CN106521411A - 沉积掩模和制造沉积掩模的方法 - Google Patents

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Abstract

公开了沉积掩模和制造沉积掩模的方法。该方法包括在基构件上形成光刻胶图案，该光刻胶图案具有多个倒锥形光学图案和由光学图案限定的光学开口；在光学开口中以及在光学图案上形成掩模材料层；移除光学图案和形成在光学图案上的掩模材料层，留下形成在光学开口中的掩模材料层；以及移除基构件。

Description

沉积掩模和制造沉积掩模的方法
相关申请的交叉引用
于2015年9月9日在韩国知识产权局提交的第10-2015-0127581号、标题为“沉积掩模和制造沉积掩模的方法”的韩国专利申请通过引用完整地并入本文。
技术领域
实施方式涉及沉积掩模和制造沉积掩模的方法。
背景技术
发光显示装置中的有机发光显示装置可以是自发光显示装置，有机发光显示装置例如由于其宽视角、高对比度和快响应速度而可成为下一代显示装置。
有机发光显示装置可包括位于彼此面对的电极之间的中间层，例如发光层。电极和中间层可利用多种方法形成。这些方法之一可以是沉积方法。
发明内容
各实施方式可通过提供制造沉积掩模的方法来实现，该方法包括：在基构件上形成光刻胶图案，该光刻胶图案具有多个倒锥形光学图案和由光学图案限定的光学开口；在光学开口中以及在光学图案上形成掩模材料层；移除光学图案和形成在光学图案上的掩模材料层，留下形成在光学开口中的掩模材料层；以及移除基构件。
光学图案中的每个可具有接触基构件的第一表面和面对第一表面的第二表面，光学图案中的每个可包括从第二表面朝着第一表面变窄并具有弯曲侧表面的第一光学图案，以及从第一光学图案朝着第一表面变窄并具有从第一光学图案的弯曲侧表面延伸的弯曲侧表面的第二光学图案，并且拐点可位于第一光学图案的弯曲侧表面与第二光学图案的弯曲侧表面之间的边界处。
光学图案中的每个可在第二表面处具有最大宽度并且在第一表面处具有最小宽度，并且最大宽度与最小宽度之间的差值可以是3μm或大于3μm。
掩模材料层可具有1至20μm的厚度。
形成掩模材料层可包括利用沉积方法将金属材料或无机材料沉积在具有光刻胶图案的基构件上。
在形成掩模材料层的步骤中，形成在光学开口中的掩模材料层可与形成在光学图案上的掩模材料层分离。
光学图案中的每个还可包括位于第一光学图案的弯曲侧表面中的分离槽，该分离槽被定位成高于掩模材料层。
第一光学图案的弯曲侧表面可包括从光学图案中的每个的第二表面连续的第一侧表面、第二侧表面、第三侧表面和第四侧表面，拐点可分别位于第一侧表面与第二侧表面之间的边界处、第二侧表面与第三侧表面之间的边界处，以及第三侧表面与第四侧表面之间的边界处，并且分离槽可由第二侧表面和第三侧表面限定。
形成光刻胶图案可包括图案化形成在基构件上的光刻胶材料层，并且光刻胶材料层可包括负性光刻胶材料，该负性光刻胶材料可包括粘合剂、光敏剂、溶剂，以及响应于光照射而捕捉由光敏剂产生的自由基的添加剂。
添加剂可以被添加的重量为光敏剂重量的5至30％。。
各实施方式可通过提供制造沉积掩模的方法来实现，该方法包括：在基构件上形成光刻胶图案，该光刻胶图案具有多个倒锥形光学图案和由光学图案限定的光学开口；在光学开口中形成掩模材料层；移除光学图案，留下形成在光学开口中的掩模材料层；以及移除基构件，其中光学图案中的每个具有接触基构件的第一表面和面对第一表面的第二表面，光学图案中的每个包括从第二表面朝着第一表面变窄的第一光学图案，以及从第一光学图案朝着第一表面变窄的第二光学图案，第一光学图案具有弯曲侧表面，第二光学图案具有从第一光学图案的弯曲侧表面延伸的弯曲侧表面，拐点位于第一光学图案的弯曲侧表面与第二光学图案的弯曲侧表面之间的边界处。
光学图案中的每个可在第二表面处具有最大宽度并且在第一表面处具有最小宽度，并且最大宽度与最小宽度之间的差值可以是3μm或大于3μm。
基构件可包括金属衬底，并且形成掩模材料层可包括利用镀层法将金属材料镀层到基构件的表面上。
掩模材料层可具有1至20μm的厚度。
形成光刻胶图案可包括图案化形成在基构件上的光刻胶材料层，并且光刻胶材料层可包括负性光刻胶材料，该负性光刻胶材料可包括粘合剂、光敏剂、溶剂，以及响应于光的照射而捕捉由光敏剂产生的自由基的添加剂。
各实施方式可通过提供沉积掩模来实现，该沉积掩模包括具有不平坦的第一表面和面对第一表面的平坦的第二表面的阻挡部，以及被阻挡部围绕的多个图案开口，其中多个图案开口中的每个包括在阻挡部的第一表面与第二表面之间彼此连接的第一开口和第二开口，第一开口从阻挡部的第一表面朝着阻挡部的第二表面变窄，第一开口具有弯曲侧表面，以及第二开口从第一开口朝着阻挡部的第二表面变窄，第二开口具有从第一开口的弯曲侧表面延伸的弯曲侧表面，以及拐点位于第一开口的弯曲侧表面与第二开口的弯曲侧表面之间的边界处。
多个图案开口中的每个可在阻挡部的第一表面处具有最大宽度并在阻挡部的第二表面处具有最小宽度，最大宽度与最小宽度之间的差值可以是3μm或大于3μm，并且阻挡部可具有1至20μm的厚度。
阻挡部的第一表面可以是凸出的表面。
阻挡部可包括金属材料或无机材料。
由连接第一开口的位于阻挡部的第一表面处的弯曲侧表面和第二开口的位于阻挡部的第二表面处的弯曲侧表面的虚拟平面，与平行于阻挡部的第一表面的虚拟平面形成的锥角可以是45度或小于45度。
附图说明
通过参照附图详细描述示例性实施方式，特征将对本领域技术人员变得显而易见，在附图中：
