CN109402557B - 一种公共层掩膜板及其制备方法 - Google Patents

一种公共层掩膜板及其制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及显示技术领域，公开了一种公共层掩膜板及其制备方法，该公共层掩膜板中，包括掩膜板本体，掩膜板本体包括使用时朝向基板的第一表面以及背离基板的第二表面，掩膜板本体上形成有至少一个开口，掩膜板本体在开口的周边区域处形成有翘曲部，且翘曲部沿指向开口的方向向由第二表面指向第一表面的方向翘曲。上述公共层掩膜板中，通过该公共层掩膜板与基板配合使用，即使用时掩膜板本体与阻隔凸起间存在一定距离，且翘曲部向基板方向翘曲减小了开口周边区与基板间的距离，实现了在保证防止刮伤阻隔凸起的前提下降低了蒸镀阴影的效果，有效提高了产品的良率。

Description

一种公共层掩膜板及其制备方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种公共层掩膜板及其制备方法。
背景技术
如今显示面板市场开始逐渐转向OLED技术，OLED焕发出巨大的市场潜力，但由于受到某些关键技术的制约，OLED良率爬升阶段有很大的挑战，现阶段低良率成为限制我国OLED技术大规模量产的重要问题。
OLED制造的蒸镀工艺中，由于蒸镀阴影过大会造成很多不良，目前为了防止在蒸镀过程中公共层掩膜板与基板贴合时刮伤基板阻隔凸起，公共层掩膜板在制作时会在开口周围基板面制作半刻蚀区域，防止与基板阻隔凸起直接接触造成损伤。但是由于公共层掩膜板厚度较大，会造成蒸镀阴影过大，使OLED面板的边框较大。
发明内容
本发明提供了一种公共层掩膜板及其制备方法，该公共层掩膜板中，通过使用时掩膜板本体与阻隔凸起间存在一定距离，且翘曲部向基板方向翘曲减小了开口周边区与基板间的距离，实现了在保证防止刮伤阻隔凸起的前提下降低了蒸镀阴影的效果，有效提高了产品的良率。
为达到上述目的，本发明提供以下技术方案：
一种公共层掩膜板，包括掩膜板本体，所述掩膜板本体包括使用时朝向基板的第一表面以及背离所述基板的第二表面，所述掩膜板本体上形成有至少一个开口，所述掩膜板本体在所述开口的周边区域处形成有翘曲部，且所述翘曲部沿指向所述开口的方向向由所述第二表面指向所述第一表面的方向翘曲。
上述公共层掩膜板中，掩膜板本体上形成有至少一个开口，每个开口的周边区域处形成有翘曲部，且翘曲部指向开口的一端由掩膜板的第二表面指向第一表面的方向翘曲，当该公共层掩膜板使用时，掩膜板本体的第一表面与基板配合，且第一表面与基板的阻隔凸起间存在一定的间距，以防止掩膜板本体与阻隔凸起间产生碰触，对阻隔凸起造成刮伤，同时，翘曲部指向开口的一端朝向基板方向翘曲，减小了掩膜板本体的开口周边区域距离基板的距离，从而有效减小了蒸镀阴影，提高了产品的良率；
因此，通过该公共层掩膜板与基板配合使用，即使用时掩膜板本体与阻隔凸起间存在一定距离，且翘曲部向基板方向翘曲减小了开口周边区与基板间的距离，实现了在保证防止刮伤阻隔凸起的前提下降低了蒸镀阴影的效果，有效提高了产品的良率。
优选地，所述翘曲部包括刻蚀形成的半刻蚀部，所述半刻蚀部背离所述基板的方向的表面与所述第二表面共面。
优选地，所述半刻蚀部朝向所述基板方向的表面上设有多聚物材料层，所述多聚物材料层背离所述半刻蚀部的表面与所述第一表面共面。
优选地，所述半刻蚀部朝向所述多聚物材料层的表面上形成有多个凸起。
优选地，所述凸起为圆柱体、圆台或梯形结构。
优选地，所述半刻蚀部朝向所述多聚物材料层的表面上形成有多个凹陷。
优选地，所述凹陷为圆柱体、圆台或梯形结构。
优选地，所述掩膜板本体由因瓦合金制成。
本发明还提供了一种公共层掩膜板的制备方法，包括：
将掩膜板本体进行图案化处理形成至少一个开口；
将所述掩膜板本体开口的周边区域弯曲，形成翘曲部，所述掩膜板本体包括使用时朝向基板的第一表面以及背离所述基板的第二表面，所述翘曲部沿指向所述开口的方向向由所述第二表面指向所述第一表面的方向翘曲。
优选地，所述将掩膜板本体开口的周边区域弯曲，形成翘曲部，掩膜板本体包括使用时朝向基板的第一表面以及背离基板的第二表面，翘曲部沿指向所述开口的方向向由所述第二表面指向所述第一表面的方向翘曲，包括：
将所述掩膜板本体的开口周边区域进行半刻蚀处理，形成半刻蚀部。
优选地，所述将掩膜板本体的开口周边区域进行半刻蚀处理，形成半刻蚀部之后，还包括：
将液体状态的多聚物材料设置在所述半刻蚀部朝向所述第一表面的表面上；
对所述多聚物材料固化处理，形成多聚物材料层。
优选地，所述将液体状态的多聚物材料设置在所述半刻蚀部朝向所述第一表面的表面上，包括：
通过涂覆或喷墨打印方式将液体状态的多聚物材料设置在半刻蚀部的表面上。
优选地，所述对多聚物材料固化处理，形成多聚物材料层，包括：
通过加热固化或紫外线光照的方式对多聚物材料进行固化处理。
附图说明
图1为本发明提供的公共层掩膜板一种结构的使用状态示意图；
图2为本发明提供的公共层掩膜板另一种结构的使用状态示意图；
图3为本发明提供的公共层掩膜板制备方法步骤一时的结构示意图；
图4为本发明提供的公共层掩膜板制备方法步骤二时的结构示意图；
图5为本发明提供的公共层掩膜板制备方法步骤二时的俯视结构示意图；
图6为本发明提供的公共层掩膜板制备方法步骤三时的结构示意图；
图7为本发明提供的公共层掩膜板制备方法步骤四时的结构示意图。
图标：1-基板；2-阻隔凸起；3-掩膜板本体；4-开口；5-半刻蚀部；51-凸起；52-凹陷；6-多聚物材料层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参考图1至图7，本发明实施例提供的一种公共层掩膜板，包括掩膜板本体，掩膜板本体包括使用时朝向基板的第一表面以及背离基板的第二表面，掩膜板本体上形成有至少一个开口，掩膜板本体在开口的周边区域处形成有翘曲部，且翘曲部沿指向开口的方向向由第二表面指向第一表面的方向翘曲。
上述公共层掩膜板中，掩膜板本体上形成有至少一个开口，每个开口的周边区域处形成有翘曲部，且翘曲部指向开口的一端由掩膜板的第二表面指向第一表面的方向翘曲，当该公共层掩膜板使用时，掩膜板本体的第一表面与基板配合，且第一表面与基板的阻隔凸起间存在一定的间距，以防止掩膜板本体与阻隔凸起间产生碰触，对阻隔凸起造成刮伤，同时，翘曲部指向开口的一端朝向基板方向翘曲，减小了掩膜板本体的开口周边区域距离基板的距离，从而有效减小了蒸镀阴影，提高了产品的良率；
因此，通过该公共层掩膜板与基板配合使用，即使用时掩膜板本体与阻隔凸起间存在一定距离，且翘曲部向基板方向翘曲减小了开口周边区与基板间的距离，实现了在保证防止刮伤阻隔凸起的前提下降低了蒸镀阴影的效果，有效提高了产品的良率。
作为上述翘曲部的一种实施方式，翘曲部包括刻蚀形成的半刻蚀部，半刻蚀部背离基板的方向的表面与第二表面共面。
具体地，半刻蚀部朝向基板方向的表面上设有多聚物材料层，多聚物材料层背离半刻蚀部的表面与第一表面共面。
上述掩膜板本体在形成开口后，对开口的周边区域进行刻蚀，形成了半刻蚀部，且半刻蚀部背离基板的表面与掩膜板本体的第二表面共面，然后半刻蚀部背离第二表面的表面上设置多聚物层，具体地，在半刻蚀部朝向基板一侧的表面上设置液态多聚物材料，然后对多聚物材料进行固化处理，从而形成多聚物材料层，且多聚物材料层朝向基板的一侧与第一表面共面，由于多聚物材料在固化过程中体积减小使得半刻蚀部产生朝向基板方向的翘曲，从而形成翘曲部。
但不限于此，还可以直接将半刻蚀部进行冲压处理，使半刻蚀部朝向基板方向翘曲，也不限于此，凡掩膜板本体的开口周边区域成翘曲状的结构，均在本申请的保护范围之内。
具体地，多聚物材料层的原材料采用液态低聚物材料，经过固化形成高聚物材料，且本多聚物材料层所采用的材料为热固性高分子材料，使得固化后形成的多聚物材料层不溶不熔，也不能再次热熔或软化，保证了本公共层掩膜板在使用过程中不受工作环境中温度的变化而产生形变。
如图1所示，作为上述半刻蚀部的一种实施方式，半刻蚀部朝向多聚物材料层的表面上形成有多个凸起。
上述半刻蚀部与多聚物层接触面上形成多个凸起，增加了多聚物材料层和半刻蚀部间的结合力，使多聚物材料层与半刻蚀部间的连接更加可靠。
具体地，凸起为圆柱体、圆台或梯形结构。
当上述凸起为圆柱体结构时，增加了多聚物材料层与半刻蚀部件间的接触面积，使得多聚物材料层与半刻蚀部间的连接更加可靠；
当上述凸起为圆台或梯形结构时，优选地，圆台或梯形的顶面形成于刻蚀部的表面上，圆台或梯形的底面朝向多聚物材料层，此时，不仅增加了多聚物材料层与半刻蚀部件间的接触面积，同时使得多聚物材料层与半刻蚀部间产生阻碍多聚物材料层向远离半刻蚀部方向运动的力，使得多聚物材料层与半刻蚀部间的连接更加可靠。
如图2所示，作为上述半刻蚀部的一种实施方式，半刻蚀部朝向多聚物材料层的表面上形成有多个凹陷。
上述半刻蚀部与多聚物层接触面上形成多个凹陷，增加了多聚物材料层和半刻蚀部间的结合力，使多聚物材料层与半刻蚀部间的连接更加可靠。
具体地，凹陷为圆柱体、圆台或梯形结构。
当上述凹陷为圆柱体结构时，增加了多聚物材料层与半刻蚀部件间的接触面积，使得多聚物材料层与半刻蚀部间的连接更加可靠；
当上述凹陷为圆台或梯形结构时，优选地，圆台或梯形的底面形成于凹陷的底面，圆台或梯形的顶面形成于半刻蚀部朝向多聚物材料层的表面，此时，不仅增加了多聚物材料层与半刻蚀部件间的接触面积，同时还使得多聚物材料层与半刻蚀部间产生阻碍多聚物材料层向远离半刻蚀部方向运动的力，使得多聚物材料层与半刻蚀部间的连接更加可靠。
作为上述掩膜板本体的一种实施方式，掩膜板本体由因瓦合金制成。
如图3至图7所示，本发明实施例还提供了一种公共层掩膜板的制备方法，包括：
将掩膜板本体进行图案化处理形成至少一个开口；
将掩膜板本体开口的周边区域弯曲，形成翘曲部，掩膜板本体包括使用时朝向基板的第一表面以及背离基板的第二表面，翘曲部沿指向开口的方向向由第二表面指向第一表面的方向翘曲。
上述公共层掩膜板的制备方法中，将掩膜板本体上形成有至少一个开口，在每个开口的周边区域处进行弯曲处理，形成有翘曲部，且翘曲部指向开口的一端由掩膜板的第二表面指向第一表面的方向翘曲，当该公共层掩膜板使用时，掩膜板本体的第一表面与基板配合，且第一表面与基板的阻隔凸起间存在一定的间距，以防止掩膜板本体与阻隔凸起间产生碰触，对阻隔凸起造成刮伤，同时，翘曲部指向开口的一端朝向基板方向翘曲，减小了掩膜板本体的开口周边区域距离基板的距离，从而有效减小了蒸镀阴影，提高了产品的良率；
因此，通过该公共层掩膜板的制备方法制备公共层掩膜板，使得制备得到的公共层掩膜板与基板配合使用时，使用时掩膜板本体与阻隔凸起间存在一定距离，且翘曲部向基板方向翘曲减小了开口周边区与基板间的距离，实现了在保证防止刮伤阻隔凸起的前提下降低了蒸镀阴影的效果，有效提高了产品的良率。
具体地，将掩膜板本体开口的周边区域弯曲，形成翘曲部，掩膜板本体包括使用时朝向基板的第一表面以及背离基板的第二表面，翘曲部沿指向开口的方向向由第二表面指向第一表面的方向翘曲，包括：
将掩膜板本体的开口周边区域进行半刻蚀处理，形成半刻蚀部。
具体地，将掩膜板本体的开口周边区域进行半刻蚀处理，形成半刻蚀部之后，还包括：
将液体状态的多聚物材料设置在半刻蚀部朝向第一表面的表面上；
对多聚物材料固化处理，形成多聚物材料层。
上述掩膜板本体在形成开口后，对开口的周边区域进行刻蚀，形成了半刻蚀部，且半刻蚀部背离基板的表面与掩膜板本体的第二表面共面，然后半刻蚀部背离第二表面的表面上设置多聚物层，具体地，在半刻蚀部朝向基板一侧的表面上设置液态多聚物材料，然后对多聚物材料进行固化处理，从而形成多聚物材料层，且多聚物材料层朝向基板的一侧与第一表面共面，由于多聚物材料在固化过程中体积减小使得半刻蚀部产生朝向基板方向的翘曲，从而形成翘曲部。
但不限于此，还可以直接将半刻蚀部进行冲压处理，使半刻蚀部朝向基板方向翘曲，也不限于此，凡掩膜板本体的开口周边区域成翘曲状的结构，均在本申请的保护范围之内。
具体地，将液体状态的多聚物材料设置在半刻蚀部朝向第一表面的表面上，包括：
通过涂覆或喷墨打印方式将液体状态的多聚物材料设置在半刻蚀部的表面上。
具体地，对多聚物材料固化处理，形成多聚物材料层，包括：
通过加热固化或紫外线光照的方式对多聚物材料进行固化处理。
如图3至图7所示，具体地，本发明实施例提供的一种公共层掩膜板的制备方法，包括：
步骤一：将掩膜板本体进行图案化处理形成至少一个开口；
步骤二：将掩膜板本体的开口周边区域进行半刻蚀处理，形成半刻蚀部；
步骤三：通过涂覆或喷墨打印方式将液体状态的多聚物材料设置在半刻蚀部的表面上；
步骤四：通过加热固化或紫外线光照的方式对多聚物材料进行固化处理，形成多聚物材料层。
显然，本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (9)

1.一种公共层掩膜板，其特征在于，包括掩膜板本体，所述掩膜板本体包括使用时朝向基板的第一表面以及背离所述基板的第二表面，所述掩膜板本体上形成有至少一个开口，所述掩膜板本体在所述开口的周边区域处形成有翘曲部，且所述翘曲部沿指向所述开口的方向向由所述第二表面指向所述第一表面的方向翘曲；
所述翘曲部包括刻蚀形成的半刻蚀部，所述半刻蚀部背离所述基板的方向的表面与所述第二表面共面；
所述半刻蚀部朝向所述基板方向的表面上设有多聚物材料层，所述多聚物材料层背离所述半刻蚀部的表面与所述第一表面共面。
2.根据权利要求1所述的公共层掩膜板，其特征在于，所述半刻蚀部朝向所述多聚物材料层的表面上形成有多个凸起。
3.根据权利要求2所述的公共层掩膜板，其特征在于，所述凸起为圆柱体、圆台或梯形结构。
4.根据权利要求1所述的公共层掩膜板，其特征在于，所述半刻蚀部朝向所述多聚物材料层的表面上形成有多个凹陷。
5.根据权利要求4所述的公共层掩膜板，其特征在于，所述凹陷为圆柱体、圆台或梯形结构。
6.根据权利要求1所述的公共层掩膜板，其特征在于，所述掩膜板本体由因瓦合金制成。
7.一种公共层掩膜板的制备方法，其特征在于，包括：
将掩膜板本体进行图案化处理形成至少一个开口；
将所述掩膜板本体开口的周边区域弯曲，形成翘曲部，所述掩膜板本体包括使用时朝向基板的第一表面以及背离所述基板的第二表面，所述翘曲部沿指向所述开口的方向向由所述第二表面指向所述第一表面的方向翘曲；
所述将掩膜板本体开口的周边区域弯曲，形成翘曲部，掩膜板本体包括使用时朝向基板的第一表面以及背离基板的第二表面，翘曲部沿指向所述开口的方向向由所述第二表面指向所述第一表面的方向翘曲，包括：
将所述掩膜板本体的开口周边区域进行半刻蚀处理，形成半刻蚀部；
所述将掩膜板本体的开口周边区域进行半刻蚀处理，形成半刻蚀部之后，还包括：
将液体状态的多聚物材料设置在所述半刻蚀部朝向所述第一表面的表面上；
对所述多聚物材料固化处理，形成多聚物材料层。
8.根据权利要求7所述的公共层掩膜板的制备方法，其特征在于，所述将液体状态的多聚物材料设置在所述半刻蚀部朝向所述第一表面的表面上，包括：
通过涂覆或喷墨打印方式将液体状态的多聚物材料设置在半刻蚀部的表面上。
9.根据权利要求7所述的公共层掩膜板的制备方法，其特征在于，所述对多聚物材料固化处理，形成多聚物材料层，包括：
通过加热固化或紫外线光照的方式对多聚物材料进行固化处理。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008091073A (ja) * 2006-09-29 2008-04-17 Seiko Epson Corp マスクおよび有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
CN105990523A (zh) * 2015-03-23 2016-10-05 Ap系统股份有限公司 薄膜形成设备、保护膜形成设备以及薄膜形成方法
CN106521411A (zh) * 2015-09-09 2017-03-22 三星显示有限公司 沉积掩模和制造沉积掩模的方法
CN206204400U (zh) * 2016-10-31 2017-05-31 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种增强型掩膜板
CN108690951A (zh) * 2017-03-31 2018-10-23 乐金显示有限公司 沉积掩模和使用该沉积掩模的沉积设备

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160136492A (ko) * 2015-05-19 2016-11-30 삼성디스플레이 주식회사 마스크 및 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008091073A (ja) * 2006-09-29 2008-04-17 Seiko Epson Corp マスクおよび有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
CN105990523A (zh) * 2015-03-23 2016-10-05 Ap系统股份有限公司 薄膜形成设备、保护膜形成设备以及薄膜形成方法
CN106521411A (zh) * 2015-09-09 2017-03-22 三星显示有限公司 沉积掩模和制造沉积掩模的方法
CN206204400U (zh) * 2016-10-31 2017-05-31 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种增强型掩膜板
CN108690951A (zh) * 2017-03-31 2018-10-23 乐金显示有限公司 沉积掩模和使用该沉积掩模的沉积设备

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