CN112500194A - 一种在石墨基材表面形成致密TaC涂层的方法 - Google Patents
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- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 54
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 54
- 239000010439 graphite Substances 0.000 title claims abstract description 54
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 36
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000007774 positive electrode material Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000001652 electrophoretic deposition Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 7
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 9
- TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L Magnesium chloride Chemical group [Mg+2].[Cl-].[Cl-] TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 2
- 229910001629 magnesium chloride Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 4
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 abstract 1
- NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N methylidynetantalum Chemical compound [Ta]#C NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 32
- 229910003468 tantalcarbide Inorganic materials 0.000 description 32
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/5053—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials non-oxide ceramics
- C04B41/5057—Carbides
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
- C04B41/81—Coating or impregnation
- C04B41/85—Coating or impregnation with inorganic materials
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种在石墨基材表面形成致密TaC涂层的方法，包括：(1)、将石墨基材加工、清洗，放入烘箱烘干备用；(2)、将TaC粉末、烧结助剂粉末、无水乙醇和金属盐化物混合搅拌均匀，配制成电泳悬浮液；(3)、将石墨基材放入电泳悬浮液，然后将正极电极材料插入电泳悬浮液，使正极电极材料围绕在石墨基材周围，以石墨基材为负极，插入超声振动棒，进行电泳沉积；(4)、将电泳沉积后的工件取出，放入烘箱进行热处理；(5)、将热处理后的工件放入高温烧结炉，在低压状态下、惰性气氛下进行烧结，烧结完成后将工件冷却至室温，即得。该方法制备的TaC涂层均匀致密，制备工艺简单，生产成本低。
Description
技术领域
本发明涉及复合材料技术领域，具体而言，涉及一种在石墨基材表面形成致密TaC涂层的方法。
背景技术
为了使宽带隙功率器件得到广泛应用，必须大幅度降低其生产成本，尤其是在外延层的形成方面(外延成本)，这几乎占了外延晶圆生产成本的一半(具有外延层的单晶衬底)。CVD-SiC或MOCVD-GaN外延生长条件比常规CVD-Si工艺条件更具腐蚀性。并且CVD-SiC外延生长气体体系是H2-SiH4-C3H8，外延生长温度高达1500-1700℃。对于普通SiC涂层石墨托盘，难以在如此苛刻的环境下长期可靠使用。
碳化钽(TaC)是一种重要的高强度、耐腐蚀和化学稳定性好的高温结构材料，其熔点高达4000℃，是耐温最高的几种化合物之一。因此，在宽带隙半导体的CVD或MOCVD工艺中，TaC涂层石墨基座/加热器具有优越性和不可替代性。CVD是目前TaC涂层的主流制备方法，涂层均匀致密；然而，其工艺技术难度大，生产成本高。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种在石墨基材表面形成致密TaC涂层的方法，该方法制备的TaC涂层均匀致密，制备工艺简单，生产成本低。
为了实现上述目的，本发明提供了一种在石墨基材表面形成致密TaC涂层的方法，包括以下步骤：
(1)将石墨基材进行加工、清洗，放入烘箱中烘干，备用；
(2)将TaC粉末、烧结助剂粉末、无水乙醇和金属盐化物按质量比(90～100)：(4～8)：50：(0.1～0.5)混合搅拌均匀，配制成电泳悬浮液；
(3)将石墨基材放入电泳悬浮液中，然后将正极电极材料插入电泳悬浮液中，使正极电极材料围绕在石墨基材的周围，以石墨基材为负极，插入超声振动棒，进行电泳沉积；
(4)将电泳沉积后的工件取出，放入烘箱中进行热处理；
(5)将热处理后的工件放入高温烧结炉中，在低压状态下、惰性气氛下进行烧结，烧结完成后将工件冷却至室温，即在石墨基材表面形成致密的TaC涂层。
进一步地，步骤(5)中，烧结温度为1900～2600℃，烧结时间为1～3h。在该烧结温度和烧结时间范围内，TaC涂层的致密性和结晶性更好。
进一步地，步骤(2)中，TaC粉末的粒径为0.5～5μm，电泳悬浮液中TaC的体积溶度为30～50g/L。TaC粉末的粒径大小影响电泳沉积时颗粒的迁移速率，研究发现，当TaC粉末的粒径为0.5～5μm时，电泳沉积时颗粒的迁移速率适中。电泳悬浮液中TaC的体积浓度会影响电泳沉积速率，将体积浓度控制在30～50g/L范围内可使电泳沉积速率适中。
进一步地，步骤(3)中，正极电极材料与石墨基材之间的间距为0.5～3cm。正极电极材料与石墨基材之间的间距对电泳沉积速率以及电泳膜层的成膜性有一定的影响，通过将其间距控制在0.5～3cm，可使电泳沉积速率适中，提高电泳膜层的成膜性。
进一步地，步骤(3)中，正极电极材料为紫铜、不锈钢、镍、钛、铂中的一种或几种。
进一步地，步骤(3)中，电泳沉积的时间为1～20min。通过控制电泳沉积的时间，可控制TaC涂层的厚度。
进一步地，步骤(4)中，热处理的温度为100～120℃，热处理的时间为0.5～1h。
进一步地，步骤(2)中，烧结助剂为氧化物类烧结助剂。
进一步地，步骤(2)中，金属盐化物为氯化镁。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明通过电泳沉积和粉末烧结相结合的工艺方法，并通过控制各组分的配比及工艺参数，在石墨基材表面制备TaC涂层，TaC颗粒分布均匀致密，烧结工艺简单、工艺周期短；相比于现有的CVD工艺，本发明的制备工艺生产成本更低。
附图说明
图1为本发明得到的TaC涂层的照片。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下文将结合较佳的实施例对本发明作更全面、细致地描述，但本发明的保护范围并不限于以下具体的实施例。
除非另有定义，下文中所使用的所有专业术语与本领域技术人员通常理解的含义相同。本文中所使用的专业术语只是为了描述具体实施例的目的，并不是旨在限制本发明的保护范围。
除非另有特别说明，本发明中用到的各种原材料、试剂、仪器和设备等均可通过市场购买得到或者可通过现有方法制备得到。
实施例1：
一种本发明的在石墨基材表面形成致密TaC涂层的方法，包括以下步骤：
(1)将石墨基材进行加工、清洗，放入烘箱中烘干，备用；
(2)将TaC粉末、烧结助剂粉末、无水乙醇和金属盐化物按照质量比90:4:50:0.1混合搅拌均匀，配制成电泳悬浮液；其中，TaC粉末的粒径为0.5μm，电泳悬浮液中TaC的体积浓度为30g/L；
(3)、将石墨基材放入电泳悬浮液中，然后将正极电极材料插入电泳悬浮液中，使正极电极材料围绕在石墨基材的周围，正极电极材料与石墨基材之间的间距为1cm，正极电极材料为紫铜；以石墨基材为负极，插入超声振动棒，进行电泳沉积，电泳沉积的时间为2min；
(4)、将电泳沉积后的工件取出，放入烘箱中进行热处理，热处理的温度为100℃，热处理的时间为1h；
(5)、将热处理后的工件放入高温烧结炉中，在低压状态下、惰性气氛下进行烧结，烧结温度为2000℃，烧结时间为1h，烧结完成后将工件冷却至室温，即在石墨基材表面形成致密的TaC涂层。TaC涂层的照片如图1所示。
实施例2：
一种本发明的在石墨基材表面形成致密TaC涂层的方法，包括以下步骤：
(1)将石墨基材进行加工、清洗，放入烘箱中烘干，备用；
(2)将TaC粉末、烧结助剂粉末、无水乙醇和金属盐化物按照质量比90:4:50:0.1混合搅拌均匀，配制成电泳悬浮液；其中，TaC粉末的粒径为0.5μm，电泳悬浮液中TaC的体积浓度为30g/L；
(3)将石墨基材放入电泳悬浮液中，然后将正极电极材料插入电泳悬浮液中，使正极电极材料围绕在石墨基材的周围，正极电极材料与石墨基材之间的间距为1cm，正极电极材料为不锈钢；以石墨基材为负极，插入超声振动棒，进行电泳沉积，电泳沉积的时间为2min；
(4)将电泳沉积后的工件取出，放入烘箱中进行热处理，热处理的温度为100℃，热处理的时间为1h；
(5)将热处理后的工件放入高温烧结炉中，在低压状态下、惰性气氛下进行烧结，烧结温度为2400℃，烧结时间为1h；烧结完成后将工件冷却至室温，即在石墨基材表面形成致密的TaC涂层。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种在石墨基材表面形成致密TaC涂层的方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将石墨基材进行加工、清洗，放入烘箱中烘干，备用；
(2)将TaC粉末、烧结助剂粉末、无水乙醇和金属盐化物按质量比(90～100)：(4～8)：50：(0.1～0.5)混合搅拌均匀，配制成电泳悬浮液；
(3)将石墨基材放入电泳悬浮液中，然后将正极电极材料插入电泳悬浮液中，使正极电极材料围绕在石墨基材的周围，以石墨基材为负极，插入超声振动棒，进行电泳沉积；
(4)将电泳沉积后的工件取出，放入烘箱中进行热处理；
(5)将热处理后的工件放入高温烧结炉中，在低压状态下、惰性气氛下进行烧结，烧结完成后将工件冷却至室温，即在石墨基材表面形成致密的TaC涂层。
2.根据权利要求1所述的在石墨基材表面形成致密TaC涂层的方法，其特征在于，步骤(5)中，烧结温度为1900～2600℃，烧结时间为1～3h。
3.根据权利要求1所述的在石墨基材表面形成致密TaC涂层的方法，其特征在于，步骤(2)中，TaC粉末的粒径为0.5～5μm，电泳悬浮液中TaC的体积浓度为30～50g/L。
4.根据权利要求1所述的在石墨基材表面形成致密TaC涂层的方法，其特征在于，步骤(3)中，正极电极材料与石墨基材之间的间距为0.5～3cm。
5.根据权利要求1所述的在石墨基材表面形成致密TaC涂层的方法，其特征在于，步骤(3)中，正极电极材料为紫铜、不锈钢、镍、钛、铂中的一种或几种。
6.根据权利要求1所述的在石墨基材表面形成致密TaC涂层的方法，其特征在于，步骤(3)中，电泳沉积的时间为1～20min。
7.根据权利要求1～6中任意一项所述的在石墨基材表面形成致密TaC涂层的方法，其特征在于，步骤(4)中，热处理的温度为100～120℃，热处理的时间为0.5～1h。
8.根据权利要求1～6中任意一项所述的在石墨基材表面形成致密TaC涂层的方法，其特征在于，步骤(2)中，烧结助剂为氧化物烧结助剂，金属盐化物为氯化镁。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011465963.0A CN112500194A (zh) | 2020-12-13 | 2020-12-13 | 一种在石墨基材表面形成致密TaC涂层的方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202011465963.0A CN112500194A (zh) | 2020-12-13 | 2020-12-13 | 一种在石墨基材表面形成致密TaC涂层的方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112500194A true CN112500194A (zh) | 2021-03-16 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011465963.0A Pending CN112500194A (zh) | 2020-12-13 | 2020-12-13 | 一种在石墨基材表面形成致密TaC涂层的方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112500194A (zh) |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20210316 |
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