图1示出了根据一个实施方式的、置于掩模框架上的沉积掩模的立体图；
图2示出了图1的沉积掩模的平面图；
图3示出了沿图2的线I-I'截取的剖视图；
图4示出了用于描述利用图1的沉积掩模来执行的沉积工艺的沉积装置的配置；
图5和图6示出了根据各种实施方式的沉积掩模的剖视图；
图7至图11示出了制造图1至图3的沉积掩模的方法的剖视图；
图12至图14示出了制造图5的沉积掩模的方法的剖视图；
图15和图16示出了制造图6的沉积掩模的方法的剖视图；以及
图17至图20示出了制造图1至图3的沉积掩模的方法的剖视图。
具体实施方式
在下文中，现将参照附图更全面地描述示例性实施方式；然而，示例性实施方式可体现为不同的形式并且不应解释为受限于本文中所阐述的实施方式。相反地，提供这些实施方式将使本公开全面且完整，并且将示例性实现方案充分地传达给本领域技术人员。
在附图中，为了清晰地说明，可放大层和区域的尺寸。还将理解，当层被称为位于另一层或者衬底“上”时，其可以直接位于另一层或者衬底上，或者也可存在插入的层。而且，将理解，当层被称为位于另一层“下”时，该层可以直接位于另一层下，并且也可以存在一个或多个插入的层。此外，还将理解，当层被称为在两个层“之间”时，其可以是在两个层之间仅有的层，或者也可以存在一个或多个插入的层。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的部件。
将理解，虽然可在本文中使用“第一”、“第二”、“第三”等术语来描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层和/或部分不应受限于这些术语。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一元件、部件、区域、层或部分区分开。因此，下面所讨论的第一元件、第一部件、第一区域、第一层或第一部分可称为第二元件、第二部件、第二区域、第二层或第二部分。
在下文中，将参照附图描述实施方式。
图1示出了根据一个实施方式的沉积掩模100的立体图。
参照图1，根据当前实施方式的沉积掩模100可置于掩模框架5上并通过焊接与掩模框架5耦接，并且可形成掩模组件。
掩模框架5可形成掩模组件的外部框架，并且可规定形状为在其中心部分中具有框架开口5a的四边形带状。掩模框架5可支承沉积掩模100并且可通过焊接与沉积掩模100耦接。掩模框架5可由具有高刚性的金属材料(例如不锈钢)制成。
沉积掩模100整体上可规定形状为具有特定厚度的板状。在本说明书中，板的一个表面将被称作第一表面101，并且可面对上述表面的另一表面将被称作第二表面102。当沉积掩模100与掩模框架5的上表面耦接以覆盖掩模框架5的框架开口5a时，沉积掩模100的第一表面101可接触掩模框架5的上表面。当衬底S(见图4)置于沉积掩模100上以通过将沉积材料沉积至衬底S(见图4)上而形成期望的薄膜图案时，沉积掩模100的第二表面102可放置为面对衬底S(见图4)。沉积掩模100的第二表面102可接触衬底S。
沉积掩模100可包括分别从沉积掩模100的两端突起的夹持部CP。夹持部CP可以是与夹具耦接以在沉积掩模100通过焊接而耦接至掩模框架5之前在朝着沉积掩模100的两端的方向上拉伸沉积掩模100的部分，并且夹持部CP可在焊接工艺之后被切除。
沉积掩模100可由掩模材料制成，例如，如铬(Cr)、钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)、锡(Sn)、金(Au)，镍(Ni)、镍合金或镍钴合金的金属。在图1中，沉积掩模100由多个掩模组成。在一个实施方式中，沉积掩模100还可形成为具有与以上掩模的尺寸总和对应的尺寸的一个掩模。
沉积掩模100可包括沉积图案部110和固定部140。当沉积图案部110置于掩模框架5上时，其可与框架开口5a重叠。固定部140可设置在沉积图案部110的外部，并且提供使沉积掩模100可通过焊接与掩模框架5耦接的空间。
现在将对沉积图案部110进行更详细的描述。
沉积图案部110可包括阻挡部120和多个图案开口130。
阻挡部120可在利用沉积掩模100将沉积材料沉积至衬底S(见图4)上时阻挡沉积材料。阻挡部120可由将稍后描述的图案开口130限定，并且当从上方观看时阻挡部120可大致上规定形状为网格状。
图案开口130可被阻挡部120围绕。当有机发光显示装置的红色有机发光层、绿色有机发光层和蓝色有机发光层中的红色有机发光层形成在衬底S(见图4)上时，图案开口130可分别形成在与红色有机发光层的图案相对应的位置处。在图1中，图案开口130可规定形状为点状。在一个实施方式中，图案开口130还可规定形状为裂缝状或点和裂缝的组合形状。
图案开口130中的每个可包括设置在阻挡部120的第一表面101与第二表面102之间的第一开口131(见图3)和第二开口132(见图3)。第一开口131可定位为相对接近于第一表面101，并且第二开口132可定位为相对接近于第二表面102。第一开口131和第二开口132可彼此连接，并且图案开口130可在第一表面101与第二表面102之间穿透。
第一开口131可从阻挡部120的第一表面101朝着第二表面102变窄并具有弯曲的侧表面。第二开口132可从第一开口132朝着第二表面102变窄，并具有从第一开口131的侧表面延伸的弯曲的侧表面，并且图案开口130可在第一表面101处相比在第二表面102处更宽。
在示例性实施方式中，第一开口131的侧表面可以是沿着厚度方向凹陷的，并且第二开口132的侧表面可以是沿着厚度方向凸出的。当从横截面看时，拐点133可位于第一开口131的侧表面与第二开口132的侧表面之间的边界处。
由连接第一开口131的位于阻挡部120的第一表面101的侧表面和第二开口132的位于阻挡部120的第二表面102处的侧表面的虚拟平面，与平行于阻挡部120的第一表面101的虚拟平面形成的锥角θ1可以是约45度或小于45度。如果锥角θ1处于该范围内，则当薄膜图案利用沉积掩模100形成在衬底S(见图4)上时，可减少在薄膜图案的边缘部分外部的沉积材料的沉积，并且可减少例如由于沉积掩模100的阴影现象而导致的薄膜图案厚度的不均匀。
如上所述，图案开口130中的每个可在阻挡部120的第一表面101处具有最大宽度d1，并在阻挡部120的第二表面102处具有最小宽度d2。图案开口130中的每个的最大宽度d1与最小宽度d2之间的差值可以是约3μm或大于3μm。当差值为约3μm或大于3μm时，能够在制造沉积掩模100的工艺中容易地将沉积在光刻胶图案20P1(见图10)上的掩模材料从沉积在光刻胶图案20P1(见图10)下方的掩模材料分离，并且可使随后的剥离工艺容易进行。
沉积掩模100的厚度，例如阻挡部120的厚度t1可以是约1至20μm。当沉积掩模100的厚度小于1μm时，沉积掩模100的刚性可以是低的，并且沉积掩模100可具有对于外力的低阻抗。当沉积掩模100的厚度超过20μm时，可能难以形成如上所述所构造的图案开口130，并且可能难以减少通过利用沉积掩模100将沉积材料沉积至衬底S而在薄膜中形成的阴影现象。
虽然阻挡部120的第二表面102可以是平坦的，但是阻挡部120的第一表面101可以是不平坦的。在制造沉积掩模100的工艺中，可通过利用沉积方法(例如，溅射方法)将掩模材料沉积在基构件10(见图10)上来形成掩模材料层100a(见图10)。掩模材料可能因沉积工艺的特性而不平坦地沉积在光学开口22内，并且阻挡部120的第一表面101可能是不平坦的。在示例性实施方式中，阻挡部120的第一表面101可以是凸出的表面。
如上所述配置的沉积掩模100可通过焊接与图1的掩模框架5耦接，并且可得到可在沉积工艺中使用的掩模组件。
图4示出了用于描述利用图1的沉积掩模100执行的沉积工艺的沉积装置的配置。
参照图4，彼此耦接的沉积掩模100和掩模框架5可置于支架1上。然后，衬底S和沉积掩模100可通过驱动磁单元2而被按压抵靠彼此。图案开口130(见图3)中的每个可对应于衬底S的特定像素，例如其中可形成有红色有机发光层的像素，并且第二开口132(见图3)可面对衬底S。接下来，沉积材料可从坩埚3蒸发。经蒸发的沉积材料可顺序地经过第一开口131(见图3)和第二开口132(见图3)以沉积在衬底S上，并且可形成薄膜图案。
如上所述，根据本实施方式的沉积掩模100可包括各自具有第一开口131和第二开口132的图案开口130，并且当通过将沉积材料沉积在衬底S上来形成薄膜时，如上所述构造的沉积掩模100可使得在沉积材料还沉积到薄膜的边缘部分外部时可能发生的阴影现象最小化。
图5和图6示出了根据各种实施方式的沉积掩模的剖视图。
参照图5，沉积掩模的沉积图案部210可具有阻挡部220和多个图案开口130，并且阻挡部220的第一表面201可以是平坦的。阻挡部220的第一表面201可以是平坦的，因为例如掩模材料层200a(见图13)可在形成沉积掩模的工艺中通过利用镀层法(例如，电镀法或非电镀法)将掩模材料镀层到基构件10a(见图13)的在光学开口22(见图13)内的表面上而形成，其中光学开口22可与阻挡部220在光刻胶图案20P1(见图13)中的位置对应。例如，由于镀层法的特性，掩模材料可平坦地镀层在基构件10a(见图13)的表面上。
包括沉积图案部210的沉积掩模可提供与图3的沉积掩模100的相同效果，其中沉积图案部210具有阻挡部220和图案开口130。
参照图6，沉积掩模的沉积图案部310可包括阻挡部320和多个图案开口130。阻挡部320可由无机材料制成。例如，沉积掩模的掩模材料可以是无机材料，例如氮化硅或氧化硅。由无机材料制成的沉积掩模可具有比由金属制成的沉积掩模100更低的刚性。由无机材料制成的沉积掩模可不会受到高温加热的很大影响，并且沉积掩模可在高温下变形较少。
在制造沉积掩模的工艺中，掩模材料层300a(见图15)，即无机材料层可利用例如化学气相沉积(CVD)方法的沉积方法沉积在基构件10(见图15)上。由于沉积工艺的特性，掩模材料层300a(图15)可能不平坦地沉积在光学开口22(见图15)内，但是阻挡部320的第二表面102可以是平坦的，阻挡部320的第一表面301可以是不平坦的。在示例性实施方式中，阻挡部320的第一表面301可以是凸出的表面。
包括沉积图案部310的沉积掩模可提供与图3的沉积掩模100的相同效果，其中沉积图案部310具有阻挡部320和图案开口130。
现在将对制造图1至图3的沉积掩模100的方法进行描述。
图7至图11示出了制造图1至图3的沉积掩模100的方法的剖视图。
参照图7，可在基构件10上形成光刻胶材料层20。基构件10可以是由金属、玻璃或聚合物制成的衬底。光刻胶材料层20可包括第一表面20a和可面对第一表面20a的第二表面20b，第一表面20a可接触基构件10。光刻胶材料层20可由负性光刻胶材料制成，例如可包括负性光刻胶材料。
负性光刻胶材料可包含粘合剂、光敏剂、溶剂和添加剂。
粘合剂可包含酚醛清漆树脂和丙烯酸酯。
酚醛清漆树脂可以是能够通过使芳香醇(如，间甲酚和/或对甲酚)与甲醛反应而合成的聚合物。酚醛清漆树脂可具有2000至9000的分子量并包含20:80至80:20的重量比的间甲酚和对甲酚。丙烯酸酯可以是通过使单体(如，不饱和羧酸、不饱和羧酸酐或其混合物)共聚而获得的丙烯酸共聚物。丙烯酸酯的实例可包括丙烯酸、甲基丙烯酸和马来酸酐。
光敏剂可以是能够生成响应于具有约300至450μm波长的光的照射而使烯基不饱和基团聚合的化合物。光敏剂可以是卤代甲基化三嗪衍生物、卤代甲基化噁二唑衍生物、咪唑衍生物、苯偶姻、苯偶姻烷基醚、蒽醌衍生物、苯并蒽酮衍生物、二苯甲酮衍生物、乙酰苯衍生物、噻吨酮衍生物、苯甲酸酯衍生物、吖啶衍生物、吩嗪衍生物、环戊二烯钛衍生物、α-氨基烷基酰苯化合物、酰基氧化膦(acylphosphinoxide)化合物和肟酯衍生物中的一个。
卤代甲基化三嗪衍生物可以是2-(4-甲氧基苯基)-4、6-双(三氯甲基)-s-三嗪、2-(4-甲氧基萘基)-4,6-双(三氯甲基)-s-三嗪、2-(4-乙氧基萘基)-4,6-双(三氯甲基)-s-三嗪和2-(4-乙氧羰基萘基)-4,6-双(三氯甲基)-s-三嗪中的一个。
咪唑衍生物可以是2-(o-氯苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物、2-(o-氯苯基)-4,5-双(3’-甲氧基苯基)咪唑二聚物、2-(o-氟苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物、2-(o-甲苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物和2-(o-甲氧基苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物中的一个。
苯偶姻可以是苯偶姻甲醚、苯偶姻苯基醚、苯偶姻异丁醚和苯偶姻异丙醚中的一个。
蒽醌衍生物可以是2-甲基蒽醌、2-乙基蒽醌、2-叔丁基蒽醌和1-氯蒽醌中的一个。
二苯甲酮衍生物可以是二苯甲酮、米希勒酮、2-甲基二苯甲酮、3-甲基二苯甲酮、4-甲基二苯甲酮、2-氯二苯甲酮、4-溴二苯甲酮和2-羧基二苯甲酮中的一个。
乙酰苯衍生物可以是2,2-二甲氧基-2-苯基乙酰苯、2,2-二乙氧基乙酰苯、1-羟基环己基苯基酮、α-羟基-2-甲基苯基丙酮、1-羟基-1-甲基乙基-(对-异丙基苯基)酮、1-羟基-1-(对-十二烷基苯基)酮、2-甲基-(4’-(甲硫基)苯基)-2-吗啉代-1-丙酮和1,1,1-三氯甲基-(对-丁基苯基)酮中的一个。
噻吨酮衍生物可以是噻吨酮、2-乙基噻吨酮、2-异丙基噻吨酮、2-氯代噻吨酮、2,4-二甲基噻吨酮、2,4-二乙基噻吨酮和2,4-二异丙基噻吨酮中的一个。
苯甲酸酯衍生物可以是对-二甲基氨基苯甲酸乙酯和对-二乙基氨基苯甲酸乙酯中的一个。
吖啶衍生物可以是9-苯基吖啶和9-(对-甲氧基苯基)吖啶中的一个。
吩嗪衍生物可以是9,10-二甲苯吩嗪。
环戊二烯钛衍生物可以是二环戊二烯-钛-二氯化合物、二环戊二烯-钛-双苯基、二环戊二烯-钛-双(2,3,4,5,6-五氟代苯-1-基)、二环戊二烯-钛-双(2,3,5,6-四氟代苯-1-基)、二环戊二烯-钛-双(2,4,6-三氟代苯-1-基)、二环戊二烯-钛-双(2,6-二氟代苯-1-基)、二环戊二烯-钛-双(2,4-二氟代苯-1-基)、二(甲基环戊二烯基)-钛-双(2，3，4，5，6-五氟代苯-1-基)、二(甲基环戊二烯基)-钛-双(2，6-二氟代苯-1-基)和二环戊二烯-钛-双[2，6-二氟-3-(吡咯-1-基)苯-1-基]中的一个。
α-氨烷基酰苯化合物可以是2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-吗啉代丙烷-1-基、2-苯甲基-2-二甲基氨基-1-(4-吗啉代苯基)丁-1-酮、4-二甲基氨基乙基苯甲酸酯、4-二甲基氨基苯丙酮、2-乙基己基-1，4-二甲基氨基苯甲酸酯、2，5-双(4-二乙基氨基苯亚甲基)环己酮、7-二乙基氨基-3-(4-二乙基氨基苯甲酰基)香豆素(7-diethylamino-3-(4-diethylaminobenzoyl)cumarine)和4-(二乙基氨基)查耳酮中的一个。
酰基氧化膦化合物可以是2，4，6-三甲基苯甲酰基-二苯基-氧化膦和双(2，4，6-三甲基苯甲酰基)-苯基氧化膦中的一个。
肟酯化合物可以是1，2-辛二酮、1-[4-(苯硫基)苯基]-2-(o-苯甲酰基肟)、乙酮，或1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲酰基)-9H-咔唑-3-基]和1-(o-乙酰肟)中的一个。
溶剂可以是能够溶解并分散粘合剂和光敏剂的溶剂。例如，溶剂可以是甲基溶纤剂、乙烷基溶纤剂、丁基溶纤剂、二乙二醇单甲醚、丙二醇单乙酯、丙二醇二乙酯、丙二醇单甲醚乙酸盐(PGMEAc)、甲基乙烷基酮、甲基异丁基酮、环己酮、甲苯、氯仿、二氯甲烷、乙酸乙酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、丙二醇单甲醚、甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、四氢呋喃、二乙二醇二甲醚、甲氧基丁基乙酸酯、SolvessoTM和卡必醇中的一个。
添加剂可以是能够通过吸收(捕捉)自由基而稳定地保持负光刻胶材料的化合物。添加剂的实例可包括空间位阻的酚醛塑料和空间位阻的胺(HALS)。添加剂的产品名称可包括123和144。
添加剂可在被执行以形成图9的光刻胶图案20P1的、图8的光照射工艺中调节光刻胶材料层20的固化。例如，当光照射至图8中的光刻胶材料层20时，由于光照射的特性，第一光能可照射至光刻胶材料层20的上部，并且低于第一光能的第二光能可照射至光刻胶材料层20的下部。添加剂可在由第二光能产生的自由基活跃地形成粘合剂的交联之前，吸收(捕捉)由第二光能产生的自由基。这样，添加剂可减少光刻胶材料层20的下部由于与光反应而可能发生的固化。添加剂可以添加光敏剂重量的约5至30％重量的量。当添加少于光敏剂重量的5％重量的量时，添加剂可能几乎不吸收(捕捉)自由基。当添加多于光敏剂重量的30％重量的量时，添加剂可能过度地吸收由光敏剂产生的自由基，并且光敏剂用于形成光刻胶图案的能力可能被破坏。
参照图8和图9，包括光学图案21和光学开口22的光刻胶图案20P1可形成在基构件10上。
例如，参照图8，包括光阻挡部31和光传输部32的光掩模30可置于光刻胶材料层20上。光掩模30的光阻挡部31可对应于图3的阻挡部120可形成的区域，并且光传输部32可对应于图3的图案开口130可形成的区域。光刻胶材料层20的第一表面20a可对应于阻挡部120(见图3)的第二表面102(见图3)，并且光刻胶材料层20的第二表面20b可对应于阻挡部120(见图3)的第一表面101(见图3)。
接下来，可利用光掩模30将光照射至光刻胶材料层20，并且光刻胶材料层20的、可对应于光传输部32中的每个的第一区域21a可通过与光反应(即，粘合剂的交联可形成在第一区域21a中)而被固化，并且光刻胶材料层20的、可对应于光阻挡部31的第二区域22a可不与光反应。第一区域21a可以是通过将光从光刻胶材料层20的第二表面20b朝着第一表面20a照射而形成的区域。第一区域21a可在光刻胶材料层20的第二表面20b处具有最大宽度d11，并且在光刻胶材料层20的第一表面20a处具有最小宽度d12。例如，第一区域21a可以是倒锥形。最大宽度d11与最小宽度d12之间的差值可以是约3μm或大于3μm。沉积在光刻胶图案20P1的光学图案21上的掩模材料可容易地从光学开口22内沉积在基构件10上的掩模材料分离，并且光学图案21可利用图11中的剥离方法容易地移除。
第一区域21a可具有第一部分21aa和第二部分21ab。第一部分21aa可从光刻胶材料层20的第二表面20b朝着第一表面20a变窄并具有弯曲的侧表面。第二部分21ab可从第一部分21aa朝着光刻胶材料层20的第一表面20a变窄，并具有从第一部分21aa的侧表面延伸的弯曲的侧表面。在示例性实施方式中，第一部分21aa的侧表面可以是沿着厚度方向凹陷的，并且第二部分21ab的侧表面可以是沿着厚度方向凸出的。当以截面观看时，拐点21ac可位于第一部分21aa的侧表面与第二部分21ab的侧表面之间的边界处。如上所述构造的第一区域21a可根据在负性光刻胶材料中用于形成光刻胶材料层20的光敏剂的重量来调节添加剂的重量而形成。
接下来，光刻胶材料层20可被显影以生成如图9中所示的光刻胶图案20P1。例如，可形成包括光学图案21和光学开口22的光刻胶图案20P1。光学图案21中的每个的第一表面可对应于图8的光刻胶材料层20的第一表面20a，并且光学图案21中的每个的第二表面可对应于图8的光刻胶材料层20的第二表面20b。光学图案21中的每个的第一表面将在下文中由参考字符“20a”来指代，并且光学图案21中的每个的第二表面将在下文中由参考字符“20b”来指代。光学开口22可由光学图案21限定并且当从上方观看时形成为大体上网格的形状。
光学图案21中的每个可具有第一光学图案21P1和第二光学图案21P2。第一光学图案21P1可从第二表面20b朝着第一表面20a变窄，并具有弯曲的侧表面，并且第二光学图案21P2可从第一光学图案21P1朝着第一表面20a变窄，并具有从第一光学图案21P1的侧表面延伸的弯曲的侧表面。拐点21P3可位于第一光学图案21P1的侧表面与第二光学图案21P2的侧表面之间的边界处。
可对应于图8的第一区域21a的光学图案21中的每个可在第二表面20b处具有最大宽度d11，并在第一表面20a处具有最小宽度d12。光学图案21中的每个的最大宽度d11与最小宽度d12之间的差值可以是约3μm或大于3μm。
参照图10，掩模材料可从光刻胶图案20P1的侧部沉积，并且掩模材料层100a可形成在光学图案21上以及形成在光学开口22中。沉积在光学图案21上的掩模材料层100a可与沉积在光学开口22中的掩模材料层100a分离，并且光学图案21中的每个的上部侧表面可以不被掩模材料层100a覆盖并可在随后的剥离工艺中通过剥离器容易地移除。即使沉积在光学图案21上的掩模材料层100a和沉积在光学开口22中的掩模材料层100a彼此不完全地分离，尽管效率和可靠性降低，但只要光学图案21中的每个的上部侧表面的部分未被掩模材料层100a覆盖，则仍可以执行剥离工艺。
掩模材料可以是上文所描述的金属材料，并且掩模材料的沉积可利用沉积方法(例如，溅射方法)来执行。掩模材料可沉积在基构件10上，以使得形成在光学开口22中的掩模材料层100a具有约1至20μm的厚度。
在光学开口22中可形成锥形空间，掩模材料可从基构件10的表面在每个位置处以不同的速度沉积并生长，并且沉积的掩模材料层100a可具有不平坦的表面。在附图中，由于掩模材料在光学开口22的中心部分中沉积并快速地生长，所以掩模材料层100a的表面是凸出的。在一个实施方式中，掩模材料层100a可根据沉积方法或条件具有不同的不平坦形状。
参照图11，光学图案21可在掩模材料层100a被保留在基构件10上时被移除，并且结果可以是包括阻挡部120和由阻挡部120限定的多个图案开口130的沉积掩模100，其中阻挡部120由残留在基构件10上的掩模材料层100a形成。在形成沉积掩模100之后，基构件10可被移除。光学图案21可利用剥离器通过剥离工艺移除，其中掩模材料层100a可形成在光学图案21上。
如上所述，在制造图1至图3的沉积掩模100的方法中，光刻胶图案20P1可通过图案化光刻胶材料层20而形成，其中光刻胶材料层20可包括可吸收(捕捉)自由基的添加剂。然后，掩模材料层100a可利用光刻胶图案20P1通过将掩模材料沉积在基构件10上而形成在基构件10上。最后，其上可形成有掩模材料层100a的基构件10和光学图案21可被移除，可制造在期望的位置处具有期望形状的图案开口130的沉积掩模100(见图3)，并且可简化制造沉积掩模100(见图3)的工艺。
图12至图14示出了制造图5的沉积掩模的方法的剖视图。
除了光刻胶材料层20形成在基构件10a上、掩模材料层200a形成在基构件10a上，以及光学图案21和基构件10a被移除之外，制造图5的沉积掩模的方法与以上参照图7至图11描述的制造方法相似。对于制造图5的沉积掩模的方法，将只对在基构件10a上形成光刻胶材料层20、在基构件10a上形成掩模材料层200a，以及移除光学图案21和基构件10a进行描述。
参照图12，光刻胶材料层20可形成在基构件10a上。基构件10a可以是可允许利用镀层法通过将掩模材料镀层到基构件10a上形成掩模材料层200a的金属衬底。光刻胶材料层20的具体配置和利用光刻胶材料层20形成光刻胶图案20P1已在上文中参照图7和图9进行了详细的描述，并省略对其的多余描述。
参照图13，掩模材料可利用镀层法(例如，电镀法或非电镀法)被镀层到基构件10a上，并且掩模材料层200a可以仅在光学开口22内形成在基构件10a上。掩模材料可以是以上所描述的金属材料。掩模材料可镀层到基构件10a上，以使得形成在光学开口22中的掩模材料层200a具有约1至20μm的厚度。镀层出的掩模材料层200a可具有平坦的表面。
参照图14，光学图案21可在掩模材料层200a被保留在基构件10a上时被移除，并且结果可以是包括由残留在基构件10a上的掩模材料层200a形成的阻挡部220以及由阻挡部220限定的多个图案开口130的沉积掩模。在形成沉积掩模之后，基构件10a可被移除。光学图案21可通过利用剥离器的剥离工艺被移除。
图15和图16示出了制造图6的沉积掩模的方法的剖视图。
除了掩模材料层300a形成在基构件10上以及光学图案21和基构件10被移除之外，制造图6的沉积掩模的方法与以上参照图7至图11描述的制造方法相似。对于制造图6的沉积掩模的方法，将只对沉积掩模材料层300a以及移除光学图案21和基构件10进行描述。
参照图15，掩模材料可从光刻胶图案20P1的侧部沉积，并且掩模材料层300a可形成在光学图案21上以及在光学开口22中。
沉积在光学图案21上的掩模材料层300a可与沉积在光学开口22中的掩模材料层300a分离，并且光学图案21中的每个的上部侧表面可以不被掩模材料层300a覆盖，并可在随后的剥离工艺中通过剥离器容易地移除。即使沉积在光学图案21上的掩模材料层300a与沉积在光学开口22中的掩模材料层300a彼此不完全地分离，尽管效率和可靠性降低，但是只要光学图案21中的每个的上部侧表面的部分未被掩模材料层300a覆盖，则仍可以执行剥离工艺。
掩模材料可以是以上描述的无机材料，并且掩模材料的沉积可利用沉积方法(例如CVD方法)来执行。掩模材料可沉积在基构件10上，以使得形成在光学开口22中的掩模材料层300a具有约1至20μm的厚度。
在光学开口22中可形成锥形空间，掩模材料可从基构件10的表面在每个位置处以不同的速度沉积并生长，并且沉积的掩模材料层300a可具有不平坦的表面。在附图中，由于掩模材料在光学开口22的中心部分中沉积并快速地生长，所以掩模材料层300a的表面是凸出的。在一个实施方式中，掩模材料层300a可根据沉积方法或条件具有不同的不平坦形状。
参照图16，光学图案21可在掩模材料层300a被保留在基构件10上时被移除，并且结果可以是包括由残留在基构件10上的掩模材料层300a形成的阻挡部320以及由阻挡部320限定的多个图案开口130的沉积掩模。在形成沉积掩模之后，基构件10可被移除。光学图案21可利用剥离器通过剥离工艺被移除，其中掩模材料层300a可形成在光学图案21上。
现在将对制造图1至图3的沉积掩模100的方法进行描述。
图17至图20示出了制造图1至图3的沉积掩模100的方法的剖视图。
除了形成光刻胶图案20P2、掩模材料层100a形成在基构件10上，以及光学图案21b和基构件10被移除之外，制造图1至图3的沉积掩模100的当前方法与以上参照图7至图11描述的制造方法相似。对于制造图1至图3的沉积掩模100的当前方法，将只对形成光刻胶图案20P2、形成掩模材料层100a，以及移除光学图案21b和基构件10进行描述。
参照图17和图18，包括光学图案21b和光学开口22b的光刻胶图案20P2可形成在基构件10上。
形成光刻胶图案20P2的工艺与以上参照图7和图8描述的形成光刻胶图案20P1的工艺相似，并且光刻胶图案20P2的光学图案21b中的每个可具有第一光学图案21P1和第二光学图案21P2。第一光学图案21P1可从第二表面21b2朝着第一表面21b1变窄，并具有弯曲的侧表面。第二光学图案21P2可从第一光学图案21P1朝着第一表面21b1变窄，并具有从第一光学图案21P1的侧表面延伸的弯曲的侧表面。拐点21P3可位于第一光学图案21P1的侧表面与第二光学图案21P2的侧表面之间的边界处。
第一光学图案21P1的侧表面可包括从光学图案21b中的每个的第二表面21b2连续的第一侧表面S1、第二侧表面S2、第三侧表面S3和第四侧表面S4，并且拐点SP1、SP2、SP3可分别位于第一侧表面S1与第二侧表面S2之间的边界处、第二侧表面S2与第三侧表面S3之间的边界处，以及第三侧表面S3与第四侧表面S4之间的边界处。拐点SP1、SP2、SP3可以是第一拐点SP1、第二拐点SP2、和第三拐点SP3。分离槽g可由第二侧表面S2和第三侧表面S3限定。在图19中，掩模材料可从光刻胶图案20P2的侧部沉积，并且形成在光学图案21b上的掩模材料层100a可通过分离槽g与在光学开口22b中形成在基构件10上的掩模材料层100a分离。这是因为光学图案21b中的每个的第一拐点SP1可防止沉积在光学图案21b上的掩模材料与沉积在光学开口22b中的掩模材料连接。掩模材料可从光学图案21b中的每个上向上沉积至第一侧表面S1。掩模材料可能难以经由第一拐点SP1向上沉积至第二侧表面S2。
光学图案21b中的每个的第一表面21b1与第二光学图案21P2的与第一表面21b1相邻的侧表面之间的角度θ21可小于约90度。平行于光学图案21b中的每个的第二表面21b2的虚拟平面与第一光学图案21P1的第一侧表面S1之间的角度θ22可小于约90度。第一光学图案21P1的第一侧表面S1与第二侧表面S2之间的角度θ23可以是约90度或90度以上。
如上所述构造的光学图案21b可通过调节图8中的光刻胶材料层20的暴露来实现。
参照图19，掩模材料可从光刻胶图案20P2的侧部沉积，并且掩模材料层100a可形成在光学图案21b上以及光学开口22b中。形成在光学图案21b上的掩模材料层100a可与形成在光学开口22中的掩模材料层100a分离，并且光学图案21b中的每个的上部侧表面可以不被掩模材料层100a覆盖，并可在随后的剥离工艺中通过剥离器容易地移除。
掩模材料可以是以上所描述的无机材料，并且掩模材料的沉积可利用沉积方法(例如，溅射方法)来执行。掩模材料可沉积在基构件10上，以使得形成在光学开口22b中的掩模材料层100a具有约1至20μm的厚度。
在光学开口22b中可形成锥形空间，掩模材料可从基构件10的表面在每个位置处以不同的速度沉积并生长，并且沉积的掩模材料层100a可具有不平坦的表面。在附图中，由于掩模材料在光学开口22b的中心部分中沉积并快速地生长，所以掩模材料层100a的表面是凸出的。在一个实施方式中，掩模材料层100a可根据沉积方法或条件具有不同的不平坦形状。
参照图20，光学图案21b可在掩模材料层100a被保留在基构件10上时被移除，并且结果可以是包括由残留在基构件10上的掩模材料层100a形成的阻挡部120以及由阻挡部120限定的多个图案开口130的沉积掩模100。在形成沉积掩模100之后，基构件10可被移除。光学图案21b可利用剥离器通过剥离工艺移除，其中掩模材料层100a可形成在光学图案21b上。
通过总结与回顾，为了利用沉积方法制造有机发光显示装置，具有图案开口的沉积掩模(例如，精细金属掩模(FMM))可按压抵靠衬底，其中图案开口与可形成在衬底上的薄膜的图案相同。然后，沉积材料可通过沉积掩模沉积在衬底上，并且可形成具有期望图案的薄膜。
沉积掩模可通过利用湿刻蚀法在金属基构件中形成图案开口来制造，或者通过利用激光辐照法在金属基构件中形成图案开口来制造。
图案开口可具有特定的形状，例如，特定的锥形，以防止利用沉积掩模沉积到衬底上以形成薄膜的沉积材料沉积到薄膜的边缘部分上。
当利用湿刻蚀法制造沉积掩模时，由于例如刻蚀工艺的不均匀性而可能难以将图案开口精确地形成为特定形状。湿刻蚀工艺可执行两次，形成图案开口的工艺可能是复杂的，并且形成图案开口所需的时间可能增加。
当利用激光辐照方法形成沉积掩模的图案开口时，金属基构件可能在激光辐照工艺中由激光的热而导致变形，或者由于例如激光的震动而导致图案开口可能形成在不期望的位置处。
各实施方式可提供制造沉积掩模的方法，该沉积掩模可在期望位置处包括具有期望形状的图案开口并且可简单地制造。各实施方式还可提供可在期望位置处包括具有期望形状的图案开口并且可简单地制造的沉积掩模。
根据一个实施方式的制造沉积掩模的方法可用于制造在期望位置处包括具有期望形状的图案开口的沉积掩模。该方法可简化制造沉积掩模的工艺。
本文中已公开了示例性实施方式，并且虽然使用了专用术语，但是其仅被用于并被解释为通用的和描述性的意义并不旨在限制性的目的。在一些情况下，如自本申请提交起对于本领域技术人员显而易见的，除非另外具体地指出，否则结合具体实施方式而描述的特征、特性和/或元件可单独使用或与结合其他实施方式而描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，本领域的技术人员将理解，在不脱离如在所附权利要求中阐述的本发明的精神和范围的情况下，可对形式和细节进行各种改变。

Claims (20)

1.一种制造沉积掩模的方法，所述方法包括：
在基构件上形成光刻胶图案，所述光刻胶图案具有多个倒锥形的光学图案和由所述光学图案限定的光学开口；
在所述光学开口中以及在所述光学图案上形成掩模材料层；
移除所述光学图案和形成在所述光学图案上的所述掩模材料层，留下形成在所述光学开口中的所述掩模材料层；以及
移除所述基构件。
2.如权利要求1所述的方法，其中，
所述光学图案中的每个具有接触所述基构件的第一表面和面对所述第一表面的第二表面；
所述光学图案中的每个包括第一光学图案和第二光学图案，其中所述第一光学图案从所述第二表面朝着所述第一表面变窄并具有弯曲侧表面，以及所述第二光学图案从所述第一光学图案朝着所述第一表面变窄并具有从所述第一光学图案的所述弯曲侧表面延伸的弯曲侧表面；以及
拐点位于所述第一光学图案的所述弯曲侧表面与所述第二光学图案的所述弯曲侧表面之间的边界处。
3.如权利要求2所述的方法，其中，
所述光学图案中的每个在所述第二表面处具有最大宽度并且在所述第一表面处具有最小宽度，以及
所述最大宽度与所述最小宽度之间的差值为3μm或大于3μm。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述掩模材料层具有1至20μm的厚度。
5.如权利要求1所述的方法，其中，形成所述掩模材料层的步骤包括利用沉积方法将金属材料或无机材料沉积在具有所述光刻胶图案的所述基构件上。
6.如权利要求1所述的方法，其中，在形成所述掩模材料层的步骤中，形成在所述光学开口中的所述掩模材料层与形成在所述光学图案上的所述掩模材料层分离。
7.如权利要求2所述的方法，其中，所述光学图案中的每个还包括位于所述第一光学图案的所述弯曲侧表面中的分离槽，所述分离槽被定位成高于所述掩模材料层。
8.如权利要求7所述的方法，其中，
所述第一光学图案的所述弯曲侧表面包括从所述光学图案中的每个的所述第二表面连续的第一侧表面、第二侧表面、第三侧表面和第四侧表面；
拐点分别位于所述第一侧表面与所述第二侧表面之间的边界处、所述第二侧表面与所述第三侧表面之间的边界处、以及所述第三侧表面与所述第四侧表面之间的边界处；以及
所述分离槽由所述第二侧表面和所述第三侧表面限定。
9.如权利要求1所述的方法，其中，
形成所述光刻胶图案包括图案化形成在所述基构件上的光刻胶材料层，以及
所述光刻胶材料层包括负性光刻胶材料，所述负性光刻胶材料包含粘合剂、光敏剂、溶剂和添加剂，所述添加剂响应于光的照射而捕捉由所述光敏剂产生的自由基。
10.如权利要求9所述的方法，其中，所述添加剂被添加的重量为所述光敏剂重量的5至30％。
11.一种制造沉积掩模的方法，所述方法包括：
在基构件上形成光刻胶图案，所述光刻胶图案具有多个倒锥形光学图案和由所述光学图案限定的光学开口；
在所述光学开口中形成掩模材料层；
移除所述光学图案，留下形成在所述光学开口中的所述掩模材料层；以及
移除所述基构件，
所述光学图案中的每个具有与所述基构件接触的第一表面和面对所述第一表面的第二表面，所述光学图案中的每个包括第一光学图案和第二光学图案，所述第一光学图案从所述第二表面朝着所述第一表面变窄并具有弯曲侧表面，以及所述第二光学图案从所述第一光学图案朝着所述第一表面变窄并具有从所述第一光学图案的所述弯曲侧表面延伸的弯曲侧表面，拐点位于所述第一光学图案的所述弯曲侧表面与所述第二光学图案的所述弯曲侧表面之间的边界处。
12.如权利要求11所述的方法，其中：
所述光学图案中的每个在所述第二表面处具有最大宽度并且在所述第一表面处具有最小宽度，以及
所述最大宽度与所述最小宽度之间的差值是3μm或大于3μm。
13.如权利要求11所述的方法，其中：
所述基构件包括金属衬底，以及
形成所述掩模材料层包括利用镀层法将金属材料镀层到所述基构件的表面上。
14.如权利要求11所述的方法，其中，所述掩模材料层具有1至20μm的厚度。
15.如权利要求11所述的方法，其中：
形成所述光刻胶图案包括图案化形成在所述基构件上的光刻胶材料层，以及
所述光刻胶材料层包括负性光刻胶材料，所述负性光刻胶材料包含粘合剂、光敏剂、溶剂和添加剂，所述添加剂响应于光的照射来捕捉由所述光敏剂产生的自由基。
16.一种沉积掩模，包括：
阻挡部，包括不平坦的第一表面和面对所述第一表面的平坦的第二表面；以及
多个图案开口，被所述阻挡部围绕，所述多个图案开口中的每个包括位于所述阻挡部的所述第一表面与所述第二表面之间的、彼此连接的第一开口和第二开口，
所述第一开口从所述阻挡部的所述第一表面朝着所述阻挡部的所述第二表面变窄，所述第一开口具有弯曲侧表面，以及所述第二开口从所述阻挡部的所述第一开口朝着所述阻挡部的所述第二表面变窄，所述第二开口具有从所述第一开口的所述弯曲侧表面延伸的弯曲侧表面，以及拐点位于所述第一开口的所述弯曲侧表面与所述第二开口的所述弯曲侧表面之间的边界处。
17.如权利要求16所述的沉积掩模，其中：
所述多个图案开口中的每个在所述阻挡部的所述第一表面处具有最大宽度并在所述阻挡部的所述第二表面处具有最小宽度，
所述最大宽度与所述最小宽度之间的差值是3μm或大于3μm，以及
所述阻挡部具有1至20μm的厚度。
18.如权利要求16所述的沉积掩模，其中，所述阻挡部的所述第一表面是凸出的表面。
19.如权利要求16所述的沉积掩模，其中，所述阻挡部包含金属材料或无机材料。
20.如权利要求16所述的沉积掩模，其中，由连接所述第一开口的位于所述阻挡部的所述第一表面处的所述弯曲侧表面和所述第二开口的位于所述阻挡部的所述第二表面处的所述弯曲侧表面的虚拟平面，与平行于所述阻挡部的所述第一表面的虚拟平面所形成的锥角是45度或小于45度。
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