CN106796957A - 晶体管及形成晶体管的方法 - Google Patents

晶体管及形成晶体管的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106796957A
CN106796957A CN201580055886.2A CN201580055886A CN106796957A CN 106796957 A CN106796957 A CN 106796957A CN 201580055886 A CN201580055886 A CN 201580055886A CN 106796957 A CN106796957 A CN 106796957A
Authority
CN
China
Prior art keywords
channel material
region
channel
drain region
grid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201580055886.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106796957B (zh
Inventor
卡迈勒·M·考尔道
古尔特杰·S·桑胡
钱德拉·穆利
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Micron Technology Inc
Original Assignee
Micron Technology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Micron Technology Inc filed Critical Micron Technology Inc
Publication of CN106796957A publication Critical patent/CN106796957A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106796957B publication Critical patent/CN106796957B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
    • H10N70/253—Multistable switching devices, e.g. memristors having three or more terminals, e.g. transistor-like devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/535—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including internal interconnections, e.g. cross-under constructions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/26—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, elements provided for in two or more of the groups H01L29/16, H01L29/18, H01L29/20, H01L29/22, H01L29/24, e.g. alloys
    • H01L29/267—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, elements provided for in two or more of the groups H01L29/16, H01L29/18, H01L29/20, H01L29/22, H01L29/24, e.g. alloys in different semiconductor regions, e.g. heterojunctions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66666—Vertical transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66969—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies not comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66977—Quantum effect devices, e.g. using quantum reflection, diffraction or interference effects, i.e. Bragg- or Aharonov-Bohm effects
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/7827—Vertical transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
    • H01L29/78618—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78642—Vertical transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78681—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising AIIIBV or AIIBVI or AIVBVI semiconductor materials, or Se or Te
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78696—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the structure of the channel, e.g. multichannel, transverse or longitudinal shape, length or width, doping structure, or the overlap or alignment between the channel and the gate, the source or the drain, or the contacting structure of the channel
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B61/00—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices
    • H10B61/20—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices comprising components having three or more electrodes, e.g. transistors
    • H10B61/22—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices comprising components having three or more electrodes, e.g. transistors of the field-effect transistor [FET] type
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
    • H10B63/30—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having three or more electrodes, e.g. transistors
    • H10B63/34—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having three or more electrodes, e.g. transistors of the vertical channel field-effect transistor type
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B69/00—Erasable-and-programmable ROM [EPROM] devices not provided for in groups H10B41/00 - H10B63/00, e.g. ultraviolet erasable-and-programmable ROM [UVEPROM] devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/80—Constructional details
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/80—Constructional details
    • H10N50/85—Magnetic active materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
    • H10N70/881—Switching materials
    • H10N70/882—Compounds of sulfur, selenium or tellurium, e.g. chalcogenides
    • H10N70/8822—Sulfides, e.g. CuS
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
    • H10N70/881—Switching materials
    • H10N70/882—Compounds of sulfur, selenium or tellurium, e.g. chalcogenides
    • H10N70/8825—Selenides, e.g. GeSe
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02568—Chalcogenide semiconducting materials not being oxides, e.g. ternary compounds

Abstract

一些实施例包含一种具有漏极区域及源极区域的晶体管。导电栅极位于所述源极区域与所述漏极区域之间。第一沟道材料位于所述栅极与所述源极区域之间。所述第一沟道材料是通过一或多种绝缘材料而与所述栅极隔开。第二沟道材料位于所述第一沟道材料与所述源极区域之间，且直接接触所述源极区域。所述第一沟道材料及所述第二沟道材料为过渡金属硫族化物。所述源极区域及所述漏极区域中的一者为空穴储集器区域，且另一者为电子储集器区域。隧道电介质材料可位于所述第一沟道材料与所述第二沟道材料之间。

Description

晶体管及形成晶体管的方法
技术领域
本发明涉及晶体管及形成晶体管的方法。
背景技术
存储器是一种类型的集成电路，且在计算机系统中用于存储数据。存储器可被制造为个别存储器单元的一或多个阵列。可使用数字线(其也可被称为位线、数据线、传感线，或数据/传感线)及存取线(其也可被称为字线)向存储器单元进行写入或从存储器单元进行读取。数字线可沿着阵列的列导电地互连存储器单元，且存取线可沿着阵列的行导电地互连存储器单元。可通过数字线与存取线的组合而对每一存储器单元唯一地寻址。
存储器单元可为易失性的或非易失性的。非易失性存储器单元可在延长的时间段内(包含当计算机关闭时)存储数据。易失性存储器会耗散且因此需要被刷新/重写，在许多情况中为每秒多次。无论如何，存储器单元都经配置以在至少两种不同可选择状态中保留或存储存储器。在二进制系统中，所述状态被视为“0”或“1”。在其它系统中，至少一些个别存储器单元可经配置以存储多于两种层级或状态的信息。
场效应晶体管是可用于存储器单元中的一种类型的电子组件。这些晶体管包括一对导电源极/漏极区域，其间具有半导电沟道区域。导电栅极邻近于沟道区域且是通过薄栅极绝缘体而与沟道区域分离。将合适电压施加到栅极会允许电流从源极/漏极区域中的一者通过沟道区域流动到另一者。当从栅极移除电压时，会很大程度上防止电流流动通过沟道区域。晶体管可用于许多类型的存储器中。晶体管也可并入到除了存储器之外的集成电路中。
附图说明
图1是实例实施例晶体管的图解横截面图。
图2是描绘图1的晶体管的操作状态的带隙图。
图3是另一实例实施例晶体管的图解横截面图。
图4到14是可用于制造包括实例实施例晶体管的集成电路的实例实施例过程阶段的图解横截面图。
图15是集成电路的多个层级的实例实施例堆叠布置的图解横截面图。
具体实施方式
一种类型的晶体管是所谓的隧道场效应晶体管(隧道FET)。此类晶体管可利用带到带隧穿，其中半导体材料的价带中的电子遍及带隙隧穿到导带。隧道FET在“关闭”状态中有利地具有零或至少极低的电流。然而，在常规隧道FET配置中遇到的困难是在“接通”状态中可存在不良的电流流动，且因此装置可运作缓慢。在一些实施例中，描述新隧穿FET，其维持“关闭”状态的有利特性，而在“接通”状态中已改进电流流动。参考图1到15来描述特定实例实施例。
参看图1，实例实施例晶体管10被说明为由基座12支撑。
基座12可包括任何合适的支撑材料。举例来说，在一些实施例中，基座12可包括位于半导体材料之上的绝缘层；且半导体材料可包括单晶硅、基本上由单晶硅组成或由单晶硅组成。在一些实施例中，基座12可被视为包括半导体衬底。术语“半导体衬底”意指包括半导电材料的任何构造，半导电材料包含但不限于块体半导电材料，例如半导电晶片(单独的或呈包括其它材料的组合件)，及半导电材料层(单独的或呈包括其它材料的组合件)。术语“衬底”是指任何支撑结构，包含但不限于上文所描述的半导体衬底。在一些实施例中，基座12可对应于除了半导体衬底之外的某物。在一些实施例中，基座12可包括电耦合到晶体管10的导电材料(例如，数字线材料)。
晶体管10包含具有n型行为(即，电子储集器)的漏极区域14及具有p型行为(即，空穴储集器)的源极区域16。源极区域及漏极区域可包括任何合适的组成物。举例来说，在一些实施例中，源极区域及漏极区域可包括导电掺杂硅。在其它实施例中，源极区域及漏极区域中的一或两者可包括具有适合于用作电子储集器或空穴储集器的特性的金属。在一些实施例中，漏极区域14可被称为电子储集器区域，且源极区域16可被称为空穴储集器区域。
晶体管包括由绝缘材料20环绕的导电栅极材料18。
栅极材料18可包括任何合适的组成物或组成物的组合；且在一些实施例中，栅极材料18可包括以下各者中的一或多者、基本上由以下各者中的一或多者组成或由以下各者中的一或多者组成：各种金属(例如，钨、钛等等)、含有金属的组成物(例如，金属氮化物、金属碳化物、金属硅化物等等)，及导电掺杂半导体材料(例如，导电掺杂硅、导电掺杂锗等等)。在一些实例实施例中，栅极材料可包括金属(例如，钛、钨等等)及/或金属氮化物(例如，氮化钛、氮化钨等等)。
绝缘材料20在一些实施例中可被称为栅极电介质，且可包括任何合适的组成物或组成物的组合。举例来说，绝缘材料20可包括二氧化硅、基本上由二氧化硅组成或由二氧化硅组成。
绝缘材料20可被视为包括若干区域；且特定来说，绝缘材料20可被视为包括位于栅极18之下的底部区域21、位于栅极之上的顶部区域22，及沿着栅极的侧壁的侧壁区域23。在所展示的实施例中，区域21到23中的全部是彼此相同的组成物。在其它实施例中，区域21到23中的一或多者可包括不同于区域21到23中的另一者的组成物。在一些实施例中，区域21可被称为底部绝缘材料，区域22可被称为顶部绝缘材料，且区域23可被称为侧壁绝缘材料。
底部绝缘材料21在所展示的实施例中直接接触漏极区域14及导电栅极18两者。
沟道材料24沿着侧壁绝缘区域23延伸越过顶部绝缘区域22，且直接接触漏极区域14的顶部。沟道材料24可包括任何合适的组成物或组成物的组合；且在一些实施例中，沟道材料24可包括过渡金属硫族化物、基本上由过渡金属硫族化物组成或由过渡金属硫族化物组成。在一些实施例中，过渡金属硫族化物可(例如)包括以下各者、基本上由以下各者组成或由以下各者组成：过渡金属二硫族化物(例如，MoS2、WS2、InS2、InSe2、MoSe2、WSe2等等)，及/或过渡金属三硫族化物(例如，MoS3、WS3、InS3、InSe3、MoSe3、WSe3等等)。
在一些实施例中，位于栅极18之上的沟道材料24的区域可被称为沟道材料24的顶部区域25。
隧道电介质材料26位于沟道材料24的顶部区域25之上。隧道电介质材料可包括任何合适的组成物或组成物的组合。举例来说，隧道电介质材料26可包括以下各者、基本上由以下各者组成或由以下各者组成：一或多种氧化物(例如，氧化铝、氧化铪、氧化锆、氧化硅等等)。
沟道材料28位于隧道电介质材料26之上。在一些实施例中，沟道材料24及28可分别被称为第一沟道材料及第二沟道材料。沟道材料28可包括上文关于沟道材料24所描述的任何组成物。在一些实施例中，第一沟道材料及第二沟道材料是相对于彼此不同的组成物。举例来说，第一沟道材料24可包括硫化物(例如，硫化钼)，且第二沟道材料可包括硒化物(例如，硒化钨)。空穴储集器材料16直接靠着第二沟道材料28。在一些实施例中，材料28自身可充当空穴储集器。
第一沟道材料24及第二沟道材料28可极薄，且在一些实施例中可具有小于10nm或甚至小于5nm的厚度。举例来说，在一些实例实施例中，第一沟道材料及第二沟道材料可具有在从约一个单层到约七个单层的范围内的厚度。第一沟道材料24及第二沟道材料28可具有彼此大约相同的厚度，或可具有相对于彼此不同的厚度。
绝缘材料30沿着晶体管10的侧壁。绝缘材料可包括任何合适的组成物或组成物的组合；且在一些实施例中可包括氮化硅及二氧化硅中的一或两者、基本上由氮化硅及二氧化硅中的一或两者组成或由氮化硅及二氧化硅中的一或两者组成。
图2展示分别在“关闭”状态及“接通”状态中的晶体管10的带隙图32及34。将第一沟道材料24的导带及价带边缘分别标记为Ec1及Ev1；且将第二沟道材料28的导带及价带分别标记为Ec2及Ev2。Ec1、Ev1、Ec2及Ev2代表带边缘；在Ec上方及在Ev下方存在连续带，且在Ec与Ev之间无状态。值得注意地，在“关闭”状态中不存在可隧穿到的状态，但在“接通”状态中可得到层间隧穿(如由箭头35所指示)。
图3说明另一实例实施例晶体管10a。晶体管10a类似于图1的晶体管10，只不过晶体管10a的第一沟道材料24不延伸为与漏极区域14直接接触。代替地，互连材料38在沟道材料24与漏极区域14之间延伸。在一些实施例中，互连材料可为未经掺杂(即，其中具有不超过1×1014个原子/cm3的导电性增强杂质)的半导体材料(例如，硅及/或锗)。
互连材料38直接接触漏极区域14及第一沟道材料24两者，且可在晶体管的“接通”状态中充当第一沟道材料24与漏极区域14之间的导电路径。
在一些实施例中，图3所说明的晶体管10a可被视为对于包括半导体材料的互连件38的晶体管或包括沟道材料24的互连件38的晶体管(例如，图1的晶体管10)是通用的。
可用任何合适的处理来形成图1及3的实例实施例晶体管。参考图4到14来描述实例处理。
参看图4，构造50被展示为包括基座12及位于基座之上的堆叠52。所述堆叠包含数字线材料54、电子储集器漏极区域材料14、绝缘材料20a及导电栅极材料18。绝缘材料20a可被称为第一绝缘材料。尽管数字线材料54被展示为与基座12分离，但在其它实施例中，基座可包括数字线材料(例如，如果基座12包括硅，且数字线材料为硅的掺杂区域)。
参看图5，将第一绝缘材料20a及栅极材料18图案化到彼此被隔开间隙58的支柱56中。此类图案化可包括任何合适的处理。举例来说，可在堆叠52之上形成掩模(未展示)以界定支柱的位置，且随后可进行蚀刻以形成间隙58。接着，可移除掩模以留下图5所说明的构造。
参看图6，沿着支柱56的顶部及侧壁形成第二绝缘材料20b。可使用任何合适的处理来形成及图案化第二绝缘材料。举例来说，可沉积第二绝缘材料，且随后可利用掩模及蚀刻以从间隙58内移除材料20b，同时沿着支柱18的顶部及侧壁留下所述材料。绝缘材料20b可包括与绝缘材料20a相同的组成物(例如，两者可包括二氧化硅、基本上由二氧化硅组成或由二氧化硅组成)，或可包括不同于绝缘材料20a的组成物(例如，材料20b可包括不同于材料20a的氧化物)。
参看图7，在通过漏极区域材料14的蚀刻期间将支柱56用作掩模。此类情形将漏极区域材料图案化到支柱之下的底座60中。
参看图8，在支柱之上及之间形成互连材料38。互连材料在一些实施例中可包括未经掺杂的半导体材料，或在其它实施例中可包括沟道材料(例如，可包括与图1的沟道材料24相同的材料)。可在任何适当的处理阶段中图案化互连材料，使得晶体管的互连件沿着共同字线彼此分离(其中字线延伸进及延伸出相对于图8的横截面图的页面)。
参看图9，在互连材料38之上形成绝缘材料30。
参看图10，从材料20b的顶部表面之上移除材料38及30(例如，利用化学机械抛光或其它平面化)，且从间隙58内的区域移除材料38及30(例如，利用在用掩模来保护支柱56及沿着支柱的侧壁的材料38及30的区域时进行的蚀刻)。图10的构造具有沿着支柱56及底座60的侧壁形成的互连材料38，且具有存留于支柱与底座之间的数字线54的区域之上的间隙58。
参看图11，在间隙58内形成绝缘材料62以填充所述间隙；且遍及材料20b、38、30及62形成平面化表面63。绝缘材料62在一些实施例中可包括与材料30相同的组成物，或可包括不同于材料30的组成物。举例来说，在一些实施例中，材料30及62中的一者可包括氮化硅，且另一者可包括二氧化硅。在其它实施例中，材料30及62两者可包括氮化硅，或材料30及62两者可包括二氧化硅。
在一些实施例中，材料62可被称为第三绝缘材料以使其与材料20a及20b区分。在一些实施例中，材料30可被称为第三绝缘材料，且材料62可被称为第四绝缘材料。
参看图12，在平面化表面63之上形成堆叠64。所述堆叠包括第一沟道材料24、隧道电介质材料26、第二沟道材料28，及空穴储集器源极区域材料16。
参看图13，形成通过堆叠64到绝缘材料62的开口66。可用任何合适的处理来形成此类开口。举例来说，可利用经图案化的掩模来界定开口的位置，此后利用一或多个蚀刻来形成所述开口。接着，可移除所述掩模以留下图13的构造。
参看图14，用绝缘材料68来填充开口66。材料68可包括任何合适的组成物或组成物的组合；且在一些实施例中可包括与材料30及62中的一或两者相同的组成物，或可包括相对于材料30及62中的一或两者不同的组成物。在一些实施例中，材料68可包括二氧化硅及氮化硅中的一或两者、基本上由二氧化硅及氮化硅中的一或两者组成或由二氧化硅及氮化硅中的一或两者组成。在一些实施例中，材料68可被称为第四绝缘材料或第五绝缘材料。
图14的构造包括多个晶体管70a到70c。此类晶体管可代表被形成为阵列的大量晶体管。数字线54可代表沿着阵列的列延伸的大量数字线，且栅极材料18可并入到沿着阵列的行延伸的字线(延伸进及延伸出相对于图14的横截面的页面)中。
晶体管的源极区域16被展示为连接到电路74a到74c。在一些实施例中，晶体管用于存储器阵列中，且电路74a到74c对应于DRAM装置的电荷存储装置(例如，电容器)，或对应于存储器单元(例如，相变存储器单元、导电桥接RAM单元、其它类型的RRAM单元、磁性RAM单元等等)。
图14的构造的优势是此类构造可易于堆叠以形成三维架构。举例来说，图14的构造被展示为对应于集成电路的层级(或层)80。图15展示多个层级80a到80c可在集成电路架构中堆叠于彼此的顶上。所述层级彼此隔开而以图解形式说明在层级80a到80c之间可存在其它电路(包含其它层级或层)。
尽管区域14及16在以上实例中分别被说明为电子储集器区域及空穴储集器区域，但在其它实例实施例中，区域14及16的相应角色可经反转使得区域14为空穴储集器区域且区域16为电子储集器区域。在此类情况中，材料24及28的组成物可经反转或以其它方式相对于关于图1到14所描述的特定实例而变更。
在一些实施例中，隧道电介质26可保存极薄(例如，可具有小于或等于10个单层的厚度)，或甚至可被省略。
上文所讨论的结构及装置可并入到电子系统中。此类电子系统可用于(例如)存储器模块、装置驱动器、电力模块、通信调制解调器、处理器模块及专用模块中，且可包含多层、多芯片模块。电子系统可为广泛范围的系统中的任一者，例如(举例来说)时钟、电视、移动电话、个人计算机、汽车、工业控制系统、飞机等等。
除非另有指定，否则可用任何合适的现在已知或仍待开发的方法来形成本文中所描述的各种材料、物质、组成物等等，所述方法包含(例如)原子层沉积(ALD)、化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)等等。
术语“电介质”及“电绝缘”两者都用于描述具有电绝缘性质的材料。两个术语在本发明中被视为同义。在一些情况中利用术语“电介质”及在其它情况中利用术语“电绝缘”是为了在本发明内提供语言变化以简化所附权利要求书内的前提基础，且不用于指示任何明显化学或电差异。
图式中的各种实施例的特定定向是仅出于说明性目的，且所述实施例可相对于一些应用中所展示的定向而旋转。本文中所提供的描述及所附权利要求书关于具有各种特征之间的所描述的关系的任何结构，而无论所述结构是在图式的特定定向中还是相对于此类定向而旋转。
所附绘示的横截面图仅展示横截面的平面内的特征，且不展示横截面的平面后方的材料以便简化图式。
当一结构在上文中被称为在另一结构“上”或“靠着”另一结构时，其可直接在另一结构上或也可存在介入结构。与此对比，当一结构被称为“直接”在另一结构“上”或“直接靠着”另一结构时，不存在介入结构。当一结构被称为“连接”或“耦合”到另一结构时，其可直接连接到或耦合到另一结构，或可存在介入结构。与此对比，当一结构被称为“直接连接”或“直接耦合”到另一结构时，不存在介入结构。
一些实施例包含一种晶体管，其包括漏极区域及源极区域。导电栅极位于所述源极区域与所述漏极区域之间。第一沟道材料位于所述栅极与所述源极区域之间。所述第一沟道材料是通过一或多种绝缘材料而与所述栅极隔开。第二沟道材料位于所述第一沟道材料与所述源极区域之间，且直接接触所述源极区域。所述第一沟道材料及所述第二沟道材料为过渡金属硫族化物。所述源极区域及所述漏极区域中的一者为空穴储集器区域，且另一者为电子储集器区域。
一些实施例包含一种晶体管，其包括：电子储集器漏极区域；导电栅极，其位于所述漏极区域之上；底部绝缘材料，其位于所述栅极与所述漏极区域之间；顶部绝缘材料，其位于所述栅极之上；及侧壁绝缘材料，其沿着所述栅极的侧壁且从所述栅极的顶部延伸到所述栅极的底部。第一沟道材料沿着所述侧壁绝缘材料延伸越过所述顶部绝缘材料，且直接接触所述漏极区域。位于所述栅极上方的所述第一沟道材料的区域为所述第一沟道材料的顶部区域。隧道电介质材料位于所述第一沟道材料的所述顶部区域之上。第二沟道材料位于所述隧道电介质材料之上。空穴储集器源极区域直接靠着所述第二沟道材料。所述第一沟道材料及所述第二沟道材料为过渡金属硫族化物。
一些实施例包含一种形成晶体管的方法。形成堆叠，其包括以升序排列的数字线材料、漏极区域材料、第一绝缘材料及栅极材料。将所述第一绝缘材料及所述栅极材料图案化到支柱中，且沿着所述支柱的顶部及侧壁形成第二绝缘材料。在形成所述第二绝缘材料之后，在通过所述漏极区域材料的蚀刻期间将所述支柱用作掩模。所述蚀刻将所述漏极区域材料形成到所述支柱之下的底座中。沿着所述支柱及所述底座的侧壁形成互连材料，且在所述支柱与所述底座之间的所述数字线材料的区域之上留下间隙。用第三绝缘材料来填充所述间隙。使遍及所述第二绝缘材料、所述互连材料及所述第三绝缘材料的顶部表面平面化。在所述平面化顶部表面之上形成堆叠。所述堆叠包括以升序排列的第一沟道材料、隧道电介质材料、第二沟道材料及源极区域材料。形成通过所述堆叠到所述第三绝缘材料的开口。用第四绝缘材料来填充所述开口。

Claims (35)

1.一种晶体管，其包括：
源极区域及漏极区域；所述源极区域及所述漏极区域中的一者为空穴储集器区域，且另一者为电子储集器区域；
导电栅极，其位于所述源极区域与所述漏极区域之间；
第一沟道材料，其位于所述栅极与所述源极区域之间；所述第一沟道材料是通过一或多种绝缘材料而与所述栅极隔开；
第二沟道材料，其位于所述第一沟道材料与所述源极区域之间，且直接接触所述源极区域；且
其中所述第一沟道材料及所述第二沟道材料为过渡金属硫族化物。
2.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述源极区域及所述漏极区域分别为所述空穴储集器区域及所述电子储集器区域。
3.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述源极区域及所述漏极区域分别为所述电子储集器区域及所述空穴储集器区域。
4.根据权利要求1所述的晶体管，其进一步包括位于所述第一沟道材料与所述第二沟道材料之间的隧道电介质材料。
5.根据权利要求4所述的晶体管，其中所述隧道电介质材料具有小于或等于10个单层的厚度。
6.根据权利要求4所述的晶体管，其中所述隧道电介质材料具有大于10个单层的厚度。
7.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述第一沟道材料直接接触所述漏极区域。
8.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述第一沟道材料不直接接触所述漏极区域。
9.根据权利要求8所述的晶体管，其中半导体材料在所述第一沟道材料与所述漏极区域之间延伸；且直接接触所述第一沟道材料及所述漏极区域两者。
10.根据权利要求9所述的晶体管，其中所述半导体材料包括硅。
11.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述第一沟道材料及所述第二沟道材料具有在从1个单层到约7个单层的范围内的厚度。
12.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述第一沟道材料及所述第二沟道材料为过渡金属二硫族化物及/或过渡金属三硫族化物。
13.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述第一沟道材料及所述第二沟道材料为相对于彼此不同的组成物。
14.根据权利要求13所述的晶体管，其中所述第一沟道材料及所述第二沟道材料中的一者包括硫化物，且另一者包括硒化物。
15.根据权利要求13所述的晶体管，其中所述第一沟道材料及所述第二沟道材料中的一者包括硫化钼，且另一者包括硒化钨。
16.一种晶体管，其包括：
电子储集器漏极区域；
导电栅极，其位于所述漏极区域之上；
底部绝缘材料，其位于所述栅极与所述漏极区域之间；顶部绝缘材料，其位于所述栅极之上；及侧壁绝缘材料，其沿着所述栅极的侧壁且从所述栅极的顶部延伸到所述栅极的底部；
第一沟道材料，其沿着所述侧壁绝缘材料延伸越过所述顶部绝缘材料，且直接接触所述漏极区域；位于所述栅极上方的所述第一沟道材料的区域是所述第一沟道材料的顶部区域；
隧道电介质材料，其位于所述第一沟道材料的所述顶部区域之上；
第二沟道材料，其位于所述隧道电介质材料之上；
空穴储集器源极区域，其直接靠着所述第二沟道材料；且
其中所述第一沟道材料及所述第二沟道材料为过渡金属硫族化物。
17.根据权利要求16所述的晶体管，其中所述第一沟道材料及所述第二沟道材料为过渡金属二硫族化物及/或过渡金属三硫族化物。
18.根据权利要求16所述的晶体管，其中所述第一沟道材料及所述第二沟道材料为相对于彼此不同的组成物。
19.根据权利要求18所述的晶体管，其中所述第一沟道材料包括硫化物，且所述第二沟道材料包括硒化物。
20.根据权利要求18所述的晶体管，其中所述第一沟道材料包括硫化钼，且所述第二沟道材料包括硒化钨。
21.根据权利要求16所述的晶体管，其中所述底部绝缘材料、所述顶部绝缘材料及所述侧壁绝缘材料为彼此相同的组成物。
22.根据权利要求16所述的晶体管，其中所述底部绝缘材料为不同于所述顶部绝缘材料及所述侧壁绝缘材料的组成物。
23.根据权利要求16所述的晶体管，其中所述隧道电介质材料包括氧化物。
24.根据权利要求16所述的晶体管，其中所述隧道电介质材料包括氧化铝、氧化铪、氧化锆及氧化硅中的一或多者。
25.一种形成晶体管的方法，其包括：
形成堆叠，其包括以升序排列的数字线材料、漏极区域材料、第一绝缘材料及栅极材料；
将所述第一绝缘材料及所述栅极材料图案化成支柱，且沿着所述支柱的顶部及侧壁形成第二绝缘材料；
在形成所述第二绝缘材料之后，在通过所述漏极区域材料的蚀刻期间将所述支柱用作为掩模，所述蚀刻将所述漏极区域材料形成为所述支柱之下的底座；
沿着所述支柱及所述底座的侧壁形成互连材料，且在所述支柱与所述底座之间的所述数字线材料的区域之上留下间隙；
用第三绝缘材料来填充所述间隙，且使遍及所述第二绝缘材料、所述互连材料及所述第三绝缘材料的顶部表面平面化；
在所述平面化顶部表面之上形成堆叠；所述堆叠包括以升序排列的第一沟道材料、隧道电介质材料、第二沟道材料及源极区域材料；
形成通过所述堆叠到所述第三绝缘材料的开口；及
用第四绝缘材料来填充所述开口。
26.根据权利要求25所述的方法，其中所述漏极区域材料为n型掺杂硅，且所述源极区域材料为p型掺杂硅。
27.根据权利要求25所述的方法，其中所述第一沟道材料及所述第二沟道材料为过渡金属硫族化物。
28.根据权利要求25所述的方法，其中所述互连材料为与所述第一沟道材料相同的组成物。
29.根据权利要求25所述的方法，其中所述互连材料为不同于所述第一沟道材料的组成物。
30.根据权利要求29所述的方法，其中所述互连材料包括未经掺杂的半导体材料。
31.根据权利要求29所述的方法，其中所述互连材料包括未经掺杂的硅。
32.根据权利要求25所述的方法，其中所述第一沟道材料及所述第二沟道材料为过渡金属二硫族化物及/或过渡金属三硫族化物。
33.根据权利要求25所述的方法，其中所述第一沟道材料及所述第二沟道材料为相对于彼此不同的组成物。
34.根据权利要求33所述的方法，其中所述第一沟道材料包括硫化物，且所述第二沟道材料包括硒化物。
35.根据权利要求33所述的方法，其中所述第一沟道材料包括硫化钼，且所述第二沟道材料包括硒化钨。
CN201580055886.2A 2014-10-16 2015-07-16 晶体管及形成晶体管的方法 Active CN106796957B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/516,396 US9276092B1 (en) 2014-10-16 2014-10-16 Transistors and methods of forming transistors
US14/516,396 2014-10-16
PCT/US2015/040789 WO2016060718A1 (en) 2014-10-16 2015-07-16 Transistors and methods of forming transistors

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106796957A true CN106796957A (zh) 2017-05-31
CN106796957B CN106796957B (zh) 2020-07-10

Family

ID=55360065

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201580055886.2A Active CN106796957B (zh) 2014-10-16 2015-07-16 晶体管及形成晶体管的方法

Country Status (4)

Country Link
US (4) US9276092B1 (zh)
CN (1) CN106796957B (zh)
TW (1) TWI557920B (zh)
WO (1) WO2016060718A1 (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110827888A (zh) * 2018-08-10 2020-02-21 美光科技公司 包括电荷存储装置和存取装置之间的选通区的集成存储器
CN111542924A (zh) * 2018-04-19 2020-08-14 美光科技公司 集成组合件及形成集成组合件的方法
CN111684593A (zh) * 2018-05-11 2020-09-18 美光科技公司 集成电路、dram电路和用于形成集成电路的方法
CN112913027A (zh) * 2018-10-09 2021-06-04 美光科技公司 高度上延伸的晶体管、包含高度上延伸的晶体管的装置及形成包含高度上延伸的晶体管的装置的方法
CN112970121A (zh) * 2018-10-09 2021-06-15 美光科技公司 包含异构沟道的晶体管及相关装置、电子系统及方法

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9337210B2 (en) 2013-08-12 2016-05-10 Micron Technology, Inc. Vertical ferroelectric field effect transistor constructions, constructions comprising a pair of vertical ferroelectric field effect transistors, vertical strings of ferroelectric field effect transistors, and vertical strings of laterally opposing pairs of vertical ferroelectric field effect transistors
US9263577B2 (en) 2014-04-24 2016-02-16 Micron Technology, Inc. Ferroelectric field effect transistors, pluralities of ferroelectric field effect transistors arrayed in row lines and column lines, and methods of forming a plurality of ferroelectric field effect transistors
KR102237826B1 (ko) 2014-07-18 2021-04-08 삼성전자주식회사 그래핀 소자와 그 제조 및 동작방법과 그래핀 소자를 포함하는 전자장치
US9159829B1 (en) 2014-10-07 2015-10-13 Micron Technology, Inc. Recessed transistors containing ferroelectric material
US9276092B1 (en) 2014-10-16 2016-03-01 Micron Technology, Inc. Transistors and methods of forming transistors
US9305929B1 (en) 2015-02-17 2016-04-05 Micron Technology, Inc. Memory cells
US9853211B2 (en) 2015-07-24 2017-12-26 Micron Technology, Inc. Array of cross point memory cells individually comprising a select device and a programmable device
US10134982B2 (en) 2015-07-24 2018-11-20 Micron Technology, Inc. Array of cross point memory cells
US10396145B2 (en) 2017-01-12 2019-08-27 Micron Technology, Inc. Memory cells comprising ferroelectric material and including current leakage paths having different total resistances
TWI627301B (zh) * 2017-02-17 2018-06-21 國立清華大學 製備金屬硫屬化物垂直異質接面的方法
US9978772B1 (en) * 2017-03-14 2018-05-22 Micron Technology, Inc. Memory cells and integrated structures
KR102334380B1 (ko) 2017-09-04 2021-12-02 삼성전자 주식회사 2차원 물질을 포함하는 소자의 제조 방법
US20200144293A1 (en) * 2017-09-12 2020-05-07 Intel Corporation Ferroelectric field effect transistors (fefets) having ambipolar channels
CN112005382A (zh) * 2018-04-27 2020-11-27 慧与发展有限责任合伙企业 用于忆阻器阵列接口的竖直jfet器件
US10748931B2 (en) * 2018-05-08 2020-08-18 Micron Technology, Inc. Integrated assemblies having ferroelectric transistors with body regions coupled to carrier reservoirs
US11653487B2 (en) * 2018-06-20 2023-05-16 Intel Corporation 4F2 DRAM cell using vertical thin film transistor
CN110828564B (zh) * 2018-08-13 2022-04-08 香港科技大学 具有半导体性栅极的场效应晶体管
US11527656B2 (en) * 2018-09-25 2022-12-13 Intel Corporation Contact electrodes for vertical thin-film transistors
US11417770B2 (en) * 2018-09-26 2022-08-16 Intel Corporation Vertical thin-film transistors between metal layers
US10615288B1 (en) 2018-10-24 2020-04-07 International Business Machines Corporation Integration scheme for non-volatile memory on gate-all-around structure
US10804274B2 (en) 2019-02-27 2020-10-13 International Business Machines Corporation Co-integration of non-volatile memory on gate-all-around field effect transistor
CN110335819B (zh) * 2019-06-25 2021-04-30 杭州电子科技大学 一种二维过渡金属硫族化合物能谷极化特性的调控方法
US11170834B2 (en) 2019-07-10 2021-11-09 Micron Technology, Inc. Memory cells and methods of forming a capacitor including current leakage paths having different total resistances
US11777036B2 (en) 2020-08-27 2023-10-03 Micron Technology, Inc. Integrated assemblies and methods of forming integrated assemblies
US11889680B2 (en) 2020-08-28 2024-01-30 Micron Technology, Inc. Integrated assemblies and methods of forming integrated assemblies
US11393920B2 (en) 2020-09-28 2022-07-19 Micron Technology, Inc. Integrated assemblies and methods of forming integrated assemblies
KR20220107577A (ko) * 2021-01-25 2022-08-02 삼성전자주식회사 기판 상에 이차원 물질층을 패터닝하는 방법 및 반도체 소자의 제조 방법
DE102021206526A1 (de) 2021-06-24 2022-12-29 Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg, Körperschaft des öffentlichen Rechts Tunneldiode mit negativem differentiellen Widerstand und Verfahren zur Herstellung
US11839071B2 (en) * 2021-07-22 2023-12-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Vertical access transistors and methods for forming the same

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101399207A (zh) * 2007-09-24 2009-04-01 国际商业机器公司 垂直纳米线fet器件的制造方法以及由该方法制造的fet器件
US8273654B1 (en) * 2011-09-29 2012-09-25 Eastman Kodak Company Producing a vertical transistor including reentrant profile
US20140117304A1 (en) * 2012-10-30 2014-05-01 SK Hynix Inc. Variable resistance memory device
US20140273341A1 (en) * 2013-03-13 2014-09-18 Intermolecular, Inc. Methods for Forming Back-Channel-Etch Devices with Copper-Based Electrodes

Family Cites Families (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6288431B1 (en) 1997-04-04 2001-09-11 Nippon Steel Corporation Semiconductor device and a method of manufacturing the same
US6236076B1 (en) 1999-04-29 2001-05-22 Symetrix Corporation Ferroelectric field effect transistors for nonvolatile memory applications having functional gradient material
US6370056B1 (en) 2000-03-10 2002-04-09 Symetrix Corporation Ferroelectric memory and method of operating same
EP1220318A4 (en) 1999-09-30 2007-06-06 Rohm Co Ltd NON-VOLATILE MEMORY
JP4938921B2 (ja) 2000-03-16 2012-05-23 康夫 垂井 トランジスタ型強誘電体不揮発性記憶素子
JP2002323568A (ja) 2001-04-25 2002-11-08 Japan Nuclear Cycle Development Inst States Of Projects 放射性ダストモニタ
US6717215B2 (en) 2001-06-21 2004-04-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Memory structures
AU2003221212A1 (en) 2002-03-26 2003-10-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device and production method therefor
JP2003289134A (ja) 2002-03-28 2003-10-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2004040059A (ja) 2002-07-08 2004-02-05 Fujitsu Ltd 半導体記憶装置の製造方法および半導体記憶装置
JP4509467B2 (ja) 2002-11-08 2010-07-21 シャープ株式会社 不揮発可変抵抗素子、及び記憶装置
KR100578212B1 (ko) 2003-06-30 2006-05-11 주식회사 하이닉스반도체 엠티피 구조의 강유전체 캐패시터 및 그 제조 방법
US7297602B2 (en) 2003-09-09 2007-11-20 Sharp Laboratories Of America, Inc. Conductive metal oxide gate ferroelectric memory transistor
KR100626912B1 (ko) 2004-04-23 2006-09-20 주식회사 하이닉스반도체 불휘발성 강유전체 수직 전극 셀과 수직 전극 셀을 이용한불휘발성 강유전체 메모리 장치 및 그 수직 전극 셀 제조방법
US6995025B2 (en) 2004-06-21 2006-02-07 Sharp Laboratories Of America, Inc. Asymmetrical programming ferroelectric memory transistor
US7161213B2 (en) 2004-08-05 2007-01-09 Broadcom Corporation Low threshold voltage PMOS apparatus and method of fabricating the same
US7180141B2 (en) 2004-12-03 2007-02-20 Texas Instruments Incorporated Ferroelectric capacitor with parallel resistance for ferroelectric memory
EP1831973A2 (en) 2004-12-06 2007-09-12 The President and Fellows of Harvard College Nanoscale wire-based data storage
US8937292B2 (en) 2011-08-15 2015-01-20 Unity Semiconductor Corporation Vertical cross point arrays for ultra high density memory applications
US7446372B2 (en) * 2005-09-01 2008-11-04 Micron Technology, Inc. DRAM tunneling access transistor
US7982252B2 (en) 2006-01-27 2011-07-19 Hynix Semiconductor Inc. Dual-gate non-volatile ferroelectric memory
US7842990B2 (en) 2006-02-17 2010-11-30 Hynix Semiconductor Inc. Nonvolatile ferroelectric memory device including trench capacitor
WO2008073529A2 (en) 2006-07-31 2008-06-19 Drexel University Integrated semiconductor and transition-metal oxide nanostructures and methods for preparing same
JP4535076B2 (ja) 2007-03-14 2010-09-01 セイコーエプソン株式会社 強誘電体キャパシタとその製造方法
JP2009170511A (ja) 2008-01-11 2009-07-30 Toshiba Corp 半導体素子及び半導体装置
JP5162276B2 (ja) 2008-02-28 2013-03-13 ローム株式会社 強誘電体メモリ装置
US8304823B2 (en) 2008-04-21 2012-11-06 Namlab Ggmbh Integrated circuit including a ferroelectric memory cell and method of manufacturing the same
US20100110753A1 (en) 2008-10-31 2010-05-06 Qimonda Ag Ferroelectric Memory Cell Arrays and Method of Operating the Same
US7791925B2 (en) 2008-10-31 2010-09-07 Seagate Technology, Llc Structures for resistive random access memory cells
US8362604B2 (en) 2008-12-04 2013-01-29 Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) Ferroelectric tunnel FET switch and memory
US8021897B2 (en) 2009-02-19 2011-09-20 Micron Technology, Inc. Methods of fabricating a cross point memory array
CN102074562B (zh) 2009-11-25 2012-08-29 中国科学院微电子研究所 Nand结构及其形成方法
US8198160B2 (en) 2010-04-19 2012-06-12 Jun Liu Vertical transistor phase change memory
KR20120124788A (ko) 2011-05-04 2012-11-14 삼성전자주식회사 반도체 소자
JP2013038336A (ja) * 2011-08-10 2013-02-21 Toshiba Corp 半導体装置
US8575584B2 (en) 2011-09-03 2013-11-05 Avalanche Technology Inc. Resistive memory device having vertical transistors and method for making the same
US9252188B2 (en) 2011-11-17 2016-02-02 Micron Technology, Inc. Methods of forming memory cells
US8796085B2 (en) 2012-10-12 2014-08-05 Viktor Koldiaev Vertical super-thin body semiconductor on dielectric wall devices and methods of their fabrication
US9053801B2 (en) 2012-11-30 2015-06-09 Micron Technology, Inc. Memory cells having ferroelectric materials
KR101922115B1 (ko) * 2012-12-27 2018-11-26 삼성전자주식회사 이중 전이금속 다이칼코지나이드 채널을 가진 전계효과 트랜지스터
US9196831B2 (en) 2013-03-14 2015-11-24 Crossbar, Inc. Two-terminal memory with intrinsic rectifying characteristic
US20140269046A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for use in selecting or isolating memory cells
US9337210B2 (en) 2013-08-12 2016-05-10 Micron Technology, Inc. Vertical ferroelectric field effect transistor constructions, constructions comprising a pair of vertical ferroelectric field effect transistors, vertical strings of ferroelectric field effect transistors, and vertical strings of laterally opposing pairs of vertical ferroelectric field effect transistors
US9263577B2 (en) 2014-04-24 2016-02-16 Micron Technology, Inc. Ferroelectric field effect transistors, pluralities of ferroelectric field effect transistors arrayed in row lines and column lines, and methods of forming a plurality of ferroelectric field effect transistors
US9472560B2 (en) 2014-06-16 2016-10-18 Micron Technology, Inc. Memory cell and an array of memory cells
US9276092B1 (en) * 2014-10-16 2016-03-01 Micron Technology, Inc. Transistors and methods of forming transistors
US9305929B1 (en) 2015-02-17 2016-04-05 Micron Technology, Inc. Memory cells

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101399207A (zh) * 2007-09-24 2009-04-01 国际商业机器公司 垂直纳米线fet器件的制造方法以及由该方法制造的fet器件
US8273654B1 (en) * 2011-09-29 2012-09-25 Eastman Kodak Company Producing a vertical transistor including reentrant profile
US20140117304A1 (en) * 2012-10-30 2014-05-01 SK Hynix Inc. Variable resistance memory device
US20140273341A1 (en) * 2013-03-13 2014-09-18 Intermolecular, Inc. Methods for Forming Back-Channel-Etch Devices with Copper-Based Electrodes

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111542924A (zh) * 2018-04-19 2020-08-14 美光科技公司 集成组合件及形成集成组合件的方法
CN111542924B (zh) * 2018-04-19 2023-08-15 美光科技公司 集成组合件及形成集成组合件的方法
CN111684593A (zh) * 2018-05-11 2020-09-18 美光科技公司 集成电路、dram电路和用于形成集成电路的方法
CN111684593B (zh) * 2018-05-11 2023-06-27 美光科技公司 集成电路、dram电路和用于形成集成电路的方法
CN110827888A (zh) * 2018-08-10 2020-02-21 美光科技公司 包括电荷存储装置和存取装置之间的选通区的集成存储器
CN112913027A (zh) * 2018-10-09 2021-06-04 美光科技公司 高度上延伸的晶体管、包含高度上延伸的晶体管的装置及形成包含高度上延伸的晶体管的装置的方法
CN112970121A (zh) * 2018-10-09 2021-06-15 美光科技公司 包含异构沟道的晶体管及相关装置、电子系统及方法
CN112913027B (zh) * 2018-10-09 2024-01-26 美光科技公司 高度上延伸的晶体管、包含高度上延伸的晶体管的装置及形成包含高度上延伸的晶体管的装置的方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20170373247A1 (en) 2017-12-28
US20160155829A1 (en) 2016-06-02
TW201626569A (zh) 2016-07-16
US20170104155A1 (en) 2017-04-13
US9773976B2 (en) 2017-09-26
US10388864B2 (en) 2019-08-20
US9559194B2 (en) 2017-01-31
WO2016060718A1 (en) 2016-04-21
TWI557920B (zh) 2016-11-11
CN106796957B (zh) 2020-07-10
US9276092B1 (en) 2016-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106796957A (zh) 晶体管及形成晶体管的方法
TWI696175B (zh) 包括絕緣材料及記憶體單元的垂直交替層的記憶體陣列及形成記憶體陣列的方法，記憶體陣列包含個別包含電晶體及電容器的記憶體單元
US9450024B2 (en) Field effect transistor constructions and memory arrays
KR102067946B1 (ko) 강유전체 재료를 함유하는 리세스된 트랜지스터들
US10535710B2 (en) Methods of forming integrated circuitry
US8395139B1 (en) 1T1R resistive memory device and fabrication method thereof
KR101262580B1 (ko) 개방 체적을 포함하는 선택 장치, 이를 포함하는 메모리 장치 및 시스템, 및 그 형성 방법
US11227864B1 (en) Storage node after three-node access device formation for vertical three dimensional (3D) memory
US20140346431A1 (en) Memory Structures, Memory Arrays, Methods of Forming Memory Structures and Methods of Forming Memory Arrays
US20220406785A1 (en) Integrated Assemblies Having Voids Along Regions of Gates, and Methods of Forming Conductive Structures
KR102555618B1 (ko) 가변 커패시턴스를 사용하는 문턱 전압 변조 메모리 디바이스 및 그 형성 방법
KR101013791B1 (ko) 비휘발성 반도체 메모리 소자 및 그 제조방법
TW201515221A (zh) 半導體裝置及其製造方法
KR20070063810A (ko) 상변환 기억 소자 및 그의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant