CN106129062B - 绝缘层的制造方法、阵列基板的制造方法及阵列基板 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种绝缘层的制造方法、阵列基板的制造方法及阵列基板，其中绝缘层的制造方法包括步骤：在基板上沉积一绝缘层；对绝缘层进行曝光显影处理，在绝缘层形成第一开口和第二开口，其中第一开口位于绝缘层的第一区域，第二开口位于第二区域；通过光罩对绝缘层的第一区域进行光固化处理；对绝缘层进行高温退火处理。采用本发明的制造方法得到的绝缘层上第一开口处绝缘层不易出现流动变形问题。

Description

绝缘层的制造方法、阵列基板的制造方法及阵列基板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种绝缘层的制造方法、阵列基板的制造方法及阵列基板。
背景技术
液晶面板作为主流显示面板已广泛应用到人们日常生活和工作中，液晶面板通常由阵列基板进行电路控制，以实现显示。阵列基板中通常会使用到有机绝缘层，其能够降低金属电极之间的寄生电容，以降低面板的功耗，还可用于使各个膜层更为平坦化，从而改善面板显示的暗态，提高显示的对比度。
现有技术中，绝缘层上所形成的开口通常会出现的严重的变形，容易导致开口被堵住，绝缘层解析度下降的问题。而阵列基板一般分为显示区域和电路的连接区域，在显示区域部分，绝缘层的开口变形问题会导致显示效果不佳。
发明内容
本发明的目的在于提供一种绝缘层的制造方法、阵列基板的制造方法及阵列基板，以解决现有技术中绝缘层开口容易变形导致显示效果不佳的问题。
为解决上述问题，本发明提出一种绝缘层的制造方法，所述制造方法包括以下步骤：在基板上沉积一绝缘层；对所述绝缘层进行曝光显影处理，在所述绝缘层形成第一开口和第二开口，其中所述第一开口位于所述绝缘层的第一区域，所述第二开口位于所述绝缘层的第二区域；通过光罩对所述绝缘层的第一区域进行光固化处理；对所述绝缘层进行高温退火处理。
其中，所述通过光罩对所述绝缘层的第一区域进行光固化处理的步骤包括：通过光罩对所述第一区域进行紫外线固化处理。
其中，所述在基板上沉积一绝缘层的步骤之后包括：将具有绝缘层的基板在真空中放置一段时间。
其中，所述在基板上沉积一绝缘层的步骤之后包括：对所述绝缘层进行烘烤处理。
其中，所述第一开口的倾斜角大于所述第二开口的倾斜角，所述第一区域为显示区域，所述第二区域为连接区域。
为解决上述问题，本发明提供一种阵列基板的制造方法，所述制造方法包括步骤：在基板上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成像素电极层；所述在基板上形成绝缘层的步骤包括：在基板上沉积一绝缘层；对所述绝缘层进行曝光显影处理，在所述绝缘层形成第一开口和第二开口，其中所述第一开口位于所述绝缘层的第一区域，所述第二开口位于所述绝缘层的第二区域；通过光罩对所述绝缘层的第一区域进行光固化处理；对所述绝缘层进行高温退火处理；所述在所述绝缘层上形成像素电极层的步骤包括：在所述绝缘层的第一区域形成所述像素电极层。
其中，所述通过光罩对所述绝缘层的第一区域进行光固化处理的步骤包括：通过光罩对所述第一区域进行紫外线固化处理。
其中，所述在所述绝缘层上形成像素电极层的步骤包括：在所述绝缘层上沉积一像素电极层；对所述像素电极层进行曝光显影处理，去除所述绝缘层第二区域上沉积的像素电极层。
其中，所述沉积一绝缘层后的步骤包括：对所述绝缘层进行烘烤处理。
为解决上述问题，本发明还提供一种阵列基板，该阵列基板由上述制造方法制得。
本发明绝缘层的制造方法包括步骤：在基板上沉积一绝缘层，对绝缘层进行曝光显影处理，在绝缘层形成第一开口和第二开口，第一开口位于绝缘层的第一区域，第二开口位于绝缘层的第二区域，通过光罩对绝缘层的第一区域进行光固化处理，对绝缘层进行高温退火处理。针对第一区域的第一开口，在高温退火之前进行光固化处理，使得第一区域的第一开口处绝缘层不易出现流动变形的问题。
附图说明
图1是本发明绝缘层的制造方法一实施方式的流程示意图；
图2是图1所示绝缘层的制造方法一实施方式中绝缘层在高温退火处理前后的比较示意图；
图3是本发明阵列基板的制造方法一实施方式的流程示意图；
图4是图3所示阵列基板的制造方法一实施方式制得的阵列基板的结构示意图；
图5是图3所示阵列基板的制造方法一实施方式中绝缘层第二区域对应的阵列基板的俯视图；
图6是图3所示阵列基板的制造方法一实施方式中不同倾斜角的第二开口上像素电极层去除情况的比较示意图；
图7是本发明阵列基板一实施方式的结构示意图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对发明所提供的一种绝缘层的制造方法、阵列基板的制造方法及阵列基板做进一步详细描述。
请参阅图1和图2，图1是本发明绝缘层的制造方法一实施方式的流程示意图，图2是图1所示绝缘层的制造方法一实施方式中绝缘层在高温退火处理前后的比较示意图。
本实施方式绝缘层的制造方法包括以下步骤。
S101：在基板上沉积一绝缘层。
本实施方式绝缘层21的制造是阵列基板制造中的一个工艺，本步骤中基板20不是指阵列基板中单一的某一层，而是指包括玻璃基板、金属层等的广义概念。本步骤中绝缘层21由化学气相沉积法形成在基板20上。
化学气相沉积中一般有溶剂的挥发步骤，本实施方式中将沉积了绝缘层21的基板20于真空中放置一段时间，以加快溶剂的挥发，还可进一步的对绝缘层21进行烘烤处理，或直接在真空中进行烘烤工艺。
S102：对绝缘层进行曝光显影处理。
本步骤S102中，利用光罩对绝缘层21进行曝光显影处理，得到与光罩图案对应的图案化的绝缘层21，即在绝缘层21上形成第一开口211和第二开口212。第一开口211位于绝缘层21的第一区域213，第二开口212位于绝缘层21的第二区域214。
本实施方式中绝缘层21为负型，即采用遮住第一开口211和第二开口212的光罩实现曝光显影，未被光照到的第一开口211和第二开口212被刻蚀，而被光照到的其他部分则发生轻微的交联反应。
S103：通过光罩对绝缘层的第一区域进行光固化处理。
本步骤S103中通过光罩对所述第一区域213进行紫外线固化处理，使得具有第一开口211的绝缘层21第一区域213进一步的发生交联反应，第一区域213能够进一步的被固化，不易发生变形流动。
S104：对绝缘层进行高温退火处理。
本步骤S104中的高温退火处理使绝缘层20充分交联，并且由于步骤S103中已经对第一区域213做了一定的固化，因此本步骤S104中的高温对第一区域213的影响较小，使第一开口211处的绝缘层材料变形回流变得轻微，从而减少第一开口211堵塞等问题。
而对于第二区域214，本实施方式步骤S103中的光罩对应第一区域213处为开放，允许光线照射，而在对应于第二区域214处为遮掩，不允许光线照射；因此步骤S103中被光照射到的第一区域213经过步骤S102的轻微固化和步骤S103的进一步固化，而未被光照射的第二区域214仅仅在步骤S102中发生轻微固化。
因此在步骤S104的高温退火处理后，经过两次固化的第一区域213不易出现回流变形，而仅经过一次固化的第二区域214容易发生回流变形。图2中(A)为高温退火前绝缘层的形状，图2中(B)为高温退火后绝缘层的形状，由图可看出，在经过高温退火处理后，第一开口几乎不出现变形，第二开口212出现回流变形；第一开口211的倾斜角A大于第二开口212的倾斜角B。
本实施方式中第一区域213位于显示区域；第二区域214位于连接区域，即第二区域214位于连接外部驱动IC的连接区域，因此即使第二开口212出现回流变形也不会影响到显示。
需要说明，上述步骤S103和S102中的光罩分别为不同的光罩。对于图2，图2中仅仅表示第一区域213和第二区域214的绝缘层情况，对于两区域之间的情况，图2中的描述并不对其构成限制，可根据实际情况设计第三开口等。
本发明绝缘层的制造方法包括步骤：在基板上沉积一绝缘层，对绝缘层进行曝光显影处理，在绝缘层形成第一开口和第二开口，第一开口位于绝缘层的第一区域，第二开口位于绝缘层的第二区域，通过光罩对绝缘层的第一区域进行光固化处理，对绝缘层进行高温退火处理。针对第一区域的第一开口，在高温退火之前进行光固化处理，使得第一区域的第一开口处绝缘层不易出现流动变形的问题。
进一步的，在对绝缘层进行光固化处理的过程中，利用光罩使第二区域不发生光固化，第一区域与第二区域固化程度不同，因此在高温退火处理过程中，第一开口和第二开口能够出现不同程度的变形回流，使得同一绝缘层上的不同开口能够具有不同的倾斜角。
请参阅图3和图4，图3是本发明阵列基板的制造方法一实施方式的流程示意图，图4是图3所示阵列基板的制造方法一实施方式制得的阵列基板的结构示意图。
本实施方式阵列基板的制造方法主要包括形成绝缘层以及在绝缘层上形成像素电极层，具体来说包括以下步骤。
S301：在基板上沉积一绝缘层。
本实施方式中在基板40上采用化学气相沉积一绝缘层41，并将沉积了绝缘层41的基板40放置于真空中加快溶剂的挥发，还可对绝缘层41进行烘烤处理，或直接在真空中进行烘烤工艺。
S302：对绝缘层进行曝光显影处理。
在绝缘层41上形成第一开口411和第二开口412，其中第一开口411位于绝缘层41的第一区域413，第二开口412位于绝缘层41的第二区域414。
S303：通过光罩对绝缘层的第一区域进行光固化处理。
通过光罩对第一区域413进行紫外线固化处理。
S304：对绝缘层进行高温退火处理。
上述步骤S301-S304与上述实施方式绝缘层制造方法中的步骤S101-S104类似，具体不再赘述。
S305：在绝缘层上形成像素电极层。
本步骤S305实现了在绝缘层41的第一区域413形成像素电极层42。
对于位于连接区域的第二区域414，则不需要形成像素电极层42。具体请参阅图5，图5是图3所示阵列基板的制造方法一实施方式中绝缘层第二区域对应的阵列基板的俯视图。
其中连接区域设置有金属条43，用于连接外部驱动IC。为防止金属条43被氧化，会在金属条43上也覆盖像素电极层42。像素电极层42一般采用抗氧化性较好的MoTi合金或ITO。
因此在本步骤S305中形成像素电极层的具体过程是：首先在绝缘层41上沉积一像素电极层42；然后对像素电极层42进行曝光显影处理，以在位于显示区域的第一区域413上形成像素电极层42以实现显示，并在位于连接区域的金属条43上形成像素电极层42以实现抗氧化性保护。
为防止金属条43因为像素电极层42连接在一起，因此连接区域中的第二区域414不能残留像素电极层42，即在对像素电极层42进行曝光显影处理时，需要去除绝缘层第二区域414上沉积的像素电极层42。
对于第二开口412，若其倾斜角过大，则像素电极层42容易出现残留，如图6所示，图6是图3所示阵列基板的制造方法一实施方式中不同倾斜角的第二开口上像素电极层去除情况的比较示意图。
图6中(A)第二开口412的倾斜角较大，因此第二开口412拐角处像素电极层42的厚度C过大，在去除绝缘层第二区域414上沉积的像素电极层42时，第二开口412的拐角处容易出现像素电极层42的残留。而当第二开口412的倾斜角较小时，即图6中的(B)，第二开口412拐角处像素电极层42的厚度D与其他位置的厚度近似，因此在去除绝缘层第二区域414上沉积的像素电极层42时，第二开口412的拐角处不易出现像素电极层42的残留。
因此本实施方式步骤S303中，通过光罩对绝缘层41进行光固化处理，使第一区域413得到进一步的固化，第二区域414未接受光照，仅仅在步骤S302中发生轻微固化。
继而在步骤S304的高温退火处理中，经过两次固化的第一区域413不易出现回流变形，而仅经过一次固化的第二区域414容易发生回流变形。使得第一开口413的倾斜角保持较大的状态，从而保证显示区域第一开口413的分辨率，容易形成像素电极层42，利于显示效果；同时使得第二开口414的倾斜角变小，在去除连接区域第二开口414处的像素电极时，不易出现残留。
本发明阵列基板的制造方法所得到的阵列基板中绝缘层在曝光显影得到开口后，进行高温退火之前对其实施选择性的光固化处理，使其在高温退火时受到高温作用发生不同程度的变形。一个阵列基板上根据不同的区域形成不同倾斜角的开口，相应的提高了阵列基板的质量。
请参阅图7，图7是本发明阵列基板一实施方式的结构示意图。本实施方式阵列基板700包括基板71，形成在基板71上的绝缘层72，绝缘层72第一区域723具有第一开口721，绝缘层72第二区域724具有第二开口722，在第一区域723上形成有像素电极层73。
本实施方式阵列基板700与上述实施方式阵列基板的制造方法制得的阵列基板类似，具体不再赘述。
以上所述仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (9)

1.一种绝缘层的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括以下步骤：
在基板上沉积一绝缘层；
对所述绝缘层进行曝光显影处理，在所述绝缘层形成第一开口和第二开口，其中所述第一开口位于所述绝缘层的第一区域，所述第二开口位于所述绝缘层的第二区域；所述第一开口的倾斜角大于所述第二开口的倾斜角，所述第一区域位于显示区域，所述第二区域位于连接区域；
通过光罩对所述绝缘层的第一区域进行光固化处理；
对所述绝缘层进行高温退火处理。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述通过光罩对所述绝缘层的第一区域进行光固化处理的步骤包括：
通过光罩对所述绝缘层的第一区域进行紫外线固化处理。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在基板上沉积一绝缘层的步骤之后包括：
将具有绝缘层的基板在真空中放置一段时间。
4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在基板上沉积一绝缘层的步骤之后包括：
对所述绝缘层进行烘烤处理。
5.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括步骤：在基板上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成像素电极层；
所述在基板上形成绝缘层的步骤包括：
在基板上沉积一绝缘层；
对所述绝缘层进行曝光显影处理，在所述绝缘层形成第一开口和第二开口，其中所述第一开口位于所述绝缘层的第一区域，所述第二开口位于所述绝缘层的第二区域；所述第一开口的倾斜角大于所述第二开口的倾斜角，所述第一区域位于显示区域，所述第二区域位于连接区域；通过光罩对所述绝缘层的第一区域进行光固化处理；
对所述绝缘层进行高温退火处理；
所述在所述绝缘层上形成像素电极层的步骤包括：
在所述绝缘层的第一区域形成所述像素电极层。
6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述通过光罩对所述绝缘层的第一区域进行光固化处理的步骤包括：
通过光罩对所述绝缘层的第一区域进行紫外线固化处理。
7.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述在所述绝缘层上形成像素电极层的步骤包括：
在所述绝缘层上沉积一像素电极；
对所述像素电极进行曝光显影处理，去除所述绝缘层第二区域上沉积的像素电极。
8.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述沉积一绝缘层后的步骤包括：
对所述绝缘层进行烘烤处理。
9.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板由权利要求5-8中任一项制造方法制得。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105977148A (zh) * 2016-07-01 2016-09-28 深圳市华星光电技术有限公司 绝缘层的制造方法、阵列的制造方法及阵列基板
CN109192858B (zh) * 2018-09-19 2020-04-28 京东方科技集团股份有限公司 柔性基板、阵列基板、显示面板及制备方法和显示装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1575525A (zh) * 2001-10-22 2005-02-02 三星电子株式会社 半导体装置接触部及其制造方法和包括该接触部的用于显示器的薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
CN102193316A (zh) * 2010-03-15 2011-09-21 富士胶片株式会社 正型感光性树脂组合物、固化膜的形成方法、固化膜、有机el显示装置以及液晶显示装置
CN102237306A (zh) * 2010-05-06 2011-11-09 北京京东方光电科技有限公司 液晶显示基板及其制造方法和液晶显示器
CN104808439A (zh) * 2014-01-24 2015-07-29 三星显示有限公司 光致抗蚀剂组合物及制造薄膜晶体管基板的方法
CN105140233A (zh) * 2015-07-27 2015-12-09 深圳市华星光电技术有限公司 低温多晶硅阵列基板及其制造方法、显示装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1575525A (zh) * 2001-10-22 2005-02-02 三星电子株式会社 半导体装置接触部及其制造方法和包括该接触部的用于显示器的薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
CN102193316A (zh) * 2010-03-15 2011-09-21 富士胶片株式会社 正型感光性树脂组合物、固化膜的形成方法、固化膜、有机el显示装置以及液晶显示装置
CN102237306A (zh) * 2010-05-06 2011-11-09 北京京东方光电科技有限公司 液晶显示基板及其制造方法和液晶显示器
CN104808439A (zh) * 2014-01-24 2015-07-29 三星显示有限公司 光致抗蚀剂组合物及制造薄膜晶体管基板的方法
CN105140233A (zh) * 2015-07-27 2015-12-09 深圳市华星光电技术有限公司 低温多晶硅阵列基板及其制造方法、显示装置

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