CN107170801A - 一种提高雪崩耐量的屏蔽栅vdmos器件 - Google Patents
一种提高雪崩耐量的屏蔽栅vdmos器件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107170801A CN107170801A CN201710425810.5A CN201710425810A CN107170801A CN 107170801 A CN107170801 A CN 107170801A CN 201710425810 A CN201710425810 A CN 201710425810A CN 107170801 A CN107170801 A CN 107170801A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- type semiconductor
- conductive type
- drift region
- doping
- body area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 133
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 16
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 14
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 abstract description 8
- 230000009467 reduction Effects 0.000 abstract description 7
- 238000011982 device technology Methods 0.000 abstract 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000024241 parasitism Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
- H01L29/0607—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
- H01L29/0611—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices
- H01L29/0615—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE]
- H01L29/0626—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE] with a localised breakdown region, e.g. built-in avalanching region
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
- H01L29/7813—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with trench gate electrode, e.g. UMOS transistors
Abstract
本发明涉及功率半导体器件技术领域,具体涉及到一种屏蔽栅VDMOS器件。本发明提供一种提高雪崩耐量的屏蔽栅VDMOS器件,在现有屏蔽栅VDMOS器件中,通过改变屏蔽栅VDMOS器件槽栅旁第一导电类型半导体掺杂漂移区的掺杂浓度来限定雪崩击穿点的位置,具体的为降低第二导电类型半导体体区下第一导电类型半导体掺杂漂移区的掺杂浓度,使槽栅顶部(第二导电类型半导体体区附近)的电场降低,并且降低槽栅底部第一导电类型半导体掺杂漂移区的掺杂浓度,使槽栅底部的电场提高。最终使器件的雪崩击穿发生在槽底,从而提高屏蔽栅VDMOS器件在非箝位电感负载应用中的可靠性(即抗UIS失效能力)。
Description
技术领域
本发明属于功率半导体技术领域,涉及一种屏蔽栅VDMOS器件。
背景技术
为了提高DMOS的性能,国内外提出了浮岛单极器件和屏蔽栅(Split-gate)等新型结构。浮岛单极器件通过在N-外延层中增加P型分压岛,从而漂移区的最大电场被分成两部分,在同样的外延层掺杂浓度下,击穿电压可以有所上升。而屏蔽栅VDMOS可利用其第一层多晶层(Shield)作为“体内场板”来降低漂移区的电场,所以屏蔽栅VDMOS通常具有更低的导通电阻和更高的击穿电压。
非箝位感性负载下的开关过程(Unclamped Inductive Switching,UIS)通常被认为是功率DMOS在系统应用中所能遭遇的最极端电应力情况。因为在回路导通时存储在电感中的能量必须在关断瞬间全部由功率器件释放,同时施加于功率器件的高电压和大电流极易造成器件失效。特别是在高频开关和汽车电子等特殊工作环境下,UIS过程中由于雪崩耐量低导致的器件失效已成为功率DMOS最主要的安全杀手,这种失效带来的损伤通常也是不可修复的。因此,雪崩耐量是衡量功率DMOS抗UIS能力的重要参数。
提高屏蔽栅器件的抗UIS失效能力,目前普遍采用的方法是像普通功率DMOS一样,通过减小寄生BJT管的基区电阻来抑制其开启。同样,这样的解决办法依然无法完全杜绝寄生BJT管的开启,也就无法完全避免由于雪崩击穿所带来的器件失效问题;另外,也不能通过高能量的硼注入或深扩散减小功率DMOS的N+源区下的P-body区电阻的方式来无限降低寄生BJT基区电阻,因为这样会加大DMOS器件的阈值电压(沟道开启电压)。
发明内容
针对上述问题,本发明提供一种提高雪崩耐量的屏蔽栅VDMOS器件,在现有屏蔽栅VDMOS器件中,通过改变屏蔽栅VDMOS器件槽栅旁第一导电类型半导体掺杂漂移区的掺杂浓度来限定雪崩击穿点的位置,具体的为降低第二导电类型半导体体区下第一导电类型半导体掺杂漂移区的掺杂浓度,使槽栅顶部(第二导电类型半导体体区附近)的电场降低,并且降低槽栅底部附近第一导电类型半导体掺杂漂移区的掺杂浓度,使槽栅底部的电场提高。最终使器件的雪崩击穿发生在槽底,从而提高屏蔽栅VDMOS器件在非箝位电感负载应用中的可靠性(即抗UIS失效能力)。
本发明技术方案如下:
一种提高雪崩耐量的屏蔽栅VDMOS器件,如图1所示,包括从下至上依次层叠设置的金属化漏极1、第一导电类型半导体掺杂衬底2、第一导电类型半导体掺杂漂移区3和金属化源极12;所述第一导电类型半导体掺杂漂移区3中具有氧化层6、第二导电类型半导体体区9、第二导电类型半导体掺杂接触区10和第一导电类型半导体掺杂源区11;所述氧化层6位于两侧的第二导电类型半导体体区9和第一导电类型半导体掺杂源区11之间,氧化层6的上表面与金属化源极12接触;所述第一导电类型半导体掺杂源区11位于第二导电类型半导体体区9的正上方并与第二导电类型半导体体区9接触,第一导电类型半导体掺杂源区11的上表面与金属化源极12接触;所述第二导电类型半导体掺杂接触区10位于第二导电类型半导体体区9的正上方并与第二导电类型半导体体区9接触,第二导电类型半导体掺杂接触区10的上表面与金属化源极12接触;所述氧化层6中具有控制栅电极4和屏蔽栅电极5,所述控制栅电极4位于屏蔽栅电极5的上方,所述控制栅电极4上表面的深度小于第一导电类型半导体掺杂源区11下表面的结深,控制栅电极4下表面的深度大于P型掺杂区9下表面的结深。所述第一导电类型半导体掺杂漂移区3中还具有第一导电类型半导体掺杂第二漂移区7、第一导电类型半导体掺杂第三漂移区31、第一导电类型半导体掺杂第四漂移区8;所述第一导电类型半导体掺杂漂移区3上表面与氧化层6的底部接触;所述第一导电类型半导体掺杂第二漂移区7位于氧化层6的侧面,其底部与氧化层6的底部平齐,其顶部低于屏蔽栅电极5的上表面;所述第一导电类型半导体掺杂第四漂移区8位于第二导电类型半导体体区9正下方并与第二导电类型半导体体区9接触;所述第一导电类型半导体掺杂第三漂移区31上表面与第一导电类型半导体掺杂第四漂移区8接触,下表面与第一导电类型半导体掺杂第二漂移区7接触。
进一步的,第一导电类型半导体掺杂第一漂移区3和第一导电类型半导体掺杂第三漂移区31的掺杂浓度相同。
进一步的,第一导电类型半导体掺杂第二漂移区7和第一导电类型半导体掺杂第四漂移区8的掺杂浓度小于第一导电类型半导体掺杂第一漂移区3和第一导电类型半导体掺杂第三漂移区31的掺杂浓度。
进一步的,所述氧化层6采用的材料为二氧化硅或者二氧化硅和氮化硅的复合材料。
进一步的,所述控制栅电极4和屏蔽栅电极5采用的材料为多晶硅。
作为优选方式,可仅在第二导电类型半导体体区9下采用第一导电类型半导体掺杂第四漂移区8,所述第一导电类型半导体掺杂第四漂移区8在第二导电类型半导体体区9的正下面,并与第二导电类型半导体体区9接触;所述第一导电类型半导体掺杂第四漂移区8的掺杂浓度小于第一导电类型半导体掺杂第一漂移区3的掺杂浓度。
作为优选方式,可仅在槽栅底部旁采用第一导电类型半导体掺杂第二漂移区7,所述第一导电类型半导体掺杂第二漂移区7位于氧化层6的底部,其下表面与氧化层6的底部相接触;所述第一导电类型半导体掺杂第二漂移区7的掺杂浓度小于第一导电类型半导体掺杂第一漂移区3的掺杂浓度和第一导电类型半导体掺杂第三漂移区31的掺杂浓度。
本发明的有益效果为,在现有屏蔽栅VDMOS器件,通过在第二导电类型半导体体区9下采用轻掺杂的第一导电类型半导体第四漂移区8,使槽栅顶部(第二导电类型半导体体区9附近)的电场降低,并且在槽栅底部采用轻掺杂的第一导电类型半导体第二漂移区7,使槽栅底部的电场提高。最终使器件的雪崩击穿发生在槽栅底部,从而提高屏蔽栅VDMOS器件在非箝位电感负载应用中的可靠性(即抗UIS失效能力)。
附图说明
图1是实施例1提供的一种提高雪崩耐量的屏蔽栅VDMOS器件的剖面结构示意图;
图2是实施例1提供的一种提高雪崩耐量的屏蔽栅VDMOS器件外加反向电压时,trench处的纵向电场分布示意图;
图3是实施例2提供的一种提高雪崩耐量的屏蔽栅VDMOS器件的剖面结构示意图;
图4是实施例3提供的一种提高雪崩耐量的屏蔽栅VDMOS器件的剖面结构示意图。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式,本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用,本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用,在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
实施例1
一种提高雪崩耐量的屏蔽栅VDMOS器件,如图1所示,包括从下至上依次层叠设置的金属化漏极1、第一导电类型半导体掺杂衬底2、第一导电类型半导体掺杂漂移区3和金属化源极12;所述第一导电类型半导体掺杂漂移区3中具有氧化层6、第二导电类型半导体体区9、第二导电类型半导体掺杂接触区10和第一导电类型半导体掺杂源区11;所述氧化层6位于两侧的第二导电类型半导体体区9和第一导电类型半导体掺杂源区11之间,氧化层6的上表面与金属化源极12接触;所述第一导电类型半导体掺杂源区11位于第二导电类型半导体体区9的正上方并与第二导电类型半导体体区9接触,第一导电类型半导体掺杂源区11的上表面与金属化源极12接触;所述第二导电类型半导体掺杂接触区10位于第二导电类型半导体体区9的正上方并与第二导电类型半导体体区9接触,第二导电类型半导体掺杂接触区10的上表面与金属化源极12接触;所述氧化层6中具有控制栅电极4和屏蔽栅电极5,所述控制栅电极4位于屏蔽栅电极5的上方,所述控制栅电极4上表面的深度小于第一导电类型半导体掺杂源区11下表面的结深,控制栅电极4下表面的深度大于P型掺杂区9下表面的结深。所述第一导电类型半导体掺杂漂移区3中还具有第一导电类型半导体掺杂第二漂移区7、第一导电类型半导体掺杂第三漂移区31、第一导电类型半导体掺杂第四漂移区8;所述第一导电类型半导体掺杂漂移区3上表面与氧化层6的底部接触;所述第一导电类型半导体掺杂第二漂移区7位于氧化层6的侧面,其底部与氧化层6的底部平齐,其顶部低于屏蔽栅电极5的上表面;所述第一导电类型半导体掺杂第四漂移区8位于第二导电类型半导体体区9正下方并与第二导电类型半导体体区9接触;所述第一导电类型半导体掺杂第三漂移区31上表面与第一导电类型半导体掺杂第四漂移区8接触,下表面与第一导电类型半导体掺杂第二漂移区7接触。
以实施例1说明本发明的工作原理:
文献J.Yedinak,D.Probst,G.Dolny,A.Challa,J.An drews.Optimizing OxideCharge Balanced Devices for Unclam ped Inductive Switching(UIS).Proceedingsof the 22th ISPSD,2010.中提到,雪崩击穿点的位置会影响屏蔽栅VDMOS器件的雪崩耐量。优化的屏蔽栅VDMOS的雪崩击穿发生在槽底,UIS过程中温度相对较低,具有较好的UIS能力。未优化的屏蔽栅VDMOS其雪崩击穿发生在槽顶,UIS过程中温度较高,UIS能力差。可见屏蔽栅VDMOS当雪崩击穿点的位置从槽顶向槽底移动,器件的UIS能力会变好。
本发明所提供的一种提高雪崩耐量的屏蔽栅VDMOS器件,其反向阻断时的电极连接方式为:槽型栅电极4和金属化源极12短接且接零电位,金属化漏极1接正电位。当增大反向电压时,由于屏蔽栅5的存在,屏蔽栅5和N型漂移区构成横向电场,第二N型漂移区7、第三N型漂移区31和第四N型漂移区8首先将耗尽,承受反向电压。继续增大反向电压时,耗尽层边界将向靠近金属化漏极1一侧的第一N型漂移区3扩展以承受反向电压。此时如果槽栅旁漂移区只采用一种掺杂浓度,即第一N型漂移区3、第二N型漂移区7、第三N型漂移区31和第四N型漂移区8为同一掺杂浓度,则槽栅处纵向电场的最大值将出现在第四N型漂移区8与P型掺杂区9的界面处,如图2中虚线所示。此时雪崩击穿将发生在槽顶(P型掺杂区9附近),器件的UIS能力较差。而本发明所提供的一种提高雪崩耐量的屏蔽栅VDMOS器件,槽栅旁漂移区采用不同的掺杂浓度,即第二漂移区7和第四漂移区8的掺杂浓度小于第一漂移区3和第三漂移区31的掺杂浓度,在P型掺杂区9下采用N--型轻掺杂的第四漂移区8,使槽栅顶部(P型掺杂区9附近)的电场降低,并且在槽栅底部旁采用N--型轻掺杂的第二N型漂移区7,使trench底部的电场提高,如图2中实线所示。最终使器件的雪崩击穿发生在槽底,从而提高屏蔽栅VDMOS器件在非箝位电感负载应用中的可靠性(即抗UIS失效能力)。
实施例2
如图3所示,本例的结构在实施例1的基础上,P型掺杂区9下采用第四漂移区8,所述第四漂移区8在P型掺杂区9的正下面,并与P型掺杂区9接触;所述第四漂移区8为N--型轻掺杂区,第四漂移区8的掺杂浓度小于第一漂移区3的掺杂浓度。该结构使槽栅顶部(P型掺杂区9附近)的电场降低,使雪崩击穿点远离槽栅顶部(P型掺杂区9附近),从而提高屏蔽栅VDMOS器件在非箝位电感负载应用中的可靠性(即抗UIS失效能力)。
实施例3
如图4所示,本例的结构在实施例1的基础上,仅在槽栅底部旁采用第二漂移区7,所述第二漂移区7位于氧化层6的底部,其下表面与氧化层6的底部相接触;所述第二漂移区7为N--型轻掺杂区,第四漂移区8的掺杂浓度小于第一漂移区3的掺杂浓度。该结构使槽栅底部的电场提高,使雪崩击穿发生在槽栅底部,从而提高屏蔽栅VDMOS器件在非箝位电感负载应用中的可靠性(即抗UIS失效能力)。
制作器件时,还可用碳化硅、砷化镓或锗硅等半导体材料替代硅。
Claims (7)
1.一种提高雪崩耐量的屏蔽栅VDMOS器件,包括从下至上依次层叠设置的金属化漏极(1)、第一导电类型半导体掺杂衬底(2)、第一导电类型半导体掺杂漂移区(3)和金属化源极(12);所述第一导电类型半导体掺杂漂移区(3)中具有氧化层(6)、第二导电类型半导体体区(9)、第二导电类型半导体掺杂接触区(10)和第一导电类型半导体掺杂源区(11);所述氧化层(6)位于两侧的第二导电类型半导体体区(9)和第一导电类型半导体掺杂源区(11)之间,氧化层(6)的上表面与金属化源极(12)接触;所述第一导电类型半导体掺杂源区(11)位于第二导电类型半导体体区(9)的正上方并与第二导电类型半导体体区(9)接触,第一导电类型半导体掺杂源区(11)的上表面与金属化源极(12)接触;所述第二导电类型半导体掺杂接触区(10)位于第二导电类型半导体体区(9)的正上方并与第二导电类型半导体体区(9)接触,第二导电类型半导体掺杂接触区(10)的上表面与金属化源极(12)接触;所述氧化层(6)中具有控制栅电极(4)和屏蔽栅电极(5),所述控制栅电极(4)位于屏蔽栅电极(5)的上方,所述控制栅电极(4)上表面的深度小于第一导电类型半导体掺杂源区(11)下表面的结深,控制栅电极(4)下表面的深度大于P型掺杂区(9)下表面的结深;
其特征在于,所述第一导电类型半导体掺杂漂移区(3)中还具有第一导电类型半导体掺杂第二漂移区(7)、第一导电类型半导体掺杂第三漂移区(31)、第一导电类型半导体掺杂第四漂移区(8);所述第一导电类型半导体掺杂漂移区(3)上表面与氧化层(6)的底部接触;所述第一导电类型半导体掺杂第二漂移区(7)位于氧化层(6)的侧面,其底部与氧化层(6)的底部平齐,其顶部低于屏蔽栅电极(5)的上表面;所述第一导电类型半导体掺杂第四漂移区(8)位于第二导电类型半导体体区(9)正下方并与第二导电类型半导体体区(9)接触;所述第一导电类型半导体掺杂第三漂移区(31)上表面与第一导电类型半导体掺杂第四漂移区(8)接触,下表面与第一导电类型半导体掺杂第二漂移区(7)接触。
2.根据权利要求1所述的一种提高雪崩耐量的屏蔽栅VDMOS器件,其特征在于,所述,第一导电类型半导体掺杂第一漂移区(3)和第一导电类型半导体掺杂第三漂移区(31)的掺杂浓度相同。
3.根据权利要求1所述的一种提高雪崩耐量的屏蔽栅VDMOS器件,其特征在于,第一导电类型半导体掺杂第二漂移区(7)和第一导电类型半导体掺杂第四漂移区(8)的掺杂浓度小于第一导电类型半导体掺杂第一漂移区(3)和第一导电类型半导体掺杂第三漂移区(31)的掺杂浓度。
4.根据权利要求1所述的一种提高雪崩耐量的屏蔽栅VDMOS器件,其特征在于,所述氧化层(6)采用的材料为二氧化硅或者二氧化硅和氮化硅的复合材料。
5.根据权利要求1所述的一种提高雪崩耐量的屏蔽栅VDMOS器件,其特征在于,所述控制栅电极(4)和屏蔽栅电极(5)采用的材料为多晶硅。
6.根据权利要求1所述的一种提高雪崩耐量的屏蔽栅VDMOS器件,其特征在于,可仅在第二导电类型半导体体区(9)下采用第一导电类型半导体掺杂第四漂移区(8),所述第一导电类型半导体掺杂第四漂移区(8)在第二导电类型半导体体区(9)的正下面,并与第二导电类型半导体体区(9)接触;所述第一导电类型半导体掺杂第四漂移区(8)的掺杂浓度小于第一导电类型半导体掺杂第一漂移区3的掺杂浓度。
7.根据权利要求1所述的一种提高雪崩耐量的屏蔽栅VDMOS器件,其特征在于,可仅在槽栅底部旁采用第一导电类型半导体掺杂第二漂移区(7),所述第一导电类型半导体掺杂第二漂移区(7)位于氧化层(6)的底部,其下表面与氧化层(6)的底部相接触;所述第一导电类型半导体掺杂第二漂移区(7)的掺杂浓度小于第一导电类型半导体掺杂第一漂移区(3)的掺杂浓度和第一导电类型半导体掺杂第三漂移区(31)的掺杂浓度。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710425810.5A CN107170801B (zh) | 2017-06-08 | 2017-06-08 | 一种提高雪崩耐量的屏蔽栅vdmos器件 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710425810.5A CN107170801B (zh) | 2017-06-08 | 2017-06-08 | 一种提高雪崩耐量的屏蔽栅vdmos器件 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107170801A true CN107170801A (zh) | 2017-09-15 |
CN107170801B CN107170801B (zh) | 2019-08-02 |
Family
ID=59825535
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710425810.5A Expired - Fee Related CN107170801B (zh) | 2017-06-08 | 2017-06-08 | 一种提高雪崩耐量的屏蔽栅vdmos器件 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN107170801B (zh) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109244137A (zh) * | 2018-09-19 | 2019-01-18 | 电子科技大学 | 一种高可靠性SiC MOSFET器件 |
CN111129152A (zh) * | 2019-12-17 | 2020-05-08 | 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 | 沟槽mosfet结构及其制造方法 |
CN113299750A (zh) * | 2020-02-21 | 2021-08-24 | 苏州东微半导体股份有限公司 | 半导体功率器件 |
CN114597251A (zh) * | 2022-03-03 | 2022-06-07 | 电子科技大学 | 一种抗总剂量辐射加固的屏蔽栅vdmos |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101002330A (zh) * | 2004-04-30 | 2007-07-18 | 西利康尼克斯股份有限公司 | 包括掩埋源电极的沟槽金属氧化物硅场效应晶体管及其制造方法 |
US20120280312A1 (en) * | 2007-12-26 | 2012-11-08 | James Pan | Structure and method for forming shielded gate trench fet with multiple channels |
CN103094118A (zh) * | 2011-11-01 | 2013-05-08 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 制作双层栅沟槽mos的工艺方法 |
-
2017
- 2017-06-08 CN CN201710425810.5A patent/CN107170801B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101002330A (zh) * | 2004-04-30 | 2007-07-18 | 西利康尼克斯股份有限公司 | 包括掩埋源电极的沟槽金属氧化物硅场效应晶体管及其制造方法 |
US20120280312A1 (en) * | 2007-12-26 | 2012-11-08 | James Pan | Structure and method for forming shielded gate trench fet with multiple channels |
CN103094118A (zh) * | 2011-11-01 | 2013-05-08 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 制作双层栅沟槽mos的工艺方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109244137A (zh) * | 2018-09-19 | 2019-01-18 | 电子科技大学 | 一种高可靠性SiC MOSFET器件 |
CN111129152A (zh) * | 2019-12-17 | 2020-05-08 | 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 | 沟槽mosfet结构及其制造方法 |
CN111129152B (zh) * | 2019-12-17 | 2023-09-26 | 杭州芯迈半导体技术有限公司 | 沟槽mosfet结构及其制造方法 |
CN113299750A (zh) * | 2020-02-21 | 2021-08-24 | 苏州东微半导体股份有限公司 | 半导体功率器件 |
WO2021164246A1 (zh) * | 2020-02-21 | 2021-08-26 | 苏州东微半导体有限公司 | 半导体功率器件 |
CN114597251A (zh) * | 2022-03-03 | 2022-06-07 | 电子科技大学 | 一种抗总剂量辐射加固的屏蔽栅vdmos |
CN114597251B (zh) * | 2022-03-03 | 2023-05-26 | 电子科技大学 | 一种抗总剂量辐射加固的屏蔽栅vdmos |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107170801B (zh) | 2019-08-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104538446B (zh) | 一种双向mos型器件及其制造方法 | |
TWI453919B (zh) | 用於快速開關的帶有可控注入效率的二極體結構 | |
CN104201206A (zh) | 一种横向soi功率ldmos器件 | |
CN107170801B (zh) | 一种提高雪崩耐量的屏蔽栅vdmos器件 | |
CN108183130A (zh) | 带有p型埋层的双栅载流子储存性igbt器件 | |
CN104701380B (zh) | 一种双向mos型器件及其制造方法 | |
US20150129930A1 (en) | Insulating gate-type bipolar transistor | |
CN108231878B (zh) | 一种双向沟槽栅电荷存储型igbt及其制作方法 | |
CN105993076B (zh) | 一种双向mos型器件及其制造方法 | |
CN105870178A (zh) | 一种双向igbt器件及其制造方法 | |
CN109103257A (zh) | 高可靠性深沟槽功率mos器件 | |
CN109119419A (zh) | 一种集成肖特基续流二极管碳化硅槽栅mosfet | |
CN103413830A (zh) | 一种横向高压mosfet及其制造方法 | |
CN109103186A (zh) | 一种集成异质结续流二极管碳化硅槽栅mosfet | |
CN210805778U (zh) | 一种SiC-MOS器件结构 | |
CN103515443B (zh) | 一种超结功率器件及其制造方法 | |
CN107170827A (zh) | 一种限定雪崩击穿点的屏蔽栅vdmos器件 | |
CN107516679B (zh) | 一种深槽超结dmos器件 | |
CN109065629B (zh) | 一种槽栅超结器件 | |
CN107768434A (zh) | 一种双向igbt及其制造方法 | |
CN208422922U (zh) | 一种优化开关速度的沟槽栅超结半导体器件 | |
CN103441151A (zh) | 一种低正向压降的二极管 | |
CN208045509U (zh) | 低漏电流深沟槽功率mos器件 | |
CN114725206B (zh) | 一种基于低介电常数介质的SiCVDMOSFET器件 | |
CN107425070B (zh) | 一种具有辅助氧化埋层的半超结mosfet |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20190802 |
|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |