CN106946259B - 一种非晶硅粉体的制备方法 - Google Patents

一种非晶硅粉体的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106946259B
CN106946259B CN201710247883.XA CN201710247883A CN106946259B CN 106946259 B CN106946259 B CN 106946259B CN 201710247883 A CN201710247883 A CN 201710247883A CN 106946259 B CN106946259 B CN 106946259B
Authority
CN
China
Prior art keywords
ball
amorphous silicon
powder
metal hydride
alkaline earth
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201710247883.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN106946259A (zh
Inventor
梁初
陈云
王凯
夏阳
张文魁
甘永平
陶新永
张俊
黄辉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zhejiang University of Technology ZJUT
Original Assignee
Zhejiang University of Technology ZJUT
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zhejiang University of Technology ZJUT filed Critical Zhejiang University of Technology ZJUT
Priority to CN201710247883.XA priority Critical patent/CN106946259B/zh
Publication of CN106946259A publication Critical patent/CN106946259A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106946259B publication Critical patent/CN106946259B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02Silicon
    • C01B33/021Preparation
    • C01B33/023Preparation by reduction of silica or free silica-containing material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/70Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
    • C01P2002/72Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

本发明公开了一种非晶硅粉体的制备方法,所述非晶硅粉体以二氧化硅和碱土金属氢化物为原料,在惰性气氛保护下,将二氧化硅和金属氢化物按物质的量比1:2~6称量,置于密封球磨罐中,在室温条件下,以200~600 rpm的转速,球磨反应12~300 h,球磨反应结束后,将取出的固体产物经副产物去除和分离等步骤,即可到非晶硅粉体。本发明所述的非晶硅粉体制备方法具有工艺简单、成本低、高效安全、经济环保等特点。

Description

一种非晶硅粉体的制备方法
(一)技术领域
本发明属于非晶硅制备技术领域,具体涉及一种非晶硅粉体的制备方法。
(二)背景技术
硅(化学式:Si)原子序数为14,有无定型硅和晶体硅两种。在地壳中硅是除氧以外含量(25.7%)最多的元素,但极少以单质的形式在自然界出现,主要以复杂的硅酸盐或二氧化硅的形式存在。目前已经实现工业化的硅化学制备方法主要包括:(1)改良三氯氢硅氢还原法,原理就是在1100℃左右的高纯硅芯上用高纯氢还原高纯三氯氢硅,生成多晶硅沉积在硅芯上。(2)硅烷法,将SiH4气体导入硅烷分解炉,在800~900℃的发热硅芯上,SiH4分解并沉积出高纯多晶硅。(3)流化床法,以SiCl4、H2、HCl、工业Si粉为原料,控制适当的温度和压力,使上述原料在流化床内发生化学反应,生成SiHCl3,SiHCl3通过歧化反应生成SiH2Cl2和SiCl4,其中,SiH2Cl2发生分解,生成SiH4气和SiHCl3,制取的SiH4气在流化床反应炉内进行热分解反应,生成的多晶硅在预先加入的细硅粒表面生长,最终得到粒状多晶硅。上述几种制备方法对生产条件要求都非常高,能耗也高,产生大量副产物,原料的一次利用率低,并且具有一定危险性。因此,探究一种高效、经济、安全、环境友好的硅制备方法具有重要意义。
(三)发明内容
本发明的目的是提供一种制备工艺简单、高效,对环境友好,易于工业化生产的制备非晶硅粉体的新方法。
下面具体说明本发明的技术方案。
本发明所述的非晶硅粉体是以碱土金属氢化物与二氧化硅为原料通过机械化学反应合成,其具体的制备方法包括如下步骤:
(1)将二氧化硅粉末在80~120 ℃真空烘箱中干燥10~24 h;
(2)在真空或保护气氛下,将干燥的二氧化硅和碱土金属氢化物装入密封的球磨罐,在0~50 ℃下,球磨发生化学反应;
(3)球磨结束后,将取出的固体产物用稀酸、乙醇洗涤3遍,并用去离子水洗至溶液为中性,然后将其过滤、烘干,即可到非晶硅粉体。
本发明中,步骤(2)中所述的碱土金属氢化物为氢化镁和氢化钙中的至少一种。
作为优选,所述步骤(2)中所述的二氧化硅和碱土金属氢化物的摩尔比例为1: 2~6。
作为优选,步骤(3)中所述的球磨操作条件为球料比30~200 :1、球磨转速200~600rpm,球磨时间12~300 h。
本发明与现有技术相比,其有益效果主要体现在:
(1)本发明中利用碱土金属氢化物和二氧化硅在机械球磨下反应生成非晶硅,制备工艺简单,副产物氢气也很容易收集利用,是一种资源合理利用的环保行为。
(2)所用的原材料来源广泛、易得到,成本低,高效,绿色环保,易于工业化实施;
(四)附图说明
图1是实施例1制备的非晶硅粉体的XRD图谱。
(五)具体实施方法
下面以具体实施例对本发明的技术方案做进一步说明,但本发明的保护范围不限于此。
实施例1
将二氧化硅粉末在120 ℃真空烘箱中干燥12 h。在氩气气氛保护下,先分别将0.035 mol氢化镁和0.018 mol二氧化硅粉体装入球磨罐中,然后将磨球放入球磨罐后密封。其中磨球质量与物料质量比为80:1。在室温条件下,使球磨罐在500 rpm的转速连续球磨反应180 h,取出之后用稀酸、乙醇洗涤3遍,并用去离子水洗至溶液为中性。干燥、冷却所得粉体即为非晶硅粉体。
实施例2
将二氧化硅粉末在80 ℃真空烘箱中干燥24 h。在真空条件下,先将0.03 mol氢化钙和0.0125 mol二氧化硅转移至球磨罐,然后将磨球放入球磨罐后密封。其中磨球质量与物料质量比为160:1。在室温条件下,使球磨罐于450 rpm的转速连续球磨反应220 h,取出之后用稀酸、乙醇洗涤3遍,并用去离子水洗至溶液为中性。干燥、冷却所得粉体即为非晶硅粉体。
实施例3
将二氧化硅粉末在90 ℃真空烘箱中干燥10 h。在氩气气氛保护下,将0.024 mol氢化镁、0.021 mol氢化钙和0.018 mol二氧化硅装入至球磨罐中,然后将磨球放入球磨罐后密封。其中磨球质量与物料质量比为200:1。在室温条件下,使球磨罐于550 rpm的转速连续球磨反应168 h,取出之后用稀酸、乙醇洗涤3遍,并用去离子水洗至溶液为中性。干燥、冷却所得粉体即为非晶硅粉体。
实施例4
将二氧化硅粉末在100 ℃真空烘箱中干燥10 h。在氩气气氛保护下,将0.036 mol氢化镁、0.055 mol氢化钙和0.018 mol二氧化硅装入至球磨罐中,然后将磨球放入球磨罐后密封。其中磨球质量与物料质量比为180:1。在室温条件下,使球磨罐于500 rpm的转速连续球磨反应130 h,取出之后用稀酸、乙醇洗涤3遍,并用去离子水洗至溶液为中性。干燥、冷却所得粉体即为非晶硅粉体。
实施例5
将二氧化硅粉末在90 ℃真空烘箱中干燥16 h。在氩气气氛保护下,将0.018 mol氢化镁、0.018 mol氢化钙和0.018 mol二氧化硅装入至球磨罐中,然后将磨球放入球磨罐后密封。其中磨球质量与物料质量比为30:1。在0 ℃条件下,使球磨罐于600 rpm的转速连续球磨反应12 h,取出之后用稀酸、乙醇洗涤3遍,并用去离子水洗至溶液为中性。干燥、冷却所得粉体即为非晶硅粉体。
实施例6
将二氧化硅粉末在100 ℃真空烘箱中干燥24 h。在氩气气氛保护下,将0.02 mol氢化镁、0.04 mol氢化钙和0.01 mol二氧化硅装入至球磨罐中,然后将磨球放入球磨罐后密封。其中磨球质量与物料质量比为200:1。在50 ℃条件下,使球磨罐于200 rpm的转速连续球磨反应300 h,取出之后用稀酸、乙醇洗涤3遍,并用去离子水洗至溶液为中性。干燥、冷却所得粉体即为非晶硅粉体。
以上仅列举了本发明的优选实施方案,本发明的保护范围并不限制于此,本领域技术人员在本发明权利要求范围内所作的任何改变均落入本发明保护范围内。

Claims (2)

1.一种非晶硅粉体的制备方法,包括如下步骤:
(1)将二氧化硅粉末在80~120℃真空烘箱中干燥10~24h;
(2)在真空或保护气氛下,将干燥的二氧化硅和碱土金属氢化物装入密封的球磨罐,在0~50℃下,球磨发生化学反应;
(3)球磨结束后,将取出的固体产物用稀酸、乙醇洗涤3遍,并用去离子水洗至溶液为中性,然后将其过滤、烘干,即可得 到非晶硅粉体,
步骤(2)中所述的碱土金属氢化物为氢化镁和氢化钙中的至少一种,所述的二氧化硅和碱土金属氢化物的摩尔比例为1:2~6。
2.如权利要求1所述的一种非晶硅粉体的制备方法,其特征在于:步骤(3)中所述的球磨操作条件为球料比30~200:1,球磨转速200~600rpm,球磨时间12~300h。
CN201710247883.XA 2017-04-17 2017-04-17 一种非晶硅粉体的制备方法 Active CN106946259B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710247883.XA CN106946259B (zh) 2017-04-17 2017-04-17 一种非晶硅粉体的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710247883.XA CN106946259B (zh) 2017-04-17 2017-04-17 一种非晶硅粉体的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106946259A CN106946259A (zh) 2017-07-14
CN106946259B true CN106946259B (zh) 2019-03-19

Family

ID=59476235

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710247883.XA Active CN106946259B (zh) 2017-04-17 2017-04-17 一种非晶硅粉体的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106946259B (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107572529B (zh) * 2017-08-31 2020-02-18 北方奥钛纳米技术有限公司 非晶硅粉体的制备方法、非晶硅粉体以及锂离子电池
KR102364480B1 (ko) 2018-05-15 2022-02-18 주식회사 엘지에너지솔루션 음극 활물질, 상기 음극 활물질을 포함하는 음극, 및 상기 음극을 포함하는 리튬 이차 전지
CN109081350A (zh) * 2018-09-11 2018-12-25 浙江工业大学 一种低温熔融盐介质制备纳米硅的方法
CN110171832A (zh) * 2019-06-20 2019-08-27 浙江工业大学 一种基于金属氢化物还原制备多孔硅的方法
CN110518195A (zh) * 2019-07-03 2019-11-29 浙江工业大学 一种纳米硅/石墨烯复合材料的制备方法及应用
CN110697719B (zh) * 2019-09-26 2021-05-18 湖南中科星城石墨有限公司 一种制备高纯纳米硅的方法
CN113213483B (zh) * 2021-04-14 2022-07-19 三峡大学 一种用于锂离子电池负极材料的非晶硅粉制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102099108A (zh) * 2008-05-16 2011-06-15 马西森三气公司 从含氢材料中除去杂质
JP2013199402A (ja) * 2012-03-23 2013-10-03 Kyoto Univ シリコンの製造方法
CN105271238A (zh) * 2015-11-18 2016-01-27 浙江工业大学 一种利用机械化学法制备硅粉体的方法
CN106044777A (zh) * 2016-06-01 2016-10-26 北京大学 一种由二氧化硅制备纳米硅的新方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102099108A (zh) * 2008-05-16 2011-06-15 马西森三气公司 从含氢材料中除去杂质
JP2013199402A (ja) * 2012-03-23 2013-10-03 Kyoto Univ シリコンの製造方法
CN105271238A (zh) * 2015-11-18 2016-01-27 浙江工业大学 一种利用机械化学法制备硅粉体的方法
CN106044777A (zh) * 2016-06-01 2016-10-26 北京大学 一种由二氧化硅制备纳米硅的新方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN106946259A (zh) 2017-07-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106946259B (zh) 一种非晶硅粉体的制备方法
CN101143723B (zh) 制备三氯氢硅和多晶硅的改进方法和装置
CN105271238B (zh) 一种利用机械化学法制备硅粉体的方法
JP6809735B2 (ja) 固相ボールミリングによる水素化ホウ素ナトリウムの室温直接合成方法
CN109081350A (zh) 一种低温熔融盐介质制备纳米硅的方法
CN103007995B (zh) 一种用于催化氢化四氯化硅制备三氯氢硅的复合催化剂
CN108529576B (zh) 氮化硅及其制备方法
CN102583398B (zh) 一种制备二氧化硅包覆碳纳米管及二氧化硅纳米管的方法
CN101531367B (zh) 一种硅烷生产工艺
CN103265291A (zh) 一种纳米六硼化钙粉末的制备方法
CN101811677B (zh) 空心多孔四足氮化钛的制备方法
CN103153855A (zh) 在基本闭环的方法和系统中制备多晶硅
CN103449442B (zh) 一种流化床多晶硅颗粒的制备系统及利用该系统制备多晶硅的工艺
CN102874818A (zh) 一种制备硅化镁粉体的方法
JP2015000850A (ja) 有機アルコキシシランの製造方法
CN101259957B (zh) 一种低温制备氮化硅粉体材料的方法
CN201136791Y (zh) 一种利用氯氢化法把四氯化硅转化为三氯氢硅的装置
CN101376494B (zh) 室温机械球磨诱发固态反应制备氮化铝粉体的方法
CN114314596B (zh) 利用微波加热固定床连续合成高阶硅烷的方法及系统
CN102060298B (zh) 一种多晶硅生产装置及多晶硅生产方法
CN102502655A (zh) 一种四氯化硅氢化方法
CN104233454A (zh) 一种高效合成单晶六方氮化硼结构的取代反应方法
CN114477184A (zh) 一种碳化硅粉体的制备方法
Jain et al. Rice husk ash as a potential source of silicon and its varied applications
CN102060544A (zh) 一种以硅粉作添加剂实现非晶氮化硅粉末的快速晶化方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract
EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract

Application publication date: 20170714

Assignee: Zhejiang Baosheng Plastic Industry Co.,Ltd.

Assignor: JIANG University OF TECHNOLOGY

Contract record no.: X2023980037517

Denomination of invention: A Preparation Method of Amorphous Silicon Powder

Granted publication date: 20190319

License type: Common License

Record date: 20230705

EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract
EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract

Application publication date: 20170714

Assignee: Deqing Kelida packaging material technology Co.,Ltd.

Assignor: JIANG University OF TECHNOLOGY

Contract record no.: X2023980041706

Denomination of invention: A Preparation Method of Amorphous Silicon Powder

Granted publication date: 20190319

License type: Common License

Record date: 20230914