CN106233457A - 用于集成电路组件的模塑复合壳体 - Google Patents
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- 238000000465 moulding Methods 0.000 title claims abstract description 83
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 116
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 70
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 70
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 53
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 45
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 45
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 44
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
- -1 Diol ester Chemical class 0.000 claims description 16
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 claims description 9
- 229920002725 thermoplastic elastomer Polymers 0.000 claims description 9
- 239000004676 acrylonitrile butadiene styrene Substances 0.000 claims description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 8
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 7
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 7
- 229920002292 Nylon 6 Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 claims description 6
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 claims description 6
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 claims description 6
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 claims description 6
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 6
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- 229920005669 high impact polystyrene Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004797 high-impact polystyrene Substances 0.000 claims description 6
- 229920001684 low density polyethylene Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004702 low-density polyethylene Substances 0.000 claims description 6
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 claims description 6
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 claims description 6
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 6
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 6
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 claims description 6
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims description 6
- SCUZVMOVTVSBLE-UHFFFAOYSA-N prop-2-enenitrile;styrene Chemical compound C=CC#N.C=CC1=CC=CC=C1 SCUZVMOVTVSBLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229920000638 styrene acrylonitrile Polymers 0.000 claims description 6
- 230000035924 thermogenesis Effects 0.000 claims description 6
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 claims description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004433 Thermoplastic polyurethane Substances 0.000 claims description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims description 4
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims description 4
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 claims description 4
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920006491 ABS+PC Polymers 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920000571 Nylon 11 Polymers 0.000 claims description 3
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 claims description 3
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N acetaldehyde Diethyl Acetal Natural products CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000002777 acetyl group Chemical class [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001026 inconel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 3
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 claims description 3
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 3
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 claims description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N Terephthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 22
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 17
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 17
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 13
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 11
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 229920001903 high density polyethylene Polymers 0.000 description 6
- 239000004700 high-density polyethylene Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 4
- XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N acrylonitrile butadiene styrene Chemical compound C=CC=C.C=CC#N.C=CC1=CC=CC=C1 XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 4
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 239000000109 continuous material Substances 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229920001596 poly (chlorostyrenes) Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQVHMOLNSYFXIJ-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-1-[2-oxo-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethyl]pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C=1C(=NN(C=1)CC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O)C(=O)O PQVHMOLNSYFXIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011188 CEM-1 Substances 0.000 description 1
- 239000011190 CEM-3 Substances 0.000 description 1
- 101100257127 Caenorhabditis elegans sma-2 gene Proteins 0.000 description 1
- 229920000742 Cotton Polymers 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010426 asphalt Substances 0.000 description 1
- 230000035559 beat frequency Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000009954 braiding Methods 0.000 description 1
- 239000011469 building brick Substances 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004567 concrete Substances 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 201000006549 dyspepsia Diseases 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 238000009415 formwork Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000002372 labelling Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000005058 metal casting Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229950000845 politef Drugs 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- KUCOHFSKRZZVRO-UHFFFAOYSA-N terephthalaldehyde Chemical compound O=CC1=CC=C(C=O)C=C1 KUCOHFSKRZZVRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
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- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
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- G—PHYSICS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4803—Insulating or insulated parts, e.g. mountings, containers, diamond heatsinks
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- H01L21/4803—Insulating or insulated parts, e.g. mountings, containers, diamond heatsinks
- H01L21/481—Insulating layers on insulating parts, with or without metallisation
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- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
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- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L24/17—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of a plurality of bump connectors
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- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
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- H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
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- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16113—Disposition the whole bump connector protruding from the surface
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
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- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/92122—Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector
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- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
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- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
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- H01L2924/161—Cap
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Abstract
本公开内容的实施例针对用于集成电路(IC)组件的模塑复合壳体。在一个实施例中,用于集成电路(IC)组件的壳体可以包括具有本体部分和侧部部分的模塑盖结构,该侧部部分从本体部分延伸并且形成被配置为容纳IC组件的腔,其中,本体部分和侧部部分共享包括聚合物的连续内部材料并且共享包括金属的连续外部材料,连续内部材料具有形成在本体部分中的开口,以使得IC组件能够通过开口与连续外部材料热耦合。可以描述和/或请求保护其它实施例。
Description
技术领域
本公开内容的实施例总体上涉及集成电路的领域,并且更具体而言,涉及用于集成电路(IC)组件的模塑复合壳体。
背景技术
当前,用于电子组件(举例来说,例如固态驱动器(SSD))的壳体可以包括铸造金属结构。然而,铸造金属结构制造成本高,可具有相对较高的质量或较低的刚度,可能需要装饰性修整,和/或可能不允许诸如无螺丝设计之类的紧固特征的集成。
附图说明
通过以下具体描述结合附图,将容易地理解实施例。为了便于该描述,类似的附图标记指代类似的结构元件。在附图的图中通过举例的方式而不是通过限制的方式例示了实施例。
