CN106699228A - 一种低成本碳化钽涂层的制备方法 - Google Patents
一种低成本碳化钽涂层的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106699228A CN106699228A CN201611179306.3A CN201611179306A CN106699228A CN 106699228 A CN106699228 A CN 106699228A CN 201611179306 A CN201611179306 A CN 201611179306A CN 106699228 A CN106699228 A CN 106699228A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- ramet
- matrix
- preparation
- coating
- inexpensive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/5053—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials non-oxide ceramics
- C04B41/5057—Carbides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/56—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
- C04B35/5607—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on refractory metal carbides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/64—Burning or sintering processes
- C04B35/645—Pressure sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/38—Non-oxide ceramic constituents or additives
- C04B2235/3817—Carbides
- C04B2235/3839—Refractory metal carbides
- C04B2235/3847—Tungsten carbides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/658—Atmosphere during thermal treatment
Abstract
本发明公开了一种低成本碳化钽涂层的制备方法，所述方法为：首先对基体进行预处理，然后采用碳化钽、烧结助剂、粘接剂与溶剂配置悬浊液，将悬浊液均匀喷涂或刷涂于所述基体表面，最后将喷好或刷好涂层的基体进行预温与烧结处理，即可在基体上得到一层厚度均匀、结构致密的碳化钽涂层。本发明可以在基体表面包敷一层完全致密结构的TaC涂层，该涂层可以使基体表面受到很大程度的隔离与保护；可用于晶体、半导体生产用装置或部件的高性能涂层的制备，防止晶体生长时装置或部件表层颗粒进入晶体内，进而造成晶体缺陷。与CVD沉积技术相比，本发明工艺过程成本低、相对简单，易操作，重复性好，可直接在材料表面形成成致密、无裂纹的涂层。
Description
技术领域
本发明涉及晶体、半导体材料生产制备领域，具体涉及一种低成本碳化钽涂层的制备方法。
背景技术
晶体、半导体生产用装置或部件是指晶体、半导体生产用的基座、基体、坩埚、导热管、测温管等高温高纯材料或部件，它的纯度和化学稳定性等性能直接关系到半导体材料的纯度、性能和品质，因而是晶体、半导体生产的关键材料。与传统硅相比，SiC、GaN、AlN等第三代半导体的晶体生长需要更高的温度(＞2100℃)、腐蚀环境气氛。并且物理气相传输(PVT)生长晶体过程中，升华的源粉体(硅、铝)有较高的反应活性，侵蚀传统的基体材料，基体表面颗粒进入晶体中造成晶体缺陷，进而对晶体、半导体的性能和品质产生重大的影响。
碳化钽熔点高(3880℃)，在还原气氛下能耐受包括王水在内酸、碱、盐几乎所有物质的侵蚀(仅HF+HNO3复合酸除外)，高温化学稳定性和耐腐蚀性远高于SiC、BN，且碳化钽与石墨等基体具有良好的化学相容性，因而，碳化钽是性能优异的涂层材料。
目前，国内外有在石墨基体上沉积碳化钽层，减少或消除石墨对晶体、半导体成分、结构和性能的影响，从而提高材料的品质。普遍采用的是化学气相沉积(CVD)法制备碳化钽的技术，它的缺点就是：设备与运行成本高；涂层易出现裂纹和孔隙，此致命缺陷导致其应用时可靠性低，从而失去对晶体的保护作用。裂纹出现的主要原因是碳化钽涂层的热膨胀系数大，约为半导体用高纯石墨热膨胀系数的两倍以上，涂层较厚时很容易出现裂纹而报废。必须解决碳化钽涂层有裂纹的问题，才能顺利实现高性能的碳化钽涂层对基体材料的表面改性。
发明内容
针对现有技术中存在的问题，本发明的目的在于提供一种低成本碳化钽涂层的制备方法，其工艺简单，涂层性能好，能耗小，成本低，周期短，生产效率较高。
为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：
一种低成本碳化钽涂层的制备方法，所述方法为：首先对基体进行预处理，然后采用碳化钽、烧结助剂、粘接剂与溶剂配置悬浊液，将悬浊液均匀喷涂或刷涂于所述基体表面，最后将喷好或刷好涂层的基体进行预温与烧结处理，即可在基体上得到一层厚度均匀、结构致密的碳化钽涂层。
进一步，所述预处理为用高纯酒精或丙酮对所述基体表面进行清洗若干次，所述基体的材料为石英、石墨、Al2O3、SiC或MgO。
进一步，采用碳化钽、烧结助剂、粘接剂与溶剂配置悬浊液具体为：称量适量的碳化钽粉、烧结助剂，其中烧结助剂的占涂层用粉末的1～35wt.％；然后取适量的溶剂，采用球磨机在玛瑙球磨罐中球磨，或用玛瑙研钵手动研磨2～24h；取出，加入粘接剂搅拌，其中粘接剂质量百分比为溶剂的1％～10％，并且粘接剂与试剂混合液与碳化钽粉的质量比为0.3～1.0；得到碳化钽涂层的悬浊液，静置待用。
进一步，所述碳化钽的粒度为1-20μm。
进一步，所述烧结助剂为碳化物或金属单质和碳粉的混合物；其中，所述碳化物包括WC、ZrC、TiC、NbC、B4C中的一种或两种，所述金属单质包括Ti、Zr、Ta、Nb、W中的一种或两种，金属单质与碳粉的摩尔比为1:1。
进一步，所述粘接剂为聚乙烯醇、聚乙烯醇缩醛类、聚乙烯吡咯烷酮、环氧树脂、酚醛树脂或石墨胶的任一种。
进一步，所述溶剂为去离子水、高纯度酒精其中的一种。
进一步，所述碳化钽涂层的厚度为50um～500um。
进一步，所述预温的温度为100℃～400℃。
进一步，所述烧结温度为1600℃～2500℃，压强为8×104Pa～1×105Pa，保护气氛为氩气、氦气、氢气中的一种。
本发明具有以下有益技术效果：
本发明的工艺制备的碳化钽涂层的粘连性较大，不至于脱落；烧结助剂有效降低TaC涂层的烧结温度，并能增加烧结产物的致密度，有效提高烧结产物的物理性能；TaC悬浊液有利于喷/刷涂较为轻薄的涂层，保证避免透气性的同时，有效减少了厚度过后造成的开裂问题。
综上，本发明的方法简单，能制备一种厚度致密、粘连性大、结构致密的TaC涂层，实现了涂层的不脱落、无裂纹，从而达到将基体有效隔离的目的。
具体实施方式
下面，参考实施例，对本发明进行更全面的说明，实施例中示出了本发明的示例性实施例。然而，本发明可以体现为多种不同形式，并不应理解为局限于这里叙述的示例性实施例。而是，提供这些实施例，从而使本发明全面和完整，并将本发明的范围完全地传达给本领域的普通技术人员。
本发明提供了一种低成本碳化钽涂层的制备方法，该方法为：首先对基体进行预处理，然后采用碳化钽、烧结助剂、粘接剂与溶剂配置悬浊液，将悬浊液均匀喷涂或刷涂于所述基体表面，最后将喷好或刷好涂层的基体进行预温与烧结处理，即可在基体上得到一层厚度均匀、结构致密的碳化钽涂层。
其中，预处理为用高纯酒精或丙酮对所述基体表面进行清洗若干次。基体的材料为石英、石墨、Al2O3、SiC或MgO。碳化钽的粒度为1-20μm。采用碳化钽、烧结助剂、粘接剂与溶剂配置悬浊液具体为：称量适量的碳化钽粉、烧结助剂，其中烧结助剂的占涂层用粉末的1～35wt.％；然后取适量的溶剂，采用球磨机在玛瑙球磨罐中球磨，或用玛瑙研钵手动研磨2～24h；取出，加入粘接剂搅拌，其中粘接剂质量百分比为溶剂的1％～10％，并且粘接剂与试剂混合液与碳化钽粉的质量比为0.3～1.0；得到碳化钽涂层的悬浊液，静置待用。烧结助剂为碳化物或金属单质和碳粉的混合物；其中，碳化物包括WC、ZrC、TiC、NbC、B4C中的一种或两种，金属单质包括Ti、Zr、Ta、Nb、W中的一种或两种；金属单质与碳粉的摩尔比为1:1。粘接剂为聚乙烯醇、聚乙烯醇缩醛类、聚乙烯吡咯烷酮、环氧树脂、酚醛树脂或石墨胶的任一种。溶剂为去离子水、高纯度酒精其中的一种。碳化钽涂层的厚度为50um～500um。预温的温度为100℃～400℃。烧结温度为1600℃～2500℃，压强为8×104Pa～1×105Pa，保护气氛为氩气、氦气、氢气中的一种。
实施例一：
1)选用石墨基体，并用高纯酒精进行清洗2次，避免表面污染物；
2)称量适量19.6g的TaC粉、0.4g的WC粉；量取20ml的去离子水，采用球磨机在玛瑙球磨罐中球磨2h。取出，加入0.2g聚乙烯醇搅拌；得到TaC涂层的悬浊液，静置待用；
3)采用画刷，将TaC涂层的悬浊液均匀地刷涂在石墨基体表面；
4)将有涂层的石墨基体，置于加热炉中，通保护气体氩气，预烧温度为200℃，时间0.5h；
5)将有涂层的石墨基体，置于加热炉中，通保护气体氩气，压强为9×104Pa，7h升至2300℃，保持2h；随炉缓冷到室温即可开炉使用。
实施例二：
1)选用石英基体，并用高纯酒精进行清洗3次，避免表面污染物；
2)称量适量16g的TaC粉、3.75g的Ta粉、0.25g的C粉；量取10ml的去离子水，采用球磨机在玛瑙球磨罐中球磨20h。取出，加入1.6g酚醛树脂搅拌，得到TaC涂层的悬浊液，静置待用；
3)采用喷枪，将TaC涂层的悬浊液均匀地刷涂在石墨基体表面；
4)将有涂层的石英基体，置于真空干燥炉中，抽真空，预烧温度为100℃，时间1h；
5)将有涂层的石英基体，置于加热炉中，通保护气体氢气，压强为8×104Pa，5h升至1600℃，保持4h；随炉缓冷到室温即可开炉使用。
本发明制备TaC涂层经实例检验技术稳定，工艺简单，涂层性能好，能耗小，成本低，周期短，生产效率较高。
上面所述只是为了说明本发明，应该理解为本发明并不局限于以上实施例，符合本发明思想的各种变通形式均在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种低成本碳化钽涂层的制备方法，其特征在于，所述方法为：首先对基体进行预处理，然后采用碳化钽、烧结助剂、粘接剂与溶剂配置悬浊液，将悬浊液均匀喷涂或刷涂于所述基体表面，最后将喷好或刷好涂层的基体进行预温与烧结处理，即可在基体上得到一层厚度均匀、结构致密的碳化钽涂层。
2.根据权利要求1所述的低成本碳化钽涂层的制备方法，其特征在于，所述预处理为用高纯酒精或丙酮对所述基体表面进行清洗若干次；所述基体的材料为石英、石墨、Al2O3、SiC或MgO。
3.根据权利要求1所述的低成本碳化钽涂层的制备方法，其特征在于，采用碳化钽、烧结助剂、粘接剂与溶剂配置悬浊液具体为：称量适量的碳化钽粉、烧结助剂，其中烧结助剂的占涂层用粉末的1～35wt.％；然后取适量的溶剂，采用球磨机在玛瑙球磨罐中球磨，或用玛瑙研钵手动研磨2～24h；取出，加入粘接剂搅拌，其中粘接剂质量百分比为溶剂的1％～10％，并且粘接剂与试剂混合液与碳化钽粉的质量比为0.3～1.0；得到碳化钽涂层的悬浊液，静置待用。
4.根据权利要求1所述的低成本碳化钽涂层的制备方法，其特征在于，所述碳化钽的粒度为1-20μm。
5.根据权利要求1所述的低成本碳化钽涂层的制备方法，其特征在于，所述烧结助剂为碳化物或金属单质和碳粉的混合物；其中，所述碳化物包括WC、ZrC、TiC、NbC、B4C中的一种或两种，所述金属单质包括Ti、Zr、Ta、Nb、W中的一种或两种，金属单质与碳粉的摩尔比为1:1。
6.根据权利要求1所述的低成本碳化钽涂层的制备方法，其特征在于，所述粘接剂为聚乙烯醇、聚乙烯醇缩醛类、聚乙烯吡咯烷酮、环氧树脂、酚醛树脂或石墨胶的任一种。
7.根据权利要求1所述的低成本碳化钽涂层的制备方法，其特征在于，所述溶剂为去离子水、高纯度酒精其中的一种。
8.根据权利要求1所述的低成本碳化钽涂层的制备方法，其特征在于，所述碳化钽涂层的厚度为50um～500um。
9.根据权利要求1所述的低成本碳化钽涂层的制备方法，其特征在于，所述预温的温度为100℃～400℃。
10.根据权利要求1所述的低成本碳化钽涂层的制备方法，其特征在于，所述烧结温度为1600℃～2500℃，压强为8×104Pa～1×105Pa，保护气氛为氩气、氦气、氢气中的一种。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611179306.3A CN106699228A (zh) | 2016-12-19 | 2016-12-19 | 一种低成本碳化钽涂层的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611179306.3A CN106699228A (zh) | 2016-12-19 | 2016-12-19 | 一种低成本碳化钽涂层的制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106699228A true CN106699228A (zh) | 2017-05-24 |
Family
ID=58938399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201611179306.3A Pending CN106699228A (zh) | 2016-12-19 | 2016-12-19 | 一种低成本碳化钽涂层的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106699228A (zh) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110357666A (zh) * | 2018-10-08 | 2019-10-22 | 湖南德智新材料有限公司 | 一种陶瓷复合涂层及其制备方法 |
| CN111699164A (zh) * | 2018-02-06 | 2020-09-22 | 弗劳恩霍夫应用研究促进协会 | 含有金属碳化物颗粒的含水悬浮液 |
| CN111819311A (zh) * | 2018-03-08 | 2020-10-23 | 信越半导体株式会社 | 碳化硅单晶的制造方法 |
| CN112500194A (zh) * | 2020-12-13 | 2021-03-16 | 湖南德智新材料有限公司 | 一种在石墨基材表面形成致密TaC涂层的方法 |
| CN112830815A (zh) * | 2021-01-20 | 2021-05-25 | 中电化合物半导体有限公司 | 一种碳基表面形成的碳化钽涂层及其形成方法和用途 |
| CN115259901A (zh) * | 2022-06-29 | 2022-11-01 | 南京大学 | 一种炭材料表面TaC保护涂层材料的制备方法 |
| CN115784778A (zh) * | 2022-11-21 | 2023-03-14 | 中材人工晶体研究院(山东)有限公司 | 一种含有碳化钽涂层的坩埚的制备方法 |
| CN116695089A (zh) * | 2023-08-09 | 2023-09-05 | 通威微电子有限公司 | 中继环碳化钽镀膜装置和方法 |
| CN117069516A (zh) * | 2023-08-18 | 2023-11-17 | 杭州乾晶半导体有限公司 | TaC涂层的制备方法及石墨结构部件、碳化硅晶体生长装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101306959A (zh) * | 2008-07-07 | 2008-11-19 | 中国人民解放军国防科学技术大学 | 耐超高温陶瓷涂层的制备方法 |
| CN101445392A (zh) * | 2008-12-31 | 2009-06-03 | 中南大学 | 一种石墨基体无裂纹TaC涂层及其制造方法 |
| CN103011836A (zh) * | 2012-12-03 | 2013-04-03 | 北京中材人工晶体研究院有限公司 | 一种碳材料表面涂层组合物及涂层的制备方法 |
-
2016
- 2016-12-19 CN CN201611179306.3A patent/CN106699228A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101306959A (zh) * | 2008-07-07 | 2008-11-19 | 中国人民解放军国防科学技术大学 | 耐超高温陶瓷涂层的制备方法 |
| CN101445392A (zh) * | 2008-12-31 | 2009-06-03 | 中南大学 | 一种石墨基体无裂纹TaC涂层及其制造方法 |
| CN103011836A (zh) * | 2012-12-03 | 2013-04-03 | 北京中材人工晶体研究院有限公司 | 一种碳材料表面涂层组合物及涂层的制备方法 |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111699164A (zh) * | 2018-02-06 | 2020-09-22 | 弗劳恩霍夫应用研究促进协会 | 含有金属碳化物颗粒的含水悬浮液 |
| EP3763853A4 (en) * | 2018-03-08 | 2021-12-01 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | SILICON CARBIDE MONOCRISTAL PRODUCTION PROCESS |
| CN111819311A (zh) * | 2018-03-08 | 2020-10-23 | 信越半导体株式会社 | 碳化硅单晶的制造方法 |
| CN110357666A (zh) * | 2018-10-08 | 2019-10-22 | 湖南德智新材料有限公司 | 一种陶瓷复合涂层及其制备方法 |
| CN110357666B (zh) * | 2018-10-08 | 2021-12-28 | 湖南德智新材料有限公司 | 一种陶瓷复合涂层及其制备方法 |
| CN112500194A (zh) * | 2020-12-13 | 2021-03-16 | 湖南德智新材料有限公司 | 一种在石墨基材表面形成致密TaC涂层的方法 |
| CN112830815A (zh) * | 2021-01-20 | 2021-05-25 | 中电化合物半导体有限公司 | 一种碳基表面形成的碳化钽涂层及其形成方法和用途 |
| CN115259901A (zh) * | 2022-06-29 | 2022-11-01 | 南京大学 | 一种炭材料表面TaC保护涂层材料的制备方法 |
| CN115784778A (zh) * | 2022-11-21 | 2023-03-14 | 中材人工晶体研究院(山东)有限公司 | 一种含有碳化钽涂层的坩埚的制备方法 |
| CN115784778B (zh) * | 2022-11-21 | 2023-12-01 | 中材人工晶体研究院(山东)有限公司 | 一种含有碳化钽涂层的坩埚的制备方法 |
| CN116695089A (zh) * | 2023-08-09 | 2023-09-05 | 通威微电子有限公司 | 中继环碳化钽镀膜装置和方法 |
| CN116695089B (zh) * | 2023-08-09 | 2023-10-24 | 通威微电子有限公司 | 中继环碳化钽镀膜装置和方法 |
| CN117069516A (zh) * | 2023-08-18 | 2023-11-17 | 杭州乾晶半导体有限公司 | TaC涂层的制备方法及石墨结构部件、碳化硅晶体生长装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106699228A (zh) | 一种低成本碳化钽涂层的制备方法 | |
| CN109824374B (zh) | 在碳碳复合保温材料表面制备高性能碳化硅涂层的方法 | |
| CN110452010B (zh) | 一种高熵合金连接碳化硅陶瓷连接件及其制备方法和应用 | |
| CN108530110A (zh) | 一种c/c复合材料的超高温陶瓷涂层及其制备方法 | |
| KR20220061090A (ko) | 플라즈마 용사 및 냉간 용사 기술 기반의 ic 장비 핵심 부품 표면 보호 코팅층의 제조 방법 | |
| CN105247662A (zh) | 抗等离子体腐蚀的稀土氧化物基薄膜涂层 | |
| CN102093083B (zh) | 炭/炭复合材料HfC抗烧蚀涂层的制备方法 | |
| CN102352483A (zh) | 一种真空溅射镀膜用硅铝合金中空旋转靶材的制备方法 | |
| CN106591820B (zh) | 一种ic装备关键零部件用高纯氧化钇涂层的制备方法 | |
| CN102373417A (zh) | 一种在石墨材料表面制备抗氧化SiC涂层的方法 | |
| CN110407213B (zh) | 一种(Ta, Nb, Ti, V)C高熵碳化物纳米粉体及其制备方法 | |
| CN109320302A (zh) | 一种在基体材料上形成的高温抗氧化涂层及其制备方法 | |
| CN103265331A (zh) | 一种适用于石墨材料的C/SiC/Na2Si03抗氧化复合涂层及其制备方法 | |
| US20180251406A1 (en) | Sintered ceramic protective layer formed by hot pressing | |
| CN105990081A (zh) | 等离子体处理装置及其制作方法 | |
| CN110407598A (zh) | 一种具有ZrB2界面的Cf/SiC复合材料的制备方法 | |
| CN104651771A (zh) | 一种耐高温抗烧蚀碳化钽复合涂层及其制备方法 | |
| CN114015967A (zh) | 一种低孔隙率氧化钇涂层的制备方法 | |
| CN101239844A (zh) | 一种复合阻碳涂层材料及其在基体上制备复合阻碳涂层的方法 | |
| CN112851334A (zh) | 一种基于氮化硅的加热体及其制备工艺 | |
| CN102127737A (zh) | 一种制备碳材料表面抗氧化Nb涂层的方法 | |
| CN110304946B (zh) | 一种陶瓷基复合材料表面的宽温域抗氧化涂层及其制备方法 | |
| CN104241182A (zh) | 静电吸盘的制造方法,静电吸盘及等离子体处理装置 | |
| CN103981398B (zh) | 一种高性能金属陶瓷覆层材料及其制备方法 | |
| CN106747666A (zh) | 一种耐高温涂层的制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20170524 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |