材中且吸收所述发光元件的光而发光的波长转换物质，
所述波长转换物质在所述母材中偏向所述第一主面侧分布，并且包含发红色光的第二荧光体和发绿色光或黄色光的第一荧光体，所述第一荧光体比所述第二荧光体更偏向所述第一主面侧分布，
所述第二荧光体是锰激活氟化物荧光体，
所述透光性部件从所述第一主面朝向所述第二主面依次包含由所述母材和所述第一荧光体构成的第一层、由所述母材和所述第二荧光体构成的第二层、由所述母材构成的第三层，
所述母材包含第一母材、第二母材以及第三母材，
所述第一层由所述第一母材和所述第一荧光体构成，
所述第二层由所述第二母材和所述第二荧光体构成，
所述第三层由所述第三母材构成，
所述第二母材由折射率与所述第一母材的折射率相同的材料、或折射率比所述第一母材的折射率低的材料构成，
所述第三母材由折射率与所述第二母材的折射率比所述第一母材的折射率低的情况下的所述第二母材的折射率相同的材料、或折射率比所述第二母材的折射率低的材料构成。
2.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
还具备覆盖所述透光性部件的所述第一主面和所述第二主面之间的侧面的具有光反射性的覆盖部件。
3.如权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，
所述母材由有机硅类树脂或含有填充剂的有机硅类树脂构成。
4.如权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，
所述发光元件包含半导体叠层体、和
具有设置有所述半导体叠层体的第三主面和位于所述第三主面的相反侧的第四主面且具有电绝缘性及透光性的基板，
所述透光性部件的第一主面与所述基板的第四主面接合。
5.如权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，
所述第二荧光体为锰激活氟化硅酸钾。
6.如权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，
所述第一荧光体为铕激活β赛隆。
7.如权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，
所述第一荧光体为铕激活β赛隆，所述第二荧光体为锰激活氟化硅酸钾。
8.一种发光装置的制造方法，其特征在于，包括如下工序：
通过将包含母材和发绿色光或黄色光的第一荧光体的第一片材、包含所述母材和发红色光的第二荧光体的第二片材、及由所述母材构成的第三片材依次通过热压接进行贴合，制作波长转换片材的工序；
将所述波长转换片材使用超声波切割机切断成小片，准备透光性部件的工序；
在发光元件上涂布导光部件之后载置所述透光性部件的工序；
形成掩埋所述发光元件、所述导光部件及所述透光性部件的覆盖部件的工序；
通过研磨削去所述覆盖部件，露出所述透光性部件的上表面的工序；
所述透光性部件从第一主面朝向第二主面依次包含由所述母材和所述第一荧光体构成的第一层、由所述母材和所述第二荧光体构成的第二层、由所述母材构成的第三层，
所述母材包含第一母材、第二母材以及第三母材，
所述第一层由所述第一母材和所述第一荧光体构成，
所述第二层由所述第二母材和所述第二荧光体构成，
所述第三层由所述第三母材构成，
所述第二母材由折射率与所述第一母材的折射率相同的材料、或折射率比所述第一母材的折射率低的材料构成，
所述第三母材由折射率与所述第二母材的折射率比所述第一母材的折射率低的情况下的所述第二母材的折射率相同的材料、或折射率比所述第二母材的折射率低的材料构成。
9.如权利要求8所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
包括在载置所述透光性部件的工序之前在复合基板上将发光元件进行倒装片安装的工序。
10.如权利要求9所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
将所述发光元件进行倒装片安装的工序包括将导电性粘接剂涂布在所述复合基板的元件连接端子部上的工序。
11.如权利要求8所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
用于安装发光元件的复合基板在X方向上具有多个将多个配线基板沿Y方向相连而构成且利用沿Y方向延伸的多个缝隙隔开的联合基板区域。
12.如权利要求8所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
所述第一荧光体包含铕激活β赛隆。
13.如权利要求8所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
所述第二荧光体包含锰激活氟化硅酸钾。
14.如权利要求8所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
所述第一荧光体为铕激活β赛隆，所述第二荧光体为锰激活氟化硅酸钾。
CN201710220323.5A 2016-04-06 2017-04-06 发光装置 Active CN107425107B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016-076811 2016-04-06
JP2016076811A JP2017188592A (ja) 2016-04-06 2016-04-06 発光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107425107A CN107425107A (zh) 2017-12-01
CN107425107B true CN107425107B (zh) 2021-11-05

Family

ID=59409856

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201720355713.9U Active CN207381430U (zh) 2016-04-06 2017-04-06 发光装置
CN201710220323.5A Active CN107425107B (zh) 2016-04-06 2017-04-06 发光装置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201720355713.9U Active CN207381430U (zh) 2016-04-06 2017-04-06 发光装置

Country Status (4)

Country Link
US (3) US10096751B2 (zh)
JP (1) JP2017188592A (zh)
CN (2) CN207381430U (zh)
DE (2) DE202017001826U1 (zh)

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017188592A (ja) 2016-04-06 2017-10-12 日亜化学工業株式会社 発光装置
WO2018029304A1 (de) 2016-08-12 2018-02-15 Osram Gmbh Beleuchtungsvorrichtung
US10711192B2 (en) 2016-08-12 2020-07-14 Osram Oled Gmbh Lighting device
US10644206B2 (en) 2016-08-12 2020-05-05 Osram Oled Gmbh Lighting device
DE102016121692A1 (de) 2016-08-12 2018-02-15 Osram Gmbh Leuchtstoff und Verfahren zur Herstellung eines Leuchtstoffs
JP7050774B2 (ja) 2016-11-11 2022-04-08 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 蛍光体、照明装置および照明装置の使用
US10519371B2 (en) 2016-11-11 2019-12-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Phosphor, illumination device and use of an illumination device
US10224358B2 (en) * 2017-05-09 2019-03-05 Lumileds Llc Light emitting device with reflective sidewall
DE112018004067A5 (de) 2017-08-10 2020-04-23 Osram Oled Gmbh Dimmbare Lichtquelle
DE102017121185A1 (de) * 2017-09-13 2019-03-14 Osram Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE102017123097B4 (de) * 2017-10-05 2024-03-28 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Konversionsmaterial und Strahlung emittierendes Bauelement
DE102018205464A1 (de) * 2017-11-10 2019-05-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beleuchtungsvorrichtung und verwendung einer beleuchtungsvorrichtung
JP7064129B2 (ja) * 2017-12-22 2022-05-10 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN110010745A (zh) * 2017-12-25 2019-07-12 日亚化学工业株式会社 发光装置以及发光装置的制造方法
US10804442B2 (en) 2018-01-29 2020-10-13 Nichia Corporation Light emitting device
JP2019134150A (ja) * 2018-01-29 2019-08-08 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN111712555B (zh) * 2018-02-12 2023-06-09 昕诺飞控股有限公司 照明装置、灯具和提供聚合物主体基质元件的方法
KR102561705B1 (ko) * 2018-08-13 2023-08-01 주식회사 루멘스 발광소자 패키지 및 그 제조방법
JP2019186537A (ja) * 2018-03-30 2019-10-24 日亜化学工業株式会社 波長変換部材及び発光装置
US10608149B2 (en) 2018-03-30 2020-03-31 Nichia Corporation Wavelength converting member and light emitting device
JP7348478B2 (ja) * 2018-07-09 2023-09-21 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP7007589B2 (ja) * 2018-07-24 2022-01-24 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6658829B2 (ja) * 2018-09-11 2020-03-04 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
CN111009603A (zh) * 2018-10-04 2020-04-14 日亚化学工业株式会社 发光装置
JP7022284B2 (ja) 2019-06-17 2022-02-18 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP7022285B2 (ja) 2019-07-02 2022-02-18 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
KR102599819B1 (ko) * 2022-01-20 2023-11-08 미쯔비시 케미컬 주식회사 형광체, 발광 장치, 조명 장치, 화상 표시 장치 및 차량용 표시등
KR102599818B1 (ko) * 2022-01-20 2023-11-08 미쯔비시 케미컬 주식회사 형광체, 발광 장치, 조명 장치, 화상 표시 장치 및 차량용 표시등

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN207381430U (zh) * 2016-04-06 2018-05-18 日亚化学工业株式会社 发光装置

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1918691A (zh) * 2003-12-24 2007-02-21 吉尔科有限公司 从氮化物倒装芯片激光去除蓝宝石
TWI382077B (zh) * 2005-02-23 2013-01-11 Mitsubishi Chem Corp 半導體發光裝置用構件及其製造方法，暨使用其之半導體發光裝置
JP2010058285A (ja) 2008-09-01 2010-03-18 Fujifilm Corp 樹脂シートの製造方法
US8384097B2 (en) * 2009-04-08 2013-02-26 Ledengin, Inc. Package for multiple light emitting diodes
JP5423120B2 (ja) * 2009-04-17 2014-02-19 三菱化学株式会社 半導体発光装置
JP5255527B2 (ja) 2009-07-03 2013-08-07 デクセリアルズ株式会社 色変換部材および表示装置
JP4949525B2 (ja) 2010-03-03 2012-06-13 シャープ株式会社 波長変換部材、発光装置および画像表示装置ならびに波長変換部材の製造方法
JP5455764B2 (ja) 2010-04-23 2014-03-26 シチズンホールディングス株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
JP5566785B2 (ja) 2010-06-22 2014-08-06 日東電工株式会社 複合シート
US8057706B1 (en) 2010-07-27 2011-11-15 General Electric Company Moisture-resistant phosphor and associated method
JP5572038B2 (ja) 2010-08-27 2014-08-13 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及びそれを用いた車両用灯具
DE102010042217A1 (de) 2010-10-08 2012-04-12 Osram Ag Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
JP2013197309A (ja) 2012-03-19 2013-09-30 Toshiba Corp 発光装置
DE102012107290A1 (de) * 2012-08-08 2014-02-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil, Konversionsmittelplättchen und Verfahren zur Herstellung eines Konversionsmittelplättchens
WO2014104143A1 (ja) 2012-12-26 2014-07-03 三菱化学株式会社 蛍光体、その蛍光体を用いた蛍光体含有組成物及び発光装置、並びに、その発光装置を用いた画像表示装置及び照明装置
JP2016066632A (ja) * 2013-02-07 2016-04-28 パナソニック株式会社 発光装置
JP2014207349A (ja) 2013-04-15 2014-10-30 パナソニック株式会社 発光装置およびその製造方法
JP6187277B2 (ja) 2014-01-21 2017-08-30 豊田合成株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2015153844A (ja) 2014-02-13 2015-08-24 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2015198146A (ja) * 2014-03-31 2015-11-09 デクセリアルズ株式会社 蛍光体シート、湾曲蛍光板、発光装置
JP6229574B2 (ja) 2014-03-31 2017-11-15 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
US9660151B2 (en) 2014-05-21 2017-05-23 Nichia Corporation Method for manufacturing light emitting device
US9929319B2 (en) * 2014-06-13 2018-03-27 General Electric Company LED package with red-emitting phosphors
JP2016058614A (ja) * 2014-09-11 2016-04-21 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置、及び照明装置
JP2016076811A (ja) 2014-10-06 2016-05-12 シャープ株式会社 携帯機器
KR102346798B1 (ko) * 2015-02-13 2022-01-05 삼성전자주식회사 반도체 발광장치

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN207381430U (zh) * 2016-04-06 2018-05-18 日亚化学工业株式会社 发光装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN107425107A (zh) 2017-12-01
US20170294561A1 (en) 2017-10-12
CN207381430U (zh) 2018-05-18
DE202017001826U1 (de) 2017-07-11
US11038089B2 (en) 2021-06-15
US20190035984A1 (en) 2019-01-31
US10734555B2 (en) 2020-08-04
JP2017188592A (ja) 2017-10-12
US10096751B2 (en) 2018-10-09
DE102017205819A1 (de) 2017-10-12
US20200303599A1 (en) 2020-09-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107425107B (zh) 发光装置
US10825968B2 (en) Method for manufacturing light-emitting device
US10446725B2 (en) Light emitting device
US10014449B1 (en) Light emitting device
JP6384508B2 (ja) 発光装置
EP3125310A1 (en) Light emitting device and method of manufacturing the same
JP2006156668A (ja) 発光装置及びその製造方法
CN108807639B (zh) 发光装置
CN109216527B (zh) 发光装置
KR20180092883A (ko) 발광 장치
JP6658829B2 (ja) 発光装置の製造方法
JP6528872B2 (ja) 発光装置の製造方法
JP2018182352A (ja) 発光装置
JP7513907B2 (ja) 発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant