CN106952929A - 显示单元及其制造方法和电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了显示单元及其制造方法和电子设备。一种显示单元包括：显示层，显示层，包括像素电极；半导体层，设置在显示层下方的层中，半导体层包括配线层；以及端子部，被配置为将导体层电连接到外部电路，端子部包括第一导电层，其中，配线层和第一导电层均具有依次为第一Ti层、Al层和第二Ti层的层压结构，并且其中，像素电极具有铝或铝合金中的一者和透明导电材料层压的配置。

Description

显示单元及其制造方法和电子设备
本申请是分案申请，其母案申请的申请号为201410028412.6，申请日为2014年1月21日，发明名称为“显示单元及其制造方法和电子设备”。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2013年1月28日提交的日本在先专利申请JP2013-13555的权益，其全部内容通过引用的方式并入本文。
技术领域
本技术涉及一种具有设有例如薄膜晶体管(TFT)的半导体层的显示单元及其制造方法，和包括该显示单元的电子设备。
背景技术
显示单元(诸如有机电致发光(EL)显示单元)是辉度由有机发光二极管中流动的电流控制的显示装置。因此，在这样的显示单元中，存在的缺点是通常用作开关元件的低温多晶硅TFT的特性的不均匀性很容易被表示为显示不均匀。
为了解决上述缺点，在近年来的有机EL显示单元中，已经报告了通过设计驱动电路来提高显示性能从而解决TFT的特性的不均匀的方法。与此相反，处于诸如以下原因，例如，与液晶显示单元相比，在有机EL显示单元中所使用的TFT的数量和其中所使用的配线电路的数量增加，电容器的面积增加，由此，有机EL显示单元的电路复杂化。因此，在有机EL显示单元中，存在的缺点是布局空间密集，短路故障的数量增加，且产量降低。
由于干法蚀刻形成比较厚的配线层以便减少电阻从而引入灰尘导致短路故障。因此，例如，如在日本未经审查的专利申请特开H09-127555号中所描述的，已经公开了使用湿法蚀刻的方法作为配线层的加工技术。
发明内容
配线层也用作用于与外部电路(诸如柔性印刷电路)连接的端子部，并通过安装构件连接到外部电路。然而，由于直到层压安装构件为止，配线层被暴露为端子部的最上表面，所以存在的缺点是，在其它湿法蚀刻步骤(诸如加工显示元件的像素电极的步骤)中配线层被破坏，从而导致显示性能的变化。
期望提供一种能够抑制显示性能的变化的显示单元及其制造方法，和电子设备。
根据本技术的实施方式，提供了一种显示单元，包括：显示层，包括像素电极；半导体层，设置在显示层下方的层中，半导体层包括配线层，配线层包括可由蚀刻剂移除的材料，像素电极也能由蚀刻剂移除；以及端子部，被配置为将半导体层电连接到外部电路，端子部包括由与配线层的材料相同的材料制成的第一导电层。
根据本技术的实施方式，提供了一种制造显示单元的方法，该方法包括：(A)在基板上的半导体层中形成配线层，以及在端子部中形成第一导电层，第一导电层由与配线层的材料相同的材料制成；(B)在半导体层和第一导电层上形成作为连续膜的像素电极，像素电极构成显示层，且像素电极由能够被蚀刻剂移除的材料制成，配线层也能由蚀刻剂移除；以及(C)移除第一导电层上的部分或全部像素电极以形成端子部。
根据本技术的实施方式，提供了一种具有显示单元的电子设备，显示单元包括：显示层，包括像素电极；半导体层，设置在显示层下方的层中，半导体层包括配线层，该配线层包括由蚀刻剂能够移除的材料，像素电极也可由该蚀刻剂移除；以及端子部，被配置为将半导体层电连接到外部电路，端子部包括由与配线层的材料相同的材料制成的第一导电层。
在根据本技术的上述实施方式的显示单元、及其制造方法和电子设备中，配线层和像素电极由可由相同的蚀刻剂移除的材料形成。端子部包括至少形成在与形成配线层的步骤相同的步骤中形成的第一导电层。在形成端子部的步骤中，成为像素电极的金属膜形成在第一导电层上，且随后移除第一导电层上的部分或全部金属膜。因此，减少了由于构成端子部的导电层的蚀刻而引起的损坏。
根据本技术的上述实施方式的显示单元、及其制造方法和电子设备，构成端子部的导电层(第一导电层)形成在与其中形成配线层的步骤相同的步骤中，要成为显示层的像素电极的金属膜形成在导电层上，且随后移除部分或全部金属膜。因此，减少了由于端子部的蚀刻而引起的损坏，且抑制了显示性能的变化。因此，提供了高可靠的电子设备。
应理解，前面的一般描述和下面的详细描述两者都是示例性的，且旨在提供所要求保护的技术的进一步解释。
附图说明
附图被包括在内以提供对本公开内容的进一步理解，并且被并入并构成本说明书的一部分。附图示出实施方式，并与说明书一起用于解释本技术的原理。
图1是示出显示单元的配置的示图。
图2示出图1中所示的像素驱动电路的实例的示图。
图3A是示出根据本公开内容的第一实施方式的显示单元的配置的平面示图。
图3B是图3A中所示的显示单元的横截面示图。
图4A是示出按步骤制造图3A和图3B中所示的显示单元的方法的横截面示图。
图4B是示出图4A的步骤之后的步骤的横截面示图。
图4C是示出图4B的步骤之后的步骤的横截面示图。
图4D是示出图4C的步骤之后的步骤的横截面示图。
图5A是示出图4D的步骤之后的步骤的横截面示图。
图5B是示出图5A的步骤之后的步骤的横截面示图。
图5C是示出图5B的步骤之后的步骤的横截面示图。
图6是示出根据本公开第二实施方式的显示单元的端子部的配置的横截面示图。
图7A是示出按步骤制造图6中所示的显示单元的方法的横截面示图。
图7B是示出图7A的步骤之后的步骤的横截面示图。
图7C是示出图7B的步骤之后的步骤的横截面示图。
图8A是示出图7C的步骤之后的步骤的横截面示图。
图8B是示出图8A的步骤之后的步骤的横截面示图。
图8C是示出图8B的步骤之后的步骤的横截面示图。
图9是示出根据第一实施方式的变形例1的显示单元的配置的横截面示图。
图10A是示出按步骤制造图9中所示的显示单元的方法的横截面示图。
图10B是示出图10A的步骤之后的步骤的横截面示图。
图10C是示出图10B的步骤之后的步骤的横截面示图。
图11是示出根据第二实施方式的变形例2的显示单元的端子部的配置的横截面示图。
图12A是示出按步骤制造图11中所示的显示单元的方法的横截面示图。
图12B是示出图12A的步骤之后的步骤的横截面示图。
图12C是示出图12B的步骤之后的步骤的横截面示图。
图12D是示出图12C的步骤之后的步骤的横截面示图。
图13是示出根据第二实施方式的变形例3的显示单元的端子部的配置的横截面示图。
图14A是示出按步骤制造图13中所示的显示单元的方法的横截面示图。
图14B是示出图14A的步骤之后的步骤的横截面示图。
图14C是示出图14B的步骤之后的步骤的横截面示图。
图15A是示出图14C的步骤之后的步骤的横截面示图。
图15B是示出图15A的步骤之后的步骤的横截面示图。
图15C是示出图15B的步骤之后的步骤的横截面示图。
图16A是示出从使用根据前述实施方式等的像素的显示单元的应用实例1的前侧观看的外观的透视示图。
图16B是示出从使用根据前述实施方式等的像素的显示单元的应用实例1的后侧观看的外观的透视示图。
图17是示出应用实例2的外观的透视示图。
图18A是示出从应用实例2的前侧观看的外观的透视示图。
图18B是示出从应用实例2的背侧观看的外观的透视示图。
图19是示出应用实例3的外观的透视示图。
图20是示出应用实例4的外观的透视示图。
图21A示出关闭状态下的应用实例5的正视图、左视图、右视图、俯视图和仰视图。
图21B示出打开状态下的应用实例5的正视图和侧视图。
具体实施方式
将在下面参照附图详细描述本公开的一些实施方式。将按照以下顺序给出描述。
1.显示单元的整体配置
2.第一实施方式(其中端子部由配线层构成且保护膜形成在其端部的实例)
2-1.端子部的配置
2-2.制造方法
2-3.功能和效果
3.第二实施方式(其中端子部具有由配线层和像素电极构成的层压结构的实例)
4.变形例1(其中包括多层配线的实例)
5.变形例2(其中包括多层配线的另一实例)
6.变形例3(其中配线层具有由具有不同蚀刻特性的材料制成的层压结构的实例)
7.应用实例(每个都包括电路基板的显示单元和电子装置的实例)
[1.显示单元的整体配置]
图1示出根据本公开内容的实施方式的显示单元(显示单元1)的平面配置的实例。显示单元1可用于例如检查监视器等，并且例如可具有在显示区域110A中以矩阵状态布置的多个像素(红色像素10R、绿色像素10G和蓝色像素10B)的配置。像素部10(参见图3B)可具有例如发射红色单色光的红色发光元件30R(红色像素10R)、发射绿色单色光的绿色发光元件30G(绿色像素10G)和发射蓝色单色光的蓝色发光元件30B(蓝色像素10B)(对于任何组件，参见图3A)。发光元件30R、30G和30B可由例如后面提到的有机EL元件构成。可替换地，发光元件30R、30G和30B可由无机EL元件、半导体激光器、LED(发光二极管)等构成。在显示区域110A周围(在周边区域110B中)，设置了作为用于显示图像的驱动器的信号线驱动电路120和扫描线驱动电路130。
在显示区域110A中，设置了像素驱动电路140。图2示出像素驱动电路140的实例。像素驱动电路140是形成在后面提到的像素电极31下方的层中的有源型驱动电路。即，像素驱动电路140具有驱动晶体管Tr1、写入晶体管Tr2、晶体管Tr1和Tr2之间的电容器(保持电容)Cs，和串联连接到第一电源线(Vcc)和第二电源线(GND)之间的驱动晶体管Tr1的发光元件30R(或30G和30B之一)。驱动晶体管Tr1和写入晶体管Tr2中的每个都由普通薄膜晶体管构成。它们的配置没有特别限制，且可以是例如逆交错结构(所谓的底栅型，即，其中栅电极、沟道层和源-漏电极对依次层压的结构)，或交错结构(顶栅型，即，其中沟道层、栅电极和源-漏电极对依次层压的结构)。
在像素驱动电路140中，多条信号线120A被布置在列方向上，且多条扫描线130A被布置在行方向上。每条信号线120A与每条扫描线130A的每个交点对应于发光元件30R、30G和30B之一。每条信号线120A连接到信号线驱动电路120，且图像信号通过信号线120A从信号线驱动电路120供给到写入晶体管Tr2的源电极。每条扫描线130A连接到扫描线驱动电路130，且扫描信号通过扫描线130A顺序地从扫描线驱动器电路130供给到写入晶体管Tr2的栅电极。
图3A示出后面提到的第一实施方式中的像素部10和端子部40的平面配置。图3B示出沿构成图3A中所示的像素部10和端子部40的一个像素(诸如红色像素10R)的虚线I-I截取的横截面配置。半导体层20可设有例如前面提到的驱动晶体管Tr1、前面提到的写入晶体管Tr2等。显示层30设置在半导体层20上，且具有前述发光元件30R、30G和30B。
在根据本公开的该实施方式的显示单元1中，端子部40可由导电层42(第一导电层)构成，该导电层形成在与形成构成例如驱动晶体管Tr1的配线层的步骤的相同步骤中，具体地，形成栅电极21或源-漏电极对25(源电极25A和漏电极25B)的步骤。端子部40是显示单元1中的引线与外部电路(诸如柔性印刷电路)之间的连接部。
下面将给出构成像素部10的半导体层20和显示层30，和端子部40的描述。
[半导体层的配置]
在基板11上的半导体层20中，形成前述驱动晶体管Tr1和前述写入晶体管Tr2。在晶体管Tr1和Tr2上，设置平坦化绝缘膜26。虽然晶体管Tr1和Tr2(下面称为薄膜晶体管20A)可以是顶栅型或底栅型，但是在该实施方式中，将通过采用底栅型薄膜晶体管20A作为实例给出描述。在薄膜晶体管20A中，从基板11依次设置栅电极21、栅极绝缘膜22、形成沟道区的有机半导体膜(沟道层23)、层间绝缘膜24，和源-漏电极对(源电极25A和漏电极25B)。
对于基板11，除玻璃基板之外，例如还可使用由例如聚醚砜、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚缩醛、聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚醚醚酮、聚烯烃等制成的塑料基板；由例如表面经绝缘处理的铝(Al)、镍(Ni)、铜(Cu)、不锈钢等制成的金属箔基板；纸；或类似物。此外，可在基板上形成提高粘附性和平坦性的功能膜(诸如缓冲层)和提高阻气特性的阻挡膜。此外，如果允许例如通过溅射法或类似方法在不加热基板11的情况下形成沟道层23，则廉价的塑料膜可用于基板11。
栅电极21具有对薄膜晶体管20A施加栅极电压和通过栅极电压来控制沟道层23中的载流子密度的作用。栅电极21设置在基板11上的选择区域中，且可由例如金属(诸如铂(Pt)、钛(Ti)、钌(Ru)、钼(Mo)、Cu、钨(W)、镍(Ni)、Al和钽(Ta))单质或它们的合金的制成。此外，栅电极21可具有其中两种以上层压的结构。
栅极绝缘膜22设置在栅电极21和沟道层23之间，且厚度可，例如，从50nm到1μm(包括两个端点)。栅极绝缘膜22可由例如绝缘膜(包括氧化硅膜(SiO)、氮化硅膜(SiN)、氮氧化硅膜(SiON)、氧化铪膜(HfO)、氧化铝膜(ALO)、氮化铝膜(AlN)、氧化钽膜(TaO)、氧化锆膜(ZrO)、氮氧化铪膜、氮氧化铪硅膜、氮氧化铝膜、氮氧化钽膜和氧氮化锆膜中的一种或多种)形成。栅极绝缘膜22可具有单层结构，或者使用两种以上材料(诸如SiN和SiO)的层压结构。在栅极绝缘膜22具有层压结构的情况下，提高了相对于沟道层23的界面特性，且可有效地抑制来自周围空气的杂质(诸如湿气)混合到沟道层23中。在涂布后通过蚀刻以预定形状图案化栅极绝缘膜22。可替换地，根据材料，可通过印刷技术(诸如喷墨印刷、丝网印刷、胶印印刷和凹版印刷)进行栅极绝缘膜22的图案形成。
沟道层23以岛的形状设置在栅极绝缘膜22上且在相对源电极25A和漏电极25b之间的栅电极21的位置处具有沟道区域。沟道层23的厚度可为例如5nm至100nm(包括两端点)。沟道层23可由例如有机半导体材料(诸如，外周黄原胶氧杂蒽(PXX)衍生物)制成。有机半导体材料的实例可包括聚噻吩、通过将己基群引入聚噻吩获得的聚3-己基噻吩[P3HT]、并五苯[2,3,6,7-二苯并蒽]、聚蒽、并四苯、并六苯、并七苯、二苯并并五苯、四苯并并五苯、苝、晕苯、涤纶、卵苯、对庚基联苯、循环蒽、苯并芘、二苯并芘、苯并菲、聚吡咯、聚苯胺、聚乙炔、聚二乙炔、聚亚苯基、聚呋喃、聚吲哚、聚乙烯基咔唑、聚硒吩、聚碲吩、聚异硫茚、聚咔唑、聚亚苯基硫醚、聚苯乙炔、聚苯硫醚、聚噻吩乙炔、聚噻吩乙烯、聚萘、聚芘、聚甘菊环、由铜酞菁表示的酞菁、部花青、半花青、聚乙烯二氧噻吩、哒嗪、萘四羧酸二酰亚胺、聚(3,4-乙烯二氧噻吩)/聚苯乙烯磺酸[PEDOT/PSS]、4,4'-联苯二硫醇(BPDT)、4,4'-二异丙胺氰基联苯(diisocyanobiphenyl)、4,4'-二异丙胺氰基-对三联苯、2,5-二(5'-硫代乙酰基-2'-苯硫基)噻吩、2,5-二(5'-thioacetoxyl-2'-苯硫基)噻吩、4,4'-二异丙胺苯腈(diisocyanophenyl)、联苯胺(联苯基-4,4'-二胺)、TCNQ(四氰基)、由硫富瓦烯(TTF)-TCNQ络合物表示的电荷转移络合物、双亚乙基硫富瓦烯(BEDTTTF)-高氯酸络合物、BEDTTTF-碘络合物和TCNQ-碘络合物、联苯基-4,4'-二羧酸、24-二(4-苯硫基乙炔基)-2-乙基苯、24-二(4-异苯腈乙炔基)-2-乙基苯、树枝状聚合物、富勒烯，诸如C60、C70、C76、C78和C84、24-二(4-苯乙炔基氧化钛(tiohphenylethynyl))-2-乙基苯、2,2”-二羟基-1,1'：4',1”-三联苯、4,4'-联苯二甲醛、4,4'-联苯二酚、4,4'-联苯基、24-二乙炔基苯(diacetynylbenzene)、二乙基联苯氰(diethylbiphenyl)-4,4'-二羧酸、苯并[22-c；3,4-c'5,6-c”]三[22]二磺酚-24,7-三磺酚、α-六噻吩、四硫化并四苯(tetrathiotetracene)、四硅化并四苯(tetraselenotetracene)、四氯化并四苯(tetratellurtetracene)、聚(3-烷基噻吩)、聚(3-噻吩基-β-乙磺酸)、聚(N-烷基吡咯)、聚(3-烷基吡咯)、聚(3,4-二烷基吡咯)、聚(2,2'-三乙基吡咯)、聚(二苯并噻吩硫醚)和喹吖啶酮。除此之外，可使用选自由稠合多环芳族化合物、卟啉类衍生物、苯基亚乙烯基系共轭系低聚物和噻吩基共轭系低聚物组成的化合物。此外，可使用有机半导体材料和绝缘聚合物材料的混合物。
沟道层23可通过真空蒸镀法形成。然而，沟道层23可优选例如通过例如在有机溶剂中溶解任何前述材料并使用所得物作为油墨溶液的涂布和印刷工艺形成。其中一个原因是涂布和印刷工艺可比真空蒸镀法更加降低成本并可有效地提高生产量。涂布和印刷工艺的具体实例可包括以下方法，诸如浇涂、旋涂、喷涂、喷墨印刷、凸版印刷、柔版印刷、丝网印刷、凹版印刷、凹版胶版印刷。
源电极25A和漏电极25B彼此分离地设置在沟道层23上并电连接到沟道层23。作为构成源电极25A和漏电极25B的材料，可使用金属材料、非金属材料、无机半导体材料等。其具体实例可包括针对前述栅电极21提及的导电薄膜材料；铝(Al)、金(Au)、银(Ag)、铟锡氧化物(ITO)和氧化钼(MoO)；和任何这些种类的金属的合金。源电极25A和漏电极25B由任何前述金属的单质或它们的合金构成。源电极25A和漏电极25B可具有单层结构，或者可具有通过层压两种以上前述材料获得的结构。层压结构的实例可包括诸如钛[Ti/Al/Ti]和[Mo/Al]的层压结构。
平坦化绝缘膜26平坦化薄膜晶体管20A形成在其上的基板11的表面。平坦化绝缘膜26的构成材料的实例可包括诸如聚酰亚胺的有机材料，和诸如氧化硅(SiO2)的无机材料。
[显示层的配置]
显示层30包括红色发光元件30R(或绿色发光元件30G和蓝色发光元件30B之一)并设置在半导体层20上，具体地，设置在平坦化绝缘膜26上。红色发光元件30R是以下发光元件，其中，作为阳极的像素电极31、电极间绝缘膜32(分隔壁)、包括发光层的有机层33和作为阴极的对向电极34依次自半导体层20层叠。密封基板36利用介于其间的密封层35接合到对向电极34。薄膜晶体管20A和红色发光元件30R通过设置在平坦化绝缘膜26中的连接孔26A电连接到像素电极31。
像素电极31也具有作为反射层的功能，且可理想地具有尽可能高的反射率以提高发光效率。特别而言，在像素电极31用作阳极的情况下，像素电极31可优选由例如具有高空穴注入特性的材料制成。像素电极31的这种材料的实例可包括金属元素(诸如铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、铂(Pt)、镍(Ni)、铜(Cu)、钨(W)和银(Ag))的单质，以及它们的合金。在像素电极31的表面上，具有大功函数的透明电极可优选分层。在本公开内容的实施方式中，将在下面给出作为实例的一种情况的描述，在该情况下，像素电极31具有由具有反射功能的上述材料(诸如Al)制成的层(反射电极膜31A)和由透明导电材料(诸如铟和锡的氧化物(ITO))制成的层(透明电极膜31B)构成的层压结构。
电极间绝缘层32被配置为确保像素电极31与对向电极34之间绝缘，并允许发光区域具有期望的形状。电极间绝缘层32可由例如光敏树脂制成。电极间绝缘膜32仅设置在像素电极31周围。从电极间绝缘膜32露出的像素电极31的区域是发光区域。需注意，虽然有机层33和对向电极34也设置在电极间绝缘膜32上，但是仅从发光区域发射光。
例如，有机层33可具有以下配置：其中，空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层自像素电极31依次层压。这些层可根据需要设置。形成有机层33的各个层的配置可根据发光元件30R、30G和30B的发光颜色而不同。空穴注入层提高了空穴注入效率，且是防止泄漏的缓冲层。空穴传输层提高了空穴到发光层的传输效率。在发光层中，当施加电场时，发生电子和空穴的复合，因此产生光。电子传输层提高了电子到发光层的传输效率。电子注入层提高了电子注入效率。
对向电极34由例如铝(Al)、镁(Mg)、钙(Ca)或钠(Na)的合金制成。特别而言，镁和银的合金(Mg-Ag合金)可以是优选的，因为这种合金在薄膜中同时具有导电性和小吸收性。虽然Mg-Ag合金中镁和银之间的比率没有限制，但是Mg和Ag之间的膜厚度比率可优选在20:1至1:1的范围内(包括两个端点)。此外，作为对向电极34的材料，可使用铝(Al)和锂(Li)的合金(Al-Li合金)。
密封层35可具有例如由氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、金属氧化物或类似物制成的层和由热固性树脂、紫外线固化性树脂或类似物制成的层构成的层压结构。例如，设有遮光膜和滤色器的密封基板36可接合到密封层35。
[端子部的配置]
如上所述，端子部40将显示单元1中的各种配线连接到外部电路。在该实施方式中，端子部40可由在与形成设置在半导体层20中的配线层(诸如栅电极21或源电极25A和漏电极25B)的步骤相同的步骤中形成的导电层42(第一导电层)构成。换言之，在该实施方式中，端子部40可由在与设置在半导体层20中的配线层(诸如栅电极21或源电极25A和漏电极25B)的材料相同的材料形成的导电层42(第一导电层)构成。可替换地，端子部40可具有以下配置：其中，在与形成像素电极31的步骤相同的步骤中形成的导电层(第二导电层)层压在导电层42上的。
需注意，在根据本公开内容的该实施方式的显示单元1中，在与在端子部40中形成导电层42的步骤相同的步骤中形成的配线层(栅电极21或源电极25A和漏电极25B之一)中所包含的材料和包含在显示层30中的像素电极31中的材料可由相同的蚀刻剂(这些材料具有相同的蚀刻特性)移除。蚀刻剂类型的实例可包括乙酸-磷酸-硝酸基水溶液、氢氟酸-硝酸基水溶液和氨-氢过氧化物基水溶液。例如，铝(Al)、银(Ag)或钼(Mo)可由乙酸-磷酸-硝酸基水溶液移除。例如，钽(Ta)或钨(W)可由氢氟酸-硝酸基水溶液移除。例如，钛(Ti)、氮化钛(TiN)或者铜(Cu)可由氨-氢过氧化物基水溶液移除。
[2.第一实施方式]
[2-1.端子部的配置]
本公开内容的第一实施方式的显示单元1具有以下配置，其中，如示图3B所示，端子部40由与形成在设置于半导体层20中的配线层(即，在这个实例中，源电极25A和漏电极25B)的步骤相同的步骤中形成的导电层42构成。在该实施方式中，在端子部40中，绝缘膜41、导电层42和具有开口43A的绝缘膜43从基板11依次层压。导电层42的端部(具体是从顶表面的圆周边缘部分到导电层42的侧表面的部分)覆盖有保护膜44。
该实施方式中的显示单元1的端子部40可如下制造。
[2-2.制造方法]
如图4A所示，半导体层20和端子部40通过常规方法形成在基板11上。首先，要成为栅电极21的金属膜可例如通过溅射法、真空蒸镀法或类似方法形成在基板11的整个表面上。接下来，金属膜可例如由光刻和蚀刻被图案化，因此形成栅电极21。接下来，栅极绝缘膜22、绝缘膜41和沟道层23依次形成在基板11和栅电极21的整个表面上。具体而言，在基板11的整个表面上可例如通过旋涂法涂布有前述栅极绝缘膜的材料，诸如PVP(聚乙烯吡咯烷酮)溶液，并将所得物干燥。因此，形成像素部10中的栅极绝缘膜22和端子部40中的绝缘膜41。接下来，有机半导体材料(诸如PXX化合物溶液)被涂覆到该栅极绝缘膜22上。此后，将所施加的有机半导体材料加热，因此沟道层23形成在栅极绝缘膜22上。
随后，层间绝缘膜24形成在沟道层23上。此后，金属膜形成在沟道层23、层间绝缘膜24和绝缘膜41上。具体而言，例如，可例如通过溅射法形成具有[Mo/Al/Mo]的配置的层压膜。接下来，可例如通过使用光刻方法进行蚀刻形成源电极25A、漏电极25B和导电层42。
接下来，如图4B所示，例如，可通过溅射法在层间绝缘膜24、源电极25A、漏电极25B和导电层42上将SiN形成为连续膜44P。此后，如图4C所示，通过干法蚀刻移除形成在像素部10上的连续薄膜44P的部分形成保护膜44。随后，如图4D所示，光敏树脂(诸如聚酰亚胺)被涂覆到像素部10上，平坦化绝缘膜26形成并通过曝光和显影被图案化为预定的形状，形成连接孔26A，并将所得物烧制。接下来，具有例如[Al/ITO]的配置的金属膜31P可例如通过溅射法形成在端子部40中的平坦化绝缘膜26和保护膜44上。
随后，如图5A所示，端子部40的整个表面和像素部10的一部分上的部分金属薄膜31P通过湿法蚀刻被选择地移除以形成与发光元件30R、30G和30B中的每个分离的像素电极31。接下来，如图5B所示，端子部40总的保护膜42可使用例如SF6通过干法蚀刻被移除以形成将要成为相对于外部电路的连接部的开口43A。随后，如图5C所示，绝缘膜形成在像素部10和端子部40的整个表面上，随后，绝缘膜被加工以形成限定发光区域的窗状电极间绝缘膜32和绝缘膜43。此后，包括发光层的有机层33和对向电极34例如通过蒸镀法形成在像素部10中。此后，密封基板36利用介于其间的密封层35接合至此。最后，用于与外部电路连接的FPC安装在端子部40上，并因此完成显示单元1。
这样的显示单元1适用于任何领域的用于将从外部输入的图像信号或在内部产生的图像信号显示为图像或视频的电子装置的显示单元，诸如，除了检查监视器之外，电视机、数码相机、笔记本式个人计算机、便携式终端设备(诸如移动电话)和视频摄像机。
[2-3.作用及效果]
在一般情况下，作为构成显示单元的驱动晶体管Tr1(或写入晶体管Tr2)的栅电极、源电极和漏电极或类似电极的配线材料，在配线材料的体积电阻率和加工性能方面可优选使用包含Al作为主要成分的金属。此外，通过使用具有高反射率的金属材料(诸如Al和Ag)作为顶部发射型有机EL显示单元中的发光元件的像素电极的材料，可获得高发光效率。然而，在前述配线层和像素电极由可在相同蚀刻剂中溶解的相同材料或材料制成且将各种配线连接到外部电路的端子部由与构成像素部的配线层的材料相同的材料制成的情况下，形成端子部的导电层的表面在加工配线层的步骤中被损坏或蚀刻。因此，端子部尚未被允许正常地形成，而安装故障、端子部的电阻值增加等已经发生。因此，存在以下一些缺点，诸如由于性能变化引起的制造成品率降低和可靠性降低。
与此相反，在该实施方式中，在与形成形成半导体层20的配线层(在这种情况下是源电极25A和漏电极25B)的步骤相同的步骤中形成的金属膜被形成为端子部40中的导电层42，且此后，保护膜44形成在导电层42上。使用不可由用于蚀刻导电层42的蚀刻剂移除的材料形成保护膜44。因此，在加工可由与源电极25A、漏电极25B和导电层42的蚀刻剂相同的蚀刻剂移除的材料(即，该材料具有与源电极25A、漏电极25B和导电层42的蚀刻特性相同的蚀刻特性)形成的像素电极31的步骤中，可防止导电层42的损坏。
如上所述，在该实施方式中的显示单元1和显示单元1的制造方法中，在与形成在半导体层20中的配线层的那些相同的步骤中形成并由与其相同的材料制成的金属膜被形成为构成端子部40的导电层42，且此后，保护膜44被形成在导电层42上。因此，在随后的蚀刻步骤中，可防止导电层42的损坏，且形成正常端子部40。因此，降低了特性的变化，且提高了制造成品率。即，提供了高可靠性的显示单元。
下面将给出第二实施方式和变形例1至3的描述。需注意，在以下的描述中，对于与第一实施方式中的元件相同的组件，相同的附图标记附于其上，且将适当地省略其描述。
[3.第二实施方式]
图6示出本公开内容的第二实施方式的显示单元2中的端子部50的横截面配置。端子部50与前述第一实施方式的不同之处在于：将与形成像素电极31的步骤相同的步骤中形成的导电层52层压在在与形成在半导体层20中所形成的配线层的步骤相同的步骤中形成的导电层51上。
如在第一实施方式中，端子部50具有在与形成配线层(在该实例中是源电极25A和漏电极25B)相同的步骤中形成的导电层51。在导电层51上，在与形成像素电极31的步骤相同的步骤中形成的导电层52层压。如在第一实施方式中，该实施方式中的像素电极31具有由具有与配线层(诸如源电极25A和漏电极25B)的那些相同的蚀刻特性的材料(例如Al和Al合金)制成的层(反射电极膜31A)和使用透明导电材料(诸如ITO)形成的层(透明电极膜31B)构成的层压结构。因此，与像素电极31一样，端子部50中的导电层52具有以下配置：其中，由具有与源电极25A和漏电极25B的那些相同的蚀刻特性的材料(即，具有与导电层51的那些相同的蚀刻特性的材料)制成的层(导电层52A)，和由透明导电材料制成的层(透明电极层52B)依次层压。然而，在该实施方式中的端子部50中，其表面上的透明电极材料层52B的一部分，具体是相对于外部电路要成为连接表面的在开口部分53A中的一部分被移除，且导电层52A暴露。
该实施方式中的显示单元2的端子部50可如下制造。首先，通过类似于前述第一实施方式中的方法，如示图7A所示，形成直至源电极25A、漏电极25B和导电层51的层。随后，如示图7B所示，在形成平坦化绝缘膜26之后，具有例如[Al(52A)/ITO(52B)]的配置的金属薄膜31P和52形成在漏电极25B和平坦化绝缘膜26的表面上和端子部50中的导电层51上。
接下来，选择地移除ITO以获得如图7C中所示的预定形状。此时，不移除端子部50中的ITO(52B)的部分。随后，如图8A所示，加工像素电极31和导电层52(52A和52B)。此后，如图8B所示，形成限定发光区域的窗状电极间绝缘膜32和具有开口53A的绝缘膜53。接下来，如图8C所示，开口53A中的导电层52B被蚀刻，具体地，将其移除以获得具有与开口53A的形状大致相同形状的开口，且因此，导电层52电导通到外部电路。此后，包括发光层的有机层33通过蒸镀法形成在像素部10中。然后，密封基板36由介于其间的密封层35接合到此。最后，用于与外部电路连接的FPC安装在端子部40上，并因此完成显示单元2。
在像素电极具有由金属膜和透明电极膜构成的层压结构的显示单元中，在该像素电极用作连接到外部电路的端子部的情况下，存在以下缺点，即，与不使用像素电极作为端子部的显示单元相比，平均安装电阻值增加更多，且电阻值的变化显著增加且会发生显示不均匀。其中一个原因是，在反射电极膜和透明电极(例如，Al-Ni合金和ITO)直接接触的情况下，通过Al3Ni层颗粒的局部欧姆接触部分和通过氧化铝膜的非欧姆接触部分以混合方式存在。另一个原因可能是安装的构件的导电性填料和端子部的表面是点接触。
与此相反，在本实施方式中，端子部50具有以下层压结构，该结构由在与形成配线层的步骤相同的步骤中形成的导电层51和在与形成像素电极31的步骤相同的步骤中形成的导电层52构成。在其制造步骤中，在加工像素电极31时，设置在端子部50中的导电层52中的透明电极膜52B被留下并且在蚀刻反射电极膜52A时用作保护膜。因此，可防止构成端子部50的导电层51和导电层52(反射电极膜52A)由于蚀刻而损坏。此外，在图案化像素电极31之后，移除端子部50的顶表面上的透明电极膜52B。因此，可防止端子部50的电阻值增加。
如上所述，在该实施方式中的显示单元2和显示单元2的制造方法中，通过使用透明电极膜52B作为在加工反射电极膜52A时的保护膜，正常地形成端子部50。此外，通过最后移除端子部50中的透明电极膜52B，可防止端子部50的电阻值增加。由此，可降低特性的变化，并且提高制造成品率。即，允许提供可靠性高的显示装置。
[4.变形例1]
图9示出前述第一实施方式的变形例中的显示单元3的像素部60和端子部40的横截面配置。显示单元3与前述第一实施方式中的显示单元的不同之处在于，构成像素部60的半导体层20由多层配线构成。该半导体层20可具有以下配置：其中，例如由树脂材料(诸如聚酰亚胺)形成的层间绝缘膜61和由类似于栅电极21、源电极25A和漏电极25B的材料的金属材料形成的配线层62在构成薄膜晶体管20A和平坦化绝缘膜26的各个层之间分层。需注意，为了形成构成该变形例中的端子部40的导电层42，除了栅电极21或源电极25A和漏电极25B之外，可使用配线层62。在这种情况下，配线层62由具有与像素电极31(具体为反射电极膜31A)的那些相同的蚀刻特性的材料制成。
该变形例中的显示装置3可如下制造。首先，如图10A所示，源电极25A、漏电极25B和导电层42通过类似于前述第一实施方式中的方法形成，且此后，保护膜44形成在端子部40中。随后，如图10B所示，层间绝缘膜61和配线层62形成在层间绝缘膜24、源电极25A和漏电极25B上，此后，平坦化绝缘膜26和像素电极薄膜31P依次形成。此外，像素电极薄膜31P也形成在端子部40中的保护膜44上。
接下来，如图10C所示，端子部40的整个表面上的像素电极膜31P的一部分通过湿法蚀刻移除，且像素部10被加工。此后，通过使用例如SF6等的干法蚀刻可选择地移除要成为相对于外部电路的连接部分的端子部40中的保护膜44的一部分。随后，如图10C所示，绝缘膜43形成在限定发光区域的窗状电极间绝缘膜32和端子部40上。此后，包括发光层的有机层33通过蒸镀方法形成在像素部60中，且此后，密封基板36由介于其间的密封层35接合至此。最后，用于与外部电路连接的FPC安装在端子部40上，并因此完成显示单元3。
[5.变形例2]
图11示出前述第二实施方式的变形例中的显示单元4的端子部70的横截面配置。显示单元4与前述第二实施方式中的显示单元的不同之处在于，半导体层20具有如前述变形例1中的多层配线结构，且构成端子部70的导电层具有三层结构。该导电层可具有例如以下配置：其中，在与形成源电极25A和漏电极25B的步骤相同的步骤中形成的导电层72、在与形成配线层62的步骤相同的步骤中形成的导电层75，和在与形成像素电极31的步骤相同的步骤中形成的导电层73依次层叠。需注意，也可在与栅电极21的步骤相同的步骤中形成导电层72。
该变形例中的显示装置4可如下制造。首先，如图12A所示，源电极25A、漏电极25B和绝缘膜71上的导电层72通过类似于前述第二实施方式中的方法形成。随后，如图12B所示，层间绝缘膜61和配线层62形成在层间绝缘膜24、源电极25A、漏电极25B和导电层51上；且导电层75形成在端子部70中的导电层72上。
接下来，如图12C所示，形成平坦化绝缘膜26、像素电极31和导电层73。此后，如图12D所示，形成限定发光区域的窗状电极间绝缘膜32和绝缘膜74。此外，在与端子部70中的像素电极31同时形成的导电层73(反射电极膜73A和透明电极膜73B)中，移除曾作为保护膜的透明电极膜73B。此后，包含在像素部60中的有机层33通过蒸镀法形成，且此后，密封基板36利用介于其间的密封层35接合至此。最后，用于与外部电路连接的FPC安装在端子部70上，并因此完成显示单元4。
期望显示单元的尺寸进一步变大并具有较高分辨率。在显示单元的尺寸变大的情况下，由于配线电阻和寄生电容而产生的负载，会发生信号延迟。此外，在实现更高分辨率的情况下，随着像素的数量增加，驱动配线和信号线形成在其中的配线层的密度(特别在有机EL显示单元中)增加，且因此，短路故障的数量增加，且制造成品率不利地降低。解决前述缺点的一个方法可以是以下方法，其允许其中形成各种配线的层具有多层结构。在实现本技术的实施方式中的配线层的多层结构的情况下，光敏树脂(诸如具有低介电常数的聚酰亚胺)用于具有多层结构的配线层之间以便避免信号延迟。然而，前述树脂为基础的材料对于干法蚀刻具有低耐性。由此，在感光层间绝缘树脂上的配线层通过干法蚀刻加工的情况下，例如，可在绝缘膜中产生空洞，从而导致上配线层和下配线层之间的短路，或由于绝缘膜的表面的粗糙度，可能会发生外观不均匀。由此，例如，会易于降低制造成品率，且易于发生质量变化等。
因此，为了实现多层配线结构而加入的配线层62可优选由可通过湿法蚀刻加工的材料(诸如具有[Mo/Al]的配置的层压金属)制成。根据变形例1和2，例如，在变形例1中，端子部40中的导电层42形成在与形成栅电极21的步骤、形成源电极25A和漏电极25B的步骤、或形成配线层62的步骤相同的步骤中形成，且此后，保护膜44形成在导电层42上。在变形例2中，构成端子部70的导电层具有三层结构(由导电层72、75和73构成)，并在形成其的步骤中，透明电极膜73B形成在最上层。由此，在半导体层20具有包括由光敏树脂材料形成的层间绝缘膜61的多层配线结构的情况下，可防止端子部40的导电层42(或端子部70中的导电层72、75和73)因蚀刻而损坏。由此，可提供具有高制造成品率和优异可靠性的大尺寸和高清晰度的显示单元。
[6.变形例3]
图13示出前述第二实施方式的变形例中的显示单元5的端子部80的横截面配置。显示单元5具有以下配置：其中，源电极25A和漏电极25B中的每个都由由具有不同蚀刻特性的不同金属材料制成的层压结构构成。具体而言，在源电极25A和漏电极25B中，例如，Al合金和Ti(或W)可从基板11依次层压。在与形成源电极25A和漏电极25B的步骤相同的步骤中形成的端子部80中的导电层中，由Al合金制成的导电层82A和由Ti(或W)制成的导电层82B也以该顺序层压。
该变形例中的显示单元5可如下进行制造。首先，如图14A所示，源电极25A、漏电极25B和导电层82(导电层82A和82B)通过类似于前述第一实施方式中的方法形成。此时，源电极25A、漏电极25B和导电层82(导电层82A和82B)中的每个都具有由具有不同于配线层62的材料的那些的蚀刻特性的金属材料制成的层压结构，即，可以是例如[Ti/Al]的层压结构。随后，如图14B所示，层间绝缘膜61和金属膜62A形成在层间绝缘膜24、源电极25A、漏电极25B和导电层82上。接下来，如图14C所示，像素部60中的金属膜62A被加工以形成配线层62，且移除端子部80中的金属膜62A。此时，导电层82B([Ti/Al]层压结构中的Ti层)用作蚀刻保护膜。
随后，如图15A所示，在形成平坦化绝缘膜26之后，像素电极膜31P形成在平坦化绝缘膜26和端子部80的整个表面上。接下来，如图15B所示，像素电极膜31P被图案化以形成像素电极31，且移除像素电极膜31P在端子部80中的部分。随后，如图15C所示，限定发光区域的窗状电极间绝缘膜32和端子部80上的绝缘膜83通过形成和加工绝缘膜而形成。此后，包括发光层的有机层33通过蒸镀法形成在像素部60中，且此后，密封基板36由其间的密封层35接合到其上。最后，用于与外部电路连接的FPC安装在端子部80上，并因此完成显示单元5。
如上所述，在形成在半导体层20中的任何配线层(栅电极21、源电极25A、漏电极25B和配线层62)具有由具有不同蚀刻特性的材料制成的层压结构的情况下，特别是，在其上层的材料具有不同于像素电极31的那些的蚀刻特性的情况下，在没有如前述第一实施方式和变形例1中单独形成保护膜的情况下，正常地形成端子部80。
[7.应用实例]
在上面第一和第二实施方式和变形例1至3中解释的显示单元1至5可适当用作例如下面的电子设备。
[应用实例1]
图16A示出从其正侧观看的智能手机的外观，且图16B示出从其背侧观看的外观。智能电话可包括例如显示部610(显示单元1)、非显示部(壳)620和操作部630。操作部630可设置在非显示部620的前表面上，如图16A所示，或者可设置在非显示部620的顶表面上，如图16B所示。
[应用实例2]
图17示出根据应用实例2的电视机的外观。电视机可具有例如包括前面板210和滤光玻璃220的图像显示屏幕部200。图像显示屏幕部200对应于任何前述显示单元。
[应用实例3]
图18A示出从正侧观看的根据应用实例3的数码相机的外观，且图18B示出从后侧观看的其外观。数码相机可具有例如闪光灯的光发射部310、作为任何前述显示单元的显示部320、菜单开关330和快门按钮340。
[应用实例4]
图19示出根据应用实例4的笔记本式个人计算机的外观。笔记本式个人计算机可具有例如主体410、用于输入字符等的操作的键盘420，和作为任何前述显示单元的显示部430。
[应用例5]
图20示出根据应用实例5的视频摄像机的外观。视频摄像机可具有例如主体510、用于拍摄设置在主体510的前侧表面上的被摄体的透镜520、用于拍摄的开始-停止开关530，和作为任何前述显示单元的显示部540。
[应用实例6]
图21A示出闭合状态下的根据应用实例6的正视图、左视图、右视图、俯视图和仰视图。图21B示出打开状态下的移动电话的正视图和侧视图。在移动电话中，例如，上部壳710和下部壳720可通过连接部(铰链部)730连接。移动电话可具有显示器740、子显示器750、画面灯760和相机770。显示器740和子显示器750中的一个对应于任何前述显示单元。
虽然已经参考第一和第二实施方式、变形例1至3和应用实例描述了本公开，但是本公开不限于前述实施方式等，并且可进行各种变形例。例如，每个层的材料、厚度、成膜方法、成膜条件等不限于前述实施方式等中所描述的那些，可采用其它材料、其它厚度、其它成膜方法和其它成膜条件。
根据本公开的上述示例性实施方式和变形例可能实现至少以下配置。
(1)一种显示单元，其包括：
显示层，其包括像素电极；
半导体层，其设置在所述显示层下方的层中，半导体层包括配线层，其包括由像素电极也可由其移除的蚀刻剂移除的材料；和
端子部，其被配置为将半导体层电连接到外部电路，端子部包括由与配线层的材料相同的材料制成的第一导电层。
(2)根据(1)所述的显示单元，其中：
半导体层包括栅电极和一对源-漏电极，且
端子部由由与栅电极和对源-漏电极中的一个的材料相同的材料制成的第一导电层配置。
(3)根据(2)所述的显示单元，其中：
半导体层包括多层配线层，且
端子部由由与构造多层配线层的金属膜的材料相同的材料制成的第一导电层配置。
(4)根据(3)所述的显示单元，其中端子部由第一导电层和包括第一导电层和第二导电层的层压结构中的一个配置，第一导电层由与栅电极的材料、对源-漏电极的材料和金属膜的材料相同的一个或多个材料制成，第二导电层包括配置像素电极的材料。
(5)根据(4)所述的显示单元，其中:
端子部中的像素电极和第二导电层中的每个都具有包括透明电极膜和反射电极膜的层压结构，且
配置端子部的第二导电层中的透明电极膜包括开口。
(6)根据(1)至(5)中任一项所述的显示单元，其中端子部在端子部的至少两端上具有保护膜。
(7)根据(1)至(6)中任一项所述的显示单元，其中蚀刻剂是乙酸-磷酸-硝酸基水溶液、氢氟酸-硝酸基水溶液，和氨-氢过氧化物基水溶液中的一种。
(8)根据(1)至(7)中任一项所述的显示单元，其中端子部包括铝(Al)、银(Ag)和钼(Mo)中的一种或多种。
(9)根据(1)至(8)中任一项所述的显示单元，其中端子部包括钽(Ta)和钨(W)中的一种或两种。
(10)根据(1)至(9)中任一项所述的显示装置，其中端子部包括钛(Ti)、氮化钛(TiN)和铜(Cu)中的一种或多种。
(11)根据(1)至(10)中任一项所述的显示装置，其中像素电极和配线层中的一个或两个具有其中具有不同蚀刻特性的层层压的配置。
(12)根据(1)至(11)中任一项所述的显示装置，其中像素电极具有其中氧化锡(ITO)和铝(Al)和铝合金中的一种层压的配置。
(13)根据(1)至(12)中任一项所述的显示装置，其中配线层具有其中Ti层、Al层和Ti层依次层压的层压结构。
(14)根据(1)至(13)中任一项所述的显示装置，其中半导体层包括依次的栅电极、半导体膜和一对源-漏电极，或者包括依次的半导体膜、栅电极和一对源-漏电极。
(15)一种制造显示单元的方法，所述方法包括：
在基板上的半导体层中形成配线层，和在端子部中形成第一导电层，第一导电层由与配线层的材料相同的材料制成；
在半导体层和第一导电层上形成作为连续膜的像素电极，像素电极配置显示层，且像素电极由配线层也可由其移除的蚀刻剂移除的材料制成；和
移除第一电层上的像素电极的部分或全部以形成端子部。
(16)根据(15)所述的方法，其还包括：在形成配线层和第一导电层和形成像素电极之间，
在配线层和第一导电层上形成作为连续膜的保护膜；和
移除配线层上的所述保护膜。
(17)根据(15)或(16)所述的方法，其中在第一导电层上形成像素电极作为第二导电层，且随后移除像素电极的部分或全部。
(18)根据(17)所述的方法，其中
像素电极由反射电极膜和透明电极膜配置，且
第二导电层通过从像素电极上移除透明电极的部分或全部而形成。
(19)一种具有显示单元的电子设备，所述显示单元包括：
显示层，其包括像素电极；
半导体层，其设置在显示层下方的层中，半导体层包括配线层，其包括由像素电极也可由其移除的蚀刻剂移除的材料；和
端子部，其被配置为将半导体层电连接到外部电路，端子部包括由与配线层的材料相同的材料制成的第一导电层。
本领域技术人员应理解可根据设计要求和其它因素发生各种变形例、组合、子组合和替换，只要它们在所附权利要求或其等同物的范围之内即可。

Claims (15)

1.一种显示单元，包括：
显示层，包括像素电极；
半导体层，设置在所述显示层下方的层中，所述半导体层包括配线层；以及
端子部，被配置为将所述半导体层电连接到外部电路，所述端子部包括第一导电层，
其中，所述配线层和第一导电层均具有依次为第一Ti层、Al层和第二Ti层的层压结构，并且
其中，所述像素电极具有铝或铝合金中的一者和透明导电材料层压的配置。
2.根据权利要求1所述的显示单元，其中：
所述半导体层包括栅电极和源-漏电极对，以及
所述端子部由包括与所述栅电极或所述源-漏电极对之一的材料相同的材料的所述第一导电层构成。
3.根据权利要求2所述的显示单元，其中：
所述半导体层包括多层配线层，以及
所述端子部由包括与所述多层配线层的金属膜的材料相同的材料的所述第一导电层构成。
4.根据权利要求1所述的显示单元，其中，所述端子部由所述第一导电层或包括所述第一导电层和第二导电层的层压结构之一构成，所述第一导电层由与所述栅电极的材料、所述源-漏电极对的材料、或所述金属膜的材料相同的一种或多种材料制成，所述第二导电层包括构成所述像素电极的材料。
5.根据权利要求1所述的显示单元，其中：
所述端子部中的所述像素电极和所述第二导电层中的每个都具有包括透明电极膜和反射电极膜的层压结构，以及
所述端子部的所述第二导电层中的所述透明电极膜包括开口。
6.根据权利要求1所述的显示单元，其中，所述端子部至少在所述端子部的两端具有保护膜。
7.根据权利要求1所述的显示单元，其中，所述配线层包括能够被蚀刻剂移除的材料，所述蚀刻剂是乙酸-磷酸-硝酸基水溶液、氢氟酸-硝酸基水溶液、或氨-氢过氧化物基水溶液之一。
8.根据权利要求1所述的显示单元，其中，所述端子部包括铝(Al)、银(Ag)、和钼(Mo)中的一种或多种。
9.根据权利要求1所述的显示单元，其中，所述端子部包括钽(Ta)和钨(W)中的一种或两种。
10.根据权利要求1所述的显示单元，其中，所述端子部包括钛(Ti)、氮化钛(TiN)、和铜(Cu)中的一种或多种。
11.根据权利要求1所述的显示单元，其中，所述像素电极和所述配线层之一或两者具有以下配置：在所述配置中，层压具有不同蚀刻特性的层。
12.根据权利要求1所述的显示单元，其中，所述半导体层依次包括栅电极、半导体膜、和源-漏电极对，或者依次包括半导体膜、栅电极、和源-漏电极对。
13.根据权利要求1所述的显示单元，其中，所述透明导电材料是氧化锡(ITO)。
14.根据权利要求1所述的显示单元，其中，所述显示单元是有机电致发光显示单元。
15.根据权利要求1所述的显示单元，其中，顶表面的圆周边缘部分到所述第一导电层的侧表面覆盖有保护膜。
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