图1示意性地例示了根据一些实施例的用于集成电路(IC)组件的示例壳体的横截面侧视图。
图2示意性地例示了根据一些实施例的模塑盖结构的透视图。
图3示意性地例示了根据一些实施例的具有形成在内部部分中的多个开口的模塑盖结构的透视图。
图4示意性地例示了根据一些实施例的模塑盖结构的部分的横截面透视图。
图5示意性地例示了根据一些实施例的在根据第一技术的各个制造阶段期间的盖结构。
图6示意性地例示了根据一些实施例的在根据第二技术的各个制造阶段期间的盖结构。
图7示意性地例示了根据一些实施例的制造用于IC组件的壳体的方法的流程图。
图8示意性地例示了根据一些实施例的包括如本文中所描述的IC组件的壳体的计算设备。
具体实施方式
本公开内容的实施例描述了用于集成电路(IC)组件的模塑复合壳体。在以下描述中,将使用本领域技术人员通常采用的术语来描述例示性实施方式的各个方面,以将它们的工作的实质传达给本领域其它技术人员。然而,对于本领域技术人员将显而易见的是,在仅有所描述的方面中的一些方面的情况下,可以实施本公开内容的实施例。出于解释的目的,阐述了具体的数量、材料、和配置,以便提供对例示性实施方式的透彻理解。然而,对于本领域技术人员将显而易见的是,可以在没有该具体细节的情况下实施本公开内容的实施例。在其它实例中,省略或简化了公知的特征,以便不会使例示性实施方式难以理解。
在以下具体实施方式中,参考了形成本文的部分的附图,其中,类似的附图标记贯穿说明书指代类似部分,并且其中,通过例示实施例的方式进行了示出,在该例示实施例中可以实践本公开内容的主题。应当理解的是,可以在不脱离本公开内容的范围的情况下,可以利用其它实施例并且可以做出结构或逻辑改变。因此,以下具体实施方式并非在限制意义上给出,并且由所附权利要求及其等效形式来限定实施例的范围。
出于本公开内容的目的,短语“A和/或B”表示(A)、(B)、或(A和B)。出于本公开内容的目的,短语“A、B、和/或C”表示(A)、(B)、(C)、(A和B)、(A和C)、(B和C)、或(A、B、和C)。
说明书可以使用基于视角的描述,例如顶部/底部、内部/外部、上方/下方、等等。这些描述仅仅用于便于讨论而并非旨在将本文中所描述的实施例的应用限制到任何特定方位。
说明书可以使用短语“在实施例中”、或者“在多个实施例中”,其均可以指代相同或不同实施例中的一个或多个实施例。此外,如关于本公开内容的实施例所使用的术语“包括”、“包含”、“具有”、等等是同义词。
可以在本文中使用术语“与……耦合”及其派生词。“耦合”可以表示以下意义中的一个或多个。“耦合”可以表示两个或更多个元件处于直接的物理、热或电接触。然而,“耦合”还可以表示两个或更多个元件彼此间接接触,但依然彼此协作或相互作用,并且可以表示一个或多个其它元件在被称为彼此耦合的元件之间耦合或连接。
在各实施例中,短语“在第二特征上形成、沉积、或以其它方式设置第一特征”可以表示第一特征形成、沉积、或设置在第二特征上方,并且第一特征的至少部分可以与第二特征的至少部分直接接触(例如,直接物理接触和/或电接触)或间接接触(例如,在第一特征与第二特征之间具有一个或多个其它特征)。
如本文中所使用的,术语“模块”可以指代执行一个或多个软件或固件程序的专用集成电路(ASIC)、电子电路、片上系统(SoC)、处理器(共享、专用、或组)、和/或存储器(共享、专用、组)、组合逻辑电路、和/或提供所描述的功能的其它适当的部件,术语“模块”可以是它们中的部分或者可以包括它们。
图1示意性地例示了根据一些实施例的用于集成电路(IC)组件100的示例性壳体150的横截面侧视图。根据各实施例,壳体150包括盖部分152和基部部分154。盖部分152和基部部分154可以耦合在一起以容纳IC组件100。壳体150和IC组件100的部件可以未按比例绘制。
根据各实施例,盖部分152(例如,盖结构)可以包括模塑的、复合结构。例如,在一些实施例中,盖部分152可以包括由聚合物组成的内部部分152a以及由金属组成的外部部分152b。内部部分152a和外部部分152b可以被成形(例如,模塑)为提供本体部分152c和侧部部分152d。如可以看到的,本体部分152c可以延伸以覆盖IC组件100,并且侧部部分152d可以从本体部分152c延伸以形成容纳IC组件100的腔133。
内部部分152a和外部部分152b均可以是通过模塑工艺成型的连续材料结构。例如,内部部分152a可以包括包含聚合物的单个、连续材料结构,并且外部部分152b可以包括包含金属的单个、连续材料结构。本体部分152c和侧部部分152d可以共享内部部分152a和外部部分152b。就这点而言,本体部分152c和侧部部分152d可以共享聚合物的连续内部材料和金属的连续外部材料。
根据各实施例,连续的内部材料(例如,内部部分152a)可具有形成在本体部分152c中的开口130。IC组件100可以包括生热元件(例如,管芯102),其通过开口130与连续的外部材料(例如,外部部分152b)热耦合,如可见的。尽管在图1的实施例中描绘了单个开口130,但在其它实施例中,可以穿过内部部分152a形成与开口130类似的多个开口,以允许IC组件的其它生热元件或其它功率耗散设备通过多个开口的相应开口与外部部分152b热耦合。IC组件100的生热元件可以包括各种各样的设备,例如包括一个或多个管芯(例如,管芯102)的电路。在一些实施例中,IC组件100可以使用热界面材料(举例来说,例如相变、导热脂、导电热塑性或热固性和/或粘合材料、粘合剂)来与外部部分152b的金属热耦合。外部部分152b可以由用作远离IC组件100的吸热器或热通路的金属组成。
在一些实施例中,内部部分152a可以由聚合物组成,举例来说,聚合物例如为ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯)、ABS+PC(ABS+聚碳酸酯)、乙缩醛(POM)、丙烯酸(PMMA)、LCP(液晶聚合物)、PA-尼龙6(聚酰胺)、PA-尼龙6/6(聚酰胺)、PA-尼龙11(聚酰胺)、PBT(聚对苯二甲酸丁二醇酯)、PC(聚碳酸酯)、PEI(聚醚酰亚胺)、PE(聚乙烯)、LDPE(低密度聚乙烯)、HDPE(高密度聚乙烯)、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PP(聚丙烯)、PPA(聚邻苯二甲酰胺)、PPS(聚苯硫醚)、PS(聚苯乙烯)、HIPS(耐冲击聚苯乙烯)、PSU(聚砜)、PU(聚氨酯)、PVC(聚氯乙烯)、PVDF(聚偏二氟乙烯)、SAN(苯乙烯丙烯晴)、TPE(热塑性弹性体)或TPU(热塑性聚氨酯)。在一些实施例中,外部部分152b可以由金属组成举例来说,金属例如为铝(Al)、铁(Fe)、钛(Ti)、铜(Cu)、镍(Ni)、镁(Mg)、不锈钢、铬镍铁合金、或以合金形式的各种金属的适当组合。根据各实施例,金属可以被镀覆(例如,两种金属扩散接合在一起)或不被镀覆。在其它实施例中,内部部分152a和外部部分152b可以由其它适当的材料组成。在一些实施例中,底料材料(例如,图4中的底料材料152e)可以被设置在内部部分152a与外部部分152b之间,以促进内部部分152a与外部部分152b之间的粘合(adhesive)。结合图4来进一步描述底料材料的技术和配置。
壳体150还可以包括与盖部分152耦合的基部部分154(例如,基部结构)。在一些实施例中,基部部分154可以包括基本上平坦的结构,该结构被配置为与盖部分152的侧部部分152d耦合。当基部部分154与盖部分152耦合时,腔133可以提供空间以容纳IC组件100。在一些实施例中,基部部分154可以使用一个或多个紧固机构156(例如,扣接结构)来与盖部分152附接(例如,永久地或可移除地耦合),该一个或多个紧固机构156可以整体地形成为模塑工艺的部分以提供无螺丝附接。基部部分154和盖部分152可以使用其它紧固机构(举例来说,例如在其它实施例中,通过超声波焊接所形成的接头)耦合在一起。在一些实施例中,壳体150可以气密地或者环境性密封,以提供对IC组件100的保护而免受环境因素或处理的影响。例如,在一些实施例中,盖部分152的聚合物部分可以与基部部分154的聚合物部分耦合。
在一些实施例中,IC组件100可以被设置在基部部分154与盖部分152之间。在一些实施例中,IC组件100可以使用任何适当的技术(例如,包括使用粘合剂)来与基部部分154耦合。IC组件可以表示各种各样适当的IC设备,例如在一个实施例中包括固态驱动器(SSD)的元件。在一些实施例中,壳体150和IC组件100可以表示固态驱动器。
在一些实施例中,IC组件100可以包括与封装衬底121电气耦合和/或物理耦合的一个或多个管芯(此后为“管芯102”)。管芯102可以表示使用半导体制造技术(例如,结合形成互补型金属-氧化物-半导体(CMOS)器件所使用的薄膜沉积、光刻、蚀刻、等等)由半导体材料(例如,硅)制成的分立产品。在一些实施例中,管芯102可以是处理器、存储器、SoC、或ASIC,可以包括这些元件或者是其部分。
在一些实施例中,底部填充材料108(有时被称为“包封剂”)可以被设置在管芯102与封装衬底121之间,以促进管芯102和封装衬底121的粘合和/或保护特征。底部填充材料108可以由电绝缘材料组成,并且可以包封管芯102和/或管芯级互连结构106的至少部分,如可以看到的。在一些实施例中,底部填充材料108与管芯级互连结构106直接接触。
根据各种适当的配置,管芯102可以附接到封装衬底122,包括例如在倒装芯片配置中与封装衬底121直接耦合,如所描绘的。在倒装芯片配置中,包括有源电路的管芯102的有源侧S1使用管芯级互连结构106(例如,也可以使管芯102与封装衬底121电耦合的凸块、柱、或其它适当的结构)附接到封装衬底121的表面。管芯102的有源侧S1可以包括晶体管器件,并且无源侧S2可以被设置为与有源侧S1相对,如可以看到的。
管芯102可以通常包括半导体衬底102a、一个或多个器件层(下文中“器件层102b”)、以及一个或多个互连层(下文中“互连层102c”)。半导体衬底102a可以实质上由体半导体材料(在一些实施例中,举例来说,例如硅)组成。器件层102b可以表示在该处诸如晶体管器件之类的有源器件形成在半导体衬底102a上的区域。器件层102b可以包括例如,诸如晶体管器件的沟道体和/或源极/漏极区之类的结构。互连层102c可以包括被配置为向器件层102b中的有源器件路由电信号或者从器件层102b中的有源器件路由电信号的互连结构。例如,互连层102c可以包括沟槽和/或过孔以提供电路由和/或电接触。
在一些实施例中,管芯级互连结构106可以被配置为在管芯102与其它电器件之间路由电信号。电信号可以包括例如输入/输出(I/O)信号和/或电源/地信号,这些信号结合管芯102的操作而被使用。
在一些实施例中,封装衬底121是基于环氧树脂的层叠衬底,其具有核和/或层积层,举例来说,例如Ajinomoto层积膜(ABF)衬底。在其它实施例中,封装衬底121可以是电路板,举例来说例如使用任何适当的PCB技术形成的印刷电路板(PCB)。例如,PCB可以包括例如由以下材料组成的电绝缘层:例如聚四氟乙烯、酚醛树脂棉纸材料(例如,阻燃剂4(FR-4)、FR-1、棉纸)、以及环氧树脂材料(例如,CEM-1或CEM-3)、或者使用环氧树脂预浸材料层叠在一起的编织玻璃材料。在其它实施例中,PCB可以由其它适当的材料组成。在其它实施例中,封装衬底121可以包括其它适当类型的衬底,包括例如,由玻璃、陶瓷、或半导体材料组成的衬底。
封装衬底121可以用作插入器以在管芯102与其它部件(举例来说,例如,无源器件(例如,无源器件104)或IC组件100外部的其它管芯或部件)之间路由电信号。封装衬底121可以包括被配置为向管芯102路由电信号或者从管芯102路由电信号的电路由特征。电路由特征可以包括例如被设置在封装衬底121的一个或多个表面上的焊盘或迹线(未示出)和/或内部路由特征(未示出),举例来说该内部路由特征例如是沟槽、过孔、或用于路由电信号经过封装衬底121的其它互连结构。例如,在一些实施例中,封装衬底121可以包括被配置为接收管芯102的相应的管芯级互连结构106的电路由特征,例如焊盘(未示出)。
在其它实施例中,IC组件100可以包括各种各样的其它适当的配置,例如包括倒装芯片和/或引线接合配置、插入器、多芯片封装配置(包括系统级封装(system-in-package)(SiP)和/或层叠封装(PoP)配置)。在一些实施例中,可以使用用于在IC组件100的管芯102与其它部件之间路由电信号的其它适当的技术。
在一些实施例中,壳体150可具有矩形轮廓,如可以看到的。在一些实施例中,盖部分152和/或基部部分154可具有矩形轮廓(例如,当从顶视图或底视图看时)。在其它实施例中,壳体150可具有其它适当的轮廓形状。
图2示意性地示出了根据一些实施例的模塑盖结构200的透视图。模塑盖结构200可以表示图1中的盖部分152,并可以适合于结合图1中的盖部分152所描述的实施例。根据各实施例,模塑盖结构200可以包括内部部分152a和外部部分152b。开口130可以形成在内部部分152a中,以允许IC组件(例如,图1中的IC组件100)通过开口130与外部部分152b的热耦合。当IC组件被容纳在模塑盖结构内时,外部部分152b可以用作为用于IC组件的导热壳。
在一些实施例中,模塑盖结构200可以通过使用模塑工艺(举例来说,例如,注入模塑工艺)来形成。内部部分152a可以通过聚合物在外部部分152b的金属上的直接模塑来形成。在一些实施例中,聚合物和金属的组合可具有大于铸镁的组合刚度。在一些实施例中,外部部分152b可以包括多层金属。例如,外部部分152b可以包括主金属层(例如,铝),并且镀覆层(例如,钛或不锈钢)可以形成在主金属层上(例如,通过扩散接合工艺)。在一些实施例中,外部部分152b的厚度可以在外部部分152b和内部部分152a的总组合厚度的大约5%与20%之间(例如,10%)。在其它实施例中,外部部分152b可具有其它适当的厚度。
根据各实施例,模塑盖结构200可以提供与当前的铸造金属壳体相比刚度较高和质量较低的壳体。模塑盖结构200还可以有助于通过开口130的热耗散。相对于金属铸造工艺来提供IC组件的壳体而言,通过模塑工艺来形成模塑盖结构200的金属-聚合物复合结构可以提供大量成本节约。此外,模塑盖结构200可以允许IC组件的部件插入通过模塑盖结构200形成的壳体的壁中(例如,图1中的壳体150中的开口130),这可以使壳体的厚度(例如,图1中的厚度T)相对于铸造金属壳体而言减小~0.5毫米或更多,从而提供具有减小的Z高度的壳体。
另外,相对于铸造金属壳体,模塑盖结构200可以不需要之后的装饰性修整,并且允许(如果期望的话)外部部分152b的阳极化(例如,在模塑之后)。模塑盖结构200可以为仅由聚合物形成的壳体提供良好的热解决方案。模塑工艺可以允许增加的内部模塑特征能力,举例来说,例如,诸如紧固机构(例如,图1中的一个或多个紧固机构156)(包括例如,无螺丝机构)之类的特征的集成。可以针对各种机械、装饰和/或成本考虑来选择外部部分152b的金属,举例来说,例如,铝、钛、镀覆物、等等。此外,相对于诸如具有机器加工的二次特征和二次装饰性修整的机器加工或铸造底盘(chassis)之类的壳体,模塑盖结构200可以提供具有较高的拍频速率(beat rate)(例如,周期)的壳体。
图3示意性地示出了根据一些实施例的具有形成在内部部分152a中的多个开口130a、130b的模塑盖结构300的透视图。模塑盖结构300可以适合于结合图2中的模塑盖结构200所描述的实施例。在一些实施例中,多个开口130a、130b可以被形成为穿过内部部分152a,以允许IC组件(例如,图1中的IC组件100)的其它生热元件通过多个开口130a、130b的相应开口与外部部分152b热耦合。在其它实施例中,开口130a、130b可以具有除了所描绘的形状以外的其它适当的形状。
图4示意性地示出了根据一些实施例的模塑盖结构(图2或图3中的模塑盖结构200或300)的部分400的横截面透视图。根据各实施例,底料材料152e可以被设置在模塑盖结构的内部部分152a与外部部分152b之间。
在一些实施例中,底料材料152e可以包括聚合物底料系统,举例来说,例如环氧树脂。在一些实施例中,聚合物底料系统可以包括其它适当的热固性材料和/或热塑性塑料,它们可具有与内部部分152a的聚合物不同的材料组分。在其它实施例中,底料材料152e可以包括纳米结构的金属氧化物,举例来说,例如包括多孔氧化铝的氧化铝。内部部分152a的聚合物可以填充纳米结构的氧化物中的孔,以增强粘合。在其它实施例中,底料材料152e可以包括其它适当的材料。
图5示意性地示出了根据一些实施例在根据第一技术的各制造阶段期间的盖结构(例如,图2或图3中的模塑盖结构200或300)。在500a处,描绘了在使金属成形为盖结构的形状之后包括有金属的外部部分152b。外部部分152b可以例如通过对金属箔冲压并使其形成为期望形状来成形。
在500b处,描绘了在将成形的金属放置在模具590中之后的外部部分152b。模具590可以夹紧以在注入模塑工艺期间使外部部分152b保持在适当位置。在一些实施例中,夹紧机构可以被配置为允许金属在聚合物的沉积期间滑动以限制金属上的应力。
在500c处,描绘了在使用注入模塑工艺在外部部分152b上沉积内部部分152a的聚合物之后的外部部分152b。在一些实施例中,可以通过在注入模塑工艺期间、在期望的相应一个或多个开口的区域中抵靠外部部分152b夹紧一个或多个模塑块来在内部部分152a中形成一个或多个开口(例如,图2中的开口130)。
在一些实施例中,在外部部分152b上沉积内部部分152的聚合物之前,可以在外部部分152b的表面上沉积底料材料(未示出),以促进聚合物与外部部分152b的金属的粘合。
在500d处,描绘了在从模具590中移除盖结构之后的盖结构。在一些实施例中,在从模具590中移除盖结构之后,盖结构可以被去毛边、清洗和/或阳极化。
图6示意性地示出了根据一些实施例的在根据第二技术的各制造阶段期间的盖结构(例如,图2或图3中的模塑盖结构200或300)。在600a处,描绘了在将金属膜放置在模具590中之后包括有金属的外部结构152b。在一些实施例中,金属膜可以不以盖结构的形式来成形。例如,在一些实施例中,金属膜可以是基本上平坦的或者是某种其它形状。
在600b处,描绘了在使金属成形以提供盖结构的形式的外部部分152b并同时使用注入模塑工艺在金属上沉积聚合物以提供内部部分152a之后的外部部分152b。例如,金属膜可以被夹紧在模具中,并且可以在高压下注入聚合物,这可以使得金属的形状被模塑成模具590的预先存在的形状,如可以看到的。
在一些实施例中,可以通过在注入模塑工艺期间、在期望的相应一个或多个开口的区域中抵靠外部部分152b夹紧一个或多个浮置模具块,来在内部部分152a中形成一个或多个开口(例如,图2中的开口130)。浮置模具块可以跟随金属膜从600a处的初始位置到600b处的成形位置。
在一些实施例中,在外部部分152b上沉积内部部分152a的聚合物之前,可以在外部部分152b的表面上沉积底料材料(未示出),以促进聚合物与外部部分152b的金属的粘合。
在600c处,描绘了在从模具590中移除盖结构之后的盖结构。
图7示意性地示出了根据一些实施例制造用于IC组件(例如,图1的IC组件100)的壳体(例如,图1的壳体150)的方法700的流程图。方法700可以适合于结合图1-6所描述的技术,反之亦然。
在702处,方法700可以包括:使用模塑工艺来形成复合盖结构(例如,图2或图3的模塑盖结构200)。根据各个实施例,可以根据结合图5或图6所描述的技术来形成复合盖结构。例如,形成复合盖结构可以包括:使金属成形以提供复合盖结构的侧部部分(例如,图1的侧部部分152d)和本体部分(例如,图1的本体部分152c)的外部(例如,图5的外部部分152b);以及在金属上沉积聚合物以提供本体部分和侧部部分的内部(例如,图5的内部部分152a)。
在一些实施例中,使金属成形和沉积聚合物可以在注入模塑工艺期间同时执行。例如,沉积聚合物可以使金属成形以提供本体部分和侧部部分的外部(例如,如结合图6所描述的)。
形成复合盖结构还可以包括:在本体部分中形成一个或多个开口(例如,图3的开口130a、130b),以使得IC组件可以通过开口与外部部分热耦合。例如,可以使用模塑插入块来形成一个或多个开口,以便当在金属上沉积聚合物时防止聚合物在将要形成一个或多个开口的区域中被沉积在金属上。
在一些实施例中,形成复合盖结构还可以包括:在沉积聚合物之前在金属上提供底料材料(例如,图4的底料材料152e),以促进聚合物与金属之间的粘合。在一些实施例中,形成复合盖结构还可以包括:形成紧固机构(例如,图1的一个或多个紧固机构156)的元件,其被配置为与基部结构上的紧固机构的相应元件耦合或配合。
在704处,方法700可以包括提供基部结构(例如,图1的基部部分154。在一些实施例中,提供基部结构可以包括:根据任何适当的技术来形成基部结构。基部结构可以包括例如被配置为与用于容纳IC组件的复合盖结构耦合的任何适当的材料结构。在一些实施例中,基部结构可以包括被配置为与复合盖结构上的紧固机构的相应元件耦合或配合的紧固机构(例如,图1的一个或多个紧固机构156)的元件。
在706处,方法700可以包括:将IC组件与基部结构耦合。可以使用任何适当的技术将IC组件与基部结构耦合,例如包括粘合剂、机械紧固件,或者以其它方式将IC组件相对于基部结构放置,以使得当复合盖结构和基部结构耦合在一起时,IC组件被容纳在复合盖结构与基部结构之间的腔(例如,图1的腔133)内。
在708处,方法700可以包括:将基部结构与复合盖结构耦合。可以使用任何适当的技术将基部结构与复合盖结构耦合,例如包括使用集成的紧固机构,其中该集成的紧固机构可以作为702处的模塑工艺的一部分而形成。在一些实施例中,将基部结构与复合盖结构耦合可以包括:使用扣接紧固件(snap fastener)将基部结构与盖结构永久地附着(affix)。
在一些实施例中,基部结构与盖结构耦合,以使得IC组件通过形成在内部部分中的一个或多个开口与外部部分热耦合。例如,IC组件可以使用热粘合或任何其它适当的技术与外部部分热耦合。以最有助于理解所要求保护的主题的方式将各个操作描述成依次的多个分立操作。然而,描述的顺序不应当被解释为暗示这些操作必需依赖于顺序。例如,在一些实施例中,704和706处的动作可以在结合702所描述的动作之前、之后或与其同时执行。方法700可以包括其它适当的顺序的变型。
可以在使用任何适当硬件和/或软件的按需配置的系统中实现本公开内容的实施例。图8示意性地示出了根据一些实施例的包括如本文所描述的用于IC组件(例如,图1的IC组件100)的壳体(例如,图1的壳体150)的计算设备800。计算设备800可以容纳板,例如母板802(例如,在壳体808中)。母板802可以包括多个部件,包括但不限于,处理器804和至少一个通信芯片806。处理器804可以物理地耦合并电耦合到母板802。在一些实施方式中,至少一个通信芯片806也可以物理地耦合并电耦合到母板802。在其它实施方式中,通信芯片806可以是处理器804的部分。术语“处理器”可以指代对来自寄存器和/或存储器的电子数据进行处理以将该电子数据转换为可以被储存在寄存器和/或存储器中的其它电子数据的任何设备或设备的部分。
取决于计算设备800的应用,计算设备800可以包括其它部件,这些其它部件可能或者可能没有物理地耦合并电耦合到母板802。这些其它部件可以包括,但不限于,易失性存储器(例如,DRAM)、非易失性存储器(例如,ROM)、闪存、图形处理器、数字信号处理器、密码处理器、芯片组、天线、显示器、触摸屏显示器、触摸屏控制器、电池、音频编解码器、视频编解码器、功率放大器、全球定位系统(GPS)设备、指南针、Geiger计数器、加速计、陀螺仪、扬声器、照相机、以及大容量储存设备(例如,硬盘驱动器、压缩盘(CD)、数字多功能光盘(DVD)等等)。
通信芯片806可以实现往来于计算设备800进行数据的传送的无线通信。术语“无线”及其派生词可以用于描述可以通过使用穿过非固态介质的调制电磁辐射来传送数据的电路、设备、系统、方法、技术、通信信道等等。该术语并非暗示相关联的设备不包含任何线,尽管在一些实施例中相关联的设备可能不包含任何线。通信芯片806可以实现多个无线标准或协议中的任何无线标准或协议,包括,但不限于,包含Wi-Fi(IEEE 802.11族)、IEEE802.16标准(例如,IEEE 802.16-2005修正)的电气与电子工程师协会(IEEE)标准、长期演进(LTE)计划以及任何修正、更新和/或修改(例如,先进的LTE计划、超移动宽带(UMB)计划(还被称为“3GPP2”)等等)。兼容IEEE 802.16的宽带无线接入(BWA)网络通常被称为WiMAX网络(Worldwide Interoperability for Microwave Access(微波接入全球互通)的首字母缩略词),WiMAX网络是用于通过针对IEEE 802.16标准的一致性和互操作性测试的产品的认证标志。通信芯片806可以根据以下来操作:全球移动通信系统(GSM)、通用分组无线服务(GPRS)、通用移动电信系统(UMTS)、高速分组接入(HSPA)、演进型HSPA(E-HSPA)或LTE网络。通信芯片806可以根据以下来操作:增强型数据GSM演进(EDGE)、GSM EDGE无线接入网络(GERAN)、通用陆地无线接入网络(UTRAN)或者演进型UTRAN(E-UTRAN)。通信芯片806可以根据以下进行操作:码分多址(CDMA)、时分多址(TDMA)、数字增强无绳电信(DECT)、演进数据优化(EV-DO)及其派生物,以及指定为3G、4G、5G及以上的任何其它的无线协议。在其它实施例中,通信芯片806可以根据其它无线协议来进行操作。
计算设备800可以包括多个通信芯片806。例如,第一通信芯片806可以专用于较短距离的无线通信(例如,Wi-Fi和蓝牙),并且第二通信芯片806可以专用于较长距离的无线通信(例如,GPS、EDGE、GPRS、CDMA、WiMAX、LTE、EV-DO等等)。
在一些实施例中,诸如计算设备的闪存或DRAM之类的存储器可以是被容纳在如本文所描述的壳体(例如,图1的壳体150)中的IC组件的部件。在其它实施例中,计算设备的其它生热器件(例如,处理器804、通信芯片806)可以是被容纳在如本文所描述的壳体(例如,图1的壳体150)中的IC组件的部件。
在各个实施方式中,计算设备800可以是膝上型计算机、上网本、笔记本、超级本、智能电话、平板设备、个人数字助理(PDA)、超级移动PC、移动电话、台式计算机、服务器、打印机、扫描仪、监视器、机顶盒、娱乐控制单元、数字照相机、便携式音乐播放器、或者数字视频记录器。在一些实施例中,计算设备800可以是移动计算设备。在其它实施方式中,计算设备800可以是处理数据的任何其它电子设备。
示例
根据各个实施方式,本公开内容描述了一种用于集成电路(IC)组件的壳体。所述壳体的示例1包括模塑盖结构,所述模塑盖结构具有本体部分和侧部部分,所述侧部部分从所述本体部分延伸并且形成被配置为容纳所述IC组件的腔,其中,所述本体部分和所述侧部部分共享包括聚合物的连续内部材料并且共享包括金属的连续外部材料,所述连续内部材料具有形成在所述本体部分中的开口,以使得所述IC组件能够通过所述开口与所述连续外部材料热耦合。示例2可以包括示例1所述的壳体,其中,所述IC组件包括固态驱动器(SSD)的生热元件。示例3可以包括示例1所述的壳体,其中,所述开口是形成在所述本体部分中的多个开口中的一个开口,以使得所述IC组件能够通过所述多个开口与所述连续外部材料热耦合。示例4可以包括示例1所述的壳体,其中,所述聚合物选自由以下各项构成的组:ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯)、ABS+PC(ABS+聚碳酸酯)、缩醛(POM)、丙烯酸(PMMA)、LCP(液晶聚合物)、PA-尼龙6(聚酰胺)、PA-尼龙6/6(聚酰胺)、PA-尼龙11(聚酰胺)、PBT(聚对苯二甲酸丁二醇酯)、PC(聚碳酸酯)、PEI(聚醚酰亚胺)、PE(聚乙烯)、LDPE(低密度聚乙烯)、HDPE(高密度聚乙烯)、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PP(聚丙烯)、PPA(聚邻苯二甲酰胺)、PPS(聚苯硫醚)、PS(聚苯乙烯)、HIPS(高抗冲聚苯乙烯)、PSU(聚砜)、PU(聚氨酯)、PVC(聚氯乙烯)、PVDF(聚偏二氟乙烯)、SAN(苯乙烯丙烯腈)、TPE(热塑性弹性体)和TPU(热塑性聚氨酯)。示例5可以包括示例1所述的壳体,其中,所述金属选自由以下各项构成的组:铝(Al)、铁(Fe)、钛(Ti)、铜(Cu)、镍(Ni)、镁(Mg)、不锈钢和铬镍铁合金。示例6可以包括示例1-5中任一项所述的壳体,还包括底料材料,所述底料材料被设置在所述连续内部材料与所述连续外部材料之间,以促进所述连续内部材料与所述连续外部材料之间的粘合。示例7可以包括示例6所述的壳体,其中,所述底料材料包括聚合物或纳米结构的金属氧化物。示例8可以包括示例1-5中任一项所述的壳体,还包括基部结构,所述基部结构被配置为与所述模塑盖结构耦合,以使得当所述基部结构与所述模塑盖结构耦合时,所述腔被设置在所述基部结构与所述模塑盖结构之间。示例9可以包括示例1-5中任一项所述的壳体,其中,所述模塑盖结构具有矩形轮廓。
根据各个实施例,本公开内容描述了一种制造用于集成电路(IC)组件的壳体的方法。所述方法的示例10可以包括:使用模塑工艺来形成盖结构,所述盖结构具有本体部分和侧部部分,所述侧部部分从所述本体部分延伸并且形成被配置为容纳所述IC组件的腔,其中,所述本体部分和所述侧部部分共享包括聚合物的连续内部材料并且共享包括金属的连续外部材料,其中,形成所述盖结构包括:在所述本体部分中形成开口,以使得所述IC组件能够通过所述开口与所述连续外部材料热耦合。示例11可以包括示例10所述的方法,其中,形成所述盖结构包括:使所述金属成形,以提供所述本体部分和所述侧部部分的外部;以及使用所述模塑工艺在所述金属上沉积所述聚合物,以提供所述本体部分和所述侧部部分的内部,其中,所述模塑工艺是注入模塑工艺。示例12可以包括示例11所述的方法,其中,使所述金属成形和沉积所述聚合物在所述注入模塑工艺期间同时被执行。示例13可以包括示例12所述的方法,其中,沉积所述聚合物使得所述金属成形,以提供所述本体部分和所述侧部部分的外部。示例14可以包括示例11所述的方法,其中,在所述本体部分中形成所述开口包括:使用模塑插入块,以便当在所述金属上沉积所述聚合物时防止所述聚合物在将要形成所述开口的区域中被沉积在所述金属上。示例15可以包括示例11所述的方法,其中,形成所述盖结构还包括:在沉积所述聚合物之前在所述金属上提供底料材料,以促进所述聚合物与所述金属之间的粘合。示例16可以包括示例10-15中任一项所述的方法,还包括:提供基部结构;使所述IC组件与所述基部结构耦合;以及使所述基部结构与所述盖结构耦合,以使得所述IC组件通过所述开口与所述连续外部材料热耦合。示例17可以包括示例16所述的方法,其中,使所述基部结构与所述盖结构耦合包括:使用扣接紧固件将所述基部结构与所述盖结构永久地固定。
根据各个实施例,本公开内容描述了一种固态驱动器(SSD)。所述SSD的示例18可以包括:模塑盖结构,所述模塑盖结构具有本体部分和侧部部分,所述侧部部分从所述本体部分延伸并且形成被配置为容纳集成电路(IC)组件的腔,其中,所述本体部分和所述侧部部分共享包括聚合物的连续内部材料并且共享包括金属的连续外部材料,所述连续内部材料具有形成在所述本体部分中的开口;基部结构,所述基部结构与所述模塑盖结构耦合,以使得所述腔被设置在所述基部结构与所述模塑盖结构之间;以及IC组件,所述IC组件被设置在所述基部结构与所述模塑盖结构之间,其中,所述IC组件通过所述开口与所述模塑盖结构的所述连续外部材料热耦合。示例19可以包括示例18所述的SSD,其中,所述开口是形成在所述本体部分中的多个开口中的一个开口;并且所述IC组件通过所述多个开口与所述连续外部材料热耦合。示例20可以包括示例18-19中任一项所述的SSD,还包括底料材料,所述底料材料被设置在所述连续内部材料与所述连续外部材料之间,以促进所述连续内部材料与所述连续外部材料之间的粘合。
各个实施例可以包括上述实施例的任意适当的组合,上述实施例包括以上以结合的形式(和)描述的实施例的替代(或)实施例(例如,“和”可以是“和/或”)。此外,一些实施例可以包括其上存储有指令的一个或多个制品(例如,非暂时性计算机可读介质),当该指令被执行时引起上面描述的实施例中的任何实施例的动作。此外,一些实施例可以包括具有用于实现上面描述的实施例的各个操作的任何适当单元的装置或者系统。
所示出的实施方式的以上描述(包括在摘要中所描述的内容)并非旨在是详尽的或将本公开内容的实施例限制于所公开的精确形式。虽然本文出于说明性的目的描述了特定的实施方式和示例,但如本领域技术人员将认识到的,在本公开内容的范围内各种等效修改是可能的。
根据上面的详细描述,可以对本公开内容的实施例作出这些修改。在所附权利要求中使用的术语不应当被解释为将本公开内容的各个实施例限制于说明书和权利要求中所公开的特定实施方式。相反,完全由所附权利要求来确定保护范围,其中根据已确立的权利要求的解释原则来解释权利要求。
Claims (20)
1.一种用于集成电路(IC)组件的壳体,所述壳体包括:
模塑盖结构,所述模塑盖结构具有
本体部分,以及
侧部部分,所述侧部部分从所述本体部分延伸并且形成被配置为容纳所述IC组件的腔,其中,所述本体部分和所述侧部部分共享包括聚合物的连续内部材料并且共享包括金属的连续外部材料,所述连续内部材料具有形成在所述本体部分中的开口,以使得所述IC组件能够通过所述开口与所述连续外部材料热耦合。
2.根据权利要求1所述的壳体,其中,所述IC组件包括固态驱动器(SSD)的生热元件。
3.根据权利要求1所述的壳体,其中,所述开口是形成在所述本体部分中的多个开口中的一个开口,以使得所述IC组件能够通过所述多个开口与所述连续外部材料热耦合。
4.根据权利要求1所述的壳体,其中,所述聚合物选自由以下各项构成的组:ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯)、ABS+PC(ABS+聚碳酸酯)、缩醛(POM)、丙烯酸(PMMA)、LCP(液晶聚合物)、PA-尼龙6(聚酰胺)、PA-尼龙6/6(聚酰胺)、PA-尼龙11(聚酰胺)、PBT(聚对苯二甲酸丁二醇酯)、PC(聚碳酸酯)、PEI(聚醚酰亚胺)、PE(聚乙烯)、LDPE(低密度聚乙烯)、HDPE(高密度聚乙烯)、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PP(聚丙烯)、PPA(聚邻苯二甲酰胺)、PPS(聚苯硫醚)、PS(聚苯乙烯)、HIPS(高抗冲聚苯乙烯)、PSU(聚砜)、PU(聚氨酯)、PVC(聚氯乙烯)、PVDF(聚偏二氟乙烯)、SAN(苯乙烯丙烯腈)、TPE(热塑性弹性体)和TPU(热塑性聚氨酯)。
5.根据权利要求1所述的壳体,其中,所述金属选自由以下各项构成的组:铝(Al)、铁(Fe)、钛(Ti)、铜(Cu)、镍(Ni)、镁(Mg)、不锈钢和铬镍铁合金。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的壳体,还包括:
底料材料,所述底料材料被设置在所述连续内部材料与所述连续外部材料之间,以促进所述连续内部材料与所述连续外部材料之间的粘合。
7.根据权利要求6所述的壳体,其中,所述底料材料包括聚合物或纳米结构的金属氧化物。
8.根据权利要求1-5中任一项所述的壳体,还包括:
基部结构,所述基部结构被配置为与所述模塑盖结构耦合,以使得当所述基部结构与所述模塑盖结构耦合时,所述腔被设置在所述基部结构与所述模塑盖结构之间。
9.根据权利要求1-5中任一项所述的壳体,其中,所述模塑盖结构具有矩形轮廓。
10.一种制造用于集成电路(IC)组件的壳体的方法,所述方法包括:
使用模塑工艺来形成盖结构,所述盖结构具有本体部分和侧部部分,所述侧部部分从所述本体部分延伸并且形成被配置为容纳所述IC组件的腔,其中,所述本体部分和所述侧部部分共享包括聚合物的连续内部材料并且共享包括金属的连续外部材料;
其中,形成所述盖结构包括:在所述本体部分中形成开口,以使得所述IC组件能够通过所述开口与所述连续外部材料热耦合。
11.根据权利要求10所述的方法,其中,形成所述盖结构包括:
使所述金属成形,以提供所述本体部分和所述侧部部分的外部;以及使用所述模塑工艺在所述金属上沉积所述聚合物,以提供所述本体部分和所述侧部部分的内部,其中,所述模塑工艺是注入模塑工艺。
12.根据权利要求11所述的方法,其中,使所述金属成形和沉积所述聚合物在所述注入模塑工艺期间同时被执行。
13.根据权利要求12所述的方法,其中,沉积所述聚合物使得所述金属成形,以提供所述本体部分和所述侧部的外部。
14.根据权利要求11所述的方法,其中,在所述本体部分中形成所述开口包括:使用模塑插入块,以便当在所述金属上沉积所述聚合物时防止所述聚合物在将要形成所述开口的区域中被沉积在所述金属上。
15.根据权利要求11所述的方法,其中,形成所述盖结构还包括:
在沉积所述聚合物之前在所述金属上提供底料材料,以促进所述聚合物与所述金属之间的粘合。
16.根据权利要求10-15中任一项所述的方法,还包括:
提供基部结构;
使所述IC组件与所述基部结构耦合;以及
使所述基部结构与所述盖结构耦合,以使得所述IC组件通过所述开口与所述连续外部材料热耦合。
17.根据权利要求16所述的方法,其中,使所述基部结构与所述盖结构耦合包括:使用扣接紧固件将所述基部结构与所述盖结构永久地附着。
18.一种固态驱动器(SSD),包括:
模塑盖结构,所述模塑盖结构具有
本体部分,以及
侧部部分,所述侧部部分从所述本体部分延伸并且形成被配置为容纳集成电路(IC)组件的腔,其中,所述本体部分和所述侧部部分共享包括聚合物的连续内部材料并且共享包括金属的连续外部材料,
所述连续内部材料具有形成在所述本体部分中的开口;
基部结构,所述基部结构与所述模塑盖结构耦合,以使得所述腔被设置在所述基部结构与所述模塑盖结构之间;以及
IC组件,所述IC组件被设置在所述基部结构与所述模塑盖结构之间,其中,所述IC组件通过所述开口与所述模塑盖结构的所述连续外部材料热耦合。
19.根据权利要求18所述的SSD,其中:
所述开口是形成在所述本体部分中的多个开口中的一个开口;并且
所述IC组件通过所述多个开口与所述连续外部材料热耦合。
20.根据权利要求18-19中任一项所述的SSD,还包括:
底料材料,所述底料材料被设置在所述连续内部材料与所述连续外部材料之间,以促进所述连续内部材料与所述连续外部材料之间的粘合。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/US2014/038273 WO2015174993A1 (en) | 2014-05-15 | 2014-05-15 | Molded composite enclosure for integrated circuit assembly |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106233457A true CN106233457A (zh) | 2016-12-14 |
CN106233457B CN106233457B (zh) | 2019-09-27 |
Family
ID=54480363
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201480078014.3A Active CN106233457B (zh) | 2014-05-15 | 2014-05-15 | 用于集成电路组件的模塑复合壳体 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9607914B2 (zh) |
EP (1) | EP3143643B1 (zh) |
JP (1) | JP6382348B2 (zh) |
KR (1) | KR101978027B1 (zh) |
CN (1) | CN106233457B (zh) |
SG (1) | SG11201608277YA (zh) |
TW (1) | TWI571976B (zh) |
WO (1) | WO2015174993A1 (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107256814A (zh) * | 2017-06-11 | 2017-10-17 | 武城县光明电力工程有限公司 | 一种组合式联动开关 |
CN112582352A (zh) * | 2020-12-22 | 2021-03-30 | 江西龙芯微科技有限公司 | 一种集成电路封装外壳 |
TWI730879B (zh) * | 2019-08-28 | 2021-06-11 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | 封裝結構及其製作方法 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE202016007614U1 (de) | 2015-12-23 | 2018-03-13 | Apple Inc. | Gehäuse mit metallischer Innenflächenschicht |
US10447834B2 (en) | 2016-09-21 | 2019-10-15 | Apple Inc. | Electronic device having a composite structure |
US11202396B2 (en) * | 2017-05-19 | 2021-12-14 | Rolls-Royce Corporation | Additive manufacturing of engine control component |
KR102385570B1 (ko) | 2018-03-09 | 2022-04-12 | 삼성전자주식회사 | 솔리드 스테이트 드라이브 케이스 및 이를 이용한 솔리드 스테이트 드라이브 장치 |
US11289401B2 (en) * | 2019-05-15 | 2022-03-29 | Powertech Technology Inc. | Semiconductor package |
EP3923687B1 (en) | 2020-06-09 | 2024-04-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory device and electronic device including the same |
USD988318S1 (en) | 2020-09-10 | 2023-06-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Solid state drive memory device |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05114664A (ja) * | 1991-05-31 | 1993-05-07 | Toshiba Chem Corp | 電子機器筐体の製造方法 |
JPH08263172A (ja) * | 1995-03-28 | 1996-10-11 | Toshiba Corp | 電子機器筐体構造及び電子機器筐体の製造方法 |
JPH09307013A (ja) * | 1996-05-10 | 1997-11-28 | Mitsui High Tec Inc | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
CN102934225A (zh) * | 2011-02-15 | 2013-02-13 | 松下电器产业株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |
Family Cites Families (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05102262A (ja) * | 1991-10-03 | 1993-04-23 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びそれを実装した実装装置 |
KR100327926B1 (ko) * | 1993-03-24 | 2002-06-20 | 블레이어 에프.모리슨 | 집적회로패키징 |
US5550403A (en) * | 1994-06-02 | 1996-08-27 | Lsi Logic Corporation | Improved laminate package for an integrated circuit and integrated circuit having such a package |
US6703560B2 (en) * | 1998-09-15 | 2004-03-09 | International Business Machines Corporation | Stress resistant land grid array (LGA) module and method of forming the same |
US6275381B1 (en) * | 1998-12-10 | 2001-08-14 | International Business Machines Corporation | Thermal paste preforms as a heat transfer media between a chip and a heat sink and method thereof |
JP3982941B2 (ja) * | 1999-04-12 | 2007-09-26 | 富士通株式会社 | 記憶装置 |
US6585925B2 (en) | 2000-12-27 | 2003-07-01 | Intel Corporation | Process for forming molded heat dissipation devices |
US20040238947A1 (en) * | 2003-05-28 | 2004-12-02 | Intel Corporation | Package and method for attaching an integrated heat spreader |
JP4133597B2 (ja) * | 2003-06-02 | 2008-08-13 | 池田電機株式会社 | 配線ブロックの収納構造及び配線ブロックの収納方法 |
JP4294405B2 (ja) * | 2003-07-31 | 2009-07-15 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置 |
WO2005024940A1 (ja) * | 2003-08-28 | 2005-03-17 | Fujitsu Limited | パッケージ構造、それを搭載したプリント基板、並びに、かかるプリント基板を有する電子機器 |
WO2005055317A1 (ja) * | 2003-12-05 | 2005-06-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | パッケージされた電子素子、及び電子素子パッケージの製造方法 |
US7439618B2 (en) * | 2005-03-25 | 2008-10-21 | Intel Corporation | Integrated circuit thermal management method and apparatus |
JP2007299961A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Sharp Corp | 半導体装置、および半導体装置の製造方法 |
US7989947B2 (en) * | 2007-03-06 | 2011-08-02 | Panasonic Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
US7851906B2 (en) * | 2007-03-26 | 2010-12-14 | Endicott Interconnect Technologies, Inc. | Flexible circuit electronic package with standoffs |
JP2010010599A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-14 | Fuji Polymer Industries Co Ltd | 熱拡散シート |
JP2010108879A (ja) * | 2008-10-31 | 2010-05-13 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 電気機器及び照明器具 |
US8018072B1 (en) * | 2008-12-23 | 2011-09-13 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor package having a heat spreader with an exposed exterion surface and a top mold gate |
KR20100101958A (ko) * | 2009-03-10 | 2010-09-20 | 삼성전자주식회사 | 슈퍼 커패시터를 포함하는 고체 상태 구동기 |
JP2010225762A (ja) * | 2009-03-23 | 2010-10-07 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 配線基板収容装置および照明器具 |
JP2011134138A (ja) * | 2009-12-24 | 2011-07-07 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
US8969132B2 (en) * | 2010-09-20 | 2015-03-03 | Nuvotronics, Llc | Device package and methods for the fabrication thereof |
US8310040B2 (en) * | 2010-12-08 | 2012-11-13 | General Electric Company | Semiconductor device package having high breakdown voltage and low parasitic inductance and method of manufacturing thereof |
DE102010054782A1 (de) * | 2010-12-16 | 2012-06-21 | Epcos Ag | Gehäustes elektrisches Bauelement |
US8637985B2 (en) * | 2011-02-16 | 2014-01-28 | ISC8 Inc. | Anti-tamper wrapper interconnect method and a device |
JP2013069748A (ja) * | 2011-09-21 | 2013-04-18 | Toshiba Corp | ベースプレートおよび半導体装置 |
US8643169B2 (en) * | 2011-11-09 | 2014-02-04 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor sensor device with over-molded lid |
CN104220954B (zh) | 2012-05-17 | 2018-07-17 | 英特尔公司 | 用于装置制造的薄膜插入模制 |
KR20140004864A (ko) * | 2012-07-03 | 2014-01-14 | 주식회사 휘닉스소재 | 에스에스디용 방열케이스 |
US20140036435A1 (en) * | 2012-08-03 | 2014-02-06 | Mosaid Technologies Incorporated | Storage system having a heatsink |
US9159643B2 (en) * | 2012-09-14 | 2015-10-13 | Freescale Semiconductor, Inc. | Matrix lid heatspreader for flip chip package |
TWM468135U (zh) | 2013-07-22 | 2013-12-11 | Akasa Asia Corp | 用於小型機板的無風扇機殼 |
US9379074B2 (en) * | 2013-11-22 | 2016-06-28 | Invensas Corporation | Die stacks with one or more bond via arrays of wire bond wires and with one or more arrays of bump interconnects |
US9269700B2 (en) * | 2014-03-31 | 2016-02-23 | Micron Technology, Inc. | Stacked semiconductor die assemblies with improved thermal performance and associated systems and methods |
-
2014
- 2014-05-15 KR KR1020167028668A patent/KR101978027B1/ko active IP Right Grant
- 2014-05-15 EP EP14891807.1A patent/EP3143643B1/en active Active
- 2014-05-15 WO PCT/US2014/038273 patent/WO2015174993A1/en active Application Filing
- 2014-05-15 US US14/434,239 patent/US9607914B2/en active Active
- 2014-05-15 CN CN201480078014.3A patent/CN106233457B/zh active Active
- 2014-05-15 SG SG11201608277YA patent/SG11201608277YA/en unknown
- 2014-05-15 JP JP2016567225A patent/JP6382348B2/ja active Active
-
2015
- 2015-04-10 TW TW104111614A patent/TWI571976B/zh active
-
2017
- 2017-02-13 US US15/431,296 patent/US10056308B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05114664A (ja) * | 1991-05-31 | 1993-05-07 | Toshiba Chem Corp | 電子機器筐体の製造方法 |
JPH08263172A (ja) * | 1995-03-28 | 1996-10-11 | Toshiba Corp | 電子機器筐体構造及び電子機器筐体の製造方法 |
JPH09307013A (ja) * | 1996-05-10 | 1997-11-28 | Mitsui High Tec Inc | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
CN102934225A (zh) * | 2011-02-15 | 2013-02-13 | 松下电器产业株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107256814A (zh) * | 2017-06-11 | 2017-10-17 | 武城县光明电力工程有限公司 | 一种组合式联动开关 |
TWI730879B (zh) * | 2019-08-28 | 2021-06-11 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | 封裝結構及其製作方法 |
US11456287B2 (en) | 2019-08-28 | 2022-09-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Package structure and method of fabricating the same |
CN112582352A (zh) * | 2020-12-22 | 2021-03-30 | 江西龙芯微科技有限公司 | 一种集成电路封装外壳 |
CN112582352B (zh) * | 2020-12-22 | 2022-08-30 | 江西龙芯微科技有限公司 | 一种集成电路封装外壳 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201543620A (zh) | 2015-11-16 |
TWI571976B (zh) | 2017-02-21 |
CN106233457B (zh) | 2019-09-27 |
EP3143643B1 (en) | 2022-06-01 |
US20170170085A1 (en) | 2017-06-15 |
WO2015174993A1 (en) | 2015-11-19 |
US20160268178A1 (en) | 2016-09-15 |
EP3143643A4 (en) | 2017-12-27 |
EP3143643A1 (en) | 2017-03-22 |
JP2017516309A (ja) | 2017-06-15 |
US10056308B2 (en) | 2018-08-21 |
KR20160135286A (ko) | 2016-11-25 |
SG11201608277YA (en) | 2016-10-28 |
US9607914B2 (en) | 2017-03-28 |
KR101978027B1 (ko) | 2019-05-13 |
JP6382348B2 (ja) | 2018-08-29 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |